JP3316752B2 - Scanning exposure method, scanning exposure apparatus, and device manufacturing method using the method - Google Patents

Scanning exposure method, scanning exposure apparatus, and device manufacturing method using the method

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JP3316752B2 JP07071699A JP7071699A JP3316752B2 JP 3316752 B2 JP3316752 B2 JP 3316752B2 JP 07071699 A JP07071699 A JP 07071699A JP 7071699 A JP7071699 A JP 7071699A JP 3316752 B2 JP3316752 B2 JP 3316752B2
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    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体集積回路
又は液晶表示素子等をリソグラフィ工程で製造する際に
使用される投影光学装置に関し、特にパルス発光する光
源を用いて所謂スティッチング及びスリットスキャン露
光方式で露光を行う投影露光装置に適用して好適な投影
光学装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a projection optical apparatus used for manufacturing, for example, a semiconductor integrated circuit or a liquid crystal display element by a lithography process, and more particularly to so-called stitching and slit scanning using a light source which emits pulsed light. The present invention relates to a projection optical apparatus suitable for being applied to a projection exposure apparatus that performs exposure by an exposure method.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等をリソグ
ラフィ工程で製造する際に、露光光のもとでフォトマス
ク又はレチクル（以下「レチクル」と総称する）のパタ
ーン像を投影光学系を介して感光基板上に投影する投影
露光装置が使用されている。斯かる装置として、例えば
特公昭４６−３４０５７号公報に開示されているよう
に、スティッチング及びスリットスキャン露光方式の投
影露光装置が知られている。このスティッチング及びス
リットスキャン露光方式では、レチクル上の所定形状の
照明領域に対して相対的に所定の第１の方向にレチクル
及び感光基板を同期して走査することにより、感光基板
上の第１列目の領域への露光が行われる。2. Description of the Related Art When a semiconductor device or a liquid crystal display device is manufactured by a lithography process, a pattern image of a photomask or a reticle (hereinafter, collectively referred to as a "reticle") is exposed through a projection optical system under exposure light. 2. Description of the Related Art A projection exposure apparatus that projects an image on a photosensitive substrate is used. As such an apparatus, for example, a projection exposure apparatus of a stitching and slit scan exposure system is known as disclosed in Japanese Patent Publication No. 46-34057. In the stitching and slit scan exposure method, the reticle and the photosensitive substrate are synchronously scanned in a predetermined first direction relative to an illumination area of a predetermined shape on the reticle, so that the first surface on the photosensitive substrate is scanned. Exposure is performed on the region in the column.

【０００３】その後、そのレチクルを交換するか、又は
そのレチクルをその照明領域の第１の方向に垂直な第２
の方向に所定量だけ移動して、その感光基板をその照明
領域の第２の方向に共役な方向に横ずれ（スティッチン
グ）させる。そして、再びレチクル上の所定形状の照明
領域に対して相対的に第１の方向にレチクル及び感光基
板を同期して走査することにより、感光基板上の第２列
目の領域への露光が行われる。これにより、投影光学系
の露光フィールドよりも広い感光基板上の領域にレチク
ルのパターンを露光することができる。Thereafter, the reticle is replaced or the reticle is moved to a second position perpendicular to the first direction of the illumination area.
, The photosensitive substrate is laterally shifted (stitched) in a direction conjugate to the second direction of the illumination area. Then, the reticle and the photosensitive substrate are synchronously scanned in the first direction again with respect to the illumination region having the predetermined shape on the reticle, thereby exposing the second column region on the photosensitive substrate. Will be Thus, the reticle pattern can be exposed to an area on the photosensitive substrate that is wider than the exposure field of the projection optical system.

【０００４】図１０（ａ）は、従来のスティッチング及
びスリットスキャン露光方式の投影露光装置におけるレ
チクル上の照明領域を示し、この図１０（ａ）におい
て、位置Ａを中心とする正６角形状の照明領域１に照明
光学系からの露光光が照射されている。また、位置Ａの
照明領域１に対してレチクルを−Ｘ方向に一定速度Ｖで
走査することにより、照明領域１はレチクル上を軌跡２
Ａに沿って相対的に移動して位置Ｂに達する。この状態
でレチクルをＹ方向に移動することにより、照明領域１
はレチクル上を軌跡２Ｂに沿って相対的に移動して位置
Ｃに達する。その後、レチクルをＸ方向に一定速度Ｖで
走査することにより、照明領域１はレチクル上を軌跡２
Ｃに沿って相対的に移動する。FIG. 10 (a) shows an illumination area on a reticle in a conventional stitching and slit scan exposure type projection exposure apparatus. In FIG. 10 (a), a regular hexagonal shape having a position A as a center is shown. Exposure light from the illumination optical system is radiated to the illumination area 1. Further, by scanning the reticle at a constant speed V in the −X direction with respect to the illumination area 1 at the position A, the illumination area 1 moves along the trajectory 2 on the reticle.
It relatively moves along A and reaches position B. By moving the reticle in the Y direction in this state, the illumination area 1
Moves relatively along the trajectory 2B on the reticle to reach the position C. After that, the reticle is scanned at a constant speed V in the X direction, so that the illumination area 1 moves along the trajectory 2 on the reticle.
It moves relatively along C.

【０００５】図１０（ｂ）は、従来のスティッチング及
びスリットスキャン露光方式の投影露光装置における感
光基板としてのウエハ上の被露光領域を示し、この図１
０（ｂ）において、位置ＡＰを中心とする正６角形状の
露光領域３がレチクル上の位置Ａの照明領域１と共役な
領域である。正６角形状の露光領域３は２辺がＹ方向に
平行になっており、正６角形状の露光領域３の対向する
２頂点の間隔をＲ、対向する２辺の間隔をＷとすると、
Ｗ＝３1/2 Ｒ／２である。また、投影光学系によるレチ
クルからウエハへの投影倍率をβとして、位置ＡＰの露
光領域３に対してウエハをＸ方向に一定速度β・Ｖで走
査することにより、露光領域３はウエハ上を軌跡２ＡＰ
に沿って相対的に移動して位置ＢＰに達する。この状態
でウエハを−Ｙ方向に距離３Ｒ／４だけ移動することに
より、露光領域３はウエハ上を軌跡２ＢＰに沿って相対
的に移動して位置ＣＰに達する。この動作がスティッチ
ングである。その後、ウエハを−Ｘ方向に一定速度β・
Ｖで走査することにより、露光領域３はウエハ上を軌跡
２ＣＰに沿って相対的に移動する。FIG. 10B shows a region to be exposed on a wafer as a photosensitive substrate in a conventional stitching and slit scan exposure type projection exposure apparatus.
At 0 (b), a regular hexagonal exposure region 3 centered on the position AP is a region conjugate with the illumination region 1 at the position A on the reticle. The regular hexagonal exposure region 3 has two sides parallel to the Y direction. If the interval between two opposing vertices of the regular hexagonal exposure region 3 is R, and the interval between two opposing sides is W,
W = 3 1/2 R / 2. Further, by setting the projection magnification from the reticle to the wafer by the projection optical system as β, the wafer is scanned in the X direction at a constant speed β · V with respect to the exposure area 3 at the position AP, so that the exposure area 3 2AP
And relatively moves along the line to reach the position BP. In this state, by moving the wafer by the distance 3R / 4 in the −Y direction, the exposure area 3 relatively moves along the trajectory 2BP on the wafer and reaches the position CP. This operation is stitching. Thereafter, the wafer is moved at a constant speed β · in the −X direction.
By scanning with V, the exposure region 3 relatively moves along the trajectory 2CP on the wafer.

【０００６】そして、軌跡２ＡＰに沿って相対移動する
露光領域３と軌跡２ＣＰに沿って相対移動する露光領域
３とは、それぞれＹ方向の幅がＲ／４の２等辺３角形の
領域が接続領域４で重なるように走査される。従って、
接続領域４では２回露光が行われる。このように接続領
域４を設けるのは、軌跡２ＡＰに沿って相対移動する露
光領域３により露光されるパターンと、軌跡２ＣＰに沿
って相対移動する露光領域３により露光されるパターン
との間に位置ずれが生じないようにするためである。ま
た、正６角形状の露光領域３の２等辺３角形の領域が重
なるようにすることにより、次に示すように、ウエハ上
の照度分布が均一化される。[0006] The exposure area 3 relatively moving along the locus 2AP and the exposure area 3 relatively moving along the locus 2CP are each a connection area having an isosceles triangle with a width of R / 4 in the Y direction. 4 are scanned so as to overlap. Therefore,
In the connection region 4, exposure is performed twice. The connection region 4 is provided in such a manner that the position exposed between the pattern exposed by the exposure region 3 relatively moving along the trajectory 2AP and the pattern exposed by the exposure region 3 relatively moved along the trajectory 2CP is determined. This is to prevent a shift from occurring. Further, by making the isosceles triangular regions of the regular hexagonal exposure region 3 overlap, the illuminance distribution on the wafer is made uniform as shown below.

【０００７】従来は露光光の光源としては、一般に水銀
灯のように連続発光の光源が使用されていたため、ウエ
ハ上の接続領域４中の露光点Ｐ１は、軌跡２ＡＰに沿っ
て相対移動する露光領域３の領域５Ａで連続的に露光さ
れ、軌跡２ＣＰに沿って相対移動する露光領域３の領域
６Ａで連続的に露光される。それら領域５Ａ及び領域６
ＡのＸ方向の長さの合計は露光領域３の幅Ｗと等しい。
また、ウエハ上の接続領域４中の別の露光点Ｐ２は、軌
跡２ＡＰに沿って相対移動する露光領域３の領域５Ｂで
連続的に露光され、軌跡２ＣＰに沿って相対移動する露
光領域３の領域６Ｂで連続的に露光され、それら領域５
Ｂ及び領域６ＢのＸ方向の長さの合計はＷと等しい。ま
た、軌跡２ＡＰに沿って相対移動する露光領域３だけに
露光される非接続部の露光点Ｐ０では、Ｘ方向に幅Ｗの
領域で連続的に露光される。従って、連続発光型の光源
を使用した場合には、ウエハ上のどの露光点Ｐ０，Ｐ
１，Ｐ２でも、照射される露光光の量は同じであり、照
度分布は均一である。Conventionally, a light source of continuous light such as a mercury lamp is generally used as a light source of the exposure light. Therefore, the exposure point P1 in the connection area 4 on the wafer is shifted to the exposure area relatively moving along the locus 2AP. 3 is continuously exposed in the region 5A, and is continuously exposed in the region 6A of the exposure region 3 relatively moving along the trajectory 2CP. Area 5A and Area 6
The total length of A in the X direction is equal to the width W of the exposure region 3.
Further, another exposure point P2 in the connection area 4 on the wafer is continuously exposed in the area 5B of the exposure area 3 relatively moving along the trajectory 2AP, and the other exposure point P2 in the exposure area 3 relatively moving along the trajectory 2CP. Continuous exposure is performed in the area 6B,
The sum of the lengths of B and the region 6B in the X direction is equal to W. In addition, at the exposure point P0 of the non-connection portion exposed only to the exposure region 3 relatively moving along the trajectory 2AP, the exposure is continuously performed in the region of the width W in the X direction. Therefore, when a continuous light source is used, which exposure point P0, P
The amount of exposure light to be irradiated is the same even in 1 and P2, and the illuminance distribution is uniform.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、最近は解像
力をより向上するため、露光光の短波長化が求められて
いる。現在実用化レベルにある光源の中で波長が比較的
短いものは、ＡｒＦエキシマレーザー（波長：１９３ｎ
ｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長：２４８ｎｍ）等
のエキシマレーザー及び金属蒸気レーザー等である。し
かしながら、エキシマレーザー光源及び金属蒸気レーザ
ー光源はパルス発光（パルス発振）型であるため、その
使用に際しては水銀灯のような連続発光の光源の場合と
は違う配慮が必要である。Recently, in order to further improve the resolving power, a shorter wavelength of the exposure light is required. Among light sources that are currently in practical use, those having a relatively short wavelength are ArF excimer lasers (wavelength: 193 n).
m), an excimer laser such as a KrF excimer laser (wavelength: 248 nm) and a metal vapor laser. However, since the excimer laser light source and the metal vapor laser light source are of the pulse emission (pulse oscillation) type, their use requires different considerations from those of a continuous emission light source such as a mercury lamp.

【０００９】図１１（ａ）は正６角形状の露光領域３を
パルスレーザー光源からのパルスレーザー光で照明する
場合を示し、この図１１（ａ）において、露光領域３は
ウエハ上の投影光学系の円形の露光領域７の輪郭に内接
する領域である。また、露光領域３の間隔がＷの対向す
る２辺がＹ方向に平行であり、露光領域３に対してＸ方
向及び−Ｘ方向にウエハが相対的に走査されるものとす
る。この場合、パルスレーザー光のパルス毎のエネルギ
ーのばらつきやスペックル等の影響を低減させるために
は、ウエハ上の各露光点にパルスレーザー光を複数パル
ス露光する必要がある。そこで、露光領域３のＸ方向の
幅がＷの領域により露光される露光点Ｐ０が、パルスレ
ーザー光によりｍ回（ｍは１以上の整数）露光されるも
のとする。これは、パルス発光の１周期Ｔの間にウエハ
がＸ方向又は−Ｘ方向に走査される距離をΔＬとして、
ウエハの走査速度をβ・Ｖとすると、次の関係があれば
よい。FIG. 11A shows a case where a regular hexagonal exposure region 3 is illuminated with a pulse laser beam from a pulse laser light source. In FIG. This is an area inscribed in the outline of the circular exposure area 7 of the system. Further, it is assumed that two opposite sides of the exposure region 3 whose width W is parallel to the Y direction, and the wafer is relatively scanned in the X direction and the −X direction with respect to the exposure region 3. In this case, it is necessary to expose a plurality of pulses of the pulse laser light to each exposure point on the wafer in order to reduce the influence of the variation in energy of each pulse of the pulse laser light, the speckle, and the like. Therefore, it is assumed that the exposure point P0 exposed by the region having the width W in the X direction of the exposure region 3 is exposed m times (m is an integer of 1 or more) by the pulsed laser beam. This is defined as ΔL where the distance that the wafer is scanned in the X direction or the −X direction during one cycle T of pulsed light emission is ΔL.
Assuming that the scanning speed of the wafer is β · V, the following relationship may be satisfied.

【数１】Ｗ＝ｍ・ΔＬ＝ｍ・Ｔ・β・Ｖ## EQU1 ## W = m..DELTA.L = m.T..beta..V

【００１０】図１１（ａ）はｍ＝８の場合を示してお
り、パルス発光があった時点に露光点Ｐ０が露光領域３
のエッジ部に在るものとすると、露光点Ｐ０は露光領域
３の内部で７回パルスレーザー光に露光され、エッジ部
で２回パルスレーザー光に露光される。この場合、エッ
ジ部で露光されるエネルギーは内部で露光されるエネル
ギーの１／２であるため、露光点Ｐ０には全体で８パル
ス分のエネルギーが照射される。そして、パルス発光時
点で露光点Ｐ０がＸ方向のどの位置に在っても、露光点
Ｐ０には全体で８パルス分のエネルギーが照射される。
また、露光領域３の右側の２等辺３角形の領域３ａが通
過する露光点の中で、図１１（ａ）に示す露光点Ｐ１〜
Ｐ８が２等辺３角形の領域３ａを通過する距離は、それ
ぞれ８・ΔＬ〜１・ΔＬである。従って、これら露光点
Ｐ１〜Ｐ８には、Ｘ方向に領域３ａを通過する際にそれ
ぞれ８パルス分〜１パルス分のエネルギーが照射され
る。FIG. 11A shows a case where m = 8, and the exposure point P0 is set to the exposure area 3 at the time when the pulse emission is performed.
The exposure point P0 is exposed to the pulse laser light seven times inside the exposure area 3 and twice exposed to the pulse laser light at the edge part. In this case, since the energy exposed at the edge portion is ２ of the energy exposed inside, the exposure point P0 is irradiated with energy for a total of eight pulses. Then, no matter where the exposure point P0 is in the X direction at the time of pulse emission, the exposure point P0 is irradiated with energy for a total of eight pulses.
In addition, among the exposure points through which the isosceles triangular area 3a on the right side of the exposure area 3 passes, the exposure points P1 to P1 shown in FIG.
The distance that P8 passes through the isosceles triangular region 3a is 8 · ΔL to 1 · ΔL. Therefore, when the exposure points P1 to P8 pass through the region 3a in the X direction, they are irradiated with energy for 8 to 1 pulses, respectively.

【００１１】また、次にウエハのスティッチングを行っ
てから、露光領域３に対してウエハを−Ｘ方向に走査す
ると、露光点Ｐ１〜Ｐ８にはそれぞれほぼ０パルス分〜
７パルス分のエネルギーが露光される。従って、露光点
Ｐ１〜Ｐ８でも、スティッチングにより２回スリットス
キャン露光を行うことにより、それぞれ露光点Ｐ０と同
様に８パルス分のエネルギーが露光される。しかしなが
ら、図１１（ａ）の露光点Ｐ４と露光点Ｐ５との中間の
露光点を図１１（ｂ）及び（ｃ）の露光点Ｐ９とする
と、この露光点Ｐ９では２回のスリットスキャン露光を
行っても照射されるエネルギーがばらつくという不都合
がある。即ち、図１１（ｂ）に示す場合には、ウエハを
露光領域３の右側の２等辺３角形の領域３ａ内でＸ方向
に走査する際に、露光点Ｐ９が位置８に在るときにパル
ス発光が行われ、スティッチング後にウエハを露光領域
３の左の２等辺３角形の領域３ｂ内でＸ方向に走査する
際に、露光点Ｐ９が位置９に在るときにパルス発光が行
われる。従って、露光点Ｐ９には９パルス分のエネルギ
ーが照射される。Then, after the wafer is stitched, and the wafer is scanned in the -X direction with respect to the exposure area 3, the exposure points P1 to P8 are substantially zero-pulse to 0 respectively.
The energy for 7 pulses is exposed. Therefore, at the exposure points P1 to P8, the energy corresponding to eight pulses is exposed similarly to the exposure point P0 by performing the slit scan exposure twice by stitching. However, if the intermediate exposure point between the exposure points P4 and P5 in FIG. 11A is the exposure point P9 in FIGS. 11B and 11C, two slit scan exposures are performed at the exposure point P9. Even if it is performed, there is a disadvantage that irradiation energy varies. That is, in the case shown in FIG. 11B, when the wafer is scanned in the X direction within the isosceles triangular area 3a on the right side of the exposure area 3, when the exposure point P9 is at the position 8, the pulse Light emission is performed, and when the wafer is scanned in the X direction within the left isosceles triangular area 3b of the exposure area 3 after the stitching, pulse emission is performed when the exposure point P9 is at the position 9. Therefore, the exposure point P9 is irradiated with energy for 9 pulses.

【００１２】一方、図１１（ｃ）に示す場合には、ウエ
ハを露光領域３の右側の２等辺３角形の領域３ａ内でＸ
方向に走査する際に、露光点Ｐ９が位置１０に在るとき
にパルス発光が行われ、スティッチング後にウエハを露
光領域３の左の２等辺３角形の領域３ｂ内でＸ方向に走
査する際に、露光点Ｐ９が位置１１に在るときにパルス
発光が行われる。従って、露光点Ｐ９には７パルス分の
エネルギーが照射される。従って、露光点Ｐ９には、パ
ルス発光のタイミングにより７パルス分〜９パルス分の
エネルギーが照射されることになる。従って、ウエハ上
の接続部４ではパルスレーザー光による照射エネルギー
のむら、即ち照度むらが生じるという不都合がある。On the other hand, in the case shown in FIG. 11 (c), the wafer is placed in an isosceles triangular area 3a on the right side of the exposure area 3 by X.
When scanning in the direction, pulse emission is performed when the exposure point P9 is at the position 10, and when the wafer is scanned in the X direction within the left isosceles triangular area 3b of the exposure area 3 after stitching. Then, when the exposure point P9 is at the position 11, pulse emission is performed. Therefore, the exposure point P9 is irradiated with energy for seven pulses. Therefore, the exposure point P9 is irradiated with energy for 7 to 9 pulses depending on the timing of pulse emission. Therefore, there is a disadvantage that unevenness of the irradiation energy by the pulse laser beam, that is, uneven illuminance occurs at the connection portion 4 on the wafer.

【００１３】また、接続部ではスリットスキャン露光が
２回行われるため、２回の露光の際の重ね合わせ誤差を
できるだけ小さくすることが望まれている。本発明は斯
かる点に鑑み、スティッチング及びスリットスキャン露
光方式で露光を行う場合に、例えば接続部の重ね合わせ
精度等の露光精度を向上することを目的とする。Further, since the slit scan exposure is performed twice at the connection portion, it is desired to minimize the overlay error in the two exposures. In view of the above, it is an object of the present invention to improve the exposure accuracy such as the overlay accuracy of a connecting portion when performing exposure by a stitching and slit scan exposure method.

【００１４】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明による第１の走査
型露光装置は、露光ビームに対して第１物体を移動する
とともに、該第１物体の移動に同期して第２物体を移動
することにより、その第２物体を走査露光する走査型露
光装置において、その第１物体を保持して同期移動可能
な第１保持手段と、その第２物体を保持して同期移動可
能な第２保持手段と、その走査露光中にその同期移動の
方向と交差する方向のその第１保持手段の位置情報を計
測する第１干渉計システムとを備えたものである。A first scanning exposure apparatus according to the present invention moves a first object with respect to an exposure beam and moves a second object in synchronization with the movement of the first object. Accordingly, in the scanning type exposure apparatus that scans and exposes the second object, the first holding means which can hold the first object and can move synchronously, and the second holding means which holds the second object and can move synchronously And a first interferometer system for measuring position information of the first holding means in a direction intersecting with the direction of the synchronous movement during the scanning exposure.

【００１５】また、本発明の第２の走査型露光装置は、
露光ビームに対して第１物体を移動するとともに、該第
１物体の移動に同期して第２物体を移動することによ
り、その第２物体を走査露光する走査型露光装置におい
て、その第１物体を保持して同期移動可能な第１保持手
段と、その第２物体を保持して同期移動可能な第２保持
手段と、その同期移動の方向と交差する方向に関するそ
の第１保持手段とその第２保持手段との相対的な位置情
報を計測する干渉計システムと、を備えたものである。Further, a second scanning type exposure apparatus of the present invention comprises:
A scanning type exposure apparatus that scans and exposes a second object by moving a first object with respect to an exposure beam and moving a second object in synchronization with the movement of the first object. , A first holding means capable of holding the second object and moving synchronously, a second holding means capable of holding the second object and moving synchronously, and the first holding means and the first holding means in a direction crossing the direction of the synchronous movement. And an interferometer system for measuring positional information relative to the holding means.

【００１６】また、本発明の第３の走査型露光装置は、
露光ビームに対して第１物体を移動するとともに、該第
１物体の移動に同期して第２物体を移動することによ
り、その第２物体を走査露光する走査型露光装置におい
て、その第１物体を保持して同期移動可能な第１保持手
段と、その第２物体を保持して同期移動可能な第２保持
手段と、その第２物体の走査露光中にその第１保持手段
とその第２保持手段との相対的な位置誤差の情報を計測
する計測手段と、該計測手段の計測結果に基づいて、１
回の走査露光に対応する連続的な位置誤差の情報を記憶
する記憶手段と、を備えたものである。A third scanning exposure apparatus according to the present invention comprises:
A scanning type exposure apparatus that scans and exposes a second object by moving a first object with respect to an exposure beam and moving a second object in synchronization with the movement of the first object. A first holding means capable of holding and synchronously moving the second object, a second holding means capable of holding and synchronously moving the second object, the first holding means and the second holding means during scanning exposure of the second object. A measuring means for measuring information of a relative position error with respect to the holding means, and 1 based on a measurement result of the measuring means.
Storage means for storing information on continuous position errors corresponding to the scanning exposures .

【００１７】また、本発明の第１のデバイス製造方法
は、本発明の走査型露光装置を用いて走査露光を行う工
程を含むものである。次に、本発明の第１の走査露光方
法は、露光ビームに対して第１物体を移動するととも
に、該第１物体の移動に同期して第２物体を移動するこ
とにより、その第２物体を走査露光する走査露光方法に
おいて、その走査露光中に、その同期移動の方向と交差
する方向に関するその第１物体の位置情報を干渉計シス
テムを使って計測するものである。The first device manufacturing method of the present invention includes a step of performing scanning exposure using the scanning exposure apparatus of the present invention. Next, in the first scanning exposure method according to the present invention, the first object is moved with respect to the exposure beam, and the second object is moved in synchronization with the movement of the first object. In the scanning exposure method, the position information of the first object in the direction intersecting with the direction of the synchronous movement is measured using the interferometer system during the scanning exposure.

【００１８】また、本発明の第２の走査露光方法は、露
光ビームに対して第１物体を移動するとともに、該第１
物体の移動に同期して第２物体を移動することにより、
その第２物体を走査露光する走査露光方法において、そ
の同期移動の方向と交差する方向に関するその第１物体
とその第２物体との相対的な位置情報を干渉計システム
を使って計測するものである。Further, according to the second scanning exposure method of the present invention, the first object is moved with respect to the exposure beam, and the first object is moved.
By moving the second object in synchronization with the movement of the object,
In a scanning exposure method for scanning and exposing the second object, relative position information between the first object and the second object in a direction intersecting with the direction of the synchronous movement is measured using an interferometer system. is there.

【００１９】また、本発明による第３の走査露光方法
は、露光ビームに対して第１物体を移動するとともに、
該第１物体の移動に同期して第２物体を移動することに
より、その第２物体を走査露光する走査露光方法におい
て、その第２物体の走査露光中にその第１物体とその第
２物体との相対的な位置誤差の情報を計測し、この計測
された位置誤差の情報を、１回の走査露光に対応する連
続的な位置誤差情報として記憶するものである。In a third scanning exposure method according to the present invention, the first object is moved with respect to the exposure beam.
In a scanning exposure method for scanning and exposing a second object by moving a second object in synchronization with the movement of the first object, the first object and the second object are scanned during the scanning exposure of the second object. And information on the relative position error with respect to the scan exposure.
It is stored as continuous position error information .

【００２０】また、本発明による第２のデバイス製造方
法は、本発明の走査露光方法を用いるものである。これ
らの場合、その第１物体をマスク（１９）として、例え
ば図３に示すように、マスク（１９）上のその露光ビー
ムによる照明領域（２０）を台形状の照度分布として、
その同期移動方向に交差する第２の方向の、その照明領
域の照度分布が一定の領域の長さをＬ、その照度分布が
台形状の領域の両側の照度が次第に小さくなる領域の長
さをそれぞれＭとして、マスク（１９）上に形成される
転写用のパターンのその露光ビームによる照明領域（２
０）のその第２の方向の幅をＬＴとした場合、１以上の
整数ｎを用いて次の関係が成立するようにその幅ＬＴを
定めることが望ましい。Further, a second device manufacturing method according to the present invention uses the scanning exposure method of the present invention. In these cases, the first object is used as a mask (19), and as shown in FIG. 3, for example, an illumination area (20) by the exposure beam on the mask (19) is used as a trapezoidal illumination distribution.
In the second direction intersecting with the synchronous movement direction, the length of the region where the illuminance distribution of the illumination region is constant is L, and the length of the region where the illuminance is gradually reduced on both sides of the trapezoidal region is L. Each of M is an illumination area (2) of the transfer pattern formed on the mask (19) by the exposure beam.
When the width in the second direction of 0) is LT, it is desirable to determine the width LT so that the following relationship is satisfied using an integer n of 1 or more.

【数２】ＬＴ＝ｎ・Ｌ＋（ｎ−１）・Ｍ[Expression 2] LT = n · L + (n−1) · M

【００２１】[0021]

【作用】斯かる本発明の走査露光方法又は走査型露光装
置によれば、その露光ビームによる照明領域（２０）の
その所定の方向に相対的に第１物体（１９）及び第２物
体（２８）を同期して走査する際に、例えば第１物体
（１９）と第２物体（２８）との相対的な位置の誤差が
計測されて記憶される。特に本発明では、相対走査の方
向に交差する方向の両者の相対的な位置の誤差が計測さ
れる。そこで、例えば１回目のスリットスキャン露光の
際の第１物体（１９）と第２物体（２８）との相対的な
位置ずれ量を記憶しておく。そして、スティッチング後
の２回目のスリットスキャン露光時に、第１物体（１
９）と第２物体（２８）との位置ずれ量をその記憶した
位置ずれ量に合わせることにより、接続部の重ね合わせ
精度を向上することができる。According to the scanning exposure method or the scanning type exposure apparatus of the present invention, the first object (19) and the second object (28) are relatively positioned in the predetermined direction of the illumination area (20) by the exposure beam. ), The relative position error between the first object (19) and the second object (28) is measured and stored, for example. In particular, in the present invention, the error of the relative position between the two in the direction intersecting the direction of the relative scanning is measured. Therefore, for example, the relative displacement between the first object (19) and the second object (28) at the time of the first slit scan exposure is stored. Then, at the time of the second slit scan exposure after the stitching, the first object (1
By matching the amount of misalignment between 9) and the second object (28) with the stored amount of misalignment, it is possible to improve the overlay accuracy of the connection part.

【００２２】また、その第１物体としてのマスク（１
９）上の露光ビームによる照明領域（２０）のその所定
の方向、即ち相対走査の方向に交差する第２の方向の照
度分布が台形状である場合には、図５に示すように、第
２物体としての感光基板（２８）上のその照明領域（２
０）に共役な露光領域（２０Ｐ）のその第２の方向（Ｙ
方向）の照度分布も台形状である。この場合、露光領域
（２０Ｐ）の相対走査の方向の幅を一定にすると、露光
領域（２０Ｐ）により相対走査される感光基板（２８）
上のその第２の方向に並んだ各露光点は、それぞれ同じ
パルス数の露光ビームに照射される。The mask (1) as the first object
9) If the illuminance distribution in the predetermined direction of the illumination area (20) by the upper exposure beam, that is, the second direction crossing the direction of the relative scanning is trapezoidal, as shown in FIG. The illumination area (2) on the photosensitive substrate (28) as two objects
0) of the exposure area (20P) conjugate to its second direction (Y
Direction) is also trapezoidal. In this case, when the width of the exposure area (20P) in the direction of relative scanning is constant, the photosensitive substrate (28) relatively scanned by the exposure area (20P).
Each of the exposure points arranged in the second direction above is irradiated with an exposure beam having the same pulse number.

【００２３】また、スティッチングにより第２物体とし
ての感光基板（２８）上で露光領域（２０Ｐ）を横ずれ
させる際には、図５に示すように、照度分布が次第に低
下する領域（２０ａＰ，２０ｂＰ）が重なるようにす
る。これにより、例えばスティッチングにより２回走査
される接続部（４０ｃ）に存在する露光点Ｑ３では、１
回目の走査時の照度ＳＡと２回目の走査時の照度ＳＢと
の和が、台形状の照度分布中の照度分布が一定の領域の
照度ＳＣに等しくなる。従って、感光基板（２８）上の
接続部（４０ｃ）上の任意の露光点での照度が非接続部
の露光点の照度とほぼ等しくなり、照度むらが低減され
る。また、接続部（４０ｃ）ではパルス的な露光光の照
射パルス数が非接続部でのパルス数の２倍になるため、
パルス毎のばらつきに起因する照度むら及びスペックル
の影響が特に低減されている。When the exposure area (20P) is laterally shifted on the photosensitive substrate (28) as the second object by stitching, as shown in FIG. 5, the areas (20aP, 20bP) where the illuminance distribution gradually decreases. ) Overlap. Thus, for example, at the exposure point Q3 existing at the connection portion (40c) scanned twice by stitching, 1
The sum of the illuminance SA at the time of the second scan and the illuminance SB at the time of the second scan is equal to the illuminance SC in the area where the illuminance distribution in the trapezoidal illuminance distribution is constant. Therefore, the illuminance at an arbitrary exposure point on the connection portion (40c) on the photosensitive substrate (28) becomes substantially equal to the illuminance at the exposure point at the non-connection portion, and illuminance unevenness is reduced. In addition, the number of pulses of pulsed exposure light at the connection part (40c) is twice as large as the number of pulses at the non-connection part,
In particular, the effects of uneven illuminance and speckle due to variations from pulse to pulse are reduced.

【００２４】なお、感光基板（２８）のスティッチング
を行う際には、マスク（１９）のスティッチングを行う
代わりにマスク（１９）を別のマスクと交換してもよ
い。また、例えば図３に示すように、マスク（１９）上
のその露光光による照度分布が台形状の照明領域（２
０）のその第２の方向の、照度分布が一定の領域の長さ
をＬ、その照度分布が台形状の領域の両側の照度が次第
に小さくなる領域の長さをそれぞれＭとして、マスク
（１９）上に形成される転写用のパターン（３５）のそ
の露光光による照明領域（２０）のその第２の方向の幅
をＬＴとする。この場合、スティッチングによりその照
明領域（２０）をマスク（１９）上でｎ回走査して、マ
スク（１９）上のパターン（３５）を感光基板（２８）
上に露光するものとすると、その照明領域（２０）の接
続部（３５ｃ）では、照度分布が次第に減少する長さＭ
の領域が重なる必要がある。しかしながら、パターン
（３５）の両端部の照度分布を中央部と同程度に維持す
るためには、パターン（３５）の両端部ではその照度分
布が減少する長さＭの領域は遮光されていることが望ま
しい。このため、パターン（３５）のその第２の方向の
幅ＬＴは（数２）のようになる。When stitching the photosensitive substrate (28), the mask (19) may be replaced with another mask instead of stitching the mask (19). For example, as shown in FIG. 3, the illuminance distribution of the exposure light on the mask (19) is trapezoidal.
In the second direction of 0), the length of the region where the illuminance distribution is constant in the second direction is L, and the length of the region where the illuminance is gradually reduced on both sides of the trapezoidal region is M. ) Let LT be the width of the illuminated area (20) of the transfer pattern (35) formed on the exposure light by the exposure light in the second direction. In this case, the illumination area (20) is scanned n times on the mask (19) by stitching, and the pattern (35) on the mask (19) is exposed to the photosensitive substrate (28).
Assuming that the light is to be exposed upward, a length M at which the illuminance distribution gradually decreases at the connection portion (35c) of the illumination area (20).
Must overlap. However, in order to maintain the illuminance distribution at both ends of the pattern (35) at the same level as the central part, a region of length M where the illuminance distribution decreases at both ends of the pattern (35) is shielded from light. Is desirable. Therefore, the width LT of the pattern (35) in the second direction is as shown in (Equation 2).

【００２５】また、その露光光による照明領域（２０）
のその第２の方向に相対的にマスク（１９）を移動させ
るマスク移動手段（２１，２６）を設け場合には、マス
ク（１９）に対してもスティッチングを行うことができ
る。An illumination area (20) by the exposure light
When the mask moving means (21, 26) for moving the mask (19) relatively in the second direction is provided, stitching can be performed also on the mask (19).

【００２６】[0026]

【実施例】以下、本発明の一実施例につき図１〜図７を
参照して説明する。本実施例は、パルス発光型のレーザ
ー光源を備えたスティッチング及びスリットスキャン露
光方式の投影露光装置に本発明を適用したものである。
図１は本実施例の投影露光装置の全体の構成を示し、こ
の図１において、エキシマレーザー光源等のパルスレー
ザー光源１２から射出されたレーザービームＬＢは、ビ
ームエクスパンダ、オプティカルインテグレータ、開口
絞り及びリレーレンズ等よりなる照明最適化光学系１３
に入射する。照明最適化光学系１３から射出された露光
光としてのパルスレーザー光ＩＬが、偏向ミラー１４に
反射されて視野絞り１５に入射する。視野絞り１５の開
口を通過したパルスレーザー光ＩＬが、リレーレンズ１
６、偏向ミラー１７及びコンデンサーレンズ１８を経て
均一な照度でレチクル１９を照明する。視野絞り１５の
配置面はレチクル１９のパターン形成面と共役であり、
視野絞り１５の開口によりレチクル１９のパターン形成
面のスリット状の照明領域２０の形状が設定される。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. In the present embodiment, the present invention is applied to a projection exposure apparatus of a stitching and slit scan exposure type provided with a pulse light emission type laser light source.
FIG. 1 shows the overall configuration of the projection exposure apparatus of the present embodiment. In FIG. 1, a laser beam LB emitted from a pulse laser light source 12 such as an excimer laser light source includes a beam expander, an optical integrator, an aperture stop, Illumination optimization optical system 13 consisting of relay lens etc.
Incident on. The pulsed laser light IL as exposure light emitted from the illumination optimization optical system 13 is reflected by the deflecting mirror 14 and enters the field stop 15. The pulse laser beam IL that has passed through the aperture of the field stop 15 is
6. The reticle 19 is illuminated with uniform illuminance via the deflecting mirror 17 and the condenser lens 18. The arrangement surface of the field stop 15 is conjugate with the pattern formation surface of the reticle 19,
The shape of the slit-shaped illumination area 20 on the pattern formation surface of the reticle 19 is set by the opening of the field stop 15.

【００２７】レチクル１９はレチクルステージ２１上に
保持され、レチクルステージ２１のＸ方向（図１の紙面
内の左右方向）及びＹ方向（図１の紙面に垂直な方向）
に移動鏡２２が取り付けられ、レチクルステージ２１及
び移動鏡２２はガイド２３に沿ってＸＹ平面内で移動で
きると共に、Ｘ方向に等速移動できるように支持されて
いる。レチクルステージ２１にはＸ方向及びＹ方向への
移動並びにヨーイング補正のための微小回転等を行うた
めの駆動装置２６が接続されている。また、ガイド２３
に対して固定されたレーザー干渉計２４からのレーザー
ビームが移動鏡２２に反射され、レーザー干渉計２４に
よりレチクル１９のＸ方向及びＹ方向の位置並びにヨー
イング量が常時計測され、これらの計測データが主制御
系２５に供給されている。主制御系２５は、駆動装置２
６を介してレチクル１９の動作を制御し、レーザー光源
制御装置３４を介してパルスレーザー光源１２の発光動
作を制御する。The reticle 19 is held on the reticle stage 21, and the reticle stage 21 is moved in the X direction (the horizontal direction in the plane of FIG. 1) and the Y direction (the direction perpendicular to the plane of FIG. 1).
A reticle stage 21 and a movable mirror 22 are supported along a guide 23 so as to be movable in an XY plane and at a constant speed in the X direction. The reticle stage 21 is connected to a drive device 26 for performing movements in the X and Y directions and a minute rotation for yawing correction. Guide 23
The laser beam from the laser interferometer 24 fixed to the mirror is reflected by the moving mirror 22, and the position of the reticle 19 in the X and Y directions and the amount of yawing are constantly measured by the laser interferometer 24. It is supplied to the main control system 25. The main control system 25 includes the driving device 2
6, the operation of the reticle 19 is controlled, and the light emission operation of the pulse laser light source 12 is controlled via the laser light source control device 34.

【００２８】レチクル１９のパターンを通過したパルス
レーザー光ＩＬは、投影光学系２７を介してウエハ２８
上に導かれ、照明領域２０と共役なウエハ２８上の露光
領域２０Ｐに、照明領域２０内のレチクル１９のパター
ン像が所定の投影倍率βで縮小されて結像される。ウエ
ハ２８は、微小回転自在なウエハホルダー２９上に保持
され、ウエハホルダー２９はウエハステージ３０上に固
定されている。ウエハステージ３０は、Ｘ方向及びＹ方
向よりなる２次元平面内でウエハ２８を位置決めするＸ
Ｙステージ、並びに投影光学系２７の光軸に平行なＺ方
向にウエハ２８を位置決めするＺステージ等より構成さ
れている。ウエハステージ３０上にレーザー干渉計３２
からのレーザービームを反射するための移動鏡３１が固
定され、レーザー干渉計３２はウエハ２８のＸＹ平面内
での位置及びヨーイング量を常時計測し、この計測デー
タが主制御系２５に供給されている。主制御系２５は、
駆動装置３３を介してウエハステージ３０の動作を制御
する。また、主制御系２５には記憶装置２５ａが接続さ
れている。The pulsed laser light IL that has passed through the pattern of the reticle 19 passes through the projection optical
The pattern image of the reticle 19 in the illumination area 20 is reduced at a predetermined projection magnification β and formed on the exposure area 20P on the wafer 28 conjugated with the illumination area 20. The wafer 28 is held on a micro-rotatable wafer holder 29, and the wafer holder 29 is fixed on a wafer stage 30. The wafer stage 30 positions the wafer 28 in a two-dimensional plane including the X direction and the Y direction.
It comprises a Y stage, a Z stage for positioning the wafer 28 in the Z direction parallel to the optical axis of the projection optical system 27, and the like. Laser interferometer 32 on wafer stage 30
The movable mirror 31 for reflecting the laser beam from the laser 28 is fixed, the laser interferometer 32 constantly measures the position and yawing amount of the wafer 28 in the XY plane, and this measurement data is supplied to the main control system 25. I have. The main control system 25
The operation of the wafer stage 30 is controlled via the driving device 33. Further, a storage device 25a is connected to the main control system 25.

【００２９】図２（ａ）はレチクル１９上の矩形のスリ
ット状の照明領域２０を示し、照明領域２０は、投影光
学系２７の最大露光フィールドと共役な円形の領域の輪
郭に内接し、長手方向であるＹ方向の長さが（Ｌ＋２
Ｍ）であり、幅の狭い方向であるＸ方向の幅がＤであ
る。この幅ＤのＸ方向にレチクル１９を走査することに
より、照明領域２０内のパルスレーザー光がレチクル１
９上のより広いパターン領域を順次照明する。また、図
２（ｂ）に示すように、照明領域２０内のＹ方向の照度
分布Ｓは、中央の長さＬの領域で一定であり、両側のそ
れぞれ長さＭの領域２０ａ，２０ｂでほぼ直線的に０に
落ちている。即ち、照明領域２０内の相対走査の方向に
垂直なＹ方向の照度分布Ｓは台形状である。このよう
に、台形状の照度分布を得るには、図１の視野絞り１５
の開口において、長手方向をデフォーカス状態にすれば
よい。又は、視野絞り１５又は照明最適化光学系１３中
に、透過率分布が直線的に変化しているＮＤフィルター
板等を配置することによっても、台形状の照度分布を得
ることができる。FIG. 2A shows a rectangular slit-shaped illumination area 20 on the reticle 19, and the illumination area 20 is inscribed in the outline of a circular area conjugate with the maximum exposure field of the projection optical system 27, and has a longitudinal shape. The length in the Y direction is (L + 2
M), and the width in the X direction, which is the narrower direction, is D. By scanning the reticle 19 in the X direction with the width D, the pulse laser light in the illumination area 20 is changed to the reticle 1.
9 sequentially illuminates a wider pattern area. Further, as shown in FIG. 2B, the illuminance distribution S in the Y direction in the illumination area 20 is constant in the area of the central length L, and is substantially the same in the areas 20a and 20b of the length M on both sides. It falls to 0 linearly. That is, the illuminance distribution S in the Y direction perpendicular to the relative scanning direction in the illumination area 20 has a trapezoidal shape. As described above, in order to obtain a trapezoidal illumination distribution, the field stop 15 shown in FIG.
In the opening, the longitudinal direction may be defocused. Alternatively, a trapezoidal illuminance distribution can be obtained by disposing an ND filter plate or the like whose transmittance distribution changes linearly in the field stop 15 or the illumination optimizing optical system 13.

【００３０】図３は図１中のレチクル１９を示し、この
図３において、レチクル１９のパターン形成面にＹ方向
の幅がＬＴのパターン領域３５が形成され、パターン領
域３５にウエハに転写すべき回路パターンが形成されて
いる。また、パターン領域３５のＹ方向の外側には幅が
Ｍ以上の遮光部よりなる禁止帯３６が形成されている。
本例では、パターン領域３５をスリット状の照明領域２
０でＸ方向に２回走査して、パターン領域３５のパター
ンをウエハ上に転写する。そして、例えば１回目の走査
でほぼ右半分の領域３５ａのパターンをウエハ上に転写
し、２回目の走査でほぼ左半分の領域３５ｂのパターン
をウエハ上に転写する。FIG. 3 shows the reticle 19 in FIG. 1. In FIG. 3, a pattern area 35 having a width in the Y direction LT is formed on the pattern forming surface of the reticle 19, and the pattern area 35 is to be transferred to a wafer. A circuit pattern is formed. A forbidden band 36 formed of a light-shielding portion having a width of M or more is formed outside the pattern region 35 in the Y direction.
In this example, the pattern area 35 is formed as the slit-shaped illumination area 2.
By scanning twice in the X direction at 0, the pattern in the pattern area 35 is transferred onto the wafer. Then, for example, the pattern in the substantially right half area 35a is transferred onto the wafer in the first scan, and the pattern in the substantially left half area 35b is transferred onto the wafer in the second scan.

【００３１】この際に、領域３５ａの左端部と領域３５
ｂの右端部とはＹ方向に幅Ｍの接続部３５ｃで重なるよ
うにして、この接続部３５ｃを照明領域２０の照度が次
第に低下する領域２０ａ又は２０ｂが走査するようにす
る。これにより、接続部３５ｃの照度分布が均一になる
と共に、転写されるパターンの位置ずれが防止される。
また、パターン領域３５内の照度を一定にするため、パ
ターン領域３５のＹ方向の端部において、照明領域２０
の照度が次第に低下する領域２０ａ及び２０ｂにより走
査される領域が生じないようにする。照明領域２０の内
で照度が一定の領域のＹ方向の幅はＬ、照度が次第に０
になる領域２０ａ及び２０ｂのＹ方向の幅はそれぞれＭ
であるため、パターン領域２０のＹ方向の幅ＬＴは次の
ようになる。At this time, the left end of the area 35a and the area 35
The right end of b is overlapped with the connecting portion 35c having the width M in the Y direction so that the connecting portion 35c is scanned by the region 20a or 20b of the illumination region 20 where the illuminance gradually decreases. Thereby, the illuminance distribution of the connection portion 35c becomes uniform, and the displacement of the transferred pattern is prevented.
Further, in order to make the illuminance in the pattern area 35 constant, the illumination area 20 is provided at an end of the pattern area 35 in the Y direction.
Is not generated by the regions 20a and 20b whose illuminance gradually decreases. The width in the Y direction of the area where the illuminance is constant in the illumination area 20 is L, and the illuminance gradually becomes 0.
The widths of the regions 20a and 20b in the Y direction are M
Therefore, the width LT of the pattern area 20 in the Y direction is as follows.

【数３】ＬＴ＝２・Ｌ＋Ｍ[Expression 3] LT = 2 · L + M

【００３２】一般に、パターン領域３５を照明領域２０
でＸ方向にｎ回走査することにより、パターン領域３５
のパターンをウエハ上に転写するものとして、照度が次
第に低下する領域２０ａ又は２０ｂのみにより照明され
る領域が生じないようにするには、パターン領域３５の
Ｙ方向の幅ＬＴは次のように定めればよい。In general, the pattern area 35 is changed to the illumination area 20.
By scanning n times in the X direction with the
In order not to generate a region illuminated only by the region 20a or 20b where the illuminance gradually decreases as the pattern is transferred onto the wafer, the width LT of the pattern region 35 in the Y direction is determined as follows. Just do it.

【数４】ＬＴ＝ｎ・Ｌ＋（ｎ−１）・Ｍ[Expression 4] LT = n · L + (n−1) · M

【００３３】図４（ａ）は、図１のウエハ２８上の矩形
のスリット状の露光領域２０Ｐを示し、露光領域２０Ｐ
は図２（ａ）のレチクル１９上の照明領域２０と共役で
ある。この場合、投影光学系２７の投影倍率がβである
ため、露光領域２０ＰのＸ方向の幅はβ・Ｄで、Ｙ方向
の幅はβ・（Ｌ＋２Ｍ）である。また、図４（ｂ）に示
すように、露光領域２０Ｐの内の両側のＹ方向の幅がβ
・Ｍの領域２０ａＰ及び２０ｂＰではそれぞれ照度Ｓが
ほぼ直線的に０に低下している。また、スリットスキャ
ン露光を行う際には、露光領域２０Ｐに対してウエハ２
８はＸ方向に走査されるため、露光領域２０Ｐの相対走
査の方向に垂直なＹ方向の照度分布も台形状である。FIG. 4A shows a rectangular slit-shaped exposure area 20P on the wafer 28 shown in FIG.
Is conjugate with the illumination area 20 on the reticle 19 in FIG. In this case, since the projection magnification of the projection optical system 27 is β, the width of the exposure area 20P in the X direction is β · D, and the width in the Y direction is β · (L + 2M). Further, as shown in FIG. 4B, the width in the Y direction on both sides of the exposure area 20P is β.
In the M regions 20aP and 20bP, the illuminance S decreases almost linearly to zero. When performing slit scan exposure, the wafer 2 is exposed to the exposure area 20P.
8 is scanned in the X direction, the illuminance distribution in the Y direction perpendicular to the direction of the relative scanning of the exposure area 20P is also trapezoidal.

【００３４】次に、露光領域２０Ｐの相対走査の方向で
あるＸ方向の幅β・Ｄの条件について説明する。この場
合、図１のパルスレーザー光源１２のパルス発光の周期
（即ち、発光周波数ｆの逆数）をＴとして、スリットス
キャン露光を行っている際に１周期Ｔの間にウエハ２８
がＸ方向に走査される距離をΔＬとすると、露光領域２
０ＰのＸ方向の幅β・Ｄを、距離ΔＬの整数倍に設定す
る。また、ウエハ２８のＸ方向の走査速度をβ・Ｖとす
ると、距離ΔＬはＴ・β・Ｖである。即ち、ｍを１以上
の整数として次式が成立する。Next, the condition of the width β · D in the X direction, which is the direction of the relative scanning of the exposure area 20P, will be described. In this case, the period of the pulse light emission of the pulse laser light source 12 in FIG.
Let ΔL be the distance scanned by X in the X direction.
The width β · D in the X direction of 0P is set to an integral multiple of the distance ΔL. When the scanning speed of the wafer 28 in the X direction is β · V, the distance ΔL is T · β · V. That is, the following equation is satisfied when m is an integer of 1 or more.

【数５】β・Ｄ＝ｍ・ΔＬ＝ｍ・Ｔ・β・Ｖ## EQU5 ## β · D = m · ΔL = m · T · β · V

【００３５】図４（ａ）では、β・Ｄ＝４・ΔＬの場合
を示している。このときには、例えばパルス発光があっ
た時点で露光領域２０Ｐのエッジ部に存在する露光点Ｑ
０は、露光領域２０Ｐの内部で３パルスのパルスレーザ
ー光に照射され、露光領域２０Ｐのエッジ部で２パルス
のパルスレーザー光に照射される。また、１回のパルス
発光で露光領域２０Ｐの内部の露光点に照射されるエネ
ルギーをΔＥとすると、露光点Ｑ０には、４・ΔＥ（＝
ΔＥ／２＋３・ΔＥ＋ΔＥ／２）のエネルギーが照射さ
れる。また、例えばパルス発光があった時点で露光領域
２０Ｐのエッジ部の内側に存在するウエハ上の露光点Ｑ
１にも、４・ΔＥのエネルギーが照射され、パルス発光
があった時点で露光領域２０Ｐのエッジ部の外側に存在
するウエハ上の露光点Ｑ２にも、４・ΔＥのエネルギー
が照射される。このように、本例によれば、ウエハ上の
露光領域２０Ｐによって走査される全ての露光点に対し
て、同一のｍパルスのパルスレーザー光が照射される。
従って、露光領域２０Ｐ中の照度分布が一定の領域で走
査される露光点では照度分布は一定となる。FIG. 4A shows a case where β · D = 4 · ΔL. At this time, for example, the exposure point Q existing at the edge of the exposure area 20P at the time of the pulse emission
Numeral 0 is irradiated with three pulses of pulse laser light inside the exposure region 20P, and irradiated with two pulses of pulse laser light at the edge of the exposure region 20P. Further, assuming that the energy applied to the exposure point inside the exposure area 20P in one pulse emission is ΔE, the exposure point Q0 has 4 · ΔE (=
Energy of ΔE / 2 + 3 · ΔE + ΔE / 2) is applied. Further, for example, the exposure point Q on the wafer existing inside the edge portion of the exposure area 20P at the time of the pulse emission
The energy of 1 · 4 · ΔE is applied to the exposure point Q2 on the wafer existing outside the edge portion of the exposure area 20P when the pulse light emission is performed. As described above, according to this example, the same m-pulse pulse laser light is applied to all the exposure points scanned by the exposure area 20P on the wafer.
Therefore, the illuminance distribution becomes constant at the exposure point where the illuminance distribution in the exposure area 20P is scanned.

【００３６】なお、露光領域２０Ｐの両側の領域２０ａ
Ｐ及び２０ｂＰにより１回走査される露光点では、照射
されるパルス数はｍパルスでも照射されるエネルギーは
少なくなっている。しかしながら、後述のように、本例
ではスティッチングの際の接続部を領域２０ａＰ及び２
０ｂＰで２回走査するようにしているので、接続部の各
露光点でも照射されるエネルギーはｍ・ΔＥとなり、ウ
エハ上の全ての露光点において照射されるエネルギーの
量は同一となり、照度むらが無くなっている。The regions 20a on both sides of the exposure region 20P
At the exposure point scanned once by P and 20bP, the irradiation energy is small even if the number of irradiation pulses is m pulses. However, as described later, in this example, the connection portion at the time of stitching is formed in the regions 20aP and 2aP.
Since the scanning is performed twice at 0 bP, the energy irradiated at each exposure point of the connection portion is m · ΔE, and the amount of energy irradiated at all the exposure points on the wafer becomes the same, and the illuminance unevenness is reduced. Is gone.

【００３７】次に、本例のスティッチング及びスリット
スキャン露光の動作の一例につき説明する。先ず、図１
において、レチクル１９上のスリット状の照明領域２０
をパルスレーザー光ＩＬで照明した状態で、駆動装置２
６及びレチクルステージ２１を介してレチクル１９を−
Ｘ方向に一定の速度Ｖで走査する。そして、それに同期
して、駆動装置３３及びウエハステージ３０を介してウ
エハ２８をＸ方向に一定の速度β・Ｖで走査する。この
ように、レチクル１９及びウエハ２８を走査する際に
は、例えばレチクル１９上の所定のアライメントマーク
とウエハ２８上の所定のアライメントマークとが合致し
たときの、レーザー干渉計２４の計測値とレーザー干渉
計３２の計測値に投影倍率βを乗じた値との差を基準値
として記憶しておき、レーザー干渉計２４の計測値とレ
ーザー干渉計３２の計測値に投影倍率βを乗じた値との
差がその予め記憶した基準値となるように駆動装置２６
及び３３の動作を制御する。従って、レチクル１９及び
ウエハ２８は常に所定の関係で互いに静止した状態で、
それぞれ照明領域２０及び露光領域２０Ｐに対して幅の
狭い方向に走査される。Next, an example of the stitching and slit scan exposure operations of this embodiment will be described. First, FIG.
, The slit-shaped illumination area 20 on the reticle 19
Is illuminated with the pulse laser beam IL, and the driving device 2
6 and the reticle 19 via the reticle stage 21
Scanning is performed at a constant speed V in the X direction. In synchronization with this, the wafer 28 is scanned in the X direction at a constant speed β · V via the driving device 33 and the wafer stage 30. As described above, when scanning the reticle 19 and the wafer 28, for example, when the predetermined alignment mark on the reticle 19 and the predetermined alignment mark on the wafer 28 match, the measurement value of the laser interferometer 24 and the laser The difference between the value obtained by multiplying the measurement value of the interferometer 32 by the projection magnification β is stored as a reference value, and the measurement value of the laser interferometer 24 and the value obtained by multiplying the measurement value of the laser interferometer 32 by the projection magnification β Of the driving device 26 so that the difference
And 33 are controlled. Therefore, the reticle 19 and the wafer 28 are always stationary with each other in a predetermined relationship,
Scanning is performed in the narrow direction with respect to the illumination area 20 and the exposure area 20P, respectively.

【００３８】これにより、図３に示すように、レチクル
１９側ではスリット状の照明領域２０が軌跡３７に沿っ
てパターン領域３５の右側の領域３５ａを相対的に走査
する。また、図５（ａ）に示すように、ウエハ２８側で
はスリット状の露光領域２０Ｐが軌跡３７Ｐに沿ってパ
ターン領域３５に対応する被露光領域４０の左側の領域
４０ａを相対的に走査する。As a result, as shown in FIG. 3, on the reticle 19 side, the slit-shaped illumination area 20 relatively scans the area 35a on the right side of the pattern area 35 along the path 37. Further, as shown in FIG. 5A, on the wafer 28 side, the slit-shaped exposure area 20P relatively scans the area 40a on the left side of the exposure area 40 corresponding to the pattern area 35 along the locus 37P.

【００３９】次に、１回目のスリットスキャン露光が終
了した時点で、図３においてスティッチングにより、レ
チクル１９をＹ方向に移動することにより、照明領域２
０を軌跡３８に沿ってパターン領域３５の左上に移す。
また、図５（ａ）において、ウエハ２８を−Ｙ方向に移
動することにより、スリット状の露光領域２０Ｐを軌跡
３８Ｐに沿って被露光領域４０の右下に移す。その後、
レチクル１９をＸ方向に速度Ｖで走査すると共に、ウエ
ハ２８を−Ｘ方向に速度β・Ｖで走査することにより２
回目のスリットスキャン露光を行う。この結果、図３に
示すように、レチクル１９側ではスリット状の照明領域
２０が軌跡３９に沿ってパターン領域３５の左側の領域
３５ｂを相対的に走査する。また、図５（ａ）に示すよ
うに、ウエハ２８側ではスリット状の露光領域２０Ｐが
軌跡３９Ｐに沿ってパターン領域３５に対応する被露光
領域４０の右側の領域４０ｂを相対的に走査する。Next, when the first slit scan exposure is completed, the reticle 19 is moved in the Y direction by stitching in FIG.
0 is moved to the upper left of the pattern area 35 along the locus 38.
Further, in FIG. 5A, the wafer 28 is moved in the −Y direction, so that the slit-shaped exposure area 20P is moved to the lower right of the exposure area 40 along the trajectory 38P. afterwards,
The reticle 19 is scanned at a speed V in the X direction, and the wafer 28 is scanned at a speed β
A second slit scan exposure is performed. As a result, as shown in FIG. 3, on the reticle 19 side, the slit-shaped illumination area 20 relatively scans the area 35b on the left side of the pattern area 35 along the trajectory 39. Further, as shown in FIG. 5A, on the wafer 28 side, the slit-shaped exposure area 20P relatively scans the area 40b on the right side of the exposure area 40 corresponding to the pattern area 35 along the trajectory 39P.

【００４０】また、図３に示すように、１回目の走査と
２回目の走査とにおいて、レチクル１９のパターン領域
３５のＹ方向の中央部の接続部３５ｃでは、照明領域２
０の照度が低下する左側の領域２０ａと照度が低下する
右側の領域２０ｂとにより重ねて露光が行われるように
する。これにより、図５（ａ）に示すように、ウエハ２
８の被露光領域４０のＹ方向の中央部の接続部４０ｃで
は、スリット状の露光領域２０Ｐの照度が低下する右側
の領域２０ａＰと照度が低下する左側の領域２０ｂＰと
により重ねて露光が行われる。例えば、接続部４０ｃ内
の露光点Ｑ３においては、１回目の露光の際の照度は図
５（ｂ）の照度ＳＡとなり、２回目の露光の際の照度は
照度ＳＢとなる。領域２０ａＰと領域ｂＰとのＹ方向の
照度分布は互いに対称に直線的に０に低下しているの
で、照度ＳＡと照度ＳＢとの和の照度は、露光領域２０
Ｐの照度が一定の領域の照度ＳＣと等しくなる。As shown in FIG. 3, in the first scanning and the second scanning, the connection area 35c at the center of the pattern area 35 of the reticle 19 in the Y direction is the illumination area 2c.
Exposure is performed so as to overlap with the left region 20a where the illuminance of 0 decreases and the right region 20b where the illuminance decreases. As a result, as shown in FIG.
In the connection portion 40c at the center of the exposed region 40 in the Y direction, the exposure is performed by overlapping the right region 20aP where the illuminance of the slit-shaped exposure region 20P decreases and the left region 20bP where the illuminance decreases. . For example, at the exposure point Q3 in the connection part 40c, the illuminance at the time of the first exposure is the illuminance SA in FIG. 5B, and the illuminance at the time of the second exposure is the illuminance SB. Since the illuminance distributions in the Y direction of the area 20aP and the area bP linearly decrease to 0 symmetrically with each other, the illuminance of the sum of the illuminance SA and the illuminance SB is
The illuminance of P becomes equal to the illuminance SC of a certain area.

【００４１】また、既に説明したように、露光領域２０
Ｐにより１回走査される露光点では、全てｍパルスのパ
ルスレーザー光が照射される。従って、接続部４０ｃ内
の露光点Ｑ３では、露光領域２０Ｐの２回の走査により
非接続部の露光点と等しい量のエネルギーが照射され、
照度分布がウエハ２８上の全露光点で均一化されてい
る。更に、接続部４０ｃ内の露光点では２回の走査によ
り照射されるパルス数は、非接続部の露光点の２倍の２
ｍ個となっている。従って、接続部４０ｃでは特にパル
スレーザー光のパルス毎のエネルギーのばらつきやスペ
ックルの影響が低減されている。具体的に、パルスレー
ザー光のパルス毎のエネルギーのばらつきに起因する照
度のばらつきは、接続部４０ｃでのばらつきが非接続部
でのばらつきの１／２1/2 に抑えられている。As described above, the exposure area 20
At the exposure point scanned once by P, m pulsed laser light is irradiated. Therefore, at the exposure point Q3 in the connection part 40c, two scans of the exposure area 20P irradiate the same amount of energy as the exposure point of the non-connection part,
The illuminance distribution is uniform at all the exposure points on the wafer 28. Further, the number of pulses irradiated by two scans at the exposure point in the connection part 40c is twice as large as the exposure point at the non-connection part.
m. Therefore, in the connecting portion 40c, the influence of the energy variation and the speckle of each pulse of the pulse laser light is particularly reduced. Specifically, variations in illumination intensity due to variation in energy per pulse laser light pulses, the variation in the connection portion 40c is reduced to 1/2 1/2 of the variation in the non-connecting portion.

【００４２】次に、本実施例では、図５（ａ）のウエハ
２８上の領域４０ａをスリットスキャン露光する際に、
レチクル１９とウエハ２８との相対位置をレーザー干渉
計２４及び３２でモニターし、レチクル１９とウエハ２
８との相対的な位置ずれ量を機械的な制御誤差として、
図１の記憶装置２５ａに記憶する。即ち、１回目の走査
により、ウエハ２８上の任意の露光点の像がｍパルス分
のパルスレーザー光の照射で形成されるならば、各パル
ス発光に同期してＸ方向の相対位置ずれ量をモニターす
る。各パルス毎のＸ方向の相対位置ずれ量をΔｘi とし
て、Σを添字ｉに関する１〜ｍまでの和を表すとする
と、次の演算により平均的な位置ずれ量〈Δｘ〉を計算
できる。Next, in this embodiment, when the area 40a on the wafer 28 shown in FIG.
The relative positions of the reticle 19 and the wafer 28 are monitored by the laser interferometers 24 and 32, and the reticle 19 and the wafer 2 are monitored.
The relative displacement with respect to 8 is regarded as a mechanical control error.
It is stored in the storage device 25a of FIG. That is, if an image at an arbitrary exposure point on the wafer 28 is formed by irradiation of m pulses of pulsed laser light by the first scan, the relative positional shift amount in the X direction is synchronized with each pulse emission. Monitor. Assuming that the relative displacement in the X direction for each pulse is Δx i and Σ represents the sum of 1 to m for the subscript i, the average displacement <Δx> can be calculated by the following calculation.

【数６】〈Δｘ〉＝ΣΔｘi ／ｍ<Δx> = ΣΔx i / m

【００４３】同様に、相対走査の方向であるＸ方向に垂
直なＹ方向のレチクル１９とウエハ２８との相対的な位
置ずれ量Δｙi 、及びレチクル１９とウエハ２８との回
転誤差をも記憶装置２５ａに記憶しておく。従って、１
個の位置ずれ量Δｘi の記憶容量をΔＭとすると、記憶
装置２５ａの記憶容量としては、ΔＭ×ｍ個分の数倍の
容量があればよいが、例えば近傍の位置での相対位置ず
れ量等を平均化することによって、記憶する相対位置ず
れ量等の個数を少なくすることもできる。このように記
憶装置２５ａに記憶された相対位置誤差及び回転誤差
は、ウエハ２８上の接続部４０ｃにおける所謂「ショッ
ト内歪」の原因となる。Similarly, the relative displacement Δy i between the reticle 19 and the wafer 28 in the Y direction perpendicular to the X direction, which is the relative scanning direction, and the rotational error between the reticle 19 and the wafer 28 are also stored in the storage device. 25a. Therefore, 1
When the storage capacity of the pieces of positional deviation amount [Delta] x i and .DELTA.M, as the storage capacity of the storage device 25a, may be any multiple of the capacity of .DELTA.M × m pieces minute, for example, the relative positional deviation amount at the position in the vicinity By averaging the values, the number of relative displacements to be stored can be reduced. The relative position error and the rotation error stored in the storage device 25a as described above cause so-called “in-shot distortion” in the connection portion 40c on the wafer 28.

【００４４】次に、２回目の走査により図５（ａ）の領
域４０ｂへの露光を行う際に、主制御系２５は記憶装置
２５ａから読み出した相対位置誤差及び回転誤差に合わ
せるるように、駆動装置２６及び３３を介してレチクル
ステージ２１及びウエハステージ３０の動作を制御す
る。これにより、ウエハ２８上の接続部４０ｃでのパタ
ーンの重ね合わせ精度が高精度になる。また、通常レチ
クルステージ２１及びウエハステージ３０のＸ方向及び
Ｙ方向の位置決め精度を△ｘ，△ｙとすると、接続部４
０ｃでの重ね合わせ誤差はそれぞれ２1/2 Δｘ及び２
1/2 Δｙとなる。これに対して、本例の方法では最初の
領域４０ａの露光の際のショット歪に合わせて次の領域
４０ｂの露光の際の位置関係を補正する（同じショット
歪になる様にレチクル１９及びウエハ２８の位置を制御
する）ので、重ね合わせ誤差は△ｘ，△ｙだけである。Next, when exposing the area 40b of FIG. 5A by the second scan, the main control system 25 adjusts the relative position error and the rotation error read from the storage device 25a. The operations of the reticle stage 21 and the wafer stage 30 are controlled via the driving devices 26 and 33. As a result, the overlay accuracy of the pattern at the connection portion 40c on the wafer 28 becomes high. Further, assuming that the positioning accuracy of the normal reticle stage 21 and the wafer stage 30 in the X and Y directions is △ x, △ y,
The overlay error at 0c is 2 1/2 Δx and 2 respectively.
1/2 Δy. On the other hand, in the method of the present embodiment, the positional relationship at the time of exposing the next area 40b is corrected in accordance with the shot distortion at the time of exposing the first area 40a (the reticle 19 and the wafer are adjusted so as to have the same shot distortion). 28 is controlled), the overlay error is only △ x, △ y.

【００４５】次に、ウエハ２８の全部の露光面への露光
方法につき説明する。先ず図５（ａ）の方法を適用した
場合には、図６に示すように、それぞれスリットスキャ
ン露光により順次隣接する領域４０−１ａ，４０−１
ｂ，４０−２ａ，４０−２ｂ，‥‥，４０−４ｂ，４０
−４ａへの露光が行われる。但し、図６の方法は図５
（ａ）の方向と走査方向は逆である。また、２個の走査
領域、例えば領域４０−１ｂ及び４０−１ａに対してそ
れぞれレチクル１９のパターン領域３５の回路パターン
が転写される。この方法では、レチクル１９のパターン
領域３５のウエハ２８上での共役像内での走査方向が反
対になる。また、この走査方法によれば、そのパターン
領域３５のパターンをウエハ２８上に短時間で転写で
き、ウエハ２８の膨張等の影響を受け難い利点がある。
その反面、走査方向の特性による接続部の精度が悪化す
る虞があり、図３の照明領域２０のＹ方向への軌跡３８
に対応するレチクル１９の移動を高速で行う必要があ
る。Next, a method of exposing the entire exposed surface of the wafer 28 will be described. First, when the method of FIG. 5A is applied, as shown in FIG. 6, the adjacent areas 40-1a and 40-1 are sequentially scanned by slit scan exposure.
b, 40-2a, 40-2b, ‥‥, 40-4b, 40
-4a is performed. However, the method of FIG.
The direction of (a) and the scanning direction are opposite. The circuit pattern of the pattern area 35 of the reticle 19 is transferred to two scanning areas, for example, the areas 40-1b and 40-1a. In this method, the scanning direction of the pattern area 35 of the reticle 19 in the conjugate image on the wafer 28 is reversed. Further, according to this scanning method, the pattern in the pattern area 35 can be transferred onto the wafer 28 in a short time, and there is an advantage that the pattern is not easily affected by expansion of the wafer 28 or the like.
On the other hand, there is a possibility that the accuracy of the connection portion may be deteriorated due to the characteristics in the scanning direction, and the trajectory 38 of the illumination area 20 in FIG.
It is necessary to move the reticle 19 corresponding to the above at a high speed.

【００４６】次に、図７に示すように、最初にレチクル
１９のパターン領域３５の例えば右半分の領域３５ａだ
けをウエハ２８上の対応する領域に連続して露光して、
次にパターン領域３５の左半分の領域３５ｂだけをウエ
ハ２８上の対応する領域に連続して露光する方法もあ
る。即ち、この方法では、先ず図７（ａ）に示すよう
に、ウエハ２８上の領域４０−１ｂ，４０−２ｂ，‥
‥，４０−４ｂへの露光が行われ、次に図７（ｂ）に示
すように、図７（ａ）の軌跡と平行にウエハ２８上の領
域４０−１ａ，４０−２ａ，‥‥，４０−４ａへの露光
が行われる。この方法によれば、レチクル１９のパター
ン領域３５に対応するウエハ２８上の２個の被露光領域
（例えば領域４０−１ｂ及び４０−１ａ）ではスリット
状の露光領域２０Ｐの走査方向が同じになる。これによ
り接続部４０ｃでの重ね合わせ精度が向上する場合があ
る。Next, as shown in FIG. 7, first, only the right half area 35a of the pattern area 35 of the reticle 19 is continuously exposed to the corresponding area on the wafer 28, for example.
Next, there is a method of continuously exposing only the left half area 35b of the pattern area 35 to the corresponding area on the wafer 28. That is, in this method, first, as shown in FIG. 7A, the regions 40-1b, 40-2b,.
, 40-4b are exposed, and then, as shown in FIG. 7B, the regions 40-1a, 40-2a,. Exposure to 40-4a is performed. According to this method, the scanning direction of the slit-shaped exposure area 20P is the same in the two exposure areas (for example, the areas 40-1b and 40-1a) on the wafer 28 corresponding to the pattern area 35 of the reticle 19. . This may improve the overlay accuracy at the connection portion 40c.

【００４７】次に、上述実施例では投影光学系２７とし
て屈折光学系が使用されているので、図２（ａ）に示す
ように、レチクル１９上の照明領域は矩形の照明領域２
０となっている。これに対して、特に露光光の短波長化
に対しては、凹面鏡等を用いた反射屈折光学系により構
成される投影光学系を用いると収差等の点で有利であ
る。また、凹面鏡等は光軸から離れた領域の方が収差が
少ないため、反射屈折光学系を用いた場合には、レチク
ル１９上のスリット状の照明領域は、図８（ａ）に示す
ように、円弧状の照明領域４１となる。この場合でも、
照明領域４１の相対走査の方向の幅Ｄは一定であり、照
明領域４１の相対走査の方向に垂直な長手方向をＹ方向
とすると、照明領域４１のＹ方向の照度分布は、図８
（ｂ）に示すように台形状になっている。即ち、照明領
域４１のＹ方向の両端の領域４１ａ及び４１ｂでは、照
度分布は直線的に０に落ちている。このような照度分布
に設定することにより、図１の実施例と同様にスティッ
チングの際の接続部の照度むらを小さくすることができ
る。Next, in the above embodiment, a refraction optical system is used as the projection optical system 27, so that the illumination area on the reticle 19 is a rectangular illumination area 2 as shown in FIG.
It is 0. On the other hand, especially for shortening the wavelength of the exposure light, using a projection optical system constituted by a catadioptric optical system using a concave mirror or the like is advantageous in terms of aberration and the like. Further, since the concave mirror and the like have less aberration in a region away from the optical axis, when a catadioptric optical system is used, the slit-shaped illumination region on the reticle 19 becomes as shown in FIG. , An illumination area 41 having an arc shape. Even in this case,
Assuming that the width D of the illumination area 41 in the relative scanning direction is constant and the longitudinal direction perpendicular to the relative scanning direction of the illumination area 41 is the Y direction, the illuminance distribution of the illumination area 41 in the Y direction is as shown in FIG.
It has a trapezoidal shape as shown in FIG. That is, in the regions 41a and 41b at both ends in the Y direction of the illumination region 41, the illuminance distribution linearly falls to zero. By setting such an illuminance distribution, it is possible to reduce the illuminance unevenness of the connecting portion at the time of stitching as in the embodiment of FIG.

【００４８】次に、本発明の他の実施例につき図９を参
照して説明する。本実施例は、図１１を参照して説明し
たように正６角形状の露光領域３でウエハ上を走査する
場合に本発明を適用したものである。図９（ａ）及び
（ｂ）は本実施例でスティッチングを行う場合のウエハ
上の接続部４を示し、この図９（ａ）及び（ｂ）におい
て、正６角形状の露光領域３での照度分布は均一である
が、露光光としてはパルスレーザー光が使用されてい
る。また、相対走査の方向をＸ方向及び−Ｘ方向とする
と、露光領域３の間隔がＷの対向する２辺がスティッチ
ングの方向であるＹ方向に平行になっている。この場合
でも、スリットスキャン露光の際に、パルス発光の１周
期の間にウエハがＸ方向又は−Ｘ方向に移動する距離を
ΔＬとすると、その間隔Ｗは、１以上の整数ｍを用いて
次のように設定される。Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the present embodiment, as described with reference to FIG. 11, the present invention is applied to the case where the wafer is scanned in the regular hexagonal exposure region 3. FIGS. 9A and 9B show the connection portion 4 on the wafer when stitching is performed in the present embodiment. In FIGS. Are uniform, but pulsed laser light is used as exposure light. Further, assuming that the relative scanning directions are the X direction and the −X direction, two opposite sides of the exposure region 3 with the interval W are parallel to the Y direction which is the stitching direction. Even in this case, at the time of slit scan exposure, assuming that the distance that the wafer moves in the X direction or the −X direction during one cycle of the pulse emission is ΔL, the interval W is expressed by the integer m of 1 or more. Is set as follows.

【数７】Ｗ＝ｍ・ΔＬ(7) W = m · ΔL

【００４９】図９（ａ）及び（ｂ）ではｍ＝８の場合が
示されており、１回の走査により、ウエハ上の非接続部
の露光点Ｐ０には常に８パルス分のエネルギーが照射さ
れる。また、本実施例では、ウエハを露光領域３に対し
てＸ方向に走査する場合と、ウエハを露光領域３に対し
て−Ｘ方向に走査する場合とで、パルスレーザー光源が
パルス発光するときのウエハのＸ方向の位置が同一にな
るようにする。例えば図９（ａ）において、ウエハ上の
接続部４内の露光点Ｐ９が露光領域３に対してＸ方向に
走査されるとき、即ち露光点Ｐ９が露光領域３の右側の
２等辺３角形の領域３ａを走査するときに、パルス発光
が行われるときの露光点Ｐ９のＸ方向の位置を位置８と
する。そして、２回目の走査によりその露光点Ｐ９が露
光領域３に対して−Ｘ方向に走査されるとき、即ち露光
点Ｐ９が露光領域３の左側の２等辺３角形の領域３ｂを
走査するときに、パルス発光が行われるときの露光点Ｐ
９のＸ方向の位置を位置４２とすると、位置４２と位置
８とが合致することを意味する。図９（ａ）の場合に
は、領域３ａ内に位置８が５箇所あり、領域３ｂ内に位
置４２が３箇所あるので、露光点Ｐ９には２回のスリッ
トスキャンス露光により合計で８パルス分のエネルギー
が照射される。FIGS. 9A and 9B show the case of m = 8, and the energy of 8 pulses is always applied to the exposure point P0 of the non-connection portion on the wafer by one scan. Is done. Further, in this embodiment, when the pulse laser light source emits a pulse, the wafer is scanned in the X direction with respect to the exposure region 3 and the wafer is scanned in the −X direction with respect to the exposure region 3. The positions of the wafers in the X direction are the same. For example, in FIG. 9A, when the exposure point P9 in the connection portion 4 on the wafer is scanned in the X direction with respect to the exposure area 3, that is, the exposure point P9 is a right isosceles triangle of the exposure area 3. When scanning the area 3a, the position in the X direction of the exposure point P9 when the pulse emission is performed is set as a position 8. Then, when the exposure point P9 is scanned in the −X direction with respect to the exposure area 3 by the second scanning, that is, when the exposure point P9 scans the left isosceles triangular area 3b of the exposure area 3 , Exposure point P when pulse emission is performed
Assuming that the position in the X direction 9 is position 42, this means that position 42 and position 8 match. In the case of FIG. 9A, since there are five positions 8 in the region 3a and three positions 42 in the region 3b, a total of eight pulses are obtained at the exposure point P9 by two slit scan exposures. Minutes of energy is applied.

【００５０】また、図９（ｂ）は図９（ａ）の場合と比
べて、パルス発光のタイミングがＸ方向にΔＬ／２だけ
ずれている場合を示す。図９（ｂ）においては、露光点
Ｐ９が露光領域３の右側の２等辺３角形の領域３ａを走
査するときに、パルス発光が行われるときの露光点Ｐ９
のＸ方向の位置１０に対して、２回目の走査により露光
点Ｐ９が露光領域３の左側の２等辺３角形の領域３ｂを
走査するときに、パルス発光が行われるときの露光点Ｐ
９のＸ方向の位置４３が等しくなるようにする。図９
（ｂ）の場合には、領域３ａ内に位置１０が４箇所あ
り、領域３ｂ内に位置４３が４箇所あるので、露光点Ｐ
９には２回のスリットスキャンス露光により合計で８パ
ルス分のエネルギーが照射される。一般に、本例によれ
ば、接続部４内の各露光点において、非接続部の露光点
Ｐ０と同様に８パルス分のエネルギーが照射され、照度
むらは生じない。なお、以上の実施例では、１枚のレチ
クルを用いたスティッチング動作について説明したが、
複数枚のレチクルを同一のレチクルステージに載置し、
スティッチング時にレチクルを交換しながら走査露光を
繰り返し行うようにしても良い。FIG. 9B shows a case where the pulse emission timing is shifted by ΔL / 2 in the X direction as compared with the case of FIG. 9A. In FIG. 9B, when the exposure point P9 scans an isosceles triangular area 3a on the right side of the exposure area 3, the exposure point P9 when pulse emission is performed.
When the exposure point P9 scans the left isosceles triangular area 3b of the exposure area 3 by the second scanning with respect to the position 10 in the X direction, the exposure point P when the pulse emission is performed is performed.
9 so that the positions 43 in the X direction are equal. FIG.
In the case of (b), there are four positions 10 in the region 3a and four positions 43 in the region 3b.
9 is irradiated with a total of eight pulses of energy by two slit scan exposures. In general, according to the present example, at each exposure point in the connection part 4, the energy of eight pulses is irradiated similarly to the exposure point P0 of the non-connection part, and illuminance unevenness does not occur. In the above embodiment, the stitching operation using one reticle has been described.
Place multiple reticles on the same reticle stage,
The scanning exposure may be repeatedly performed while changing the reticle at the time of stitching.

【００５１】なお、本発明は上述実施例に限定されず本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得るこ
とは勿論である。It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can adopt various configurations without departing from the gist of the present invention.

【００５２】[0052]

【発明の効果】本発明によれば、例えばスティッチング
及びスリットスキャン露光方式で露光を行う場合に、第
１物体（マスク）と第２物体（感光基板）との位置ずれ
量を所定の状態にすることによって、例えば接続部での
重ね合わせ精度等の露光精度を向上できる利点がある。
特に本発明では、その２つの物体の相対走査の方向に交
差する方向の精度を向上することができる。According to the present invention, when exposure is performed by, for example, stitching and slit scan exposure methods, the amount of misalignment between a first object (mask) and a second object (photosensitive substrate) is set to a predetermined state. By doing so, there is an advantage that the exposure accuracy such as the overlay accuracy at the connection portion can be improved.
In particular, in the present invention, it is possible to improve the accuracy of a direction intersecting the direction of the relative scanning of the two objects.

【００５３】また、露光ビームによる照明領域の所定の
方向に相対的に第１物体及び第２物体を同期して走査す
る際の、第１物体と第２物体との相対的な位置の誤差を
記憶する記憶手段を設けた場合には、接続部での１回目
の走査における相対的な位置の誤差を記憶して、接続部
での２回目の走査の際にその相対的な誤差に合わせて位
置制御を行うことにより、接続部での重ね合わせ誤差を
小さくできる。Further, when synchronously scanning the first object and the second object relatively in a predetermined direction of the illumination area by the exposure beam, the relative position error between the first object and the second object is reduced. When the storage means for storing is provided, the relative position error in the first scan at the connection portion is stored, and the relative position error is stored in accordance with the relative error at the time of the second scan at the connection portion. By performing the position control, the overlay error at the connection portion can be reduced.

【００５４】また、マスク上の露光ビームによる照度分
布が台形状の照明領域の第２の方向の、照度分布が一定
の領域の長さをＬ、その照度分布が台形状の領域の両側
の照度が次第に小さくなる領域の長さをそれぞれＭとし
て、マスク上に形成される転写用のパターンの露光ビー
ムによる照明領域のその第２の方向の幅ＬＴを、｛ｎ・
Ｌ＋（ｎ−１）・Ｍ｝に設定することにより、マスク上
の転写用のパターンが常に均一な照度で照明される。In the second direction of the illumination area where the illuminance distribution by the exposure beam on the mask is trapezoidal, the length of the area where the illuminance distribution is constant is L, and the illuminance on both sides of the trapezoidal area is illuminance. Is defined as M, the width LT of the illumination area of the transfer pattern formed on the mask by the exposure beam in the second direction is expressed as {n ·
By setting L + (n−1) · M｝, the transfer pattern on the mask is always illuminated with uniform illuminance.

【００５５】そして、露光ビームによる照明領域のその
第２の方向に相対的にマスクを移動させるマスク移動手
段を設けた場合には、マスク側でもスティッチングを行
うことができる。When a mask moving means for moving the mask relatively in the second direction of the illumination area by the exposure beam is provided, stitching can be performed on the mask side.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明による投影光学装置の一実施例を示す構
成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of a projection optical device according to the present invention.

【図２】（ａ）は図１のレチクル１９上のスリット状の
照明領域を示す平面図、（ｂ）はその照明領域の照度分
布を示す分布図である。2A is a plan view showing a slit-shaped illumination area on the reticle 19 in FIG. 1, and FIG. 2B is a distribution chart showing an illuminance distribution of the illumination area.

【図３】その実施例のレチクルのパターンを示す平面図
である。FIG. 3 is a plan view showing a reticle pattern of the embodiment.

【図４】（ａ）はその実施例のウエハ上のスリット状の
露光領域を示す平面図、（ｂ）はその露光領域の照度分
布を分布図である。FIG. 4A is a plan view showing a slit-shaped exposure region on a wafer according to the embodiment, and FIG. 4B is a distribution diagram showing an illuminance distribution of the exposure region.

【図５】（ａ）はウエハ上の被露光領域を示す平面図、
（ｂ）はその被露光領域における照度分布を示す分布図
である。FIG. 5A is a plan view showing a region to be exposed on a wafer,
(B) is a distribution diagram showing an illuminance distribution in the exposed region.

【図６】その実施例でのウエハ上のスリットスキャン露
光の軌跡の一例を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing an example of a locus of slit scan exposure on a wafer in the embodiment.

【図７】その実施例でのウエハ上のスリットスキャン露
光の軌跡の他の例を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing another example of the locus of the slit scan exposure on the wafer in the embodiment.

【図８】（ａ）はレチクル上の照明領域の変形例を示す
平面図、（ｂ）はその照明領域の変形例の照度分布を示
す分布図である。8A is a plan view showing a modification of the illumination area on the reticle, and FIG. 8B is a distribution diagram showing an illuminance distribution of the modification of the illumination area.

【図９】（ａ）は本発明の他の実施例におけるパルス発
光の位置の関係の一例を示す拡大平面図、（ｂ）は本発
明の他の実施例におけるパルス発光の位置の関係の他の
例を示す拡大平面図である。FIG. 9A is an enlarged plan view showing an example of the relationship between the positions of pulsed light emission in another embodiment of the present invention, and FIG. 9B is another enlarged view showing the relationship between the positions of pulsed light emission in another embodiment of the present invention. It is an enlarged plan view which shows the example of.

【図１０】（ａ）は従来の連続発光型の光源を備えた投
影露光装置でスティッチング及びスリットスキャン露光
を行う際のレチクル上の照明領域の相対走査の様子を示
す平面図、（ｂ）は図１０（ａ）に対応するウエハ上の
露光領域の相対走査の様子を示す平面図である。FIG. 10A is a plan view showing a relative scanning state of an illumination area on a reticle when performing stitching and slit scan exposure with a projection exposure apparatus having a conventional continuous light source, and FIG. FIG. 11 is a plan view showing a state of relative scanning of an exposure area on a wafer corresponding to FIG.

【図１１】正６角形の露光領域でスティッチング及びス
リットスキャン露光を行う場合に、パルス発光型の光源
を使用するときの感光基板上の照度むらの説明に供する
線図である。FIG. 11 is a diagram for explaining illuminance unevenness on a photosensitive substrate when a pulsed light source is used when performing stitching and slit scan exposure in a regular hexagonal exposure region.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１２ パルスレーザー光源 １３ 照明最適化光学系 １５ 視野絞り １６ リレーレンズ １８ コンデンサーレンズ １９ レチクル ２０ レチクル上の矩形のスリット状の照明領域 ２０Ｐ ウエハ上の矩形のスリット状の露光領域 ２１ レチクルステージ ２３ ガイド ２４，３２ レーザー干渉計 ２５ 主制御系 ２６，３３ 駆動装置 ２８ ウエハ ３０ ウエハステージ ３４ レーザー光源制御装置 ３５ パターン領域 ４０ 被露光領域 Reference Signs List 12 pulse laser light source 13 illumination optimization optical system 15 field stop 16 relay lens 18 condenser lens 19 reticle 20 rectangular slit-shaped illumination area on reticle 20P rectangular slit-shaped exposure area on wafer 21 reticle stage 23 guide 24, Reference Signs List 32 laser interferometer 25 main control system 26, 33 drive unit 28 wafer 30 wafer stage 34 laser light source control unit 35 pattern area 40 exposure area

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/20 H01L 21/027 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G03F 7/20 H01L 21/027

Claims (33)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 露光ビームに対して第１物体を移動する
とともに、該第１物体の移動に同期して第２物体を移動
することにより、前記第２物体を走査露光する走査型露
光装置において、 前記第１物体を保持して同期移動可能な第１保持手段
と、 前記第２物体を保持して同期移動可能な第２保持手段
と、 前記走査露光中に前記同期移動の方向と交差する方向の
前記第１保持手段の位置情報を計測する第１干渉計シス
テムと、を備えたことを特徴とする走査型露光装置。1. A scanning exposure apparatus for scanning and exposing a second object by moving a first object with respect to an exposure beam and moving a second object in synchronization with the movement of the first object. A first holding unit that holds the first object and can move synchronously; a second holding unit that holds the second object and moves synchronously; intersects the direction of the synchronous movement during the scanning exposure A first interferometer system for measuring positional information of the first holding means in a direction. 【請求項２】 前記第１干渉計システムは、前記第１保
持手段の前記同期移動の方向の位置情報の計測も行うこ
とを特徴とする請求項１に記載の走査型露光装置。2. The scanning exposure apparatus according to claim 1, wherein the first interferometer system also measures position information of the first holding unit in the direction of the synchronous movement. 【請求項３】 前記第１干渉計システムは、前記第１保
持手段の回転情報の計測も行うことを特徴とする請求項
１又は２に記載の走査型露光装置。3. The scanning exposure apparatus according to claim 1, wherein the first interferometer system also measures rotation information of the first holding unit. 【請求項４】 前記走査露光中に、前記第２保持手段の
位置情報を計測する第２干渉計システムをさらに備える
ことを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の
走査型露光装置。4. The scanning type according to claim 1, further comprising a second interferometer system for measuring position information of the second holding unit during the scanning exposure. Exposure equipment. 【請求項５】 前記第２干渉計システムは、前記第２保
持手段のの回転情報も計測することを特徴とする請求項
４に記載の走査型露光装置。5. The scanning exposure apparatus according to claim 4, wherein said second interferometer system also measures rotation information of said second holding means. 【請求項６】 露光ビームに対して第１物体を移動する
とともに、該第１物体の移動に同期して第２物体を移動
することにより、前記第２物体を走査露光する走査型露
光装置において、 前記第１物体を保持して同期移動可能な第１保持手段
と、 前記第２物体を保持して同期移動可能な第２保持手段
と、 前記同期移動の方向と交差する方向に関する前記第１保
持手段と前記第２保持手段との相対的な位置情報を計測
する干渉計システムと、を備えたことを特徴とする走査
型露光装置。6. A scanning exposure apparatus for scanning and exposing a second object by moving a first object with respect to an exposure beam and moving a second object in synchronization with the movement of the first object. A first holding unit that holds the first object and can move synchronously; a second holding unit that holds and holds the second object and can move synchronously; and the first holding unit moves in a direction intersecting the direction of the synchronous movement. A scanning exposure apparatus, comprising: an interferometer system for measuring relative position information between a holding unit and the second holding unit. 【請求項７】 前記干渉計システムは、前記第１保持手
段の位置情報を計測する第１干渉計システムと前記第２
保持手段の位置情報を計測する第２干渉計システムとを
有することを特徴とする請求項６に記載の走査型露光装
置。7. The interferometer system comprises: a first interferometer system for measuring position information of the first holding means;
The scanning exposure apparatus according to claim 6, further comprising a second interferometer system for measuring position information of the holding unit. 【請求項８】 前記干渉計システムは、前記同期移動の
方向における前記第１保持手段と前記第２保持手段との
相対的な位置情報も計測することを特徴とする請求項６
又は７に記載の走査型露光装置。8. The interferometer system according to claim 6, wherein relative position information between the first holding unit and the second holding unit in the direction of the synchronous movement is also measured.
Or the scanning exposure apparatus according to 7. 【請求項９】 前記干渉計システムは、前記第１保持と
前記第２保持手段との相対的な回転情報も計測すること
を特徴とする請求項６から８の何れか一項に記載の走査
型露光装置。9. The scanning apparatus according to claim 6, wherein the interferometer system also measures relative rotation information between the first holding unit and the second holding unit. Type exposure equipment. 【請求項１０】 前記計測された位置情報に基づいて、
前記第１保持手段と前記第２保持手段との位置関係を調
整することを特徴とする請求項６から９の何れか一項に
記載の走査型露光装置。10. Based on the measured position information,
The scanning exposure apparatus according to claim 6, wherein a positional relationship between the first holding unit and the second holding unit is adjusted. 【請求項１１】 露光ビームに対して第１物体を移動す
るとともに、該第１物体の移動に同期して第２物体を移
動することにより、前記第２物体を走査露光する走査型
露光装置において、 前記第１物体を保持して同期移動可能な第１保持手段
と、 前記第２物体を保持して同期移動可能な第２保持手段
と、 前記第２物体の走査露光中に前記第１保持手段と前記第
２保持手段との相対的な位置誤差の情報を計測する計測
手段と、 該計測手段の計測結果に基づいて、１回の走査露光に対
応する連続的な位置誤差の情報を記憶する記憶手段と、 を備えたことを特徴とする走査型露光装置。11. A scanning exposure apparatus for scanning and exposing a second object by moving a first object with respect to an exposure beam and moving a second object in synchronization with the movement of the first object. A first holding unit that holds the first object and can be moved synchronously; a second holding unit that holds the second object and can be moved synchronously; and the first holding unit during scanning exposure of the second object. Measuring means for measuring information on a relative position error between the means and the second holding means; and performing one scanning exposure based on the measurement result of the measuring means .
Storage means for storing information on corresponding continuous position errors. 【請求項１２】 前記位置誤差の情報は、前記同期移動
の方向と交差する方向における位置誤差の情報を含むこ
とを特徴とする請求項１１に記載の走査型露光装置。12. The scanning exposure apparatus according to claim 11, wherein the information on the position error includes information on a position error in a direction intersecting with the direction of the synchronous movement. 【請求項１３】 前記位置誤差の情報は、前記同期移動
の方向における位置誤差の情報を含むことを特徴とする
請求項１１又は１２に記載の走査型露光装置。13. The scanning exposure apparatus according to claim 11, wherein the information on the position error includes information on a position error in the direction of the synchronous movement. 【請求項１４】 前記位置誤差の情報は回転方向の位置
誤差に関する情報を含むことを特徴とする請求項１１か
ら１３の何れか一項に記載の走査型露光装置。14. The scanning exposure apparatus according to claim 11, wherein the information on the position error includes information on a position error in a rotation direction. 【請求項１５】 前記第１保持手段の位置情報を計測す
る第１干渉計システムと前記第２保持手段の位置情報を
計測する第２干渉計システムとをさらに有することを特
徴とする請求項１１から１４の何れか一項に記載の走査
型露光装置。 15. A method for measuring position information of said first holding means.
The position information of the first interferometer system and the second holding means.
And a second interferometer system for measuring.
Scanning according to any one of claims 11 to 14, characterized in that
Type exposure equipment. 【請求項１６】 前記第１物体のパターンの像を前記第
２物体上に投影するための投影光学系をさらに備え、 前記露光ビームの照射領域は、前記投影光学系の露光フ
ィールドと共役な円形領域に内接するように設定される
ことを特徴とする請求項１から１５の何れか一項に記載
の走査型露光装置。16. A projection optical system for projecting an image of a pattern of the first object onto the second object, wherein an irradiation area of the exposure beam is a circle conjugate with an exposure field of the projection optical system. The scanning exposure apparatus according to any one of claims 1 to 15, wherein the scanning exposure apparatus is set so as to be inscribed in the region. 【請求項１７】 前記露光ビームの照射領域は多角形状
に設定されることを特徴とする請求項１から１６の何れ
か一項に記載の走査型露光装置。17. The scanning exposure apparatus according to claim 1, wherein an irradiation area of the exposure beam is set in a polygonal shape. 【請求項１８】 前記露光ビームに、その端部で強度が
次第に低下するような強度分布を持たせる光学部材を備
えたことを特徴とする請求項１から１７の何れか一項に
記載の走査型露光装置。18. The scanning device according to claim 1, further comprising: an optical member for causing the exposure beam to have an intensity distribution such that the intensity gradually decreases at an end of the exposure beam. Type exposure equipment. 【請求項１９】 請求項１から１８の何れか一項に記載
の走査型露光装置を用いて走査露光を行う工程を含むデ
バイス製造方法。19. A device manufacturing method including a step of performing scanning exposure using the scanning type exposure apparatus according to claim 1. Description: 【請求項２０】 露光ビームに対して第１物体を移動す
るとともに、該第１物体の移動に同期して第２物体を移
動することにより、前記第２物体を走査露光する走査露
光方法において、 前記走査露光中に、前記同期移動の方向と交差する方向
に関する前記第１物体の位置情報を干渉計システムを使
って計測することを特徴とする走査露光方法。20. A scanning exposure method for scanning and exposing a second object by moving a first object with respect to an exposure beam and moving a second object in synchronization with the movement of the first object. A scanning exposure method, wherein during the scanning exposure, position information of the first object in a direction intersecting with the direction of the synchronous movement is measured using an interferometer system. 【請求項２１】 前記走査露光中に、前記第１物体の位
置情報の計測と並行して前記第２物体の位置情報を干渉
計システムを使って計測することを特徴とする請求項２
０に記載の走査露光方法。21. The method according to claim 2, wherein the position information of the second object is measured using an interferometer system in parallel with the measurement of the position information of the first object during the scanning exposure.
0. The scanning exposure method according to 0. 【請求項２２】 露光ビームに対して第１物体を移動す
るとともに、該第１物体の移動に同期して第２物体を移
動することにより、前記第２物体を走査露光する走査露
光方法において、 前記同期移動の方向と交差する方向に関する前記第１物
体と前記第２物体との相対的な位置情報を干渉計システ
ムを使って計測することを特徴とする走査露光方法。22. A scanning exposure method for scanning and exposing the second object by moving a first object with respect to an exposure beam and moving a second object in synchronization with the movement of the first object. A scanning exposure method, wherein relative position information between the first object and the second object in a direction intersecting with the direction of the synchronous movement is measured using an interferometer system. 【請求項２３】 前記干渉計システムは、前記第１物体
の位置情報と前記第２物体の位置情報とを各々並行して
計測することを特徴とする請求項２２に記載の走査露光
方法。23. The scanning exposure method according to claim 22, wherein the interferometer system measures the position information of the first object and the position information of the second object in parallel. 【請求項２４】 前記干渉計システムは、前記同期移動
の方向における位置情報も計測することを特徴とする請
求項２０から２３の何れか一項に記載の走査露光方法。24. The scanning exposure method according to claim 20, wherein the interferometer system also measures position information in the direction of the synchronous movement. 【請求項２５】 前記干渉計システムは回転方向に関す
る位置情報も計測することを特徴とする請求項２０から
２４の何れか一項に記載の走査露光方法。25. The scanning exposure method according to claim 20, wherein the interferometer system also measures position information regarding a rotation direction. 【請求項２６】 前記計測された位置情報に基づいて、
前記第１物体と前記第２物体との位置関係を調整するこ
とを特徴とする請求項２１から２５の何れか一項に記載
の走査露光方法。26. Based on the measured position information,
The scanning exposure method according to any one of claims 21 to 25, wherein a positional relationship between the first object and the second object is adjusted. 【請求項２７】 露光ビームに対して第１物体を移動す
るとともに、該第１物体の移動に同期して第２物体を移
動することにより、前記第２物体を走査露光する走査露
光方法において、 前記第２物体の走査露光中に前記第１物体と前記第２物
体との相対的な位置誤差の情報を計測し、 該計測された位置誤差の情報を、１回の走査露光に対応
する連続的な位置誤差情報として記憶することを特徴と
する走査露光方法。27. A scanning exposure method for scanning and exposing the second object by moving a first object with respect to an exposure beam and moving a second object in synchronization with the movement of the first object. Measuring information on a relative position error between the first object and the second object during the scanning exposure of the second object, and applying the information on the measured position error to one scan exposure
A scanning exposure method characterized by storing as continuous position error information . 【請求項２８】 前記位置誤差の情報は、前記同期移動
の方向と交差する方向における位置誤差の情報を含むこ
とを特徴とする請求項２７に記載の走査露光方法。28. The scanning exposure method according to claim 27, wherein the information on the position error includes information on a position error in a direction intersecting with the direction of the synchronous movement. 【請求項２９】 前記位置誤差の情報は、前記同期移動
の方向における位置誤差の情報を含むことを特徴とする
請求項２７又は２８に記載の走査露光方法。29. The scanning exposure method according to claim 27, wherein the information on the position error includes information on a position error in the direction of the synchronous movement. 【請求項３０】 前記位置誤差の情報は回転方向の位置
誤差に関する情報を含むことを特徴とする請求項２７か
ら２９の何れか一項に記載の走査露光方法。30. The scanning exposure method according to claim 27, wherein the information on the position error includes information on a position error in a rotation direction. 【請求項３１】 前記走査露光中、前記第１物体の位置
情報と前記第２物体の位置情報とを各々並行して計測す
ることを特徴とする請求項２７から３０の何れか一項に
記載の走査露光方法。 31. The position of the first object during the scanning exposure
Information and the position information of the second object are measured in parallel.
The method according to any one of claims 27 to 30, wherein
The scanning exposure method according to the above. 【請求項３２】 前記記憶された位置誤差に関する情報
は、その後に行なわれる走査露光の際に用いられること
を特徴とする請求項２７から３１の何れか一項に記載の
走査露光方法。32. The scanning exposure method according to claim 27, wherein the stored information on the position error is used in a subsequent scanning exposure. 【請求項３３】 請求項２０から３２の何れか一項に記
載された走査露光方法を用いるデバイス製造方法。A device manufacturing method using the scanning exposure method according to any one of claims 20 to 32.
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