JP3284510B2 - 光時分割分離回路 - Google Patents

光時分割分離回路

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秀彦 高良
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、超高速光通信に利用す
る。本発明は、光中継器、光端局装置、その他光回路
で、超高速光パルス列から所望のタイムスロットの信号
光を分離するために利用する。
【0002】
【従来の技術】図6は従来例の光時分割分離回路を示す
ブロック構成図である。この光時分割分離回路は、信号
光パルス入射ポート601、制御光パルス発生器60
2、位相シフタ603、光合波器604、進行波型半導
体レーザ増幅器605、光フィルタ606、光出力ポー
ト607を備える。信号光パルスは、信号光パルス入射
ポート601から光合波器604に入射する。一方、制
御光パルス発生器602の発生した制御光パルスは、位
相シフタ603を通して光合波器604の他方の入力ポ
ートに入射する。光合波器604は信号光パルスと制御
光パルスとを合波し、進行波型半導体レーザ増幅器60
5に入力する。
【0003】図7は進行波型半導体レーザ増幅器605
の動作を説明する図であり、(a)は入射する信号光の
波長λsig と制御光の波長λcontとの関係、(b)は出
力される信号光、制御光および4光波混合出力のそれぞ
れの波長λsig 、λcont、λFWM の関係を示す。進行波
型半導体レーザ増幅器605に信号光パルスと制御光パ
ルスとを同時に入射すると、両者の相関に相当する4光
波混合光が新たな波長λFWM において発生する。ただ
し、 1/λFWM =2/λsig −1/λcont または、 1/λFWM =2/λcont−1/λsig である。この現象は非線形光学現象であり、4光波混合
出力として、信号光パルスと制御光パルスとの積演算に
相当する出力が得られる。4光波混合の詳細について
は、例えば、 文献1:石尾他、「光増幅器とその応用」、オーム社
刊、pp.69−72 に述べられている。
【0004】進行波型半導体レーザ増幅器での4光波混
合の発生機構としては、大別して二種類の効果が関与し
ていることが知られている。ひとつは進行波型半導体レ
ーザ増幅のキャリア変調効果であり、もうひとつはスペ
クトルホールバーニングなどの非線形利得効果である。
キャリア変調効果は二つの光波の光周波数差(ビート)
でキャリアが変調されることで生じる効果であり、効果
自体は大きいが応答速度が1ns程度と比較的遅く、信
号光と制御光との波長差(光の周波数差)が比較的小さ
い(100GHz以下)領域で支配的な効果を示す。一
方、非線形利得効果は、効果自体は前者に比べて小さい
が応答速度は1ps以下と高速であり、信号光と制御光
との周波数差が100GHz以上の領域で前者を上回っ
て支配的となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】進行波型半導体レーザ
増幅器の4光波混合を利用して超高速信号の多重分離を
行うには、キャリア変調効果の影響が現れないように、
波長差を十分に大きくとることが望ましい。波長差が小
さい場合には、応答速度が通常は数GHz程度と比較的
低速なキャリア変調効果が影響するため、数10Gbi
t/sもの超高速信号の多重分離を行う場合に隣のビッ
トからの漏話が生じてしまう。
【0006】しかし、進行波型半導体レーザ増幅器内に
おける4光波混合の変換効率は、信号光パルスと制御光
パルスとの波長差が大きくなるにつれて、指数関数的に
減少してしまう。このため従来は、信号光パルスと制御
光パルスとの波長差が5nm未満に設定されていた。例
えば、 文献2:R.Ludwig and G.Raybon: "All-optical demult
iplexing using ultrafast four-wave-mixing in a sem
iconductor laser amplifier at 20Gbit/s", inTech.di
gest of European Conference on Optical Communicati
ons(ECOC) '93,vol.3, pp.57-60 においては、信号光パルスと制御光パルスとの波長差を
3.6nm(約400GHz)としている。
【0007】本発明は、以上の課題を解決し、波長差を
大きくしてキャリア変調効果の影響を低減し、その一方
で波長差を大きくしたことによる4光波混合の効率の低
下を改善した光時分割分離回路を提供することを目的と
する。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の光時分割分離回
路は、信号光パルスと制御光パルスとを合波する光合波
手段と、この合波した光が供給される進行波型半導体レ
ーザ増幅器と、この進行波型半導体レーザ増幅器で発生
した4光波混合光を波長により分離する光分波手段とを
備えた光時分割分離回路において、信号光パルスと制御
光パルスとの波長間隔が5nm以上に設定され、信号光
パルスと制御光パルスとはその少なくとも一方がトラン
スフォームリミットな光パルス(以下「TLパルス」と
いう)であることを特徴とする。
【0009】ここで「トランスフォームリミットな光パ
ルス」または「TLパルス」とは、与えられた時間パル
ス波形をフーリエ変換して得られるパワースペクトルを
もつパルスであり、同じパルス幅を有する一般の光パル
スの中で最も帯域幅が狭いものをいう。TLパルスはチ
ャーピングやサイドバンドなどの不要なスペクトル成分
を含まず、4光波混合のようにパルスの位相整合が必要
とされる場合に最もふさわしいパルスである。TLパル
スを発生する方法としては、文献3に記載された半導体
レーザの利得変調法、文献4に記載された電界吸収変調
器を用いる方法、文献5〜7に記載されたモード同期レ
ーザを用いる方法などがある。 文献3:A.Takada, T.Sugie and M.Saruwatari, "High-
speed picosecond optical compression from gain-swi
tched 1.3 mm distributed feedback-laser diode(DFB)
through highly dispersive single-mode fiber", IEE
E J. Lightwave Technol., vol.LT-5, pp.1525-1533, 1
987 文献4:M.Suzuki et al., "Transform-limited optica
l pulse generation upto 20 GHz repetition rate by
a sinusoidally driven InGaAsP electroabsorption mo
dulator", IEEE J. Lightwave Technol., vol.11, pp.4
68-473, 1993 文献5:H.Takara, S.Kawanishi, M.Saruwatari and K.
Noguchi, "Generation of highly stable 20 GHz Trans
form-limited optical pulses from actively mode-loc
ked Er3+-doped fibre lasers with an all polarizati
on-maintaining ring cavity", Electron.Lett. pp.209
5-2096, 1992 文献6:Y.K.Chen, M.C.Wu, T.Tanbun-Ek, R.A.Logan a
nd J.R.Simpson, "Monolithic colliding-pulse mode-l
ocked quantum well lasers", in Tech. digestof CLE
O'91, No.CWK3 pp.304-307
【0010】
【作用】4光波混合を発生させる信号光および制御光の
波長間隔を従来用いられていた波長間隔よりも広くし、
キャリア変調効果の影響を低減する。その一方で、信号
光および制御光の少なくとも一方にスペクトル幅広がり
が最小であるTLパルスを用い、キャリア変調効果の影
響が低減したことによる4光波混合の効率の低下を改善
する。
【0011】
【実施例】図1は本発明実施例の光時分割分離回路を示
すブロック構成図である。この光時分割分離回路は、信
号光パルスが入射する信号光パルス入射ポート101
と、この信号光パルスの繰り返し周波数の整数分の1に
等しい繰り返し周波数を有する制御光パルスを発生する
制御光パルス発生器102と、この制御光パルスが信号
光パルスの所定のタイムスロットに重なるようにそのパ
ルス位相を調整する位相シフタ103と、信号光パルス
と制御光パルスとを合波する光合波器104と、この合
波した光が供給される進行波型半導体レーザ増幅器10
5と、この進行波型半導体レーザ増幅器105で発生し
た4光波混合光を波長により分離する光フィルタ106
と、分離された4光波混合光を出力する光出力ポート1
07とを備える。ここで本実施例の特徴とするところ
は、信号光パルスと制御光パルスとの波長間隔が5nm
以上に設定され、信号光パルスと制御光パルスとはその
少なくとも一方がTLパルスであることにある。
【0012】信号光パルス入射ポート101に入射した
光信号パルスは、光合波器104に入射する。一方、制
御光パルス発生器102の発生した制御光パルスは、位
相シフタ103を通して光合波器104の他の入射ポー
トに入射し、信号光パルスと制御光パルスとが合波され
て進行波型半導体レーザ増幅器105に入射する。
【0013】図2は進行波型半導体レーザ増幅器105
の動作を説明する図であり、(a)は入射する信号光の
波長λsig と制御光の波長λcontとの関係、(b)は出
力される信号光、制御光および4光波混合出力のそれぞ
れの波長λsig 、λcont、λFWM の関係を示す。進行波
型半導体レーザ増幅器内における4光波混合を用いた従
来の多重分離実験においては、信号光パルスと制御光パ
ルスとの波長差が5nm未満に設定されていた。これ
は、すでに説明したように、進行波型半導体レーザ増幅
器内における4光波混合の変換効率が両光の波長差が大
となるにしたがって指数関数的に減少するために、信号
光パルスと制御光パルスとの波長差を5nm以上とする
と効率が低くなりすぎてしまうためであった。これに対
して本発明では、信号光と制御光との波長差を5nm以
上とし、4光波混合効率の問題を解決するために、信号
光パルスと制御光パルスとのいずれか一方もしくは双方
にTLパルスを用いる。
【0014】図3は信号光パルス、制御光パルスおよび
4光波混合出力のタイムチャートを示す。(a)は信号
光パルス、(b)は制御光パルス、(c)は4光波混合
光の分離出力である。進行波型半導体レーザ増幅器10
5内に信号光パルスと制御光パルスとを合波して入射す
ると、双方の時間位置が重なった箇所において、4光波
混合出力が得られる。図3の例では、制御光パルスと重
なるタイムスロットの信号光パルスI1 のタイミング
で、4光波混合出力が得られる。この4光波混合出力は
その波長が信号光パルスおよび制御光パルスのいずれと
も異なるので、光フィルタ106により波長分離するこ
とで、信号光パルスにより表される信号パルス列の一部
を時分割分離した出力が得られる。
【0015】図4は、信号光と制御光との波長差と、発
生する4光波混合出力のパワーとの関係を示す。この図
は、 文献7:J.Zhou et al., "Teraherz four-wave mixing
spectroscopy for studyof ultrafast dynamics in a s
emiconductor optical amplifier", Appl.Phys.Lett.,
vol.63, pp.1179-1181, 1993 に示されたものであり、二つの実線は非線形利得効果に
よる4光波混合出力、破線はキャリア変調効果による4
光波混合出力の理論値を示す。また、丸は実験値を示
す。文献7では信号光および制御光としてそれぞれ連続
発振光を用いているが、光パルスを用いた場合にも原理
的な差異はない。
【0016】進行波型半導体レーザ増幅器105内での
4光波混合の発生機構には、大別して2種類の効果が関
与していることが知られている。ひとつは進行波型半導
体レーザ増幅器内のキャリア変調効果であり、もうひと
つはスペクトルホールバーングなどの非線形利得効果で
ある。図4によれば、周波数差Δfが100GHz以下
ではキャリア変調効果が支配的なΔfの自乗に反比例す
る特性を示すのに対し、100GHz以上では特性がず
れて非線形利得効果が現れはじめていることがわかる。
超高速の多重分離回路においては、この二つの効果のう
ち、応答の遅いキャリア変調効果の影響を受けると、隣
のタイムスロットからの漏話などの影響を受けて多重分
離回路としての性能が劣化する。したがって、超高速の
多重分離で特性を劣化させないためには、少なくとも二
つの光の波長差を5nm(約600GHz)以上離して
キャリア変調効果の影響が現れないようにする必要があ
る。
【0017】図5は、信号光と制御光との波長差(光の
周波数差)を1THzとし、100Gbit/sの信号
を多重分離して6.3Gbit/sの信号を生成したと
きの符号誤り率特性の測定結果を示す。この図には、比
較のため、6.3Gbit/sの信号をそのまま通過さ
せたときの符号誤り率特性についても示す。多重分離を
行った場合には、実質的に誤りのないレベルが受信平均
光パワーが−29dBで得られ、これは多重分離を行わ
ない場合に比べて5dB高いだけであった。
【0018】このように、文献2に示された最高動作速
度が20Gbit/s(波長差は約400GHz)であ
ったのに比べ、本実施例では5倍の高速動作がはじめて
実現された。また、信号光パルスと制御光パルスとの双
方に上述の文献5に示された方法により生成したTLパ
ルスを用いることにより、進行波型半導体レーザ増幅器
内での4光波混合の変換効率として約4%の値が得ら
れ、このような構成としては非常に高い効率が実現され
た。
【0019】さらに、二つの光の周波数差が100GH
z以上離れた領域では、同じ周波数帯域を有する信号に
対する帯域内での4光波混合の変換効率の差が小さい利
点がある。図4を参照すると、信号の周波数帯域が片側
10GHzと仮定した場合、周波数差が10GHzのと
きには帯域内の変動(図4の10−20GHzの変動)
が約5dBであるのに対して、周波数差が100GHz
の場合には変動がほぼ零であり、時分割分離による波形
歪みのない多重分離動作が可能となる。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光時分割
分離回路は、進行波型半導体レーザ増幅器内の超高速非
線形利得効果による4光波混合を利用して、超高速時分
割多重信号の全光時分割分離を行うことができる。本発
明は小型でしかも超高速の動作を実現でき、超高速光通
信や光信号処理に利用して大きな効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明実施例の光時分割分離回路を示すブロッ
ク構成図。
【図2】進行波型半導体レーザ増幅器の動作を説明する
図。
【図3】信号光パルス、制御光パルスおよび4光波混合
出力のタイムチャート。
【図4】信号光と制御光との波長差と、発生する4光波
混合出力のパワーとの関係を示す図。
【図5】符号誤り率特性の測定結果を示す図。
【図6】従来例の光時分割分離回路を示すブロック構成
図。
【図7】進行波型半導体レーザ増幅器の動作を説明する
図。
【符号の説明】
101、601 信号光パルス入射ポート 102、602 制御光パルス発生器 103、603 位相シフタ 104、604 光合波器 105、605 進行波型半導体レーザ増幅器 106、606 光フィルタ 107、607 光出力ポート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高良 秀彦 東京都千代田区内幸町一丁目1番6号 日本電信電話株式会社内 (72)発明者 ジョン・マッシュ・ジェイコブ 東京都千代田区内幸町一丁目1番6号 日本電信電話株式会社内 (72)発明者 猿渡 正俊 東京都千代田区内幸町一丁目1番6号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平5−289124(JP,A) 特開 平5−2197(JP,A) 特開 平4−263228(JP,A) 特開 平5−224251(JP,A) M.JINNO et al.,Op tical sampling usi ng nondegenerate f our−wave mixing in a semiconductor l aser amplifier,ELE CTRONICS LETTERS, 1994年 9月 1日,Vol.30,N o.18,pp.1489−1491 K.KIKUCHI,et.al., Observation of Hig hly Nondegenerate Four−Wave Mixing i n 1.5μm Traveling− Wave Semiconduntor Optical ,IEEE JOU RNAL OF QUANTUM EL ECTRONICS,Vol.28,N o.1,pp.151−156 G.GROSSKOPF,et.a l.,FOUR−WAVE MIXIN G IN A SEMICONDUCT OR LASER AMPLIFIE R,ELECTRONICS LETT ERS,1988年 1月 7日,Vol. 24,No.1,pp.31−32 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/35 - 1/365 H01S 5/06 - 5/0687 H04J 14/08 JICSTファイル(JOIS)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 信号光パルスと制御光パルスとを合波す
    る光合波手段と、 この合波した光が供給される進行波型半導体レーザ増幅
    器と、 この進行波型半導体レーザ増幅器で発生した4光波混合
    光を波長により分離する光分波手段とを備えた光時分割
    分離回路において、 前記信号光パルスと前記制御光パルスとの波長間隔が5
    nm以上に設定され、 前記信号光パルスと前記制御光パルスとはその少なくと
    も一方がトランスフォームリミットな光パルスであるこ
    とを特徴とする光時分割分離回路。
JP18250094A 1994-08-03 1994-08-03 光時分割分離回路 Expired - Fee Related JP3284510B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
G.GROSSKOPF,et.al.,FOUR−WAVE MIXING IN A SEMICONDUCTOR LASER AMPLIFIER,ELECTRONICS LETTERS,1988年 1月 7日,Vol.24,No.1,pp.31−32
K.KIKUCHI,et.al.,Observation of Highly Nondegenerate Four−Wave Mixing in 1.5μm Traveling−Wave Semiconduntor Optical ,IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS,Vol.28,No.1,pp.151−156
M.JINNO et al.,Optical sampling using nondegenerate four−wave mixing in a semiconductor laser amplifier,ELECTRONICS LETTERS,1994年 9月 1日,Vol.30,No.18,pp.1489−1491

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