JP3321886B2 - Attenuated total reflection thin film evaluation system - Google Patents

Attenuated total reflection thin film evaluation system

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JP3321886B2
JP3321886B2 JP7470193A JP7470193A JP3321886B2 JP 3321886 B2 JP3321886 B2 JP 3321886B2 JP 7470193 A JP7470193 A JP 7470193A JP 7470193 A JP7470193 A JP 7470193A JP 3321886 B2 JP3321886 B2 JP 3321886B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜の屈折率、減衰係
数(光吸収)、膜厚等を評価測定する減衰全反射型薄膜
評価装置に係わる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an attenuated total reflection type thin film evaluation apparatus for evaluating and measuring the refractive index, attenuation coefficient (light absorption), film thickness and the like of a thin film.

【0002】[0002]

【従来の技術】減衰全反射型薄膜評価方法は、例えば日
本物理学会誌 Vol.43,No.11,1988,第863 〜868 頁に開
示されているように、減衰全反射(以下ATRという)
の現象を利用して薄膜の光学定数評価を行うものであ
る。
2. Description of the Related Art An attenuated total reflection type thin film evaluation method is disclosed in, for example, the Journal of the Physical Society of Japan, Vol. 43, No. 11, 1988, pp. 863-868.
The optical constant of the thin film is evaluated by utilizing the phenomenon described above.

【0003】このATRによる評価は、同じ目的で広く
用いられている偏光解析と比較すると、偏光解析が透明
薄膜や吸収バルク材に適性があるのに対し、ATRは被
評価薄膜が金属のように光吸収をもつ薄膜である場合に
好適である。
[0003] Compared with the ellipsometry widely used for the same purpose, the evaluation by the ATR shows that the ellipsometry is suitable for a transparent thin film or an absorbing bulk material, whereas the ATR is not suitable for a thin film to be evaluated such as a metal. It is suitable for a thin film having light absorption.

【0004】このATR評価は、屈折率の高い媒質Aか
ら屈折率の小さい媒質Bに入射する光が、或る入射角、
すなわち両媒質の屈折率によって決まる全反射臨界角を
越えるときに生じる全反射の現象を利用するものであ
る。このとき、両媒質A及びBの界面に光を吸収する物
質の薄膜、例えば金属薄膜が存在すると、媒質Bから滲
み出した光がこの薄膜で吸収されて反射される光パワー
が減少する。
[0004] In this ATR evaluation, light incident from a medium A having a high refractive index to a medium B having a small refractive index has a certain incident angle,
That is, the phenomenon of total reflection that occurs when the total reflection critical angle determined by the refractive index of both media is exceeded is used. At this time, if there is a thin film of a substance that absorbs light, for example, a metal thin film, at the interface between the two media A and B, the light power oozing out of the medium B is absorbed by this thin film and the light power reflected is reduced.

【0005】このATRの現象は、共鳴的な性格を持っ
ている。これは、最も効果的に光パワーを吸収できるモ
ードが金属薄膜表面のプラズマ振動(電気分極の波動)
であり、これが媒質の光学定数で決まる固有の分散関係
角周波数ωと波数kの金属薄膜の面方向成分kH とが
満たす一定の関係)を持っていることにより、滲み出し
光が、これと同じω,kH を持つときに限って高い効率
でプラズモンへとエネルギーが移動し、反射率が激減す
る。
[0005] The phenomenon of ATR has a resonant character. This is because the mode that can absorb the optical power most effectively is the plasma oscillation (electric polarization wave) on the surface of the metal thin film.
Which is a unique dispersion relation determined by the optical constant of the medium.
(A constant relationship that is satisfied by the angular frequency ω and the surface direction component k H of the metal thin film having the wave number k), a high efficiency is obtained only when the seeping light has the same ω and k H. Then, energy is transferred to the plasmon, and the reflectivity is drastically reduced.

【0006】このATR薄膜評価方法は、例えば図5に
その一例の基本的構成を示すように、断面直角3角形の
柱状の屈折率np を有するプリズム1の底面に形成した
被評価薄膜11例えばAg蒸着膜に対して測定用の入射
光2例えば角周波数ωL のレーザ光を所要の見掛けの入
射角(プリズムに入射する光の、プリズム底面に対する
法線とのなす角を見掛け入射角と称することにする)θ
i をもって照射することによって行われる。
This ATR thin film evaluation method is, for example, as shown in FIG. 5 which shows a basic configuration of one example of the thin film to be evaluated 11 formed on the bottom surface of a prism 1 having a columnar refractive index np having a rectangular cross section at right angles. angle of incidence of the laser beam required apparent incident light 2 for example the angular frequency omega L for measurement with respect to Ag vapor-deposited film (the light incident on the prism is referred to as the angle of incidence apparent angle between the normal to the prism bottom surface Let's say) θ
Irradiation with i is performed.

【0007】図6は、この場合の表面プラズモンの分散
関係を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing the dispersion relationship of surface plasmons in this case.

【0008】本発明で対象とするATR薄膜評価装置
は、例えば入射光の周波数ωL は固定とするものである
が、光の入射角θi を変えることによって下記数1によ
って波数kH を選定して、図6の分散曲線上の点Pを得
ることができる。
In the ATR thin film evaluation apparatus of the present invention, for example, the frequency ω L of the incident light is fixed, but the wave number k H is selected by the following equation 1 by changing the incident angle θ i of the light. Thus, a point P on the dispersion curve in FIG. 6 can be obtained.

【0009】[0009]

【数1】kH =ωL p sinθi /c cは光速を示す。[Number 1] k H = ω L n p sinθ i / c c represents the speed of light.

【0010】図7は、光の入射角θi に対する反射率の
変化を示し、破線曲線は、プリズムのみの場合、実線曲
線はAg薄膜がある場合で、プリズムのみの場合は、θ
i >θc で全反射、Ag薄膜すなわち金属薄膜が存在す
る場合は、図5の点Pの分散関係によるATRによる沈
み込みAが生じる。θc は全反射臨界角。
FIG. 7 shows the change in reflectance with respect to the incident angle θ i of light. The broken line curve indicates the case where only the prism is used, the solid line curve indicates the case where the Ag thin film is used, and the case where only the prism is used.
total reflection at i> θ c, if the Ag thin film i.e. the metal thin film is present, A is caused sinking by ATR by the dispersion relation of a point P in FIG. θ c is the critical angle for total reflection.

【0011】このような反射率の角度依存性は、媒質の
光学定数(屈折率n,消衰係数k),金属薄膜の厚さd
を仮定して計算することによって求めることができるの
で、計算結果が実測を再現するようにしてn,k,dの
3者全てを同時に推定できるのである。
The angle dependence of the reflectance is determined by the optical constant of the medium (refractive index n, extinction coefficient k) and the thickness d of the metal thin film.
Can be obtained by assuming that n, k, and d can be simultaneously estimated so that the calculation result reproduces the actual measurement.

【0012】因みに、良く用いられる、入射角固定,単
一波長の偏光解析装置では、kに文献値を仮定してnと
dを求めるとか、膜厚を別法で定めた上でn,kを求め
るというように、2者の推定しかできないものであり、
ここにATR薄膜評価方法の大きな利点が存在する。
By the way, in a commonly used polarization analyzer with a fixed incident angle and a single wavelength, n and d are obtained by assuming literature values for k, or after determining the film thickness by another method. It is something that can only be estimated by the two, like
Here is a great advantage of the ATR thin film evaluation method.

【0013】ところで、上述したATR薄膜評価方法で
は、上述したところから明らかなように、全反射臨界角
θc を超える範囲を含んで測定用光ビーム2を角度掃引
するものであるが、いま図5で示すように、光結合用プ
リズム1として2等辺3角形、例えば直角3角形のプリ
ズムを用いる場合、光ビームのプリズム1に対する入射
角が90°(直角3角形の場合は見掛け入射角θi が4
5°に相当)の場合、その見掛け入射角に対する反射率
すなわちATRスペクトルは、図8に示すように45°
近傍で乱れを生じる。
By the way, in the above-described ATR film evaluation method, as apparent from the above, although the measurement light beam 2 comprises a range exceeding the total reflection critical angle theta c is for angular sweep, now view As shown by 5, when an isosceles triangular prism, for example, a right-angled triangular prism is used as the optical coupling prism 1, the incident angle of the light beam on the prism 1 is 90 ° (in the case of a right-angled triangular shape, the apparent incident angle θ i). Is 4
In this case, the reflectance for the apparent incident angle, that is, the ATR spectrum is 45 ° as shown in FIG.
Disturbance occurs in the vicinity.

【0014】この現象は図5に示すように、測定用光ビ
ームがプリズム1の一方の斜面に対して直角に入射する
場合、このプリズム1に対する入射点Aと被評価薄膜1
1が配置される底面の全反射がなされる点Bとプリズム
1からの出射点Cとを結ぶ光路が底面に対する点Bを通
る法線に対して対称であるため、点Bから点Cに向かっ
てこの点Cで反射した一部の光が再び同一光路を採って
点Cから点Bに向かいその一部の光が反射するという繰
り返し往復による共振が生じることに因ると考えられ
る。
As shown in FIG. 5, this phenomenon occurs when the measuring light beam is incident at right angles to one of the slopes of the prism 1 and the point of incidence A on the prism 1 and the thin film 1 to be evaluated.
Since the optical path connecting the point B where the total reflection is performed on the bottom surface where the light-receiving element 1 is disposed and the emission point C from the prism 1 is symmetrical with respect to the normal passing through the point B with respect to the bottom surface, the point B moves from the point B to the point C. This is considered to be due to the reciprocal reciprocal resonance that a part of the light reflected at the lever C takes the same optical path again from the point C to the point B and the part of the light is reflected.

【0015】すなわち、上述の点A−Cを一回だけ通っ
て点Cから外部に検出される本来の測定用光の振幅に、
上述の共振による光振幅が重ね合わせられ、これらの波
の位相が同相か否かによって検出光が強められたり、弱
められたりする干渉が生じ図8で示す干渉領域Iが発生
するものであると考えられる。
That is, the amplitude of the original measurement light that is detected from the point C to the outside after passing through the point AC only once is:
If the light amplitudes due to the above-described resonance are superimposed, interference occurs in which the detection light is strengthened or weakened depending on whether or not the phases of these waves are the same, and the interference region I shown in FIG. 8 occurs. Conceivable.

【0016】このようなプリズム内の光干渉による雑音
を回避する方法としては、例えばプリズムの屈折率また
はプリズムの角度を大きく変えて目的のATRスペクト
ルが雑音の出ない角度領域に現れるように動かす方法が
考えられる。
As a method of avoiding noise due to optical interference in the prism, for example, a method of changing the refractive index of the prism or the angle of the prism so as to move the target ATR spectrum so that the target ATR spectrum appears in the noise-free angle region. Can be considered.

【0017】この場合、プリズムに対して全反射を生じ
させる媒質が常に例えば空気であるというように同じ媒
質である場合には、この方法はかなり有効である。
In this case, this method is quite effective when the medium that causes total internal reflection to the prism is always the same medium, for example, air.

【0018】しかしながら、例えば化学センサなどに用
いる場合においては、全反射臨界角が必ずしも一定では
なく、この方法の適用が困難となる場合が生じる。
However, for example, when used in a chemical sensor or the like, the critical angle of total reflection is not always constant, and it may be difficult to apply this method.

【0019】[0019]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したA
TRスペクトルに干渉領域Iすなわち不安定領域が発生
することを効果的に回避し、しかも上述したような全反
射臨界角が確定されていない場合においても確実にAT
Rスペクトルに干渉領域の発生したがって雑音の発生を
効果的に回避できるようにする。
The present invention relates to the above-mentioned A
It is possible to effectively avoid the occurrence of the interference region I, that is, the unstable region in the TR spectrum, and to surely achieve the AT even when the critical angle for total reflection is not determined as described above.
It is possible to effectively avoid the generation of an interference region in the R spectrum and hence the generation of noise.

【0020】すなわち本発明においては、被評価薄膜に
対する光結合用プリズム内に根本的に光共振器が構成す
ることがない構成とする。
That is, in the present invention, the optical resonator is not fundamentally formed in the optical coupling prism for the thin film to be evaluated.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】本発明においては、図1
にその一例の平面図を示すように、光結合用プリズム1
を介して被評価薄膜11に測定用光ビーム2を照射し
て、減衰全反射による分析評価を行う減衰全反射型薄膜
評価装置において、プリズム1を、被評価薄膜11が配
置される面を底面とするその両側の底角α及びβを共に
鋭角で互いに異なる角度に選定する。すなわちβ=α+
δとする。ここにδ>0またはδ<0とする。
According to the present invention, FIG.
As shown in FIG.
In the attenuated total reflection type thin film evaluation apparatus which irradiates the thin film to be evaluated 11 with the measuring light beam 2 through the through hole and performs the analysis and evaluation by the attenuated total reflection, the prism 1 is used to set the surface on which the to be evaluated thin film 11 is disposed to the bottom surface. both the base angle on both sides α and β to
Select acute and different angles. That is, β = α +
δ. Here, δ> 0 or δ <0.

【0022】[0022]

【作用】上述の本発明構成によれば、図1で示すよう
に、測定用光ビーム2が、プリズムの底面(本明細書で
は、上述したところから明らかなように、被評価薄膜1
1が配置される面を底面としている)の所定の点、すな
わち一般には底面の中央の点Bに向かってプリズムの斜
面に直角に入射した光が、点Bで全反射した場合におい
ても、他方の斜面の点Cで反射した一部の光は、図1に
破線図示のように、点Bに向かうことなく他へと反射す
るので光共振器が生じることが回避される。
According to the structure of the present invention described above, as shown in FIG. 1, the measuring light beam 2 is applied to the bottom surface of the prism (in this specification, as apparent from the above description, the thin film 1 to be evaluated).
1 is defined as a bottom surface), that is, when light that is incident at right angles on the slope of the prism toward point B at the center of the bottom surface at right angles is totally reflected at point B, Part of the light reflected at the point C on the inclined surface is reflected to the other without going to the point B as shown by the broken line in FIG.

【0023】したがって、この構成によって得たATR
スペクトルは図2に示すように、干渉領域すなわち不安
定領域がない滑らかな特性となり、ATR評価に対して
雑音の小さい確実な評価(測定)を行うことができる。
Therefore, the ATR obtained by this configuration
As shown in FIG. 2, the spectrum has a smooth characteristic without an interference area, that is, an unstable area, and a reliable evaluation (measurement) with small noise can be performed with respect to the ATR evaluation.

【0024】[0024]

【実施例】図3を参照して本発明によるATR型薄膜評
価装置の一例を説明する。このATR型薄膜評価装置は
標準的なATR測定系とすることができる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An example of an ATR type thin film evaluation apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. This ATR thin film evaluation apparatus can be a standard ATR measurement system.

【0025】この場合、角走査を行うための回転台61
上に被評価薄膜を有する試料62を載置する。
In this case, a turntable 61 for performing angular scanning.
A sample 62 having a thin film to be evaluated is placed thereon.

【0026】この試料62は、図1に示すように、光結
合用プリズム1の底面に直接的に被評価薄膜11が形成
された構成とすることができるが、本出願人による特願
平5−72245号で提案した構成を採ることができ
る。すなわち、例えばCD(コンパクトディスク)等の
光ディスクにおいてガラスやプラスチックス等の光透過
性基板に被着されたAl薄膜等を被評価薄膜11とする
ときは、図4に示すように、この光ディスク等の光透過
性基板12を、その薄膜11を有する側とは反対側にお
いて光結合用プリズム1の底面に、カップリング層15
を介して光学的に結合配置した構成とする。
As shown in FIG. 1, the sample 62 can have a configuration in which the thin film 11 to be evaluated is formed directly on the bottom surface of the optical coupling prism 1. The configuration proposed in -72245 can be adopted. That is, for example, when an Al thin film or the like attached to a light-transmitting substrate such as glass or plastics is used as an evaluation thin film 11 in an optical disk such as a CD (compact disk), as shown in FIG. The light-transmitting substrate 12 is provided on the bottom surface of the optical coupling prism 1 on the side opposite to the side having the thin film 11 with a coupling layer 15.
And optically coupled to each other.

【0027】このカップリング層15は、プリズム1と
このカップリング層15との界面での全反射臨界角が光
透過性基板12と空気との界面での全反射臨界角よりも
大となる液体層の、例えば、水、アーモンド油、ヨウ化
メチレン等の層とする。
The coupling layer 15 is a liquid in which the critical angle of total reflection at the interface between the prism 1 and the coupling layer 15 is larger than the critical angle of total reflection at the interface between the light transmitting substrate 12 and air. layer, for example, water, almond oil, a layer such as methylene iodide.

【0028】このように、プリズム1とこのカップリン
グ層15との界面ディスクの全反射臨界角が光透過性基
板11と空気との界面での全反射臨界角よりも大となる
液体層によるカップリング層15とするときは、特願平
5−72245号で説明されているように、プリズムと
基板12との間の各界面のATR評価への実質的影響を
回避できる。
As described above, the coupling by the liquid layer in which the critical angle of total reflection of the interface disk between the prism 1 and the coupling layer 15 is larger than the critical angle of total reflection at the interface between the light transmitting substrate 11 and air. When the ring layer 15 is used, as described in Japanese Patent Application No. 5-72245, it is possible to avoid a substantial influence on the ATR evaluation of each interface between the prism and the substrate 12.

【0029】そして、特に本発明においては、このプリ
ズム1の構成を、被評価薄膜11が配置される面を底面
とするその両側の底角α及びβを互いに異なる角度に選
定する。すなわちβ=α+δとする。ここにδ>0また
はδ<0とする。
In particular, in the present invention, the configuration of the prism 1 is set such that the base angles α and β on both sides of the surface on which the thin film 11 to be evaluated is arranged are different from each other. That is, β = α + δ. Here, δ> 0 or δ <0.

【0030】載置台61は、いわゆるゴニオメータステ
ージによって構成することができる。すなわち、例えば
それぞれ2θとθとの関係で回動する第1及び第2のス
テージ63及び64を有して成り、第2のステージ64
上に更に互いに直交するx及びyの2方向に移動可能と
し得、このステージ75上に試料62を載置する。
The mounting table 61 can be constituted by a so-called goniometer stage. That is, for example, it includes first and second stages 63 and 64 that rotate in a relationship between 2θ and θ, respectively.
The sample 62 can be further moved in two directions x and y orthogonal to each other, and the sample 62 is placed on the stage 75.

【0031】そして、光源例えばHe−Neレーザ65
が設けられ、これよりの測定用光ビーム2すなわちレー
ザ光を、偏光子66、ビームスプリッタ67、ビームシ
フタ68を通じてプリズム1に図4で示す所要の見掛け
入射角θi をもって導入する。
Then, a light source such as a He-Ne laser 65
Is introduced into the prism 1 through the polarizer 66, the beam splitter 67, and the beam shifter 68 at a required apparent incident angle θ i shown in FIG.

【0032】この測定用光ビーム2は、その径を光透過
性基板11の厚さDより小に選定する。
The diameter of the measuring light beam 2 is selected to be smaller than the thickness D of the light transmitting substrate 11.

【0033】そして、第1及び第2のステージを2θ及
びθの関係で回転させつつ入射角に対する試料62から
の反射光2Rを測定する。このため、例えば第1のステ
ージ63に配置されたフォトダイオード等の第1の光検
出器69によって検出する。このとき、ビームシフタ6
8を回転させ、ステージ75をx,y方向に移動させる
ことによって、光透過性基板11の薄膜1との界面の所
定の測定位置に入射光が照射されるように調整される。
Then, the reflected light 2R from the sample 62 with respect to the incident angle is measured while rotating the first and second stages in a relationship of 2θ and θ. For this reason, for example, detection is performed by a first photodetector 69 such as a photodiode disposed on the first stage 63. At this time, the beam shifter 6
By rotating the stage 8 and moving the stage 75 in the x and y directions, adjustment is made so that a predetermined measurement position at the interface between the light transmitting substrate 11 and the thin film 1 is irradiated with incident light.

【0034】一方、ビームスプリッタ67で分離された
レーザ光の一部を、フォトダイオード等の第2の光検出
器70によってレーザ光すなわち測定用光ビームのパワ
ーを検出し、これら光検出器69及び70の各検出出力
をそれぞれ増幅器71及び72によって増幅してこれら
出力A及びBをアナログ割り算器(アナログデバイス
社:AD−533)73に導入してA/Bを得、これに
所要の係数を掛けて反射率を算出する。
On the other hand, a part of the laser beam split by the beam splitter 67 is detected by a second photodetector 70 such as a photodiode to detect the power of the laser beam, that is, the power of the measuring light beam. The respective outputs A and B are amplified by amplifiers 71 and 72, respectively, and the outputs A and B are introduced into an analog divider 73 (Analog Devices, Inc .: AD-533) 73 to obtain A / B. Multiply and calculate the reflectance.

【0035】割り算器73の出力はディジタルオシロス
コープを介してパソコン(PC−9801)に導入す
る。そしてここで理論反射率の計算、及び実測値との相
互比較もすべてこのパソコン上で行う。このようにして
ATRによる金属薄膜1の光学定数評価を行う。
The output of the divider 73 is introduced into a personal computer (PC-9801) via a digital oscilloscope. Here, the calculation of the theoretical reflectance and the inter-comparison with the measured values are all performed on this personal computer. Thus, the optical constant of the metal thin film 1 is evaluated by the ATR.

【0036】前述したように本発明によれば、その光学
的結合のためのプリズム1の底角を互いに異なる角度と
して不等辺3角形としたことにより、プリズム内部での
光共振器が構成されることを回避したことにより、図2
で説明したATRスペクトルでの干渉領域の発生を回避
でき、正確なATRによる被評価薄膜の光学定数等の評
価(測定)を行うことができる。
As described above, according to the present invention, the prism 1 for the optical coupling has an unequal triangular shape with the base angles different from each other, thereby forming an optical resonator inside the prism. Figure 2
Thus, it is possible to avoid the occurrence of the interference region in the ATR spectrum described above, and to accurately evaluate (measure) the optical constant and the like of the thin film to be evaluated by the ATR.

【0037】なお、図2及び図8の各ATRスペクトル
は、共にガラス基板上にAu薄膜を被着して上述した液
体カップリング層をもって各プリズム1に光学的に結合
した場合である。
Each of the ATR spectra shown in FIGS. 2 and 8 is a case where an Au thin film is deposited on a glass substrate and optically coupled to each prism 1 with the above-described liquid coupling layer.

【0038】[0038]

【発明の効果】上述の本発明のATR型薄膜評価装置に
よれば、プリズム内での光共振器の発生を回避したの
で、この共振器が構成されることによって発生するAT
Rスペクトルでの不安定領域の発生を回避でき、ATR
評価に対して雑音の小さい確実な評価(測定)を行うこ
とができる。
According to the above-described ATR type thin film evaluation apparatus of the present invention, since the occurrence of an optical resonator in the prism is avoided, the AT generated by the configuration of this resonator is avoided.
The generation of unstable regions in the R spectrum can be avoided, and ATR
Reliable evaluation (measurement) with small noise can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明装置のプリズムの一例の平面図である。FIG. 1 is a plan view of an example of a prism of the apparatus of the present invention.

【図2】本発明装置のATRスペクトル図である。FIG. 2 is an ATR spectrum diagram of the apparatus of the present invention.

【図3】本発明装置の一例の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of an example of the device of the present invention.

【図4】本発明装置の一例のプリズム及び試料の関係を
示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a relationship between a prism and a sample in an example of the apparatus of the present invention.

【図5】従来装置のプリズムの平面図である。FIG. 5 is a plan view of a prism of the conventional device.

【図6】表面プラズモンの分散関係を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a dispersion relationship of surface plasmons.

【図7】ATR薄膜評価方法の説明に供する反射率と見
掛け入射角との関係を示す図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a relationship between a reflectance and an apparent incident angle for explaining an ATR thin film evaluation method.

【図8】従来装置のATRスペクトル図である。FIG. 8 is an ATR spectrum diagram of the conventional device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光結合用プリズム 11 被評価薄膜 12 光透過性基板 15 カップリング層 Reference Signs List 1 prism for optical coupling 11 thin film to be evaluated 12 light-transmitting substrate 15 coupling layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−161041(JP,A) 特開 昭49−12876(JP,A) 特開 平6−288900(JP,A) 特開 平6−288902(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 21/00 - 21/74 JICSTファイル(JOIS)──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-62-161041 (JP, A) JP-A-49-12876 (JP, A) JP-A-6-288900 (JP, A) JP-A-6-288900 288902 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) G01N 21/00-21/74 JICST file (JOIS)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 光結合用プリズムを介して被評価薄膜に
測定用光ビームを照射して、減衰全反射による分析評価
を行う減衰全反射型薄膜評価装置において、 上記プリズムを、上記被評価薄膜が配置される面を底面
とするその両側の底角が共に鋭角であって、互いに異な
る角度に選定されたことを特徴とする減衰全反射型薄膜
評価装置。
1. An attenuated total reflection type thin film evaluation apparatus for irradiating a light beam for measurement to a thin film to be evaluated via an optical coupling prism and performing analysis and evaluation by attenuated total reflection. The attenuated total reflection type thin film evaluation device, wherein the bottom surface on which the surface is disposed is the bottom surface and the base angles on both sides thereof are both acute angles and are selected to be different from each other.
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