JP3257270B2 - Imaging device - Google Patents

Imaging device

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JP3257270B2
JP3257270B2 JP20697194A JP20697194A JP3257270B2 JP 3257270 B2 JP3257270 B2 JP 3257270B2 JP 20697194 A JP20697194 A JP 20697194A JP 20697194 A JP20697194 A JP 20697194A JP 3257270 B2 JP3257270 B2 JP 3257270B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば医用診断等に用
いられるX線画像をはじめとする放射線画像などの撮像
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an imaging apparatus for radiographic images such as X-ray images used for medical diagnosis and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】放射線を利用して対象物の像を得る装置
として、線源から被写体の情報を含んだ放射線束をアレ
イ状センサに入射させ、その強度情報をCRTなどの画
面上に表現する放射線撮像装置がある。また、この種の
撮像装置では、従来、放射線フォトンの入射によりセン
サから発生するパルス信号を計数し、その計数値を画像
の濃度情報とする、いわゆるフォトンカウンティング方
式が採用されている。
2. Description of the Related Art As an apparatus for obtaining an image of an object using radiation, a radiation flux containing information on a subject from a radiation source is incident on an array-like sensor, and the intensity information is expressed on a screen such as a CRT. There is a radiation imaging device. In addition, in this type of imaging apparatus, a so-called photon counting method has conventionally been adopted in which a pulse signal generated from a sensor due to the incidence of radiation photons is counted, and the counted value is used as image density information.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、アレイ状セ
ンサを構成する放射線検出器は、入射放射線の強度が強
いとサチュレーションを起こしてしまい、フォトン数の
カウントが不可となることがある。また、例えばCdT
e等の化合物半導体を用いた放射線固体検出器では、入
射放射線の強度が強いと内部の電荷密度の増大や分極効
果等が生じ、これらの原因により入射強度がある値以上
となった時点で発生パルス数が急激に低下することがあ
る。
Incidentally, in the radiation detector constituting the array sensor, if the intensity of the incident radiation is high, saturation occurs, and the counting of the number of photons may become impossible. Also, for example, CdT
In solid-state radiation detectors using compound semiconductors such as e, when the intensity of incident radiation is high, the internal charge density increases, polarization effects, etc. occur. The number of pulses may drop sharply.

【0004】そして、以上のサチュレーション等が発生
すると、その発生領域に対応する画素については計数値
の補正は不可能となり、得られる画像が非常に見難いも
のとなる。また、このようなサチュレーションの発生
は、ダイナミックレンジを狭くする原因ともなる。
When the above-mentioned saturation or the like occurs, it becomes impossible to correct the count value for the pixel corresponding to the region where the saturation occurs, and the resulting image becomes very difficult to see. Further, the occurrence of such saturation also causes a reduction in the dynamic range.

【0005】本発明はそのような事情に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、センサのサチュレー
ションによる影響がなく、もってダイナミックレンジの
広い高品質の画像を得ることができる撮像装置を提供す
ることにある。
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide an imaging apparatus capable of obtaining a high-quality image having a wide dynamic range without being affected by saturation of a sensor. To provide.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の撮像装置は、実施例に対応する図1に示す
ように、アレイ状センサ1に配列された複数のセンサS
・・Sのうち、所定位置のセンサ(1行目L1 構成するセ
ンサ)の入射面上に、当該センサSへのフォトン入射量
を減弱するアブソーバ1aを設けて、画像を形成する一
つの画素をそのアブソーバ有と無の各センサで、それぞ
れ、検出するように構成しているとともに、それらセン
サS・・Sの出力に基づくフォトン計数値を採り込むデー
タ処理手段(演算処理部4)と、上記アブソーバ有のセ
ンサ出力に基づくフォトン計数値を基準値Th と比較す
る比較手段5を有し、上記データ処理手段は、上記の比
較結果が基準値Th 以上となった画素については当該ア
ブソーバ有のセンサ出力に基づく計数値のみを画素デー
タとして出力することによって特徴づけられる。
In order to achieve the above object, an image pickup apparatus according to the present invention comprises a plurality of sensors S arranged in an array sensor 1 as shown in FIG.
.. of S, an absorber 1a for reducing the amount of photons incident on the sensor S is provided on the incident surface of the sensor at a predetermined position (the sensor constituting the first row L1), and one pixel forming an image is formed. A data processing unit (arithmetic processing unit 4) configured to detect each of the sensors with and without the absorber, and taking in a photon count value based on the output of the sensors S. A comparison means for comparing the photon count value based on the output of the sensor with the absorber with a reference value Th, wherein the data processing means determines whether or not the pixel whose comparison result is equal to or greater than the reference value Th is the sensor with the absorber; It is characterized by outputting only the count value based on the output as pixel data.

【0007】[0007]

【作用】放射線センサの入射面上にアブソーバを配置す
ると、図2のグラフに示すように、アブソーバ無の場合
に対して、入射放射線の強度を例えば1/2に減弱する
ことが可能である。換言すれば、アブソーバを配置した
センサでは、感度は低下するもののサチュレーションを
起こす入射放射線の強度がみかけ上大きくなり、限界入
射量が増大する。従って、アブソーバを配置したセンサ
では高線量領域の検出が可能になる。
When the absorber is arranged on the incident surface of the radiation sensor, as shown in the graph of FIG. 2, the intensity of the incident radiation can be reduced to, for example, に 対 し て compared to the case without the absorber. In other words, in the sensor in which the absorber is arranged, although the sensitivity is reduced, the intensity of the incident radiation causing saturation is apparently increased, and the limit incident amount is increased. Therefore, a sensor in which an absorber is arranged can detect a high dose region.

【0008】そこで、本発明では、一つの画素をアブソ
ーバ有と無のセンサでそれぞれ検出することにより、通
常のセンサ(アブソーバ無)で検出できない高線量領域
をアブソーバ有のセンサでカバーする。
Accordingly, in the present invention, a high-dose area that cannot be detected by a normal sensor (without an absorber) is covered by a sensor with an absorber by detecting one pixel with a sensor with and without an absorber.

【0009】すなわち、図2に示すように、アブソーバ
無のセンサがサチュレーションを起こす限界入射量に近
い線量Xn (余裕値を含む)が、アブソーバ有のセンサ
に入射した際に発生するフォトン数を基準値Th とし、
この基準値Th とアブソーバ有のセンサ出力に基づくフ
ォトン計数値と比較し、その比較結果が基準値Th 以上
となったときには、このアブソーバ有のセンサによる計
数値を画素データとして採用することにより高線量領域
の検出範囲を広げる。
That is, as shown in FIG. 2, a dose Xn (including a margin value) close to the limit incident amount at which the sensor without the absorber causes saturation is referred to the number of photons generated when the light enters the sensor with the absorber. Value Th,
This reference value Th is compared with the photon count value based on the output of the sensor with the absorber, and when the comparison result is equal to or greater than the reference value Th, the count value by the sensor with the absorber is adopted as the pixel data to thereby obtain a high dose. Increase the detection range of the area.

【0010】[0010]

【実施例】本発明の実施例を、以下、図面に基づいて説
明する。図1は本発明実施例の構成図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention.

【0011】まず、この例で使用するアレイ状センサ1
は、放射線センサS・・Sを4行複数列に配列したライン
センサで、1行目L1 を構成する放射線センサS・・Sの
入射面にはアブソーバ1aが形成されている。
First, an array sensor 1 used in this example
Is a line sensor in which radiation sensors S..S are arranged in four rows and a plurality of columns, and an absorber 1a is formed on the incident surface of the radiation sensors S..S constituting the first row L1.

【0012】このアブソーバ1aは、半導体微細加工技
術(蒸着・フォトリソグラフィ等)により形成されたP
bまたはAu等の金属膜で、センサSへの放射線入射量
を約1/2の程度にまで減弱できる。ただし、その放射
線強度は、この種の撮像装置で使用される領域(例えば
60〜140KV)を対象としている。
The absorber 1a is made of a P formed by a semiconductor fine processing technique (such as vapor deposition and photolithography).
With a metal film such as b or Au, the amount of radiation incident on the sensor S can be reduced to about 1/2. However, the radiation intensity is intended for a region (for example, 60 to 140 KV) used in this type of imaging apparatus.

【0013】そして、以上のアレイ状センサ1は走査手
段2によって、図中矢印の方向に所定のピッチ(センサ
配列ピッチ)でステップ状に走査され、画像を形成する
一つの画素に対して、アレイの1行目L1 〜4行目L4
のセンサSが順次に通過してゆく。従って、この例では
一つの画素が計4個のセンサで検出される。
The above array sensor 1 is scanned stepwise at a predetermined pitch (sensor arrangement pitch) in the direction of the arrow in FIG. 1st line L1 to 4th line L4
Of sensors S pass sequentially. Therefore, in this example, one pixel is detected by a total of four sensors.

【0014】さて、アレイ状センサ1内の各センサSの
出力は、それぞれアンプ,コンパレータ及びカウンタ等
からなる公知のフォトンカウンティング方式に基づく計
数回路3・・3に導入され、その計数回路3・・3の出力
(計数値)は演算処理部4に採り込まれる。また、これ
らの計数回路3・・3のうち、アレイ状センサ1の1行目
L1 に接続された計数回路3・・3の出力側にはそれぞれ
比較部5が接続されている。
The output of each sensor S in the array sensor 1 is introduced into a counting circuit 3,... 3 based on a known photon counting system comprising an amplifier, a comparator, a counter, etc., and the counting circuit 3,. The output (count value) of 3 is taken into the arithmetic processing unit 4. A comparison section 5 is connected to the output side of each of the counting circuits 3... 3 connected to the first row L1 of the array sensor 1.

【0015】比較部5は、計数回路3が出力する計数値
と後述する基準値Th とを比較し、その計数値が基準値
Th 以上となった時点で、その旨を示す信号を演算処理
部4に供給する。
The comparing unit 5 compares the count value output from the counting circuit 3 with a reference value Th, which will be described later, and when the count value becomes equal to or greater than the reference value Th, generates a signal indicating that fact. 4

【0016】演算処理部4は、比較部5での比較結果が
基準値Th 以下であるときには、アレイ状センサ1の1
行目L1 〜4行目L4 の4個のセンサSの各出力に基づ
く計数値を用いて加算等の演算を行い、その演算後の値
を一つの画素の画素データとして出力する。ただし、1
行目L1 のセンサSの出力に基づく計数値についてはア
ブソーバ1aによる線量減弱度を用いて補正を行ってお
く。一方、比較結果が基準値Th 以上であるときには、
アレイ状センサ1の1行目L1 のセンサSの出力に基づ
く計数値のみを画素データとして出力するように構成さ
れており、この演算処理部4から出力される画素データ
は、各画素ごとに画像メモリ6に順次に格納されてゆ
く。そして、画像メモリ6の記憶内容に基づく画像が表
示装置7に表示される。
When the result of comparison by the comparing section 5 is equal to or smaller than the reference value Th, the arithmetic processing section 4 sets the value of the
Calculations such as addition are performed using count values based on the outputs of the four sensors S in the rows L1 to L4, and the calculated values are output as pixel data of one pixel. However, 1
The count value based on the output of the sensor S in the line L1 is corrected using the degree of attenuation of the dose by the absorber 1a. On the other hand, when the comparison result is equal to or greater than the reference value Th,
Only the count value based on the output of the sensor S in the first row L1 of the array sensor 1 is configured to be output as pixel data, and the pixel data output from the arithmetic processing unit 4 is an image for each pixel. The data is sequentially stored in the memory 6. Then, an image based on the content stored in the image memory 6 is displayed on the display device 7.

【0017】ここで、比較部5に設定する基準値Th
は、図2に示したように、アブソーバ無のセンサS(2
行目L2 〜4行目L4 )がサチュレーションを起こす限
界入射量に近い線量Xn が、アブソーバ有のセンサS
(1行目L1 )に入射した際に発生するフォトン数とし
ており、これにより、撮像を行う領域内に、アブソーバ
無のセンサSがサチュレーションを起こす高強度の領域
が存在するときには、その領域の画素データには、アレ
イ状センサ1の2行目L2 〜4行目L4 のセンサSの出
力に基づく計数値は採用されず、1行目L1 のセンサS
の出力に基づく計数値のみが採用されることになる。
Here, the reference value Th set in the comparison unit 5
Is a sensor S (2) without an absorber as shown in FIG.
The dose Xn close to the limit incident dose at which the lines L2 to L4) cause saturation is given by the sensor S with the absorber.
The number of photons generated when the light is incident on (first line L1). If a high-intensity region where the sensor S without the absorber causes saturation is present in the region to be imaged, the pixel in that region is used. As the data, the count value based on the output of the sensor S of the second row L2 to the fourth row L4 of the array sensor 1 is not adopted, and the sensor S of the first row L1 is used.
Only the count value based on the output of (1) will be adopted.

【0018】従って、本発明実施例では、アブソーバ1
aが形成された高カウント用のセンサSとアブソーバ無
の低カウント用のセンサとを、各画素について使い分け
ることができ、これにより、例えば画像の背景や撮像対
象物の縁などの透過線量の高い部分は高カウント用のセ
ンサにより検出し、また、撮像対象物の内部は低カウン
ト用のセンサで検出することが可能となる。その結果、
サチュレーションの影響がないダイナミックレンジの広
い画像を得ることができる。
Therefore, in the embodiment of the present invention, the absorber 1
The sensor S for high counting in which a is formed and the sensor for low counting without an absorber can be selectively used for each pixel, whereby, for example, a high transmission dose such as an image background or an edge of an imaging target is high. The portion can be detected by a high-count sensor, and the inside of the imaging target can be detected by a low-count sensor. as a result,
An image with a wide dynamic range without influence of saturation can be obtained.

【0019】なお、以上の実施例では、アレイ状センサ
1の1行目L1 を構成するセンサSのみにアブソーバ1
aを形成しているが、このほか、例えば図3(A) または
(B)に示すように、アレイ状センサ1の2行目L2 、ま
たは3行目L3 まで覆う形状で、膜厚が行ごとに変化す
るアブソーバ1a’または1a”をアレイ状センサ1に
形成しておいてもよい。この場合、画像の各画素につい
て、低・中・高の3種以上のカウント用センサの使い分
けが可能になる。
In the above embodiment, only the sensor S constituting the first row L1 of the array sensor 1 has the absorber 1
a, but in addition to this, for example, FIG.
As shown in FIG. 2B, an absorber 1a 'or 1a "having a film thickness varying from row to row is formed on the array sensor 1 so as to cover the second row L2 or the third row L3 of the array sensor 1. In this case, it is possible to selectively use three or more types of counting sensors of low, medium, and high for each pixel of the image.

【0020】また、以上の例では、アレイ状センサ1を
4行複数列としているが、その行数は任意で、少なくと
も2行のラインセンサであれば本発明は実施可能であ
る。さらに、本発明は、ラインセンサの走査により画像
を得る装置のほか、面センサアレイを利用して画像を得
る方式の撮像装置にも適用可能である。その実施例を図
4を参照しつつ説明する。
In the above example, the array sensor 1 has four rows and a plurality of columns, but the number of rows is arbitrary, and the present invention can be implemented as long as the line sensor has at least two rows. Further, the present invention is applicable not only to an apparatus that obtains an image by scanning a line sensor, but also to an imaging apparatus that obtains an image using a surface sensor array. The embodiment will be described with reference to FIG.

【0021】まず、面センサアレイ11は、多数の放射
線センサS・・Sをマトリクス状に配列したもので、線源
(図示せず)に対して固定した状態で使用される。この
面センサアレイ11は、互いに隣合う4個のセンサS・・
Sが、画像の1画素Pを構成しており、これら4個のセ
ンサSのうち、一つセンサ(図中、斜線を付けたセン
サ)の入射面に、先の実施例と同等なアブソーバ11a
が形成されている。
First, the surface sensor array 11 has a large number of radiation sensors S,... S arranged in a matrix, and is used while being fixed to a radiation source (not shown). This surface sensor array 11 has four sensors S...
S constitutes one pixel P of the image, and among the four sensors S, an absorber 11a equivalent to the previous embodiment is provided on the incident surface of one of the sensors S (the hatched sensor in the figure).
Are formed.

【0022】そして、この例においても、先の実施例と
同様な演算処理により画素データが得られる。すなわ
ち、アブソーバ11aを形成したセンサSの出力に基づ
く計数値を基準値Th と比較し、この比較結果が基準値
Th 以上となった画素Pについては、アブソーバ有のセ
ンサSの出力に基づく計数値が画素データとして用いら
れる。また、比較結果が基準値Th 以下のときには、1
画素Pを構成する4個のセンサSの各出力に基づく計数
値から画素データの演算する。
In this embodiment, pixel data is obtained by the same arithmetic processing as in the previous embodiment. That is, the count value based on the output of the sensor S forming the absorber 11a is compared with the reference value Th, and for the pixel P whose comparison result is equal to or more than the reference value Th, the count value based on the output of the sensor S having the absorber is provided. Are used as pixel data. When the comparison result is equal to or less than the reference value Th, 1
Pixel data is calculated from count values based on the outputs of the four sensors S constituting the pixel P.

【0023】なお、この例において一つの画素Pを構成
するセンサの個数を4個としているが、その個数は任意
で、少なくとも2個のセンサで1画素を構成すれば、本
発明は実施可能である。
In this example, the number of sensors constituting one pixel P is four, but the number is arbitrary and the present invention can be implemented if one pixel is constituted by at least two sensors. is there.

【0024】図5は本発明の他の実施例の構成を示す図
である。この実施例で注目すべきところは、アレイ状セ
ンサ101の上方位置に、アブソーバ101aを配置し
た状態で撮像を行う点にある。
FIG. 5 is a diagram showing the configuration of another embodiment of the present invention. What is notable in this embodiment is that imaging is performed with the absorber 101a disposed above the array sensor 101.

【0025】そのアブソーバ101aは、図示しない調
整機構によりアレイ状センサ101の行方向への移動が
可能な構造となっており、この図5に示す状態では、ア
レイ状センサ101の1行目L1 と2行目L2 を構成す
るセンサS・・Sの入射面の上方を覆う位置に配置されて
いる。また、アブソーバ101aは走査手段102によ
って図中矢印の方向に、アレイ状センサ101と同期し
てステップ状に走査される。
The absorber 101a has a structure in which the array sensor 101 can be moved in the row direction by an adjustment mechanism (not shown). In the state shown in FIG. The sensor S constituting the second row L2 is arranged at a position covering the incident surface of the sensor SS. The absorber 101a is scanned stepwise by the scanning means 102 in the direction of the arrow in FIG.

【0026】そして、この例においても、先の図1に示
した実施例と同様に、アレイ状センサ101の各センサ
Sの出力が、それぞれ計数回路103・・103に導入さ
れ、その各計数回路103の出力が演算処理部104に
採り込まれる。また、これらの計数回路のうちアレイ状
センサ1の1行目L1 に接続された計数回路103の出
力(計数値)が比較部105で基準値Th と比較され、
その比較結果を基にして演算処理部104が先と同等な
演算により画素データを求めて出力する。
Also in this example, as in the embodiment shown in FIG. 1, the output of each sensor S of the array-like sensor 101 is introduced into a counting circuit 103, respectively. The output of 103 is taken into the arithmetic processing unit 104. The output (count value) of the counting circuit 103 connected to the first row L1 of the array sensor 1 among these counting circuits is compared with the reference value Th by the comparing unit 105.
Based on the comparison result, the arithmetic processing unit 104 obtains and outputs pixel data by an operation equivalent to the above.

【0027】ただし、この例では、アブソーバ101a
の位置調整により、1行目L1 のセンサSへの入射放射
線の減弱度を調整できるので、比較部105に設定する
基準値Th は、その減弱度の調整量に応じて変更する。
また、アブソーバ101aを2行目L2 以降のセンサS
にも配置する場合には、そのセンサ出力に基づく計数値
には、アブソーバ101aによる線量減弱度を用いて補
正を行っておく。
However, in this example, the absorber 101a
, The attenuation of the radiation incident on the sensor S in the first row L1 can be adjusted, so that the reference value Th set in the comparison unit 105 is changed according to the adjustment amount of the attenuation.
In addition, the absorber 101a is connected to the sensor S on the second line L2 and thereafter.
In this case, the count value based on the sensor output is corrected using the dose attenuation by the absorber 101a.

【0028】なお、この例で使用するアブソーバ101
aは、単体品である程度の強度が要求されることから材
料としてCu等が適している。また、アブソーバ101
aをCu製とした場合、厚さを0.4mm程度とすれば、
例えば140KV程度の強度の放射線を50%程度に減弱
できることが現状で確認できている。
The absorber 101 used in this example
Since a is a single product and requires a certain degree of strength, Cu or the like is suitable as a material. Also, the absorber 101
When a is made of Cu and the thickness is about 0.4 mm,
For example, it has been confirmed at present that radiation having an intensity of about 140 KV can be attenuated to about 50%.

【0029】さらに、この例では、楔形のアブソーバ1
01aを使用しているが、その形状は任意で、例えば平
板であっても本発明は実施可能である。ただし、楔形の
アブソーバを使用する方が次の点で有利である。
Furthermore, in this example, the wedge-shaped absorber 1
Although 01a is used, the shape is arbitrary, and for example, the present invention can be implemented even with a flat plate. However, using a wedge-shaped absorber is advantageous in the following points.

【0030】すなわち、アブソーバを楔形として先端部
を図5に示すような刃状とすることにより、アレイ状セ
ンサ101への位置合わせの際に、アブソーバの先端が
センサ行間の境界ラインに正確に一致しなくても、その
境界の両側のセンサへの放射線の入射量に対する影響は
殆どなく、従ってアブソーバの位置調整が簡単になる
点、また、アブソーバの位置の変更により、サチュレー
ションを起こす限界入射量を任意にかつ滑らかに調整で
きる、等の点で有利である。
That is, by making the absorber a wedge shape and a tip portion having a blade shape as shown in FIG. 5, the tip of the absorber is exactly aligned with the boundary line between the sensor rows at the time of alignment with the array sensor 101. Even if it does not do so, there is almost no effect on the amount of radiation incident on the sensors on both sides of the boundary, so that the position adjustment of the absorber is simplified, and the limit incident amount that causes saturation by changing the position of the absorber This is advantageous in that it can be adjusted arbitrarily and smoothly.

【0031】ここで、図1の実施例と図5の実施例とを
比較すると、図1の構造では、半導体加工技術によりセ
ンサSの入射面にアブソーバ1aを直に形成しているの
で、アブソーバ1aの各センサに対する位置精度が高く
しかも膜厚が均一となるので検出精度の面で優れ、ま
た、アレイ状センサ1そのものにアブソーバ1aを形成
しているので、センサの走査途中においてアレイ状セン
サ1とアブソーバ1aとの間に位置ずれが発生すること
がない、等の利点がある。これに対し、図5の構造で
は、前記したようにサチュレーションを起こす限界入射
量を任意に調整できる点に加えて、アレイ状センサ10
1として既存のものを使用できる、等の利点がある。
Here, comparing the embodiment of FIG. 1 with the embodiment of FIG. 5, in the structure of FIG. 1, the absorber 1a is formed directly on the incident surface of the sensor S by the semiconductor processing technique. 1a, the position accuracy with respect to each sensor is high and the film thickness is uniform, so that the detection accuracy is excellent. In addition, since the absorber 1a is formed on the array sensor 1 itself, the array sensor 1 There is an advantage that no displacement occurs between the motor and the absorber 1a. On the other hand, in the structure of FIG. 5, in addition to the point that the limit incident amount that causes saturation can be arbitrarily adjusted as described above,
There is an advantage that an existing one can be used as 1.

【0032】なお、本発明は、放射線撮像装置のほか、
光のフォトンを計数して、その計数値に基づいて画像を
得る撮像装置にも適用可能である。
The present invention is not limited to a radiation imaging apparatus,
The present invention is also applicable to an imaging device that counts photons of light and obtains an image based on the count value.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の撮像装置
によれば、アレイ状センサの所定位置のセンサにアブソ
ーバを設けて、画像を形成する一つの画素をそのアブソ
ーバ有と無のセンサでそれぞれ検出し、そのアブソーバ
有のセンサ出力に基づくフォトン計数値が基準値以上と
なった画素については、アブソーバ有のセンサにより得
られた計数値を画素データとして用いるように構成して
いるので、通常のセンサ(アブソーバ無)では検出でき
ない高カウント領域を、アブソーバ有のセンサでカバー
することができる。その結果、サチュレーションの影響
のないダイナミックレンジの広い高品質画像を得ること
ができる。
As described above, according to the image pickup apparatus of the present invention, an absorber is provided in a sensor at a predetermined position of the array sensor, and one pixel for forming an image is formed by the sensor with or without the absorber. For each pixel detected and the photon count value based on the output of the sensor with the absorber becomes equal to or more than the reference value, the count value obtained by the sensor with the absorber is used as the pixel data. The high count area that cannot be detected by the sensor (without absorber) can be covered by the sensor with absorber. As a result, a high-quality image with a wide dynamic range without influence of saturation can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明実施例の構成図FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の作用説明図FIG. 2 is a diagram illustrating the operation of the present invention.

【図3】本発明実施例のアレイ状センサ1に形成するア
ブソーバのの変形例を示す図
FIG. 3 is a diagram showing a modified example of an absorber formed in the array sensor 1 according to the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の別の実施例の説明図で、面センサアレ
イ11の構造を示す図
FIG. 4 is an explanatory view of another embodiment of the present invention, showing the structure of the surface sensor array 11.

【図5】本発明の他の実施例の構成図FIG. 5 is a configuration diagram of another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 アレイ状センサ S・・S 放射線センサ 1a アブソーバ 2 走査手段 3・・3 計数回路 4 演算処理部 5 比較部 6 画像メモリ 7 表示装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Array sensor S * S radiation sensor 1a Absorber 2 Scanning means 3 * 3 Counting circuit 4 Arithmetic processing part 5 Comparison part 6 Image memory 7 Display device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01T 1/06 G01T 1/20 G01T 1/24 G01T 7/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G01T 1/06 G01T 1/20 G01T 1/24 G01T 7/00

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 放射線や光のフォトンの入射によりパル
ス状の電気信号を発生するセンサを1次元もしくは2次
元状に配列したアレイ状センサを用いて、被写体の情報
を含んだ放射線または光を検出し、その検出結果から各
画素のフォトン計数値を得て、それら計数値を画素濃度
とする画像を得る装置において、上記アレイ状センサに
配列された複数のセンサのうち、所定位置のセンサの入
射面上に、当該センサへのフォトン入射量を減弱するア
ブソーバを設けて、画像を形成する一つの画素をそのア
ブソーバ有と無の各センサでそれぞれ検出するように構
成しているとともに、これらセンサの出力の基づくフォ
トン計数値を採り込むデータ処理手段と、上記アブソー
バ有のセンサ出力に基づくフォトン計数値を基準値と比
較する比較手段を有し、上記データ処理手段は、上記比
較結果が基準値以上となった画素については当該アブソ
ーバ有のセンサ出力に基づく計数値のみを画素データと
して出力することを特徴とする撮像装置。
1. A method for detecting radiation or light containing information on a subject using an array sensor in which sensors that generate pulse-like electric signals in response to incidence of photons of radiation or light are arranged one-dimensionally or two-dimensionally. Then, in a device that obtains a photon count value of each pixel from the detection result and obtains an image in which the count value is used as a pixel density, among a plurality of sensors arranged in the array-like sensor, a sensor at a predetermined position is incident. On the surface, an absorber for reducing the amount of photons incident on the sensor is provided, and one pixel forming an image is configured to be detected by each of the sensors with and without the absorber. Data processing means for taking the photon count value based on the output, and comparison means for comparing the photon count value based on the sensor output with the absorber with a reference value. An image pickup apparatus characterized in that the data processing means outputs, as pixel data, only a count value based on the output of the sensor provided with the absorber for a pixel whose comparison result is equal to or greater than a reference value.
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