JP3266752B2 - Metal oxide film resistor - Google Patents

Metal oxide film resistor

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JP3266752B2 JP07151695A JP7151695A JP3266752B2 JP 3266752 B2 JP3266752 B2 JP 3266752B2 JP 07151695 A JP07151695 A JP 07151695A JP 7151695 A JP7151695 A JP 7151695A JP 3266752 B2 JP3266752 B2 JP 3266752B2
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【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、各種電気機器の回路を構成するのに広く用いられる金属酸化物皮膜抵抗器に関するものである。 The present invention relates to relates to a wide metal oxide film resistors used to construct the circuit of various electric appliances.

【0002】 [0002]

【従来の技術】金属酸化物皮膜抵抗器は、一般に図5に示すように、ムライトやアルミナ等の棒状の絶縁性基材1、その表面に形成された酸化スズもしくはアンチモン添加酸化スズ(ATO)の金属酸化物皮膜10、前記基材の両端に圧入された金属製のキャップ端子5と6、前記端子に溶接されたリード線7と8、および抵抗器の表面上に形成された保護膜9から構成されている。 BACKGROUND ART Metal oxide film resistor, typically As shown in FIG. 5, an insulating substrate 1 of the rod-like, such as mullite or alumina, tin oxide or antimony-doped tin oxide is formed on the surface (ATO) metal oxide film 10 of the cap terminals 5 and 6 at both ends by a metallic pressed into the substrate, the lead wire 7 and 8, which are welded to the terminal, and the resistor protective layer formed on the surface of 9 It is constructed from. 金属酸化物皮膜材料が酸化スズ単相からなるものは、比抵抗が大きく、抵抗の温度係数(TCR)も非常に大きいため、使用条件が大きく限定され、実用的ではない。 Which metal oxide coating material consists of a tin oxide single phase, the specific resistance is large, the temperature coefficient of resistance (TCR) is also very large, limited use conditions is large, not practical. この理由から、一般的には金属酸化物皮膜材料として、AT For this reason, in general, as the metal oxide coating material, AT
Oが実用化されている。 O have been put into practical use.

【0003】前記の金属酸化物皮膜抵抗器の製造方法は、一般にスプレー法や化学蒸着法(CVD)等の化学的製膜法によっている。 The preparation method of the metal oxide film resistor, are generally by spraying or chemical vapor deposition (CVD) chemical film forming method or the like. これらの方法においては、60 In these methods, 60
0〜800℃に加熱した炉中で、塩化第二スズと三塩化アンチモンを含む水溶液ないしは有機溶媒溶液の蒸気を、棒状の基材1に噴霧することにより、基材の表面上にATO膜(金属酸化物皮膜10)を形成する。 0 to 800 in an oven heated to ° C., a vapor of an aqueous solution or an organic solvent solution containing stannic and antimony chloride, by spraying the substrate 1 of the rod-like, ATO film on the surface of the substrate ( forming a metal oxide film 10). さらに、金属キャップ端子5、6を基材1の両端に圧入し、 Further, pressed metal cap terminals 5 and 6 at both ends of the substrate 1,
所望の抵抗値になるように基材1を回転させながらAT AT while rotating the substrate 1 to a desired resistance value
O膜の一部をダイアモンドカッタもしくはレーザでトリミングを行い、キャップ端子5、6にリード線7、8を溶接した後、樹脂製の保護膜9を形成することにより、 A part of the O film trims a diamond cutter or a laser, after welding the lead wire 7 and 8 the cap terminals 5 and 6, by forming a protective film 9 made of resin,
金属酸化物皮膜抵抗器を得る。 Obtaining a metal oxide film resistor. このようにして得られる金属酸化物皮膜抵抗器の完成抵抗値は、基材の大きさが一定であれば、ATO膜の膜厚とトリミングのターン数により異なるが、一般に10Ω〜100kΩである。 Finished resistance value of the metal oxide film resistor thus obtained, if the size of the substrate is constant, but varies depending on the number of turns the film thickness and the trimming of the ATO film is generally 10Omu~100keiomega.

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】上記の抵抗調整の手法に基づくと、完成抵抗値が100kΩ以上の金属酸化物皮膜抵抗器を得るためには、ATO膜の膜厚を薄くするか、ATO膜のトリミング間隔を狭くするという方法をとらなければならない。 Based on the technique of the resistance adjustment of the [0005], in order to complete the resistance value to obtain a more metal oxide film resistor 100kΩ, either reducing the thickness of the ATO film, ATO film It must take the method of narrowing the trimming interval. しかしながら、ATO膜の比抵抗は約1×10 -3 〜1×10 -2 Ω・cmであるため、抵抗値を高くするためには膜厚をかなり薄くしなければならない。 However, since the specific resistance of the ATO film is about 1 × 10 -3 ~1 × 10 -2 Ω · cm, in order to increase the resistance value must be fairly thin thickness. このとき、膜自身の歪や、膜全体に占める膜表面の空乏層の割合が増えるため、TCRが負の大きな値になりやすいという問題がある。 At this time, distortion and the film itself, the ratio of the depletion layer of the membrane surface in the entire film is increased, there is a problem that TCR is likely to be a large negative value.

【0005】また、ATO膜の初期抵抗値が低いために、最終抵抗値を100kΩ以上にしようとすると、レーザなどによるトリミングのターン数が多くなって、トリミングに非常に時間を要するとともに、トリミング間隔が狭くなりすぎて、物理的にトリミングできなくなってしまうという問題もある。 [0005] In order initial resistance value of the ATO film is low, when the final resistance to try more than 100 k.OMEGA, like an increasing number number of turns trimming by a laser, very together takes time to trimming, trimming interval becomes too narrow, physically there is also a problem that can no longer be trimmed. そして、以上のように、あまり膜厚を薄くしたり、トリミング間隔を狭くすると、 Then, as described above, or by reducing the much film thickness, and to narrow the trimming interval,
電気伝導の経路の断面積が減少するとともに、外界との接触面積が増え、電気的なストレスや湿度等により、水分や絶縁基材中のアルカリイオンの影響で、膜自身の抵抗値が変化してしまい、信頼性の高い金属酸化物皮膜抵抗器を得ることが困難であった。 With the cross-sectional area of ​​the path of electrical conductivity is reduced, increasing the contact area with the outside world by electrical stress and humidity, under the influence of alkali ions of the water and the insulating substrate in the resistance value of the film itself is changed and will, it is difficult to obtain a highly reliable metal oxide film resistor. 本発明は、上記課題を解決するもので、完成抵抗値が100kΩ以上で、抵抗温度係数が小さく、高信頼性の金属酸化物皮膜抵抗器を提供することを目的とする。 The present invention is intended to solve the above problems, in the finished resistance than 100 k.OMEGA, resistance temperature coefficient is small, and an object thereof is to provide a highly reliable metal oxide film resistor.

【0006】本発明の金属酸化物皮膜抵抗器は、 ムライ [0006] Metal oxide film resistor of the present invention, Murai
ト、アルミナ、コージェライト、フォルステライトおよ Door, alumina, cordierite, forsterite Hoyo
びステアタイトからなる群より選択される材料からなる Made from a material selected from the group consisting of fine steatite
絶縁性基材、前記基材上に設けられた酸化スズ、酸化インジウム、および酸化亜鉛からなる群より選択される少なくとも1種を主成分とする金属酸化物薄膜からなる抵抗皮膜、並びに前記絶縁性基材と前記抵抗皮膜との間に設けられた前記抵抗皮膜へのアルカリイオンの拡散を抑制する金属酸化物薄膜からなる絶縁皮膜を具備し、前記絶縁皮膜が酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、 Insulating substrate, tin oxide provided on the substrate, indium oxide, and at least one resistive film composed of a metal oxide film on the basis of selected from the group consisting of zinc oxide, and the insulating comprising an insulating film comprising the diffusion suppressing metal oxide thin film of alkali ions into the resistive film provided between the substrate and the resistive film, the insulating film is silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide,
および酸化ジルコニウムからなる群より選択される少なくとも1種を主成分とすることを特徴とする。 And characterized by a main component at least one member selected from the group consisting of zirconium oxide. また、本 In addition, the present
発明は、前記抵抗皮膜上に設けられた前記抵抗皮膜への Invention, to the resistive coating disposed on said resistive film
水分の侵入を抑制する金属酸化物薄膜からなる第2の絶 Second insulation comprising a moisture penetration of suppressing metal oxide thin film
縁皮膜をさらに具備し、第2の絶縁皮膜が酸化珪素、酸 Further comprising an edge coating, a second insulating film of silicon oxide, acid
化アルミニウム、酸化チタン、および酸化ジルコニウム Aluminum, titanium oxide, and zirconium oxide
からなる群より選択される少なくとも1種を主成分とす It is a main component at least one member selected from the group consisting of
る金属酸化物皮膜抵抗器を提供する。 Providing that the metal oxide film resistor.

【0007】ここで、前記基材上の金属酸化物薄膜から [0007] Here, a metal oxide thin film on the substrate
なる絶縁皮膜の膜厚は、前記基材の表面粗さよりも小であることが好ましい。 The film thickness of the composed insulation coating, it is not preferable is smaller than the surface roughness of the substrate.

【0008】 [0008]

【作用】絶縁性基材と金属酸化物抵抗皮膜の間に、金属酸化物絶縁皮膜を形成することにより、高抵抗化のために金属酸化物皮膜を薄膜化したことによる信頼性の低下の要因であるアルカリイオンの拡散を抑えることができる。 [Acting] between the insulating substrate and the metal oxide resistor film, by forming a metal oxide insulating film, a metal oxide film for the high resistance of the decrease in reliability due to the thinning factor diffusion of alkali ions can be suppressed is. また、金属酸化物抵抗皮膜上に、薄い金属酸化物絶縁皮膜を形成することにより、高抵抗化のために金属酸化物皮膜を薄膜化したことによる信頼性の低下のもう一つの要因である水分による前記抵抗皮膜の変質を抑えることができる。 The water on the metal oxide resistor film, by forming a thin metal oxide insulating film, which is another factor of the metal oxide film reduction in reliability due to the thinning for high resistance can by suppressing deterioration of the resistive film. このとき、金属酸化物絶縁皮膜の膜厚を、基材の表面粗さ(Ra)より薄くすることにより、 At this time, the thickness of the metal oxide insulating film, by reducing the surface roughness of the substrate (Ra),
金属酸化物抵抗皮膜とキャップ端子との接触が可能となり、両者を電気的に導通させるための特別な手段が不要となる。 It enables contact between the metal oxide resistor film and cap terminal, special means for electrically connecting both is not necessary. これらの金属酸化物絶縁皮膜の形成により、高抵抗化による信頼性の低下を抑えることができ、高抵抗で、信頼性の高い金属酸化物皮膜抵抗器を得ることができる。 The formation of these metal oxide insulating film, it is possible to suppress the decrease in reliability due to high resistance, a high resistance, it is possible to obtain a highly reliable metal oxide film resistor.

【0009】 [0009]

【実施例】図1は本発明の一実施例の金属酸化物皮膜抵抗器を示す。 [1 shows a metal oxide film resistor of an embodiment of the present invention. 絶縁性基材1、基材1上に形成された金属酸化物絶縁皮膜2、絶縁皮膜2上に形成された金属酸化物抵抗皮膜3、前記基材の両端に圧入された金属製のキャップ端子5、6、前記端子に溶接されたリード線7、 Insulating substrate 1, metal oxide insulating film 2 formed on substrate 1, an insulating film 2 formed on the metal oxide resistor film 3, metal caps terminal press-fitted into both ends of the base material 5,6, lead 7 welded to the terminal,
8、および抵抗器の表面に形成された保護膜9から構成されている。 8, and it is constituted from the resistor protective layer 9 formed on the surface of the. ここで、基材1は少なくとも表面上に絶縁性を有していればよく、ムライト、アルミナ、コージェライト、フォルステライト、 またはステアタイトから構成するのが好ましい。 Here, only to have an insulating property on the substrate 1 at least a surface, mullite, alumina, cordierite, that consist forsterite or steatite, preferred. また、絶縁皮膜2は、アルカリイオンの抵抗皮膜3への拡散を抑えるものであり、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、 または酸化ジルコ The insulating film 2, which suppress the diffusion of the resistive film 3 of alkali ions, silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide or zirconium,
ニウムを主成分とするものが好ましい。 As a main component of the chloride is preferred. さらに、抵抗皮膜3は、高い電気伝導性と高いキャリア濃度を有する材料で、酸化スズ、酸化インジウムまたは酸化亜鉛を主成分とするものが好ましい。 Furthermore, the resistance film 3, a material having a high electrical conductivity and high carrier concentration, tin oxide, is mainly composed of indium oxide or zinc oxide preferred. また、キャップ端子5、6は抵抗皮膜3とオーミックに接合されるものであればよく、また、リード線7、8もキャップ端子5、6にオーミックに接合されるものであればよい。 Further, as long as the cap terminals 5 and 6 is joined to the resistive film 3 and the ohmic also may be one also leads 7,8 are joined to the cap terminals 5 and 6 to the ohmic.

【0010】図2は参考例の金属酸化物皮膜抵抗器を示す。 [0010] Figure 2 illustrates a metal oxide film resistor of Reference Example. 絶縁性基材1上に金属酸化物抵抗皮膜3が形成され、その上に金属酸化物絶縁皮膜4が形成されている点が図1のものと異なる。 Metal oxide resistor film 3 is formed on the insulating substrate 1, that the metal oxide insulating film 4 is formed is different from that of FIG. 1 thereon. ここで、絶縁皮膜4は、水分等による抵抗皮膜3の変質を抑えるものであり、その材料には図1の絶縁皮膜と同様のものが用いられる。 Here, the insulating film 4 is intended to suppress the deterioration of the resistance film 3 due to moisture or the like, the same as the insulating film of Figure 1 is used for the material. 図3 Figure 3
の実施例の金属酸化物皮膜抵抗器を示す。 It shows a metal oxide film resistor of another embodiment. 絶縁性基材1上に金属酸化物絶縁皮膜2、金属酸化物抵抗皮膜3、 Metal oxide insulating film 2 on the insulating substrate 1, metal oxide resistor film 3,
および金属酸化物絶縁皮膜4が順次形成されている点が上記の例と異なる。 And that the metal oxide insulating film 4 are sequentially formed is different from the above example. なお、図1〜3のサイズは必ずしも正確なものではない。 The size of 1-3 is not necessarily accurate ones. また、特に図2および図3において、キャップ端子5、6と抵抗皮膜3とは接触していないように表されているが、基材1の表面が粗面でこの上に形成された皮膜4などが薄膜であることなどにより、 Further, particularly in FIGS. 2 and 3, are represented as not in contact with the cap terminals 5 and 6 and the resistor film 3, film 4 the surface of the substrate 1 is formed on this rough surface such as by like a thin film,
皮膜4上に圧入されたキャップ端子は皮膜4を部分的に削り抵抗皮膜3と電気的に接触している。 Cap terminal press-fitted on the film 4 is in contact with the film 4 partially in cutting resistance film 3 and electrically.

【0011】図4は、加熱された絶縁性基材の表面に、 [0011] Figure 4 is the heated surface of the insulating substrate,
金属酸化物からなる絶縁皮膜または抵抗皮膜形成用組成物の蒸気もしくはミストを供給して金属酸化物皮膜を形成するための装置を示している。 Vapor or mist of the insulation film or resistor film forming composition comprising a metal oxide is supplied shows a device for forming a metal oxide film. 金属酸化物を形成しようとする基材を入れた石英製反応管11は、同じく石英製の炉芯管12内に、パッキン13により固定されている。 Quartz reaction tube 11 containing the substrate to be formed of a metal oxide, like the steel of the furnace core tube 12 of quartz, and is fixed by the packing 13. 電気炉14内に挿入された炉芯管12は、図示しない駆動装置により駆動されて電気炉14内において適当な回転速度で回転されるようになっている。 Furnace core tube 12 inserted into electric furnace 14 is adapted to be rotated at a suitable rotational speed by being driven by a drive unit (not shown) in the electric furnace 14. 金属酸化物皮膜形成用組成物15を収容した原料供給器16は、キャリアガスを供給するガス供給器17とパイプ18によって連結されるとともに、パイプ19によって反応管1 Raw material supply unit 16 containing a metal oxide film forming composition 15, while being connected by the gas supply unit 17 and the pipe 18 for supplying a carrier gas, the reaction tube 1 by a pipe 19
1に連結されている。 It is connected to the 1. また、反応管11の他方端には、 Further, the other end of the reaction tube 11,
パイプ20によって排気装置21が連結されている。 An exhaust device 21 are connected by a pipe 20.

【0012】この装置を用いて基材の表面に金属酸化物皮膜を形成するには、まず基材を反応管11に入れて図示のようにセットし、電気炉14により基材を加熱し、 [0012] To form a metal oxide film on the surface of the substrate using the device, set the first substrate as shown placed in the reaction tube 11, by an electric furnace 14 heating the substrate,
前記金属酸化物皮膜形成用組成物が熱分解する温度以上に保持するとともに、反応管11を回転させる。 Together with the metal oxide film-forming composition is held above thermally decomposed temperature, rotating the reaction tube 11. この状態でガス供給器17からパイプ18を通じて原料供給器16にキャリアガスを送り込み、パイプ19を通じて金属酸化物皮膜形成用組成物の蒸気もしくはミストを反応管11に供給する。 Feeding a carrier gas into the raw material supply unit 16 through a pipe 18 from the gas supply unit 17 in this state, supplied to the reaction tube 11 vapor or mist of the metal oxide film-forming composition through the pipe 19. 反応管11に供給された前記蒸気もしくはミストは、基材に接して分解し、基材表面に金属酸化物皮膜を形成する。 The vapor or mist fed into the reaction tube 11 is decomposed in contact with the substrate to form a metal oxide film on the substrate surface. そして、未分解の金属酸化物皮膜形成用組成物は、ガス排気装置21で吸引され、冷却して回収される。 Then, the metal oxide film-forming composition of undecomposed is sucked by the gas exhaust unit 21, it is recovered by cooling. なお、ガス供給器17から供給されるキャリアガスとしては、空気、酸素、または窒素、アルゴン等の不活性ガスが用いられる。 As the carrier gas supplied from the gas supply unit 17, air, oxygen or nitrogen, inert gas such as argon, it is used. このキャリアガスの流量によって、前記蒸発もしくはミストの供給量を制御することができる。 The flow rate of the carrier gas, it is possible to control the supply amount of the evaporation or mist. また、原料供給器16を加熱するかもしくは原料供給器に超音波をあてることにより、前記蒸発もしくはミストの供給量を制御することもできる。 Further, by applying ultrasonic waves to or or the material supplier for heating the raw material supplier 16, it is also possible to control the supply amount of the evaporation or mist.
なお、反応管11を回転させるのは、金属酸化物皮膜を基材上に均一に形成するためであり、反応管11を回転させる代わりに機械的な振動を与えてもよい。 Incidentally, it rotates the reaction tube 11 is for uniformly forming a metal oxide coating on the substrate may provide mechanical vibration instead of rotating the reaction tube 11. また、炉芯管12を回転させる必要性は特になく、本実施例では反応管11の回転を安定にするために炉芯管12に固定している。 Moreover, the need to rotate the core tube 12 is not particularly in the present embodiment is fixed to the core tube 12 in order to stabilize the rotation of the reaction tube 11.

【0013】[実施例1]本実施例では、図1に示す構成の金属酸化物皮膜抵抗器を作製した。 [0013] Example 1 In this example, to produce a metal oxide film resistor having the configuration shown in FIG. まず、金属酸化物絶縁皮膜2を形成するための組成物と金属酸化物抵抗皮膜3を形成するための組成物は以下のようにして合成した。 First, the composition for forming a composition with a metal oxide resistance film 3 for forming a metal oxide insulating film 2 was synthesized as follows. 200mlの三角フラスコに、10mlのシリコンテトラエトキシド(Si(OCH 2 CH 34 )を秤量し、40mlのメタノールを加えて溶解させ、絶縁皮膜形成用組成物を合成した。 Erlenmeyer flask 200 ml, was weighed silicon tetraethoxide 10ml (Si (OCH 2 CH 3 ) 4), and dissolved by adding methanol 40 ml, was synthesized insulating film forming composition. また、200mlの三角フラスコに、5gの塩化第二スズ(SnCl 4・5H 2 O) Further, Erlenmeyer flask 200 ml, stannic chloride 5g (SnCl 4 · 5H 2 O )
と、金属Mのモル数で換算して、かつ式M/(Sn+ If, in terms with the number of moles of metal M, and wherein M / (Sn +
M)で表される値が0.09の三塩化アンチモン(Sb Value represented by M) is 0.09 of antimony trichloride (Sb
Cl 3 )を秤量し、68mlのメタノールと8mlの濃塩酸を加えて溶解させ、抵抗皮膜形成用組成物を合成した。 Cl 3) were weighed and dissolved by adding concentrated hydrochloric acid methanol and 8ml of 68 ml, and the resistor film forming composition was synthesized. 次に、図4の装置を用いて、アルミナ分92%の円柱状の基材1(外形2mm、長さ10mm、表面粗さR Next, using the apparatus of FIG. 4, the alumina content of 92% of a cylindrical base material 1 (outer 2 mm, length 10 mm, surface roughness R
a 0.3μm)の表面に金属酸化物絶縁皮膜および金属酸化物抵抗皮膜を順次形成した。 A metal oxide insulating film and a metal oxide resistance film are sequentially formed on the surface of a 0.3 [mu] m). すなわち、まず前記の基材1を反応管11中に、また絶縁皮膜形成用組成物を原料供給器16にそれぞれ入れた。 That is, the substrate 1 of the into the reaction tube 11 First, also placed respectively an insulating film forming composition to the raw material supplier 16. キャリアガスには空気を用い、ガス流量を1リットル/min、基材1の加熱温度を800℃とした。 The carrier gas used was air, and the gas flow rate 1 l / min, a heating temperature of the substrate 1 and 800 ° C.. なお、基材の加熱温度は、 The heating temperature of the substrate,
基材の変形温度もしくは形成される絶縁皮膜の融点以下であればよく、加熱温度は高い方が得られる絶縁皮膜の膜質は良好であり、600〜900℃が好ましい。 May be equal to or less than the melting point of the deformation temperature or formed insulating coating of the substrate, the film quality of the heating temperature insulating film higher is obtained is good, preferably 600 to 900 ° C.. 80 80
0℃で反応管11中の基材1を30分間保持し、次いで絶縁皮膜形成用組成物7gを反応管11中に30分間かけて送り、基材表面に絶縁皮膜2を形成した後、さらに800℃で10分間保持した。 The substrate 1 in the reaction tube 11 at 0 ℃ held for 30 minutes and then feed over 30 minutes into the reaction tube 11 of the insulating film forming composition 7 g, after forming the insulating film 2 on the substrate surface, further and held for 10 minutes at 800 ° C.. このようにして形成される絶縁皮膜2の膜厚は通常数十〜数千nmであるが、本実施例では約300nmであった。 While such is the thickness of the insulating film 2 formed by the usually several tens to several thousands nm, in the present embodiment was about 300 nm.

【0014】次に同様にして、絶縁皮膜2の形成された基材1を反応管11中に、また抵抗皮膜形成用組成物を原料供給器16にそれぞれ入れた。 [0014] Then in a similar manner, the substrate 1 formed of an insulating film 2 into the reaction tube 11, also placed respectively resistive film-forming composition to the raw material supplier 16. キャリアガスには空気を用い、ガス流量は1リットル/min、基材1の加熱温度は800℃とした。 The carrier gas used was air, gas flow rate 1 l / min, the heating temperature of the substrate 1 was set to 800 ° C.. なお、この場合の加熱温度は、基材1の変形温度もしくは絶縁皮膜2と形成される抵抗皮膜3の融点以下であればよく、加熱温度は高い方が得られる抵抗皮膜3の膜質は良好であり、400〜9 The heating temperature in this case may be any higher than the melting point of the resistor film 3 formed with deformation temperature or the insulating film 2 of the substrate 1, the heating temperature is the quality of the resistive film 3 higher is obtained is good Yes, 400-9
00℃が好ましい。 00 ℃ is preferable. 800℃で反応管11中の基材1を30分間保持し、次いで抵抗皮膜形成用組成物1.2g The substrate 1 in the reaction tube 11 at 800 ° C. and held for 30 minutes, then resistive film forming composition 1.2g
を反応管11中に7分間かけて送り、抵抗皮膜3を形成した後、さらに800℃で10分間保持した。 The feed over 7 minutes into the reaction tube 11, after forming the resistance film 3, and held an additional 10 minutes at 800 ° C.. このようにして形成される抵抗皮膜3の膜厚は通常数十〜数千n Thus usually tens to thousands thickness of the resistor film 3 formed by n
mであるが、本実施例では約200nmであった。 It is a m, in the present embodiment was about 200 nm. こうして絶縁皮膜2と抵抗皮膜3が形成された基材1の両端に、スズメッキされたステンレス鋼製のキャップ端子5、6を圧入し、ダイアモンドカッタで8ターン分のトリミングを行った後、キャップ端子5、6にスズメッキされた銅製のリード線7、8を溶接した。 Thus both ends of the substrate 1 where the insulating film 2 and the resistance film 3 is formed, by press-fitting the stainless steel cap terminals 5 and 6 which are tinned, after trimming of 8 turns minute diamond cutter, cap terminal It was welded to copper lead wires 7 and 8, which are tin-plated to 5 and 6. 最後に、抵抗皮膜3の表面に、熱硬化性の樹脂ペーストを塗布・乾燥し、150℃で10分間加熱処理し、絶縁性の保護膜9 Finally, the surface of the resistance film 3, a thermosetting resin paste was applied and dried, then heated for 10 minutes at 0.99 ° C., an insulating protective film 9
を形成して、本発明の金属酸化物皮膜抵抗器を得た。 To form, to obtain a metal oxide film resistor of the present invention. なお、保護膜9は、絶縁性と耐湿性を有していればよく、 Note that the protective film 9 has only to have an insulating property and moisture resistance,
材質としては樹脂のみまたは無機フィラーを含有したものが用いられる。 The material that contained only or inorganic filler resin. また、保護膜の硬化には、熱以外に可視光や紫外線等の光を用いてもよい。 Further, the curing of the protective film may be light, such as visible light or ultraviolet light in addition to heat.

【0015】[ 参考例 ] 200mlの三角フラスコに、2gの塩化アルミニウム(AlCl 3 )を秤量し、75mlのメタノールを加えて溶解させ、金属酸化物絶縁皮膜形成用組成物を合成した。 [0015] [Reference Example] 200 ml Erlenmeyer flask, weighed 2g of aluminum chloride (AlCl 3), and dissolved by adding methanol of 75 ml, was synthesized metal oxide insulating film forming composition. 実施例1と同様にして、図4の装置を用いて、反応管11に入れた基材を800℃で30分間保持した後、 In the same manner as in Example 1, using the apparatus of FIG. 4, after the substrate was placed in a reaction tube 11 was held at 800 ° C. 30 min,
原料供給器16に入れた実施例1と同じ抵抗皮膜形成用組成物2.5gをキャリアガスの空気の流量1リットル/minで反応管11中に15分間かけて送り、基材の表面に抵抗皮膜3を形成し、さらに、800℃で10分間保持した。 Send the same resistive film forming composition 2.5g Example 1 was placed in a raw material supply unit 16 over a period of 15 minutes into the reaction tube 11 at a flow rate of 1 L / min of air carrier gas, the resistance on the surface of the substrate to form a film 3, it was further held at 800 ° C. 10 min. こうして得られた抵抗皮膜の膜厚は約40 The film thickness of the thus obtained resistive film is about 40
0nmであった。 It was 0nm. 次に、抵抗皮膜3の形成された基材1 Next, groups formed of the resistance film 3 material 1
を反応管中に入れ、800℃で30分間保持した後、原料供給器16に入れた上記の絶縁皮膜形成用組成物1g Was placed in a reaction tube, was held at 800 ° C. 30 min, the above insulating film forming composition was placed in a raw material supply unit 16 1 g
をキャリアガスの空気の流量1リットル/minで反応管11中に5分間かけて送り、抵抗皮膜3の表面に絶縁皮膜4を形成し、さらに800℃で10分間保持した。 The feed over a period of 5 minutes into the reaction tube 11 at a flow rate of 1 l / min of air carrier gas, the surface of the resistor film 3 to form an insulating film 4, and held an additional 10 minutes at 800 ° C..
このようにして形成された絶縁皮膜4の膜厚は約50n Thickness of the thus insulating film 4 thus formed is about 50n
mであった。 It was m. こうして図2に示す構成の金属酸化物皮膜抵抗器を作製した。 Thus it was prepared a metal oxide film resistor having the structure shown in FIG.

【0016】[実施例 ] 200mlの三角フラスコに、10mlのチタンテトライソプロポキシド(Ti(OCH(CH 3 )CH 34 [0016] [Example 2] Erlenmeyer flask 200 ml, 10 ml of titanium tetraisopropoxide (Ti (OCH (CH 3) CH 3) 4)
を秤量し、40mlのメタノールを加えて溶解させ、金属酸化物絶縁皮膜形成用組成物を合成した。 Were weighed and dissolved by adding methanol 40 ml, was synthesized metal oxide insulating film forming composition. 図4の装置を用い、反応管11中に実施例1と同様にして絶縁皮膜2と抵抗皮膜3を順次形成した基材1を入れ、800℃ FIG device using the 4, similarly to put the substrate 1 are sequentially forming an insulating film 2 and the resistance film 3 as in Example 1 in the reaction tube 11, 800 ° C.
で30分間保持した後、原料供給器16に入れた上記の絶縁皮膜形成用組成物4gをキャリアガスの空気の流量1リットル/minで反応管11中に20分間かけて送り、抵抗皮膜の表面に絶縁皮膜を形成し、さらに800 In After holding for 30 minutes, feeding the insulating film forming composition 4g taking into raw material supplier 16 over 20 minutes into the reaction tube 11 at a flow rate of 1 l / min of air carrier gas, the surface of the resistive film an insulating film is formed, and further 800
℃で10分間保持した。 And held for 10 minutes at ℃. このようにして形成された絶縁皮膜4の膜厚は約100nmであった。 Thickness of the thus insulating film 4 formed was about 100 nm. こうして図3に示す構成の金属酸化物皮膜抵抗器を作製した。 Thus it was prepared a metal oxide film resistor having the structure shown in FIG. 3.

【0017】[比較例1] 金属酸化物絶縁皮膜4を形成しない他は参考例と同様にして抵抗器を作製した。 [0017] Other forming no Comparative Example 1 metal oxide insulating film 4 to produce a resistor in the same manner as in Reference Example. [比較例2] 金属酸化物皮膜形成用組成物1gを反応管中に5分間かけて送り、抵抗皮膜3の膜厚を約100nmとした他は比較例1と同様にして抵抗器を作製した。 [Comparative Example 2] metal oxide film-forming composition 1g feed over 5 minutes into the reaction tube, except that the thickness of the resistive film 3 was about 100nm was prepared a resistor in the same manner as in Comparative Example 1 .

【0018】以上の実施例1 、2、参考例および比較例1、2の抵抗器の特性の比較を表1に挙げる。 The above embodiments 1, 2, include a comparison of the resistor characteristics Reference Examples and Comparative Examples 1 and 2 in Table 1. なお、それぞれの抵抗値は、トリミング前のそれの約2倍である。 Note that each of the resistance value is approximately twice before trimming it. 変化率は、温度60℃、相対湿度95%のもとで、 The rate of change temperature of 60 ° C., a relative humidity of 95% under,
100時間放置した後の抵抗値の放置前の値に対する変化率である。 A rate of change with respect to the value before standing in the resistance value after 100 hours. また、抵抗の温度係数(TCR)は、25 The temperature coefficient of resistance (TCR) is 25
℃〜125℃における値である。 ℃ is the value at ~125 ℃.

【0019】 [0019]

【表1】 [Table 1]

【0020】 [0020]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、高い抵抗値領域においても抵抗温度係数の小さな金属酸化物皮膜抵抗器を得ることができる。 According to the present invention as described above, according to the present invention, it is possible even at high resistance region to obtain a small metal oxide film resistor of the resistance temperature coefficient.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の一実施例における金属酸化物皮膜抵抗器の概略構成を示す縦断面図である。 1 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a metal oxide film resistor according to an embodiment of the present invention.

【図2】 参考例における金属酸化物皮膜抵抗器の概略構成を示す縦断面図である。 2 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a metal oxide film resistor in the reference example.

【図3】本発明の他の実施例における金属酸化物皮膜抵抗器の概略構成を示す縦断面図である。 It is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a metal oxide film resistor according to another embodiment of the present invention; FIG.

【図4】本発明の一実施例における金属酸化物皮膜の製造装置の概略構成を示す縦断面図である。 It is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a manufacturing apparatus of the metal oxide film in an embodiment of the present invention; FIG.

【図5】従来の金属酸化物皮膜抵抗器の概略構成を示す縦断面図である。 5 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a conventional metal oxide film resistor.

フロントページの続き (72)発明者 池田 正樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 吉田 昭彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 進藤 泰宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 五十嵐 幸造 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−37894(JP,A) 特開 平1−130502(JP,A) 特開 平2−256201(JP,A) 実開 平1−137502(JP,U) Of the front page Continued (72) inventor Masaki Ikeda Osaka Prefecture Kadoma Oaza Kadoma 1006 address Matsushita unit intra-industry Co., Ltd. (72) inventor Akihiko Yoshida Osaka Prefecture Kadoma Oaza Kadoma 1006 address Matsushita unit intra-industry Co., Ltd. (72 ) inventor Yasuhiro Shindo Osaka Prefecture Kadoma Oaza Kadoma 1006 address Matsushita unit intra-industry Co., Ltd. (72) inventor Igarashi Saiwaizo Osaka Prefecture Kadoma Oaza Kadoma 1006 address Matsushita unit intra-industry Co., Ltd. (56) reference Patent Akira 64-37894 (JP, A) Patent Rights 1-130502 (JP, A) Patent Rights 2-256201 (JP, A) JitsuHiraku flat 1-137502 (JP, U)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】 ムライト、アルミナ、コージェライト、 1. A mullite, alumina, cordierite,
    フォルステライトおよびステアタイトからなる群より選 Forsterite and selected from the group consisting of steatite
    択される材料からなる絶縁性基材、前記基材上に設けられた酸化スズ、酸化インジウム、および酸化亜鉛からなる群より選択される少なくとも1種を主成分とする金属酸化物薄膜からなる抵抗皮膜、並びに前記絶縁性基材と前記抵抗皮膜との間に設けられた前記抵抗皮膜へのアルカリイオンの拡散を抑制する金属酸化物薄膜からなる絶縁皮膜を具備し、前記絶縁皮膜が酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、 および酸化ジルコニウムからなる群より選択される少なくとも1種を主成分とすることを特徴とする金属酸化物皮膜抵抗器。 Material made of an insulating substrate to be-option, tin oxide provided on the substrate, indium oxide, and at least one of a metal oxide film on the basis of resistance to be selected from the group consisting of zinc oxide film, and comprises an insulating film comprising inhibiting metal oxide thin film diffusion of alkali ions into the resistive film provided between the resistive film and the insulating substrate, the insulating film is silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, and a metal oxide film resistor, characterized in that a main component at least one selected from the group consisting of zirconium oxide.
  2. 【請求項2】 前記抵抗皮膜上に設けられた前記抵抗皮 Wherein said resistance skin formed on said resistive film
    膜への水分の侵入を抑制する金属酸化物薄膜からなる第 The consists of inhibiting metal oxide thin film of water from entering the film
    2の絶縁皮膜をさらに具備し、第2の絶縁皮膜が酸化珪 Further comprising a second insulating film, a second insulating film is oxidized silicofluoride
    素、酸化アルミニウム、酸化チタン、および酸化ジルコ Arsenide, aluminum oxide, titanium oxide, and oxide zirconium
    ニウムからなる群より選択される少なくとも1種を主成 Main component at least one selected from the group consisting of bromide
    分とする請求項1記載の金属酸化物皮膜抵抗器。 Min and a metal oxide film resistor of claim 1 wherein the.
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