JP3286124B2 - Alignment apparatus and method - Google Patents

Alignment apparatus and method

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JP3286124B2
JP3286124B2 JP19405295A JP19405295A JP3286124B2 JP 3286124 B2 JP3286124 B2 JP 3286124B2 JP 19405295 A JP19405295 A JP 19405295A JP 19405295 A JP19405295 A JP 19405295A JP 3286124 B2 JP3286124 B2 JP 3286124B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、所望の位置に基板上の
複数の領域を順にアライメントする位置合せ装置および
方法に関し、特には、半導体製造用のステップアンドリ
ピートタイプの露光装置において、半導体ウエハ上のい
くつかのショット領域に関連する位置もしくは位置エラ
ーを計測し、これらからウエハ上の各ショット領域のシ
ョット配列を決定し、この決定されたショット配列を用
いてレチクルに関連する位置にウエハ上の各ショット領
域を順にアライメントする位置合せ装置および方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an alignment apparatus and method for sequentially aligning a plurality of regions on a substrate at desired positions, and more particularly, to a step-and-repeat type exposure apparatus for manufacturing semiconductors. The position or position error related to the above several shot areas is measured, the shot arrangement of each shot area on the wafer is determined from these, and the determined shot arrangement is used to position the shot on the wafer at a position related to the reticle. And an alignment apparatus for sequentially aligning the shot areas.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造用のステップアンドリピート
タイプの露光装置、いわゆるステッパにおいて、半導体
ウエハ上のいくつかのショット領域に関連する位置もし
くは位置エラーを計測し、これらからウエハ上の各ショ
ット領域のショット配列を決定し、この決定されたショ
ット配列を用いてレチクルに関連する位置にウエハ上の
各ショット領域を順にアライメントする技術は、例えば
特開昭63−232321号公報に開示されている。
2. Description of the Related Art In a step-and-repeat type exposure apparatus for manufacturing a semiconductor, a so-called stepper, a position or position error relating to several shot areas on a semiconductor wafer is measured, and each shot area on the wafer is measured from these. A technique for determining a shot arrangement and sequentially aligning each shot area on a wafer at a position related to a reticle using the determined shot arrangement is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-232321.

【0003】かかるアライメント技術においては、従
来、基板のサイズに対して、1度に露光できる露光サイ
ズが小さいため、1枚の基板に配置できるショットの数
を十分に確保することができる。よって一定の精度を保
つために、計測するショットを一定数だけ確保すること
が容易であり、また、計測領域を偏りなく選択すること
も可能であった。
In such an alignment technique, conventionally, the exposure size that can be exposed at one time is smaller than the size of the substrate, so that the number of shots that can be arranged on one substrate can be sufficiently ensured. Therefore, in order to maintain a certain precision, it is easy to secure a certain number of shots to be measured, and it is also possible to select a measurement area without bias.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし近年、スループ
ットを上げる目的で、露光サイズを大きくし、ショット
数を減らすことが検討されてきており、必然的に基板上
のショット数が少なくなってきている。このため、アラ
イメント計測に必要な計測領域数を確保することが困難
になり、また、計測領域に偏りも生じてきている。
However, in recent years, it has been studied to increase the exposure size and reduce the number of shots in order to increase the throughput, and the number of shots on the substrate is inevitably reduced. . For this reason, it is difficult to secure the number of measurement areas required for alignment measurement, and the measurement areas are also biased.

【0005】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、位置合せ装置または方法において、位置合
せの対象となる全体の領域数が少なくても常に高精度な
アライメントができるようにすることにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a positioning apparatus or method which can always perform high-precision alignment even when the number of entire regions to be aligned is small. Is to do.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明では上記の目的を
達成するため、各領域にはその領域と一定の位置関係に
ありかつその領域の複数の位置合せ方向にそれぞれ対応
する複数のマークが非対称的に付随した複数の領域が、
それらの配列位置を規定する所定の配列位置データに従
って形成された基板上の前記複数領域のうちのいくつか
を選択し、選択した各領域を前記配列位置データに従っ
て順次所定位置に位置決めしてその前記マークの位置を
検出することにより前記配列位置データに対する前記各
位置合せ方向の補正位置データを得、そしてこの補正位
置データおよび前記配列位置データに基づいて前記複数
領域を順次所望の位置に位置合せする装置または方法に
おいて、前記各位置合せ方向ごとに別個独立に前記領域
を選択して前記補正位置データを得るようにしている。
According to the present invention, in order to achieve the above object, each area has a plurality of marks which have a fixed positional relationship with the area and respectively correspond to a plurality of alignment directions of the area. Asymmetrically attached regions
Selecting some of the plurality of regions on the substrate formed according to predetermined array position data defining their array position, positioning each selected region sequentially at a predetermined position according to the array position data, By detecting the position of the mark, corrected position data in the respective alignment directions with respect to the array position data is obtained, and the plurality of regions are sequentially aligned to a desired position based on the corrected position data and the array position data. In the apparatus or the method, the area is selected independently for each of the alignment directions to obtain the corrected position data.

【0007】[0007]

【作用】従来、選択される領域は1通りであり、位置が
検出されるマークは各選択領域に付随した各位置合せ方
向のマークが使用され、そして各選択領域のマークが非
対称的に付随しているため、位置合せの対象となる領域
が少ない場合は、一方の位置合せ方向に対して適した位
置のマークを検出できるように領域を選択すると、他方
の位置合せ方向に対しては全体として偏った不適切な位
置のマークしか使用することができなかったり、また領
域の一部が欠ける場合があるときはそのような領域のマ
ークを使用できないといった不都合がある。しかしなが
ら、本発明では、各位置合せ方向ごとに別個独立に領域
を選択するため、前記他方の位置合せ方向については、
その方向の位置合せに適した分布のマークが使用できる
ように領域が選択される。
Conventionally, only one area is selected, and a mark whose position is detected is a mark in each alignment direction attached to each selected area, and a mark of each selected area is asymmetrically attached. Therefore, if the area to be aligned is small, select an area so that a mark at a position suitable for one of the alignment directions can be detected. There are inconveniences such that only a mark at a biased and inappropriate position can be used, or a mark in such a region cannot be used when a part of the region may be missing. However, in the present invention, since the region is selected independently for each alignment direction, for the other alignment direction,
The area is selected so that marks with a distribution suitable for alignment in that direction can be used.

【0008】[0008]

【実施例】図1は本発明の一実施例に係る位置合せ装置
を適用した露光装置の要部概略を示すブロック図であ
る。同図において、1はレチクR上のパターンをウエハ
W上に投影する投影光学系である。2はレチクルRおよ
び投影光学系1を介してウエハW上の位置合せ用のマー
クMを照明する位置合せ用照明器具、3は照明器具2と
レチクルRとの間に配置されたビームビームスプリッ
タ、4はビームスプリッタ3によって反射されるマーク
Mからの光を受光してマークMの像を結像する結像光学
系であり、これらにより位置合せ光学系Sを構成してい
る。5は結像光学系4によって結像される像を撮像する
撮像装置、6は撮像装置5からの画像信号をA/D変換
するA/D変換装置、7はA/D変換装置6からの2次
元画像信号を積算して1次元のディジタル信号に変換す
る積算装置、8は積算装置7からの1次元ディジタル信
号と予め記憶しておいたテンプレートパターンとのパタ
ーンマッチングによりマークMの位置を検出する位置検
出装置、11はウエハWが保持されるXYステージ、1
0はXYステージを駆動するステージ駆動装置、13は
特徴量抽出装置、9はステージ駆動装置10、位置検出
装置8、特徴量抽出装置13等を制御するCPU、12
はCPU9に接続された記憶装置である。
FIG. 1 is a block diagram schematically showing a main part of an exposure apparatus to which an alignment apparatus according to one embodiment of the present invention is applied. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a projection optical system that projects a pattern on a reticle R onto a wafer W. 2 is a positioning illuminator for illuminating the alignment mark M on the wafer W via the reticle R and the projection optical system 1, 3 is a beam beam splitter disposed between the illuminator 2 and the reticle R, Reference numeral 4 denotes an image forming optical system that receives light from the mark M reflected by the beam splitter 3 and forms an image of the mark M. These components constitute a positioning optical system S. An imaging device 5 captures an image formed by the imaging optical system 4, an A / D conversion device 6 that A / D converts an image signal from the imaging device 5, and a reference numeral 7 from the A / D conversion device 6. An integrating device 8 integrates a two-dimensional image signal and converts it into a one-dimensional digital signal. An integrating device 8 detects the position of the mark M by pattern matching between the one-dimensional digital signal from the integrating device 7 and a template pattern stored in advance. A XY stage 11 for holding a wafer W;
0 is a stage driving device for driving the XY stage, 13 is a feature amount extracting device, 9 is a CPU for controlling the stage driving device 10, the position detecting device 8, the feature amount extracting device 13 and the like, 12
Is a storage device connected to the CPU 9.

【0009】ウエハW上には、図2に示すように、各シ
ョット位置にはそのショット位置と一定の位置関係にあ
りかつその領域の位置合せ方向X,Yにそれぞれ対応す
る複数のマーク(M1x,M1y等)が非対称的に付随
した複数のショット領域S1,S2,S3・・・ が、それ
らの配列位置を規定する所定の配列位置データに従って
予め本露光装置により形成されている。
On the wafer W, as shown in FIG. 2, each shot position has a plurality of marks (M1x) having a fixed positional relationship with the shot position and corresponding to the alignment directions X and Y of the area. , M1y) are preliminarily formed by the main exposure apparatus in accordance with predetermined arrangement position data defining the arrangement positions of the shot areas S1, S2, S3,...

【0010】この構成において、不図示のウエハ搬送装
置により、ウエハWがXYステージ11に置かれると、
CPU9は図2で示す1番目の計測ショットS1に形成
されている位置合せ用マークM1xが、位置合せ光学系
Sの視野範囲内に位置するようにステージ駆動装置10
に対してコマンドを送り、XYステージ11を駆動す
る。ここで、非露光光を照射する位置合せ用照明手段2
より照射された光束は、ビームスプリッタ3、レチクル
Rおよび投影光学系1を介して、位置合せ用マークM1
xを照明する。ウエハマークM1xから反射した光束
は、再度、投影光学系1、およびレチクルRを介してビ
ームスプリッタ3に到達し、ここで反射して結像光学系
4を介して撮像装置5の撮像面上にウエハマークM1x
の像WMを形成する。
In this configuration, when the wafer W is placed on the XY stage 11 by a wafer transfer device (not shown),
The CPU 9 controls the stage driving device 10 so that the alignment mark M1x formed on the first measurement shot S1 shown in FIG.
, And drives the XY stage 11. Here, positioning illumination means 2 for irradiating non-exposure light
The radiated light beam passes through the beam splitter 3, the reticle R, and the projection optical system 1, and passes through the alignment mark M1.
Illuminate x. The light beam reflected from the wafer mark M1x reaches the beam splitter 3 again via the projection optical system 1 and the reticle R, is reflected there, and is reflected on the imaging surface of the imaging device 5 via the imaging optical system 4. Wafer mark M1x
Is formed.

【0011】マークM1xの像は撮像装置5において光
電変換され、A/D変換装置6において2次元のディジ
タル信号列に変換される。積算装置7はA/D変換装置
6によりディジタル信号化されたウエハマーク像WMに
対して処理ウインドウWpを設定し、該ウインドウ内に
おいて、y方向に移動平均処理を行ない、2次元画像信
号を1次元のディジタル信号列S(x)に変換する。
The image of the mark M1x is photoelectrically converted in the image pickup device 5, and is converted into a two-dimensional digital signal sequence in the A / D converter 6. The integrator 7 sets a processing window Wp for the wafer mark image WM digitized by the A / D converter 6 and performs a moving average process in the y direction in the window to convert the two-dimensional image signal into one. It is converted into a dimensional digital signal sequence S (x).

【0012】積算装置7から出力される1次元のディジ
タル信号列S(x)に対し、位置検出装置8は、パター
ンマッチングを行ない、テンプレートパターンとのマッ
チ度が最も高いS(x)のアドレス位置をCPU9に対
して出力する。この出力信号は撮像装置5の撮像面を基
準としたマーク位置であるため、CPU9は、予め不図
示の方法により求められている撮像装置5とレチクルR
との相対的な位置からウエハマークM1xのレチクルR
に対する位置ax1を計算により求める。これにより1
番目の計測ショットのx方向の位置ずれ量が計測された
ことになる。
The position detector 8 performs pattern matching on the one-dimensional digital signal sequence S (x) output from the accumulator 7, and determines the address position of S (x) having the highest degree of matching with the template pattern. Is output to the CPU 9. Since this output signal is a mark position based on the imaging surface of the imaging device 5, the CPU 9 determines whether the imaging device 5 and the reticle R are determined in advance by a method (not shown).
Relative to the reticle R of the wafer mark M1x
Is obtained by calculation. This gives 1
This means that the displacement amount in the x direction of the second measurement shot has been measured.

【0013】次にCPU9は、1番目の計測ショットの
y方向計測用マークM1yが、y方向用位置合せ光学系
の視野範囲に入るようXYステージ11を駆動する。こ
こでx方向と同様な手順でy方向の位置ずれ量を計測す
る。
Next, the CPU 9 drives the XY stage 11 so that the y-direction measurement mark M1y of the first measurement shot falls within the field of view of the y-direction positioning optical system. Here, the displacement amount in the y direction is measured in the same procedure as in the x direction.

【0014】以上で、1番目の計測ショットS1での計
測が終了したことになる。次にCPU9は、2番目の計
測ショットS2のx方向計測用マークM2xが、位置合
せ光学系の視野範囲に入るようXYステージ11を移動
し、1番目と同様な手順でx,y方向の位置ずれ量を計
測する。
Thus, the measurement in the first measurement shot S1 has been completed. Next, the CPU 9 moves the XY stage 11 so that the x-direction measurement mark M2x of the second measurement shot S2 falls within the field of view of the positioning optical system, and moves in the x and y directions in the same procedure as the first. Measure the amount of deviation.

【0015】以下、S1と同様に、S2,S3,S4,
・・・・・・S24というように、ウエハW上に形成されてい
る計測ショットについて、そのx方向ずれとy方向ずれ
量を計測する。ここで示すショットは、ウエハW1上の
全ショットであっても、予め指定したショットのみで行
なっても構わない。
Hereinafter, similarly to S1, S2, S3, S4,
As in S24, the displacements in the x and y directions of the measurement shots formed on the wafer W are measured. The shots shown here may be all shots on the wafer W1, or may be performed only with shots designated in advance.

【0016】図2に示すように、ウエハ上に数多くのシ
ョットが存在する場合には、ほとんどの計測ショットで
X,Yの各マークを計測することが可能なため、ウエハ
上に均一に分布した計測ショットを、アライメントに十
分な数だけ確保することができる。
As shown in FIG. 2, when a large number of shots are present on the wafer, each of the X and Y marks can be measured in most of the measurement shots. A sufficient number of measurement shots can be secured for alignment.

【0017】しかし画角が大きくなり、ウエハ上に形成
されるショット数が少なくなると、必然的にX、Y両マ
ークを計測できるショットが少なくなり、かつそのショ
ットはウエハ上に均一に配置されなくなるため、アライ
メント精度の点で不利になってしまう。
However, when the angle of view increases and the number of shots formed on the wafer decreases, the number of shots that can measure both X and Y marks inevitably decreases, and the shots are not uniformly arranged on the wafer. This is disadvantageous in terms of alignment accuracy.

【0018】そこで、従来はX,Y両方向のマークの計
測ができることが必須であった計測ショットを、Xマー
クを計測するショットとYマークを計測するショットと
に分離し、独立に選択できるような機能を設けることに
すれば、上記のような問題点を解消することができる。
その例を図3および図4に示す。
In view of the above, a measurement shot which conventionally required measurement of marks in both X and Y directions has been separated into a shot for measuring an X mark and a shot for measuring a Y mark. By providing the function, the above-described problem can be solved.
The example is shown in FIG. 3 and FIG.

【0019】図3はXマークのみをアライメントに用い
るショットを選択した例を示し、図4はYマークのみを
アライメントに用いるショットを選択した例を示す。こ
れらの図において、410はウエハ、420は低倍率ス
テッパにより形成されたショット領域、430は高倍率
ステッパにより形成されたショット領域、450は仮想
円、460はX方向位置合せ用に使用するマーク、47
0はY方向位置合せ用に使用するマークである。図3、
図4共に、各マークはある程度均一にウエハ上に分布し
ているが、図3でYマークを、図4でXマークを同一シ
ョットで選択することを考えると、各々計測できないマ
ークができてしまうため計測数が減るばかりでなく、均
一にマークを分布させることもできなくなってしまう。
FIG. 3 shows an example in which a shot using only the X mark for alignment is selected, and FIG. 4 shows an example in which a shot using only the Y mark for alignment is selected. In these figures, 410 is a wafer, 420 is a shot area formed by a low magnification stepper, 430 is a shot area formed by a high magnification stepper, 450 is a virtual circle, 460 is a mark used for X-direction alignment, 47
0 is a mark used for Y-direction alignment. FIG.
In each of FIGS. 4A and 4B, each mark is distributed to some extent uniformly on the wafer. However, considering that the Y mark in FIG. 3 and the X mark in FIG. This not only reduces the number of measurements, but also makes it impossible to distribute the marks uniformly.

【0020】ここで、XまたはYマークをそれぞれ計測
するショットをXおよびYマークごとに独立して選択す
る際の考え方について述べる。あるショット配列におけ
る露光精度は通常、数1式で表せると考えられる。
Here, the concept of independently selecting the shot for measuring the X or Y mark for each of the X and Y marks will be described. It is generally considered that the exposure accuracy in a certain shot arrangement can be expressed by Expression 1.

【0021】[0021]

【数1】 しかしこれをX、Y方向で独立に考えることにすると、
数2式のように定義することができる。
(Equation 1) However, if we consider this independently in the X and Y directions,
Equation 2 can be defined.

【0022】[0022]

【数2】 したがって、露光精度3σ expは数3式で表すことがで
きる。
(Equation 2) Therefore, the exposure accuracy 3σ exp can be expressed by Expression 3.

【0023】[0023]

【数3】 この式は、Xマークの計測ショットから求まるショット
配列評価値とXマークの補正値を求め、Yマークの計測
ショットから求まるショット配列評価値とYの計測値か
らYの補正値が求まることを示している。よって、X、
Yマークを独立に計測した場合でも、従来の補正方法を
X、Yそれぞれに適用すれば良いことがわかる。つま
り、Xマークのみ検出する計測ショット(図3の斜線
部)を従来と同じ方法で選択してX方向の補正値を決定
し、さらにYマークのみ検出する計測ショット(図4の
斜線部)を従来と同じ方法で選択してY方向の補正値を
決定すればよい。
(Equation 3) This equation shows that the shot array evaluation value obtained from the X mark measurement shot and the X mark correction value are obtained, and the Y correction value is obtained from the shot array evaluation value obtained from the Y mark measurement shot and the Y measurement value. ing. Thus, X,
It can be seen that the conventional correction method may be applied to each of X and Y even when the Y mark is measured independently. In other words, a measurement shot for detecting only the X mark (shaded area in FIG. 3) is selected in the same manner as in the prior art to determine a correction value in the X direction, and a measurement shot for detecting only the Y mark (shaded area in FIG. 4) is selected. What is necessary is just to select in the same way as before and determine the correction value in the Y direction.

【0024】またこの考え方を進めると、1つのショッ
ト内には複数のアライメントマークが存在するかまたは
設けることが可能であるため、ショットに依存しないで
アライメントマークの位置のみに着目し、ショットでな
くマークを選択することで、より均一な分布のアライメ
ントマークをX、Y独立に選択することも可能になる。
According to this concept, since a plurality of alignment marks can exist or be provided in one shot, attention is paid only to the position of the alignment mark without depending on the shot. By selecting a mark, it is also possible to independently select X and Y alignment marks having a more uniform distribution.

【0025】[0025]

【発明の効果】本発明によれば、位置合せ対称となる領
域数が少ない場合、例えばショット数の少ないウエハを
アライメントする場合でも、常に高精度なアライメント
を行なうことができる。
According to the present invention, high-precision alignment can always be performed even when the number of alignment-symmetric regions is small, for example, when aligning a wafer having a small number of shots.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施例に係る位置合せ装置を適用
した露光装置の要部概略を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram schematically showing a main part of an exposure apparatus to which an alignment apparatus according to one embodiment of the present invention is applied.

【図2】 図1の装置で計測するサンプル位置を示す平
面図である。
FIG. 2 is a plan view showing sample positions measured by the apparatus of FIG.

【図3】 図1の装置により、ショット数が少ない時の
X方向の位置合せ用マークを計測するサンプル位置を示
す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing sample positions for measuring alignment marks in the X direction when the number of shots is small by the apparatus of FIG. 1;

【図4】 図1の装置により、ショット数が少ない時の
Y方向の位置合せ用マークを計測するサンプル位置を示
す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing sample positions for measuring alignment marks in the Y direction when the number of shots is small by the apparatus of FIG. 1;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:投影光学系、2:位置合せ用照明器具、3:ビーム
スプリッタ、4:結像光学系、5:撮像装置、6:A/
D変換装置、7:積算装置、8:位置検出装置、9:C
PU、10:ステージ駆動装置、11:XYステージ、
12:記憶装置。
1: Projection optical system, 2: Positioning illumination device, 3: Beam splitter, 4: Imaging optical system, 5: Imaging device, 6: A /
D conversion device, 7: integration device, 8: position detection device, 9: C
PU, 10: Stage drive, 11: XY stage,
12: Storage device.

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 9/00 Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 G03F 9/00

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 各領域にはその領域と一定の位置関係に
ありかつその領域の複数の位置合せ方向にそれぞれ対応
する複数のマークが非対称的に付随した複数の領域が、
それらの配列位置を規定する所定の配列位置データに従
って形成された基板を駆動する手段と、前記マークの位
置を検出する手段と、前記複数領域のうちのいくつかを
選択し、選択した各領域を前記駆動手段により前記配列
位置データに従って順次所定位置に位置決めしてその前
記マークの位置を前記検出手段によって検出することに
より前記配列位置データに対する前記各位置合せ方向の
補正位置データを得、そしてこの補正位置データおよび
前記配列位置データに基づいて前記駆動手段により前記
複数領域を順次所望の位置に位置合せする制御手段とを
備えた位置合せ装置において、前記制御手段は、前記各
位置合せ方向ごとに別個独立に前記領域を選択して前記
補正位置データを得るものであることを特徴とする位置
合せ装置。
1. A plurality of regions each having a fixed positional relationship with the region and asymmetrically accompanied by a plurality of marks respectively corresponding to a plurality of alignment directions of the region.
Means for driving a substrate formed in accordance with predetermined array position data defining those array positions; means for detecting the position of the mark; selecting some of the plurality of regions; and selecting each selected region The drive unit sequentially positions the mark at a predetermined position in accordance with the arrangement position data, and the position of the mark is detected by the detection unit to obtain corrected position data in the respective alignment directions with respect to the arrangement position data. A control unit for sequentially positioning the plurality of regions at desired positions by the driving unit based on the position data and the array position data, wherein the control unit is separately provided for each of the alignment directions. An alignment apparatus, wherein the correction position data is obtained by independently selecting the area.
【請求項2】 各領域にはその領域と一定の位置関係に
ありかつその領域の複数の位置合せ方向にそれぞれ対応
する複数のマークが非対称的に付随した複数の領域が、
それらの配列位置を規定する所定の配列位置データに従
って形成された基板上の前記複数領域のうちのいくつか
を選択し、選択した各領域を前記配列位置データに従っ
て順次所定位置に位置決めしてその前記マークの位置を
検出することにより前記配列位置データに対する前記各
位置合せ方向の補正位置データを得、そしてこの補正位
置データおよび前記配列位置データに基づいて前記複数
領域を順次所望の位置に位置合せする方法において、前
記各位置合せ方向ごとに別個独立に前記領域を選択して
前記補正位置データを得ることを特徴とする位置合せ方
法。
2. A plurality of regions each having a fixed positional relationship with the region and asymmetrically associated with a plurality of marks respectively corresponding to a plurality of alignment directions of the region.
Selecting some of the plurality of regions on the substrate formed according to predetermined array position data defining their array position, positioning each selected region sequentially at a predetermined position according to the array position data, By detecting the position of the mark, corrected position data in the respective alignment directions with respect to the array position data is obtained, and the plurality of regions are sequentially aligned to a desired position based on the corrected position data and the array position data. The method according to claim 1, wherein the correction position data is obtained by selecting the area independently for each of the alignment directions.
JP19405295A 1995-07-07 1995-07-07 Alignment apparatus and method Expired - Fee Related JP3286124B2 (en)

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