JP3238270U - Tandem type CVD diamond semiconductor thin film battery device that converts ionizing radiation into electric power - Google Patents
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Abstract
【課題】放射性物質から出る電離放射線を電力に変換する高効率のタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電池装置を提供する。【解決手段】電離放射線を遮蔽する鉛またはタリウム２および絶縁性のＣＶＤダイヤモンド薄膜層３を設けて、タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層をＣＶＤダイヤモンド薄膜層３で覆い、電離放射線を遮蔽する金属製容器１に、放射性廃棄物を封入した半導体薄膜電池装置であって、耐放射線性等のＣＶＤダイヤモンドに、放射線に強いヒ素またはガリウムドープのｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層６、７接合部に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層８を伴うヘテロ接合の、リンまたはインジウムドープｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層９、１０接合の耐久性を持ったタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層６、７、８、９、１０を、金属製容器１に設けた。【選択図】図２A highly efficient tandem-type CVD diamond semiconductor thin-film battery device for converting ionizing radiation emitted from a radioactive substance into electric power is provided. A tandem type CVD diamond semiconductor thin film ionizing radiation conversion layer is covered with the CVD diamond thin film layer 3 to shield the ionizing radiation. A semiconductor thin-film battery device in which radioactive waste is enclosed in a metal container 1, and CVD diamond having radiation resistance, etc. is joined to np-type CVD diamond semiconductor thin-film conversion layers 6 and 7 doped with radiation-resistant arsenic or gallium. a heterojunction phosphorus- or indium-doped np-type CVD diamond semiconductor thin film conversion layer 9 with an i-type intrinsic CVD diamond semiconductor thin film layer 8; , 7, 8, 9, 10 were provided in the metal container 1. [Selection drawing] Fig. 2
Description
本考案は、電離放射線の荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、Ｘ線」を遮蔽する金属製容器に、放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る電離放射線を受けて電力を生み出す高効率のタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電池装置に関する。 The present invention encloses radioactive waste in a metal container that shields charged particle rays "α rays, β rays" and electromagnetic waves "γ rays, X-rays" of ionizing radiation, and receives ionizing radiation emitted from radioactive substances to generate electric power. The present invention relates to a highly efficient tandem type CVD diamond semiconductor thin film battery device that produces.
放射性廃棄物の種類は、高レベル放射性廃棄物、低レベル放射性廃棄物、クリアランスレベル以下の放射性廃棄物に分類される。原子力発電所の放射性廃棄物は、ドラム缶かキャニスターに入れ、セメントを充填して固化し、固化したドラム缶を積み重ね固化体の隙間にモルタルを充填し、青森県六ヶ所村大石平地区の低レベル放射性廃棄物埋設センターに、１９９２年から埋設されている。返還廃棄物貯蔵容量ガラス固体化体は、青森県六ヶ所村弥栄平地区の高レベル放射性廃棄物貯蔵管理センターに、１９９５年から貯蔵されている。２０１１年 ３月１１日に発生した東日本大震災は、福島県にある東京電力福島第一原子力発電所の事故による放射性廃棄物の処理及び処分が問題となっている。
諸外国の地層処分の先行国であるスウェーデンとフィンランドの「高レベル放射性廃棄物の最終処分」に向けて。
スウェーデンでは、放射性廃棄物容器に、銅を用いたキャニスターに放射性廃棄物を封入した埋設施設が予定され、地下３００メートル以深での地層処分が予定されている。
フィンランドでは、オルキルオトの岩盤に「オンカロ」と呼ばれる調査施設が建設された。オンカロの中心部、地下４５０メートルまで孔を掘り、放射性廃棄物を設置して調査を行い、２０２０年代には操業を開始する予定とされる。The types of radioactive waste are classified into high-level radioactive waste, low-level radioactive waste, and radioactive waste below the clearance level. Radioactive waste from nuclear power plants is placed in drum cans or canisters, filled with cement and solidified, and solidified drum cans are stacked and mortar is filled in the gaps between the solidified bodies. It has been buried in the waste burial center since 1992. Returned waste storage capacity The solidified glass has been stored at the High Level Radioactive Waste Storage and Management Center in the Yaeihei district of Rokkasho Village, Aomori Prefecture since 1995. The Great East Japan Earthquake that occurred on March 11, 2011 has become a problem with the treatment and disposal of radioactive waste caused by the accident at the Fukushima Daiichi Nuclear Power Station of Tokyo Electric Power Company in Fukushima Prefecture.
Toward the "final disposal of high-level radioactive waste" in Sweden and Finland, which are the predecessors of geological disposal in other countries.
In Sweden, a burial facility is planned in which radioactive waste is enclosed in a canister made of copper in a radioactive waste container, and geological disposal is planned at a depth of 300 meters or more underground.
In Finland, a research facility called "Onkaro" was built on the bedrock of Olkiluoto. A hole will be dug up to 450 meters underground in the center of Oncaro, radioactive waste will be installed and investigated, and operations are scheduled to begin in the 2020s.
実用新案登録第３２３４１７９号Utility model registration No. 3234179
編集「原子力のすべて」編集委員会、 原子力のすべて 資料編 ２．放射線の人間との関わり ▲２▼放射線とはどのようなものか ｐ３０６、 （６）放射性廃棄物 ▲１▼放射性廃棄物とはどのようなものか ｐ３４１、 ▲３▼高レベル放射性廃棄物、低レベル放射性廃棄物の発生量・管理量・処分量 ｐ３４３、 （７）その他 ▲１▼青森県六ヶ所村の核燃料サイクル施設の概要 ｐ３４７、 原子力関係用語集 アルファ線（α線）ｐ４２４、ガンマ線（γ線）ｐ４２７、ベータ線（β線）ｐ４３７、 放射性廃棄物、放射線 ｐ４３７、 放射能ｐ４３８、 平成１５年版、 独立行政法人 国立印刷局。 Editing "All about Nuclear Power" Editorial Committee, All about
監修 藤森直治・鹿田真一、 ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線《普及版》 第４章 ナノ結晶ダイヤモンド薄膜 ｐ３６～４４、 第６章 半導体特性 ｐ６３～７１、 第７章 ｐ型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の半導体特性 ｐ７５～８４、 第８章 ｎ型ドーピングと半導体特性 ｐ８６～９８、 ２０１４年版、 株式会社 シーエムシー出版。 Supervised by Naoji Fujimori and Shinichi Shikada, Forefront of Diamond Electronics << Popular Edition >> Chapter 4 Nano-Crystal Diamond Thin Films p36-44, Chapter 6 Semiconductor Characteristics p63-71,
監修者 太陽光発電技術研究組合、 「太陽光発電」 太陽光発電の用途▲８▼人工衛星の電力をまかなう ｐ６６～６７、 いろいろな太陽電池▲５▼宇宙空間でも使われる化合物系太陽電池 ｐ１０４、 ２０１１年版、 株式会社 ナツメ社。 Supervisor Solar Power Technology Research Association, "Solar Power Generation" Applications for photovoltaic power generation ▲ 8 ▼ P66-67 to supply power for artificial satellites, various solar cells ▲ 5 ▼ Compound solar cells used in space p104, 2011 edition, Natsume Co., Ltd.
著者 稲垣道夫、 「カーボン」古くて新しい材料 第１章 身近なカーボン ４・キーボードの中のグラファイトフィルム（グラファイトのトピックス）●フレキシンブルグラファイトシートの著しい異方性 ｐ７１～７２、 ２００９年版、株式会社 工業調査会。 Author Michio Inagaki, "Carbon" Old and
２０１１年 ３月１１日に発生した東日本大震災は、東北地方を中心に甚大な被害をもたらした。福島県にある東京電力福島第一原子力発電所の事故による放射性廃棄物の処理及び処分が課題となっている。放射性廃棄物をエネルギー源として、放射性物質から出る電離放射線の荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、Ｘ線」を、ＣＶＤダイヤモンド半導体を用いて電力に変換する再利用を設けた貯蔵または埋設や地層処分方法はなかった。
したがって、金属製容器の内側に、鉛またはタリウムおよびＣＶＤダイヤモンド薄膜を設け、放射性廃棄物から出る電離放射線を遮蔽する金属製容器（特願２０２０－１１２１１５号）に至り、特願２０２０－１３６０２６号では、電離放射線を遮蔽する金属製容器に、ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層接合のｐｎ型またはｐｉｎ型電離放射線変換層を用いて電力に変換する装置に至った。実用新案登録第３２３４１７９号では、金属製容器の内側に、鉛またはタリウムおよびＣＶＤダイヤモンド薄膜を設け、ｐｎ型またはｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を設けて電力に変換し、電離放射線を遮蔽する安全性の半導体薄膜発電装置に至った。しかし、電離放射線を電力に変換するＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の変換効率を向上することに、課題があった。
本考案では、放射線に強いドープを設けたｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層をタンデム型設けて、高効率のＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の構成である。The Great East Japan Earthquake that occurred on March 11, 2011 caused enormous damage mainly in the Tohoku region. Disposal and disposal of radioactive waste caused by the accident at TEPCO's Fukushima Daiichi Nuclear Power Station in Fukushima Prefecture has become an issue. Using radioactive waste as an energy source, we provided reuse to convert charged particle rays "α rays, β rays" and electromagnetic waves "γ rays, X-rays" of ionizing radiation emitted from radioactive substances into electric power using CVD diamond semiconductors. There was no storage or burial or geological disposal method.
Therefore, a metal container (Japanese Patent Application No. 2020-112115) is provided by providing a lead or thalium and a CVD diamond thin film inside the metal container to shield the ionizing radiation emitted from the radioactive waste. We have reached a device for converting metal containers that shield ionizing radiation into electric power using a pn-type or pin-type ionizing radiation conversion layer of CVD diamond semiconductor thin film layer bonding. In Practical Proposal Registration No. 3234179, a lead or tallium and a CVD diamond thin film is provided inside a metal container, and a pn type or pin type CVD diamond semiconductor thin film ionizing radiation conversion layer is provided to convert it into electric power and shield the ionizing radiation. It has led to a safety semiconductor thin film power generation device. However, there is a problem in improving the conversion efficiency of the CVD diamond semiconductor thin film ionizing radiation conversion layer that converts ionizing radiation into electric power.
In the present invention, the np type CVD diamond semiconductor thin film conversion layer provided with a strong dope against radiation is provided in a tandem type to form a highly efficient CVD diamond semiconductor thin film ionizing radiation conversion layer.
電離放射線を遮蔽する鉛またはタリウム２および絶縁性のＣＶＤダイヤモンド薄膜層３を金属製容器１内側に設けて、タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層４を絶縁性のＣＶＤダイヤモンド薄膜層３で覆った金属製容器１に、放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、Ｘ線」の電離放射線を受けて電力を生み出すタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電池装置において、
ヒ素（Ａｓ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層６およびガリウム（Ｇａ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層７接合のｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層６・７接合部に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層８を伴うヘテロ接合の、リン（Ｐ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層９およびインジウム（Ｉｎ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層１０接合のｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層９・１０を設けたタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層６・７・８・９・１０を設けて、荷電粒子線「α線・β線」電磁波「γ線・Ｘ線」の電離放射線を電力に変換するタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電池装置。A lead or
I-type intrinsic CVD diamond semiconductor at the arsenic (As) -doped n-type CVD diamond thin film thin film layer 6 and gallium (Ga) -doped p-type CVD diamond semiconductor
ヒ素（Ａｓ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層６およびガリウム（Ｇａ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層７接合のｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層６・７に、リン（Ｐ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層９およびインジウム（Ｉｎ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層１０接合のｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層９・１０接合のタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層６・７・９・１０を設けて、荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、Ｘ線」の電離放射線を電力に変換するタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電池装置。 Lin (P) -doped n-type on arsenic (As) -doped n-type CVD diamond semiconductor thin film layer 6 and gallium (Ga) -doped p-type CVD diamond semiconductor thin-
耐放射線性等のＣＶＤダイヤモンドに、放射線に強いヒ素（Ａｓ）またはガリウム（Ｇａ）ドープのｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層６・７に、リン（Ｐ）またはインジウム（Ｉ）ドープのｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層９・１０接合の耐久性を持たせたタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層６・７・８・９・１０、または、６・７・９・１０を、電離放射線を遮蔽する金属製容器１に設けて、放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、Ｘ線」の電離放射線を電力に変換するタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電池装置。 Radiation-resistant CVD diamonds, radiation-resistant arsenic (As) or gallium (Ga) -doped np-type CVD diamond semiconductor thin film conversion layers 6.7, phosphorus (P) or indium (I) -doped np-type CVD The tandem type CVD diamond semiconductor thin film ionizing radiation conversion layer 6/7/8/9/10 or 6/7/9/10, which has the durability of the diamond semiconductor thin film conversion layer 9/10 junction, is used for ionizing radiation. A tandem-type CVD that is provided in a shielded
本考案の効果は、電離放射線を遮蔽する金属製容器に放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る電離放射線を受けて、電力を生み出す１００年以上の耐久性を持たせたタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を設け、電離放射線を遮蔽する安全性の金属製容器に、放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る電離放射線を再生エネルギーとして、電力に変換する高効率のタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電池装置。 The effect of the present invention is a tandem type CVD diamond semiconductor that has a durability of 100 years or more to generate electric power by enclosing radioactive waste in a metal container that shields ionizing radiation and receiving ionizing radiation emitted from radioactive substances. High-efficiency tandem CVD diamond that is provided with a thin-film ionizing radiation conversion layer, encloses radioactive waste in a safe metal container that shields ionizing radiation, and converts the ionizing radiation emitted from radioactive substances into electric energy. Semiconductor thin film battery device.
荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、Ｘ線」の電離放射線は、鉛またはタリウムを設けて遮蔽することができる。放射性核種の崩壊系列は、「トリウム系列」「ウラン系列」「アクチニウム系列」であり、鉛を用いて電離放射線を遮蔽することができる。人工放射性元素の崩壊系列である「ネプツニウム系列」は、タリウムを用いて電離放射線を遮蔽することができる。したがって、鉛またはタリウムおよびＣＶＤダイヤモンド薄膜層を設け、ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を設けた金属製容器に、放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、Ｘ線」の電離放射線を電力に変換し、電離放射線を遮蔽する金属製容器が実用新案登録第３２３４１７９号に記載している。
本考案では、電離放射線の変換効率を高効率にするため、タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を、電離放射線を遮蔽する安全性の金属製容器に設けた構成である。Ionizing radiation of charged particle rays "α-rays, β-rays" and electromagnetic waves "γ-rays, X-rays" can be shielded by providing lead or tallium. The decay chain of radionuclides is "thorium series", "uranium series", and "actinium series", and lead can be used to shield ionizing radiation. The "neptunium series", which is a decay chain of artificial radioactive elements, can shield ionizing radiation using thallium. Therefore, charged particle beams "α-rays, β-rays" emitted from radioactive substances by encapsulating radioactive waste in a metal container provided with lead or tarium and a CVD diamond thin film layer and provided with a CVD diamond semiconductor thin-film ionizing radiation conversion layer. A metal container that converts ionizing radiation of electromagnetic waves "γ-rays and X-rays" into electric power and shields the ionizing radiation is described in Practical New Design Registration No. 3234179.
In the present invention, in order to increase the conversion efficiency of ionizing radiation, a tandem type CVD diamond semiconductor thin film ionizing radiation conversion layer is provided in a safe metal container that shields ionizing radiation.
ＣＶＤダイヤモンド半導体はシリコン（Ｓｉ）と同じ第１４族元素に属している。ｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層へのドープは、第１５族元素の窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）などをドープすることができる。ｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層へのドープは、１３族元素のホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）などをドープすることができる。
本考案では、放射線に強いヒ素（Ａｓ）またはリン（Ｐ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層、およびガリウム（Ｇａ）またはインジウム（Ｉｎ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層接合のタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を設けた構成。The CVD diamond semiconductor belongs to the same Group 14 element as silicon (Si). The n-type CVD diamond semiconductor thin film layer can be doped with group 15 elements such as nitrogen (N), phosphorus (P), arsenic (As), and antimony (Sb). The p-type CVD diamond semiconductor thin film layer can be doped with Group 13 elements such as boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), and indium (In).
In the present invention, a tandem-type CVD diamond semiconductor with a radiation-resistant arsenic (As) or phosphorus (P) -doped n-type CVD diamond semiconductor thin film layer and a gallium (Ga) or indium (In) -doped p-type CVD diamond semiconductor thin film layer junction. A configuration provided with a thin-film ionized radiation conversion layer.
ＣＶＤダイヤモンドのバンドギャップは、５．４８ｅＶの半導体としての特性を有している。ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜は、高出力型マイクロ波プラズマＣＶＤ法、またはマイクロ波プラズマＣＶＤ法、表面波プラズマＣＶＤ法によるナノ結晶ダイヤモンド薄膜が用いられる。ＣＶＤダイヤモンドは、耐放射線性、耐熱性、絶縁性、絶縁破壊、耐化学薬品性など物質中で最高もしくは準最高値を有する材料とされる。
タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層にドープする、放射線に強いとされるヒ素ガリウム（ＡｓＧａ）のバンドギャップは、１．４３ｅＶであり、リンインジウム（ＰＩｎ）のバンドギャップは、１．３５ｅＶとされる。The bandgap of CVD diamond has the characteristics of a 5.48 eV semiconductor. As the CVD diamond semiconductor thin film, a nanocrystal diamond thin film obtained by a high-power microwave plasma CVD method, a microwave plasma CVD method, or a surface wave plasma CVD method is used. CVD diamond is a material having the highest or quasi-highest value among substances such as radiation resistance, heat resistance, insulating property, dielectric breakdown, and chemical resistance.
The bandgap of gallium arsenide (AsGa), which is said to be resistant to radiation and is doped in the tandem-type CVD diamond semiconductor thin film layer, is 1.43 eV, and the bandgap of lindium (PIn) is 1.35 eV.
図１の参考側面及び断面図に示す。金属製容器１の内側に、鉛またはタリウム２および絶縁性のＣＶＤダイヤモンド薄膜層３を設けて、タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層４を、絶縁性のＣＶＤダイヤモンド薄膜層３で覆い、電離放射線を遮蔽する金属製容器１に、放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、Ｘ線」の電離放射線を、タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層４を設けて電力に変換する。鉛またはタリウム２を設けた金属製容器１は、電離放射線を遮蔽する安全性の金属製容器１であり、電離放射線を電力に変換するタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電池装置。 It is shown in the reference side surface and the sectional view of FIG. A lead or
図２の参考断面図に示す。金属製容器１の内側に、電離放射線を遮蔽する鉛またはタリウム２および絶縁性のＣＶＤダイヤモンド薄膜層３を設け、タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層４を絶縁性のＣＶＤダイヤモンド薄膜層３で覆った金属製容器１に、放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、Ｘ線」の電離放射線を受けて電力を生み出すタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電池装置において、
ヒ素（Ａｓ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層６およびガリウム（Ｇａ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層７接合のｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層６・７接合部に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層８を伴うヘテロ接合の、リン（Ｐ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層９およびインジウム（Ｉｎ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層１０接合のｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層９・１０を設けたタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層６・７・８・９・１０を設けて、荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、Ｘ線」の電離放射線入射面、または後部に、グラファイトシート電極５・１１および絶縁性のＣＶＤダイヤモンド薄膜層３を設けたタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層６・７・８・９・１０を、鉛またはタリウム２を設けた金属製容器１に設ける。金属製容器１に放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る電離放射線を電力に変換する高効率のタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層４。
ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層８を伴うヘテロ接合のｎｐ型タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層は、荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、Ｘ線」の電離放射線を電力に変換するタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層４を、絶縁性のＣＶＤダイヤモンド薄膜層３で覆った金属製容器１に、放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る電離放射線を電力に変換するタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電池装置。It is shown in the reference sectional view of FIG. A lead or
I-type intrinsic CVD diamond semiconductor at the arsenic (As) -doped n-type CVD diamond thin film thin film layer 6 and gallium (Ga) -doped p-type CVD diamond semiconductor
The heterojunction np-type tandem-type CVD diamond semiconductor thin-film ionized radiation conversion layer with the i-type intrinsic CVD diamond semiconductor
図３の参考断面図に示す。ヒ素（Ａｓ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層６およびガリウム（Ｇａ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層７接合のｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層６・７に、リン（Ｐ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層９およびインジウム（Ｉｎ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層１０接合のｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層９・１０接合のタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層６・７・９・１０を設けて、荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、Ｘ線」の電離放射線入射面、または後部に、グラファイトシート電極５・１１および絶縁性のＣＶＤダイヤモンド薄膜層３を設けたタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層６．７・９・１０を、鉛またはタリウム２を設けた金属製容器１に設ける。金属製容器１に放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る電離放射線を電力に変換する高効率のタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層４。
ｎｐ型タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層は、荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、Ｘ線」の電離放射線を電力に変換するタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層４を、絶縁性のＣＶＤダイヤモンド薄膜層３で覆った金属製容器１に、放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る電離放射線を電力に変換するタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電池装置。It is shown in the reference sectional view of FIG. Phosphorus (P) -doped n-type CVD diamond thin
The np-type tandem-type CVD diamond semiconductor thin-film ionizing radiation conversion layer is a tandem-type CVD diamond semiconductor thin-film ionizing radiation conversion layer that converts the ionizing radiation of charged particle rays "α-rays, β-rays" and electromagnetic waves "γ-rays, X-rays" into electric power. A tandem-type CVD diamond semiconductor thin film battery device that encloses radioactive waste in a
耐放射線性または耐熱性等のＣＶＤダイヤモンドに、放射線に強いヒ素（Ａｓ）またはガリウム（Ｇａ）ドープのｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層６・７に、リン（Ｐ）またはインジウム（Ｉｎ）ドープのｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層９・１０接合による１００年以上の耐久性を持たせた高効率のタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層４を、絶縁性のＣＶＤダイヤモンド薄膜層３で覆い、鉛またはタリウム２を設けて電離放射線を遮蔽する金属製容器１に、放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る電離放射線を電力に変換するタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電池装置。 A phosphorus (P) or indium (In) -doped arsenic (As) or gallium (Ga) -doped np-type CVD diamond semiconductor thin film conversion layer 6.7 on a radiation-resistant or heat-resistant CVD diamond. The np-type CVD diamond semiconductor thin-film conversion layer 9/10 bonding has a high-efficiency tandem-type CVD diamond semiconductor thin-film ionized radiation conversion layer 4 that has a durability of 100 years or more, and is covered with an insulating CVD diamond thin-
１ 金属製容器
２ 鉛またはタリウム
３ ＣＶＤダイヤモンド薄膜層
４ タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層
５ グラファイトシート電極
６ ヒ素（Ａｓ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層
７ ガリウム（Ｇａ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層
８ ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層
９ リン（Ｐ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層
１０ インジウム（Ｉｎ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層
１１ グラファイトシート電極1
Claims (3)
ヒ素（Ａｓ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層およびガリウム（Ｇａ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層接合のｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層接合部に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層を伴うヘテロ接合の、リン（Ｐ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層およびインジウム（Ｉｎ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層接合のｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層を設けたタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を設けて、荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、Ｘ線」の電離放射線を電力に変換するタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電池装置。A metal container in which a lead or thalium that shields ionizing radiation and an insulating CVD diamond thin film layer are provided inside the metal container, and the tandem-type CVD diamond semiconductor thin film ionizing radiation conversion layer is covered with an insulating CVD diamond thin film layer. In a tandem type CVD diamond semiconductor thin film battery device that encloses radioactive waste and generates power by receiving ionizing radiation of charged particle rays "α-rays, β-rays" and electromagnetic waves "γ-rays, X-rays" emitted from radioactive substances.
Heterogeneous (As) -doped n-type CVD diamond semiconductor thin film layer and gallium (Ga) -doped p-type CVD diamond semiconductor thin film layer junction with an i-type intrinsic CVD diamond semiconductor thin film layer at the np-type CVD diamond semiconductor thin film conversion layer junction. Tandem type CVD diamond semiconductor thin film ionization radiation conversion provided with phosphorus (P) -doped n-type CVD diamond semiconductor thin film layer and indium (In) -doped p-type CVD diamond semiconductor thin film layer bonding np-type CVD diamond semiconductor thin film conversion layer. A tandem-type CVD diamond semiconductor thin-film battery device that provides a layer to convert ionized radiation of charged particle rays "α-rays, β-rays" and electromagnetic waves "γ-rays, X-rays" into electric power.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022000756U JP3238270U6 (en) | 2022-02-21 | Tandem-type CVD diamond semiconductor thin-film battery device that converts ionizing radiation into electric power |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2022000756U JP3238270U6 (en) | 2022-02-21 | Tandem-type CVD diamond semiconductor thin-film battery device that converts ionizing radiation into electric power |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JP3238270U true JP3238270U (en) | 2022-07-13 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7434615B1 (en) * | 2023-01-11 | 2024-02-20 | 東芝エレベータ株式会社 | elevator control device |
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| JP7434615B1 (en) * | 2023-01-11 | 2024-02-20 | 東芝エレベータ株式会社 | elevator control device |
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