JP3291912B2 - Surface acoustic wave device - Google Patents

Surface acoustic wave device

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JP3291912B2
JP3291912B2 JP12245994A JP12245994A JP3291912B2 JP 3291912 B2 JP3291912 B2 JP 3291912B2 JP 12245994 A JP12245994 A JP 12245994A JP 12245994 A JP12245994 A JP 12245994A JP 3291912 B2 JP3291912 B2 JP 3291912B2
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acoustic wave
surface acoustic
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敦志 松井
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は通信機器などに用いられ
る弾性表面波デバイスに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device used for communication equipment and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3(a)は従来の共振子型弾性表面波
デバイスを示すものである。図3(a)において、1は
圧電基板、2は櫛形電極、3は反射器である。つまり櫛
形電極2で励振された弾性表面波が両側に伝播し、反射
器3の間に閉じ込められることにより共振子あるいはフ
ィルタとして機能するものである。
2. Description of the Related Art FIG. 3A shows a conventional resonator type surface acoustic wave device. In FIG. 3A, 1 is a piezoelectric substrate, 2 is a comb-shaped electrode, and 3 is a reflector. That is, the surface acoustic wave excited by the comb-shaped electrode 2 propagates to both sides and is confined between the reflectors 3 to function as a resonator or a filter.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従来の共振子型弾性表
面波デバイスでは、反射器3は共振周波数に対応した波
長のおよそ4分の1の一定の線幅のストリップ電極を、
波長のおよそ2分の1の一定のピッチで並べたものであ
り、反射器3自体の周波数特性は図3(b)のように通
過帯域の両側にスプリアスが大きく出ているため、デバ
イスの周波数特性にもスプリアスが現れ、帯域外特性が
劣化していた。
In the conventional resonator-type surface acoustic wave device, the reflector 3 includes a strip electrode having a constant line width of about one quarter of the wavelength corresponding to the resonance frequency.
The reflectors 3 are arranged at a constant pitch of about one half of the wavelength, and the frequency characteristics of the reflector 3 itself have large spurs on both sides of the pass band as shown in FIG. Spurious characteristics also appeared in the characteristics, and the out-of-band characteristics deteriorated.

【0004】そこでこの帯域外特性の劣化を防止するこ
とを目的とするものである。
It is an object of the present invention to prevent the deterioration of the out-of-band characteristics.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、スプリアスが
発生する原因を追求検討することにより、上記スプリア
スが発生する原因は反射器のそれぞれのストリップ電極
の反射率が一様であることにより、帯域外のレスポンス
が大きくなることを見出したものであり、上記目的を達
成するために、本発明の弾性表面波デバイスでは、反射
器を構成するストリップ電極のそれぞれの反射率を場所
によって異ならせるものである。
According to the present invention, the cause of the occurrence of the spurious is pursued and studied. The cause of the occurrence of the spurious is that the reflectance of each strip electrode of the reflector is uniform. It has been found that the response outside the band increases, and in order to achieve the above object, in the surface acoustic wave device of the present invention, the reflectivity of each of the strip electrodes constituting the reflector differs depending on the location. It is.

【0006】[0006]

【作用】このように構成することにより、櫛形電極にア
ポダイズをかけるように、重み付けがされたようにな
り、反射器自体の周波数特性で帯域外スプリアスが抑圧
され、帯域外特性の優れた弾性表面波デバイスが得られ
る。
With this configuration, the comb electrodes are weighted so as to apply apodization, the spurious response outside the band is suppressed by the frequency characteristics of the reflector itself, and the elastic surface having excellent out-band characteristics. A wave device is obtained.

【0007】[0007]

【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。図1(a)は本発明の第一の実施例
における共振子型弾性表面波フィルタを示す概略図であ
る。図1(a)において、圧電基板1には水晶を用い、
その表面上の入、出力用の櫛形電極2はそれぞれ100
対で構成され、横モードによるスプリアスを抑圧するた
めにアポダイズがかけられている。櫛形電極2の両側の
圧電基板1上には反射器3がそれぞれ200本のショー
トストリップ電極3aで構成されている。反射器3は図
1(b)のように横軸に位置、縦軸にストリップ電極一
本当たりの反射率に取ると、中心に対称にほぼハミング
の窓関数になるように構成されている。このように反射
率に重み付けをすることにより、反射器3自体の周波数
特性は図1(c)のようになり、従来の等線幅、等ピッ
チの反射器に比べて帯域外を抑圧した特性が得られる。
反射率を変える方法としては、まずストリップ電極の線
幅を変える方法がとられる。通常反射器3ではストリッ
プ電極の線幅が、共振周波数に対応する波長の4分の1
のとき反射率はほぼ最大となり、線幅を細くしていけ
ば、しだいに反射率は小さくなっていき、8分の1のと
きほぼ0になる。従って必要な反射率に応じて線幅を設
定していけば所定の周波数特性が得られる。また、図1
(d)のようにストリップ電極3aの位置を、隣合う二
本をペアにして、その平均の位置を従来のストリップ電
極3Aと変えずに、両者の間隔を広げるか、狭めるよう
に位置をずらすと、共振周波数を変えずに反射率を小さ
くすることができる。さらに、水晶のように電気機械結
合係数の小さい圧電基板1を使用する場合は、オープン
ストリップ電極であっても、ショートストリップ電極で
あっても反射率はほとんど変わらないが、タンタル酸リ
チウムあるいはニオブ酸リチウムのような電気機械結合
係数の大きい圧電基板を使用する場合はショートストリ
ップ電極とオープンストリップ電極で反射率が異なって
くるので、これを利用することができる。以上のような
方法を単独に、あるいは組み合わせて用いることによ
り、帯域外特性の優れた共振子型弾性表面波デバイスを
得ることができる。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1A is a schematic diagram showing a resonator type surface acoustic wave filter according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1A, quartz is used for the piezoelectric substrate 1,
The input and output comb electrodes 2 on the surface are 100
It is composed of pairs, and is apodized to suppress spurious due to the transverse mode. On the piezoelectric substrate 1 on both sides of the comb-shaped electrode 2, each of the reflectors 3 is composed of 200 short strip electrodes 3a. When the reflector 3 is positioned on the horizontal axis and the reflectance per strip electrode on the vertical axis as shown in FIG. 1B, the reflector 3 is configured to have a Hamming window function symmetrically about the center. By weighting the reflectivity in this manner, the frequency characteristic of the reflector 3 itself becomes as shown in FIG. 1C, and the characteristic in which the out-of-band is suppressed as compared with the conventional reflector having the same line width and the same pitch. Is obtained.
As a method of changing the reflectivity, first, a method of changing the line width of the strip electrode is used. Usually, in the reflector 3, the line width of the strip electrode is one quarter of the wavelength corresponding to the resonance frequency.
In the case of, the reflectance is almost maximum, and as the line width is reduced, the reflectance gradually decreases, and becomes nearly zero when the ratio is 1/8. Therefore, if the line width is set according to the required reflectance, a predetermined frequency characteristic can be obtained. FIG.
As shown in (d), the position of the strip electrode 3a is paired with two adjacent ones, and the position is shifted so as to widen or narrow the distance between the two without changing the average position of the conventional strip electrode 3A. Thus, the reflectance can be reduced without changing the resonance frequency. Further, when a piezoelectric substrate 1 having a small electromechanical coupling coefficient such as quartz is used, the reflectance is almost the same regardless of whether it is an open strip electrode or a short strip electrode, but lithium tantalate or niobate is used. When a piezoelectric substrate having a large electromechanical coupling coefficient, such as lithium, is used, the reflectivity differs between the short strip electrode and the open strip electrode, which can be used. By using the above methods alone or in combination, a resonator-type surface acoustic wave device having excellent out-of-band characteristics can be obtained.

【0008】図2(a)は本発明の第二の実施例におけ
る弾性表面波共振子を示す概略図である。基本的な構成
は第一の実施例と同じであるが、ここでは反射率の分布
が異なる。すなわち、図2(b)のように櫛形電極2か
ら遠ざかるほど反射率が高くなるように構成されてい
る。一般的に、共振子では特別な場合を除いてQ値が高
いほど望ましい。従来の弾性表面波共振子ではQ値を高
くするためには電極の膜厚を薄くしてストリップ電極一
本当たりの反射率を小さくする。そうすることにより共
振長を長くすることができ、Q値が高くなる。しかしな
がらこの場合、共振抵抗を充分に小さくするためにはさ
らに多くの反射電極が必要になり、結果的にデバイスの
サイズが大きくなり、またコストアップにもなる。それ
に対して本実施例では、櫛形電極2の近くでは反射率は
小さく、離れるほど大きくなっていくため、反射器3の
反射中心は従来の弾性表面波共振子より外側にシフト
し、共振長が長くなるためQ値が高くなる。また、第一
の実施例と同じようにスプリアスも抑圧されるので発振
周波数の飛びが起こりにくくなる。
FIG. 2A is a schematic view showing a surface acoustic wave resonator according to a second embodiment of the present invention. The basic configuration is the same as that of the first embodiment, but here, the distribution of the reflectance is different. That is, as shown in FIG. 2B, the reflectance increases as the distance from the comb-shaped electrode 2 increases. In general, it is desirable that the Q value of the resonator be higher except for a special case. In the conventional surface acoustic wave resonator, in order to increase the Q value, the thickness of the electrode is reduced to reduce the reflectance per strip electrode. By doing so, the resonance length can be increased, and the Q value increases. However, in this case, more reflective electrodes are required to sufficiently reduce the resonance resistance, resulting in an increase in the size of the device and an increase in cost. On the other hand, in this embodiment, the reflectance is small near the comb-shaped electrode 2 and becomes larger as the distance increases, so that the reflection center of the reflector 3 shifts outward from the conventional surface acoustic wave resonator, and the resonance length becomes longer. Since the length is longer, the Q value increases. Further, as in the first embodiment, the spurious is suppressed, so that the oscillation frequency does not easily jump.

【0009】[0009]

【発明の効果】以上のように本発明は、反射器を構成す
るストリップ電極の反射率を場所によって変えることに
より、帯域外特性の優れた弾性表面波デバイス、あるい
はQ値の高い弾性表面波共振子を得ることができる。
As described above, the present invention provides a surface acoustic wave device having excellent out-of-band characteristics or a surface acoustic wave resonance having a high Q value by changing the reflectivity of the strip electrode constituting the reflector depending on the location. You can get a child.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第一の実施例における共振子型弾性表
面波フィルタの説明図
FIG. 1 is an explanatory diagram of a resonator type surface acoustic wave filter according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第二の実施例における弾性表面波共振
子の説明図
FIG. 2 is an explanatory diagram of a surface acoustic wave resonator according to a second embodiment of the present invention.

【図3】(a)は従来の共振子型弾性表面波フィルタの
平面図 (b)はその特性図
FIG. 3A is a plan view of a conventional resonator-type surface acoustic wave filter, and FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 圧電基板 2 櫛形電極 3 反射器 Reference Signs List 1 piezoelectric substrate 2 comb-shaped electrode 3 reflector

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−256512(JP,A) 特開 昭57−204620(JP,A) 特開 昭54−87457(JP,A) 特開 昭54−100238(JP,A) 特開 平3−278606(JP,A) 実開 昭64−23131(JP,U) 特表 平7−505989(JP,A) 国際公開93/22831(WO,A1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03H 9/25 H03H 9/145 Continuation of the front page (56) References JP-A-62-256512 (JP, A) JP-A-57-204620 (JP, A) JP-A-54-87457 (JP, A) JP-A-54-100238 (JP) JP-A-3-278606 (JP, A) JP-A-64-23131 (JP, U) JP-A-7-505989 (JP, A) International Publication 93/22831 (WO, A1) (58) Survey Field (Int.Cl. 7 , DB name) H03H 9/25 H03H 9/145

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 圧電基板と、この圧電基板上に設けた櫛
形電極と、この櫛形電極の両側の圧電基板上に設けた多
数のストリップ電極からなる反射器とを備え、上記ストリップ電極を二本をペアとして、その二本の平
均の位置を変えずに、お互いの位置を変えることによ
り、上記ストリップ電極の一本当たりの反射率を変える
ことを特徴とする弾性表面波デバイス。
With a 1. A piezoelectric substrate, a comb electrode provided on the piezoelectric substrate, and reflectors consisting of a large number of strip electrodes provided on both sides of the piezoelectric substrate of this comb-shaped electrodes, two of the strip electrode As a pair, the two flats
By changing the position of each other without changing the average position
A surface acoustic wave device, wherein the reflectance per one of the strip electrodes is changed .
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