JP3265078B2 - Thin film magnetoresistive head - Google Patents

Thin film magnetoresistive head

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JP3265078B2
JP3265078B2 JP23969393A JP23969393A JP3265078B2 JP 3265078 B2 JP3265078 B2 JP 3265078B2 JP 23969393 A JP23969393 A JP 23969393A JP 23969393 A JP23969393 A JP 23969393A JP 3265078 B2 JP3265078 B2 JP 3265078B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は再生用磁気抵抗効果素子
と記録用電磁誘導型素子を有する複合型の薄膜MR効果
型磁気ヘッドであって、超高密度記録が可能なハードデ
ィスクドライブ装置(以下、HDD装置という)に使用
される薄膜磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a composite thin film MR effect type magnetic head having a magnetoresistive effect element for reproduction and an electromagnetic induction type element for recording, and a hard disk drive device capable of ultra-high density recording it is relates to a thin film magnetoresistive heads used in that HDD device).

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、磁気記憶装置であるHDD装置の
小型化、大容量化の要求が急速に増大している。それに
伴いHDD装置で用いられる磁気ディスクや磁気ヘッド
においても記録密度の向上が急務となっている。これら
大容量化のためには、トラック密度を高くすることや線
記録密度を高くすること、変調方式の最適化を図ること
等が必要であり、そのために磁気ディスクとして高保磁
力、高残留磁束密度、低ノイズの特徴を有する金属薄膜
ディスクが開発され、磁気ヘッドとしてはメタルインギ
ャップヘッドや薄膜ヘッド、更に金属磁性膜を積層した
積層型磁気ヘッドなどが開発されてきた。
2. Description of the Related Art In recent years, demands for miniaturization and large capacity of HDDs as magnetic storage devices have been rapidly increasing. Accordingly, there is an urgent need to improve the recording density of magnetic disks and magnetic heads used in HDD devices. In order to increase these capacities, it is necessary to increase the track density, increase the linear recording density, optimize the modulation method, and so on. For this reason, the magnetic disk has a high coercive force and a high residual magnetic flux density. Metal thin-film disks having characteristics of low noise have been developed, and as magnetic heads, metal-in-gap heads, thin-film heads, and laminated magnetic heads in which metal magnetic films have been laminated have been developed.

【0003】これらの磁気ヘッドは全て電磁誘導現象を
利用した誘導型ヘッドと呼ばれるものであり、その再生
出力は磁気ヘッド、磁気ディスク間の相対速度に比例す
る。そのため磁気ディスクが小型になり再生トラックの
径が小さくなると、磁気ヘッドと磁気ディスク間の相対
速度が低くなり、その結果十分な再生出力が得られなく
なってしまう。そこで、これらの問題点を解決するもの
として特開平4−137211号公報には、磁気抵抗効
果を利用して磁気ディスクからの磁束を感磁する薄膜M
R効果型磁気ヘッドが開示されている。薄膜MR効果型
磁気ヘッドを用いることにより、媒体速度に出力が依存
せず高出力を得ることができ、さらに高トラック密度を
得ることができる。
All of these magnetic heads are called inductive heads utilizing an electromagnetic induction phenomenon, and the reproduction output is proportional to the relative speed between the magnetic head and the magnetic disk. Therefore, when the magnetic disk becomes smaller and the diameter of the reproduction track becomes smaller, the relative speed between the magnetic head and the magnetic disk becomes lower, and as a result, a sufficient reproduction output cannot be obtained. To solve these problems, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 4-137221 discloses a thin film M which senses magnetic flux from a magnetic disk by utilizing a magnetoresistance effect.
An R effect type magnetic head is disclosed. By using a thin film MR effect type magnetic head, a high output can be obtained without depending on the medium speed, and a higher track density can be obtained.

【0004】しかしながら薄膜MR効果型磁気ヘッドは
従来の誘導型ヘッドにはないバルクハウゼン・ノイズや
オフトラック特性の左右非対称性等及び再生波形の前記
振幅上下非対称性等の薄膜MR効果型磁気ヘッド特有の
問題を有していることが明らかになった。薄膜MR効果
型磁気ヘッド特有の問題は、例えばジョセフ エス.フ
ェング (Joseph S.Feng)により、アイ
・イー・イー・イートランザクション オブ マグネチ
ックス 28巻 3月 1992年 第1031頁乃至
第1037頁(IEEE Trans. Mag. V
ol.28.March(1992) pp1031〜
1037)でオフトラック特性の左右非対称性はMR素
子部の高さ等の形状に強く依存すると指摘されている。
また本文献では再生波形の振幅上下非対称性は磁気抵抗
素子部高さ、及び磁気抵抗素子部の上下に絶縁層を介し
て配置される上部シールド及び下部シールドと磁気抵抗
素子部の位置関係に影響を受けると指摘している。
However, the thin-film MR effect type magnetic head is unique to the thin-film MR effect type magnetic head which does not have a conventional inductive head, such as Barkhausen noise, left-right asymmetry in off-track characteristics, and amplitude asymmetry in reproduced waveform. It became clear that it had the problem of. Problems peculiar to the thin-film MR effect type magnetic head are described in, for example, Joseph SS. I.E.E.E. Transaction of Magnetics, Vol. 28, March 1992, pp. 1031-1037, by Joseph S. Feng (IEEE Trans. Mag. V.
ol. 28. March (1992) pp1031
1037), it is pointed out that the left-right asymmetry of the off-track characteristic strongly depends on the shape such as the height of the MR element.
Also, in this document, the amplitude asymmetry of the reproduced waveform affects the height of the magnetoresistive element and the positional relationship between the upper and lower shields and the magnetoresistive element disposed above and below the magnetoresistive element via an insulating layer. Point out that

【0005】更に、オフトラック特性の左右非対称性は
エー.ウォラッシュ,エム.サロ(A. Wallas
h, M.Salo)らがジャーナル オブ アプライ
ドフィジックス 69巻 No.8,15 4月 19
91年 第5402頁乃至5404頁(J. App
l. Phys. Vol.69,No.8,15Ap
ril (1991) pp5402〜5404)等に
よって論じられているように、磁気抵抗素子部の高さ等
の形状に強く依存することが知られている。
[0005] Further, the left-right asymmetry of the off-track characteristic is described by A. Wallash, M. Salo (A. Wallas)
h. Salo) et al., Journal of Applied Physics, vol. 69, no. 8,15 April 19
91, pp. 5402-5404 (J. App.
l. Phys. Vol. 69, no. 8,15 Ap
ril (1991) pp5402-5404) and the like, it is known that it strongly depends on the shape such as the height of the magnetoresistive element portion.

【0006】またジー.エー.ギプソン(G.A.Gi
bson)等により、アイ・イー・イー・イー トラン
ザクション オブ マグネチックス 28巻 No.5
9月 1992年(IEEE Trans. Ma
g.,Vol.28,No.5,September
1992)に、薄膜MR効果型磁気ヘッドの磁気抵抗素
子部の片側端部には、負の感度領域が存在することが報
告されている。しかしながら、この負の感度分布とオフ
トラック特性の関係を明確に論じたものはなく、またオ
フトラック特性の片側に本来の信号と逆極性の再生信号
が発生するという問題についてもその発生原因及び対策
について明確に論じたものは未だ見当たらず、実用上こ
れらの問題点をいかに解決するかについては何ら示唆を
与えるものもない。
[0006] G. A. Gipson (GA Gi)
bson) et al., IEE Transactions of Magnetics, Vol. 5
September 1992 (IEEE Trans. Ma
g. , Vol. 28, No. 5, September
1992) reports that a negative sensitivity region exists at one end of the magnetoresistive element portion of the thin film MR effect type magnetic head. However, there is no clear discussion of the relationship between this negative sensitivity distribution and off-track characteristics, and the cause and countermeasures for the problem that a reproduced signal having a polarity opposite to the original signal is generated on one side of the off-track characteristics. No clear discussion has been found yet, and there is no suggestion as to how to solve these problems in practice.

【0007】また、軟磁性膜の膜厚と飽和磁化の積(B
sdSAL)と磁気抵抗効果膜の膜厚と飽和磁化の積
(B sdMR)の比(B sdSAL/B sdM
R)によって、軟磁性膜による磁気抵抗素子部のバイア
ス角度を抑制し、ヘッド再生特性における感度、線形応
答性、バルクハウゼン雑音抑制等の最適化を図る技術は
種々開示されている。例えば特開昭62−184616
号公報では、前記バイアス角度は45度、つまり前記B
sdSAL/B sdMR比は1/√2(約70%)
が感度及び線形応答性の点で最適であると開示し、特開
昭64−76415号公報では、前記B sdSAL/
B sdMR比が60%以上90%以下の範囲がバルク
ハウゼンノイズの抑制の観点で最適範囲であると指摘し
ている。更に特開平3−116510号公報では、前記
B sdSAL/B sdMR比が51.3%以上5
8.8%以下の範囲がバルクハウゼンノイズ抑制の観点
で最適範囲であると開示している。しかしながらこれら
の文献はオフトラック特性と前記バイアス角度もしくは
前記B sdSAL/B sdMR比の関係を論じたも
のではなく、オフトラック特性を改善し、トラック密度
を向上させるための最適バイアス条件について何ら検討
もされておらず示唆も与えていない。
Further, the product of the thickness of the soft magnetic film and the saturation magnetization (B
sdSAL) and the ratio (B sdSAL / B sdM) of the product of the film thickness of the magnetoresistive effect film and the saturation magnetization (B sdMR).
R) discloses various techniques for suppressing a bias angle of a magnetoresistive element portion by a soft magnetic film to optimize sensitivity, linear response, Barkhausen noise suppression, and the like in head reproducing characteristics. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-184616
In the publication, the bias angle is 45 degrees, that is, the B
sdSAL / B sdMR ratio is 1 / √2 (about 70%)
Is optimal in terms of sensitivity and linear response, and JP-A-64-76415 discloses that the BsdSAL /
He points out that the range where the BsdMR ratio is 60% or more and 90% or less is the optimum range from the viewpoint of suppressing Barkhausen noise. Further, in JP-A-3-116510, the ratio of B sdSAL / B sdMR is 51.3% or more and 5%.
It is disclosed that a range of 8.8% or less is an optimum range from the viewpoint of Barkhausen noise suppression. However, these documents do not discuss the relationship between off-track characteristics and the bias angle or the B sdSAL / B sdMR ratio, and do not discuss any optimal bias conditions for improving off-track characteristics and increasing track density. It has not been given or suggested.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら薄膜MR
効果型磁気ヘッド特有のオフトラック特性の左右非対称
性及びオフトラック特性の片側に生じる逆極性の再生出
力の問題はトラック密度を向上させるためには解決しな
ければならない問題点である。また、HDD装置の記録
密度が未だ不十分という問題点がある。
However, the thin film MR
The problems of the left-right asymmetry of the off-track characteristic and the reproduction output of the opposite polarity which occurs on one side of the off-track characteristic, which are peculiar to the effect type magnetic head, must be solved in order to improve the track density. Another problem is that the recording density of the HDD device is still insufficient.

【0009】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、磁束検知部のトラック幅方向の再生感度分布を均一
化し、オフトラック特性の左右非対称性を低減し、また
オフトラック特性の片側に生じる逆極性の再生出力を低
減することで、極めて高いトラック密度を達成すること
ができるとともに、高精度のトラック位置決め用のサー
ボ信号としての優れたオフトラック特性を有する薄膜M
R効果型磁気ヘッドを提供することであり、また優れた
オフトラック特性を有する薄膜磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドを提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and makes the reproduction sensitivity distribution in the track width direction of the magnetic flux detector uniform, reduces the left-right asymmetry of the off-track characteristic, and reduces the off-track characteristic to one side. An extremely high track density can be achieved by reducing the generated reverse-polarity reproduction output, and the thin film M having excellent off-track characteristics as a servo signal for highly accurate track positioning.
R-type magnetic head, and a thin-film magnetoresistive head having excellent off-track characteristics.
The purpose is to provide

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の薄膜MR効果型磁気ヘッド及び薄膜MR効果
型磁気ヘッドを用いたHDD装置は、次の構成からな
る。
In order to achieve this object, a thin film MR effect type magnetic head of the present invention and an HDD device using the thin film MR effect type magnetic head are constituted as follows.

【0011】請求項1に記載の薄膜磁気抵抗効果型磁気
ヘッドは、磁気抵抗効果層の一面にもしくは非磁性絶縁
層を介して積層された軟磁性層を備え、前記磁気抵抗効
果層に流す電流により前記軟磁性層を磁化し、この磁化
によって前記磁気抵抗効果層にバイアス磁界を印加する
薄膜磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、前記軟磁性層
の膜厚と飽和磁化の積が、前記磁気抵抗効果層の膜厚と
飽和磁化の積の30%〜50%である構成を有してい
る。
The thin film magnetoresistive head according to claim 1 includes a soft magnetic layer laminated on one surface of the magnetoresistive layer or via a non-magnetic insulating layer, and a current flowing through the magnetoresistive layer. Wherein the soft magnetic layer is magnetized to apply a bias magnetic field to the magnetoresistive layer by the magnetization, wherein the product of the thickness of the soft magnetic layer and the saturation magnetization is and have a construction thickness of resistive layer is 30% to 50% of the product of the saturation magnetization.

【0012】ここで、軟磁性層の膜厚と飽和磁化の積が
磁気抵抗効果層の膜厚と飽和磁化の積の比が30%未満
では線形応答性及び再生感度が劣化する傾向があり好ま
しくなく、また、50%を越えるとオフトラック特性の
左右対称性が劣化する傾向があり好ましくない。バイア
ス角度が17°未満では線形応答性及び再生感度が劣化
する傾向があり好ましくなく、また、30°を越えると
磁束検知部のトラック幅方向の再生感度分布の均一性が
劣化する傾向があり好ましくない。
Here, if the ratio of the product of the thickness of the soft magnetic layer and the saturation magnetization is less than 30%, the linear response and the reproduction sensitivity tend to be deteriorated, which is preferable. If it exceeds 50%, the lateral symmetry of off-track characteristics tends to deteriorate, which is not preferable. If the bias angle is less than 17 °, the linear response and the read sensitivity tend to deteriorate, and if it exceeds 30 °, the uniformity of the read sensitivity distribution in the track width direction of the magnetic flux detector tends to deteriorate, which is preferable. Absent.

【0013】またA Asymが−10%未満では線形
応答性及び再生感度が劣化する傾向があり好ましくな
く、また、0%を越えると磁束検知部のトラック幅方向
の再生感度分布の均一性が劣化してオフトラック特性の
左右対称性が劣化する傾向があり好ましくない。磁気記
録媒体の磁気記録層の残留密度(Br)と膜厚(δ)の
積Br・δは185〔Gauss・μm〕以下〜120
〔Gauss・μm〕が好ましい。Br・δが185
〔Gauss・μm〕を越えると振幅上下非対称性が劣
化する傾向が認められ、また、120〔Gauss・μ
m〕未満では再生出力が低下するので好ましくない。
If A Asym is less than -10%, linear response and reproduction sensitivity tend to deteriorate, and if it exceeds 0%, the uniformity of reproduction sensitivity distribution in the track width direction of the magnetic flux detector deteriorates. As a result, the lateral symmetry of the off-track characteristic tends to deteriorate, which is not preferable. The product Br · δ of the residual density (Br) and the film thickness (δ) of the magnetic recording layer of the magnetic recording medium is 185 [Gauss · μm] or less to 120.
[Gauss · μm] is preferable. Br · δ is 185
When the value exceeds [Gauss · μm], the amplitude vertical asymmetry tends to deteriorate.
m] is not preferable because the reproduction output is reduced.

【0014】[0014]

【作用】この構成によって、軟磁性層の膜厚と飽和磁化
の積が磁気抵抗効果膜の膜厚と飽和磁化の積の比が30
%〜50%またはバイアス角度が17°〜30°とする
ことができるのでオフトラック特性の左右非対称性を著
しく低減することができるとともにオフトラック片側に
生じる逆極性の再生出力を低減させることができる。振
幅上下非対称性(A Asym)を−10%〜0%とす
ることにより、オフトラック特性の左右非対称性を著し
く低減することができるとともにオフトラック片側に生
じる逆極性の再生出力を低減することができる。更に残
留磁束密度(Br)×磁気記録層の膜厚(δ)≦185
〔Gauss・μm〕の磁気記録媒体と本発明の薄膜M
R効果型磁気ヘッドを組み合せたHDD装置とすること
により、高いトラック密度を達成し、再生感度の劣化を
極めて少なくすることができる。
According to this structure, the ratio of the product of the thickness of the soft magnetic layer and the saturation magnetization is 30.
% To 50% or the bias angle can be set to 17 ° to 30 °, so that the left-right asymmetry of off-track characteristics can be significantly reduced and the reproduction output of the opposite polarity generated on one side of the off-track can be reduced. . By setting the amplitude vertical asymmetry (A Asym) to -10% to 0%, the left-right asymmetry of off-track characteristics can be significantly reduced, and the reproduction output of reverse polarity generated on one side of off-track can be reduced. it can. Further, residual magnetic flux density (Br) × film thickness of magnetic recording layer (δ) ≦ 185
[Gauss μm] magnetic recording medium and thin film M of the present invention
By using the HDD device in which the R effect type magnetic head is combined, a high track density can be achieved, and the deterioration of the reproduction sensitivity can be extremely reduced.

【0015】[0015]

【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。図1は本発明の一実施例における薄
膜MR効果型磁気ヘッドのMR素子部の要部拡大図であ
り、図2は本発明の一実施例における薄膜MR効果型磁
気ヘッドのMR素子の部分断面要部拡大斜視図である。
1は下部シールドで少なくともMR素子の再生トラック
領域である磁束検出幅A以上の幅を持ちパーマロイ、セ
ンダスト等の軟磁性材料を真空成膜法あるいはメッキ法
により成膜したものか、フェライト等の軟磁性材料で形
成されている。2は絶縁層でSiO2 やAl23 など
の酸化物を蒸着あるいはスパッタ等の真空成膜法により
成膜されている。3はMR素子であり、絶縁層2上に外
部磁界に対し抵抗変化を示すFe−Ni合金やCo−N
i合金が外部磁界に対し感度を高めるために数十nm以
下の特に薄い膜で成膜されている。これらの薄膜は真空
蒸着法、スパッタ法、イオンビームスパッタ法などの真
空成膜法によって成膜される。4はMR素子3に電流を
供給しその電圧変化を検知するためのリード層であり、
MR素子3と磁束検出幅Aの外部で接触している。リー
ド層4には抵抗値の低い良導体としてAu,Al,C
u,Wあるいはそれらの積層膜などが用いられ、真空蒸
着法、スパッタ法、イオンビームスパッタ法、CVD法
などの真空成膜法によって成膜される。5は上部シール
ドで絶縁層2上に少なくともMR素子3の磁束検出幅A
以上の幅を持ちパーマロイ、センダスト等の軟磁性材料
を蒸着あるいはスパッタ等の真空成膜法あるいはメッキ
法により成膜されている。6は記録ギャップで上部シー
ルド5の上面にSiO2 やAl 23 などの酸化物を蒸
着あるいはスパッタ等の真空蒸着法により成膜されてい
る。7は記録コアで記録ギャップ6の上にパーマロイ、
センダスト等の軟磁性材料を蒸着あるいはスパッタ等の
真空蒸着法あるいはメッキ法により成膜し、所定の形状
に物理的あるいは化学的方法によって食刻して形成され
ている。8は保護層でSiO2 やAl23 などの酸化
物を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸着法により成膜さ
れている。9は記録対向面磁界、10はコイル、Bは記
録を行う記録コア幅である。Cは、MR素子の幅であ
る。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
I will explain while. FIG. 1 shows a thin film according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is an enlarged view of a main part of an MR element part of a film MR effect type magnetic head.
FIG. 2 shows a thin film MR effect type magnet according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is an enlarged perspective view of a main part of a partial cross section of an MR element of a magnetic head.
1 is a lower shield and at least a reproduction track of the MR element.
Permalloy, which has a width larger than the magnetic flux detection width A
Vacuum deposition or plating of soft magnetic materials such as dust
Or made of soft magnetic material such as ferrite
Has been established. 2 is an insulating layer of SiOTwo And AlTwo OThree Such
Oxide by vacuum deposition such as evaporation or sputtering
The film is formed. Reference numeral 3 denotes an MR element,
Fe-Ni alloys or Co-N
tens of nm or less for i-alloy to increase sensitivity to external magnetic field
It is formed of a particularly thin film below. These thin films are vacuum
True methods such as vapor deposition, sputtering, and ion beam sputtering
The film is formed by an empty film forming method. 4 indicates a current to the MR element 3
It is a lead layer for supplying and detecting the voltage change,
It is in contact with the MR element 3 outside the magnetic flux detection width A. Lee
Au, Al, C as good conductors having low resistance
u, W or a laminated film thereof is used.
Deposition method, sputtering method, ion beam sputtering method, CVD method
The film is formed by a vacuum film forming method such as. 5 is the upper seal
The magnetic flux detection width A of the MR element 3 on the insulating layer 2
Soft magnetic materials such as permalloy and sendust with the above width
Vacuum deposition method such as evaporation or sputtering or plating
It is formed by a method. 6 is the upper gap in the recording gap
SiO 5 on the upper surface of field 5Two And Al Two OThree Steam oxides
Film formed by vacuum deposition such as deposition or sputtering.
You. 7 is a recording core, a permalloy above the recording gap 6,
Soft magnetic materials such as sendust are deposited or sputtered.
Films are formed by vacuum evaporation or plating, and
Formed by physical or chemical methods
ing. 8 is a protective layer made of SiOTwo And AlTwo OThree Such as oxidation
An object is deposited by vacuum evaporation such as evaporation or sputtering.
Have been. 9 is a recording facing surface magnetic field, 10 is a coil, and B is
This is the recording core width for recording. C is the width of the MR element
You.

【0016】以上のようにして製造された薄膜MR効果
型磁気ヘッドを用いて規格化出力のオフトラック特性等
について検討を行った。
Using the thin film MR effect type magnetic head manufactured as described above, the off-track characteristic of the standardized output and the like were examined.

【0017】(オフトラック特性の評価)図3は本発明
の一実施例における薄膜MRヘッド効果型磁気ヘッドの
MR効果素子部の模式図である。20は磁気抵抗効果膜
層、21は非磁性絶縁層、22は軟磁性層である。磁気
抵抗効果膜層20に流れる検出電流による誘導磁界によ
って軟磁性層22を磁化し、この磁化によってMR効果
層20はバイアス磁化され、バイアス角度は主に軟磁性
層22の膜厚と飽和磁化の積(B sdSAL)と磁気
抵抗効果膜層20の膜厚と飽和磁化の積(B sdM
R)の比(B sdSAL/B sdMR)によって決
定される。そこで、本実施例ではオフトラック特性を評
価するため(表1)に示す構成条件で試料を作製して評
価を行った。
(Evaluation of Off-Track Characteristics) FIG. 3 is a schematic view of an MR effect element portion of a thin film MR head effect type magnetic head according to one embodiment of the present invention. 20 is a magnetoresistive film layer, 21 is a non-magnetic insulating layer, and 22 is a soft magnetic layer. The soft magnetic layer 22 is magnetized by an induced magnetic field due to a detection current flowing through the magnetoresistive film layer 20, and the MR effect layer 20 is bias-magnetized by this magnetization. The bias angle mainly depends on the thickness of the soft magnetic layer 22 and the saturation magnetization. The product (B sdM) of the product (B sdSAL), the thickness of the magnetoresistive film layer 20, and the saturation magnetization
R) (B sdSAL / B sdMR). Therefore, in this example, in order to evaluate off-track characteristics, a sample was manufactured under the configuration conditions shown in Table 1 and evaluated.

【0018】[0018]

【表1】 [Table 1]

【0019】(表1)における(B sdSAL/B
sdMR)比のばらつきは主にサンプル作製に用いた基
板内での磁気抵抗効果膜もしくは軟磁性膜の基板内位置
に依存する膜厚分布によるものである。評価条件は試料
を10サンプル作製し、Hc=1800[Oe]、磁性
膜Br・δ=185〔Gauss・μm〕の薄膜磁気記
録媒体を用い、周速v=5.6m/sec、記録周波数
1.75[MHz]、ヘッド浮上量0.08[μm]で
行い、オフトラックに対する規格化出力の依存性を求め
た。オフトラック特性の測定方法は図4に示す模式図に
従って行った。図4は薄膜MR効果型磁気ヘッドのオフ
トラックの測定方法を示す模式図である。薄膜MR効果
型磁気ヘッドで磁気記録媒体に記録を行う記録対向面磁
界9が発生し、記録状態は図4に示すようになる。磁気
記録媒体上の記録幅はIで示される。このような記録を
行った磁気記録媒体上でMR素子3を用いて再生した場
合、MR素子3の位置を図4のFからGそしてHへと移
動した場合、横軸をオフトラック量とすると縦軸に最大
出力で規格化した出力変化が得られオフトラック特性を
得ることができる。図5にその測定値の平均を示した。
(B sdSAL / B in Table 1)
The variation in the (sdMR) ratio is mainly due to the film thickness distribution depending on the position of the magnetoresistive film or the soft magnetic film in the substrate used in the sample fabrication. Evaluation conditions were as follows. Ten samples were prepared, a thin film magnetic recording medium having Hc = 1800 [Oe] and a magnetic film Br · δ = 185 [Gauss · μm] was used, a peripheral speed v = 5.6 m / sec, and a recording frequency 1 .75 [MHz] and a head flying height of 0.08 [μm], the dependence of the normalized output on off-track was determined. The off-track characteristic was measured according to the schematic diagram shown in FIG. FIG. 4 is a schematic diagram showing a method of measuring off-track of a thin film MR effect type magnetic head. A recording facing surface magnetic field 9 for performing recording on a magnetic recording medium by the thin film MR effect type magnetic head is generated, and the recording state is as shown in FIG. The recording width on the magnetic recording medium is indicated by I. When reproduction is performed using the MR element 3 on the magnetic recording medium on which such recording is performed, when the position of the MR element 3 is moved from F to G and H in FIG. An output change standardized by the maximum output is obtained on the vertical axis, and off-track characteristics can be obtained. FIG. 5 shows the average of the measured values.

【0020】図5は本発明の一実施例における薄膜MR
効果型磁気ヘッドのオフトラックに対する規格化出力の
依存性を表す図である。尚、縦軸は最大出力で規格化し
た規格化再生出力を表す。次に、オフトラック特性の改
善効果確認のため同一試料を用いマイクロトラック・プ
ロファイルを求めた。マイクロトラック・プロファイル
の測定方法は図6に示す模式図に従って行った。図6は
本発明の一実施例における薄膜MR効果型磁気ヘッドの
マイクロトラック・プロファイルの測定方法を示す模式
図である。マイクロトラック・プロファイルは図6の
I′で示される磁束検出幅Aより狭い記録トラックを用
いて、MR素子3の位置をFからGそしてHへと移動さ
せた場合の縦軸は最大出力で規格化した出力変化を示し
ており、横軸はオフトラック量を示している。マイクロ
トラック・プロファイルの評価によって磁束検知部のト
ラック幅方向の再生感度分布を測定することができる。
本実施例の評価ではマイクロトラック幅(I′)を0.
8μmとして行った。その測定結果を図7に示した。図
7は本実施例の薄膜MR効果型磁気ヘッドのマイクロト
ラック・プロファイルである。(表1)における(B
sdSAL/B sMR)比のばらつきは主にサンプル
作製に用いた基板内での磁気抵抗効果膜もしくは軟磁性
膜の基板内位置に依存する膜厚分布によるものである。
FIG. 5 shows a thin film MR according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram illustrating the dependence of a normalized output on off-track of an effect type magnetic head. Note that the vertical axis represents the normalized reproduction output standardized at the maximum output. Next, a microtrack profile was obtained using the same sample to confirm the effect of improving off-track characteristics. The measurement method of the microtrack profile was performed according to the schematic diagram shown in FIG. FIG. 6 is a schematic diagram showing a method of measuring a microtrack profile of a thin film MR effect type magnetic head according to one embodiment of the present invention. In the microtrack profile, when a recording track narrower than the magnetic flux detection width A indicated by I 'in FIG. 6 is used and the position of the MR element 3 is moved from F to G and H, the vertical axis indicates the maximum output. The horizontal axis indicates the off-track amount. By evaluating the microtrack profile, the reproduction sensitivity distribution in the track width direction of the magnetic flux detector can be measured.
In the evaluation of this embodiment, the micro track width (I ') is set to 0.
The measurement was performed at 8 μm. FIG. 7 shows the measurement results. FIG. 7 is a microtrack profile of the thin-film MR effect type magnetic head of this embodiment. (B in Table 1)
The variation in the (sdSAL / B sMR) ratio is mainly due to the film thickness distribution depending on the position in the substrate of the magnetoresistive film or the soft magnetic film in the substrate used for manufacturing the sample.

【0021】(比較例)比較例として従来例の薄膜MR
効果型磁気ヘッドを10サンプル準備し、実施例を同一
の条件下で、オフトラックに対する規格化出力の依存性
及びマイクロトラック・プロファイルを求め図8,図9
に示した。図8は比較例の薄膜MR効果型磁気ヘッドの
オフトラックに対する最大出力で規格化された規格化出
力の依存性を表す図であり、図9は比較例の薄膜MR効
果型磁気ヘッドのマイクロトラック・プロファイルであ
る。尚、図8の縦軸は図5と同様に最大出力で規格化し
た規格化出力を表す。
(Comparative Example) As a comparative example, a conventional thin film MR
10 samples of the effect type magnetic head were prepared, and under the same conditions, the dependence of the normalized output on the off-track and the microtrack profile were obtained under the same conditions as in the examples.
It was shown to. FIG. 8 is a diagram showing the dependence of the normalized output normalized with the maximum output on the off-track of the thin film MR effect type magnetic head of the comparative example, and FIG. 9 is the micro track of the thin film MR effect type magnetic head of the comparative example.・ It is a profile. The vertical axis in FIG. 8 represents a standardized output standardized at the maximum output as in FIG.

【0022】この図5及び図8から明らかなように、本
実施例ではオフトラック特性の左右非対称性が改善され
ており、またオフトラック型側に観察される負の再生出
力が低減されているのがわかる。また、規格化出力50
%ラインでの正,負のオフトラック幅をそれぞれK及び
Jとしたとき、L=〔(K−J)/(K+J)〕×10
0〔%〕で定義されるオフトラック特性左右非対称性L
は、図8の比較例で8.7%、それに対し本発明の実施
例の図5では、L=4.2%と非対称性が著しく改善さ
れていることがわかった。更に、オフトラック特性片側
に発生する負の規格化出力Enは、図8の比較例がEn
=0.10であるのに対し、図5の本発明の実施例では
En=0.02と著しく低減されていることが明らかに
なった。
As apparent from FIGS. 5 and 8, in this embodiment, the left-right asymmetry of the off-track characteristic is improved, and the negative reproduction output observed on the off-track side is reduced. I understand. In addition, standardized output 50
When the positive and negative off-track widths in the% line are K and J, respectively, L = [(K−J) / (K + J)] × 10
Off-track characteristics left-right asymmetry L defined by 0 [%]
8 is 8.7% in the comparative example of FIG. 8, and in FIG. 5 of the example of the present invention, L = 4.2%, indicating that the asymmetry is remarkably improved. Further, the negative normalized output En generated on one side of the off-track characteristic is obtained by comparing the comparative example of FIG.
= 0.10, whereas in the embodiment of the present invention shown in FIG. 5, En = 0.02, which is significantly reduced.

【0023】次に、マイクロトラック・プロファイルに
おいて、図7,図9から明らかなように実施例がマイク
ロトラック・プロファイルの左右非対称性の低減とマイ
クロトラック・プロファイルの片側に発生する負の再生
出力の低減に著しい効果があることがわかる。マイクロ
トラック・プロファイルは磁束検知部のトラック幅方向
の再生感度分布を表すものであり、本発明におけるこの
再生感度の位置的分布の均一化がオフトラック特性の改
善効果を生み出しているといえる。
Next, in the microtrack profile, as apparent from FIGS. 7 and 9, the embodiment reduces the left-right asymmetry of the microtrack profile and reduces the negative reproduction output generated on one side of the microtrack profile. It can be seen that there is a remarkable effect on reduction. The microtrack profile represents the reproduction sensitivity distribution in the track width direction of the magnetic flux detecting section, and it can be said that the uniformization of the positional distribution of the reproduction sensitivity in the present invention has produced an effect of improving off-track characteristics.

【0024】次に、MR効果層のバイアス角度とマイク
ロトラック・プロファイルの関係について、MR素子3
の動作時磁化ベクトルを用いて考察した。図10,図1
1は比較例の薄膜MR効果型磁気ヘッドのMR素子部の
動作時磁化ベクトル図であり、図12は本発明の一実施
例における薄膜MR効果型磁気ヘッドのMR素子部の動
作時磁化ベクトル図である。これらの図においてM0は
磁気抵抗効果膜1−1の点Pの位置におけるバイアスさ
れた状態での磁気抵抗効果膜の磁化ベクトルを表し、H
extは磁気媒体上QもしくはQ′の位置に記録された
磁化部分によってP位置に生じる記録信号磁界ベクトル
を表す。M0はこの記録信号磁界HextによってM0
からM1で示されるベクトルへと磁化の回転を生じる。
ここで、図10及び図11は磁気抵抗効果膜層20が4
5度にバイアスされた場合(∠M0=45°)を表して
おり、従来の構成による比較例の場合である。図12は
磁気抵抗効果膜層20が30度にバイアスされた場合
(∠M0=30°)を表しており、本発明の実施例の場
合である。図10のごとく媒体磁化部分Q′が再生トラ
ック幅内に存在する場合は記録信号磁界Hextは∠M
0を増加させる作用をもつが、図11のごとく媒体磁化
部分が再生トラック幅外Qの位置まで移動した場合、記
録信号磁界Hextは逆に∠M0を減少させる作用をも
つ。∠M0の増加は磁気抵抗効果膜層20の抵抗減少を
意味し、∠M0の減少は磁気抵抗効果膜層20の抵抗増
加を意味する。つまり媒体磁化部分の位置がQ′とQで
は再生出力の極性が反転することがわかる。ところが図
12のごとく∠M0=30°の場合、図11と同じQの
位置においても記録信号磁界Hextは∠M0を増加す
る作用をもつため再生出力の極性は反転しない。この考
え方は、オフトラック特性の方側にだけ負の再生出力が
発生することを説明でき、また磁気抵抗効果膜層20の
バイアス角度がオフトラック特性に強く影響を与え、バ
イアス角度を小さくすることによりオフトラック特性の
左右非対称性を低減できることの理由もあわせて説明で
きる。
Next, the relationship between the bias angle of the MR effect layer and the microtrack profile will be described.
Was considered using the magnetization vector during operation. FIG. 10, FIG.
1 is an operating magnetization vector diagram of the MR element portion of the thin film MR effect magnetic head of the comparative example, and FIG. 12 is an operating magnetization vector diagram of the MR element portion of the thin film MR effect magnetic head according to one embodiment of the present invention. It is. In these figures, M0 represents the magnetization vector of the magnetoresistive effect film in a biased state at the position of point P of the magnetoresistive effect film 1-1,
ext represents a recording signal magnetic field vector generated at the P position by a magnetized portion recorded at the position Q or Q 'on the magnetic medium. M0 is set to M0 by the recording signal magnetic field Hext.
Causes a rotation of the magnetization from to the vector indicated by M1.
Here, FIGS. 10 and 11 show that the magnetoresistive film layer 20 has four layers.
The case where bias is applied at 5 degrees (∠M0 = 45 °) is shown, which is a case of a comparative example with a conventional configuration. FIG. 12 shows a case where the magnetoresistive film layer 20 is biased at 30 degrees (∠M0 = 30 °), which is an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 10, when the medium magnetization portion Q 'exists within the reproduction track width, the recording signal magnetic field Hext becomes {M
However, when the medium magnetization portion moves to a position outside the reproduction track width Q as shown in FIG. 11, the recording signal magnetic field Hext has the effect of decreasing ΔM0. An increase in ∠M0 means a decrease in the resistance of the magnetoresistive film layer 20, and a decrease in ∠M0 means an increase in the resistance of the magnetoresistive film layer 20. In other words, it can be seen that the polarity of the reproduction output is reversed when the position of the medium magnetization portion is Q 'and Q. However, when ΔM0 = 30 ° as shown in FIG. 12, even at the same Q position as in FIG. 11, the recording signal magnetic field Hext has the effect of increasing ΔM0, so that the polarity of the reproduction output does not reverse. This concept can explain that a negative reproduction output is generated only on the side of the off-track characteristic, and that the bias angle of the magnetoresistive film layer 20 strongly affects the off-track characteristic and reduces the bias angle. This can also explain the reason why the left-right asymmetry of the off-track characteristic can be reduced.

【0025】以上述べたようにMR効果層のバイアス角
度を小さくすることでオフトラック特性の向上が可能と
なるが、例えば特開昭62−184616号公報で開示
されているようにバイアス角度の減少は再生感度を減少
させ、かつ記録磁界検出の線形応答性を劣化させること
が知られている。
As described above, the off-track characteristic can be improved by reducing the bias angle of the MR effect layer. However, for example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-184616, the bias angle can be reduced. Is known to reduce the read sensitivity and degrade the linear response of recording magnetic field detection.

【0026】再生感度及び線形応答性の最適バイアス角
度は45度であり、バイアス角度が45度からずれるに
従って再生感度が劣化すると共に線形応答性が劣化し、
その結果再生出力の低下及び再生波形の振幅上下非対称
性が増加することも知られている。
The optimum bias angle for reproduction sensitivity and linear response is 45 degrees. As the bias angle deviates from 45 degrees, the reproduction sensitivity and linear response deteriorate as well.
As a result, it is also known that the reproduction output decreases and the amplitude asymmetry of the reproduction waveform increases.

【0027】そこで、まずこの線形応答性を評価すべく
検討を行った。 (線形応答性の評価)線形応答性は振幅上下非対称性
と、再生信号の基本波周波数成分に対する2次高調波成
分の比(デシベル表記)で定義される2次高調波歪率の
関係で評価を行った。振幅上下非対称性(A Asy
m)は、検出電流による前記軟磁性膜の磁化領域におけ
る孤立波再生出力の正側出力をEp、負側出力をEnと
したとき、A Asym=(Ep−En)/(Ep+E
n)×100〔%〕で定義される。図13は本発明の一
実施例における薄膜MR効果型磁気ヘッドの振幅上下非
対称性に対する2次高調波歪率の依存性を示す図であ
る。評価は、軟磁性層の膜厚と飽和磁化の積(B sd
SAL)と磁気抵抗効果膜層20の膜厚と飽和磁化の積
(B sdMR)の比(B sdSAL/B sdM
R)を広範囲にわたって変化させ、故意に振幅上下非対
称性をばらつかせて行った他は、オフトラック特性の評
価条件と同一の条件で行った。一般に2次高調波歪率は
30dB以下が実用可能範囲であり、図13の結果より
振幅上下非対称性は−10%以上10%以下の範囲が実
用可能な範囲であることがわかる。本結果は単純に振幅
上下非対称性、つまり再生波形形状と2次高調波歪率の
関係を表すものであり、磁気抵抗効果膜のバイアス角度
と2次高調波歪率の関係は明らかに一義的には決定でき
ない。なぜならば記録磁界検出の線形応答性は明らかに
磁気抵抗効果素子の許容入力磁界幅と記録磁界強度に依
存するからである。例えば使用する磁気記録媒体の磁気
記録層の残留磁束密度をBrとし、前記磁気記録層の膜
厚をδとした時のBr・δ〔Gauss・μm〕を低減
させることで前記振幅上下非対称性を低減させることは
可能である。よって図13に示された振幅上下非対称性
の−10%以上10%以下の範囲は、磁気抵抗効果膜の
バイアス角度によらず実用上達成する必要があることが
わかる。
Therefore, an examination was first conducted to evaluate the linear response. (Evaluation of linear responsiveness) The linear responsiveness is evaluated based on the relationship between amplitude vertical asymmetry and the second harmonic distortion defined by the ratio (in decibel notation) of the second harmonic component to the fundamental frequency component of the reproduced signal. Was done. Amplitude vertical asymmetry (A Asy
m) is A Asym = (Ep−En) / (Ep + E), where Ep is the positive output of the solitary wave reproduction output in the magnetization region of the soft magnetic film by the detection current, and En is the negative output.
n) × 100 [%]. FIG. 13 is a diagram showing the dependence of the second harmonic distortion factor on the amplitude vertical asymmetry of the thin film MR effect type magnetic head according to one embodiment of the present invention. The evaluation is based on the product of the thickness of the soft magnetic layer and the saturation magnetization (B sd
SAL) and the ratio (BsdSAL / BsdM) of the product (BsdMR) of the film thickness of the magnetoresistive film layer 20 and the saturation magnetization (BsdMR).
R) was changed over a wide range, and the amplitude vertical asymmetry was intentionally varied, except that the evaluation was performed under the same conditions as those for the evaluation of the off-track characteristics. In general, the second harmonic distortion factor is 30 dB or less in a practical range, and the results in FIG. 13 show that the amplitude vertical asymmetry is in a practical range in a range of -10% to 10%. This result simply shows the amplitude asymmetry, that is, the relationship between the reproduced waveform shape and the second harmonic distortion, and the relationship between the bias angle of the magnetoresistive film and the second harmonic distortion is clearly unique. Can not decide. This is because the linear response of the recording magnetic field detection obviously depends on the allowable input magnetic field width of the magnetoresistive element and the recording magnetic field intensity. For example, when the residual magnetic flux density of the magnetic recording layer of the magnetic recording medium to be used is Br, and when the film thickness of the magnetic recording layer is δ, Br · δ [Gauss · μm] is reduced, the amplitude vertical asymmetry is reduced. It is possible to reduce it. Therefore, it is understood that the range of the amplitude vertical asymmetry of −10% or more and 10% or less shown in FIG. 13 needs to be practically achieved regardless of the bias angle of the magnetoresistive film.

【0028】(再生感度の評価)次に再生感度の劣化を
評価すべく、振幅上下非対称性と再生出力との関係で評
価を行った。評価サンプルは今回作製した実施例の薄膜
磁気抵抗効果型磁気ヘッドと比較例として従来の薄膜磁
気抵抗効果型磁気ヘッドを用いて行った。その結果を図
14に示した。
(Evaluation of Reproduction Sensitivity) Next, in order to evaluate the deterioration of the reproduction sensitivity, an evaluation was made in relation to the amplitude vertical asymmetry and the reproduction output. The evaluation samples were performed using the thin film magnetoresistive head of the example manufactured this time and a conventional thin film magnetoresistive head as a comparative example. FIG. 14 shows the result.

【0029】また図14には併せて図8,図9記載の前
記負の規格化出力En,En′も示した。図14は本発
明の一実施例における薄膜MR効果型磁気ヘッドの振幅
上下非対称性に対する再生出力及び負の規格化再生出力
の依存性を示す図である。一般に再生出力は0.4mV
p−p以上であれば実用可能であり、本結果及び図13
の結果より、本発明の構成条件においても線形応答性及
び再生感度において何ら実用上の問題がないことが明ら
かになった。更に図14で示されるように、本発明の実
施例が従来の構成による比較例に対して前記負の規格化
再生出力Enの著しい改善効果を有することがわかっ
た。
FIG. 14 also shows the negative normalized outputs En and En 'shown in FIGS. FIG. 14 is a diagram showing the dependence of the reproduction output and the negative normalized reproduction output on the amplitude vertical asymmetry of the thin film MR effect type magnetic head according to one embodiment of the present invention. Generally, the playback output is 0.4 mV
If it is more than pp, it is practically possible.
From the results, it has been clarified that there is no practical problem in linear response and reproduction sensitivity even under the constitution conditions of the present invention. Further, as shown in FIG. 14, it was found that the embodiment of the present invention has a remarkable effect of improving the negative normalized reproduction output En over the comparative example having the conventional configuration.

【0030】以上述べた本発明の実施例と比較例の比較
結果のまとめを(表2)に示す。
A summary of the comparison results between the above-described embodiment of the present invention and a comparative example is shown in (Table 2).

【0031】[0031]

【表2】 [Table 2]

【0032】この(表2)から明らかなように、本実施
例によれば、再生出力及び2次高調波歪率において実用
上全く問題がなく、かつ比較例に対してオフトラック特
性左右非対称性及び負の規格化再生出力Enを著しく改
善することが可能となり、その結果トラック密度の極め
て高い磁気抵抗効果型ヘッドを得ることができることが
明らかになった。
As is clear from Table 2, according to the present embodiment, there is no practical problem in the reproduction output and the second harmonic distortion, and the off-track characteristic left-right asymmetry with respect to the comparative example. It has become clear that it is possible to significantly improve the negative normalized reproduction output En, and as a result, it is possible to obtain a magnetoresistive head having an extremely high track density.

【0033】(磁気記録媒体に対する検討)次に、実施
例の薄膜MR効果型磁気ヘッドを用い磁気記録層の残留
磁束密度(Br)と膜厚(δ)を種々変えて、磁気記録
媒体の最適化について検討した。その結果、Br・δが
185〔Gauss・μm〕を越えると、振幅上下非対
称性が劣化するという傾向が認められた。またBr・δ
が120〔Gauss・μm〕よりも小さいと再生出力
が低下するという傾向が認められた。
(Study on Magnetic Recording Medium) Next, using the thin film MR effect type magnetic head of the embodiment, the residual magnetic flux density (Br) and the film thickness (δ) of the magnetic recording layer are variously changed to optimize the magnetic recording medium. Was studied. As a result, when Br · δ exceeded 185 [Gauss · μm], the tendency that the amplitude asymmetry deteriorated was recognized. Also Br · δ
Is smaller than 120 [Gauss · μm], there is a tendency that the reproduction output decreases.

【0034】以上の結果より本発明の薄膜MR効果型磁
気ヘッドを装着したBr・δ〔Gauss・μm〕は1
20≦Br・δ≦185が好ましいことがわかった。
From the above results, Br · δ [Gauss · μm] on which the thin film MR effect type magnetic head of the present invention is mounted is 1
It was found that 20 ≦ Br · δ ≦ 185 was preferable.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上のように本発明は、再生信号におけ
るオフトラック特性の左右非対称性を改善し、またオフ
トラック時に発生する負の再生信号を減少させることが
でき、その結果記録密度を著しく向上させることが可能
な優れた磁気抵抗効果型ヘッドを実現できるものであ
り、また、高トラック記録密度を有するものである。
As described above, according to the present invention, the left-right asymmetry of off-track characteristics in a reproduced signal can be improved, and a negative reproduced signal generated at the time of off-track can be reduced. As a result, the recording density can be significantly increased. An excellent magnetoresistive head that can be improved can be realized, and has a high track recording density.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例における薄膜MR効果型磁気
ヘッドのMR素子部の要部拡大図
FIG. 1 is an enlarged view of a main part of an MR element of a thin film MR effect type magnetic head according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例における薄膜MR効果型磁気
ヘッドのMR素子の部分断面要部拡大斜視図
FIG. 2 is an enlarged perspective view of a main part of a partial cross section of an MR element of a thin film MR effect type magnetic head according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例における薄膜MR効果型磁気
ヘッドのMR効果素子部の模式図
FIG. 3 is a schematic view of an MR effect element portion of a thin film MR effect type magnetic head according to one embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施例における薄膜MR効果型磁気
ヘッドのオフトラックの測定方法を示す模式図
FIG. 4 is a schematic view showing a method of measuring off-track of a thin-film MR effect type magnetic head according to one embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施例における薄膜MR効果型磁気
ヘッドのオフトラックに対する規格化出力の依存性を表
す図
FIG. 5 is a diagram showing the dependence of the normalized output on the off-track of the thin film MR effect type magnetic head in one embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施例における薄膜MR効果型磁気
ヘッドのマイクロトラック・プロファイルの測定方法を
示す模式図
FIG. 6 is a schematic view showing a method of measuring a microtrack profile of a thin-film MR effect type magnetic head according to one embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施例における薄膜MR効果型磁気
ヘッドのマイクロトラック・プロファイルを示す図
FIG. 7 is a diagram showing a microtrack profile of a thin film MR effect type magnetic head according to one embodiment of the present invention.

【図8】比較例の薄膜MR効果型磁気ヘッドのオフトラ
ックに対する最大出力で規格化された規格化出力の依存
性を表す図
FIG. 8 is a diagram showing the dependence of a normalized output normalized with a maximum output on off-track of a thin film MR effect type magnetic head of a comparative example.

【図9】比較例の薄膜MR効果型磁気ヘッドのマイクロ
トラック・プロファイルを示す図
FIG. 9 is a view showing a microtrack profile of a thin film MR effect type magnetic head of a comparative example.

【図10】比較例の薄膜MR効果型磁気ヘッドのMR素
子部の動作時磁化ベクトル図
FIG. 10 is a magnetization vector diagram during operation of the MR element portion of the thin film MR effect type magnetic head of the comparative example.

【図11】比較例の薄膜MR効果型磁気ヘッドのMR素
子部の動作時磁化ベクトル図
FIG. 11 is a magnetization vector diagram during operation of the MR element portion of the thin film MR effect type magnetic head of the comparative example.

【図12】本実施例の薄膜MR効果型磁気ヘッドのMR
素子部の動作時磁化ベクトル図
FIG. 12 shows the MR of the thin-film MR effect type magnetic head of this embodiment.
Operation part magnetization vector diagram

【図13】本発明の一実施例における薄膜MR効果型磁
気ヘッドの振幅上下非対称性に対する2次高調波歪率の
依存性を示す図
FIG. 13 is a diagram showing the dependence of the second harmonic distortion on the amplitude vertical asymmetry of the thin film MR effect type magnetic head according to one embodiment of the present invention.

【図14】本発明の一実施例における薄膜MR効果型磁
気ヘッドの振幅上下非対称性に対する再生出力及び負の
規格化再生出力の依存性を示す図
FIG. 14 is a diagram showing the dependence of the reproduction output and the negative normalized reproduction output on the amplitude vertical asymmetry of the thin film MR effect type magnetic head in one embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 下部シールド 2 絶縁層 3 MR素子 4 リード層 5 上部シールド 6 記録ギャップ 7 記録コア 8 保護層 9 記録対向面磁界 10 コイル 20 磁気抵抗効果膜層 21 非磁性絶縁層 22 軟磁性層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lower shield 2 Insulating layer 3 MR element 4 Lead layer 5 Upper shield 6 Recording gap 7 Recording core 8 Protective layer 9 Recording opposing surface magnetic field 10 Coil 20 Magnetoresistive film layer 21 Nonmagnetic insulating layer 22 Soft magnetic layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 5/39 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G11B 5/39

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】磁気抵抗効果層の一面にもしくは非磁性絶
縁層を介して積層された軟磁性層を備え、前記磁気抵抗
効果層に流す電流により前記軟磁性層を磁化し、この磁
化によって前記磁気抵抗効果層にバイアス磁界を印加す
る薄膜磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、前記軟磁性
層の膜厚と飽和磁化の積が、前記磁気抵抗効果層の膜厚
と飽和磁化の積の30%〜50%であることを特徴とす
る薄膜磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
A soft magnetic layer laminated on one surface of the magnetoresistive layer or via a nonmagnetic insulating layer, wherein the soft magnetic layer is magnetized by a current flowing through the magnetoresistive layer, and the magnetization causes the soft magnetic layer to be magnetized. A thin-film magneto-resistance effect type magnetic head for applying a bias magnetic field to a magneto-resistance effect layer, wherein the product of the thickness of the soft magnetic layer and the saturation magnetization is 30 times the product of the thickness of the magneto-resistance effect layer and the saturation magnetization. % To 50%.
JP23969393A 1993-09-27 1993-09-27 Thin film magnetoresistive head Expired - Lifetime JP3265078B2 (en)

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