JP3318766B2 - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
Method for manufacturing semiconductor deviceInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方
法、特に導電層あるいは導電領域上にそれを覆う絶縁層
を形成し、絶縁層にコンタクトホールを形成し、その
後、該コンタクトホールを通して上記導電層あるいは導
電領域に不純物をイオン打込みし、しかる後、該コンタ
クトホールを通して上記導電層あるいは導電領域に接続
される配線層を形成する半導体装置の製造方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method for forming an insulating layer covering a conductive layer or a conductive region, forming a contact hole in the insulating layer, and thereafter, The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device in which an impurity is ion-implanted into a conductive layer or a conductive region, and thereafter, a wiring layer connected to the conductive layer or the conductive region is formed through the contact hole.
【０００２】[0002]
【従来の技術】導電層（あるいは拡散層等の導電領域）
上の絶縁層にコンタクトホールを形成した後活性化のた
め不純物のイオン打込みを導電層に対して行い、その
後、多結晶シリコンからなる配線層を形成するという半
導体装置の製造方法がある。2. Description of the Related Art Conductive layers (or conductive regions such as diffusion layers)
There is a method of manufacturing a semiconductor device in which a contact hole is formed in an upper insulating layer, impurities are implanted into the conductive layer for activation, and then a wiring layer made of polycrystalline silicon is formed.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、コンタクト
ホールの形成後の活性化イオン打込みは導電層のコンタ
クトホールに開口した部分だけでなく、絶縁層に対して
も為されてしまう。その結果、絶縁層表面がチャージア
ップし、絶縁層が絶縁破壊し、素子のパターンが破壊さ
れることがあった。By the way, the activation ion implantation after the formation of the contact hole is performed not only on the portion of the conductive layer opened to the contact hole but also on the insulating layer. As a result, the surface of the insulating layer may be charged up, the insulating layer may be broken down, and the pattern of the element may be broken.
【０００４】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、その目的はコンタクトホール形成後
のイオン打込みによるチャージアップを防止することに
あり、他の目的は絶縁層のコンタクトホールに埋め込ま
れた配線層と、絶縁層内の配線層（内部配線層）との間
の絶縁の信頼度を高めることにある。The present invention has been made to solve such a problem, and has as its object to prevent charge-up due to ion implantation after forming a contact hole. An object of the present invention is to improve the reliability of insulation between a wiring layer embedded in a hole and a wiring layer (an internal wiring layer) in an insulating layer.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】請求項１の半導体装置の
製造方法は、絶縁層にコンタクトホールを形成した後、
不純物のイオン打込みをする前に上記コンタクトホール
を埋めるプラグ部分を有するチャージアップ防止用導電
膜を形成することを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a contact hole in an insulating layer;
Before the ion implantation of impurities, a charge-up preventing conductive film having a plug portion filling the contact hole is formed.
【０００６】[0006]
【作用】請求項１の半導体装置の製造方法によれば、チ
ャージアップ防止用導電膜を通じて放電が為されるので
絶縁層のチャージアップを防止することができる。According to the method of manufacturing a semiconductor device of the first aspect, since the discharge is performed through the charge-up preventing conductive film, the charge-up of the insulating layer can be prevented.
【０００７】[0007]
【実施例】以下、本発明半導体装置の製造方法を図示実
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｆ）は
本発明半導体装置の製造方法の第１の実施例を工程順に
示す断面図である。 （Ａ）図１（Ａ）に示すように例えば多結晶シリコンか
らなる導電層１上の例えばＳｉＯ2 からなる絶縁層２上
にチャージアップ防止用導電膜３を形成する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. 1A to 1F are sectional views showing a first embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention in the order of steps. (A) As shown in FIG. 1A, a charge-up preventing conductive film 3 is formed on an insulating layer 2 made of, for example, SiO 2 on a conductive layer 1 made of, for example, polycrystalline silicon.
【０００８】（Ｂ）次に、図１（Ｂ）に示すようにコン
タクトホール形成用のフォトレジスト膜５を選択的に形
成する。 （Ｃ）次に、上記フォトレジスト膜５をマスクとしてチ
ャージアップ防止用導電膜３及び絶縁層２を選択的にエ
ッチングすることによりコンタクトホール４を形成し、
その後、フォトレジスト膜５を除去する。図１（Ｃ）は
該フォトレジスト膜５除去後の状態を示す。(B) Next, as shown in FIG. 1B, a photoresist film 5 for forming a contact hole is selectively formed. (C) Next, the contact hole 4 is formed by selectively etching the charge-up preventing conductive film 3 and the insulating layer 2 using the photoresist film 5 as a mask.
After that, the photoresist film 5 is removed. FIG. 1C shows a state after the removal of the photoresist film 5.
【０００９】（Ｄ）次に、図１（Ｄ）に示すように、絶
縁層２上（厳密にはチャージアップ防止用導電膜３上）
のコンタクトホール４以外の部分をフォトレジスト膜５
でマスクし、その状態で活性化用イオン打込みをする。
６はそれにより導電層２に形成されたイオン打込み領域
である。(D) Next, as shown in FIG. 1D, on the insulating layer 2 (strictly, on the charge-up preventing conductive film 3).
Of the photoresist film 5 except for the contact hole 4
Then, ion implantation for activation is performed in that state.
Reference numeral 6 denotes an ion-implanted region formed on the conductive layer 2.
【００１０】尚、コンタクトホール４とフォトレジスト
膜５との位置を完全に一致させることができないことを
考慮して、フォトレジスト膜５の非マスク部分７をコン
タクトホール４よりも充分に大きく設定してある。従っ
て、絶縁層２が部分的に非マスク部分７に位置し、そこ
にもイオン打込みされることになる。しかし、本半導体
装置の製造方法においては絶縁層２上にチャージアップ
防止用導電膜３が形成されているので、絶縁層２によっ
てチャージアップを防止することができ、絶縁層２の絶
縁破壊を防止できる。The non-mask portion 7 of the photoresist film 5 is set to be sufficiently larger than the contact hole 4 in consideration of the fact that the positions of the contact hole 4 and the photoresist film 5 cannot be completely matched. It is. Therefore, the insulating layer 2 is partially located in the non-mask portion 7 and is also ion-implanted there. However, in the method of manufacturing the semiconductor device, since the charge-up preventing conductive film 3 is formed on the insulating layer 2, the charge-up can be prevented by the insulating layer 2 and the dielectric breakdown of the insulating layer 2 is prevented. it can.
【００１１】（Ｅ）次に、配線層８をＣＶＤにより形成
し、図１（Ｅ）に示すように、該配線層８をフォトレジ
スト膜５により選択的にマスクする。 （Ｆ）その後、図１（Ｆ）に示すように、フォトレジス
ト膜５をマスクとして配線層８及びチャージアップ防止
用導電膜３を選択的にエッチングすることによりパター
ニングする。(E) Next, a wiring layer 8 is formed by CVD, and the wiring layer 8 is selectively masked with a photoresist film 5 as shown in FIG. (F) Then, as shown in FIG. 1 (F), the wiring layer 8 and the charge-up preventing conductive film 3 are patterned by selectively etching using the photoresist film 5 as a mask.
【００１２】このような半導体装置の製造方法によれ
ば、絶縁層２形成後コンタクトホール４形成前にチャー
ジアップ防止用導電膜３を形成するので、導電層１のコ
ンタクトホール４に露出する部分に活性化イオン打込み
をしたときに帯電しようとしても電荷がチャージアップ
防止用導電膜３を通して放電する。従って、絶縁層２が
チャージアップすることを防止できる。According to such a method of manufacturing a semiconductor device, since the charge-up preventing conductive film 3 is formed after the formation of the insulating layer 2 and before the formation of the contact hole 4, the portion of the conductive layer 1 exposed to the contact hole 4 is formed. Even if an attempt is made to charge when the activation ion implantation is performed, the charge is discharged through the charge-up preventing conductive film 3. Therefore, charge-up of the insulating layer 2 can be prevented.
【００１３】図２（Ａ）乃至（Ｅ）は第１の実施例の変
形例を工程順に示す断面図である。本変形例は、内部に
配線層９を有する絶縁層２と、上層配線層８のコンタク
トホール４を埋める部分との短絡を防止するためコンタ
クトホール４の内周面に埋める点で第１の実施例と異な
っている。 （Ａ）図１（Ａ）乃至（Ｄ）に示すのと同じ工程を経て
導電層１のコンタクトホール４の露出する部分に活性化
のためのイオン打込みを行い、その後、イオン打込みに
対するマスクとしたレジスト膜５を除去する。すると、
図２（Ａ）に示す状態になる。FIGS. 2A to 2E are sectional views showing a modification of the first embodiment in the order of steps. The first modification is different from the first embodiment in that the insulating layer 2 having the wiring layer 9 therein and the portion of the upper wiring layer 8 that fills the contact hole 4 are filled on the inner peripheral surface of the contact hole 4 in order to prevent a short circuit. It is different from the example. (A) Ion implantation for activation is performed on the exposed portions of the contact holes 4 of the conductive layer 1 through the same steps as shown in FIGS. 1A to 1D, and thereafter, a mask for ion implantation is used. The resist film 5 is removed. Then
The state shown in FIG.
【００１４】本半導体装置の製造方法においても、図１
に示すと同様に絶縁層２形成後コンタクトホール４形成
前にチャージアップ防止用導電膜３を形成するので、導
電層１のコンタクトホール４に露出する部分に活性化イ
オン打込みをするときに絶縁層２がチャージアップする
ことを防止できることはいうまでもない。In the method of manufacturing the semiconductor device, FIG.
Since the charge-up preventing conductive film 3 is formed after the formation of the insulating layer 2 and before the formation of the contact hole 4 as shown in FIG. Needless to say, it is possible to prevent charge-up of 2.
【００１５】（Ｂ）次に、図２（Ｂ）に示すように、サ
イドウォール形成用絶縁層１０をＣＶＤにより形成す
る。 （Ｃ）次に、図２（Ｃ）に示すように、絶縁層１０に対
してＲＩＥを行うことによりコンタクトホール４の内周
面にサイドウォール１１を形成する。このサイドウォー
ル１１は絶縁層２内の配線層９と、配線層８のコンタク
トホール４内に埋め込まれる部分との間を絶縁するため
に形成される。ところで、ＲＩＥによりサイドウォール
１１を形成する際に絶縁層２がエッチングされることを
チャージアップ防止用導電膜２により防止することがで
きる。(B) Next, as shown in FIG. 2B, an insulating layer 10 for forming a sidewall is formed by CVD. (C) Next, as shown in FIG. 2C, the sidewalls 11 are formed on the inner peripheral surface of the contact hole 4 by performing RIE on the insulating layer 10. This sidewall 11 is formed to insulate between the wiring layer 9 in the insulating layer 2 and a portion of the wiring layer 8 embedded in the contact hole 4. Incidentally, the etching of the insulating layer 2 when the sidewalls 11 are formed by RIE can be prevented by the charge-up preventing conductive film 2.
【００１６】（Ｄ）その後、配線層８をＣＶＤにより形
成し、図１（Ｄ）に示すように、該配線層８をフォトレ
ジスト膜５により選択的にマスクする。 （Ｅ）しかる後、図２（Ｅ）に示すようにフォトレジス
ト膜５をマスクとして配線層８及びチャージアップ防止
用導電膜３を選択的にエッチングすることによりパター
ニングする。(D) Thereafter, a wiring layer 8 is formed by CVD, and the wiring layer 8 is selectively masked with a photoresist film 5 as shown in FIG. (E) Thereafter, as shown in FIG. 2 (E), the wiring layer 8 and the charge-up preventing conductive film 3 are patterned by selectively etching using the photoresist film 5 as a mask.
【００１７】本半導体装置の製造方法によれば、コンタ
クトホール形成後配線層形成前に、該コンタクトホール
に絶縁物からなるサイドウォールを形成すると共に、サ
イドウォール１１によって配線層８と絶縁層２内の配線
層９との間を絶縁することができるが、更に、サイドウ
ォール形成のためにＲＩＥによって絶縁層２がエッチン
グされることを防止することができる。According to the method of manufacturing the semiconductor device, after the contact hole is formed and before the wiring layer is formed, a sidewall made of an insulator is formed in the contact hole, and the side wall 11 forms a portion between the wiring layer 8 and the insulating layer 2. Of the insulating layer 2 can be prevented from being etched by RIE to form a sidewall.
【００１８】図３（Ａ）乃至（Ｅ）は本発明半導体装置
の製造方法の第２の実施例を工程順に示す断面図であ
る。 （Ａ）図３（Ａ）に示すように、配線層１上の絶縁層２
の表面にコンタクトホール形成用フォトレジスト膜５を
選択的に形成する。 （Ｂ）次に、上記フォトレジスト膜５をマスクとして絶
縁層２をエッチングすることによりコンタクトホール４
を形成し、その後、該レジスト膜５を除去する。図３
（Ｂ）はコンタクトホール４形成後の状態を示す。FIGS. 3A to 3E are sectional views showing a second embodiment of the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention in the order of steps. (A) As shown in FIG. 3A, the insulating layer 2 on the wiring layer 1
A contact hole forming photoresist film 5 is selectively formed on the surface of the substrate. (B) Next, the insulating layer 2 is etched using the photoresist film 5 as a mask to form the contact hole 4.
Is formed, and then the resist film 5 is removed. FIG.
(B) shows a state after the contact hole 4 is formed.
【００１９】（Ｃ）次に、図２（Ｃ）に示すようにチャ
ージアップ防止用導電膜３を形成し、その状態で配線層
１のコンタクトホール４に露出した部分に活性化イオン
打込みをする。このイオン打込みにより絶縁層２がチャ
ージアップされることはチャージアップ防止用導電膜３
によって防止することができること第１の実施例の場合
と同じである。(C) Next, as shown in FIG. 2C, a charge-up preventing conductive film 3 is formed, and in this state, activating ion implantation is performed on a portion of the wiring layer 1 exposed to the contact hole 4. . The charge-up of the insulating layer 2 by this ion implantation is caused by the charge-up preventing conductive film 3.
This is the same as in the first embodiment.
【００２０】（Ｄ）次に、図３（Ｄ）に示すように、配
線層８をＣＶＤにより形成する。 （Ｅ）その後、図３（Ｅ）に示すように配線層８及びチ
ャージアップ防止用導電膜３を選択的にエッチングする
ことによりパターニングする。(D) Next, as shown in FIG. 3D, a wiring layer 8 is formed by CVD. (E) Thereafter, as shown in FIG. 3E, the wiring layer 8 and the charge-up preventing conductive film 3 are selectively etched to be patterned.
【００２１】本半導体装置の製造方法によれば、前述の
ようにコンタクトホール４形成後活性化イオン打込み前
にチャージアップ防止用導電膜３を形成するので、該チ
ャージアップ防止用導電膜３によってチャージアップを
防止することができる。According to the method of manufacturing the semiconductor device, the charge-up preventing conductive film 3 is formed after the formation of the contact hole 4 and before the activation ion implantation as described above. Up can be prevented.
【００２２】図４（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明半導体装置
の製造方法の変形例を示す断面図である。本変形例は導
電層１・配線層８間を接続するコンタクトプラグ層１２
を形成すると共に、コンタクトプラグ層１２の一部１３
をチャージアップ防止用導電膜として利用するようにし
た点で第２の実施例と異なっている。しかし、それ以外
の点では第２の実施例と共通している。FIGS. 4A to 4D are cross-sectional views showing a modification of the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention. In this modification, a contact plug layer 12 connecting the conductive layer 1 and the wiring layer 8 is formed.
And a part 13 of the contact plug layer 12
Is used as a conductive film for preventing charge-up from the second embodiment. However, other points are common to the second embodiment.
【００２３】（Ａ）図３（Ａ）、（Ｂ）と同様の工程で
導電層１上の絶縁層２にコンタクトホール４を形成した
状態にし、その後、例えば多結晶シリコン等からなるコ
ンタクトプラグ層１２をＣＶＤにより絶縁層２よりも厚
く形成する。図４（Ａ）はコンタクトプラグ層１２形成
後の状態を示す。(A) A contact hole 4 is formed in the insulating layer 2 on the conductive layer 1 in the same process as in FIGS. 3A and 3B, and then a contact plug layer made of, for example, polycrystalline silicon or the like is formed. 12 is formed thicker than the insulating layer 2 by CVD. FIG. 4A shows a state after the contact plug layer 12 is formed.
【００２４】（Ｂ）次に、コンタクトプラグ層１２をエ
ッチバックする。このエッチバックはコンタクトプラグ
層１２が絶縁層２上に薄く残存するように行う。１３は
その薄く残存する部分で、チャージアップ防止用導電膜
を成す。(B) Next, the contact plug layer 12 is etched back. This etch back is performed so that the contact plug layer 12 remains thinly on the insulating layer 2. Reference numeral 13 denotes a thin remaining portion, which forms a charge-up preventing conductive film.
【００２５】その後、図４（Ｂ）に示すように、導電層
１のコンタクトホール４に露出する部分にコンタクトプ
ラグ層１３越しに活性化イオン打込みをする。この時、
そのコンタクトプラグ層１２のコンタクトホール４から
絶縁層２上に食み出た部分１３がチャージアップ防止用
導電膜として機能し、絶縁層２のチャージアップによる
絶縁破壊を防止できる。Thereafter, as shown in FIG. 4B, activation ion implantation is performed through the contact plug layer 13 on the portion of the conductive layer 1 exposed to the contact hole 4. At this time,
The portion 13 of the contact plug layer 12 that protrudes from the contact hole 4 onto the insulating layer 2 functions as a charge-up preventing conductive film, so that dielectric breakdown due to charge-up of the insulating layer 2 can be prevented.
【００２６】（Ｃ）次に、図４（Ｃ）に示すように、配
線層８をＣＶＤにより形成する。 （Ｄ）その後、図４（Ｄ）に示すように、配線層８及び
チャージアップ防止用導電膜３を選択的にエッチングす
ることによりパターニングする。(C) Next, as shown in FIG. 4C, a wiring layer 8 is formed by CVD. (D) Thereafter, as shown in FIG. 4D, the wiring layer 8 and the charge-up preventing conductive film 3 are patterned by being selectively etched.
【００２７】本半導体装置の製造方法によってもコンタ
クトホール４形成後活性化イオン打込み前にチャージア
ップ防止用導電膜３を形成するので、該チャージアップ
防止用導電膜３によってチャージアップを防止すること
ができる。Since the charge-up preventing conductive film 3 is formed after the formation of the contact hole 4 and before the activation ion implantation, the charge-up preventing conductive film 3 can also prevent charge-up. it can.
【００２８】尚、上記各実施例において、コンタクトホ
ールによって表面が露出せしめられるのは導電層であっ
たが、半導体基板の表面部に形成される拡散領域の如き
導電領域であっても良い。In each of the above embodiments, the conductive layer is exposed on the surface by the contact hole, but may be a conductive region such as a diffusion region formed on the surface of the semiconductor substrate.
【００２９】[0029]
【００２９】請求項１の半導体装置の製造方法は、導電
層あるいは導電領域上にそれを覆う絶縁層を形成し、絶
縁層にコンタクトホールを形成し、その後、該コンタク
トホールを通して上記導電層あるいは導電領域に不純物
をイオン打込みし、しかる後、該コンタクトホールを通
して上記導電層あるいは導電領域に接続される配線層を
形成する半導体装置の製造方法において、上記絶縁層上
にコンタクトホールを形成した後、上記不純物のイオン
打込みをする前に上記コンタクトホール内を埋めてプラ
グを成す部分を有するチャージアップ防止用導電膜を形
成する工程を有することを特徴とする。従って、請求項
１の半導体装置の製造方法によれば、チャージアップ防
止用導電膜を通じて放電が為されるので絶縁層のチャー
ジアップを防止することができる。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming an insulating layer covering a conductive layer or a conductive region; forming a contact hole in the insulating layer; In a method of manufacturing a semiconductor device in which an impurity is ion-implanted into a region and then a wiring layer connected to the conductive layer or the conductive region is formed through the contact hole, a contact hole is formed on the insulating layer. A step of forming a charge-up preventing conductive film having a portion forming a plug by filling the contact hole before ion implantation of an impurity is provided. Therefore, according to the method of manufacturing a semiconductor device of the first aspect, discharge is performed through the charge-up preventing conductive film, so that charge-up of the insulating layer can be prevented.
【００３０】[0030]
【図１】（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明の第１の実施例を工
程順に示す断面図である。FIGS. 1A to 1F are cross-sectional views showing a first embodiment of the present invention in the order of steps.
【図２】（Ａ）乃至（Ｅ）は第１の実施例の変形例を工
程順に示す断面図である。FIGS. 2A to 2E are cross-sectional views showing a modification of the first embodiment in the order of steps.
【図３】（Ａ）乃至（Ｅ）は本発明の第２の実施例を工
程順に示す断面図である。FIGS. 3A to 3E are cross-sectional views showing a second embodiment of the present invention in the order of steps.
【図４】（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明の第２の実施例の変
形例を工程順に示す断面図である。FIGS. 4A to 4D are cross-sectional views showing a modification of the second embodiment of the present invention in the order of steps.
１ 導電層 ２ 絶縁層 ３ チャージアップ防止用導電膜 ４ コンタクトホール ８ 配線層 １１ サイドウォール DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Conductive layer 2 Insulating layer 3 Charge-up prevention conductive film 4 Contact hole 8 Wiring layer 11 Side wall
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−186668（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−318753（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−116122（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−203323（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−270014（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/3205 - 21/3213 H01L 21/768 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-1-186668 (JP, A) JP-A-63-118753 (JP, A) JP-A-2-116122 (JP, A) JP-A-3- 203323 (JP, A) JP-A-3-270014 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/28-21/288 H01L 21/3205-21/3213 H01L 21/768
Claims (1)
縁層を形成し、絶縁層にコンタクトホールを形成し、そ
の後、該コンタクトホールを通して上記導電層あるいは
導電領域に不純物をイオン打込みし、しかる後、該コン
タクトホールを通して上記導電層あるいは導電領域に接
続される配線層を形成する半導体装置の製造方法におい
て、 上記絶縁層上にコンタクトホールを形成した後、上記不
純物のイオン打込みをする前に上記コンタクトホール内
を埋めてプラグを成す部分を有するチャージアップ防止
用導電膜を形成する工程を有することを特徴とする半導
体装置の製造方法An insulating layer covering the conductive layer or the conductive region is formed on the conductive layer or the conductive region, a contact hole is formed in the insulating layer, and impurities are ion-implanted into the conductive layer or the conductive region through the contact hole. Then, in a method of manufacturing a semiconductor device in which a wiring layer connected to the conductive layer or the conductive region is formed through the contact hole, after forming a contact hole on the insulating layer and before performing ion implantation of the impurity, A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a charge-up preventing conductive film having a portion forming a plug by filling a contact hole.
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|---|---|---|---|
| JP35464391A JP3318766B2 (en) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | Method for manufacturing semiconductor device |
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| JP35464391A JP3318766B2 (en) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | Method for manufacturing semiconductor device |
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| JPH05166945A JPH05166945A (en) | 1993-07-02 |
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|---|---|---|---|---|
| US7521368B2 (en) | 2004-05-07 | 2009-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
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