JP3247708B2 - Polishing equipment for semiconductor wafers - Google Patents

Polishing equipment for semiconductor wafers

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JP3247708B2 JP33401891A JP33401891A JP3247708B2 JP 3247708 B2 JP3247708 B2 JP 3247708B2 JP 33401891 A JP33401891 A JP 33401891A JP 33401891 A JP33401891 A JP 33401891A JP 3247708 B2 JP3247708 B2 JP 3247708B2
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハーのポリ
ッシング(鏡面加工)を行うポリッシング装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing apparatus for polishing (mirror polishing) a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】シリコン等の半導体ウェハーのポリッシ
ングを行うには、従来、複数枚のウェハーを平坦なプレ
ートの一面にワックス等で接着した後、定盤に貼付した
研磨クロス上に、ウエハー接着側を下にして前記プレー
トを載置し、上下動主軸に回転可能に吊下されたトップ
リングを下降させてプレート下面に接着されたウェハー
を研磨クロスに押圧し、研磨クロス面に特殊なスラリー
を供給しながら前記定盤を回転させ、同時にトップリン
グとともにプレートを回転させてウェハーの鏡面加工を
行っている。
2. Description of the Related Art Conventionally, to polish a semiconductor wafer such as silicon, a plurality of wafers are bonded to one surface of a flat plate with wax or the like, and then, a polishing cloth attached to a surface plate is placed on a polishing cloth. The plate is placed on the lower side, the top ring rotatably suspended on the vertical moving spindle is lowered, and the wafer bonded to the lower surface of the plate is pressed against the polishing cloth, and a special slurry is applied to the polishing cloth surface. The platen is rotated while supplying, and the plate is rotated together with the top ring to mirror-process the wafer.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】この場合、ウェハーに
高精度の鏡面加工を行なうには、トップリングによって
下面にウェハーの接着されたプレートの全面を均等に押
圧することが必要条件である。しかるに、従来のポリッ
シング装置では、装置の自動化のために、トップリング
はプレートの垂直線上に位置する上下動機構の下部に固
着され、ウェハー押圧時においてもトップリングはその
上下動機構に固着されたままであるから、トップリング
に対する上下動機構の取付け角度が正確に直角になって
いないと、プレートを垂直に圧下しないことになる。通
常、一枚のウェハーでも厚さにバラツキがあるうえに、
プレートには複数のウェハーが接着されているため、プ
レート上面の水平度に誤差を生じ、極端な場合には、ト
ップリングに接触しないプレート上面部分、すなわち全
く圧下されない部分が生じるおそれもあった。さらに、
ウェハーの鏡面加工中に定盤面に細かな面振れを生じる
ことがあるが、その際にもトップリングは上下動機構に
固着されたままであるから、高精度の加工を行うことは
できなかった。
In this case, in order to perform mirror polishing with high precision on the wafer, it is necessary to uniformly press the entire surface of the plate with the wafer adhered to the lower surface by the top ring. However, in the conventional polishing apparatus, for automation of the apparatus, the top ring is fixed to the lower part of the vertical movement mechanism located on the vertical line of the plate, and the top ring remains fixed to the vertical movement mechanism even when the wafer is pressed. Therefore, if the mounting angle of the vertical movement mechanism with respect to the top ring is not exactly right, the plate will not be pressed down vertically. Usually, even a single wafer has variations in thickness,
Since a plurality of wafers are bonded to the plate, an error occurs in the horizontality of the upper surface of the plate. In an extreme case, there is a possibility that a portion of the upper surface of the plate that does not contact the top ring, that is, a portion that is not pressed down at all, may occur. further,
Fine surface run-out may occur on the surface of the surface plate during the mirror polishing of the wafer, but even in that case, the top ring remains fixed to the vertical movement mechanism, so that high-precision processing could not be performed.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題点
に鑑み、被加工ウエハーの上面の平坦度にかかわらず、
これを常に均等に押圧するとともに、加工中の定盤面の
面振れに対しても対応できるウェハーのポリッシング装
置を提供することを目的としてなされたもので、本発明
の半導体ウェハーのポリッシング装置は、半導体ウェハ
ーを下面に接着したプレートを、定盤に貼付した研磨ク
ロス上に載置し、上下動主軸に吊下されたトップリング
で圧下してウェハーをポリッシングする半導体ウエハー
のポリッシング装置において、トップリングはプレート
を圧下する円板状ヘッドと、この中心に垂直に立設され
た中央軸と、中央軸を貫いてヘッド上に積み重ねられた
環状ウエイトよりなり、上下動主軸は下端に下方に向か
って広がるトップリング支持部材を有し、中央軸は円筒
状で、上方内部にトップリング支持部材を収容し、かつ
上端に上方に向かって狭くなったストッパーを形成し、
トップリング支持部材の最大外径は中央軸の円筒部の内
径より小さいが、ストッパーの内径より大きく形成さ
れ、上下動主軸の上昇時には、中央軸の上端部でトップ
リング支持部材とストッパーとが係合し、該係合箇所で
吊り下げられるようにトップリングが持ち上げられ、上
下動主軸の下降時には、トップリングが上下動主軸から
切り離され自重によりプレート上面を圧下するように構
成されていることを特徴とする半導体ウエハーのポリッ
シング装置を要旨とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has no problem with the flatness of the upper surface of a wafer to be processed.
It is an object of the present invention to provide a wafer polishing apparatus capable of always pressing the wafer evenly and coping with the runout of the surface of the platen during processing.
The semiconductor wafer polishing apparatus puts a plate on which a semiconductor wafer is adhered to a lower surface on a polishing cloth attached to a surface plate, and polishes the wafer by pressing down with a top ring suspended from a vertically moving spindle. In a wafer polishing apparatus, a top ring is composed of a disk-shaped head for pressing down a plate, a central shaft vertically erected at the center, and an annular weight stacked on the head through the central shaft. The main shaft has a top ring support member that spreads downward at the lower end, the central shaft is cylindrical, accommodates the top ring support member inside the upper part, and forms a stopper that narrows upward at the upper end,
The maximum outer diameter of the top ring support member is smaller than the inner diameter of the cylindrical part of the central shaft, but larger than the inner diameter of the stopper.
When the vertically moving spindle rises, the top
The ring support member and the stopper engage with each other, and
The top ring is lifted so that it can be suspended
When the lower spindle moves down, the top ring moves from the vertical spindle.
Separate and press down the top of the plate by its own weight.
The present invention provides a polishing apparatus for a semiconductor wafer, characterized in that the polishing apparatus is formed.

【0005】[0005]

【作用】以下、図に基づいて本発明の装置を説明する。
図1は本発明のポリッシング装置の一実施例を示すもの
で、(a)は(b)のA−O−B線に沿う断面図、
(b)は部分平面図であり、プレート1の下面に被加工
半導体ウエハー2を複数枚接着し、これを定盤3の上面
に貼付した研磨クロス4の上に載置する。トップリング
5は、プレート1に接触し、これを圧下する円形のヘッ
ド6と、この中央に垂直に立設された中央軸7よりな
り、ヘッド6上には環状ウエイト8が中央軸7を貫いて
必要数だけ積み重ねられている。
The device of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1A and 1B show an embodiment of a polishing apparatus according to the present invention, wherein FIG. 1A is a cross-sectional view taken along line AOB of FIG.
FIG. 2B is a partial plan view, in which a plurality of semiconductor wafers 2 to be processed are adhered to the lower surface of the plate 1, and the semiconductor wafers 2 are mounted on a polishing cloth 4 attached to the upper surface of the surface plate 3. The top ring 5 comprises a circular head 6 which comes into contact with and lowers the plate 1 and a central shaft 7 erected perpendicularly at the center thereof. On the head 6, an annular weight 8 penetrates the central shaft 7. As many as necessary.

【0006】中央軸7は円筒状であるが、内部は上方に
向かって狭くなり上端にストッパー9が形成されてい
る。上下動主軸10は、下端に下方に向かって広がるト
ップリング支持部材11を持つ。しかしてトップリング
支持部材11は円筒状の中央軸7の上方内部に収容され
ているが、中央軸7の上部内面は上方に向かって狭くな
ってストッパー9となり、上端の内径はトップリング支
持部材11の最大外径より小さいので、上下動主軸10
を上昇させても中央軸7より抜け出ることはない。また
中央軸7のストッパー9以下の内面直径はトップリング
支持部材11の最大外径より大きいので、トップリング
支持部材11を中央軸7の内面に接触することなく上下
動主軸10を下降させることができる。
Although the center shaft 7 is cylindrical, the inside thereof becomes narrower upward and a stopper 9 is formed at the upper end. The vertically moving main shaft 10 has a top ring support member 11 that spreads downward at the lower end. Although the top ring support member 11 is accommodated inside the cylindrical central shaft 7, the upper inner surface of the central shaft 7 becomes narrower upward to become the stopper 9, and the inner diameter at the upper end is equal to the top ring support member. 11 is smaller than the maximum outer diameter of the vertical moving spindle 10.
Does not fall out of the central shaft 7 even if the height is raised. Also, since the inner diameter of the central shaft 7 below the stopper 9 is larger than the maximum outer diameter of the top ring supporting member 11, the vertical moving main shaft 10 can be lowered without bringing the top ring supporting member 11 into contact with the inner surface of the central shaft 7. it can.

【0007】したがって、上下動主軸10の上昇時に
は、トップリング支持部材11がストッパー9と接触し
て、トップリング5は吊り上げられる。ストッパー9の
内周面とトップリング支持部材11の外周面の形状を一
致させておけば、トップリングはふらつくことなく安定
して吊り上げられる。逆に、上下動主軸10を下降させ
ると、トップリングのヘッド6が、プレート1に接触し
た時点で、トップリング5の下降限界に達し、さらに上
下動主軸10を下降させることによって、前記トップリ
ング支持部材11と、ストッパー9との接触は解消さ
れ、トップリングはトップリングの上下動主軸10から
切り離されて単にプレート1の上に載置されているだけ
の状態となる。このようにトップリングは、上下動主軸
から切り離されてプレート上に載置されるので、常にプ
レート上面に対して水平の状態にあり、ウェハーの厚さ
の不揃によってプレート上面が定盤面に対して水平でな
くても、プレート全面に接触して、均等に圧下する。ま
たトップリングはプレート上面の傾斜に追従して傾くた
め、加工途中に発生する定盤の面振れに対して完全に追
従することができ、ウエイト8を増減してトップリング
による圧下力を適当な値に調節すれば、終始一定の加工
条件のもとで、ウェハーのポリッシングを実施できる。
Therefore, when the vertically moving main shaft 10 is lifted, the top ring support member 11 comes into contact with the stopper 9 and the top ring 5 is lifted. If the shape of the inner peripheral surface of the stopper 9 and the shape of the outer peripheral surface of the top ring support member 11 match, the top ring can be stably lifted without wobbling. Conversely, when the vertical movement spindle 10 is lowered, the top ring 5 reaches the lowering limit of the top ring 5 when the head 6 of the top ring comes into contact with the plate 1, and the vertical movement spindle 10 is further lowered. The contact between the support member 11 and the stopper 9 is released, and the top ring is separated from the vertically movable main shaft 10 of the top ring, and is simply placed on the plate 1. In this way, the top ring is separated from the vertical moving spindle and placed on the plate, so it is always horizontal with respect to the plate upper surface. Even if it is not horizontal, it contacts the entire surface of the plate and uniformly reduces the pressure. Also, since the top ring follows the inclination of the upper surface of the plate, it can completely follow the surface runout of the surface plate generated during machining, and the weight 8 can be increased or decreased to appropriately reduce the rolling force by the top ring. If the value is adjusted, the wafer can be polished under constant processing conditions throughout.

【0008】しかしながら、トップリング5はウェハー
加工時に上下動主軸10から切り離され、水平方向には
なんら拘束を受けずに、定盤上をある程度自由に移動す
ることができるので、このままでは安定した加工ができ
なくなる。そこで、トップリングの側面に接触するよう
にして、定盤中央部に研磨クロス4に近接してセンター
ローラー12を、定盤周縁部に研磨クロスに近接してガ
イドローラー13を設け、トップリング5及びプレート
1を定盤上の一定位置に保持し、水平方向の動きを規制
する。
However, the top ring 5 is separated from the vertical moving spindle 10 during wafer processing, and can move freely on the surface plate to some extent without being restrained in the horizontal direction. Can not be done. Therefore, a center roller 12 is provided near the polishing plate 4 at the center of the platen and a guide roller 13 is provided near the polishing cloth at the periphery of the platen so as to contact the side surface of the top ring. And the plate 1 is held at a fixed position on the surface plate to restrict horizontal movement.

【0009】ここでセンターローラー12に回転駆動源
を備え、センターローラーを回転させつつ、これに接触
しているプレート1を回転させてウェハーの鏡面加工を
行えば、トップリング5はセンターローラーとの摩擦に
より回転し、トップリングに定盤3の回転に対する連れ
回り以外の回転力が働き、良好な鏡面加工を行うことが
できる。
Here, the center roller 12 is provided with a rotation drive source, and while the center roller is rotated, the plate 1 in contact with the center roller 12 is rotated to mirror-process the wafer. The top ring is rotated by friction, and a rotational force other than the rotation of the platen 3 acts on the top ring, so that a good mirror finish can be performed.

【0010】この際、トップリング5はセンターローラ
ー12との接触摩擦で回転しているだけであるから、一
時的にトップリングに対してなんらかの負荷がかかり、
トップリングのスムースな回転が阻害されても、トップ
リングとセンターローラーの接触部がスリップし、トッ
プリングに無理な力がかからないので、良好なポリッシ
ング加工が行われる。
At this time, since the top ring 5 is only rotating due to the contact friction with the center roller 12, some load is temporarily applied to the top ring,
Even if the smooth rotation of the top ring is hindered, the contact portion between the top ring and the center roller slips, and no excessive force is applied to the top ring, so that good polishing is performed.

【0011】またガイドローラー13を、プレート1の
側面と接触する位置と接触しない位置との間を移動させ
る移動アーム14を設けることにより、定盤上を回転し
てくる複数のプレートを順次定盤上の一定位置に保持し
たり、加工を終了したウェハーを接着したプレートを順
次排出したりすることが可能となり、トップリングの上
下動機構と合わせて機械の自動化、及び複数のプレート
を同時に加工することによるポリッシング加工の効率化
を図ることが可能となる。
Further, by providing a moving arm 14 for moving the guide roller 13 between a position where the guide roller 13 contacts the side surface of the plate 1 and a position where the guide roller 13 does not contact the plate 1, a plurality of plates rotating on the platen are successively placed. It is possible to hold the wafer at a fixed position on the upper side and to sequentially discharge the plate to which the processed wafer is bonded, automate the machine together with the vertical movement mechanism of the top ring, and process multiple plates at the same time This makes it possible to increase the efficiency of the polishing process.

【0012】さらに、前記トップリング下面は下向きに
開いた凹部15を形成し、前記凹部を弾性膜16で覆う
ことにより、トップリング下面の凹部と前記弾性膜との
間に密閉空間17を形成し、前記密閉空間の中心部に対
して圧力流体を供給する流体供給ノズル18を備えるこ
とにより一層均一な圧下を行うことができる。すなわち
プレート1にかかる全荷重はトップリング5の重量によ
って決定されるが、密閉空間17内部の流体供給圧を上
昇させると、弾性膜16は下向きに凸となリ、ヘッド6
の中央部から加えられる圧下力が大きくなる。逆に流体
供給圧を小さくすると、弾性膜16は下向きに凹とな
り、ヘッド周縁部から加えられる圧下力が大きくなる。
このように、状況に応じて弾性膜16を変形させ、研磨
クロス4上にスラリー供給管19からスラリーを流しな
がらポリッシング加工を行うことにより、きわめて高精
度のウェハーのポリッシング加工を実現することが可能
である。また、トップリングのヘッド下面に、内部に流
体供給機構を有する弾性体からなるバッグを装備するこ
とにより、バッグに接触するプレート全面を均等に圧下
し得る。
Further, the lower surface of the top ring forms a concave portion 15 opened downward, and the concave portion is covered with an elastic film 16 to form a closed space 17 between the concave portion of the lower surface of the top ring and the elastic film. By providing the fluid supply nozzle 18 for supplying the pressure fluid to the center of the closed space, more uniform pressure reduction can be performed. That is, the total load applied to the plate 1 is determined by the weight of the top ring 5, but when the fluid supply pressure inside the closed space 17 is increased, the elastic film 16 becomes convex downward,
The rolling force applied from the center of the tire increases. Conversely, when the fluid supply pressure is reduced, the elastic film 16 becomes concave downward, and the rolling force applied from the periphery of the head increases.
As described above, by performing the polishing while deforming the elastic film 16 according to the situation and flowing the slurry from the slurry supply pipe 19 onto the polishing cloth 4, it is possible to realize a highly accurate wafer polishing. It is. In addition, by equipping the lower surface of the head of the top ring with a bag made of an elastic body having a fluid supply mechanism therein, the entire surface of the plate in contact with the bag can be uniformly pressed down.

【0013】[0013]

【発明の効果】本発明によれば、トップリングは、上下
動主軸の上昇時には、中央軸の上端部において上下動主
軸下端のトップリング支持部材により安定して吊り下げ
られ、上下動主軸の下降時には、トップリングは上下動
主軸から切り離され、ウエイトを含む自重によりプレー
トを圧下するので、ウエハーに厚みの不揃い等があって
も均等なポリッシングを行い、また定盤の面振れに対し
ても完全に追従でき、終始一定の条件で鏡面加工するこ
とができる。また、ポリッシング装置のトップリングに
限らず、ラッピング装置等の加圧定盤において、本発明
のように、加工時に上下動主軸から切り離し、自重によ
って加圧するようにしても良好な結果が得られる。
According to the present invention, the top ring is vertically
When the moving spindle rises, the upper and lower
Stably suspended by the top ring support member at the lower end of the shaft
When the vertical spindle is lowered, the top ring is separated from the vertical spindle, and the plate is pressed down by its own weight including the weight.Thus, even if the wafers have uneven thickness, etc., uniform polishing is performed. It can completely follow the run-out, and can mirror-process under constant conditions from start to finish. In addition to the top ring of the polishing apparatus, a good result can be obtained even if the pressing platen such as a lapping apparatus is separated from the vertically movable main shaft during processing and pressurized by its own weight as in the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)は(b)のA−O−B線に沿う断面図、
(b)は部分平面図である。
FIG. 1A is a sectional view taken along line AOB of FIG. 1B;
(B) is a partial plan view.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 プレート 2 ウエハー 3 定盤 4 研磨クロス 5 トップリング 6 ヘッド 7 中央軸 8 ウエイト 9 ストッパー 10 上下動主軸 11 トップリング支持部材 12 センターローラー 13 ガイドローラー 14 移動アーム 15 凹部 16 弾性膜 17 密閉空間 18 ノズル 19 スラリー供給管 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Plate 2 Wafer 3 Surface plate 4 Polishing cloth 5 Top ring 6 Head 7 Central axis 8 Weight 9 Stopper 10 Vertical movement main shaft 11 Top ring support member 12 Center roller 13 Guide roller 14 Moving arm 15 Depression 16 Elastic film 17 Sealed space 18 Nozzle 19 Slurry supply pipe

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B24B 37/04 B24B 37/00 H01L 21/304 621 H01L 21/304 622 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) B24B 37/04 B24B 37/00 H01L 21/304 621 H01L 21/304 622

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体ウェハーを下面に接着したプレー
トを、定盤に貼付した研磨クロス上に載置し、上下動主
軸に吊下されたトップリングで圧下してウェハーをポリ
ッシングする半導体ウエハーのポリッシング装置におい
て、トップリングはプレートを圧下する円板状ヘッド
と、この中心に垂直に立設された中央軸と、中央軸を貫
いてヘッド上に積み重ねられた環状ウエイトよりなり、
上下動主軸は下端に下方に向かって広がるトップリング
支持部材を有し、中央軸は円筒状で、上方内部にトップ
リング支持部材を収容し、かつ上端に上方に向かって狭
くなったストッパーを形成し、トップリング支持部材の
最大外径は中央軸の円筒部の内径より小さいが、ストッ
パーの内径より大きく形成され、上下動主軸の上昇時に
は、中央軸の上端部でトップリング支持部材とストッパ
ーとが係合し、該係合箇所で吊り下げられるようにトッ
プリングが持ち上げられ、上下動主軸の下降時には、ト
ップリングが上下動主軸から切り離され自重によりプレ
ート上面を圧下するように構成されていることを特徴と
する半導体ウエハーのポリッシング装置
1. A plate having a semiconductor wafer adhered to a lower surface is placed on a polishing cloth attached to a surface plate, and the plate is vertically moved.
The wafer is rolled down by a top ring suspended from the shaft.
In a polishing device for semiconductor wafers to be polished, a top ring is a disk-shaped head that presses down a plate.
And a central axis that stands perpendicularly to this center, and penetrates the central axis.
And consist of annular weights stacked on the head,
The vertically moving main shaft has a top ring supporting member that spreads downward at the lower end, and the central shaft is cylindrical,
Accommodates the ring support member and narrows upward at the upper end
Form a stopper that is no longer
Although the maximum outer diameter is smaller than the inner diameter of the cylindrical part of the central shaft,
The top ring is formed so as to be larger than the inner diameter of the par and the top ring supporting member and the stopper are engaged at the upper end of the central shaft when the vertically moving main shaft is raised , and the top ring is suspended so as to be suspended at the engaged portion. lifted, during the descent of the vertical movement spindle, a semiconductor wafer polishing apparatus characterized by the top ring is configured to pressure the plate upper surface by its own weight is decoupled from the vertical movement spindle.
【請求項2】 トップリングは、定盤の中央に定盤に近
接して設けられたセンターローラーと、定盤の周縁に定
盤に近接して設けられたガイドローラーとに接触保持さ
れて回転する請求項1に記載の装置。
2. The top ring is close to the platen at the center of the platen.
Center roller provided in contact with the periphery of the platen
It is held in contact with a guide roller provided close to the board.
2. The device of claim 1, wherein the device is rotated.
【請求項3】 センターローラーを回転駆動源により強
制回転する請求項1または2に記載の装置。
3. The center roller is strengthened by a rotary drive source.
3. The device according to claim 1, wherein the rotation is stopped.
【請求項4】 ガイドローラーは、センターローラーと
の間にトップリングを挟んでこれに接触し保持する位置
と保持しない位置に移動可能である請求項1、2、3の
いずれかの項に記載の装置。
4. The guide roller has a center roller and a center roller.
Position where the top ring is sandwiched between and held in contact with it
And wherein it can be moved to a position where it is not held.
An apparatus according to any of the preceding paragraphs.
【請求項5】 トップリング下端は下向きに開いた凹部
をなし、これを弾性膜で覆って生じた密閉空間に圧力流
体を供給するノズルが開口している請求項1に記載の装
置。
5. The lower end of the top ring has a downwardly open recess.
Pressure flow into the enclosed space created by covering this with an elastic membrane.
2. The device according to claim 1, wherein the nozzle for supplying the body is open.
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