JP3291444B2 - Optical pickup device - Google Patents

Optical pickup device

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JP3291444B2
JP3291444B2 JP30964796A JP30964796A JP3291444B2 JP 3291444 B2 JP3291444 B2 JP 3291444B2 JP 30964796 A JP30964796 A JP 30964796A JP 30964796 A JP30964796 A JP 30964796A JP 3291444 B2 JP3291444 B2 JP 3291444B2
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semiconductor laser
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清治 梶山
康行 加納
真人 山田
洋一 土屋
秀一 市浦
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【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板厚、記録密度
の異なる複数種類の光ディスクの再生装置に関する。
The present invention relates to a reproducing apparatus for a plurality of types of optical disks having different substrate thicknesses and recording densities.

【0002】[0002]

【従来の技術】CD−ROMのように半導体レーザを用
いて情報を読み出す約1.2mmの厚さの光ディスクが
提供されている。この種の光ディスクではピックアップ
用対物レンズにフォーカスサーボ及びトラッキングサー
ボを行うことにより、信号記録面のピット列にレーザビ
ームを照射させ、信号を再生している。また、最近では
長時間の動画を記録するための高密度化が進んでいる。
2. Description of the Related Art An optical disk having a thickness of about 1.2 mm, such as a CD-ROM, from which information is read using a semiconductor laser is provided. In this type of optical disk, focus servo and tracking servo are performed on a pickup objective lens to irradiate a pit row on a signal recording surface with a laser beam to reproduce a signal. Recently, the recording density for recording a long moving image has been increasing.

【0003】例えば、CD−ROMと同じ直径12cm
の光ディスクに、片面で4.7Gbyteの情報を記録
するDVD規格が提案されている。DVDのディスク厚
は約0.6mmであり、これを両面貼り合わせることに
より、1枚で9.4Gbyteの情報を記録できる。ま
た、直径、基板厚、記録密度がCDと同じである追記可
能な光ディスクとしてCD−Rもある。
[0003] For example, the same 12 cm diameter as a CD-ROM
A DVD standard for recording 4.7 Gbyte information on one side of an optical disc has been proposed. The thickness of a DVD disk is about 0.6 mm, and 9.4 Gbyte information can be recorded on a single disc by bonding both sides. There is also a CD-R as a recordable optical disc having the same diameter, substrate thickness and recording density as a CD.

【0004】今度、これら3種類の光ディスクの併存が
考えられるため3種類の光ディスクを互換再生できる装
置が必要である。DVDとCD、CD−Rではディスク
基板の厚みが異なるため1つの光ピックアップで両者を
再生できない。そこで、特開平5−303766号公報
には、厚さ0.6mmの薄型基板を有する高密度の光デ
ィスクと、厚さ1.2mmの標準厚の基板を有する標準
密度の光ディスクとを、1個の光ピックアップによって
再生できるようにする装置が提案されている。
[0004] Since it is conceivable that these three types of optical disks coexist, a device capable of compatible reproduction of three types of optical disks is required. DVD, CD, and CD-R have different thicknesses of disk substrates, and cannot be reproduced by one optical pickup. Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-303766 discloses that a high-density optical disk having a thin substrate having a thickness of 0.6 mm and a standard-density optical disk having a standard-thick substrate having a thickness of 1.2 mm are combined into one. An apparatus has been proposed that enables reproduction by an optical pickup.

【0005】この技術は短波長のレーザビームにて高密
度のディスクを再生すべく設計された開口数0.6の対
物レンズを用い、標準厚で標準密度の光ディスクを再生
する場合に、収差補正手段にレーザビームの外周側を遮
光して実効的な開口数を減少させるアパーチャを付加し
たものを対物レンズの光源側に介挿する装置である。ま
た、半導体レーザから出射されるレーザビームの外周部
を選択的に遮光してレーザビームを集光する対物レンズ
の実効的開口数を変更する方法として出願人は、特願平
8−84307号においてレーザビームの偏光面を選択
的に回転する液晶と特定方向に偏光するレーザビームの
みを透過させる偏光フィルタを組み合わせる方法を提案
し、この方法を用いて基板厚の異なる光ディスクを互換
再生できる技術を開示している。
This technique uses an objective lens having a numerical aperture of 0.6 designed to reproduce a high-density disc with a short-wavelength laser beam, and corrects aberrations when reproducing a standard-thickness standard-density optical disc. This is an apparatus in which an aperture for reducing the effective numerical aperture by shielding the outer peripheral side of the laser beam from light is added to the light source side of the objective lens. As a method of changing the effective numerical aperture of an objective lens for condensing a laser beam by selectively shielding the outer peripheral portion of a laser beam emitted from a semiconductor laser, the applicant has disclosed in Japanese Patent Application No. 8-84307. We propose a method that combines a liquid crystal that selectively rotates the plane of polarization of a laser beam and a polarization filter that transmits only a laser beam that is polarized in a specific direction, and discloses a technology that enables compatible playback of optical disks with different substrate thicknesses using this method. are doing.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】特願平8−84307
号に開示された方法では、基板厚の異なるDVDとCD
との互換再生は可能であるが、基板厚が1.2mmのC
D−Rを波長635nmのレーザビームで再生すること
ができない。また、信号がピット列として記録されるた
め、ピットの大きさに応じて信号記録面に照射されるビ
ーム径を変える必要もあり、DVDと、DVDのピット
より更に小さいピットで記録される高密度DVDとを波
長635nmのレーザビームを用いて互換再生すること
ができない。
Problems to be Solved by the Invention Japanese Patent Application No. 8-84307
In the method disclosed in US Pat.
Compatible playback is possible, but the substrate thickness is 1.2mm
DR cannot be reproduced with a laser beam having a wavelength of 635 nm. Further, since the signal is recorded as a pit row, it is necessary to change the beam diameter applied to the signal recording surface in accordance with the size of the pit. DVDs cannot be compatiblely reproduced with a laser beam having a wavelength of 635 nm.

【0007】そこで、本発明は、かかる問題点を解決
し、基板厚が0.6mmのDVDと基板厚が1.2mmの
CD、CD−Rとの互換再生、およびDVDと高密度D
VDとの互換再生が可能な光ピックアップ装置を提供す
るものである。
Therefore, the present invention solves such a problem, and performs compatible reproduction between a DVD having a substrate thickness of 0.6 mm and a CD or CD-R having a substrate thickness of 1.2 mm, and a DVD and a high density D.
An object of the present invention is to provide an optical pickup device capable of reproducing data compatible with VD.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明は、第1の厚さの透明基板を有する第1の光デ
ィスク、および前記第1の厚さと異なる第2の厚さの透
明基板を有する第2の光ディスクの記録または/および
再生を行う光ピックアップ装置であって、前記記録また
は/および再生が行われるべき光ディスクに対向して設
けられた対物レンズと、前記記録または/および再生が
行われるべき光ディスクの透明基板の厚さに応じて前記
対物レンズの開口数を変更する開口数変更手段と、第1
のレーザ光を生成する第1の半導体レーザと、第2のレ
ーザ光を生成する第2の半導体レーザと、前記第1のレ
ーザ光、および前記第2のレーザ光の前記光ディスクの
信号記録面からの反射光を検出する光検出手段と、前記
第1の半導体レーザにより生成された前記第1のレーザ
光を第1の方向に回折させ、前記第2の半導体レーザに
より生成された前記第2のレーザ光を前記第1の方向と
異なる第2の方向に回折させるとともに、前記第1のレ
ーザ光、および前記第2のレーザ光の前記光ディスクの
信号記録面からの反射光を前記光検出手段に導くホログ
ラムとを含む光学手段とを備え、さらに、前記第1の半
導体レーザと前記第2の半導体レーザとの距離をZ0
前記第1の半導体レーザと前記光検出手段との距離をZ
1、前記第2の半導体レーザと前記光検出手段との距離
をZ2、前記第1の半導体レーザと前記ホログラムとの
距離をL、前記ホログラムのピッチをp、前記第1のレ
ーザ光の波長をλ1、前記第2のレーザ光の波長をλ2
した場合に、 Z1=Lλ1/(p2―λ1 2)1/2、Z2=Lλ2/(p2―λ2 2)
1/2、 Z0=Z2―Z1 なる関係を有することを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a first optical disk having a transparent substrate having a first thickness, and a transparent optical disk having a second thickness different from the first thickness. What is claimed is: 1. An optical pickup device for performing recording and / or reproduction on a second optical disk having a substrate, comprising: an objective lens provided to face an optical disk on which recording and / or reproduction is to be performed; Numerical aperture changing means for changing the numerical aperture of the objective lens according to the thickness of the transparent substrate of the optical disc on which the optical disk is to be subjected;
A first semiconductor laser that generates the first laser light, a second semiconductor laser that generates the second laser light, the first laser light, and the second laser light from the signal recording surface of the optical disk. Light detecting means for detecting reflected light of the first semiconductor laser, and diffracting the first laser light generated by the first semiconductor laser in a first direction, and the second laser light generated by the second semiconductor laser. The laser light is diffracted in a second direction different from the first direction, and the first laser light and the reflected light of the second laser light from the signal recording surface of the optical disk are sent to the light detecting means. An optical means including a guiding hologram, and furthermore, a distance between the first semiconductor laser and the second semiconductor laser is Z 0 ,
The distance between the first semiconductor laser and the light detecting means is Z
1 , the distance between the second semiconductor laser and the light detecting means is Z 2 , the distance between the first semiconductor laser and the hologram is L, the pitch of the hologram is p, the wavelength of the first laser light the lambda 1, the wavelength of the second laser beam when the λ 2, Z 1 = Lλ 1 / (p 2 -λ 1 2) 1/2, Z 2 = Lλ 2 / (p 2 -λ 2 2 )
1/2, and having a Z 0 = Z 2 -Z 1 the relationship.

【0009】また、本発明は、第1の厚さの透明基板を
有する第1の光ディスク、および前記第1の厚さと異な
る第2の厚さの透明基板を有する第2の光ディスクの記
録または/および再生を行う光ピックアップ装置であっ
て、前記記録または/および再生が行われるべき光ディ
スクに対向して設けられた対物レンズと、前記記録また
は/および再生が行われるべき光ディスクの透明基板の
厚さに応じて前記対物レンズの開口数を変更する開口数
変更手段と、第1のレーザ光を生成する第1の半導体レ
ーザと、第2のレーザ光を生成する第2の半導体レーザ
と、前記第1のレーザ光、および前記第2のレーザ光の
前記光ディスクの信号記録面からの反射光を検出する光
検出手段とを含む光学手段と、前記光学手段からの前記
第1のレーザ光を第1の方向に回折させ、前記第2のレ
ーザ光を前記第1の方向と異なる第2の方向に回折さ
せ、その回折させたレーザ光を前記対物レンズに導くと
ともに、前記第1のレーザ光、および前記第2のレーザ
光の前記光ディスクの信号記録面からの反射光を前記光
学手段に導くホログラムとを備え、さらに、前記第1の
半導体レーザと前記第2の半導体レーザとの距離を
0、前記第1の半導体レーザと前記光検出手段との距
離をZ1、前記第2の半導体レーザと前記光検出手段と
の距離をZ2、前記第1の半導体レーザと前記ホログラ
ムとの距離をL、前記ホログラムのピッチをp、前記第
1のレーザ光の波長をλ1、前記第2のレーザ光の波長
をλ2とした場合に、 Z1=Lλ1/(p2―λ1 2)1/2、Z2=Lλ2/(p2―λ2 2)
1/2、 Z0=Z2―Z1 なる関係を有することを特徴とする。
The present invention also relates to a recording and / or reproducing apparatus for a first optical disk having a transparent substrate having a first thickness and a second optical disk having a transparent substrate having a second thickness different from the first thickness. An optical pickup device for performing recording and / or reproduction, comprising: an objective lens provided to face an optical disk on which recording and / or reproduction is to be performed; and a thickness of a transparent substrate of the optical disk on which recording and / or reproduction is to be performed. Numerical aperture changing means for changing the numerical aperture of the objective lens according to the following; a first semiconductor laser for generating a first laser beam; a second semiconductor laser for generating a second laser beam; An optical unit including: a first laser beam; and a light detecting unit that detects a reflected beam of the second laser beam from the signal recording surface of the optical disc; and the first laser beam from the optical unit. Diffracting in a first direction, diffracting the second laser light in a second direction different from the first direction, guiding the diffracted laser light to the objective lens, And a hologram for guiding the reflected light of the second laser light from the signal recording surface of the optical disk to the optical means, and furthermore, the distance between the first semiconductor laser and the second semiconductor laser is Z 0. The distance between the first semiconductor laser and the light detecting means is Z 1 , the distance between the second semiconductor laser and the light detecting means is Z 2 , and the distance between the first semiconductor laser and the hologram is L, and the pitch of the hologram p, a wavelength of the first laser beam lambda 1, the wavelength of the second laser beam when the λ 2, Z 1 = Lλ 1 / (p 2 -λ 1 2 ) 1/2, Z 2 = Lλ 2 / (p 2 -λ 2 2)
1/2, and having a Z 0 = Z 2 -Z 1 the relationship.

【0010】また、本発明は、第1の厚さの透明基板を
有する第1の光ディスク、および前記第1の厚さと異な
る第2の厚さの透明基板を有する第2の光ディスクの記
録または/および再生を行う光ピックアップ装置であっ
て、前記記録または/および再生が行われるべき光ディ
スクに対向して設けられた対物レンズと、前記記録また
は/および再生が行われるべき光ディスクの透明基板の
厚さに応じて前記対物レンズの開口数を変更する開口数
変更手段と、第1のレーザ光を生成する第1の半導体レ
ーザと、第2のレーザ光を生成する第2の半導体レーザ
と、前記第1のレーザ光、および前記第2のレーザ光の
前記光ディスクの信号記録面からの反射光を検出する光
検出手段と、前記第1の半導体レーザにより生成された
前記第1のレーザ光を第1の方向に回折させ、前記第2
の半導体レーザにより生成された前記第2のレーザ光を
前記第1の方向と異なる第2の方向に回折させるととも
に、前記第1のレーザ光、および前記第2のレーザ光の
前記光ディスクの信号記録面からの反射光を前記光検出
手段に導くホログラムとを含む光学手段と、前記光学手
段からの第1のレーザ光、および前記第2のレーザ光を
受け、その受けたレーザ光を前記対物レンズに導くコリ
メータレンズとを備え、さらに、前記第1の半導体レー
ザと前記第2の半導体レーザとの距離をZ0、前記第1
の半導体レーザと前記光検出手段との距離をZ1、前記
第2の半導体レーザと前記光検出手段との距離をZ2
前記第1の半導体レーザと前記ホログラムとの距離を
L、前記ホログラムのピッチをp、前記第1のレーザ光
の波長をλ1、前記第2のレーザ光の波長をλ2とした場
合に、 Z1=Lλ1/(p2―λ1 2)1/2、Z2=Lλ2/(p2―λ2 2)
1/2、 Z0=Z2―Z1 なる関係を有することを特徴とする。
Further, according to the present invention, there is provided a first optical disk having a transparent substrate of a first thickness, and a recording and / or recording of a second optical disk having a transparent substrate of a second thickness different from the first thickness. An optical pickup device for performing recording and / or reproduction, comprising: an objective lens provided to face an optical disk on which recording and / or reproduction is to be performed; and a thickness of a transparent substrate of the optical disk on which recording and / or reproduction is to be performed. Numerical aperture changing means for changing the numerical aperture of the objective lens according to the following; a first semiconductor laser for generating a first laser beam; a second semiconductor laser for generating a second laser beam; Light detection means for detecting reflected light of the first laser light and the second laser light from the signal recording surface of the optical disc; and the first laser generated by the first semiconductor laser Was diffracted in a first direction, the second
Diffracting the second laser light generated by the semiconductor laser in a second direction different from the first direction, and recording the first laser light and the second laser light on the optical disc. An optical unit including a hologram for guiding reflected light from a surface to the light detecting unit; a first laser beam and the second laser beam from the optical unit; And a distance between the first semiconductor laser and the second semiconductor laser is Z 0 , and a distance between the first semiconductor laser and the second semiconductor laser is Z 0 .
The distance between the semiconductor laser and the light detecting means is Z 1 , the distance between the second semiconductor laser and the light detecting means is Z 2 ,
When the distance between the first semiconductor laser and the hologram is L, the pitch of the hologram is p, the wavelength of the first laser light is λ 1 , and the wavelength of the second laser light is λ 2 , Z 1 = Lλ 1 / (p 2 −λ 1 2 ) 1/2 , Z 2 = Lλ 2 / (p 2 −λ 2 2 )
1/2, and having a Z 0 = Z 2 -Z 1 the relationship.

【0011】また、本発明は、第1の厚さの透明基板を
有する第1の光ディスク、および前記第1の厚さと異な
る第2の厚さの透明基板を有する第2の光ディスクの記
録または/および再生を行う光ピックアップ装置であっ
て、前記記録または/および再生が行われるべき光ディ
スクに対向して設けられた対物レンズと、前記記録また
は/および再生が行われるべき光ディスクの透明基板の
厚さに応じて前記対物レンズの開口数を変更する開口数
変更手段と、第1のレーザ光を生成する第1の半導体レ
ーザと、第2のレーザ光を生成する第2の半導体レーザ
と、前記第1のレーザ光、および前記第2のレーザ光の
前記光ディスクの信号記録面からの反射光を検出する光
検出手段とを含む光学手段と、前記レーザ光生成手段か
ら前記第1のレーザ光、および前記第2のレーザ光を受
け、その受けた光を前記対物レンズに導くコリメータレ
ンズと、前記コリメータレンズの直前または直後に設け
られ、前記第1のレーザ光を第1の方向に回折させ、前
記第2のレーザ光を前記第1の方向と異なる第2の方向
に回折させるとともに、前記第1のレーザ光、および前
記第2のレーザ光の前記光ディスクの信号記録面からの
反射光を前記光学手段に導くホログラムとを備え、さら
に、前記第1の半導体レーザと前記第2の半導体レーザ
との距離をZ0、前記第1の半導体レーザと前記光検出
手段との距離をZ1、前記第2の半導体レーザと前記光
検出手段との距離をZ2、前記第1の半導体レーザと前
記ホログラムとの距離をL、前記ホログラムのピッチを
p、前記第1のレーザ光の波長をλ1、前記第2のレー
ザ光の波長をλ2とした場合に、 Z1=Lλ1/(p2―λ1 2)1/2、Z2=Lλ2/(p2―λ2 2)
1/2、 Z0=Z2―Z1 なる関係を有することを特徴とする。
[0011] The present invention also relates to a first optical disk having a transparent substrate of a first thickness and a recording and / or reproducing method of a second optical disk having a transparent substrate of a second thickness different from the first thickness. An optical pickup device for performing recording and / or reproduction, comprising: an objective lens provided to face an optical disk on which recording and / or reproduction is to be performed; and a thickness of a transparent substrate of the optical disk on which recording and / or reproduction is to be performed. Numerical aperture changing means for changing the numerical aperture of the objective lens according to the following; a first semiconductor laser for generating a first laser beam; a second semiconductor laser for generating a second laser beam; Optical means including light detection means for detecting reflected light of the first laser light and the second laser light from the signal recording surface of the optical disc; and the first laser light generated by the laser light generation means. A collimator lens that receives light and the second laser light and guides the received light to the objective lens; and a collimator lens provided immediately before or immediately after the collimator lens, diffracts the first laser light in a first direction. And diffracts the second laser light in a second direction different from the first direction, and reflects the first laser light and the second laser light from the signal recording surface of the optical disc. And a hologram that guides the distance between the first semiconductor laser and the second semiconductor laser to Z 0 , and the distance between the first semiconductor laser and the light detection unit to Z 1. The distance between the second semiconductor laser and the light detecting means is Z 2 , the distance between the first semiconductor laser and the hologram is L, the pitch of the hologram is p, and the wavelength of the first laser light is λ 1 When the wavelength of the second laser beam is λ 2 , Z 1 = Lλ 1 / (p 2 −λ 1 2 ) 1/2 , Z 2 = Lλ 2 / (p 2 −λ 2 2 )
1/2, and having a Z 0 = Z 2 -Z 1 the relationship.

【0012】また、本発明の光ピックアップ装置におい
て、前記第1のレーザ光の波長λ1は620〜660n
mの範囲であり、前記第2のレーザ光の波長λ2は76
0〜800nmの範囲であるり、前記第1の半導体レー
ザと前記第2の半導体レーザとの距離Z0は0.1〜0.
5mmの範囲であり、前記第1の半導体レーザと前記光
検出手段との距離Z1は0.50〜2.2mmの範囲であ
り、前記ホログラムのピッチpは1.5〜35μmの範
囲であり、前記第1の半導体レーザと前記ホログラムと
の距離Lは3〜25mmの範囲であることを特徴とす
る。
Further, in the optical pickup device of the present invention, the wavelength λ 1 of the first laser light is 620 to 660 n
m, and the wavelength λ 2 of the second laser beam is 76
The distance Z 0 between the first semiconductor laser and the second semiconductor laser is 0.1 to 0.1 nm.
In the range of 5 mm, the distance Z 1 between the first semiconductor laser and the light detecting means is a range of 0.50~2.2Mm, pitch p of the hologram is in the range of 1.5~35μm The distance L between the first semiconductor laser and the hologram is in the range of 3 to 25 mm.

【0013】また、本発明の光ピックアップ装置におい
て、前記第1のレーザ光の波長λ1は350〜550n
mの範囲であり、前記第2のレーザ光の波長λ2は62
0〜660nmの範囲であり、前記第1の半導体レーザ
と前記第2の半導体レーザとの距離Z0は0.1〜0.5
mmの範囲であり、前記第1の半導体レーザと前記光検
出手段との距離Z1は0.3〜1.5mmの範囲であり、
前記ホログラムのピッチpは3〜12μmの範囲であ
り、前記第1の半導体レーザと前記ホログラムとの距離
Lは3〜15mmの範囲であることを特徴とする。
In the optical pickup device according to the present invention, the wavelength λ 1 of the first laser light is 350 to 550 n.
m, and the wavelength λ 2 of the second laser beam is 62
0 to 660 nm, and the distance Z 0 between the first semiconductor laser and the second semiconductor laser is 0.1 to 0.5.
mm in the range of the distance Z 1 between the first semiconductor laser and the light detecting means is in the range of 0.3 to 1.5 mm,
The hologram pitch p is in the range of 3 to 12 μm, and the distance L between the first semiconductor laser and the hologram is in the range of 3 to 15 mm.

【0014】また、本発明の光ピックアップ装置におい
て、前記第1のレーザ光の波長λ1は350〜550n
mの範囲であり、前記第2のレーザ光の波長λ2は76
0〜800nmの範囲であり、前記第1の半導体レーザ
と前記第2の半導体レーザとの距離Z0は0.1〜0.5
mmの範囲であり、前記第1の半導体レーザと前記光検
出手段との距離Z1は0.2〜1.0mmの範囲であり、
前記ホログラムのピッチpは5〜12μmの範囲であ
り、前記第1の半導体レーザと前記ホログラムとの距離
Lは2〜15mmの範囲であることを特徴とする。
In the optical pickup device of the present invention, the wavelength λ 1 of the first laser light is 350 to 550 n.
m, and the wavelength λ 2 of the second laser beam is 76
The distance Z 0 between the first semiconductor laser and the second semiconductor laser is 0.1 to 0.5 nm.
mm in the range of the distance Z 1 between the first semiconductor laser and the light detecting means is in the range of 0.2 to 1.0 mm,
The hologram pitch p is in the range of 5 to 12 μm, and the distance L between the first semiconductor laser and the hologram is in the range of 2 to 15 mm.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

第1の実施の形態 図を参照しつつ、本発明の第1の実施の形態を説明す
る。図18に本発明が互換再生の対象とするCD、CD
−R及びDVDの定格値と再生条件を示す。CDの基板
厚は1.2(許容誤差±0.1)mm、最短ピット長が
0.83(許容範囲:0.80〜0.90)μm、トラッ
クピッチが1.6(許容誤差±0.1)μmであり、反射
率は波長780nmのレーザビームに対して60〜70
%以上である。また、再生時のレーザビームのスポット
径は1.5(許容誤差±0.1)μm、対物レンズの開口
数は0.45(許容誤差±0.05)、再生レーザビーム
波長が780(許容範囲:760〜800)nmであ
る。CD−Rの基板厚は1.2(許容誤差±0.1)m
m、最短ピット長が0.83(許容範囲:0.80〜0.
90)μm、トラックピッチが1.6(許容誤差±0.
1)μm、波長780nmのレーザビームに対する反射
率が60〜70%以上であり、再生時のレーザビームの
スポット径が1.5(許容誤差±0.1)μm、対物レン
ズの開口数が0.45(許容誤差±0.05)、再生レー
ザビーム波長が780(許容範囲:760〜800)n
mである。一方、DVDの基板厚は0.6(許容誤差±
0.05)mm、最短ピット長が0.40(許容誤差±
0.1)μm、トラックピッチが0.74(許容誤差±
0.01)μm、波長635nmのレーザビームに対す
る反射率が40%以上(単一の信号記録面の場合)若し
くは15〜40%(信号記録面が2つの場合)であり、
再生時のレーザビームのスポット径が0.9(許容誤差
±0.5)μm、対物レンズの開口数が0.6(許容誤差
±0.05)、再生レーザビーム波長が635(許容範
囲:620〜660)nmである。
First Embodiment A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 18 shows CDs and CDs to be compatible with the present invention.
-R and rating values of DVD and playback conditions are shown. The CD substrate thickness is 1.2 (allowable error ± 0.1) mm, the shortest pit length is 0.83 (allowable range: 0.80 to 0.90) μm, and the track pitch is 1.6 (allowable error ± 0). .1) μm, and the reflectivity is 60 to 70 for a laser beam having a wavelength of 780 nm.
% Or more. The spot diameter of the laser beam during reproduction is 1.5 (allowable error ± 0.1) μm, the numerical aperture of the objective lens is 0.45 (allowable error ± 0.05), and the reproducing laser beam wavelength is 780 (allowable error). Range: 760-800) nm. The substrate thickness of CD-R is 1.2 (tolerance ± 0.1) m
m, the shortest pit length is 0.83 (allowable range: 0.80 to 0.8)
90) μm, track pitch 1.6 (tolerance ± 0.5)
1) The reflectivity to a laser beam having a wavelength of 780 nm and a wavelength of 780 nm is 60 to 70% or more, the spot diameter of the laser beam during reproduction is 1.5 (tolerance ± 0.1) μm, and the numerical aperture of the objective lens is 0. .45 (allowable error ± 0.05), reproduction laser beam wavelength is 780 (allowable range: 760-800) n
m. On the other hand, the DVD substrate thickness is 0.6 (tolerance ±
0.05) mm, the shortest pit length is 0.40 (permissible error ±
0.1) μm, track pitch 0.74 (tolerance ±
0.01) μm and a reflectivity to a laser beam having a wavelength of 635 nm is 40% or more (in the case of a single signal recording surface) or 15 to 40% (in the case of two signal recording surfaces);
The spot diameter of the laser beam during reproduction is 0.9 (allowable error ± 0.5) μm, the numerical aperture of the objective lens is 0.6 (allowable error ± 0.05), and the read laser beam wavelength is 635 (allowable range: 620-660) nm.

【0016】CD、CD−RとDVDとの互換再生を行
う光ピックアップ10の構成を図1に示す。光学手段1
中の半導体レーザ1a、1bから発せられた波長635
(許容範囲:620〜660)nm若しくは波長780
(許容範囲:760〜800)nmのレーザビームは光
学手段1の表面に設けられたホログラム1dで選択的に
回折され、開口数変更手段4で選択的に遮光されて対物
レンズ5に入射する。該対物レンズ5で集光されたレー
ザビームは、透光性のポリカーボネートの基板7(また
は77)を通って光ディスクの信号記録面7a(または
77a)に照射される。該信号記録面7a(または77
a)で反射されたレーザビームは前記基板7(または7
7)、前記対物レンズ5、前記開口数変更手段4を介し
て戻り、前記ホログラム1dを介して前記光学手段1中
に設置された光検出器1cで検知される。前記対物レン
ズ5は基板厚0.6mmの光ディスク用に設計されてお
り、開口数は0.6(許容誤差±0.05)である。
FIG. 1 shows a configuration of an optical pickup 10 for performing compatible reproduction between a CD, a CD-R and a DVD. Optical means 1
Wavelength 635 emitted from semiconductor lasers 1a and 1b inside
(Allowable range: 620 to 660) nm or wavelength 780
The laser beam of (permissible range: 760 to 800) nm is selectively diffracted by the hologram 1 d provided on the surface of the optical unit 1, selectively shielded by the numerical aperture changing unit 4, and enters the objective lens 5. The laser beam condensed by the objective lens 5 is applied to the signal recording surface 7a (or 77a) of the optical disk through the translucent polycarbonate substrate 7 (or 77). The signal recording surface 7a (or 77)
The laser beam reflected in a) is applied to the substrate 7 (or 7).
7) Returning via the objective lens 5 and the numerical aperture changing means 4 and detected by the photodetector 1c installed in the optical means 1 via the hologram 1d. The objective lens 5 is designed for an optical disk having a substrate thickness of 0.6 mm, and has a numerical aperture of 0.6 (allowable error ± 0.05).

【0017】本発明においては、前記光学手段1は波長
780nmのレーザビームを発する半導体レーザ1a、
波長635nmのレーザビームを発する半導体レーザ1
b、光検出器1c及び波長635nmのレーザビームは
回折せず、波長780nmのレーザビームのみを回折す
るホログラム1dを配しており、CD、CD−Rが再生
される場合には前記半導体レーザ1aが選択駆動され、
DVDが再生される場合には前記半導体レーザ1bが選
択駆動される。即ち、光学手段1は、波長635nmの
レーザビームと波長780nmのレーザビームとを選択
駆動し、波長780nmのレーザビームのみを回折して
前記対物レンズ4に入射させるとともに、波長635n
mのレーザビーム、および波長780nmのレーザビー
ムの光ディスクの信号記録面での反射光を前記光検出器
1cに集光する機能を有するものである。
In the present invention, the optical means 1 comprises a semiconductor laser 1a for emitting a laser beam having a wavelength of 780 nm,
Semiconductor laser 1 that emits a laser beam with a wavelength of 635 nm
b, a photodetector 1c and a hologram 1d for diffracting only a laser beam having a wavelength of 780 nm without diffracting a laser beam having a wavelength of 635 nm are provided. When a CD or CD-R is reproduced, the semiconductor laser 1a is used. Is selectively driven,
When a DVD is reproduced, the semiconductor laser 1b is selectively driven. That is, the optical unit 1 selectively drives a laser beam having a wavelength of 635 nm and a laser beam having a wavelength of 780 nm, diffracts only the laser beam having a wavelength of 780 nm to be incident on the objective lens 4, and has a wavelength of 635n.
It has a function of condensing the reflected light of the laser beam of m and the laser beam of 780 nm wavelength on the signal recording surface of the optical disc on the photodetector 1c.

【0018】また、前記開口数変更手段4は外周部4a
と内周部4bとに分割されており、内周部4bは波長6
35nmのレーザビーム、および波長780nmのレー
ザビームをそのまま透過するが、外周部4aは波長78
0nmのレーザビームのみを遮光する機能を有するもの
である。内周部4bの直径は波長780nmのレーザビ
ームの前記対物レンズ5での実効的開口数が0.45
(許容誤差±0.05)となる直径である。また、前記
開口数変更手段4と前記対物レンズ5とはアクチュエー
タ6に固定されているため、開口数変更手段4はフォー
カス引き込み時、トラッキングサーボ時に前記対物レン
ズ5に連動して移動する。この結果、開口数変更手段4
と対物レンズ5との位置ずれはなく、波長780nmの
レーザビームの外周部を確実に遮光できる。
The numerical aperture changing means 4 includes an outer peripheral portion 4a.
And an inner peripheral portion 4b.
Although the laser beam of 35 nm and the laser beam of 780 nm are transmitted as they are, the outer peripheral portion 4a has a wavelength of 78 nm.
It has a function of blocking only a laser beam of 0 nm. The diameter of the inner peripheral portion 4b is such that the effective numerical aperture of the laser beam having a wavelength of 780 nm in the objective lens 5 is 0.45.
(Allowable error ± 0.05). Further, since the numerical aperture changing means 4 and the objective lens 5 are fixed to the actuator 6, the numerical aperture changing means 4 moves in conjunction with the objective lens 5 at the time of focus pull-in or tracking servo. As a result, the numerical aperture changing means 4
There is no displacement between the laser beam and the objective lens 5, and the outer peripheral portion of the laser beam having a wavelength of 780 nm can be reliably shielded.

【0019】また、前記光学手段1中には、前記半導体
レーザ1a、1bと前記光検出器1cとが設けられてい
るが、これらの位置関係について説明する。本発明で用
いるホログラムは半導体レーザから発せられたレーザビ
ームの波長の違いにより選択的にレーザビームを回折
し、前記対物レンズ5に入射させ、前記信号記録面7a
(または77a)からの反射光を、レーザビームを発し
た半導体レーザの方向とは異なる方向に集光させる機能
を有するものである。図2を参照して、レーザビームを
発する半導体レーザSLと反射光を検出する光検出器D
との位置関係の決定方法について説明する。半導体レー
ザSLと光検出器Dとは同一平面上に設置されており、
半導体レーザSLとホログラムHとの距離をL、ホログ
ラムHに設けられた微少な凹凸構造のピッチをp、反射
光がホログラムHにより変更された進行方向と法線方向
との成す角をθ、レーザビームの波長をλ、半導体レー
ザSLと光検出器Dとの距離をZとする。
The optical means 1 is provided with the semiconductor lasers 1a and 1b and the photodetector 1c. The positional relationship between them will be described. The hologram used in the present invention selectively diffracts the laser beam according to the difference in the wavelength of the laser beam emitted from the semiconductor laser, makes the laser beam incident on the objective lens 5, and makes the signal recording surface 7a
(Or 77a) is condensed in a direction different from the direction of the semiconductor laser that has emitted the laser beam. Referring to FIG. 2, a semiconductor laser SL that emits a laser beam and a photodetector D that detects reflected light
A method for determining the positional relationship between the two will be described. The semiconductor laser SL and the photodetector D are installed on the same plane,
The distance between the semiconductor laser SL and the hologram H is L, the pitch of the fine uneven structure provided on the hologram H is p, the angle between the traveling direction of the reflected light changed by the hologram H and the normal direction is θ, and the laser is The wavelength of the beam is λ, and the distance between the semiconductor laser SL and the photodetector D is Z.

【0020】この場合、 sinθ=λ/p・・・・・・・(1) Z=Ltanθ・・・・・・・・(2) が成立する。また、上記、式(1)、(2)より Z=Lλ/(p2―λ2)1/2・・・(3) が成立する。従って、レーザビームの波長が長い程、反
射光がホログラムHにより進行方向を変えられる角度θ
は大きくなる。その結果、半導体レーザSLと光検出器
Dとの距離Zは大きくなる。これは、波長の異なるレー
ザビームを発する半導体レーザを同一の位置に設置した
ならば、反射光を検出する位置が異なることを意味す
る。即ち、波長635nmのレーザビームの反射光が光
検出器Dで検出されるならば、波長780nmのレーザ
ビームの反射光は光検出器Dより半導体レーザSLとは
反対方向にずれた位置で検出できることになる。そこ
で、本発明においては、レーザビームの波長の相違に起
因して発生する反射光の検出位置のずれを半導体レーザ
の設置位置を相違させることにより吸収し、波長が異な
ってもレーザビームの反射光を同じ位置で検出できるよ
うに2つの半導体レーザと光検出器とを設置したことを
1つの特徴としている。また、半導体レーザSLと光検
出器Dとの距離Zは半導体レーザSLとホログラムHと
の距離Lによっても変化するので、図3を参照して、本
発明における前記ホログラム1d、前記半導体レーザ1
a、1b及び前記光検出器1cの詳細な位置関係につい
て説明する。波長635nmのレーザビームを発する半
導体レーザ1bと光検出器1cとの距離をZ1、波長78
0nmのレーザビームを発する半導体レーザ1aと光検
出器1cとの距離をZ2としてZ2〉Z1となるように半
導体レーザ1a、1b、光検出器1cを設置する。ホロ
グラム1dの凹凸構造のピッチpと、半導体レーザ1
a,1b、光検出器1cとホログラム1dとの距離、即
ち、レーザビームの発光点とホログラムとの距離Lとを
パラメータとしてZ1、Z2、Z2―Z1を計算した結果を
図4に示す。ホログラムのピッチpが1.5〜35μm
の範囲、レーザビームの 発光点とホログラム間の距離
Lが3〜25mmの範囲でZ2―Z1が0.1〜0.5 m
mの範囲となる。また、前記半導体レーザ1bと前記光
検出器1cとの距離は0.5〜2.2mmの範囲となる。
従って、本発明においては、半導体レーザ1aと半導体
レーザ1bとの距離を0.1〜0.5mmの範囲に設定し
て設置し、波長635nmのレーザビームと波長780
nmのレーザビームの光ディスクの信号記録面からの反
射光を前記光検出器1cの同一位置で検出する。この場
合、半導体レーザ1bを中心にして半導体レーザ1aが
光ディスクの外周方向に位置するように、光検出器1c
が光ディスクの内周方向に位置するように配置されてい
る。
In this case, sin θ = λ / p (1) Z = Ltan θ (2) holds. From the above equations (1) and (2), Z = Lλ / (p 2 −λ 2 ) 1/2 (3) holds. Therefore, as the wavelength of the laser beam becomes longer, the angle θ at which the reflected light can change its traveling direction by the hologram H
Becomes larger. As a result, the distance Z between the semiconductor laser SL and the photodetector D increases. This means that if semiconductor lasers emitting laser beams having different wavelengths are installed at the same position, the positions where the reflected light is detected will be different. That is, if the reflected light of the laser beam having the wavelength of 635 nm is detected by the photodetector D, the reflected light of the laser beam having the wavelength of 780 nm can be detected at a position shifted from the photodetector D in the opposite direction to the semiconductor laser SL. become. Therefore, in the present invention, the deviation of the detection position of the reflected light generated due to the difference in the wavelength of the laser beam is absorbed by making the installation position of the semiconductor laser different, and even if the wavelength is different, the reflected light of the laser beam is absorbed. Is characterized in that two semiconductor lasers and a photodetector are installed so that can be detected at the same position. Further, since the distance Z between the semiconductor laser SL and the photodetector D changes depending on the distance L between the semiconductor laser SL and the hologram H, the hologram 1d and the semiconductor laser 1 according to the present invention are referred to FIG.
The detailed positional relationship between a, 1b and the photodetector 1c will be described. The distance between the semiconductor laser 1b that emits a laser beam having a wavelength of 635 nm and the photodetector 1c is Z 1 , and the wavelength is 78.
Z 2> Z 1 and comprising as a semiconductor laser 1a the distance between the semiconductor laser 1a and the light detector 1c for emitting a laser beam of 0nm as Z 2, 1b, installing a light detector 1c. The pitch p of the uneven structure of the hologram 1d and the semiconductor laser 1
a, 1b, the distance between the photodetector 1c and the hologram 1d, that is, the result of calculating Z 1 , Z 2 , Z 2 -Z 1 using the distance L between the light emitting point of the laser beam and the hologram as a parameter.
As shown in FIG. The hologram pitch p is 1.5 to 35 μm
, And Z 2 -Z 1 is 0.1-0.5 m when the distance L between the laser beam emission point and the hologram is 3-25 mm.
m. The distance between the semiconductor laser 1b and the photodetector 1c is in the range of 0.5 to 2.2 mm.
Therefore, in the present invention, the distance between the semiconductor laser 1a and the semiconductor laser 1b is set within the range of 0.1 to 0.5 mm, and the laser beam having the wavelength of 635 nm and the wavelength of 780 nm are set.
The reflected light of the nm laser beam from the signal recording surface of the optical disk is detected at the same position of the photodetector 1c. In this case, the photodetector 1c is positioned so that the semiconductor laser 1a is positioned in the outer peripheral direction of the optical disk with the semiconductor laser 1b as a center.
Are located in the inner circumferential direction of the optical disk.

【0021】また、半導体レーザ1aと半導体レーザ1
bとは0.1〜0.5mmの範囲で設置位置が異なるが、
この範囲のずれは光ディスクに照射されるレーザビーム
の光軸のずれによる再生特性の劣化として現れることは
ない。また、更に、前記半導体レーザ1aと前記半導体
レーザ1bとの設置位置の方向は光ディスクの径方向に
限らず、周方向であってもよい。
The semiconductor laser 1a and the semiconductor laser 1
Although the installation position is different from b in the range of 0.1 to 0.5 mm,
The shift in this range does not appear as deterioration of the reproduction characteristics due to the shift of the optical axis of the laser beam applied to the optical disk. Further, the direction of the installation position of the semiconductor laser 1a and the semiconductor laser 1b is not limited to the radial direction of the optical disk, but may be the circumferential direction.

【0022】図5を参照して、前記半導体レーザ1a、
1bと前記光検出器1cのマウントについて説明する。
図5は前記開口数変更手段4側から見た図を示してい
る。光学手段1には3つの切り込みk1,k2,k3が
あり半導体レーザ1a、1bのそれぞれの発光点A、B
が切り込みk2−k3を結ぶ線上に横方向に並ぶように
マウントされている。2つの半導体レーザ1a、1bが
マウントされた光学手段1は切り込みk2−k3方向が
光ディスクの径方向、即ち、トラッキング方向と一致す
るように設置されている。また、半導体レーザ1a、1
bは独立に作成し、素子を1つの基板上にマウントして
も良く、1つの基板上で結晶成長を行い、2つの素子を
作成しても良い。
Referring to FIG. 5, the semiconductor laser 1a,
The mounting of the photodetector 1b and the photodetector 1c will be described.
FIG. 5 shows a view from the numerical aperture changing means 4 side. The optical means 1 has three cuts k1, k2, and k3, and the light emitting points A and B of the semiconductor lasers 1a and 1b, respectively.
Are mounted so as to be arranged in a horizontal direction on a line connecting the cuts k2 to k3. The optical means 1 on which the two semiconductor lasers 1a and 1b are mounted is installed so that the direction of the cuts k2-k3 coincides with the radial direction of the optical disk, that is, the tracking direction. Further, the semiconductor lasers 1a, 1
b may be created independently, and the element may be mounted on one substrate, or two elements may be created by growing crystals on one substrate.

【0023】図6を参照して、前記開口数変更手段4の
具体例について説明する。図6に示す開口数変更手段4
4は外周部44aは波長635nmのレーザビームを、
そのまま、全面的に透過し、波長780nmのレーザビ
ームのみを光軸の外側に回折し、前記対物レンズ5に入
射させない機能を有し、内周部44bは波長635nm
のレーザビーム、および波長780nmのレーザビーム
をそのまま透過させる。図6(a)を参照して、波長6
35nmのレーザビーム50は開口数変更手段44によ
り何ら影響を受けず、そのまま透過する。一方、図6
(b)を参照して、波長780nmのレーザビーム51
は開口数変更手段44においては、内周部44bに入射
するレーザビームはそのまま透過するが、外周部44a
に入射するレーザビームは光軸の外側に大きく回折を受
ける。その結果、実質的に内周部のみが透過したレーザ
ビーム52となる。
A specific example of the numerical aperture changing means 4 will be described with reference to FIG. Numerical aperture changing means 4 shown in FIG.
4 is a laser beam having a wavelength of 635 nm in the outer peripheral portion 44a,
It has the function of diffusing only the laser beam having a wavelength of 780 nm to the outside of the optical axis without being incident on the objective lens 5 and transmitting the laser beam having a wavelength of 635 nm.
And the laser beam having a wavelength of 780 nm are transmitted as they are. With reference to FIG.
The 35 nm laser beam 50 is not affected at all by the numerical aperture changing means 44 and is transmitted as it is. On the other hand, FIG.
Referring to (b), a laser beam 51 having a wavelength of 780 nm
In the numerical aperture changing means 44, the laser beam incident on the inner peripheral portion 44b is transmitted as it is, but the outer peripheral portion 44a
Is greatly diffracted outside the optical axis. As a result, the laser beam 52 is transmitted substantially only at the inner periphery.

【0024】また、図7を参照して、前記開口数変更手
段4の他の具体例について説明する。図7に示す開口数
変更手段45は外周部45aに紙面に垂直な方向に偏光
するレーザビームのみを透過する偏光フィルムを設け、
内周部45bには何も設けないものである。その結果、
紙面に垂直な方向に偏光する波長635nmのレーザビ
ームは全面的に開口数変更手段45を透過するが、紙面
に平行な方向に偏光する波長780nmのレーザビーム
は外周部のみが開口数変更手段45により遮光され、内
周部のみが透過する。
Another specific example of the numerical aperture changing means 4 will be described with reference to FIG. The numerical aperture changing means 45 shown in FIG. 7 is provided with a polarizing film that transmits only a laser beam polarized in a direction perpendicular to the paper surface on the outer peripheral portion 45a,
Nothing is provided on the inner peripheral portion 45b. as a result,
A laser beam having a wavelength of 635 nm, which is polarized in a direction perpendicular to the plane of the paper, entirely passes through the numerical aperture changing unit 45, whereas a laser beam having a wavelength of 780 nm, which is polarized in a direction parallel to the plane of the paper, has only the outer peripheral part having the numerical aperture changing unit 45. , And only the inner peripheral portion is transmitted.

【0025】また、図8を参照して、前記開口数変更手
段4の更に他の具体例を説明する。図8に示す開口数変
更手段46は外周部46aに波長780nmのレーザビ
ームのみを吸収する偏光ガラスを設け、内周部46bは
偏光ガラスを設けない通常のガラスである。その結果、
波長635nmのレーザビームは全面的に開口数変更手
段46を透過するが、波長780nmのレーザビームは
外周部のみが開口数変更手段46により遮光され、内周
部のみが透過する。
Still another example of the numerical aperture changing means 4 will be described with reference to FIG. The numerical aperture changing means 46 shown in FIG. 8 is provided with a polarizing glass which absorbs only a laser beam having a wavelength of 780 nm on an outer peripheral portion 46a, and an inner peripheral portion 46b is a normal glass provided with no polarizing glass. as a result,
The laser beam having a wavelength of 635 nm is entirely transmitted through the numerical aperture changing unit 46, but the laser beam having a wavelength of 780 nm is shielded only by the outer peripheral part by the numerical aperture changing unit 46 and is transmitted only by the inner peripheral part.

【0026】図9を参照して、基板厚0.6mmの光デ
ィスクであるDVDの再生動作について説明する。DV
Dが再生される場合には、後述する光再生装置中のレー
ザ駆動回路18により光学手段1中の波長635nmの
レーザビームを発する半導体レーザ1aが選択駆動され
る。その結果、波長635nmのレーザビームは前記ホ
ログラム1d、前記開口数変更手段4をそのまま透過
し、対物レンズ5で集光されて光ディスクの基板7を通
って信号記録面7aに照射される。信号記録面7aに照
射されるレーザビームのスポット径は0.9(許容誤差
±0.1)μmである。その後の動作については図1の
説明と同じであるので省略する。
Referring to FIG. 9, the operation of reproducing a DVD which is an optical disk having a substrate thickness of 0.6 mm will be described. DV
When D is reproduced, a semiconductor laser 1a that emits a laser beam having a wavelength of 635 nm in the optical unit 1 is selectively driven by a laser driving circuit 18 in an optical reproducing apparatus described later. As a result, the laser beam having a wavelength of 635 nm passes through the hologram 1d and the numerical aperture changing means 4 as it is, is condensed by the objective lens 5, and irradiates the signal recording surface 7a through the substrate 7 of the optical disk. The spot diameter of the laser beam applied to the signal recording surface 7a is 0.9 (allowable error ± 0.1) μm. Subsequent operations are the same as those described with reference to FIG.

【0027】図10を参照して、基板厚1.2mmの光
ディスクであるCD、CD−Rの再生動作について説明
する。CD、CD−Rが再生される場合には、前記レー
ザ駆動回路18により光学手段1中の波長780nmの
レーザビームを発する半導体レーザ1bが選択駆動され
る。その結果、波長780nmのレーザビームは前記ホ
ログラム1dで回折を受け、前記開口数変更手段4で外
周部のみが遮光され、内周部が前記対物レンズ5に入射
する。対物レンズ5に入射したレーザビームは集光され
て光ディスクの基板77を通って信号記録面77aに照
射される。信号記録面77aに照射されるレーザビーム
のスポット径は1.5(許容誤差±0.1)μmである。
その後の動作については図1の説明と同じであるので省
略する。
Referring to FIG. 10, the operation of reproducing a CD or CD-R as an optical disk having a substrate thickness of 1.2 mm will be described. When a CD or CD-R is reproduced, the laser driving circuit 18 selectively drives the semiconductor laser 1b in the optical means 1 which emits a laser beam having a wavelength of 780 nm. As a result, the laser beam having a wavelength of 780 nm is diffracted by the hologram 1d, only the outer peripheral portion is shielded by the numerical aperture changing means 4, and the inner peripheral portion is incident on the objective lens 5. The laser beam that has entered the objective lens 5 is condensed and passes through the substrate 77 of the optical disk and irradiates the signal recording surface 77a. The spot diameter of the laser beam applied to the signal recording surface 77a is 1.5 (allowable error ± 0.1) μm.
Subsequent operations are the same as those described with reference to FIG.

【0028】尚、この場合、前記開口数変更手段4によ
り外周部を遮光されたレーザビームの内周部は、前記ホ
ログラム1dによる回折の効果により遮光後も外側に回
折されて前記対物レンズ5に入射し、対物レンズ5によ
り集光される結果、基板厚1.2mmの光ディスクでの
収差の発生は抑えられる。また、本発明における光ピッ
クアップは図1に示すものに限らず図11に示すもので
あってもよい。即ち、図1に示す構成では半導体レーザ
1a、1b、光検出器1c及びホログラム1dは1つの
光学手段1中に配置されていたが、これに限らず、図1
1に示すようにホログラム2が光学手段1と分離した構
成の光ピックアップ20であってもよい。この場合、光
学手段1中の半導体レーザ1a、1bとホログラム2と
の距離、半導体レーザ1aと半導体レーザ1bとの距
離、半導体レーザ1bと光検出器1cとの距離、ホログ
ラム2のピッチは図4に示したものと同じである。ま
た、光学手段1とホログラム2以外の構成要素は図1と
同じであるので、その機能の説明についても省略する。
In this case, the inner peripheral portion of the laser beam, whose outer peripheral portion is shielded by the numerical aperture changing means 4, is diffracted outward even after the light is shielded by the effect of the diffraction by the hologram 1d, so that the objective lens 5 receives the laser beam. As a result of being incident and condensed by the objective lens 5, the occurrence of aberration in an optical disk having a substrate thickness of 1.2 mm is suppressed. Further, the optical pickup according to the present invention is not limited to the one shown in FIG. 1, but may be one shown in FIG. That is, in the configuration shown in FIG. 1, the semiconductor lasers 1a and 1b, the photodetector 1c, and the hologram 1d are arranged in one optical unit 1, but the present invention is not limited to this.
As shown in FIG. 1, the optical pickup 20 may have a configuration in which the hologram 2 is separated from the optical unit 1. In this case, the distance between the semiconductor lasers 1a and 1b and the hologram 2 in the optical means 1, the distance between the semiconductor laser 1a and the semiconductor laser 1b, the distance between the semiconductor laser 1b and the photodetector 1c, and the pitch of the hologram 2 are shown in FIG. Is the same as that shown in FIG. The components other than the optical unit 1 and the hologram 2 are the same as those in FIG.

【0029】また、本発明における光ピックアップは、
更に、図12に示す構成のものであってもよい。図12
に示す光ピックアップ40は図1に示す光ピックアップ
10の前記光学手段1と前記開口数変更手段4との間に
コリメータレンズ3を挿入した構成である。光学手段1
中の半導体レーザ1a、1bとホログラム1dとの距
離、半導体レーザ1aと半導体レーザ1bとの距離、半
導体レーザ1bと光検出器1cとの距離、ホログラム1
dのピッチは図4に示したものと同じである。それ以外
は光ピックアップ10と同じであるので、その他の説明
については省略する。
The optical pickup according to the present invention comprises:
Further, it may have the configuration shown in FIG. FIG.
An optical pickup 40 shown in FIG. 1 has a configuration in which a collimator lens 3 is inserted between the optical unit 1 and the numerical aperture changing unit 4 of the optical pickup 10 shown in FIG. Optical means 1
The distance between the semiconductor lasers 1a and 1b and the hologram 1d, the distance between the semiconductor laser 1a and the semiconductor laser 1b, the distance between the semiconductor laser 1b and the photodetector 1c, the hologram 1
The pitch of d is the same as that shown in FIG. The other parts are the same as those of the optical pickup 10, and the other description will be omitted.

【0030】また、本発明における光ピックアップは、
更に、図13から16に示す構成のものであってもよ
い。図13から16に示す光ピックアップは、図1の光
ピックアップ10においてホログラム2が光学手段1と
分離し、コリメータレンズ3が追加になった構成であ
る。この場合においても光学手段1中の半導体レーザ1
a、1bとホログラム2との距離、半導体レーザ1aと
半導体レーザ1bとの距離、半導体レーザ1bと光検出
器1cとの距離、ホログラム2のピッチは図4に示した
ものと同じである。また、ホログラム2は、図13に示
すようにコリメタレンズ3の手前にあってもよく、図1
4に示すようにコリメータレンズ3の直後にあってもよ
い。また、更に、ホログラム2はコリメータレンズ3と
一体になっていてもよく、この場合も図15、16に示
すようにコリメータレンズ3の手前側、後側の表面にホ
ログラム2が設けられていてもよい。図17を参照し
て、基板厚が0.6mmのDVDと基板厚が1.2mmの
CD、CD−Rを互換再生する再生装置について説明す
る。光ピックアップ10中の対物レンズ5はサーボ機構
13により再生しようとしている信号がピット列として
形成されているトラックにレーザビームを集光するよう
に制御されており、レーザビームは前記対物レンズ5に
より集光され、光ディスクの基板7(又は77)を通っ
て信号記録面7a(又は77a)に照射される。該信号
記録面7a(又は77a)で反射されたレーザビームは
光検出器1cで検知され、再生信号として検出される。
前記光検出器1cで検出された再生信号はプリアンプ1
1へ送られ、所定の増幅が行われた後、判別回路14と
RF復調回路16及びサーボ回路12に送られる。サー
ボ回路12は送られてきたトラッキングエラー信号に基
づき前記サーボ機構13を制御する。また、判別回路1
4は、送られてきた信号に基づいて再生装置に装着され
た光ディスクの種類を識別し、識別結果を指令回路15
に送る。該指令回路15は、識別した光ディスクに適合
するように前記光学手段1中の半導体レーザを切り替え
るために、送られてきた識別結果に基づいて制御回路1
9に指令を出す。また、前記指令回路15は、識別した
光ディスクの再生に適合する復調回路に切り替えるため
に、送られてきた識別結果に基づいて特性切替回路17
にも指令を出す。前記制御回路19は、前記指令回路1
5からの指令に基づいてレーザ駆動回路18を介して半
導体レーザを切り換え、前記特性切替回路17は、前記
指令回路15からの指令に基づいて、RF復調回路16
を切り替える。これにより、再生装置に装着された光デ
ィスクに適した再生が行われる。 第2の実施の形態 上記第1の実施の形態においては、波長635nmのレ
ーザビームと波長780nmのレーザビームを選択的に
生成する光学手段1を用いて基板厚0.6mmの光ディ
スクであるDVDと基板厚1.2mmの光ディスクであ
るCD、CD−Rとを互換再生できる光ピックアップ装
置について説明したが、本第2の実施の形態は、波長4
80(許容範囲:350〜550)nmのレーザビーム
と波長635(許容範囲:620〜660)nmのレー
ザビームとを選択的に生成する光学手段を用いてDVD
と高密度DVDとを互換再生する光ピックアップ装置に
ついて示すものである。
The optical pickup according to the present invention comprises:
Further, the configuration shown in FIGS. 13 to 16 may be employed. The optical pickup shown in FIGS. 13 to 16 has a configuration in which the hologram 2 is separated from the optical unit 1 in the optical pickup 10 of FIG. 1 and a collimator lens 3 is added. Also in this case, the semiconductor laser 1 in the optical means 1
The distance between a, 1b and hologram 2, the distance between semiconductor laser 1a and semiconductor laser 1b, the distance between semiconductor laser 1b and photodetector 1c, and the pitch of hologram 2 are the same as those shown in FIG. The hologram 2 may be located in front of the collimator lens 3 as shown in FIG.
4, it may be located immediately after the collimator lens 3. Further, the hologram 2 may be integrated with the collimator lens 3, and in this case, the hologram 2 may be provided on the front and rear surfaces of the collimator lens 3 as shown in FIGS. Good. With reference to FIG. 17, a reproducing apparatus for compatible reproduction of a DVD having a substrate thickness of 0.6 mm and a CD or CD-R having a substrate thickness of 1.2 mm will be described. The objective lens 5 in the optical pickup 10 is controlled by the servo mechanism 13 so that a signal to be reproduced is focused on a track formed as a pit row, and the laser beam is collected by the objective lens 5. The light is emitted and irradiates the signal recording surface 7a (or 77a) through the substrate 7 (or 77) of the optical disk. The laser beam reflected by the signal recording surface 7a (or 77a) is detected by the photodetector 1c and detected as a reproduction signal.
The reproduced signal detected by the photodetector 1c is a preamplifier 1
The signal is sent to a discrimination circuit 14, an RF demodulation circuit 16 and a servo circuit 12 after a predetermined amplification. The servo circuit 12 controls the servo mechanism 13 based on the sent tracking error signal. Also, the discriminating circuit 1
Reference numeral 4 denotes a command circuit 15 for identifying the type of the optical disc mounted on the reproducing apparatus based on the transmitted signal and for discriminating the identification result.
Send to The command circuit 15 switches the semiconductor laser in the optical means 1 so as to be compatible with the identified optical disk.
9 is commanded. Further, the command circuit 15 switches the characteristic switching circuit 17 based on the received identification result in order to switch to a demodulation circuit suitable for reproducing the identified optical disk.
Also issue a command. The control circuit 19 includes the command circuit 1
The characteristic switching circuit 17 switches the semiconductor laser via a laser driving circuit 18 based on a command from the RF demodulation circuit 16 based on a command from the command circuit 15.
Switch. Thereby, reproduction suitable for the optical disk mounted on the reproduction device is performed. Second Embodiment In the first embodiment, a DVD, which is an optical disk having a substrate thickness of 0.6 mm, is formed by using an optical unit 1 for selectively generating a laser beam having a wavelength of 635 nm and a laser beam having a wavelength of 780 nm. Although the optical pickup device capable of reproducing compatible with CDs and CD-Rs, which are optical disks having a substrate thickness of 1.2 mm, has been described, the second embodiment has a wavelength of 4 mm.
DVD using optical means for selectively generating a laser beam of 80 (allowable range: 350 to 550) nm and a laser beam of wavelength 635 (allowable range: 620 to 660) nm
1 shows an optical pickup device that performs compatible reproduction between a DVD and a high-density DVD.

【0031】図19を参照して、本発明が対象とするD
VDと高密度DVDの定格値と再生条件を説明する。D
VDの基板厚は0.6(許容誤差±0.05)mm、最短
ピット長が0.40(許容誤差±0.1)μm、トラック
ピッチが0.74(許容誤差±0.01)μm、波長63
5nmのレーザビームに対する反射率が40%以上(単
一の信号記録面の場合)若しくは15〜40%(信号記
録面が2つの場合)であり、再生時のレーザビームのス
ポット径が0.9(許容誤差±0.5)μm、対物レンズ
の開口数が0.6(許容誤差±0.05)、再生レーザビ
ーム波長が635(許容誤差±15)nmである。一
方、高密度DVDの基板厚は0.3(許容誤差±0.0
5)mm、最短ピット長が0.30(許容誤差±0.1)
μm、トラックピッチが0.56(許容誤差±0.01)
μm、波長480nmのレーザビームに対する反射率が
40%以上(単一の信号記録面の場合)若しくは15〜
40%(信号記録面が2つの場合)であり、再生時のレ
ーザビームのスポット径が0.7(許容誤差±0.5)μ
m、対物レンズの開口数が0.65(許容誤差±0.0
5)、再生レーザビーム波長が480(許容範囲:35
0〜550)nmである。
Referring to FIG. 19, D which is the object of the present invention
The rated values and the reproduction conditions of the VD and the high-density DVD will be described. D
The substrate thickness of VD is 0.6 (tolerance ± 0.05) mm, the shortest pit length is 0.40 (tolerance ± 0.1) μm, and the track pitch is 0.74 (tolerance ± 0.01) μm. , Wavelength 63
The reflectivity for a laser beam of 5 nm is 40% or more (in the case of a single signal recording surface) or 15 to 40% (in the case of two signal recording surfaces), and the spot diameter of the laser beam during reproduction is 0.9. (Allowable error ± 0.5) μm, the numerical aperture of the objective lens is 0.6 (allowable error ± 0.05), and the reproduction laser beam wavelength is 635 (allowable error ± 15) nm. On the other hand, the substrate thickness of the high-density DVD is 0.3 (tolerance ± 0.0
5) mm, shortest pit length 0.30 (tolerance ± 0.1)
μm, track pitch 0.56 (tolerance ± 0.01)
μm, the reflectance to a laser beam having a wavelength of 480 nm is 40% or more (in the case of a single signal recording surface) or 15 to
40% (when there are two signal recording surfaces), and the spot diameter of the laser beam during reproduction is 0.7 (allowable error ± 0.5) μ.
m, the numerical aperture of the objective lens is 0.65 (tolerance ± 0.0
5) The reproduction laser beam wavelength is 480 (permissible range: 35)
0-550) nm.

【0032】DVDと高密度DVDとの互換再生を行う
光ピックアップ201の構成を図20に示す。光学手段
202中の半導体レーザ1e、1bから発せられた波長
480(許容範囲:350〜550)nm若しくは波長
635(許容誤差±15)nmのレーザビームは光学手
段202の表面に設けられたホログラム1gで選択的に
回折され、開口数変更手段203で選択的に遮光されて
対物レンズ204に入射する。該対物レンズ204で集
光されたレーザビームは、透光性のポリカーボネートの
基板205(または206)を通って光ディスクの信号
記録面205a(または206a)に照射される。該信
号記録面205a(または206a)で反射されたレー
ザビームは前記基板205(または206)、前記対物
レンズ204、前記開口数変更手段203を介して戻
り、前記ホログラム1gを介して前記光学手段202中
に設置された光検出器1cで検知される。前記対物レン
ズ204は基板厚0.3mmの光ディスク用に設計され
ており、開口数は0.65(許容誤差±0.05)であ
る。
FIG. 20 shows the configuration of an optical pickup 201 for performing compatible reproduction between a DVD and a high-density DVD. A laser beam having a wavelength of 480 (allowable range: 350 to 550) nm or a wavelength of 635 (allowable error ± 15) nm emitted from the semiconductor lasers 1e and 1b in the optical means 202 is a hologram 1g provided on the surface of the optical means 202. Are selectively diffracted, and are selectively shielded from light by the numerical aperture changing means 203 and enter the objective lens 204. The laser beam condensed by the objective lens 204 is applied to the signal recording surface 205a (or 206a) of the optical disk through the translucent polycarbonate substrate 205 (or 206). The laser beam reflected by the signal recording surface 205a (or 206a) returns via the substrate 205 (or 206), the objective lens 204, and the numerical aperture changing unit 203, and passes through the hologram 1g to the optical unit 202. It is detected by the photodetector 1c installed inside. The objective lens 204 is designed for an optical disk having a substrate thickness of 0.3 mm, and has a numerical aperture of 0.65 (allowable error ± 0.05).

【0033】本発明においては、前記光学手段202は
波長635nmのレーザビームを発する半導体レーザ1
b、波長480nmのレーザビームを発する半導体レー
ザ1e、光検出器1c及び波長480nmのレーザビー
ムは回折せず、波長635nmのレーザビームのみを回
折するホログラム1gを配しており、DVDが再生され
る場合には前記半導体レーザ1bが選択駆動され、高密
度DVDが再生される場合には前記半導体レーザ1eが
選択駆動される。即ち、光学手段202は波長480n
mのレーザビームと波長635nmのレーザビームとを
選択駆動し、波長635nmのレーザビームのみを回折
して前記対物レンズ204に入射させるとともに、波長
480nmのレーザビーム、および波長635nmのレ
ーザビームの光ディスクの信号記録面での反射光を前記
光検出器1cに集光する機能を有するものである。
In the present invention, the optical means 202 is a semiconductor laser 1 that emits a laser beam having a wavelength of 635 nm.
b, a semiconductor laser 1e that emits a laser beam with a wavelength of 480 nm, a photodetector 1c, and a hologram 1g that diffracts only the laser beam with a wavelength of 635 nm without diffracting the laser beam with a wavelength of 480 nm are arranged, and a DVD is reproduced. In this case, the semiconductor laser 1b is selectively driven, and when a high-density DVD is reproduced, the semiconductor laser 1e is selectively driven. That is, the optical means 202 has a wavelength of 480n.
The laser beam having a wavelength of 635 nm and the laser beam having a wavelength of 635 nm are selectively driven, and only the laser beam having a wavelength of 635 nm is diffracted and incident on the objective lens 204. It has a function of condensing the light reflected on the signal recording surface to the photodetector 1c.

【0034】また、前記開口数変更手段203は外周部
203aと内周部203bとに分割されており、内周部
203bは波長480nmのレーザビーム、および波長
635nmのレーザビームをそのまま透過するが、外周
部203aは波長635nmのレーザビームのみを遮光
する機能を有するものである。内周部203bの直径は
波長635nmのレーザビームの前記対物レンズ204
での実効的開口数が0.60(許容誤差±0.05)とな
る直径である。また、前記開口数変更手段203と前記
対物レンズ204とはアクチュエータ6に固定されてい
るため、開口数変更手段203はフォーカス引き込み
時、トラッキングサーボ時に前記対物レンズ204に連
動して移動する。この結果、開口数変更手段203と対
物レンズ204との位置ずれはなく、波長635nmの
レーザビームの外周部を確実に遮光できる。
The numerical aperture changing means 203 is divided into an outer peripheral portion 203a and an inner peripheral portion 203b. The inner peripheral portion 203b transmits a laser beam having a wavelength of 480 nm and a laser beam having a wavelength of 635 nm as it is. The outer peripheral portion 203a has a function of blocking only a laser beam having a wavelength of 635 nm. The diameter of the inner peripheral portion 203b is a diameter of the objective lens 204 of a laser beam having a wavelength of 635 nm.
Is the diameter at which the effective numerical aperture at is 0.60 (allowable error ± 0.05). Further, since the numerical aperture changing means 203 and the objective lens 204 are fixed to the actuator 6, the numerical aperture changing means 203 moves in conjunction with the objective lens 204 at the time of focusing and tracking servo. As a result, there is no displacement between the numerical aperture changing means 203 and the objective lens 204, and the outer periphery of the laser beam having a wavelength of 635 nm can be reliably shielded.

【0035】また、前記光学手段202中には、前記半
導体レーザ1b、1eと前記光検出器1cとが設けられ
ているが、これらの位置関係の決定方法は、上記第1の
実施の形態中の図2、3において説明した方法と同じ方
法である。波長480nmのレーザビームを発する半導
体レーザ1eと光検出器1cとの距離をZ1、波長635
nmのレーザビームを発する半導体レーザ1bと光検出
器1cとの距離をZ2としてZ2〉Z1となるように半導
体レーザ1e、1b、光検出器1cを設置する。ホログ
ラム1gの凹凸構造のピッチpと、半導体レーザ1e,
1b、光検出器1cとホログラム1gとの距離、即ち、
レーザビームの発光点とホログラムとの距離Lとをパラ
メータとしてZ1、Z2、Z2―Z1を計算した結果を図21
に示す。 ホログラムのピッチpが3〜12μmの範
囲、レーザビームの発光点とホログラム間の距離Lが3
〜15mmの範囲でZ2―Z1が0.1〜0.5mmの範囲
となる 。また、前記半導体レーザ1eと前記光検出器
1cとの距離は0.289〜1.45mmの範囲となる。
従って、本発明においては、半導体レーザ1eと半導体
レーザ1bとの距離を0.1〜0.5mmの範囲に設定し
て設置し、波長480nmのレーザビームと波長635
nmのレーザビームの光ディスクの信号記録面からの反
射光を前記光検出器1cの同一位置で検出する。この場
合、半導体レーザ1eを中心にして半導体レーザ1bが
光ディスクの外周方向に位置するように、光検出器1c
が光ディスクの内周方向に位置するように配置されてい
る。
In the optical means 202, the semiconductor lasers 1b and 1e and the photodetector 1c are provided. The method for determining the positional relationship between them is as described in the first embodiment. This method is the same as the method described with reference to FIGS. The distance between the semiconductor laser 1e that emits a laser beam having a wavelength of 480 nm and the photodetector 1c is Z 1 , and the wavelength is 635.
nm of Z 2 the distance between the semiconductor laser 1b and the photodetector 1c as Z 2 for emitting a laser beam> Z 1 and comprising as a semiconductor laser 1e, 1b, installing a light detector 1c. The pitch p of the uneven structure of the hologram 1g and the semiconductor laser 1e,
1b, the distance between the photodetector 1c and the hologram 1g, ie,
FIG. 21 shows the result of calculating Z 1 , Z 2 , and Z 2 -Z 1 using the distance L between the light emitting point of the laser beam and the hologram as a parameter.
Shown in The hologram pitch p is in the range of 3 to 12 μm, and the distance L between the laser beam emission point and the hologram is 3
Z 2 -Z 1 is in the range of 0.1 to 0.5 mm in the range of 15 mm. The distance between the semiconductor laser 1e and the photodetector 1c is in the range of 0.289 to 1.45 mm.
Therefore, in the present invention, the distance between the semiconductor laser 1e and the semiconductor laser 1b is set within the range of 0.1 to 0.5 mm, and the laser beam having the wavelength of 480 nm and the wavelength of 635 nm are set.
The reflected light of the nm laser beam from the signal recording surface of the optical disk is detected at the same position of the photodetector 1c. In this case, the photodetector 1c is set so that the semiconductor laser 1b is positioned in the outer peripheral direction of the optical disk with the semiconductor laser 1e as the center.
Are located in the inner circumferential direction of the optical disk.

【0036】また、半導体レーザ1bと半導体レーザ1
eとは0.1〜0.5mmの範囲で設置位置が異なるが、
この範囲のずれは光ディスクに照射されるレーザビーム
の光軸のずれによる再生特性の劣化として現れることは
ない。また、更に、前記半導体レーザ1bと前記半導体
レーザ1eとの設置位置の方向は光ディスクの径方向に
限らず、周方向であってもよい。
The semiconductor laser 1b and the semiconductor laser 1
Although the installation position is different from e in the range of 0.1 to 0.5 mm,
The shift in this range does not appear as deterioration of the reproduction characteristics due to the shift of the optical axis of the laser beam applied to the optical disk. Further, the direction of the installation position of the semiconductor laser 1b and the semiconductor laser 1e is not limited to the radial direction of the optical disk, but may be the circumferential direction.

【0037】また、更に、前記半導体レーザ1b、1e
と前記光検出器1cのマウントについては上記第1の実
施の形態中の図5に示すマウントと同じである。また、
更に、前記開口数変更手段203の具体例としては、上
記第1の実施の形態中の図6、7、8に示す具体例が本
第2の実施の形態の前記開口数変更手段203にも使用
できる。
Further, the semiconductor lasers 1b, 1e
The mount of the photodetector 1c is the same as the mount shown in FIG. 5 in the first embodiment. Also,
Further, as a specific example of the numerical aperture changing means 203, the specific examples shown in FIGS. 6, 7, and 8 in the first embodiment are also applied to the numerical aperture changing means 203 of the second embodiment. Can be used.

【0038】基板厚0.6mmのDVDと基板厚0.3m
mの高密度DVDとの再生動作は上記第1の実施の形態
中の図9、10で説明した動作と同様である。また、本
第2の実施の形態における光ピックアップ装置は、前記
光ピックアップ201の構成に限らず、図22に示すも
のであってもよい。即ち、図20に示す構成では半導体
レーザ1b、1e、光検出器1c及びホログラム1gは
1つの光学手段202中に配置されていたが、これに限
らず、図22に示すようにホログラム207が光学手段
202と分離した構成の光ピックアップ221であって
もよい。この場合、光学手段202中の半導体レーザ1
b、1eとホログラム207との距離、半導体レーザ1
bと半導体レーザ1eとの距離、半導体レーザ1eと光
検出器1cとの距離、ホログラム207のピッチは図2
1に示したものと同じである。また、光学手段202と
ホログラム207以外の構成要素は図20と同じである
ので、その機能の説明についても省略する。
A DVD having a substrate thickness of 0.6 mm and a substrate thickness of 0.3 m
The reproduction operation for the m high-density DVD is the same as the operation described with reference to FIGS. 9 and 10 in the first embodiment. Further, the optical pickup device according to the second embodiment is not limited to the configuration of the optical pickup 201, and may be one shown in FIG. That is, in the configuration shown in FIG. 20, the semiconductor lasers 1b and 1e, the photodetector 1c, and the hologram 1g are arranged in one optical unit 202. However, the present invention is not limited to this. The optical pickup 221 may have a configuration separated from the means 202. In this case, the semiconductor laser 1 in the optical unit 202
b, 1e and distance between hologram 207, semiconductor laser 1
The distance between b and the semiconductor laser 1e, the distance between the semiconductor laser 1e and the photodetector 1c, and the pitch of the hologram 207 are shown in FIG.
1 is the same as that shown in FIG. In addition, components other than the optical unit 202 and the hologram 207 are the same as those in FIG.

【0039】また、本第2の実施の形態における光ピッ
クアップは、更に、図23に示す構成のものであっても
よい。図23に示す光ピックアップ231は図20に示
す光ピックアップ201の前記光学手段202と前記開
口数変更手段203との間にコリメータレンズ208を
挿入した構成である。光学手段202中の半導体レーザ
1b、1eとホログラム1gとの距離、半導体レーザ1
bと半導体レーザ1eとの距離、半導体レーザ1eと光
検出器1cとの距離、ホログラム1gのピッチは図21
に示したものと同じである。それ以外は光ピックアップ
201と同じであるので、その他の説明については省略
する。
The optical pickup according to the second embodiment may further have the configuration shown in FIG. The optical pickup 231 shown in FIG. 23 has a configuration in which a collimator lens 208 is inserted between the optical unit 202 and the numerical aperture changing unit 203 of the optical pickup 201 shown in FIG. Distance between the semiconductor lasers 1b and 1e in the optical means 202 and the hologram 1g;
The distance between b and the semiconductor laser 1e, the distance between the semiconductor laser 1e and the photodetector 1c, and the pitch of the hologram 1g are shown in FIG.
Is the same as that shown in FIG. The other parts are the same as those of the optical pickup 201, and the other description is omitted.

【0040】また、本発明における光ピックアップは、
更に、図24から27に示す構成のものであってもよ
い。図24から27に示す光ピックアップは、図20の
光ピックアップ201においてホログラム207が光学
手段202と分離し、コリメータレンズ208が追加に
なった構成である。この場合においても光学手段202
中の半導体レーザ1b、1eとホログラム207との距
離、半導体レーザ1bと半導体レーザ1eとの距離、半
導体レーザ1eと光検出器1cとの距離、ホログラム2
07のピッチは図21に示したものと同じである。ま
た、ホログラム207は、図24に示すようにコリメー
タレンズ208の手前にあってもよく、図25に示すよ
うにコリメータレンズ208の直後にあってもよい。ま
た、更に、ホログラム207はコリメータレンズ208
と一体になっていてもよく、この場合も図26、27に
示すようにコリメータレンズ208の手前側、後側の表
面にホログラム207が設けられていてもよい。
The optical pickup according to the present invention comprises:
Further, the configuration shown in FIGS. 24 to 27 may be used. The optical pickup shown in FIGS. 24 to 27 has a configuration in which the hologram 207 is separated from the optical unit 202 in the optical pickup 201 of FIG. 20, and a collimator lens 208 is added. Also in this case, the optical means 202
The distance between the semiconductor lasers 1b and 1e and the hologram 207, the distance between the semiconductor laser 1b and the semiconductor laser 1e, the distance between the semiconductor laser 1e and the photodetector 1c, the hologram 2
The pitch of 07 is the same as that shown in FIG. Further, the hologram 207 may be located before the collimator lens 208 as shown in FIG. 24, or may be located immediately after the collimator lens 208 as shown in FIG. Further, the hologram 207 is a collimator lens 208.
26 and 27, the hologram 207 may be provided on the front and rear surfaces of the collimator lens 208 as shown in FIGS.

【0041】基板厚が0.6mmのDVDと基板厚が0.
3mmの高密度DVDを互換再生する再生装置は、上記
第1の実施の形態中の図17に示した装置と同じ再生装
置を使用できる。 第3の実施の形態 本第3の実施の形態においては、基板厚1.2(許容誤
差±0.1)mmの光ディスクであるCD、CD−Rと
基板厚0.3(許容誤差±0.05)mmの光ディスクで
ある高密度DVDとの互換再生について説明する。
A DVD having a substrate thickness of 0.6 mm and a DVD having a substrate thickness of 0.6 mm
The same playback device as the device shown in FIG. 17 in the first embodiment can be used as a playback device for compatible playback of a 3 mm high-density DVD. Third Embodiment In the third embodiment, a CD or a CD-R, which is an optical disk having a substrate thickness of 1.2 (tolerance ± 0.1) mm, and a substrate thickness of 0.3 (tolerance ± 0). A description will be given of compatible playback with a high-density DVD, which is a .05) mm optical disc.

【0042】図28に本第3の実施の形態における光ピ
ックアップ装置が互換再生の対象とするCD、CD−R
及び高密度DVDの定格値と再生条件を示す。CDの基
板厚は1.2(許容誤差±0.1)mm、最短ピット長が
0.83(許容範囲:0.80〜0.90)μm、トラッ
クピッチが1.6(許容誤差±0.1)μmであり、反射
率は波長780nmのレーザビームに対して70%以上
である。また、再生時のレーザビームのスポット径は
1.5(許容誤差±0.1)μm、対物レンズの開口数は
0.45(許容誤差±0.05)、再生レーザビーム波長
が780(許容範囲:760〜800)nmである。C
D−Rの基板厚は1.2(許容誤差±0.1)mm、最短
ピット長が0.83(許容範囲:0.80〜0.90)μ
m、トラックピッチが1.6(許容誤差±0.1)μm、
波長780nmのレーザビームに対する反射率が60〜
70%以上であり、再生時のレーザビームのスポット径
が1.5(許容誤差±0.1)μm、対物レンズの開口数
が0.45(許容誤差±0.05)、再生レーザビーム波
長が780(許容範囲:760〜800)nmである。
一方、高密度DVDの基板厚は0.3(許容誤差±0.0
5)mm、最短ピット長が0.30(許容誤差±0.1)
μm、トラックピッチが0.56(許容誤差±0.01)
μm、波長480nmのレーザビームに対する反射率が
40%以上(単一の信号記録面の場合)若しくは15〜
40%(信号記録面が2つの場合)であり、再生時のレ
ーザビームのスポット径が0.9(許容誤差±0.5)μ
m、対物レンズの開口数が0.6(許容誤差±0.0
5)、再生レーザビーム波長が480(許容範囲:35
0〜550)nmである。
FIG. 28 shows CDs and CD-Rs which are compatible reproduction targets of the optical pickup device according to the third embodiment.
And the rated values and reproduction conditions of the high-density DVD. The CD substrate thickness is 1.2 (allowable error ± 0.1) mm, the shortest pit length is 0.83 (allowable range: 0.80 to 0.90) μm, and the track pitch is 1.6 (allowable error ± 0). .1) μm, and the reflectance is 70% or more for a laser beam having a wavelength of 780 nm. The spot diameter of the laser beam during reproduction is 1.5 (allowable error ± 0.1) μm, the numerical aperture of the objective lens is 0.45 (allowable error ± 0.05), and the reproducing laser beam wavelength is 780 (allowable error). Range: 760-800) nm. C
The substrate thickness of the DR is 1.2 (allowable error ± 0.1) mm, and the shortest pit length is 0.83 (allowable range: 0.80 to 0.90) μ.
m, track pitch is 1.6 (tolerance ± 0.1) μm,
The reflectance for a laser beam having a wavelength of 780 nm is 60 to
70% or more, the spot diameter of the laser beam during reproduction is 1.5 (tolerance ± 0.1) μm, the numerical aperture of the objective lens is 0.45 (tolerance ± 0.05), and the reproduction laser beam wavelength Is 780 (allowable range: 760 to 800) nm.
On the other hand, the substrate thickness of the high-density DVD is 0.3 (tolerance ± 0.0
5) mm, shortest pit length 0.30 (tolerance ± 0.1)
μm, track pitch 0.56 (tolerance ± 0.01)
μm, the reflectance to a laser beam having a wavelength of 480 nm is 40% or more (in the case of a single signal recording surface) or 15 to
40% (when there are two signal recording surfaces), and the spot diameter of the laser beam at the time of reproduction is 0.9 (allowable error ± 0.5) μ.
m, the numerical aperture of the objective lens is 0.6 (tolerance ± 0.0
5) The reproduction laser beam wavelength is 480 (permissible range: 35)
0-550) nm.

【0043】CD、CD−Rと高密度DVDとの互換再
生を行う光ピックアップ291の構成を図29に示す。
光学手段292中の半導体レーザ1e、1aから発せら
れた波長480(許容範囲:350〜550)nm若し
くは波長635(許容範囲:620〜660)nmのレ
ーザビームは光学手段292の表面に設けられたホログ
ラム1hで選択的に回折され、開口数変更手段293で
選択的に遮光されて対物レンズ294に入射する。該対
物レンズ294で集光されたレーザビームは、透光性の
ポリカーボネートの基板295(または296)を通っ
て光ディスクの信号記録面295a(または296a)
に照射される。該信号記録面295a(または296
a)で反射されたレーザビームは前記基板295(また
は296)、前記対物レンズ294、前記開口数変更手
段293を介して戻り、前記ホログラム1hを介して前
記光学手段292中に設置された光検出器1cで検知さ
れる。前記対物レンズ294は基板厚0.6mmの光デ
ィスク用に設計されており、開口数は0.60(許容誤
差±0.05)である。
FIG. 29 shows the configuration of an optical pickup 291 for performing compatible reproduction between a CD or CD-R and a high-density DVD.
A laser beam having a wavelength of 480 (allowable range: 350 to 550) nm or a wavelength of 635 (allowable range: 620 to 660) nm emitted from the semiconductor lasers 1e and 1a in the optical means 292 is provided on the surface of the optical means 292. The light is selectively diffracted by the hologram 1 h, selectively shielded by the numerical aperture changing means 293, and enters the objective lens 294. The laser beam condensed by the objective lens 294 passes through a transparent polycarbonate substrate 295 (or 296) and passes through a signal recording surface 295a (or 296a) of the optical disk.
Is irradiated. The signal recording surface 295a (or 296)
The laser beam reflected in a) returns through the substrate 295 (or 296), the objective lens 294, and the numerical aperture changing unit 293, and detects the light detected in the optical unit 292 via the hologram 1h. Is detected by the detector 1c. The objective lens 294 is designed for an optical disk having a substrate thickness of 0.6 mm, and has a numerical aperture of 0.60 (allowable error ± 0.05).

【0044】本発明においては、前記光学手段292は
波長780nmのレーザビームを発する半導体レーザ1
a、波長480nmのレーザビームを発する半導体レー
ザ1e、光検出器1c及び波長480nmのレーザビー
ムは回折せず、波長780nmのレーザビームのみを回
折するホログラム1hを配しており、CD、CD−Rが
再生される場合には前記半導体レーザ1aが選択駆動さ
れ、高密度DVDが再生される場合には前記半導体レー
ザ1eが選択駆動される。即ち、光学手段292は波長
480nmのレーザビームと波長780nmのレーザビ
ームとを選択駆動し、波長780nmのレーザビームの
みを回折して前記対物レンズ294に入射させるととも
に、波長480nmのレーザビーム、および波長780
nmのレーザビームの光ディスクの信号記録面での反射
光を前記光検出器1cに集光する機能を有するものであ
る。
In the present invention, the optical means 292 is a semiconductor laser 1 that emits a laser beam having a wavelength of 780 nm.
a, a semiconductor laser 1e that emits a laser beam with a wavelength of 480 nm, a photodetector 1c, and a hologram 1h that diffracts only a laser beam with a wavelength of 780 nm without diffracting a laser beam with a wavelength of 480 nm are provided. Is reproduced, the semiconductor laser 1a is selectively driven, and when a high-density DVD is reproduced, the semiconductor laser 1e is selectively driven. That is, the optical unit 292 selectively drives a laser beam having a wavelength of 480 nm and a laser beam having a wavelength of 780 nm, and diffracts only the laser beam having a wavelength of 780 nm to be incident on the objective lens 294. 780
It has a function of condensing the reflected light of the laser beam of nm on the signal recording surface of the optical disc on the photodetector 1c.

【0045】また、前記開口数変更手段293は外周部
293aと内周部293bとに分割されており、内周部
293bは波長480nmのレーザビーム、および波長
780nmのレーザビームをそのまま透過するが、外周
部293aは波長780nmのレーザビームのみを遮光
する機能を有するものである。内周部293bの直径は
波長780nmのレーザビームの前記対物レンズ294
での実効的開口数が0.45(許容誤差±0.05)とな
る直径である。また、前記開口数変更手段293と前記
対物レンズ294とはアクチュエータ6に固定されてい
るため、開口数変更手段293はフォーカス引き込み
時、トラッキングサーボ時に前記対物レンズ294に連
動して移動する。この結果、開口数変更手段293と対
物レンズ294との位置ずれはなく、波長780nmの
レーザビームの外周部を確実に遮光できる。
The numerical aperture changing means 293 is divided into an outer peripheral portion 293a and an inner peripheral portion 293b. The inner peripheral portion 293b transmits a laser beam having a wavelength of 480 nm and a laser beam having a wavelength of 780 nm as it is. The outer peripheral portion 293a has a function of blocking only a laser beam having a wavelength of 780 nm. The diameter of the inner peripheral portion 293b is a laser beam having a wavelength of 780 nm.
Is the diameter at which the effective numerical aperture is 0.45 (allowable error ± 0.05). Since the numerical aperture changing means 293 and the objective lens 294 are fixed to the actuator 6, the numerical aperture changing means 293 moves in conjunction with the objective lens 294 at the time of focus pull-in and tracking servo. As a result, there is no displacement between the numerical aperture changing means 293 and the objective lens 294, and the outer peripheral portion of the laser beam having a wavelength of 780 nm can be reliably shielded.

【0046】また、前記光学手段292中には、前記半
導体レーザ1a、1eと前記光検出器1cとが設けられ
ているが、これらの位置関係の決定方法は、上記第1の
実施の形態中の図2、3において説明した方法と同じ方
法である。波長480nmのレーザビームを発する半導
体レーザ1eと光検出器1cとの距離をZ1、波長780
nmのレーザビームを発する半導体レーザ1aと光検出
器1cとの距離をZ2としてZ2〉Z1となるように半導
体レーザ1e、1a、光検出器1cを設置する。ホログ
ラム1hの凹凸構造のピッチpと、半導体レーザ1e,
1a、光検出器1cとホログラム1hとの距離、即ち、
レーザビームの発光点とホログラムとの距離Lとをパラ
メータとしてZ1、Z2、Z2―Z1を計算した結果を図30
に示す。 ホログラムのピッチpが5〜12μmの範
囲、レーザビームの発光点とホログラム間の距離Lが2
〜15mmの範囲でZ2―Z1が0.1〜0.5mmの範囲
となる 。また、前記半導体レーザ1eと前記光検出器
1cとの距離は0.193〜0.772mmの範囲とな
る。従って、本発明においては、半導体レーザ1eと半
導体レーザ1aとの距離を0.1〜0.5mmの範囲に設
定して設置し、波長480nmのレーザビームと波長7
80nmのレーザビームの光ディスクの信号記録面から
の反射光を前記光検出器1cの同一位置で検出する。こ
の場合、半導体レーザ1eを中心にして半導体レーザ1
aが光ディスクの外周方向に位置するように、光検出器
1cが光ディスクの内周方向に位置するように配置され
ている。
In the optical means 292, the semiconductor lasers 1a and 1e and the photodetector 1c are provided. The method for determining the positional relationship between them is as described in the first embodiment. This method is the same as the method described with reference to FIGS. The distance between the semiconductor laser 1e that emits a laser beam having a wavelength of 480 nm and the photodetector 1c is Z 1 , and the wavelength is 780.
nm of Z 2 the distance between the semiconductor laser 1a and the light detector 1c as Z 2 for emitting a laser beam> Z 1 and comprising as a semiconductor laser 1e, 1a, installing a light detector 1c. The pitch p of the uneven structure of the hologram 1h and the semiconductor laser 1e,
1a, the distance between the photodetector 1c and the hologram 1h, ie,
FIG. 30 shows the results of calculating Z 1 , Z 2 , and Z 2 -Z 1 using the distance L between the laser beam emission point and the hologram as a parameter.
Shown in The hologram pitch p is in the range of 5 to 12 μm, and the distance L between the laser beam emission point and the hologram is 2
Z 2 -Z 1 is in the range of 0.1 to 0.5 mm in the range of 15 mm. Further, the distance between the semiconductor laser 1e and the photodetector 1c is in the range of 0.193 to 0.772 mm. Therefore, in the present invention, the distance between the semiconductor laser 1e and the semiconductor laser 1a is set within a range of 0.1 to 0.5 mm, and the laser beam having a wavelength of 480 nm and the wavelength of 7
The reflected light of the 80 nm laser beam from the signal recording surface of the optical disk is detected at the same position of the photodetector 1c. In this case, the semiconductor laser 1e is centered on the semiconductor laser 1e.
The photodetector 1c is arranged so that a is located in the outer peripheral direction of the optical disk, and the photodetector 1c is located in the inner peripheral direction of the optical disk.

【0047】また、半導体レーザ1aと半導体レーザ1
eとは0.1〜0.5mmの範囲で設置位置が異なるが、
この範囲のずれは光ディスクに照射されるレーザビーム
の光軸のずれによる再生特性の劣化として現れることは
ない。また、更に、前記半導体レーザ1aと前記半導体
レーザ1eとの設置位置の方向は光ディスクの径方向に
限らず、周方向であってもよい。
The semiconductor laser 1a and the semiconductor laser 1
Although the installation position is different from e in the range of 0.1 to 0.5 mm,
The shift in this range does not appear as deterioration of the reproduction characteristics due to the shift of the optical axis of the laser beam applied to the optical disk. Further, the direction of the installation position of the semiconductor laser 1a and the semiconductor laser 1e is not limited to the radial direction of the optical disk, but may be the circumferential direction.

【0048】また、更に、前記半導体レーザ1a、1e
と前記光検出器1cのマウントについては上記第1の実
施の形態中の図5に示すマウントと同じである。また、
更に、前記開口数変更手段293の具体例としては、上
記第1の実施の形態中の図6、7、8に示す具体例が本
第3の実施の形態の前記開口数変更手段293にも使用
できる。
Further, the semiconductor lasers 1a, 1e
The mount of the photodetector 1c is the same as the mount shown in FIG. 5 in the first embodiment. Also,
Further, as specific examples of the numerical aperture changing means 293, the specific examples shown in FIGS. 6, 7, and 8 in the first embodiment are also applied to the numerical aperture changing means 293 of the third embodiment. Can be used.

【0049】基板厚1.2mmのCD、CD−Rと基板
厚0.3mmの高密度DVDとの再生動作は上記第1の
実施の形態中の図9、10で説明した動作と同様であ
る。また、本第3の実施の形態における光ピックアップ
装置は、前記光ピックアップ291の構成に限らず、図
31に示すものであってもよい。即ち、図29に示す構
成では半導体レーザ1a、1e、光検出器1c及びホロ
グラム1hは1つの光学手段292中に配置されていた
が、これに限らず、図31に示すようにホログラム29
7が光学手段292と分離した構成の光ピックアップ3
11であってもよい。この場合、光学手段292中の半
導体レーザ1a、1eとホログラム297との距離、半
導体レーザ1aと半導体レーザ1eとの距離、半導体レ
ーザ1eと光検出器1cとの距離、ホログラム297の
ピッチは図30に示したものと同じである。また、光学
手段292とホログラム297以外の構成要素は図29
と同じであるので、その機能の説明についても省略す
る。
The reproduction operation of a CD or CD-R having a substrate thickness of 1.2 mm and a high-density DVD having a substrate thickness of 0.3 mm is the same as the operation described with reference to FIGS. . Further, the optical pickup device according to the third embodiment is not limited to the configuration of the optical pickup 291 and may be the one shown in FIG. That is, in the configuration shown in FIG. 29, the semiconductor lasers 1a and 1e, the photodetector 1c, and the hologram 1h are arranged in one optical unit 292. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG.
7 is an optical pickup 3 having a configuration separated from the optical means 292
It may be 11. In this case, the distance between the semiconductor lasers 1a and 1e and the hologram 297 in the optical means 292, the distance between the semiconductor laser 1a and the semiconductor laser 1e, the distance between the semiconductor laser 1e and the photodetector 1c, and the pitch of the hologram 297 are as shown in FIG. Is the same as that shown in FIG. Components other than the optical unit 292 and the hologram 297 are the same as those in FIG.
Therefore, the description of the function is also omitted.

【0050】また、本第3の実施の形態における光ピッ
クアップは、更に、図32に示す構成のものであっても
よい。図32に示す光ピックアップ321は図29に示
す光ピックアップ291の前記光学手段292と前記開
口数変更手段293との間にコリメータレンズ298を
挿入した構成である。光学手段292中の半導体レーザ
1a、1eとホログラム1hとの距離、半導体レーザ1
aと半導体レーザ1eとの距離、半導体レーザ1eと光
検出器1cとの距離、ホログラム1hのピッチは図30
に示したものと同じである。それ以外は光ピックアップ
291と同じであるので、その他の説明については省略
する。
The optical pickup according to the third embodiment may further have the configuration shown in FIG. The optical pickup 321 shown in FIG. 32 has a configuration in which a collimator lens 298 is inserted between the optical unit 292 and the numerical aperture changing unit 293 of the optical pickup 291 shown in FIG. Distance between semiconductor lasers 1a and 1e in optical means 292 and hologram 1h;
The distance between a and the semiconductor laser 1e, the distance between the semiconductor laser 1e and the photodetector 1c, and the pitch of the hologram 1h are shown in FIG.
Is the same as that shown in FIG. The other parts are the same as those of the optical pickup 291, and the other description is omitted.

【0051】また、本発明における光ピックアップは、
更に、図33から36に示す構成のものであってもよ
い。図33から36に示す光ピックアップは、図29の
光ピックアップ291においてホログラム297が光学
手段292と分離し、コリメータレンズ298が追加に
なった構成である。この場合においても光学手段292
中の半導体レーザ1a、1eとホログラム297との距
離、半導体レーザ1aと半導体レーザ1eとの距離、半
導体レーザ1eと光検出器1cとの距離、ホログラム2
97のピッチは図30に示したものと同じである。ま
た、ホログラム297は、図33に示すようにコリメタ
レンズ298の手前にあってもよく、図34に示すよう
にコリメータレンズ298の直後にあってもよい。ま
た、更に、ホログラム297はコリメータレンズ298
と一体になっていてもよく、この場合も図35、36に
示すようにコリメータレンズ298の手前側、後側の表
面にホログラム297が設けられていてもよい。
The optical pickup according to the present invention comprises:
Furthermore, the configuration shown in FIGS. 33 to 36 may be used. The optical pickup shown in FIGS. 33 to 36 has a configuration in which the hologram 297 is separated from the optical means 292 in the optical pickup 291 of FIG. 29, and a collimator lens 298 is added. Also in this case, the optical means 292
The distance between the semiconductor lasers 1a and 1e and the hologram 297, the distance between the semiconductor laser 1a and the semiconductor laser 1e, the distance between the semiconductor laser 1e and the photodetector 1c, the hologram 2
The pitch of 97 is the same as that shown in FIG. The hologram 297 may be located before the collimator lens 298 as shown in FIG. 33, or may be located immediately after the collimator lens 298 as shown in FIG. Further, the hologram 297 further includes a collimator lens 298.
The hologram 297 may be provided on the front and rear surfaces of the collimator lens 298 as shown in FIGS.

【0052】基板厚が1.2mmのCD、CD−Rと基
板厚が0.3mmの高密度DVDとを互換再生する再生
装置は、上記第1の実施の形態中の図17に示した装置
と同じ再生装置を使用できる。上記第1から第3の実施
の形態においては光ディスクからの再生について説明し
たが、これに限るものではなく、上記説明した各光ピッ
クアップ装置を用いて光ディスクへの記録を行うことが
できる。
A reproducing apparatus for compatible reproduction of a CD or CD-R having a substrate thickness of 1.2 mm and a high-density DVD having a substrate thickness of 0.3 mm is the apparatus shown in FIG. 17 in the first embodiment. The same playback device can be used. In the first to third embodiments, reproduction from an optical disk has been described. However, the present invention is not limited to this, and recording on an optical disk can be performed using each of the optical pickup devices described above.

【0053】また、更に、上記第1から第3の実施の形
態においては、光学手段から生成されるレーザビームの
波長は635nmと780nm、480nmと635n
m、および480nmと780nmとの組み合わせにつ
いて説明したが、これに限るものではなく、他の波長の
レーザビームの組み合わせであってもよいことは言うま
でもない。
Further, in the first to third embodiments, the wavelength of the laser beam generated from the optical means is 635 nm and 780 nm, and 480 nm and 635 nm
Although m and the combination of 480 nm and 780 nm have been described, it is needless to say that the present invention is not limited to this, and may be a combination of laser beams having other wavelengths.

【0054】[0054]

【発明の効果】本発明によれば、光源に波長が635n
mと波長が780nmの異なる2つの半導体レーザを使
用するので、基板厚0.6mmの光ディスクであるDV
Dと基板厚が1.2mmの光ディスクであるCD−Rと
の互換再生をすることができる。
According to the present invention, the light source has a wavelength of 635n.
Since two semiconductor lasers having different wavelengths of 780 nm and 780 nm are used, the optical disk DV having a substrate thickness of 0.6 mm is used.
Compatible reproduction between D and CD-R, which is an optical disk having a substrate thickness of 1.2 mm, can be performed.

【0055】また、本発明によれば、光源に波長が48
0nmと波長が635nmの異なる2つの半導体レーザ
を使用するので、基板厚0.3mmの光ディスクである
高密度DVDと基板厚が0.6mmの光ディスクである
DVDとの互換再生をすることができる。また、本発明
によれば、光源に波長が480nmと波長が780nm
の異なる2つの半導体レーザを使用するので、基板厚
0.3mmの光ディスクである高密度DVDと基板厚が
1.2mmの光ディスクであるCD、CD−Rとの互換
再生をすることができる。
According to the present invention, the light source has a wavelength of 48.
Since two semiconductor lasers having different wavelengths of 0 nm and 635 nm are used, it is possible to perform compatible reproduction between a high-density DVD which is an optical disk having a substrate thickness of 0.3 mm and a DVD which is an optical disk having a substrate thickness of 0.6 mm. According to the invention, the light source has a wavelength of 480 nm and a wavelength of 780 nm.
Are used, it is possible to perform compatible reproduction between a high-density DVD, which is an optical disk having a substrate thickness of 0.3 mm, and a CD or CD-R, which is an optical disk having a substrate thickness of 1.2 mm.

【0056】また、本発明によれば、レーザビーム生成
手段、光検出手段、ホログラムを一体化した光学手段を
用いるので、光ピックアップを構成するのにハーフミラ
ー、立ち上げミラーを用いる必要が無く、コンパクトな
光ピックアップを作製できるとともに低コストにも繋が
る。また、本発明によれば、従来の光学系とほぼ同様の
構成で、CD−Rも再生可能な光ピックアップを実現で
きる。
According to the present invention, since the laser beam generating means, the light detecting means, and the optical means integrated with the hologram are used, it is not necessary to use a half mirror and a rising mirror to constitute an optical pickup. A compact optical pickup can be manufactured, which leads to low cost. Further, according to the present invention, it is possible to realize an optical pickup capable of reproducing a CD-R with substantially the same configuration as a conventional optical system.

【0057】また、本発明によれば、波長635nmの
レーザビームに対して光軸調整をすれば波長780nm
のレーザビームに対しても光軸調整ができる。また、本
発明によれば、波長480nmのレーザビームに対して
光軸調整をすれば波長635nmのレーザビームに対し
ても光軸調整ができる。また、本発明によれば、波長4
80nmのレーザビームに対して光軸調整をすれば波長
780nmのレーザビームに対しても光軸調整ができ
る。
According to the present invention, if the optical axis is adjusted with respect to a laser beam having a wavelength of 635 nm, the wavelength is 780 nm.
The optical axis can be adjusted with respect to the laser beam. Further, according to the present invention, if the optical axis is adjusted for a laser beam having a wavelength of 480 nm, the optical axis can be adjusted for a laser beam having a wavelength of 635 nm. According to the present invention, the wavelength 4
If the optical axis is adjusted for a laser beam of 80 nm, the optical axis can be adjusted for a laser beam of a wavelength of 780 nm.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施の形態における光ピックアップの構
成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an optical pickup according to a first embodiment.

【図2】第1の実施の形態から第3の実施の形態におけ
る半導体レーザ、ホログラム、光検出器相互間の距離の
計算方法を説明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a method of calculating a distance between a semiconductor laser, a hologram, and a photodetector according to the first to third embodiments.

【図3】第1の実施の形態から第3の実施の形態におけ
る2つの半導体レーザ、ホログラム、光検出器相互間の
距離の計算方法を説明する図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a method for calculating a distance between two semiconductor lasers, a hologram, and a photodetector in the first to third embodiments.

【図4】第1の実施の形態における2つの半導体レー
ザ、ホログラム、光検出器相互間の距離の計算結果を示
す図表である。
FIG. 4 is a table showing a calculation result of a distance between two semiconductor lasers, a hologram, and a photodetector in the first embodiment.

【図5】第1の実施の形態から第3の実施の形態におけ
る半導体レーザ、光検出器のマウントを説明する図であ
る。
FIG. 5 is a diagram illustrating a mount of a semiconductor laser and a photodetector according to the first to third embodiments.

【図6】第1の実施の形態から第3の実施の形態におけ
る開口数変更手段の具体例を示す図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a specific example of a numerical aperture changing unit according to the first to third embodiments.

【図7】第1の実施の形態から第3の実施の形態におけ
る開口数変更手段の他の具体例を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing another specific example of the numerical aperture changing means in the first to third embodiments.

【図8】第1の実施の形態から第3の実施の形態におけ
る開口数変更手段の他の具体例を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing another specific example of the numerical aperture changing unit in the first to third embodiments.

【図9】第1の実施の形態における基板厚0.6mmの
光ディスクの再生動作を説明する図である。
FIG. 9 is a diagram for explaining a reproducing operation of an optical disk having a substrate thickness of 0.6 mm according to the first embodiment.

【図10】第1の実施の形態における基板厚1.2mm
の光ディスクの再生動作を説明する図である。
FIG. 10 shows a substrate thickness of 1.2 mm in the first embodiment.
FIG. 4 is a diagram for explaining the reproduction operation of the optical disk of FIG.

【図11】第1の実施の形態における光ピックアップの
他の構成を示す図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating another configuration of the optical pickup according to the first embodiment.

【図12】第1の実施の形態における光ピックアップの
更に、他の構成を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing still another configuration of the optical pickup according to the first embodiment.

【図13】第1の実施の形態における光ピックアップの
更に、他の構成を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing still another configuration of the optical pickup according to the first embodiment.

【図14】第1の実施の形態における光ピックアップの
更に、他の構成を示す図である。
FIG. 14 is a diagram showing still another configuration of the optical pickup according to the first embodiment.

【図15】第1の実施の形態における光ピックアップの
更に、他の構成を示す図である。
FIG. 15 is a diagram showing still another configuration of the optical pickup according to the first embodiment.

【図16】第1の実施の形態における光ピックアップの
更に、他の構成を示す図である。
FIG. 16 is a diagram showing still another configuration of the optical pickup according to the first embodiment.

【図17】第1の実施の形態から第3の実施の形態にお
ける再生装置を説明する図である。
FIG. 17 is a diagram illustrating a playback device according to the first to third embodiments.

【図18】CD、CD−R、およびDVDの定格値と再
生条件を示す図表である。
FIG. 18 is a table showing rated values and reproduction conditions of CD, CD-R, and DVD.

【図19】DVDと高密度DVDの定格値と再生条件を
示す図表である。
FIG. 19 is a table showing rated values and reproduction conditions of a DVD and a high-density DVD.

【図20】第2の実施の形態における光ピックアップの
構成を示す図である。
FIG. 20 is a diagram illustrating a configuration of an optical pickup according to a second embodiment.

【図21】第2の実施の形態における2つの半導体レー
ザ、ホログラム、光検出器相互間の距離の計算結果を示
す図表である。
FIG. 21 is a table showing a calculation result of a distance between two semiconductor lasers, a hologram, and a photodetector in the second embodiment.

【図22】第2の実施の形態における光ピックアップの
他の構成を示す図である。
FIG. 22 is a diagram illustrating another configuration of the optical pickup according to the second embodiment.

【図23】第2の実施の形態における光ピックアップの
更に、他の構成を示す図である。
FIG. 23 is a diagram showing still another configuration of the optical pickup according to the second embodiment.

【図24】第2の実施の形態における光ピックアップの
更に、他の構成を示す図である。
FIG. 24 is a diagram showing still another configuration of the optical pickup according to the second embodiment.

【図25】第2の実施の形態における光ピックアップの
更に、他の構成を示す図である。
FIG. 25 is a diagram showing still another configuration of the optical pickup according to the second embodiment.

【図26】第2の実施の形態における光ピックアップの
更に、他の構成を示す図である。
FIG. 26 is a diagram showing still another configuration of the optical pickup according to the second embodiment.

【図27】第2の実施の形態における光ピックアップの
更に、他の構成を示す図である。
FIG. 27 is a diagram showing still another configuration of the optical pickup according to the second embodiment.

【図28】CD、CD−R、および高密度DVDの定格
値と再生条件を示す図表である。
FIG. 28 is a table showing rated values and reproduction conditions of CD, CD-R, and high-density DVD.

【図29】第3の実施の形態における光ピックアップの
構成を示す図である。
FIG. 29 is a diagram illustrating a configuration of an optical pickup according to a third embodiment.

【図30】第3の実施の形態における2つの半導体レー
ザ、ホログラム、光検出器相互間の距離の計算結果を示
す図表である。
FIG. 30 is a table showing a calculation result of a distance between two semiconductor lasers, a hologram, and a photodetector in the third embodiment.

【図31】第3の実施の形態における光ピックアップの
他の構成を示す図である。
FIG. 31 is a diagram illustrating another configuration of the optical pickup according to the third embodiment.

【図32】第3の実施の形態における光ピックアップの
更に、他の構成を示す図である。
FIG. 32 is a diagram showing still another configuration of the optical pickup according to the third embodiment.

【図33】第3の実施の形態における光ピックアップの
更に、他の構成を示す図である。
FIG. 33 is a diagram showing still another configuration of the optical pickup according to the third embodiment.

【図34】第3の実施の形態における光ピックアップの
更に、他の構成を示す図である。
FIG. 34 is a diagram illustrating still another configuration of the optical pickup according to the third embodiment.

【図35】第3の実施の形態における光ピックアップの
更に、他の構成を示す図である。
FIG. 35 is a diagram showing still another configuration of the optical pickup according to the third embodiment.

【図36】第3の実施の形態における光ピックアップの
更に、他の構成を示す図である。
FIG. 36 is a diagram showing still another configuration of the optical pickup according to the third embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・光学手段 1a、1b、1e・・・半導体レーザ 1c・・・光検出器 1d、1g、1h、2、207、297・・・ホログラ
ム 3、208、298・・・コリメータレンズ 4・・・開口数変更手段 5・・・対物レンズ 6・・・アクチュエータ 7、77・・・基板 7a、77a・・・信号記録面 10・・・光ピックアップ 11・・・プリアンプ 12・・・サーボ回路 13・・・サーボ機構 14・・・判別回路 15・・・指令回路 16・・・RF復調回路 17・・・特性切替回路 18・・・レーザ駆動回路 19・・・制御回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical means 1a, 1b, 1e ... Semiconductor laser 1c ... Photodetector 1d, 1g, 1h, 2, 207, 297 ... Hologram 3, 208, 298 ... Collimator lens 4. ..Aperture changing means 5 ... Objective lens 6 ... Actuator 7, 77 ... Substrate 7a, 77a ... Signal recording surface 10 ... Optical pickup 11 ... Preamplifier 12 ... Servo circuit Reference Signs List 13 servo mechanism 14 discrimination circuit 15 command circuit 16 RF demodulation circuit 17 characteristic switching circuit 18 laser drive circuit 19 control circuit

フロントページの続き (72)発明者 山田 真人 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三洋電機株式会社内 (72)発明者 土屋 洋一 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三洋電機株式会社内 (72)発明者 市浦 秀一 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−200543(JP,A) 特開 平9−270145(JP,A) 特開 平9−73017(JP,A) 特開 平9−120568(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 7/135 Continued on the front page (72) Inventor Masato Yamada 2-5-5 Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Yoichi Tsuchiya 2-5-5-1 Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka Sanyo Inside Electric Co., Ltd. (72) Inventor Shuichi Ichiura 2-5-1-5 Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (56) References JP-A-62-200543 (JP, A) JP-A-9-95 270145 (JP, A) JP-A-9-73017 (JP, A) JP-A-9-120568 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G11B 7/135

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 第1の厚さの透明基板を有する第1の光
ディスク、および前記第1の厚さと異なる第2の厚さの
透明基板を有する第2の光ディスクの記録または/およ
び再生を行う光ピックアップ装置であって、 前記記録または/および再生が行われるべき光ディスク
に対向して設けられた対物レンズと、 前記記録または/および再生が行われるべき光ディスク
の透明基板の厚さに応じて前記対物レンズの開口数を変
更する開口数変更手段と、第1のレーザ光を生成する第1の半導体レーザと、第2
のレーザ光を生成する第2の半導体レーザと、前記第1
のレーザ光、および前記第2のレーザ光の前記光ディス
クの信号記録面からの反射光を検出する光検出手段と、
前記第1の半導体レーザにより生成された前記第1のレ
ーザ光を第1の方向に回折させ、前記第2の半導体レー
ザにより生成された前記第2のレーザ光を前記第1の方
向と異なる第2の方向に回折させるとともに、前記第1
のレーザ光、および前記第2のレーザ光の前記光ディス
クの信号記録面からの反射光を前記光検出手段に導くホ
ログラムとを含む光学手段とを備えさらに、前記第1の半導体レーザと前記第2の半導体レ
ーザとの距離をZ 0 、前記第1の半導体レーザと前記光
検出手段との距離をZ 1 、前記第2の半導体レーザと前
記光検出手段との距離をZ 2 、前記第1の半導体レーザ
と前記ホログラムとの距離をL、前記ホログラムのピッ
チをp、前記第1のレーザ光の波長をλ 1 、前記第2の
レーザ光の波長をλ 2 とした場合に、 1 =Lλ 1 /(p 2 ―λ 1 2 ) 1/2 2 =Lλ 2 /(p 2 ―λ 2 2 )
1/2 0 =Z 2 ―Z 1 なる関係を有することを特徴とする 光ピッ
クアップ装置。
1. Recording and / or reproduction of a first optical disk having a transparent substrate of a first thickness and a second optical disk having a transparent substrate of a second thickness different from the first thickness. An optical pickup device, comprising: an objective lens provided to face an optical disc on which the recording or / and / or reproduction is to be performed; A numerical aperture changing means for changing a numerical aperture of the objective lens; a first semiconductor laser for generating a first laser beam;
A second semiconductor laser that generates a laser beam of
Laser light, and the optical disk of the second laser light.
Light detecting means for detecting light reflected from the signal recording surface of the laser,
The first laser generated by the first semiconductor laser;
Laser light is diffracted in a first direction and the second semiconductor laser
The second laser light generated by the first laser
Diffracted in a second direction different from the first direction,
Laser light, and the optical disk of the second laser light.
A guide for guiding the reflected light from the signal recording surface of the
Optical means including a first semiconductor laser and a second semiconductor laser.
Z 0 the distance between the over THE, the first semiconductor laser and the optical
The distance from the detection means is Z 1 , the distance from the second semiconductor laser is
The distance from the light recording detecting means is Z 2 , and the first semiconductor laser is
L and the hologram pitch
H, the wavelength of the first laser beam is λ 1 ,
When the wavelength of the laser beam is λ 2 , Z 1 = Lλ 1 / (p 2 −λ 1 2 ) 1/2 , Z 2 = Lλ 2 / (p 2 −λ 2 2 )
An optical pickup device having a relationship of 1/2 , Z 0 = Z 2 -Z 1 .
【請求項2】 第1の厚さの透明基板を有する第1の光
ディスク、および前記第1の厚さと異なる第2の厚さの
透明基板を有する第2の光ディスクの記録または/およ
び再生を行う光ピックアップ装置であって、 前記記録または/および再生が行われるべき光ディスク
に対向して設けられた対物レンズと、 前記記録または/および再生が行われるべき光ディスク
の透明基板の厚さに応じて前記対物レンズの開口数を変
更する開口数変更手段と、第1のレーザ光を生成する第1の半導体レーザと、第2
のレーザ光を生成する第2の半導体レーザと、前記第1
のレーザ光、および前記第2のレーザ光の前記光ディス
クの信号記録面からの反射光を検出する光検出手段とを
含む光学手段と、 前記光学手段からの前記第1のレーザ光を第1の方向に
回折させ、前記第2のレーザ光を前記第1の方向と異な
る第2の方向に回折させ、その回折させたレーザ光を前
記対物レンズに導くとともに、前記第1のレーザ光、お
よび前記第2のレーザ光の前記光ディスクの信号記録面
からの反射光を前記光学手段に導くホログラムとを備
え、さらに、前記第1の半導体レーザと前記第2の半導体レ
ーザとの距離をZ 0 、前記第1の半導体レーザと前記光
検出手段との距離をZ 1 、前記第2の半導体レーザと前
記光検出手段との距離をZ 2 、前記第1の半導体レーザ
と前記ホログラムとの距離をL、前記ホログラムのピッ
チをp、前記第1のレーザ光の波長をλ 1 、前記第2の
レーザ光の波長をλ 2 とした場合に、 1 =Lλ 1 /(p 2 ―λ 1 2 ) 1/2 2 =Lλ 2 /(p 2 ―λ 2 2 )
1/2 0 =Z 2 ―Z 1 なる関係を有することを特徴とする 光ピッ
クアップ装置。
2. Recording and / or reproduction of a first optical disk having a transparent substrate of a first thickness and a second optical disk having a transparent substrate of a second thickness different from the first thickness are performed. An optical pickup device, comprising: an objective lens provided to face an optical disc on which the recording or / and / or reproduction is to be performed; A numerical aperture changing means for changing a numerical aperture of the objective lens; a first semiconductor laser for generating a first laser beam;
A second semiconductor laser that generates a laser beam of
Laser light, and the optical disk of the second laser light.
Light detecting means for detecting reflected light from the signal recording surface of the
Optical means including: the first laser light from the optical means is diffracted in a first direction; the second laser light is diffracted in a second direction different from the first direction; and the laser beam guides on the objective lens, and a hologram for guiding the first laser beam, and the reflected light from the signal recording surface of the second of the optical disk of the laser light to the optical unit, further wherein A first semiconductor laser and the second semiconductor laser;
Z 0 the distance between the over THE, the first semiconductor laser and the optical
The distance from the detection means is Z 1 , the distance from the second semiconductor laser is
The distance from the light recording detecting means is Z 2 , and the first semiconductor laser is
L and the hologram pitch
H, the wavelength of the first laser beam is λ 1 ,
When the wavelength of the laser beam is λ 2 , Z 1 = Lλ 1 / (p 2 −λ 1 2 ) 1/2 , Z 2 = Lλ 2 / (p 2 −λ 2 2 )
An optical pickup device having a relationship of 1/2 , Z 0 = Z 2 -Z 1 .
【請求項3】 第1の厚さの透明基板を有する第1の光
ディスク、および前記第1の厚さと異なる第2の厚さの
透明基板を有する第2の光ディスクの記録または/およ
び再生を行う光ピックアップ装置であって、 前記記録または/および再生が行われるべき光ディスク
に対向して設けられた対物レンズと、 前記記録または/および再生が行われるべき光ディスク
の透明基板の厚さに応じて前記対物レンズの開口数を変
更する開口数変更手段と、第1のレーザ光を生成する第1の半導体レーザと、第2
のレーザ光を生成する第2の半導体レーザと、前記第1
のレーザ光、および前記第2のレーザ光の前記光ディス
クの信号記録面からの反射光を検出する光検出手段と、
前記第1の半導体レーザにより生成された前記第1のレ
ーザ光を第1の方向に回折させ、前記第2の半導体レー
ザにより生成された前記第2のレーザ光を前記第1の方
向と異な る第2の方向に回折させるとともに、前記第1
のレーザ光、および前記第2のレーザ光の前記光ディス
クの信号記録面からの反射光を前記光検出手段に導くホ
ログラムとを含む光学手段と、 前記光学手段からの第1のレーザ光、および前記第2の
レーザ光を受け、その受けたレーザ光を前記対物レンズ
に導くコリメータレンズとを備え、さらに、前記第1の半導体レーザと前記第2の半導体レ
ーザとの距離をZ 0 、前記第1の半導体レーザと前記光
検出手段との距離をZ 1 、前記第2の半導体レーザと前
記光検出手段との距離をZ 2 、前記第1の半導体レーザ
と前記ホログラムとの距離をL、前記ホログラムのピッ
チをp、前記第1のレーザ光の波長をλ 1 、前記第2の
レーザ光の波長をλ 2 とした場合に、 1 =Lλ 1 /(p 2 ―λ 1 2 ) 1/2 2 =Lλ 2 /(p 2 ―λ 2 2 )
1/2 0 =Z 2 ―Z 1 なる関係を有することを特徴とする 光ピッ
クアップ装置。
3. Recording and / or reproduction of a first optical disk having a transparent substrate of a first thickness and a second optical disk having a transparent substrate of a second thickness different from the first thickness are performed. An optical pickup device, comprising: an objective lens provided to face an optical disc on which the recording or / and / or reproduction is to be performed; A numerical aperture changing means for changing a numerical aperture of the objective lens; a first semiconductor laser for generating a first laser beam;
A second semiconductor laser that generates a laser beam of
Laser light, and the optical disk of the second laser light.
Light detecting means for detecting light reflected from the signal recording surface of the laser,
The first laser generated by the first semiconductor laser;
Laser light is diffracted in a first direction and the second semiconductor laser
The second laser light generated by the first laser
Causes diffracted in a second direction that different from the direction, the first
Laser light, and the optical disk of the second laser light.
A guide for guiding the reflected light from the signal recording surface of the
And a collimator lens that receives the first laser light from the optical means, and the second laser light, and guides the received laser light to the objective lens . The first semiconductor laser and the second semiconductor laser
Z 0 the distance between the over THE, the first semiconductor laser and the optical
The distance from the detection means is Z 1 , the distance from the second semiconductor laser is
The distance from the light recording detecting means is Z 2 , and the first semiconductor laser is
L and the hologram pitch
H, the wavelength of the first laser beam is λ 1 ,
When the wavelength of the laser beam is λ 2 , Z 1 = Lλ 1 / (p 2 −λ 1 2 ) 1/2 , Z 2 = Lλ 2 / (p 2 −λ 2 2 )
An optical pickup device having a relationship of 1/2 , Z 0 = Z 2 -Z 1 .
【請求項4】 第1の厚さの透明基板を有する第1の光
ディスク、および前記第1の厚さと異なる第2の厚さの
透明基板を有する第2の光ディスクの記録または/およ
び再生を行う光ピックアップ装置であって、 前記記録または/および再生が行われるべき光ディスク
に対向して設けられた対物レンズと、 前記記録または/および再生が行われるべき光ディスク
の透明基板の厚さに応じて前記対物レンズの開口数を変
更する開口数変更手段と、第1のレーザ光を生成する第1の半導体レーザと、第2
のレーザ光を生成する第2の半導体レーザと、前記第1
のレーザ光、および前記第2のレーザ光の前記光ディス
クの信号記録面からの反射光を検出する光検出手段とを
含む光学手段と 、 前記レーザ光生成手段から前記第1のレーザ光、および
前記第2のレーザ光を受け、その受けた光を前記対物レ
ンズに導くコリメータレンズと、 前記コリメータレンズの直前または直後に設けられ、前
記第1のレーザ光を第1の方向に回折させ、前記第2の
レーザ光を前記第1の方向と異なる第2の方向に回折さ
せるとともに、前記第1のレーザ光、および前記第2の
レーザ光の前記光ディスクの信号記録面からの反射光を
前記光学手段に導くホログラムとを備え、さらに、前記第1の半導体レーザと前記第2の半導体レ
ーザとの距離をZ 0 、前記第1の半導体レーザと前記光
検出手段との距離をZ 1 、前記第2の半導体レーザと前
記光検出手段との距離をZ 2 、前記第1の半導体レーザ
と前記ホログラムとの距離をL、前記ホログラムのピッ
チをp、前記第1のレーザ光の波長をλ 1 、前記第2の
レーザ光の波長をλ 2 とした場合に、 1 =Lλ 1 /(p 2 ―λ 1 2 ) 1/2 2 =Lλ 2 /(p 2 ―λ 2 2 )
1/2 0 =Z 2 ―Z 1 なる関係を有することを特徴とする 光ピッ
クアップ装置。
4. Recording and / or reproduction of a first optical disk having a transparent substrate of a first thickness and a second optical disk having a transparent substrate of a second thickness different from the first thickness are performed. An optical pickup device, comprising: an objective lens provided to face an optical disk on which recording or / and reproduction is to be performed; and an objective lens according to a thickness of a transparent substrate of the optical disk on which recording or / and reproduction is to be performed. A numerical aperture changing means for changing a numerical aperture of the objective lens; a first semiconductor laser for generating a first laser beam;
A second semiconductor laser that generates a laser beam of
Laser light, and the optical disk of the second laser light.
Light detecting means for detecting reflected light from the signal recording surface of the
An optical unit including: a collimator lens that receives the first laser light and the second laser light from the laser light generation unit and guides the received light to the objective lens; And diffracting the first laser light in a first direction, diffracting the second laser light in a second direction different from the first direction, the first laser light, and A hologram for guiding reflected light of the second laser light from the signal recording surface of the optical disc to the optical means; and further comprising the first semiconductor laser and the second semiconductor laser.
Z 0 the distance between the over THE, the first semiconductor laser and the optical
The distance from the detection means is Z 1 , the distance from the second semiconductor laser is
The distance from the light recording detecting means is Z 2 , and the first semiconductor laser is
L and the hologram pitch
H, the wavelength of the first laser beam is λ 1 ,
When the wavelength of the laser beam is λ 2 , Z 1 = Lλ 1 / (p 2 −λ 1 2 ) 1/2 , Z 2 = Lλ 2 / (p 2 −λ 2 2 )
An optical pickup device having a relationship of 1/2 , Z 0 = Z 2 -Z 1 .
【請求項5】 前記第1のレーザ光の波長λ 1 は620
〜660nmの範囲であり、前記第2のレーザ光の波長
λ 2 は760〜800nmの範囲であるり、前記第1の
半導体レーザと前記第2の半導体レーザとの距離Z 0
0.1〜0.5mmの範囲であり、前記第1の半導体レー
ザと前記光検出手段との距離Z 1 は0.50〜2.2mm
の範囲であり、前記ホログラムのピッチpは1.5〜3
5μmの範囲であり、前記第1の半導体レーザと前記ホ
ログラムとの距離Lは3〜25mmの範囲であることを
特徴とする請求項1乃至請求項4記載の光ピックアップ
装置。
5. The wavelength λ 1 of said first laser beam is 620
660 nm, and the wavelength of the second laser light.
λ 2 is in the range of 760 to 800 nm,
The distance Z 0 between the semiconductor laser and the second semiconductor laser is
0.1 to 0.5 mm, wherein the first semiconductor laser
Distance Z 1 between THE and the light detecting means 0.50~2.2mm
And the pitch p of the hologram is 1.5-3.
5 μm, and the first semiconductor laser and the
That the distance L to the program is in the range of 3 to 25 mm
5. The optical pickup according to claim 1, wherein
apparatus.
【請求項6】 前記第1のレーザ光の波長λ 1 は350
〜550nmの範囲であり、前記第2のレーザ光の波長
λ 2 は620〜660nmの範囲であり、前記第1の半
導体レーザと前記第2の半導体レーザとの距離Z 0 は0.
1〜0.5mmの範囲であり、前記第1の半導体レーザ
と前記光検出手段との距離Z 1 は0.3〜1.5mmの範
囲であり、前記ホログラムのピッチpは3〜12μmの
範囲であり、前記第1の半導体レーザと前記ホログラム
との距離Lは3〜15mmの範囲であることを特徴とす
る請求項1乃至請求項4記載の光ピックアップ装置。
6. The wavelength λ 1 of said first laser beam is 350
550 nm, and the wavelength of the second laser light.
λ 2 is in the range of 620 to 660 nm, and the first half
The distance Z 0 between the conductor laser and the second semiconductor laser is 0.3.
The first semiconductor laser having a range of 1 to 0.5 mm;
The distance Z 1 is range of 0.3~1.5mm and said light detecting means and
And the hologram pitch p is 3 to 12 μm.
The first semiconductor laser and the hologram
Is within a range of 3 to 15 mm.
5. The optical pickup device according to claim 1, wherein:
【請求項7】 前記第1のレーザ光の波長λ 1 は350
〜550nmの範囲であり、前記第2のレーザ光の波長
λ 2 は760〜800nmの範囲であり、前記第1の半
導体レーザと前記第2の半導体レーザとの距離Z 0 は0.
1〜0.5mmの範囲であり、前記第1の半導体レーザ
と前記光検出手段との距離Z 1 は0.2〜1.0mmの範
囲であり、前記ホログラムのピッチpは5〜12μmの
範囲であり、前記第1の半導体レーザと前記ホログラム
との距離Lは2〜15mmの範 囲であることを特徴とす
る請求項1乃至請求項4記載の光ピックアップ装置。
7. The wavelength λ 1 of said first laser beam is 350
550 nm, and the wavelength of the second laser light.
λ 2 is in the range of 760 to 800 nm, and the first half
The distance Z 0 between the conductor laser and the second semiconductor laser is 0.3.
The first semiconductor laser having a range of 1 to 0.5 mm;
The distance Z 1 is range of 0.2~1.0mm and said light detecting means and
And the pitch p of the hologram is 5 to 12 μm.
The first semiconductor laser and the hologram
To the distance L is characterized by a range of 2~15mm with
5. The optical pickup device according to claim 1, wherein:
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