JP3254284B2 - Optical pickup - Google Patents

Optical pickup

Info

Publication number
JP3254284B2
JP3254284B2 JP02694893A JP2694893A JP3254284B2 JP 3254284 B2 JP3254284 B2 JP 3254284B2 JP 02694893 A JP02694893 A JP 02694893A JP 2694893 A JP2694893 A JP 2694893A JP 3254284 B2 JP3254284 B2 JP 3254284B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
detection system
lens
optical
prism
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP02694893A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH06243489A (en
Inventor
義孝 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP02694893A priority Critical patent/JP3254284B2/en
Publication of JPH06243489A publication Critical patent/JPH06243489A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3254284B2 publication Critical patent/JP3254284B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Head (AREA)
  • Moving Of The Head For Recording And Reproducing By Optical Means (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は光ピックアップに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical pickup.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体レーザーから放射されるレーザー
光束をカップリングレンズにより平行光束化し、ビーム
整形プリズムにより所望の光束断面形状とし、この平行
光束をビームスプリッターを介し、対物レンズにより光
情報記録媒体の記録面上に光スポットとして集光させ、
上記記録面からの反射光束を上記対物レンズとビームス
プリッターとを介して検出系へ導くように構成された光
ピックアップは、従来から、コンパクトディスクや光磁
気ディスクに対して情報の書き込みあるいは再生もしく
は消去を行う装置として広く知られている。
2. Description of the Related Art A laser beam radiated from a semiconductor laser is converted into a parallel beam by a coupling lens, a desired beam cross section is formed by a beam shaping prism, and the parallel beam is passed through a beam splitter, and is converted into an optical information recording medium by an objective lens. Focus on the recording surface as a light spot,
Conventionally, an optical pickup configured to guide a reflected light beam from the recording surface to a detection system via the objective lens and the beam splitter has conventionally been used to write, reproduce, or erase information on a compact disk or a magneto-optical disk. It is widely known as a device for performing the above.

【0003】例えば図4は、光磁気ディスク50に対
し、情報の書き込み・再生・消去を行うための光ピック
アップの典型的1例を示している。半導体レーザー10
から放射されたレーザー光束は、カップリングレンズ1
2により平行光束化される。周知の如く、半導体レーザ
ーから放射される光束のファーフィールドパターンは、
半導体レーザーにおける接合面に直交する方向を長軸方
向とする楕円形状であり、カップリングレンズ12によ
り平行光束化されたレーザー光束の光束断面形状も楕円
形状となっている。
For example, FIG. 4 shows a typical example of an optical pickup for writing, reproducing, and erasing information on a magneto-optical disk 50. Semiconductor laser 10
Is emitted from the coupling lens 1
2 is converted into a parallel light beam. As is well known, the far-field pattern of a light beam emitted from a semiconductor laser is
It has an elliptical shape whose major axis is the direction orthogonal to the bonding surface of the semiconductor laser, and the light beam cross-sectional shape of the laser beam converted into a parallel light beam by the coupling lens 12 also has an elliptical shape.

【0004】平行光束化されたレーザー光束の光束断面
形状である楕円形の長軸方向は図4の図面に直交する方
向である。平行光束は次いで、ビーム整形プリズム14
Aの入射面14aに斜め方向から入射し、図の上方へ向
けて屈折される。この屈折の際、平行光束は図面に直交
する方向(長軸方向)では屈折の影響を受けないが、図
面に平行な面内では屈折の影響により光束径が拡大され
る。
[0004] The major axis direction of an elliptical cross-sectional shape of a laser beam converted into a parallel beam is a direction orthogonal to the drawing of FIG. The collimated light beam is then applied to the beam shaping prism 14.
A enters the incident surface 14a of A in an oblique direction, and is refracted upward in the figure. In this refraction, the parallel light beam is not affected by refraction in a direction perpendicular to the drawing (long axis direction), but the light beam diameter is enlarged in a plane parallel to the drawing due to the influence of the refraction.

【0005】このため、屈折により図4の上方へ方向を
変えられた平行光束の光束断面形状は、それ以前の楕円
形状から円形状もしくは円形状に近い楕円形状に「ビー
ム整形」される。ビーム整形プリズム14Aは入射面1
4aと反対側の面に直角プリズム14Bを接合され、接
合面には光半透膜14Cが形成されている。光半透膜1
4Cを透過した光束は対物レンズ16に入射し、収束光
束となって光磁気ディスク50の記録面51上に光スポ
ットとして集光する。
For this reason, the beam cross-sectional shape of the parallel light beam whose direction has been changed upward in FIG. 4 by refraction is "beam-shaped" from a previous elliptical shape to a circular shape or an elliptical shape close to a circular shape. The beam shaping prism 14A has an incident surface 1
A right-angle prism 14B is bonded to the surface opposite to the surface 4a, and a light semi-permeable film 14C is formed on the bonding surface. Light semi-permeable membrane 1
The light beam transmitted through 4C is incident on the objective lens 16, becomes a convergent light beam, and is condensed as a light spot on the recording surface 51 of the magneto-optical disk 50.

【0006】記録面51により反射された光束は対物レ
ンズ16を介して直角プリズム14Bに入射し、光半透
膜14Cにより反射され、「検出系」側へ分離される。
即ちビーム整形プリズム14Aと光半透膜14Cと直角
プリズム14Cとは「ビームスプリッター」を構成して
いる。ビーム整形プリズムとビームスプリッターとは互
いに別体として構成することも可能であるが、この例の
ように、2つの光学機能、即ち「ビーム整形機能」と
「ビームスプリット機能」を合わせ持つ一つの光学素子
14として一体化することもできる。
The light beam reflected by the recording surface 51 enters the right-angle prism 14B via the objective lens 16, is reflected by the light semi-permeable film 14C, and is separated to the "detection system" side.
That is, the beam shaping prism 14A, the light semi-permeable film 14C, and the right-angle prism 14C constitute a “beam splitter”. Although the beam shaping prism and the beam splitter can be configured separately from each other, as shown in this example, one optical function having two optical functions, that is, a “beam shaping function” and a “beam splitting function” is used. It can also be integrated as the element 14.

【0007】検出系側へ分離された光束は、先ず、集光
レンズ18により集光光束化され、収束しつつ進行し、
反射プリズム20により光束の略半分が反射され、残り
は更に収束しつつフォーカシングエラー信号発生用の2
分割の受光素子22に入射して周知の「ナイフエッジ
法」によるフォーカシングエラー信号を発生させる。即
ち、反射プリズム20の、収束光束中へ侵入した稜線部
は「ナイフエッジ」を構成している。
The light beam separated to the detection system side is first condensed by the condensing lens 18 and travels while converging.
Approximately half of the light beam is reflected by the reflecting prism 20, and the rest is further converged to generate a focusing error signal.
The light is incident on the divided light receiving elements 22 to generate a focusing error signal by the well-known “knife edge method”. That is, the ridge portion of the reflecting prism 20 that has entered the converged light beam forms a “knife edge”.

【0008】反射プリズム20により反射された光束
は、1/2波長板24を透過して偏光面を45度旋回さ
れ、偏光ビームスプリッター26に入射し、P偏光の透
過光とS偏光の反射光に分離される。これら透過光およ
び反射光は、それぞれ受光素子28,30に入射しす
る。受光素子28は2分割の受光素子であり、周知のプ
ッシュ・プル法によりトラッキングエラー信号を発生さ
せる。
The light beam reflected by the reflecting prism 20 is transmitted through the half-wave plate 24, is rotated by 45 degrees on the polarization plane, is incident on the polarization beam splitter 26, and is transmitted light of P polarization and reflected light of S polarization. Is separated into These transmitted light and reflected light enter the light receiving elements 28 and 30, respectively. The light receiving element 28 is a two-divided light receiving element, and generates a tracking error signal by a well-known push-pull method.

【0009】再生信号は「受光素子28の各受光部から
の出力の和と、受光素子30の出力との差」により構成
され、プリピット信号は、例えば「受光素子28の各受
光部からの出力の和と、受光素子30の出力との和」に
より構成される。
The reproduction signal is composed of "the difference between the sum of outputs from the light receiving elements of the light receiving element 28 and the output of the light receiving element 30", and the pre-pit signal is, for example, "the output from each light receiving part of the light receiving element 28". And the sum of the output of the light receiving element 30 ".

【0010】ところで、周知の如く、半導体レーザー1
0から放射されるレーザー光束は、その波長が周囲温度
により変動する。この波長変動を防止するには半導体レ
ーザーの温度を一定に制御すればよいが、高価な温度制
御装置を必要とし、光源自体も複雑大型化して好ましく
ない。
As is well known, the semiconductor laser 1
The wavelength of the laser beam emitted from 0 varies depending on the ambient temperature. In order to prevent this wavelength fluctuation, the temperature of the semiconductor laser may be controlled to be constant, but an expensive temperature controller is required, and the light source itself is undesirably complicated and large.

【0011】温度変化による波長変動を光ピックアップ
動作に影響しないようにするには、第1に、カップリン
グレンズ12、対物レンズ16、集光レンズ18の色収
差を補正する必要があるが、色収差を補正したレンズは
コストが高く、また単一材料で構成できないためレンズ
自体も大きくなる。
In order to prevent the wavelength fluctuation due to the temperature change from affecting the operation of the optical pickup, first, it is necessary to correct the chromatic aberration of the coupling lens 12, the objective lens 16, and the condenser lens 18. The corrected lens is expensive and cannot be made of a single material, so the lens itself becomes large.

【0012】近来、光ピックアップのコスト低減・小型
軽量化のため、対物レンズ16、カップリングレンズ1
2として、非球面の単レンズが用いられるようになって
きているが、これらレンズの材料として低分散タイプの
硝材を用いても、単レンズで色収差を完全に補正するこ
とはできない。また、集光レンズ18には高い集光性能
が要求されないので、集光レンズ18としては球面単レ
ンズを用いるのが一般的である。
Recently, the objective lens 16 and the coupling lens 1 have been used to reduce the cost and size and weight of the optical pickup.
For example, an aspherical single lens has been used as a second lens. However, even if a low dispersion type glass material is used as a material for these lenses, the chromatic aberration cannot be completely corrected by the single lens. In addition, since a high focusing performance is not required for the focusing lens 18, a single spherical lens is generally used as the focusing lens 18.

【0013】このように光ピックアップに含まれるレン
ズに色収差があると、ナイフエッジ法によるフォーカシ
ング制御に影響がでる。この影響を、集光レンズ、カッ
プリングレンズ、対物レンズの個々に就いて説明する。
If the lens included in the optical pickup has chromatic aberration as described above, the focusing control by the knife edge method is affected. This effect will be described for each of the condenser lens, the coupling lens, and the objective lens.

【0014】図5は、記録面51から対物レンズ16、
集光レンズ18を介して受光素子22に到る反射光束の
光路を直線的に展開して示したものである。図中、実線
で示す光線は設計上の基準波長:λに対するものであ
り、図に示す状態において光スポットは正しく記録面5
1上に集光している。
FIG. 5 shows that the objective lens 16,
The optical path of the reflected light flux reaching the light receiving element 22 via the condenser lens 18 is linearly developed. In the drawing, the light beam indicated by the solid line is for the design reference wavelength: λ, and in the state shown in FIG.
Light is converged on 1.

【0015】半導体レーザー1の温度変化により波長が
λ(>λ)にずれると、集光レンズ18による収束光
束は、収束レンズ18の「色収差」により図5(a)の
破線のようになり、集光位置は受光素子22の後方へず
れる。すると、実際には光スポットが正しく記録面上に
合焦しているにも拘らず、発生するフォーカスエラー信
号は「記録面51が対物レンズ16に近づいた」かのよ
うに発生して適正なフォーカシング制御を妨げる。
When the wavelength shifts to λ 1 (> λ) due to the temperature change of the semiconductor laser 1, the convergent light beam by the condenser lens 18 becomes as shown by the broken line in FIG. The light condensing position is shifted to the rear of the light receiving element 22. Then, although the light spot is actually focused on the recording surface correctly, the generated focus error signal is generated as if “the recording surface 51 has approached the objective lens 16” and an appropriate Impedes focusing control.

【0016】逆に、半導体レーザー1の温度変化により
波長がλ(<λ)にずれると、集光レンズ18による
収束光束は色収差により図5(b)の破線のようにな
り、集光位置は受光素子22の前方へずれる。すると、
実際には光スポットが正しく記録面上に合焦しているに
も拘らず、発生するフォーカシングエラー信号は「記録
面51が対物レンズ16から遠ざかった」かのように発
生して適正なフォーカシング制御を妨げる。
Conversely, when the wavelength shifts to λ 2 (<λ) due to a temperature change of the semiconductor laser 1, the convergent light beam by the condenser lens 18 becomes as shown by a broken line in FIG. Shifts forward of the light receiving element 22. Then
Although the light spot is actually correctly focused on the recording surface, the generated focusing error signal is generated as if "the recording surface 51 has moved away from the objective lens 16", and proper focusing control has been performed. Hinder.

【0017】図7は、カップリングレンズ12の色収差
のフォーカシング制御への影響を説明するための図であ
る。繁雑を避けるために、ビーム整形プリズムを省略
し、光ピックアップの構成を簡略化して示してある。図
5におけると同じく、実線の光線は、基準波長:λに対
するものであり、図に示す状態において、光スポットは
記録面51上に正しく集光している。
FIG. 7 is a diagram for explaining the effect of chromatic aberration of the coupling lens 12 on focusing control. In order to avoid complication, the beam shaping prism is omitted, and the configuration of the optical pickup is simplified. As in FIG. 5, the solid-line light beam is for the reference wavelength: λ, and the light spot is correctly focused on the recording surface 51 in the state shown in FIG.

【0018】半導体レーザー1の温度変化により波長が
λ(>λ)にずれると、カップリングレンズ12を透
過した光束は、本来平行光束となるべきものが破線で示
すように若干発散性となり、対物レンズ16による光ス
ポットの集光位置は実線で示す記録面51よりも後方の
位置(破線で示す)へずれる。従って、記録面51が破
線で示す位置にあるときには光スポットは記録面51上
に適正に集光するが、破線で示す位置にある記録面で反
射された光束は対物レンズ16を透過すると若干収束性
となり、集光レンズ18によりさらに収束されるため、
その集光位置は破線の光線で示すように受光素子22の
前方へずれる。すると、実際には光スポットが正しく記
録面(破線で示す)51上に合焦しているにも拘らず、
発生するフォーカスエラー信号は「記録面51が対物レ
ンズ16から遠ざかった」かのように発生して適正なフ
ォーカシング制御を妨げる。
When the wavelength shifts to λ 1 (> λ) due to the temperature change of the semiconductor laser 1, the light beam transmitted through the coupling lens 12 becomes slightly divergent as indicated by a broken line, while the light beam which should be a parallel light beam is shown. The focus position of the light spot by the objective lens 16 is shifted to a position (shown by a broken line) behind the recording surface 51 shown by a solid line. Therefore, when the recording surface 51 is at the position shown by the broken line, the light spot is properly focused on the recording surface 51, but the light beam reflected by the recording surface at the position shown by the broken line slightly converges when transmitted through the objective lens 16. And is further converged by the condenser lens 18,
The condensing position is shifted to the front of the light receiving element 22 as shown by a broken light beam. Then, although the light spot is actually focused on the recording surface (indicated by the broken line) 51 correctly,
The generated focus error signal is generated as if “the recording surface 51 has moved away from the objective lens 16” and hinders proper focusing control.

【0019】逆に、半導体レーザー1の温度変化により
波長がλ(<λ)にずれると、カップリングレンズ1
2を透過した光束は若干収束性となり、光スポットの集
光位置は実線で示した記録面51よりも対物レンズ側へ
ずれる。このようにずれた記録面上に光スポットが正し
く集光するとき、集光レンズ18による収束光束の集光
位置は受光素子22の後方へずれ、実際には光スポット
が正しく記録面上に合焦しているにも拘らず、発生する
フォーカシングエラー信号は「記録面51が対物レンズ
16に近づいた」かのように発生して適正なフォーカシ
ング制御を妨げる。
Conversely, if the wavelength shifts to λ 2 (<λ) due to a temperature change of the semiconductor laser 1, the coupling lens 1
The light beam transmitted through 2 becomes slightly convergent, and the condensing position of the light spot is shifted to the objective lens side from the recording surface 51 shown by the solid line. When the light spot is correctly converged on the recording surface shifted as described above, the condensing position of the convergent light beam by the condensing lens 18 is shifted to the rear of the light receiving element 22, and the light spot is actually correctly focused on the recording surface. Despite being in focus, a focusing error signal is generated as if “the recording surface 51 has approached the objective lens 16”, preventing proper focusing control.

【0020】図8は、対物レンズ16の色収差のフォー
カシング制御への影響を説明するための図である。繁雑
を避けるため、図7におけると同様、ビーム整形プリズ
ムを省略し、光ピックアップの構成を簡略化して示して
ある。図5におけると同じく、実線の光線は基準波長:
λに対するものであり、図に示す状態において光スポッ
トは記録面51上に正しく集光している(図8
(a))。
FIG. 8 is a diagram for explaining the effect of the chromatic aberration of the objective lens 16 on the focusing control. For simplicity, as in FIG. 7, the beam shaping prism is omitted and the configuration of the optical pickup is simplified. As in FIG. 5, the solid light beam is the reference wavelength:
The light spot is correctly focused on the recording surface 51 in the state shown in FIG.
(A)).

【0021】半導体レーザー1の温度変化により波長が
λ(>λ)にずれると、光スポットの集光点は対物レ
ンズ16の色収差により、図8(b)の破線の光線で示
すように、記録面51の後方へずれる。このように、光
スポットの集光位置と記録面51とがずれた状態におい
て、記録面51により反射された光束は、対物レンズ1
6を透過後、破線で示すように若干発散性となり、集光
レンズ18により集光されるたのち受光素子22の後方
で集光する。
When the wavelength shifts to λ 1 (> λ) due to a change in the temperature of the semiconductor laser 1, the convergence point of the light spot is changed due to the chromatic aberration of the objective lens 16, as shown by the broken line in FIG. It shifts to the rear of the recording surface 51. As described above, in a state where the condensing position of the light spot and the recording surface 51 are shifted, the light beam reflected by the recording surface 51 is
After passing through 6, the light becomes slightly divergent as indicated by a broken line, and is condensed by the condenser lens 18 and then condensed behind the light receiving element 22.

【0022】このため、発生するフォーカシングエラー
信号は「記録面51が対物レンズから遠ざかった」旨の
信号であり。フォーカシングサーボ機構は、このフォー
カシングエラー信号に基づき、対物レンズ16を図中の
距離:xだけ光源側へ移動させ、図8(c)に示すよう
に、光スポットの集光位置を記録面51上に位置させ
る。この状態では、記録面51による反射光束は受光素
子22上に集光する。波長がλ(<λ)にずれた場合
にも同様に、対物レンズ16の色収差によるデフォーカ
スは通常のフォーカシング制御により補正される。即ち
対物レンズ16の色収差はフォーカシングエラー信号に
誤差を発生させない。従って、半導体レーザが波長変動
するとき、フォーカシング制御に影響を与えるのは、カ
ップリングレンズ12と集光レンズ18の色収差であ
る。
Therefore, the generated focusing error signal is a signal indicating that "the recording surface 51 has moved away from the objective lens". Based on this focusing error signal, the focusing servo mechanism moves the objective lens 16 toward the light source by the distance: x in the figure, and shifts the condensing position of the light spot on the recording surface 51 as shown in FIG. Position. In this state, the light beam reflected by the recording surface 51 is focused on the light receiving element 22. Similarly, when the wavelength is shifted to λ 2 (<λ), defocus due to chromatic aberration of the objective lens 16 is corrected by ordinary focusing control. That is, the chromatic aberration of the objective lens 16 does not cause an error in the focusing error signal. Therefore, when the wavelength of the semiconductor laser fluctuates, it is the chromatic aberration of the coupling lens 12 and the condenser lens 18 that affects the focusing control.

【0023】このように、波長変動によりカップリング
レンズ12と集光レンズ18に生ずる色収差に起因する
フォーカシングエラー信号の誤差を「色収差に起因する
フォーカシングオフセット」と呼ぶ。
As described above, the error of the focusing error signal caused by the chromatic aberration generated in the coupling lens 12 and the condenser lens 18 due to the wavelength fluctuation is called "focusing offset caused by chromatic aberration".

【0024】前述したように、波長がλ(>λ)にず
れると、カップリングレンズ12による色収差は、集光
レンズ18による収束光束の集光位置を受光素子22の
手前側へずらす作用があり、集光レンズ18の色収差は
逆に上記集光位置を受光素子22の後方へずらす作用が
ある。逆に、波長がλ(<λ)にずれると、カップリ
ングレンズ12による色収差は、集光レンズ18による
収束光束の集光位置を受光素子22の後方へずらす作用
があり、集光レンズ18の色収差は逆に上記集光位置を
受光素子22の手前側へずらす作用がある。
As described above, when the wavelength shifts to λ 1 (> λ), the chromatic aberration caused by the coupling lens 12 has the effect of shifting the condensing position of the convergent light beam by the condensing lens 18 toward the light receiving element 22. On the contrary, the chromatic aberration of the condenser lens 18 has the effect of shifting the focusing position to the rear of the light receiving element 22. Conversely, if the wavelength shifts to λ 2 (<λ), the chromatic aberration caused by the coupling lens 12 has the effect of shifting the condensing position of the convergent light beam by the condenser lens 18 to the rear of the light receiving element 22. Conversely, the chromatic aberration has the effect of shifting the focus position to the front side of the light receiving element 22.

【0025】従って半導体レーザーの波長が変化したと
き、カップリングレンズ12の色収差の影響と集光レン
ズ18の色収差の影響とは、フォーカシングエラー信号
に対して互いに逆の誤差を与える。
Therefore, when the wavelength of the semiconductor laser changes, the influence of the chromatic aberration of the coupling lens 12 and the effect of the chromatic aberration of the condenser lens 18 give opposite errors to the focusing error signal.

【0026】しかし、一般にカップリングレンズ12に
は低分散の硝材が用いられ、色収差が比較的に小さいの
に対し、集光レンズ18には、BK7,SF11等の安
価な硝材が用いられ、色収差もかなり大きいところか
ら、一般に光ピックアップにおける上記「色収差に起因
するフォーカシングオフセット」は、集光レンズ18の
色収差による影響が支配的であり、波長がλ(>λ)
にずれると、集光レンズ18による収束光束の集光位置
は受光素子22の後方へずれ、逆に、波長がλ(<
λ)にずれると上記集光位置は受光素子22の後方へず
れる。
However, generally, a low-dispersion glass material is used for the coupling lens 12 and the chromatic aberration is relatively small. On the other hand, an inexpensive glass material such as BK7 and SF11 is used for the condenser lens 18 and the chromatic aberration is reduced. In general, the above-mentioned “focusing offset caused by chromatic aberration” in an optical pickup is mainly affected by chromatic aberration of the condenser lens 18 and the wavelength is λ 1 (> λ).
, The condensing position of the convergent light flux by the condensing lens 18 shifts to the rear of the light receiving element 22, and conversely, the wavelength becomes λ 2 (<
When the position shifts to λ), the light condensing position shifts to the rear of the light receiving element 22.

【0027】波長変動によるフォーカシングエラー信号
の誤差は、上記色収差の他にも発生する。即ち一般に透
明体の屈折率は分散により、波長に依存して変化するの
で、ビーム整形プリズム14Aの入射面14aによる
「屈折角」も波長変化により変動する。
An error in the focusing error signal due to the wavelength fluctuation occurs in addition to the chromatic aberration. That is, since the refractive index of the transparent body generally changes depending on the wavelength due to dispersion, the “refraction angle” of the incident surface 14a of the beam shaping prism 14A also changes due to the wavelength change.

【0028】図6は、この屈折率変化がフォーカシング
制御に与える影響を概念的に示したものである。破線は
前述の基準波長:λに対する光線を示す。波長がλ
(>λ)にずれるとビーム整形プリズム14Aの屈折
率が相対的に小さくなり、屈折角が大きくなって、屈折
された主光線は図6(a)の実線のように進み、記録面
で反射された光束の主光線も実線のように進む。この結
果、光スポットが適正に記録面上に合焦していてもフォ
ーカシングエラー信号は「記録面が対物レンズに近づい
た」かのように発生する。逆に、波長がλ(<λ)に
ずれるとビーム整形プリズム14Aの屈折率が相対的に
大きくなり、屈折角が小さくなって、屈折された主光線
は図6(b)の実線のように進み、記録面で反射された
光束の主光線も実線のように進む。この結果、光スポッ
トが適正に記録面上に合焦していてもフォーカシングエ
ラー信号は「記録面が対物レンズから遠ざかった」かの
ように発生する。
FIG. 6 conceptually shows the influence of the change in the refractive index on the focusing control. The broken line shows the light beam for the aforementioned reference wavelength: λ. Wavelength is λ
1 (> λ), the refractive index of the beam shaping prism 14A becomes relatively small, the refraction angle increases, and the refracted chief ray travels as shown by the solid line in FIG. The principal ray of the reflected light beam also travels as indicated by the solid line. As a result, even if the light spot is properly focused on the recording surface, the focusing error signal is generated as if "the recording surface was close to the objective lens". Conversely, when the wavelength shifts to λ 2 (<λ), the refractive index of the beam shaping prism 14A becomes relatively large, the refraction angle becomes small, and the refracted principal ray is as shown by the solid line in FIG. The principal ray of the light beam reflected by the recording surface also advances as indicated by the solid line. As a result, even if the light spot is properly focused on the recording surface, the focusing error signal is generated as if "the recording surface has moved away from the objective lens".

【0029】このように、波長変動によりビーム整形プ
リズム14Aに生ずるおける屈折率変化に起因するフォ
ーカシングエラー信号の誤差を「屈折角変化に起因する
フォーカシングオフセット」と呼ぶ。
As described above, the error of the focusing error signal caused by the change in the refractive index caused in the beam shaping prism 14A due to the wavelength change is called "focusing offset caused by the change in the refraction angle".

【0030】[0030]

【発明が解決しようとする課題】この発明は上述した事
情に鑑みてなされたものであって、レンズの色収差に拘
らず、半導体レーザーの発振波長変動に伴うフォーカシ
ングエラー信号の誤差を有効に軽減した光ピックアップ
の提供を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has effectively reduced an error in a focusing error signal due to a variation in oscillation wavelength of a semiconductor laser regardless of the chromatic aberration of a lens. The purpose is to provide an optical pickup.

【0031】[0031]

【課題を解決するための手段】この発明の光ピックアッ
プは「半導体レーザーから放射されるレーザー光束をカ
ップリングレンズにより平行光束化し、ビーム整形プリ
ズムにより所望の光束断面形状とし、この平行光束をビ
ームスプリッターを介し対物レンズにより光情報記録媒
体の記録面上に光スポットとして集光させ、記録面から
の反射光束を上記対物レンズとビームスプリッターとを
介して検出系へ導くように構成された光ピックアップ」
であって、検出系における「フォーカシングエラー信号
検出系がナイフエッジ法による検出系」であり、ビーム
スプリッター側からの光束をナイフエッジの手前側で収
束性の光束に変換して検出系の受光素子に導く集光レン
ズを有する。
According to an optical pickup of the present invention, a laser beam emitted from a semiconductor laser is converted into a parallel beam by a coupling lens, a desired beam cross section is formed by a beam shaping prism, and the parallel beam is converted into a beam splitter. An optical pickup configured to converge a light spot on a recording surface of an optical information recording medium as an optical spot by an objective lens through the objective lens and guide a reflected light beam from the recording surface to a detection system via the objective lens and the beam splitter. "
In the detection system, the “focusing error signal detection system is a detection system based on the knife edge method.” The light beam from the beam splitter side is converted into a convergent light beam before the knife edge, and the light receiving element of the detection system is used. And a condenser lens that leads to

【0032】請求項1記載の光ピックアップは「対物レ
ンズの光軸に関して検出系と逆の側からレーザー光束が
入射する入射面をビーム成形プリズムに設け、集光レン
ズの光軸に関して光情報記録媒体と同一側にナイフエッ
ジを配し、半導体レーザーの波長変化により生じるビー
ム整形プリズムにおける屈折角変化:Δθと、ビーム整
形プリズムの入射面から受光素子の受光面に至る光路
長:Lとの積:Δθ・L が、波長変化により生ずる上記
レンズにおける色収差に起因するフォーカシングオフセ
ットの絶対値と略等しくなるようにした」ことを特徴と
する。
[0032] The optical pickup according to claim 1 is an object pickup.
Laser beam from the side opposite to the detection system with respect to the optical axis of the lens
An incident surface for incidence is provided on the beam shaping prism,
Knife edge on the same side as the optical information recording medium with respect to the optical axis of the
Bead caused by the wavelength change of the semiconductor laser
Angle change in beam shaping prism: Δθ and beam shaping
Light path from the entrance surface of the prism to the light receiving surface of the light receiving element
Length: The product of L: Δθ · L is caused by the wavelength change
Focusing offset caused by chromatic aberration in the lens
The absolute value of the set is approximately equal to the absolute value of the set . "

【0033】請求項2記載の光ピックアップでは「対物
レンズの光軸に関して検出系と同じ側からレーザー光束
が入射する入射面をビーム整形プリズムに設け、集光レ
ンズの光軸に関して上記光情報記録媒体と逆の側にナイ
フエッジを配」する。
In the optical pickup according to the second aspect, the " object "
Laser beam from the same side as the detection system with respect to the optical axis of the lens
The beam-shaping prism is provided with an incident surface where
With respect to the optical axis of the lens
Arrange the wings.

【0034】そして、半導体レーザーの波長変化により
生じる上記ビーム整形プリズムにおける屈折角変化:Δ
θと、ビーム成形プリズムの入射面から受光素子の受光
面に至る光路長:Lとの積:Δθ・Lが、波長変化によ
り生ずる上記レンズにおける色収差に起因するフォーカ
シングオフセットの絶対値と略等しくなるようにしたこ
とを特徴とする。
Then, due to the wavelength change of the semiconductor laser,
Refraction angle change in the beam shaping prism that occurs: Δ
θ and the light receiving element from the entrance surface of the beam shaping prism
The product of the optical path length to the surface: L and Δθ · L depends on the wavelength change.
Focusing due to chromatic aberration in the above lens
Should be approximately equal to the absolute value of the sing offset.
And features.

【0035】上記請求項1または2に記載の光ピックア
ップにおいて、ビーム整形プリズムとビームスプリッタ
ーとは互いに別体であって良いが、1つの光学素子とし
て一体化されていてもよい(請求項)。
[0035] In the optical pickup according to the claim 1 or 2, may be separate members from the beam shaping prism and a beam splitter, which may be integrated as one optical element (claim 3) .

【0036】[0036]

【作用】上記のように、屈折角変化に起因するフォーカ
シングオフセットと、色収差に起因するフォーカシング
オフセットは、何れも発振波長の変化が長波長側へ起こ
るか短波長側へ起こるかによりオフセットの極性(プラ
ス・マイナス)が決まっている。また両フォーカシング
オフセットは、互いに独立に発生する。
As described above, both the focusing offset caused by the change in the refraction angle and the focusing offset caused by the chromatic aberration depend on whether the change in the oscillation wavelength occurs on the long wavelength side or on the short wavelength side. Plus or minus) is determined. Further, both focusing offsets are generated independently of each other.

【0037】従って、これら両フォーカシングオフセッ
トが互いに軽減しあうように、理想的には互いに相殺し
あうように、各フォーカシングオフセットを発生させる
ように光学系の配置を定めることが可能である。
Accordingly, it is possible to determine the arrangement of the optical system so as to generate each focusing offset so that these two focusing offsets are reduced to each other, and ideally are canceled each other.

【0038】[0038]

【実施例】以下、具体的な実施例を説明する。図1
(a)は請求項1,記載の発明を図4に即して説明し
た型の光ピックアップに適用した1実施例を示してい
る。繁雑を避けるため、混同の慮がないと思われるもの
に就いては図4におけると同一の符号を用いた。また検
出系におけるフォーカシングエラー信号検出系以外の部
分は記載を省略した。省略された部分の構成は図4の構
成と同じである。
EXAMPLES Specific examples will be described below. FIG.
(A) shows an embodiment in which the inventions of claims 1 and 3 are applied to an optical pickup of the type described with reference to FIG. In order to avoid complication, the same reference numerals as those in FIG. 4 are used for those which do not seem to be confused. The description of the parts other than the focusing error signal detection system in the detection system is omitted. The configuration of the omitted part is the same as the configuration of FIG.

【0039】図1に示す実施例の光学配置と図4の光学
配置の違いは、図1の実施例に於いては、ビーム整形プ
リズム14A1と直角プリズム14Bと光半透膜14C
を一体とした光学素子140におけるビーム整形プリズ
ム14A1の入射面14a1の向きが「対物レンズ16
の光軸に関して図4の場合と逆」に設定され、半導体レ
ーザー10とカップリングレンズ12とが上記光軸の左
側に配備されている点である。
The difference between the optical arrangement of the embodiment shown in FIG. 1 and the optical arrangement of FIG. 4 is that, in the embodiment of FIG. 1, the beam shaping prism 14A1, the right-angle prism 14B and the light semi-permeable film 14C are used.
The direction of the incident surface 14a1 of the beam shaping prism 14A1 in the optical element 140 integrating the
4 is set opposite to the case of FIG. 4, and the semiconductor laser 10 and the coupling lens 12 are disposed on the left side of the optical axis.

【0040】図1(b)(c)は、半導体レーザー10
における発振波長が温度変化により変化した場合を示し
ている。図における破線は、基準波長:λに対する光線
(主光線)を示し、実線は波長が変化したときの主光線
を表す。図1(b)は、波長がλ(>λ)にずれた場
合で、「屈折角変化に起因するフォーカシングオフセッ
ト」は、恰も「記録面が対物レンズから遠ざかった」か
のように発生する。図1(c)は逆に、波長がλ(<
λ)にずれた場合で、「屈折角変化に起因するフォーカ
シングオフセット」は、恰も「記録面が対物レンズに近
づいた」かのように発生する。
FIGS. 1B and 1C show a semiconductor laser 10.
5 shows a case where the oscillation wavelength at the time has changed due to a temperature change. The broken line in the figure indicates a light ray (principal ray) for the reference wavelength: λ, and the solid line indicates the principal ray when the wavelength changes. FIG. 1B shows a case where the wavelength is shifted to λ 1 (> λ), and the “focusing offset caused by a change in the refraction angle” occurs as if “the recording surface has moved away from the objective lens”. . FIG. 1C conversely shows that the wavelength is λ 2 (<
λ), the “focusing offset due to the change in the refraction angle” occurs as if “the recording surface was closer to the objective lens”.

【0041】従って、波長変化が生じたとき「屈折角変
化に起因するフォーカシングオフセット」は「色収差に
起因するフォーカシングオフセット」を打ち消すように
発生するので、波長変化に基づくフォーカシングオフセ
ット(屈折角変化に起因するものと色収差に起因するも
のとの和)は有効に軽減されて小さくなる。
Therefore, when a wavelength change occurs, the "focusing offset caused by the change in the refraction angle" is generated so as to cancel out the "focusing offset caused by the chromatic aberration". (The sum of the difference caused by the chromatic aberration) is effectively reduced.

【0042】「屈折角変化に起因するフォーカシングオ
フセット」は、ビーム整形プリズム14A1の入射面1
4a1から受光素子22の受光面に到る光路長をL、屈
折角の変化をΔθとして、およそΔθ・Lで与えられる
から、これが「色収差に起因するフォーカシングオフセ
ット」の絶対値と等しくなるように、前記光路長:Lを
設定すれば、両フォーカシングオフセットを互いに相殺
させてフォーカシングオフセットを防止することができ
る。
The “focusing offset caused by a change in the refraction angle” is defined by the incident surface 1 of the beam shaping prism 14A1
Since L is the optical path length from 4a1 to the light receiving surface of the light receiving element 22 and Δθ is the change in the refraction angle, it is given by approximately Δθ · L, so that this is equal to the absolute value of “focusing offset caused by chromatic aberration”. By setting the optical path length: L, both focusing offsets can be canceled each other to prevent the focusing offset.

【0043】図2(a)は請求項1,3記載の発明を図
4に即して説明した型の光ピックアップに適用した1実
施例を示している。繁雑を避けるため、図2において
も、混同の慮がないと思われるものに就いては図4にお
けると同一の符号を用い、検出系におけるフォーカシン
グエラー信号検出系以外の部分は記載を省略した。
FIG. 2A shows an embodiment in which the first and third aspects of the present invention are applied to an optical pickup of the type described with reference to FIG. In order to avoid complication, in FIG. 2, the same reference numerals as those in FIG. 4 are used for those which do not seem to be confused, and the description of the detection system other than the focusing error signal detection system is omitted.

【0044】図2に示す実施例の光学配置と図4の光学
配置の違いは、図2の実施例に於いては、ビーム整形プ
リズム14A2と直角プリズム14B1と光半透膜14
C1を一体とした光学素子141における光半透膜14
C1の向きが「対物レンズ16の光軸に関して図4の場
合と逆」に設定され、検出系が上記光軸の左側に配備さ
れている点である。
The difference between the optical arrangement of the embodiment shown in FIG. 2 and the optical arrangement of FIG. 4 is that the beam shaping prism 14A2, the right-angle prism 14B1 and the light semi-permeable
Light semi-permeable film 14 in optical element 141 integrating C1
The point is that the direction of C1 is set to “reverse to the case of FIG. 4 with respect to the optical axis of the objective lens 16”, and the detection system is provided on the left side of the optical axis.

【0045】図2(b)(c)は、半導体レーザー10
における発振波長が温度変化により変化した場合を示し
ている。図における破線は基準波長:λに対する光線
(主光線)を示し、実線は波長が変化したときの主光線
を表す。図2(b)は、波長がλ(>λ)にずれた場
合で、「屈折角変化に起因するフォーカシングオフセッ
ト」は恰も「記録面が対物レンズから遠ざかった」かの
ように発生する。図2(c)は逆に、波長がλ(<
λ)にずれた場合であり、「屈折角変化に起因するフォ
ーカシングオフセット」は恰も「記録面が対物レンズに
近づいた」かのように発生する。
FIGS. 2B and 2C show the semiconductor laser 10.
5 shows a case where the oscillation wavelength at the time has changed due to a temperature change. The broken line in the figure indicates the light ray (principal ray) for the reference wavelength: λ, and the solid line indicates the principal ray when the wavelength changes. FIG. 2B shows a case where the wavelength is shifted to λ 1 (> λ), and the “focusing offset caused by a change in the refraction angle” occurs as if “the recording surface has moved away from the objective lens”. On the contrary, FIG. 2C shows that the wavelength is λ 2 (<
λ), and the “focusing offset due to the change in the refraction angle” occurs as if “the recording surface was closer to the objective lens”.

【0046】従って、波長変化が生じたとき「屈折角変
化に起因するフォーカシングオフセット」は「色収差に
起因するフォーカシングオフセット」を打ち消すように
発生するので、波長変化に基づくフォーカシングオフセ
ットは有効に軽減されて小さくなる。
Therefore, when a wavelength change occurs, the "focusing offset caused by the change in the refraction angle" is generated so as to cancel out the "focusing offset caused by the chromatic aberration". Therefore, the focusing offset based on the wavelength change is effectively reduced. Become smaller.

【0047】「屈折角変化に起因するフォーカシングオ
フセット」は、この実施例の場合もおよそ前述のΔθ・
Lで与えられるから、これが「色収差に起因するフォー
カシングオフセット」の絶対値と等しくなるように、光
路長:Lを設定すれば、両フォーカシングオフセットを
互いに相殺させてフォーカシングオフセットを防止する
ことができる。
The “focusing offset caused by a change in the refraction angle” is approximately the same as Δθ ·
Since L is given by L, if the optical path length: L is set so that this becomes equal to the absolute value of “focusing offset due to chromatic aberration”, both focusing offsets can be canceled out to prevent the focusing offset.

【0048】図3(a)は請求項2,3記載の発明を図
4に即して説明した型の光ピックアップに適用した1実
施例を示している。この図3においても、混同の慮がな
いと思われるものに就いては図4におけると同一の符号
を用い、検出系におけるフォーカシングエラー信号検出
系以外の部分は記載を省略した。
FIG. 3A shows an embodiment in which the invention according to claims 2 and 3 is applied to an optical pickup of the type described with reference to FIG. Also in FIG. 3, the same reference numerals as those in FIG. 4 are used for those which do not seem to be confused, and the description of the detection system other than the focusing error signal detection system is omitted.

【0049】図3に示す実施例の光学配置と図4の光学
配置の違いは、図3の実施例に於いては、稜線部がナイ
フエッジとして作用する、ナイフエッジ部材としての反
射プリズム21が「集光レンズ18の光軸に関して図4
の場合と逆の側」に設定されている点である。
The difference between the optical arrangement of the embodiment shown in FIG. 3 and the optical arrangement of FIG. 4 is that, in the embodiment of FIG. 3, the reflecting prism 21 as a knife edge member whose ridge acts as a knife edge. “With respect to the optical axis of the condenser lens 18, FIG.
On the opposite side to the case of the above.

【0050】図3(b)(c)は、半導体レーザー10
における発振波長が温度変化により変化した場合を示し
ている。図における破線は基準波長:λに対する光線
(主光線)を示し、実線は波長が変化したときの主光線
を表す。図3(b)は、波長がλ(>λ)にずれた場
合であり、「光レンズ18の色収差に起因するフォーカ
シングオフセット」は恰も「記録面が対物レンズに近づ
いた」かのように発生する。図1(c)は逆に波長がλ
(<λ)にずれた場合であり、「色収差に起因するフ
ォーカシングオフセット」は恰も「記録面が対物レンズ
から遠ざかった」かのように発生する。
FIGS. 3B and 3C show the semiconductor laser 10.
5 shows a case where the oscillation wavelength at the time has changed due to a temperature change. The broken line in the figure indicates the light ray (principal ray) for the reference wavelength: λ, and the solid line indicates the principal ray when the wavelength changes. FIG. 3B shows the case where the wavelength is shifted to λ 1 (> λ), and the “focusing offset caused by the chromatic aberration of the optical lens 18” is as if “the recording surface was closer to the objective lens”. appear. FIG. 1 (c) shows that the wavelength is λ
2 (<λ), and the “focusing offset due to chromatic aberration” occurs as if “the recording surface was far from the objective lens”.

【0051】従って、波長変化が生じたとき「屈折角変
化に起因するフォーカシングオフセット」は「色収差に
起因するフォーカシングオフセット」を打ち消すように
発生するので波長変化に基づくフォーカシングオフセッ
トは有効に軽減されて小さくなる。
Therefore, when a wavelength change occurs, the "focusing offset caused by the change in the refraction angle" is generated so as to cancel out the "focusing offset caused by the chromatic aberration". Therefore, the focusing offset based on the change in the wavelength is effectively reduced and becomes small. Become.

【0052】「屈折角変化に起因するフォーカシングオ
フセット」は、この実施例の場合もおよそ前述のΔθ・
Lで与えられるから、これが「色収差に起因するフォー
カシングオフセット」の絶対値と等しくなるように、光
路長:Lを設定すれば、両フォーカシングオフセットを
互いに相殺し、フォーカシングオフセットを防止するこ
とができる。
The “focusing offset caused by the change in the refraction angle” is approximately the same as Δθ ·
Since it is given by L, if the optical path length: L is set so that this becomes equal to the absolute value of “focusing offset caused by chromatic aberration”, both focusing offsets can be canceled each other, and the focusing offset can be prevented.

【0053】[0053]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば新規な
光ピックアップを提供できる。この発明の光ピックアッ
プは、上記の如き構成となっているので、ナイフエッジ
方式のフォーカシングエラー信号検出系におけるレンズ
の色収差に拘らず、半導体レーザーの発振波長の変動に
よるフォーカシングオフセットを有効に軽減して、良好
なフォーカシング制御を実現することができる。ナイフ
エッジ部材は、前述の反射プリズムのほかにも公知の適
宜のものを用いることができる。
As described above, according to the present invention, a novel optical pickup can be provided. Since the optical pickup of the present invention is configured as described above, regardless of the chromatic aberration of the lens in the knife-edge type focusing error signal detection system, the focusing offset due to the fluctuation of the oscillation wavelength of the semiconductor laser is effectively reduced. , Good focusing control can be realized. As the knife edge member, a known appropriate member can be used in addition to the above-described reflection prism.

【0054】なお、この発明は実施例で説明した磁気記
ディスク用の光ピックアップのみならずコンパクトディ
スク用の光ピックアップとしても実施できることは言う
までもない。
It goes without saying that the present invention can be implemented not only as an optical pickup for a magnetic recording disk described in the embodiment but also as an optical pickup for a compact disk.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】請求項1,載の発明の1実施例を説明するた
めの図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment of the invention described in claims 1 and 3 ;

【図2】請求項1,3記載の発明の1実施例を説明する
ための図である。
FIG. 2 is a view for explaining one embodiment of the invention described in claims 1 and 3 ;

【図3】請求項2,3記載の発明の1実施例を説明する
ための図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining one embodiment of the invention described in claims 2 and 3 ;

【図4】従来技術を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a conventional technique.

【図5】集光レンズの色収差とフォーカシング制御の誤
差を説明するための図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining chromatic aberration of a condenser lens and an error in focusing control.

【図6】屈折角変化に起因するフォーカシングオフセッ
トを説明するための図である。
FIG. 6 is a diagram for explaining a focusing offset caused by a change in a refraction angle.

【図7】カップリングレンズの色収差とフォーカシング
制御の誤差を説明するための図である。
FIG. 7 is a diagram for explaining chromatic aberration of a coupling lens and an error in focusing control.

【図8】対物レンズの色収差がフォーカシング制御に影
響しないことを説明するための図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining that chromatic aberration of an objective lens does not affect focusing control.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 半導体レーザー 12 カップリングレンズ 14A1 ビーム整形プリズム 14B 直角プリズム 14C 光半透膜 16 対物レンズ 18 集光レンズ 20 反射プリズム 22 2分割の受光素子 50 光磁気ディスク 51 記録面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor laser 12 Coupling lens 14A1 Beam shaping prism 14B Right angle prism 14C Light semi-permeable film 16 Objective lens 18 Condensing lens 20 Reflection prism 22 Two-part light receiving element 50 Magneto-optical disk 51 Recording surface

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−305824(JP,A) 特開 平4−34740(JP,A) 特開 平4−281227(JP,A) 特開 平1−287827(JP,A) 特開 平4−291027(JP,A) 特開 平2−292735(JP,A) 特開 平4−291026(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 7/09 - 7/22 Continuation of front page (56) References JP-A-4-305824 (JP, A) JP-A-4-34740 (JP, A) JP-A-4-281227 (JP, A) JP-A-1-287827 (JP) JP-A-4-291027 (JP, A) JP-A-2-292735 (JP, A) JP-A-4-291026 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB Name) G11B 7/09-7/22

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半導体レーザーから放射されるレーザー光
束をカップリングレンズにより平行光束化し、ビーム整
形プリズムにより所望の光束断面形状とし、この平行光
束をビームスプリッターを介し対物レンズにより光情報
記録媒体の記録面上に光スポットとして集光させ、上記
記録面からの反射光束を上記対物レンズとビームスプリ
ッターとを介して検出系へ導くように構成された光ピッ
クアップであって、 上記検出系におけるフォーカシングエラー信号検出系が
ナイフエッジ法による検出系で、上記ビームスプリッタ
ー側からの光束をナイフエッジの手前側で収束性の光束
に変換して上記検出系の受光素子に導く集光レンズを有
し、上記対物レンズの光軸に関して上記検出系と逆の側から
上記レーザー光束が入射する入射面を上記ビーム成形プ
リズムに設け、 上記集光レンズの光軸に関して上記光情報記録媒体と同
一側に上記ナイフエッジを配し、 半導体レーザーの波長変化により生じる上記ビーム整形
プリズムにおける屈折角変化:Δθと、上記ビーム整形
プリズムの入射面から上記受光素子の受光面に至る光路
長:Lとの積:Δθ・Lが、上記波長変化により生ずる
上記レンズにおける色収差に起因するフォーカシングオ
フセットの絶対値と略等しくなるようにしたことを 特徴
とする光ピックアップ。
1. A laser beam emitted from a semiconductor laser is converted into a parallel beam by a coupling lens, a desired beam cross section is formed by a beam shaping prism, and the parallel beam is recorded on an optical information recording medium by an objective lens via a beam splitter. An optical pickup configured to converge a light spot on a surface and guide a reflected light beam from the recording surface to a detection system via the objective lens and a beam splitter, wherein a focusing error signal in the detection system is provided. The detection system is a detection system based on the knife edge method, and the light beam from the beam splitter is convergent on the front side of the knife edge.
Having a condensing lens that converts the light into the light receiving element of the detection system, and from the side opposite to the detection system with respect to the optical axis of the objective lens.
The incident surface on which the laser beam is incident is defined by the beam shaping
Rhythm, and the same as the optical information recording medium with respect to the optical axis of the condenser lens.
The knife edge is arranged on one side, and the beam shaping caused by the wavelength change of the semiconductor laser
Refraction angle change in prism: Δθ and the above beam shaping
The optical path from the entrance surface of the prism to the light receiving surface of the light receiving element
Length: product of L: Δθ · L is generated by the above wavelength change
Focusing error due to chromatic aberration in the above lens
An optical pickup characterized in that the absolute value of the offset is substantially equal to the absolute value of the offset .
【請求項2】半導体レーザーから放射されるレーザー光
束をカップリングレンズにより平行光束化し、ビーム整
形プリズムにより所望の光束断面形状とし、この平行光
束をビームスプリッターを介し対物レンズにより光情報
記録媒体の記録面上に光スポットとして集光させ、上記
記録面からの反射光束を上記対物レンズとビームスプリ
ッターとを介して検出系へ導くように構成された光ピッ
クアップであって、 上記検出系におけるフォーカシングエラー信号検出系が
ナイフエッジ法による検出系で、上記ビームスプリッタ
ー側からの光束をナイフエッジの手前側で収束性の光束
に変換して上記検出系の受光素子に導く集光レンズを有
し、上記対物レンズの光軸に関して上記検出系と同じ側から
上記レーザー光束が入射する入射面を上記ビーム整形プ
リズムに設け、 上記集光レンズの光軸に関して上記光情報記録媒体と逆
の側に上記ナイフエッジを配し、 半導体レーザーの波長変化により生じる上記ビーム整形
プリズムにおける屈折角変化:Δθと、上記ビーム成形
プリズムの入射面から上記受光素子の受光面に至る光路
長:Lとの積:Δθ・Lが、上記波長変化により生ずる
上記レンズにおける色収差に起因するフォーカシングオ
フセットの絶対値と略等しくなるようにしたことを 特徴
とする光ピックアップ。
2. A laser beam emitted from a semiconductor laser is converted into a parallel beam by a coupling lens, a desired beam cross section is formed by a beam shaping prism, and the parallel beam is recorded on an optical information recording medium by an objective lens via a beam splitter. An optical pickup configured to converge a light spot on a surface and guide a reflected light beam from the recording surface to a detection system via the objective lens and a beam splitter, wherein a focusing error signal in the detection system is provided. The detection system is a detection system based on the knife edge method, and the light beam from the beam splitter is convergent on the front side of the knife edge.
Having a condenser lens that converts the light into a light-receiving element of the detection system, and from the same side as the detection system with respect to the optical axis of the objective lens.
The incident surface on which the laser beam is incident enters the beam shaping
Rhythm, opposite to the optical information recording medium with respect to the optical axis of the condenser lens
The above-mentioned knife edge is arranged on the side, and the above- mentioned beam shaping caused by the wavelength change of the semiconductor laser
Refraction angle change in prism: Δθ and the above beam shaping
The optical path from the entrance surface of the prism to the light receiving surface of the light receiving element
Length: product of L: Δθ · L is generated by the above wavelength change
Focusing error due to chromatic aberration in the above lens
An optical pickup characterized in that the absolute value of the offset is substantially equal to the absolute value of the offset .
【請求項3】請求項1または2に記載の光ピックアップ
において、 ビーム整形プリズムとビームスプリッターが1つの光学
素子として一体化されていることを特徴とする光ピック
アップ。
3. The optical pickup according to claim 1, wherein the beam shaping prism and the beam splitter are integrated as one optical element.
JP02694893A 1993-02-16 1993-02-16 Optical pickup Expired - Fee Related JP3254284B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02694893A JP3254284B2 (en) 1993-02-16 1993-02-16 Optical pickup

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02694893A JP3254284B2 (en) 1993-02-16 1993-02-16 Optical pickup

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06243489A JPH06243489A (en) 1994-09-02
JP3254284B2 true JP3254284B2 (en) 2002-02-04

Family

ID=12207383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP02694893A Expired - Fee Related JP3254284B2 (en) 1993-02-16 1993-02-16 Optical pickup

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3254284B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06243489A (en) 1994-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4715024A (en) Optical head with provision for tracking and focussing control
JP3567515B2 (en) Optical pickup device
JP2002150598A (en) Optical pickup device and recording/reproducing device
US4823334A (en) Optical head with easily adjustable collimator having two lens components
JP2682087B2 (en) Optical pickup device
US4641023A (en) Optical head
JP3083834B2 (en) Optical pickup device
US5233595A (en) Optical pickup including waveguide light intensity detection means for controlling a position/intensity of a semiconductor laser
EP0399977B1 (en) Apparatus and method for detecting focus errors
JP3254284B2 (en) Optical pickup
US6510119B2 (en) Optical head device
US5220553A (en) Optical head
JPS63129529A (en) Optical pickup head
JP2699986B2 (en) Apparatus for detecting focus error of optical head
EP0608842B1 (en) Optical pick-up device
JP2001110082A (en) Optical pickup and optical disk device
JP4123217B2 (en) Optical pickup device, optical disk device, and focus error signal detection method
JPH02158924A (en) Focus error detection
JPH10228665A (en) Optical disk device and optical head used for it
JPH09270136A (en) Optical pickup device
JPS6242341A (en) Optical information processor
JPH0677348B2 (en) Magneto-optical pickup device
JPH0196832A (en) Optical pick-up device
JP2000195084A (en) Optical pickup
JPH06236564A (en) Optical pickup device

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071122

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees