JP3266561B2 - 同調可能光ファイバーグレーティングデバイスと、光マルチプレクサ／デマルチプレクサと、波長分割多重化通信システム - Google Patents
同調可能光ファイバーグレーティングデバイスと、光マルチプレクサ／デマルチプレクサと、波長分割多重化通信システムInfo
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- G02F2201/30—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 grating
- G02F2201/307—Reflective grating, i.e. Bragg grating
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ファイバーグレー
ティングに関し、特に磁気歪みによって同調可能なファ
イバーグレーティングに関する。
ティングに関し、特に磁気歪みによって同調可能なファ
イバーグレーティングに関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバーは現在の通信システムにお
けるキーコンポーネントである。光ファイバーは、大容
量の情報を含む光信号を長距離に亘って非常に低損失で
伝送することが可能なガラス製の微細なストランドであ
る。その本質においては、光ファイバーは、第一屈折率
を有するコアの周囲に（より小さい）第二屈折率を有す
るクラッドを有することによって特徴付けられる微細な
直径の導波路である。クリティカルな受容角より小さい
入射角でコアに入射した光束は、ファイバーのコア内で
内部全反射する。これらの光束は、ファイバーの軸に沿
って最小の減衰で導かれる。通常の光ファイバーは、屈
折率を制御するための不純物をわずかに含む高純度のＳ
ｉＯ2よりなる。
けるキーコンポーネントである。光ファイバーは、大容
量の情報を含む光信号を長距離に亘って非常に低損失で
伝送することが可能なガラス製の微細なストランドであ
る。その本質においては、光ファイバーは、第一屈折率
を有するコアの周囲に（より小さい）第二屈折率を有す
るクラッドを有することによって特徴付けられる微細な
直径の導波路である。クリティカルな受容角より小さい
入射角でコアに入射した光束は、ファイバーのコア内で
内部全反射する。これらの光束は、ファイバーの軸に沿
って最小の減衰で導かれる。通常の光ファイバーは、屈
折率を制御するための不純物をわずかに含む高純度のＳ
ｉＯ2よりなる。
【０００３】光ファイバーブラッグ（Bragg）グレーテ
ィングは、光ファイバー内の光の特定の波長を選択的に
制御するための重要な素子である。通常のブラッググレ
ーティングは、ファイバーの長さ方向に実質的に等間隔
で配置された相異なった屈折率を有する領域を複数個有
している。これらの屈折率の異なる領域は、領域間の間
隔Λの２倍に等しい波長を有する光、すなわち、λを真
空での波長、ｎeffを伝播モードの実効屈折率とすると
き、λ＝２ｎeffΛなる光を選択的に反射する。これ以
外の波長の光は、実質的に減衰されることなく伝播す
る。このようなブラッググレーティングは、フィルタリ
ング、半導体レーザーの安定化、ファイバー増幅器のポ
ンピングエネルギーの反射、及びファイバー分散の補償
等を含む種々のアプリケーションにおいて有用である。
ィングは、光ファイバー内の光の特定の波長を選択的に
制御するための重要な素子である。通常のブラッググレ
ーティングは、ファイバーの長さ方向に実質的に等間隔
で配置された相異なった屈折率を有する領域を複数個有
している。これらの屈折率の異なる領域は、領域間の間
隔Λの２倍に等しい波長を有する光、すなわち、λを真
空での波長、ｎeffを伝播モードの実効屈折率とすると
き、λ＝２ｎeffΛなる光を選択的に反射する。これ以
外の波長の光は、実質的に減衰されることなく伝播す
る。このようなブラッググレーティングは、フィルタリ
ング、半導体レーザーの安定化、ファイバー増幅器のポ
ンピングエネルギーの反射、及びファイバー分散の補償
等を含む種々のアプリケーションにおいて有用である。
【０００４】従来技術に係るファイバーブラッググレー
ティングは、紫外光にセンシティブな単一あるいは複数
の不純物（ドーパント）を分散し（例えばゲルマニウム
酸化物をドープしたコアを有するファイバー等）、この
ファイバーを周期的な時間間隔でエキシマレーザーから
の紫外光に晒すことによって作製される。紫外光は光セ
ンシティブなドーパントと相互作用し、長時間持続する
屈折率の局所的な変化を生成する。従来技術に係るグレ
ーティングを実現するための屈折率変化の適切な周期的
間隔は、物理的なマスク、位相マスク、あるいは干渉し
合う光束対を利用することによって実現される。
ティングは、紫外光にセンシティブな単一あるいは複数
の不純物（ドーパント）を分散し（例えばゲルマニウム
酸化物をドープしたコアを有するファイバー等）、この
ファイバーを周期的な時間間隔でエキシマレーザーから
の紫外光に晒すことによって作製される。紫外光は光セ
ンシティブなドーパントと相互作用し、長時間持続する
屈折率の局所的な変化を生成する。従来技術に係るグレ
ーティングを実現するための屈折率変化の適切な周期的
間隔は、物理的なマスク、位相マスク、あるいは干渉し
合う光束対を利用することによって実現される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来技術に係るファイ
バーグレーティングに関する問題点は、それらが固定し
た波長しか濾波しないという点である。各々のグレーテ
ィングは、λ＝２ｎeffΛ近傍に中心を有する狭い帯域
内の光のみを反射する。しかしながら、マルチプレクシ
ング等の多くのアプリケーションにおいては、波長応答
が制御して変化させられ得るような同調可能なグレーテ
ィングを用いることが望ましい。
バーグレーティングに関する問題点は、それらが固定し
た波長しか濾波しないという点である。各々のグレーテ
ィングは、λ＝２ｎeffΛ近傍に中心を有する狭い帯域
内の光のみを反射する。しかしながら、マルチプレクシ
ング等の多くのアプリケーションにおいては、波長応答
が制御して変化させられ得るような同調可能なグレーテ
ィングを用いることが望ましい。
【０００６】同調可能ファイバーグレーティングを実現
する一つの試みにおいては、グレーティングに歪みを与
える目的でピエゾ電気効果素子が用いられる。例えば、
Quetel et al., 1996 Technical Digest Series, Conf.
on Optical Fiber Communication, San Jose, Calif.,
Feb.25-March 1, 1996, Vol.2, p.120, paper No.WF6
を参照。このアプローチの問題点は、ピエゾ電気効果に
よるアクチュエーションで生成される歪みが比較的小さ
く、デバイスの同調範囲を制限してしまう、ということ
である。さらに、比較的高い電圧、例えば１ｎｍの歪み
に関しておよそ１００ボルト、の電圧を連続的に印加す
ることが必要となる。従って、より広い同調範囲を有
し、連続的な電力を必要としない同調可能ファイバーグ
レーティングに関する要求が存在する。
する一つの試みにおいては、グレーティングに歪みを与
える目的でピエゾ電気効果素子が用いられる。例えば、
Quetel et al., 1996 Technical Digest Series, Conf.
on Optical Fiber Communication, San Jose, Calif.,
Feb.25-March 1, 1996, Vol.2, p.120, paper No.WF6
を参照。このアプローチの問題点は、ピエゾ電気効果に
よるアクチュエーションで生成される歪みが比較的小さ
く、デバイスの同調範囲を制限してしまう、ということ
である。さらに、比較的高い電圧、例えば１ｎｍの歪み
に関しておよそ１００ボルト、の電圧を連続的に印加す
ることが必要となる。従って、より広い同調範囲を有
し、連続的な電力を必要としない同調可能ファイバーグ
レーティングに関する要求が存在する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に従って、同調可
能ファイバーグレーティングが実現される。本発明に係
る同調可能ファイバーグレーティングにおいては、ファ
イバーグレーティングが磁歪主体に固定されており、磁
気歪みがグレーティングに伝達される。電磁石が前磁歪
主体に隣接して配置されていて、磁歪主体に沿って磁界
を印加する。電磁石に印加される電流を制御することに
より、ファイバーグレーティングに伝達される力の制
御、すなわちグレーティングの間隔及び反射周波数の制
御が可能になる。本発明の望ましい実施例においては、
磁歪主体はグレーティングに沿って固定された円柱形の
ものである。別の実施例においては、磁歪効果が機械的
に増幅される。さらに、本明細書においては、本発明に
係る同調可能ファイバーグレーティングを用いた追加／
抽出マルチプレクサが記述されている。
能ファイバーグレーティングが実現される。本発明に係
る同調可能ファイバーグレーティングにおいては、ファ
イバーグレーティングが磁歪主体に固定されており、磁
気歪みがグレーティングに伝達される。電磁石が前磁歪
主体に隣接して配置されていて、磁歪主体に沿って磁界
を印加する。電磁石に印加される電流を制御することに
より、ファイバーグレーティングに伝達される力の制
御、すなわちグレーティングの間隔及び反射周波数の制
御が可能になる。本発明の望ましい実施例においては、
磁歪主体はグレーティングに沿って固定された円柱形の
ものである。別の実施例においては、磁歪効果が機械的
に増幅される。さらに、本明細書においては、本発明に
係る同調可能ファイバーグレーティングを用いた追加／
抽出マルチプレクサが記述されている。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る同調可能フ
ァイバーグレーティングを模式的に示した図である。同
調可能ファイバーグレーティング１０は、屈折率の局所
的な変動箇所１３よりなるグレーティング１２を含むあ
る長さの光ファイバー１１よりなる。グレーティング領
域のファイバーは、接着あるいは機械的アタッチメント
によって、磁歪材料よりなる主体１４に固定されてお
り、主体１４からグレーティング１２へ歪みが伝達され
る。主体１４は、ファイバーグレーティング領域の周囲
を同心円状に取り囲む、磁歪材料からなる円筒であるこ
とが好都合である。電磁石（ソレノイド）１５が主体１
４に隣接して配置されており、主体１４に沿った制御可
能な磁界を生成する。磁界は主体をファイバーグレーテ
ィングの方向に沿って歪ませる。
ァイバーグレーティングを模式的に示した図である。同
調可能ファイバーグレーティング１０は、屈折率の局所
的な変動箇所１３よりなるグレーティング１２を含むあ
る長さの光ファイバー１１よりなる。グレーティング領
域のファイバーは、接着あるいは機械的アタッチメント
によって、磁歪材料よりなる主体１４に固定されてお
り、主体１４からグレーティング１２へ歪みが伝達され
る。主体１４は、ファイバーグレーティング領域の周囲
を同心円状に取り囲む、磁歪材料からなる円筒であるこ
とが好都合である。電磁石（ソレノイド）１５が主体１
４に隣接して配置されており、主体１４に沿った制御可
能な磁界を生成する。磁界は主体をファイバーグレーテ
ィングの方向に沿って歪ませる。
【０００９】ファイバーグレーティングは、機械的なク
ランプあるいはエポキシやハンダ等による接着のいずれ
かによって、磁歪材料よりなる円筒の内部孔に固着され
ている。ハンダを用いる場合には、ハンダ接着強度を向
上させる目的で、ファイバー表面が金属層によって覆わ
れていることが望ましい。図１においては、接着材料は
接着層１６として示されている。
ランプあるいはエポキシやハンダ等による接着のいずれ
かによって、磁歪材料よりなる円筒の内部孔に固着され
ている。ハンダを用いる場合には、ハンダ接着強度を向
上させる目的で、ファイバー表面が金属層によって覆わ
れていることが望ましい。図１においては、接着材料は
接着層１６として示されている。
【００１０】磁歪材料主体１４は、強磁性体あるいはフ
ェリ磁性体材料等の材料であり、外部から供給された磁
界が当該材料を磁化して内部の磁区を揃える場合にその
長さが膨張あるいは収縮するものである。短時間持続す
る磁界パルスを印加することにより、主体１４の長さが
変化し、従って固定されているファイバーグレーティン
グの長さ（及び間隔）を所定量変化させることが可能で
ある。磁界パルスは、パルス電流源（図示せず）からの
電流パルスを電磁石に供給することによって生成され
る。
ェリ磁性体材料等の材料であり、外部から供給された磁
界が当該材料を磁化して内部の磁区を揃える場合にその
長さが膨張あるいは収縮するものである。短時間持続す
る磁界パルスを印加することにより、主体１４の長さが
変化し、従って固定されているファイバーグレーティン
グの長さ（及び間隔）を所定量変化させることが可能で
ある。磁界パルスは、パルス電流源（図示せず）からの
電流パルスを電磁石に供給することによって生成され
る。
【００１１】磁歪は、用いられる磁歪材料のタイプに依
存して、正（長さが増大する）か負（長さが減少する）
のいずれかである。飽和歪み（εS）に関して負の磁歪
を示す材料は、例えばニッケルではεS〜−３８×１０
-6、コバルトでは−５０×１０- 6、及びＳｍＦｅ2では
−２３４０×１０-6である。正の磁歪を示す材料は、例
えばＦｅを２０重量％含むＮｉ合金ではεS〜＋３３×
１０-6、Ｃｏ７０％−Ｆｅ３０％の合金では＋１３０×
１０-6、Ｆｅ−３０％Ｃｒ−１５％Ｃｏ合金では＋６１
×１０-6、アルニコ５(Alnico 5)合金では＋３６×１０
-6、Ｆｅ3Ｏ4フェライトでは＋３２×１０-6、ＴｂＦｅ
2では＋２６００×１０-6、及びＴｂ0.28Ｄｙ0 .72Ｆｅ2
合金では＋１１００×１０-6である。磁歪の程度及びそ
の磁界依存性は、材料の組成及び処理によって若干変化
する。これらのパラメータの最適化は、歪みを最大限に
するためには望ましい。さらに磁歪材料に関しては、R.
M.Bozorth, "Ferromagnetism", Chap.3, pp.647-649及
びpp.663-669(Van Nostrand, New York, 1951)、A.E.Cl
ark, "AIP Conference Proc. No.18", American Instit
ute of Physics, New York, 1974, P.1015、及びW.R.Jo
nes, IEEE Trans. Magn. Vol.MAG-17, p.1459, 1981、
を参照。これらは本発明の参照文献である。
存して、正（長さが増大する）か負（長さが減少する）
のいずれかである。飽和歪み（εS）に関して負の磁歪
を示す材料は、例えばニッケルではεS〜−３８×１０
-6、コバルトでは−５０×１０- 6、及びＳｍＦｅ2では
−２３４０×１０-6である。正の磁歪を示す材料は、例
えばＦｅを２０重量％含むＮｉ合金ではεS〜＋３３×
１０-6、Ｃｏ７０％−Ｆｅ３０％の合金では＋１３０×
１０-6、Ｆｅ−３０％Ｃｒ−１５％Ｃｏ合金では＋６１
×１０-6、アルニコ５(Alnico 5)合金では＋３６×１０
-6、Ｆｅ3Ｏ4フェライトでは＋３２×１０-6、ＴｂＦｅ
2では＋２６００×１０-6、及びＴｂ0.28Ｄｙ0 .72Ｆｅ2
合金では＋１１００×１０-6である。磁歪の程度及びそ
の磁界依存性は、材料の組成及び処理によって若干変化
する。これらのパラメータの最適化は、歪みを最大限に
するためには望ましい。さらに磁歪材料に関しては、R.
M.Bozorth, "Ferromagnetism", Chap.3, pp.647-649及
びpp.663-669(Van Nostrand, New York, 1951)、A.E.Cl
ark, "AIP Conference Proc. No.18", American Instit
ute of Physics, New York, 1974, P.1015、及びW.R.Jo
nes, IEEE Trans. Magn. Vol.MAG-17, p.1459, 1981、
を参照。これらは本発明の参照文献である。
【００１２】光ファイバー通信の公称（メディアン）ビ
ーム波長λ〜１５５０ｎｍの場合には、対応するブラッ
グ反射ファイバーグレーティングは、〜５００ｎｍの周
期間隔Λを有する。現在の光ファイバー通信での波長信
号は、通常、隣接するチャネルとはおよそ０．８ｎｍ離
れている。このチャネル間隔は、歪みΔε＝（Δλ／
λ）／（１−Ｐe）＝（０．８ｎｍ／１５５０ｎｍ）／
（１−０．２２）＝６．６×１０-4に対応する。この程
度の歪みは、例えばＴｂＦｅ2あるいはＳｍＦｅ2を用い
ることによって実現可能である。
ーム波長λ〜１５５０ｎｍの場合には、対応するブラッ
グ反射ファイバーグレーティングは、〜５００ｎｍの周
期間隔Λを有する。現在の光ファイバー通信での波長信
号は、通常、隣接するチャネルとはおよそ０．８ｎｍ離
れている。このチャネル間隔は、歪みΔε＝（Δλ／
λ）／（１−Ｐe）＝（０．８ｎｍ／１５５０ｎｍ）／
（１−０．２２）＝６．６×１０-4に対応する。この程
度の歪みは、例えばＴｂＦｅ2あるいはＳｍＦｅ2を用い
ることによって実現可能である。
【００１３】図２は、磁気歪みεを印加された磁界Ｈの
関数として模式的にプロットした図である。磁界が除去
された後にも残留磁気歪みが存在することが理解され
る。磁界Ｈ1、Ｈ2、及びＨ3に対応する残留歪みは、そ
れぞれε1、ε2、及びε3である。この残留歪みの大き
さは、印加される磁界の大きさに依存する。このプロッ
トより、残留歪みが適切な磁界強度を選択することによ
ってプログラム可能であることが理解される。ラッチ(l
atch)機能を有する磁歪デバイスに関しては、磁歪材料
は軟磁性体材料よりもある程度硬磁性体材料かあるいは
常磁性体材料であることが望ましい。磁歪材料に必要と
される保磁力（ＨC）は、少なくとも２０Ｏｅ(エルステ
ッド）、望ましくは少なくとも１００Ｏｅである。
関数として模式的にプロットした図である。磁界が除去
された後にも残留磁気歪みが存在することが理解され
る。磁界Ｈ1、Ｈ2、及びＨ3に対応する残留歪みは、そ
れぞれε1、ε2、及びε3である。この残留歪みの大き
さは、印加される磁界の大きさに依存する。このプロッ
トより、残留歪みが適切な磁界強度を選択することによ
ってプログラム可能であることが理解される。ラッチ(l
atch)機能を有する磁歪デバイスに関しては、磁歪材料
は軟磁性体材料よりもある程度硬磁性体材料かあるいは
常磁性体材料であることが望ましい。磁歪材料に必要と
される保磁力（ＨC）は、少なくとも２０Ｏｅ(エルステ
ッド）、望ましくは少なくとも１００Ｏｅである。
【００１４】図３は、印加された磁界Ｈが変化する場合
に磁気歪みεが通常示す四角いヒステリシスループを示
した図である。このような振る舞いは、歪みによって光
波長λ1とλnとの間でスイッチングがなされるような双
安定デバイスを実現するためには有用である。磁化磁界
が除去されると飽和磁界及び飽和歪みεSの大部分が保
持されるため、ラッチさせることが可能な歪みが実現さ
れる。磁歪材料は、振幅が徐々に減衰するＡＣ磁界によ
る消磁によって、歪み無しの状態へ戻すことが可能であ
る。さらに、ＡＣあるいは逆方向のＤＣ磁界による部分
消磁によって、必要とされる中間残留歪みを実現するこ
とが可能である。電力を定常的に用いることを避けるた
めには、パルス磁界を用いることが望ましい。パルス磁
化の速度は通常１−１０-8秒の範囲であり、望ましくは
１０-2−１０-6秒の範囲である。パルス磁化磁界の大き
さは、磁歪材料の保磁力及び磁化曲線の形状に依存し
て、５０−５０，０００Ｏｅの範囲にあることが望まし
い。
に磁気歪みεが通常示す四角いヒステリシスループを示
した図である。このような振る舞いは、歪みによって光
波長λ1とλnとの間でスイッチングがなされるような双
安定デバイスを実現するためには有用である。磁化磁界
が除去されると飽和磁界及び飽和歪みεSの大部分が保
持されるため、ラッチさせることが可能な歪みが実現さ
れる。磁歪材料は、振幅が徐々に減衰するＡＣ磁界によ
る消磁によって、歪み無しの状態へ戻すことが可能であ
る。さらに、ＡＣあるいは逆方向のＤＣ磁界による部分
消磁によって、必要とされる中間残留歪みを実現するこ
とが可能である。電力を定常的に用いることを避けるた
めには、パルス磁界を用いることが望ましい。パルス磁
化の速度は通常１−１０-8秒の範囲であり、望ましくは
１０-2−１０-6秒の範囲である。パルス磁化磁界の大き
さは、磁歪材料の保磁力及び磁化曲線の形状に依存し
て、５０−５０，０００Ｏｅの範囲にあることが望まし
い。
【００１５】図４は、図１に示された本発明に係るファ
イバーグレーティングへの修正例を示している。この修
正例においては、軟磁極材料４０、４１が磁歪主体１４
の各端部に配置されていて印加された磁界を増幅するよ
うに機能する。例えば、理想的な配置におかれた純鉄磁
極は、１００Ｏｅ未満の磁界において、２０，５００ガ
ウスの飽和磁化を実現する（これは、磁極表面で実現可
能な磁界の上限である）。
イバーグレーティングへの修正例を示している。この修
正例においては、軟磁極材料４０、４１が磁歪主体１４
の各端部に配置されていて印加された磁界を増幅するよ
うに機能する。例えば、理想的な配置におかれた純鉄磁
極は、１００Ｏｅ未満の磁界において、２０，５００ガ
ウスの飽和磁化を実現する（これは、磁極表面で実現可
能な磁界の上限である）。
【００１６】図５は、図１に示された本発明にかかるフ
ァイバーグレーティングへの第二の修正例を示してい
る。この修正例においては、（望ましくは鉄製の）磁束
帰還経路５０が、磁歪主体１４の両端部の間に延在して
いる。磁歪材料に関して設けられた磁束帰還経路は漏洩
時速を低減し、利用可能な磁化を最大限に利用すること
を可能にする。
ァイバーグレーティングへの第二の修正例を示してい
る。この修正例においては、（望ましくは鉄製の）磁束
帰還経路５０が、磁歪主体１４の両端部の間に延在して
いる。磁歪材料に関して設けられた磁束帰還経路は漏洩
時速を低減し、利用可能な磁化を最大限に利用すること
を可能にする。
【００１７】ある種の材料に関しては、磁気歪みの大き
さは、ファイバーグレーティングにおいて必要とされる
長さの変化を誘導して波長チャネルに必要とされるシフ
トを引き起こすのには充分ではない場合がある。図６
は、本発明の別の実施例を示す図である。この実施例に
おいては、歪みを与える磁歪主体１４の長さが、歪みが
伝達されるべきグレーティングよりも長い。その結果、
グレーティングに印加される歪みは機械的に増幅され
る。この図においては、ファイバーグレーティングは長
さｌ1を有しており、磁歪主体１４は長さｌ2を有してい
る。ファイバーグレーティングの一端は、点Ａにおいて
堅い基板６０に固定されている。グレーティングの他端
は、点Ｂにおいて磁歪主体１４に固定されている。磁歪
主体は、点Ｃにおいて基板に固定されている。磁気歪み
がパルス磁化磁界によって誘導される場合には、ファイ
バーグレーティングに印加される磁気歪みは比ｌ2／ｌ1
だけ増幅される。例えば、磁歪主体がファイバーグレー
ティングより１０倍長い場合には、印加される歪みεS
は、図１に示された配置において実現可能な値よりもお
よそ１０倍大きくなる。
さは、ファイバーグレーティングにおいて必要とされる
長さの変化を誘導して波長チャネルに必要とされるシフ
トを引き起こすのには充分ではない場合がある。図６
は、本発明の別の実施例を示す図である。この実施例に
おいては、歪みを与える磁歪主体１４の長さが、歪みが
伝達されるべきグレーティングよりも長い。その結果、
グレーティングに印加される歪みは機械的に増幅され
る。この図においては、ファイバーグレーティングは長
さｌ1を有しており、磁歪主体１４は長さｌ2を有してい
る。ファイバーグレーティングの一端は、点Ａにおいて
堅い基板６０に固定されている。グレーティングの他端
は、点Ｂにおいて磁歪主体１４に固定されている。磁歪
主体は、点Ｃにおいて基板に固定されている。磁気歪み
がパルス磁化磁界によって誘導される場合には、ファイ
バーグレーティングに印加される磁気歪みは比ｌ2／ｌ1
だけ増幅される。例えば、磁歪主体がファイバーグレー
ティングより１０倍長い場合には、印加される歪みεS
は、図１に示された配置において実現可能な値よりもお
よそ１０倍大きくなる。
【００１８】基板６０は、平坦なブロックであることも
可能であり、また、円筒形でもよい。同様に、磁歪主体
１４もブロック状であることも可能であり、また、円筒
形でもよい。正の磁歪材料に関しては、図６に示された
グレーティングは収縮し、負の磁歪材料に関してはグレ
ーティングは伸張する。誘導される歪みの向きは、図６
の設計を修正することによって反転され得る。例えば、
磁歪主体が点Ｂの代わりに点Ｂ’でファイバーグレーテ
ィングに固定されていて、ファイバーグレーティングの
他端が点Ａの代わりに点Ａ’で基板に固定されている場
合には、グレーティングは、正の磁歪材料に関しては、
収縮ではなく伸張される。ファイバーグレーティングに
収縮方向の歪みが用いられる場合には、ファイバーの水
平方向の曲がりすなわち局所的な折れ曲がりを最小にし
て一様な応力がファイバーに印加されるように保つため
に、グレーティングは、その大きさがしっかりとフィッ
トしてかつ低摩擦の（さらには潤滑材を塗布した）キャ
ピラリチューブ内に保持されるべきである。
可能であり、また、円筒形でもよい。同様に、磁歪主体
１４もブロック状であることも可能であり、また、円筒
形でもよい。正の磁歪材料に関しては、図６に示された
グレーティングは収縮し、負の磁歪材料に関してはグレ
ーティングは伸張する。誘導される歪みの向きは、図６
の設計を修正することによって反転され得る。例えば、
磁歪主体が点Ｂの代わりに点Ｂ’でファイバーグレーテ
ィングに固定されていて、ファイバーグレーティングの
他端が点Ａの代わりに点Ａ’で基板に固定されている場
合には、グレーティングは、正の磁歪材料に関しては、
収縮ではなく伸張される。ファイバーグレーティングに
収縮方向の歪みが用いられる場合には、ファイバーの水
平方向の曲がりすなわち局所的な折れ曲がりを最小にし
て一様な応力がファイバーに印加されるように保つため
に、グレーティングは、その大きさがしっかりとフィッ
トしてかつ低摩擦の（さらには潤滑材を塗布した）キャ
ピラリチューブ内に保持されるべきである。
【００１９】図７は、磁気歪みを機械的に増幅する別の
実施例を示す図である。この実施例においては、実効的
にその長さを増加させるように相互に接続された磁歪材
料層１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃよりなる積層構造７０が用
いられている。この配置は、デバイスの長さが増加させ
られるべきではないような場合に便利である。磁歪材料
層１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ及び非磁性体材料層７１Ａ、
７１Ｂ、７１Ｃが、各磁歪材料層による磁気歪みの大き
さを累積するように相互に接続されている。すなわち、
層１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃの磁気歪みが集積され、固定
されているファイバーグレーティング１２へ増幅された
歪みが印加されることになる。例えば、７０％Ｃｏ−３
０％Ｆｅよりなる合金（εS〜１３０×１０-6）を磁歪
材料として１０層有するアセンブリにおいては、総歪み
としておよそ１３００×１０-6すなわち０．１３％のフ
ァイバーグレーティング長の変化が実現される。λ〜１
５５０ｎｍに対応するブラッグ反射波長を有するファイ
バーグレーティングに関しては、このような大きさの変
化は〜２ｎｍの波長シフトを実現する。０．８ｎｍの波
長チャネル間隔の場合には、この範囲は２チャネル以上
の同調範囲を実現している。
実施例を示す図である。この実施例においては、実効的
にその長さを増加させるように相互に接続された磁歪材
料層１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃよりなる積層構造７０が用
いられている。この配置は、デバイスの長さが増加させ
られるべきではないような場合に便利である。磁歪材料
層１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ及び非磁性体材料層７１Ａ、
７１Ｂ、７１Ｃが、各磁歪材料層による磁気歪みの大き
さを累積するように相互に接続されている。すなわち、
層１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃの磁気歪みが集積され、固定
されているファイバーグレーティング１２へ増幅された
歪みが印加されることになる。例えば、７０％Ｃｏ−３
０％Ｆｅよりなる合金（εS〜１３０×１０-6）を磁歪
材料として１０層有するアセンブリにおいては、総歪み
としておよそ１３００×１０-6すなわち０．１３％のフ
ァイバーグレーティング長の変化が実現される。λ〜１
５５０ｎｍに対応するブラッグ反射波長を有するファイ
バーグレーティングに関しては、このような大きさの変
化は〜２ｎｍの波長シフトを実現する。０．８ｎｍの波
長チャネル間隔の場合には、この範囲は２チャネル以上
の同調範囲を実現している。
【００２０】複数個のグレーティングが単一の磁歪主体
に対して固定されることも可能である。図８は、相異な
ったグレーティング周期（Λ1−Λ8）を有する複数個の
グレーティング１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、．．．、１２
Ｈが、２つの相異なった磁歪主体１４Ａ、１４Ｂにマウ
ントされているデバイスを示す図である。（各主体及び
それに係るファイバーは、対応する共通の基板６０に固
定されている。）磁歪主体１４Ａのみが活性化（磁化）
されて残留磁化状態にある場合には、固定されているフ
ァイバーグレーティングにおける対応する波長λ1−λ4
がブラッグ反射されて濾波される。磁歪主体１４Ｂが活
性化される場合には、λ5−λ8が濾波される。同様の配
置は、複数個のファイバー通信ルートが同時に制御され
る必要がある場合には、同一のΛを有する複数個のグレ
ーティングに関しても用いられ得る。
に対して固定されることも可能である。図８は、相異な
ったグレーティング周期（Λ1−Λ8）を有する複数個の
グレーティング１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、．．．、１２
Ｈが、２つの相異なった磁歪主体１４Ａ、１４Ｂにマウ
ントされているデバイスを示す図である。（各主体及び
それに係るファイバーは、対応する共通の基板６０に固
定されている。）磁歪主体１４Ａのみが活性化（磁化）
されて残留磁化状態にある場合には、固定されているフ
ァイバーグレーティングにおける対応する波長λ1−λ4
がブラッグ反射されて濾波される。磁歪主体１４Ｂが活
性化される場合には、λ5−λ8が濾波される。同様の配
置は、複数個のファイバー通信ルートが同時に制御され
る必要がある場合には、同一のΛを有する複数個のグレ
ーティングに関しても用いられ得る。
【００２１】本発明に係るグレーティングは、追加／抽
出機能を有するデバイスを含むマルチプレクサ／デマル
チプレクサデバイスを用いる波長分割多重化通信システ
ムにおいて特に有用である。この種のデバイスは、光サ
ーキュレータとファイバーグレーティングと相互に接続
することによって様々に構成される。抽出機能デバイス
においては、グレーティングは、複数個の波長を伝達す
るファイバーから単一の波長を分離するために用いられ
る。この分離された波長は、通常、他のファイバーへ分
流される。本発明に係るグレーティングは、抽出される
チャネルの選択を可能にする。追加機能デバイスにおい
ては、グレーティングは、通常、他のファイバーからあ
る波長チャネルを基幹回線ファイバーに導くために用い
られる。本発明に係る同調可能グレーティングは、追加
されるチャネルの選択を可能にする。
出機能を有するデバイスを含むマルチプレクサ／デマル
チプレクサデバイスを用いる波長分割多重化通信システ
ムにおいて特に有用である。この種のデバイスは、光サ
ーキュレータとファイバーグレーティングと相互に接続
することによって様々に構成される。抽出機能デバイス
においては、グレーティングは、複数個の波長を伝達す
るファイバーから単一の波長を分離するために用いられ
る。この分離された波長は、通常、他のファイバーへ分
流される。本発明に係るグレーティングは、抽出される
チャネルの選択を可能にする。追加機能デバイスにおい
ては、グレーティングは、通常、他のファイバーからあ
る波長チャネルを基幹回線ファイバーに導くために用い
られる。本発明に係る同調可能グレーティングは、追加
されるチャネルの選択を可能にする。
【００２２】図９は、波長分割多重化（ＷＤＭ）通信シ
ステムの模式図である。当該システムは、トランスミッ
タ１００、本発明に従って改良されたＮチャネルマルチ
プレクサ／デマルチプレクサ１０１及びレシーバ１０２
を有しており、それらが基幹回線ファイバー１１によっ
て接続されている。ファイバー１１への入力は、複数個
の波長λ1からλnを有する光信号よりなる。
ステムの模式図である。当該システムは、トランスミッ
タ１００、本発明に従って改良されたＮチャネルマルチ
プレクサ／デマルチプレクサ１０１及びレシーバ１０２
を有しており、それらが基幹回線ファイバー１１によっ
て接続されている。ファイバー１１への入力は、複数個
の波長λ1からλnを有する光信号よりなる。
【００２３】本発明に従って改良されたマルチプレクサ
１０１は、サーキュレータを単一対あるいは複数対（こ
の例では３対）有している。各対に属するサーキュレー
タは、グレーティングによって分離されている。例え
ば、第一サーキュレータ対は、グレーティング１２Ａに
よって分離された上流サーキュレータ９０Ａと下流サー
キュレータ９０Ｂよりなる。第二対は、グレーティング
１２Ｃによって分離されたサーキュレータ９０Ｃ及び９
０Ｄである。各対において、上流サーキュレータ（９０
Ａ、９０Ｃ、９０Ｅ）は、対応するグレーティング（１
２Ａ、１２Ｃ、１２Ｅ）に一致する順方向伝播チャネル
を対応するドロップポート９１Ａ、９１Ｃ、９１Ｅに分
流するように機能する。同様に、下流サーキュレータ
（９０Ｂ、９０Ｄ、９０Ｆ）は、追加されるべき信号の
波長がそれぞれのグレーティング１２Ａ、１２Ｃ、１２
Ｅに対応する場合に、追加ポート９２Ｂ、９２Ｄ、９２
Ｆに与えられた信号をファイバー１１に挿入するように
機能する。
１０１は、サーキュレータを単一対あるいは複数対（こ
の例では３対）有している。各対に属するサーキュレー
タは、グレーティングによって分離されている。例え
ば、第一サーキュレータ対は、グレーティング１２Ａに
よって分離された上流サーキュレータ９０Ａと下流サー
キュレータ９０Ｂよりなる。第二対は、グレーティング
１２Ｃによって分離されたサーキュレータ９０Ｃ及び９
０Ｄである。各対において、上流サーキュレータ（９０
Ａ、９０Ｃ、９０Ｅ）は、対応するグレーティング（１
２Ａ、１２Ｃ、１２Ｅ）に一致する順方向伝播チャネル
を対応するドロップポート９１Ａ、９１Ｃ、９１Ｅに分
流するように機能する。同様に、下流サーキュレータ
（９０Ｂ、９０Ｄ、９０Ｆ）は、追加されるべき信号の
波長がそれぞれのグレーティング１２Ａ、１２Ｃ、１２
Ｅに対応する場合に、追加ポート９２Ｂ、９２Ｄ、９２
Ｆに与えられた信号をファイバー１１に挿入するように
機能する。
【００２４】上記デバイスは、グレーティング１２Ａ、
１２Ｃ、１２Ｅのいずれかを前述されているように同調
可能にすることによって、さらに望ましくはそれぞれを
同調可能にすることによって改良される。グレーティン
グが相異なったチャネルに一致するようにチューニング
されると、そのチャネルが追加あるいは抽出される。さ
らに同調可能なグレーティングは、ＤＩＳＡＢＬＥ機能
を実行することも可能である。グレーティングがチャネ
ル間に同調させられた場合には、追加／抽出機能は一時
的にディセーブルされることになる。
１２Ｃ、１２Ｅのいずれかを前述されているように同調
可能にすることによって、さらに望ましくはそれぞれを
同調可能にすることによって改良される。グレーティン
グが相異なったチャネルに一致するようにチューニング
されると、そのチャネルが追加あるいは抽出される。さ
らに同調可能なグレーティングは、ＤＩＳＡＢＬＥ機能
を実行することも可能である。グレーティングがチャネ
ル間に同調させられた場合には、追加／抽出機能は一時
的にディセーブルされることになる。
【００２５】別の実施例においては、単一のサーキュレ
ータ対の間に複数個の同調可能グレーティングが配置さ
れており、追加／抽出／ディセーブル機能が実行され
る。
ータ対の間に複数個の同調可能グレーティングが配置さ
れており、追加／抽出／ディセーブル機能が実行され
る。
【００２６】具体例 波長分割多重化システム向けの１６チャネルの再構成可
能な追加／抽出システムが、追加あるいは抽出ポートと
して機能するサーキュレータすなわち方向性結合器と直
列接続された、磁気によって定常的に同調可能な１６個
のファイバーグレーティングを用いて構成される（図
９）。
能な追加／抽出システムが、追加あるいは抽出ポートと
して機能するサーキュレータすなわち方向性結合器と直
列接続された、磁気によって定常的に同調可能な１６個
のファイバーグレーティングを用いて構成される（図
９）。
【００２７】処理される光信号の公称（平均）波長は１
５５０ｎｍであり、各信号波長チャネルは、チャネル幅
０．３ｎｍ、隣接するチャネル中心間の間隔０．８ｎｍ
で分離されている。各グレーティングの屈折率周期
（Λ）は、１６個の全てのグレーティングがチャネル幅
の半分だけずれたところにブラッグ反射波長を有する
（すなわちチャネルとチャネルとの間の位置にブラッグ
反射波長を有する）ように所定の大きさを有しており、
同調がなされない場合には、１６個の全ての波長が濾波
される（抽出される）ことなくこの追加／抽出システム
を通過する。ある選択されたチャネルグループ（例えば
チャネル＃１、＃３、及び＃１１）が抽出される必要が
生じた場合には、これらのグレーティングにかかる磁歪
同調デバイスがパルス磁界によって起動され、ファイバ
ーグレーティングに１／２チャネルだけ、すなわち、Δ
λ／λがおよそ０．４ｎｍ／１５５０ｎｍ〜０．０２５
％となるだけ、歪みを与える。磁歪材料及び印加される
磁界の大きさは、この大きさの残留歪みを保持するよう
に予め定められており、チャネル＃１、＃３、及び＃１
１がブラッグ反射されて濾波（抽出）される。チャネ
ル、例えばチャネル＃３、の抽出動作をキャンセルする
には、徐々に減少するような振幅を有する消磁磁界（例
えば６０Ｈｚの磁界を２秒）が磁歪エレメントに印加さ
れてファイバーグレーティングへの歪みが除去される。
追加操作も、（例えばチャネル＃２、＃９、＃１４、及
び＃１６に対して）同様に実行されるが、サーキュレー
タ内の伝播方向及びファイバーグレーティングによって
ブラッグ反射される方向は逆である。
５５０ｎｍであり、各信号波長チャネルは、チャネル幅
０．３ｎｍ、隣接するチャネル中心間の間隔０．８ｎｍ
で分離されている。各グレーティングの屈折率周期
（Λ）は、１６個の全てのグレーティングがチャネル幅
の半分だけずれたところにブラッグ反射波長を有する
（すなわちチャネルとチャネルとの間の位置にブラッグ
反射波長を有する）ように所定の大きさを有しており、
同調がなされない場合には、１６個の全ての波長が濾波
される（抽出される）ことなくこの追加／抽出システム
を通過する。ある選択されたチャネルグループ（例えば
チャネル＃１、＃３、及び＃１１）が抽出される必要が
生じた場合には、これらのグレーティングにかかる磁歪
同調デバイスがパルス磁界によって起動され、ファイバ
ーグレーティングに１／２チャネルだけ、すなわち、Δ
λ／λがおよそ０．４ｎｍ／１５５０ｎｍ〜０．０２５
％となるだけ、歪みを与える。磁歪材料及び印加される
磁界の大きさは、この大きさの残留歪みを保持するよう
に予め定められており、チャネル＃１、＃３、及び＃１
１がブラッグ反射されて濾波（抽出）される。チャネ
ル、例えばチャネル＃３、の抽出動作をキャンセルする
には、徐々に減少するような振幅を有する消磁磁界（例
えば６０Ｈｚの磁界を２秒）が磁歪エレメントに印加さ
れてファイバーグレーティングへの歪みが除去される。
追加操作も、（例えばチャネル＃２、＃９、＃１４、及
び＃１６に対して）同様に実行されるが、サーキュレー
タ内の伝播方向及びファイバーグレーティングによって
ブラッグ反射される方向は逆である。
【００２８】以上の説明は、本発明の一実施例に関する
もので，この技術分野の当業者であれば、本発明の種々
の変形例が考え得るが、それらはいずれも本発明の技術
的範囲に包含される。
もので，この技術分野の当業者であれば、本発明の種々
の変形例が考え得るが、それらはいずれも本発明の技術
的範囲に包含される。
【００２９】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、広
い同調範囲を有し、連続的な電力を必要としない同調可
能ファイバーグレーティングが提供される。
い同調範囲を有し、連続的な電力を必要としない同調可
能ファイバーグレーティングが提供される。
【図１】 本発明に係る同調可能ファイバーグレーティ
ングの第一の実施例を模式的に示す図。
ングの第一の実施例を模式的に示す図。
【図２】 本発明に従って、印加される磁界を調節する
ことによって残留ファイバー歪みをプログラムすること
が可能であることを記述するのに有用なグラフ。
ことによって残留ファイバー歪みをプログラムすること
が可能であることを記述するのに有用なグラフ。
【図３】 磁気歪みの双安定性を模式的に表わすグラ
フ。
フ。
【図４】 図１に示されたデバイスに対する修正例を示
す図。
す図。
【図５】 図１に示されたデバイスに対する修正例を示
す図。
す図。
【図６】 本発明に係る同調可能ファイバーグレーティ
ングの別の実施例を模式的に示す図。
ングの別の実施例を模式的に示す図。
【図７】 図６に示されたデバイスにたいする修正例を
示す図。
示す図。
【図８】 複数個のファイバーグレーティングを同調す
るための本発明に係るデバイスを示す図。
るための本発明に係るデバイスを示す図。
【図９】 本発明に係る同調可能ファイバーグレーティ
ングを用いて改良されたマルチプレクサ／デマルチプレ
クサを有する光通信システムを模式的に示す図。
ングを用いて改良されたマルチプレクサ／デマルチプレ
クサを有する光通信システムを模式的に示す図。
１０ 同調可能ファイバーグレーティング １１ 光ファイバー １２ グレーティング １３ 屈折率の変化した領域 １４ 磁歪主体 １５ ソレノイド １６ 接着層 ４０、４１ 軟磁極材料 ５０ 磁束帰還回路 ６０ 基板 ７０ 積層構造 ７１ 非磁性体材料層 ９０ サーキュレータ ９１ 抽出ポート ９２ 追加ポート １００ トランスミッタ １０１ マルチプレクサ／デマルチプレクサ １０２ レシーバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｂ 10/28 (73)特許権者 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊ ｅｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 サンゴ ジン アメリカ合衆国、07946 ニュージャー ジー、ミリントン、スカイライン ドラ イブ 145 (72)発明者 ポール ジョセフ レメール アメリカ合衆国、07940 ニュージャー ジー、マディソン、ファーンデイル ロ ード 18 (72)発明者 トーマス エー．ストラッサー アメリカ合衆国、07060 ニュージャー ジー、ウォレン、ハーモニー ロード ６ (56)参考文献 特開 平８−62413（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−211348（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−142524（ＪＰ，Ａ) 米国特許5467212（ＵＳ，Ａ) 国際公開95／30926（ＷＯ，Ａ１) ＬＩＮ Ｘ．−Ｚ．，ＥＴ．ＡＬ．, Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｔｕｎａｂ ｌｅ ｓｉｎｇｌｅｍｏｄｅ ｆｉｂｅ ｒ Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｆｉｂｅｒ，ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ，Ｖｏｌ．30，Ｎｏ. 11，ｐｐ．887−888 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 26/00 G02B 6/10 - 6/16 G02F 1/01
Claims (16)
- 【請求項１】 同調可能光ファイバーグレーティングデ
バイスにおいて、 長さ方向の一部に沿ってグレーティングを含むある長さ
の光ファイバーと、 前記光ファイバーに固定され、磁気歪みを前記グレーテ
ィングに伝達する磁歪材料主体と、 前記磁歪材料主体に磁界を印加する電磁石と、を有し、 前記グレーティングの波長応答を変化させる目的で前記
グレーティングが歪ませられ、 前記磁歪材料主体は、前記電磁石によって複数個の歪み
レベルの間をラッチ動作的に切り替わり、 前記グレーティングは、前記歪みレベルに対応した複数
の波長の間でラッチ動作的に切り替わる ことを特徴とす
る同調可能光ファイバーグレーティングデバイス。 - 【請求項２】 前記グレーティングは、ブラッググレー
ティングであることを特徴とする請求項１のデバイス。 - 【請求項３】 前記グレーティングは、引っ張り方向の
歪みの伝達によって歪むことを特徴とする請求項１のデ
バイス。 - 【請求項４】 前記グレーティングは、圧縮方向の歪み
の伝達によって歪むことを特徴とする請求項１のデバイ
ス。 - 【請求項５】 前記グレーティングは、２つの歪みレベ
ルに晒され、双安定光応答を実現することを特徴とする
請求項１のデバイス。 - 【請求項６】 前記磁歪材料主体は、前記光ファイバー
に、前記グレーティングの長さ方向に沿って接着されて
いることを特徴とする請求項１のデバイス。 - 【請求項７】 前記電磁石に対してパルス電流を印加す
る電流源を更に有することを特徴とする請求項１のデバ
イス。 - 【請求項８】 前記光ファイバーグレーティングデバイ
スの一端が、非磁性体材料よりなる基板に固定され、他
端が前記磁歪材料主体に固定されており、 前記磁歪材料主体から前記グレーティングへ歪みが伝達
されることを特徴とする請求項１のデバイス。 - 【請求項９】 印加された磁界を増幅する軟磁極材料
を、前記磁歪主体の各端部に更に有することを特徴とす
る請求項１のデバイス。 - 【請求項１０】 前記磁歪主体の両端部の間に延在し、
漏洩磁束を低減する磁束帰還回路を更に有することを特
徴とする請求項１のデバイス。 - 【請求項１１】 前記磁歪材料主体の長さが、前記グレ
ーティングの長さよりも長いことを特徴とする請求項１
のデバイス。 - 【請求項１２】 前記磁歪材料主体は、複数個の磁歪材
料層よりなる積層構造を有し、前記グレーティングへ伝
達される歪みを増幅するために前記層がそれぞれ逆の端
部で相互に接続されていることを特徴とする請求項１の
デバイス。 - 【請求項１３】 前記磁歪材料主体に固定された複数の
グレーティングを有することを特徴とする請求項１のデ
バイス。 - 【請求項１４】 少なくとも一対の光サーキュレータと
前記サーキュレータの間に光ファイバーによって相互に
接続された少なくとも一つの光ファイバーグレーティン
グを有する光マルチプレクサ／デマルチプレクサにおい
て、 前記グレーティングが請求項１記載の同調可能光ファイ
バーグレーティングデバイスであることを特徴とする光
マルチプレクサ／デマルチプレクサ。 - 【請求項１５】 複数個の光サーキュレータと光ファイ
バーによって相互接続され前記光ファイバーとの間で光
通信チャネルの追加と抽出の双方又は一方を行なう複数
個の光ファイバーグレーティングを有するＮチャネル光
追加／抽出マルチプレクサ／デマルチプレクサにおい
て、 前記光ファイバーグレーティングのうちの少なくとも一
つが、請求項１記載の同調可能光ファイバーグレーティ
ングデバイスであることを特徴とする光マルチプレクサ
／デマルチプレクサ。 - 【請求項１６】 マルチプレクサ／デマルチプレクサを
介して光基幹回線ファイバーに沿って伝達される複数個
の波長の光信号チャネル源を有する波長分割多重化光通
信システムにおいて、 前記マルチプレクサ／デマルチプレクサが請求項１５記
載の光マルチプレクサ／デマルチプレクサを有すること
を特徴とする波長分割多重化通信システム。
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