JP3239466B2 - エッチング方法及びエッチング装置 - Google Patents
エッチング方法及びエッチング装置Info
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Description
ッチング装置に関する。本発明は、各種の技術分野にお
けるエッチング技術として利用することができ、例え
ば、電子材料(半導体装置等)の製造の際のエッチング
技術として利用できる。
分野において、微細化・集積化が進行し、ULSI等の
パターンルールは益々小さくなり、各膜の微細加工性は
以前より重要となってきている。それに伴い、エッチン
グの終点を判定する技術も進んできており、いくつかは
量産でも用いられている。その代表的な例はAl膜エッ
チングにおける終点判定であり、気相中でAl原子の発
光(396nm)を観測する方法は良く知られていると
ころである。また、このような終点判定方法は、絶縁膜
である二酸化シリコンのエッチングにおいても一部用い
られている。例えば、以下のような条件のガス系にて二
酸化シリコンをエッチングする際、フルオロカーボン中
の炭素(C)と二酸化シリコン中の酸素(O)が結合し
てできる一酸化炭素(CO)の発光レベルの強度変化を
観測することでエッチングの終点判定を行う技術が知ら
れている。 ガス系:CF4 /CHF3 /Ar=70/30/450
SCCM 圧 力:2.3Torr パワー:600W
シリコン拡散層や、配線材料とのコンタクトを取るため
のエッチングを行う際、被エッチング面積が非常に小さ
いため、発光スペクトル変動が小さいので、即ち、S/
N比が十分でないので、安定した終点判定はできない。
そこで実際には、被エッチング膜より換算されるエッチ
ング時間を設定している場合が多い。
チングすべき絶縁膜の膜厚が開口すべきコンタクトホー
ル等で異なる場合は、終点の判定(エッチング時間の設
定)は更に困難となる。
自体、例えばCVD装置自体でばらつきがあり、エッチ
ングを再現性良く行ったとしても、堆積された膜厚の変
動によって、オーバーエッチング時間を一定にできない
という問題点があった。
て、プラズマで形成した窒化シリコン(以下P−SiN
と略記することもある)を厚く形成し、レジスト塗布を
行い、その後エッチバック平滑化を行う場合、エッチン
グ時間を一定にしていても、P−SiNの初期膜厚の変
動によって、平滑化後の状態が大きく異なってくる。と
りわけP−SiNは、この初期膜厚の変動が大きく、上
記問題が重要である。以下これについて、図2〜図5を
用いて説明すると、次のとおりである。
シリコン2を形成し、その上部に配線、例えばアルミニ
ウム配線3を形成する。その後、上部に被エッチング膜
4としてP−SiNを配線の厚さ以上に形成する。その
上部に平滑化のため、有機膜5(レジスト等)を塗布す
る。これが図2に示す構造である。
iNと有機膜5のエッチングレートが等しい状態でエッ
チバックを行うと、図3に示すように平滑化が達成可能
である。
好でも、P−SiN及び有機膜の膜厚の変動により、平
滑化の状況は大きく異なる。例えば、P−SiN及びレ
ジスト膜厚が厚い場合、所定のエッチング条件で、所定
の時間エッチバックを行うと、図5で示したように被エ
ッチング膜4であるP−SiNの残り膜厚が厚くなって
しまう。逆にP−SiN及びレジスト膜厚が薄い場合図
4に示すように配線3の上部が露出するという問題が生
じる。
エッチング膜のエッチング前の膜厚のばらつき等による
被エッチング膜のエッチング後の膜厚変動を防止して、
ばらつきのないエッチングを達成できるエッチング方法
及びそれに用いるエッチング装置を提供することを目的
とする。
以下の構成により上記目的を達成した。
材の被エッチング膜をエッチングするエッチング方法に
おいて、エッチング後の被エッチング膜の膜厚測定を行
い、該膜厚測定の結果から次にエッチング処理装置に導
入される被エッチング材のエッチング量を演算するとと
もに、n枚目の被エッチング材のエッチング終了後、当
該エッチング後の膜厚測定を行っている時には、n+1
枚目の被エッチング材のエッチングは開始されており、
かつ前記n枚目の被エッチング材のエッチング後の膜厚
測定の結果がフィードバックされ、n+1枚目のエッチ
ング条件に反映される構成としたことを特徴とするエッ
チング方法であり、これにより上記目的を達成するもの
である。
材の被エッチング膜をエッチングするエッチング方法に
おいて、エッチング後の被エッチング膜の膜厚測定を行
い、該膜厚測定の結果から次のエッチング処理装置にお
けるエッチング条件を設定する演算を行うとともに、n
枚目の被エッチング材のエッチング終了後、当該エッチ
ング後の膜厚測定を行っている時には、n+1枚目の被
エッチング材のエッチングは開始されており、かつ前記
n枚目の被エッチング材のエッチング後の膜厚測定の結
果がフィードバックされ、n+1枚目のエッチング条件
に反映される構成としたことを特徴とするエッチング方
法であり、これにより上記目的を達成するものである。
材の被エッチング膜をエッチングするエッチング装置に
おいて、エッチング後の被エッチング膜の膜厚測定を行
い、該膜厚測定の結果から次に同エッチング処理装置に
導入される被エッチング材のエッチング量を演算する機
能を有するとともに、n枚目の被エッチング材のエッチ
ング終了後、当該エッチング後の膜厚測定を行っている
時には、n+1枚目の被エッチング材のエッチングは開
始されており、かつ前記n枚目の被エッチング材のエッ
チング後の膜厚測定の結果がフィードバックされ、n+
1枚目のエッチング条件に反映される構成としたことを
特徴とするエッチング装置であり、これにより上記目的
を達成するものである。
材の被エッチング膜をエッチングするエッチング装置に
おいて、エッチング後の被エッチング膜の膜厚測定を行
い、該膜厚測定の結果から次の同エッチング処理装置の
エッチング条件を設定する演算機能を有するとともに、
n枚目の被エッチング材のエッチング終了後、当該エッ
チング後の膜厚測定を行っている時には、n+1枚目の
被エッチング材のエッチングは開始されており、かつ前
記n枚目の被エッチング材のエッチング後の膜厚測定の
結果がフィードバックされ、n+1枚目のエッチング条
件に反映される構成としたことを特徴とするエッチング
装置であり、これにより上記目的を達成するものであ
る。
記した目的を達成するものである。
グ条件が、エッチング時間である形態をとることができ
る。
グ条件が、エッチングパワーである形態をとることがで
きる。
グ条件が、エッチングガスの種類及び/または流量であ
る形態をとることができる。
でまず最初の被エッチング材をエッチングして、エッチ
ング後の被エッチング膜の膜厚を測定し、このデータを
適正膜厚データとの比較演算等によって次の被エッチン
グ材について適正膜厚を得るエッチング条件を定め、該
条件によってその後のエッチングを行うことにより、適
正膜厚を得るエッチングを実現できる。
処理ウェハーから成るロット)中の最初の1枚について
最初の処理を行って、その後そのロットの被処理ウェハ
ーについて同条件でエッチングを行うように実施でき
る。(ロット中では、エッチング前の被エッチング膜の
膜厚変動のばらつきは一般に小さいので、通常、同条件
で適正な被エッチング膜厚が得られる)。
て上記のようなフィードバックを行い、個々に条件を設
定して次々に処理を行うことにより、一層精度の高い処
理を実施できる。
て説明する。なお当然のことではあるが、本発明は実施
例により限定されるものではない。
合について、シリコン基板上に堆積されて形成されたP
−SiN膜を被エッチング膜とし、該P−SiNの膜形
成時における膜厚データを元に全エッチバック時間を変
化させ、P−SiNの残り膜厚を一定にするようにし
て、本発明を適用したものである。
−SiN)上に有機膜5が形成された状態では、被エッ
チング膜4(P−SiN)、有機膜5の膜厚は、レジス
ト等の有機膜5が上層に存在するため、非破壊でこれを
評価する方法は無く、よって従来はあらかじめ設定され
た時間エッチバックを行うようにしていたが、このよう
にすると、P−SiNの残り膜厚は、初期膜厚の変動に
影響を受けて、変動する。そこで、変動し易いP−Si
Nの膜厚データを測定して、これに基づいてウェハーの
ロット(例えば25枚毎の構成)毎に次工程のエッチバ
ック時間を調整することにより、残り膜厚の変動を小さ
くするようにした。
上に被エッチング膜4であるP−SiNが形成された状
態となり、このP−SiNの膜厚を非破壊にて評価可能
である。このエッチバック後の膜厚測定をウェハー毎に
実施すれば、エッチバック後の膜厚ばらつきを大幅に改
善することができる。
て、図1を用いて説明する。本装置は、エッチバックを
行うエッチング処理室20と、膜厚測定室30より構成
されている。
材であるSiウェハー6を設置するカソード電極7と対
向するように接地されたアノード電極8がある。カソー
ド電極7にはブロッキングコンデンサー9を介して、1
3.56MHzの電力を発生する高周波電源10が接続
されている。エッチング処理室内は図示されない排気装
置により、ポート11から図示Aの方向に排気されてお
り、エッチングに使用するガスはポート12より供給さ
れる。
に一括してセットされ、図示されない搬送アームにより
ゲートバルブ42を介してエッチング室20のカソード
電極7上にセットされる。排気装置にて排気した後、エ
ッチングガスをポート12より供給し、高周波電源10
によりカソード電極に高周波を印加し、プラズマ放電を
発生させエッチングを行う。
されない搬送アームによりゲートバルブ43を介して膜
厚測定室30のステージ31に設置される。膜厚測定器
32により、ウェハー上のP−SiN膜厚を測定した
後、図示されない搬送装置によって、Siウェハー6は
アンロードキャリア42に収納される。エッチング後、
膜厚測定を行い、規格値との比較を行い、差の分だけ次
のSiウェハーのエッチング時間を増減する。
き、エッチング装置のばらつきに起因したエッチングレ
ート変動を吸収することが可能で、安定したエッチバッ
クを実現可能である。
グ材は、図2に示した構造のSiウェハーで、これは、
シリコン基板1上に絶縁膜である二酸化シリコン2を形
成し、その上部に膜厚400nmのアルミニウム配線を
形成し、その上部にP−SiN4を620nm形成した
後、平滑化のため、有機膜5を350nm塗布して、成
るものである。
ングを行った。 ガス系:SF6 /O2 =15.5/13.5SCCM 圧 力:37.9Pa パワー:325W
4であるP−SiNの残り膜厚との関係を、図6に示
す。
残り膜厚は直線的に減少している。ここで、平滑化とし
てはアルミニウム配線の膜厚と同じ膜厚とした方が良好
で、P−SiNの残り膜厚は400nmとした方が好適
である。
動しており、エッチングレートは±5%程度は変動して
いる。また、P−SiN形成時の成膜レートも±10%
程度の変動がある。従って図6より61.5secに設
定し、残り膜厚を400nmにしようとしても、P−S
iN膜厚、エッチングレート変動によって残り膜厚が変
動する。
後のP−SiN膜厚を測定後、設定した膜厚からずれて
いる分を次のウェハー処理にフィードバックするもので
ある。設定しているP−SiNの残り膜厚をT0 、P−
SiNのエッチングレートをER(P−SiN)、n枚
目のP−SiNの残り膜厚をTn 、n+1枚目のP−S
iNの残り膜厚をTn+1 、時間をt(sec)とする。
のばらつきは T0 −Tn である。
を以下の分だけ変動させる。 (T0 −Tn )/ER(P−SiN)
とn+1枚目のエッチングでは t0 −(T0 −Tn )/ER(P−SiN) とすることで、エッチングレート変動分を補正すること
が可能となり、P−SiNの残り膜厚の安定化が可能と
なる。この膜厚測定をインラインで実施することによ
り、装置のスループットを低下させることが無い。
で膜厚測定している時には、n+1枚目のウェハーはエ
ッチングが開始されており、膜厚測定の結果がフィード
バックされ、n+1枚目のエッチング終了時間に反映さ
れる。
ッチングを行った。即ち例えば被エッチング膜4である
P−SiNが620nm、有機膜5であるレジストが3
50nm形成されたサンプルを、以下の条件にてエッチ
ングを行った。 ガス系:SF6 =15.5SCCM O2 =13.5SCCM 圧 力:37.9Pa パワー:325W
0nm残してエッチングをストップするには、グラフよ
り61.5secとしたが、エッチングレートの変動、
P−SiN膜厚の変動、レジスト膜厚の変動よりP−S
iN膜の残り膜厚は385.3nmであった。狙い膜厚
との差は 400−385.3=14.7nm であった。上記条件でのP−SiNのエッチングレート
は571.2nm/minで、前述の式より t0 −(T0 −Tn )/ER(P−SiN) (400−385.3)×60 61.5−───────────────=61.5−1.5 571.2 =60sec となる。
たところ、P−SiNの残り膜厚は400nmと、狙い
通りとなった。
ッチング材であるウェハー間の変動をフィードバックで
きるため、高精度のエッチングが可能となる。また、平
滑化時の下地膜厚のウェハー間変動を抑えることが可能
となり、半導体装置の信頼性を向上させることができ
る。
ング時間とし、エッチング時間を変えて所期の膜厚を得
るようにしたのに対し、本実施例では、エッチングパワ
ーを325Wから、実施例1と同様な検量グラフを用い
て得た量だけパワーを落とすようにして、エッチング後
の残り膜厚を大きくするようにした。本実施例でも、被
エッチング材たるウェハー間のエッチングのばらつきが
抑制できた。
と同様な検量グラフを予め得ておいて、これに基づいて
流量を落として、エッチング後の残り膜厚を大きくする
ようにした。本実施例でも、被エッチング材たるウェハ
ー間のエッチングのばらつきが抑制できた。
変えることによっても、同様の作用をもたせることがで
きる。
装置によれば、被エッチング膜のエッチング前の膜厚の
ばらつき等がある場合でも、被エッチング膜のエッチン
グ後の膜厚変動を防止して、ばらつきのないエッチング
を達成できる。
で、実施例1で使用のエッチング装置の構成図である。
図である。
図である(1)。
図である(2)。
図である(3)。
すグラフである。
Claims (4)
- 【請求項1】被エッチング材の被エッチング膜をエッチ
ングするエッチング方法において、 エッチング後の被エッチング膜の膜厚測定を行い、該膜
厚測定の結果から次にエッチング処理装置に導入される
被エッチング材のエッチング量を演算するとともに、n
枚目の被エッチング材のエッチング終了後、当該エッチ
ング後の膜厚測定を行っている時には、n+1枚目の被
エッチング材のエッチングは開始されており、かつ前記
n枚目の被エッチング材のエッチング後の膜厚測定の結
果がフィードバックされ、n+1枚目のエッチング条件
に反映される構成としたことを特徴とするエッチング方
法。 - 【請求項2】被エッチング材の被エッチング膜をエッチ
ングするエッチング方法において、 エッチング後の被エッチング膜の膜厚測定を行い、該膜
厚測定の結果から次のエッチング処理装置におけるエッ
チング条件を設定する演算を行うとともに、n枚目の被
エッチング材のエッチング終了後、当該エッチング後の
膜厚測定を行っている時には、n+1枚目の被エッチン
グ材のエッチングは開始されており、かつ前記n枚目の
被エッチング材のエッチング後の膜厚測定の結果がフィ
ードバックされ、n+1枚目のエッチング条件に反映さ
れる構成としたことを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項3】被エッチング材の被エッチング膜をエッチ
ングするエッチング装置において、 エッチング後の被エッチング膜の膜厚測定を行い、該膜
厚測定の結果から次に同エッチング処理装置に導入され
る被エッチング材のエッチング量を演算する機能を有す
るとともに、n枚目の被エッチング材のエッチング終了
後、当該エッチング後の膜厚測定を行っている時には、
n+1枚目の被エッチング材のエッチングは開始されて
おり、かつ前記n枚目の被エッチング材のエッチング後
の膜厚測定の結果がフィードバックされ、n+1枚目の
エッチング条件に反映される構成としたことを特徴とす
るエッチング装置。 - 【請求項4】被エッチング材の被エッチング膜をエッチ
ングするエッチング装置において、 エッチング後の被エッチング膜の膜厚測定を行い、該膜
厚測定の結果から次の同エッチング処理装置のエッチン
グ条件を設定する演算機能を有するとともに、n枚目の
被エッチング材のエッチング終了後、当該エッチング後
の膜厚測定を行っている時には、n+1枚目の被エッチ
ング材のエッチングは開始されており、かつ前記n枚目
の被エッチング材のエッチング後の膜厚測定の結果がフ
ィードバックされ、n+1枚目のエッチング条件に反映
される構成としたことを特徴とするエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25578892A JP3239466B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | エッチング方法及びエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25578892A JP3239466B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | エッチング方法及びエッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0684849A JPH0684849A (ja) | 1994-03-25 |
JP3239466B2 true JP3239466B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=17283644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25578892A Expired - Lifetime JP3239466B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | エッチング方法及びエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3239466B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW492106B (en) | 2000-06-20 | 2002-06-21 | Hitachi Ltd | Inspection method for thickness of film to be processed using luminous beam-splitter and method of film processing |
KR100438379B1 (ko) * | 2001-09-05 | 2004-07-02 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 반도체소자제조공정의 종점판정방법과 장치 및 그것을사용한 피처리재의 처리방법과 장치 |
US6903826B2 (en) | 2001-09-06 | 2005-06-07 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for determining endpoint of semiconductor element fabricating process |
US6716300B2 (en) | 2001-11-29 | 2004-04-06 | Hitachi, Ltd. | Emission spectroscopic processing apparatus |
US6972848B2 (en) | 2003-03-04 | 2005-12-06 | Hitach High-Technologies Corporation | Semiconductor fabricating apparatus with function of determining etching processing state |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP25578892A patent/JP3239466B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0684849A (ja) | 1994-03-25 |
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