JP3228521B2 - Radiation image conversion panel and radiation image recording and reading method - Google Patents

Radiation image conversion panel and radiation image recording and reading method

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JP3228521B2
JP3228521B2 JP04880291A JP4880291A JP3228521B2 JP 3228521 B2 JP3228521 B2 JP 3228521B2 JP 04880291 A JP04880291 A JP 04880291A JP 4880291 A JP4880291 A JP 4880291A JP 3228521 B2 JP3228521 B2 JP 3228521B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、放射線画像変換パネ
ル、および記録層に放射線画像を記録するプロセスとこ
の記録層に記録された画像情報を読取るプロセスからな
る放射線画像記録読取方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radiation image conversion panel, a process for recording a radiation image on a recording layer, and a method for recording and reading a radiation image on the recording layer.

【0002】[0002]

【従来の技術】放射線画像記録読取方法に関しては、従
来、下記の技術が提案されている。 (1)物質(ガス、液体、半導体)にX線を照射すると
イオン化して電荷が形成され、この電荷の挙動は電荷の
特性と媒体の特性で決まり、拡散係数Dで予測すること
ができるという原理に基づいて、X線ファンビームを用
いてX線画像を記録し、この記録画像情報を電荷の有無
により読取る技術(Kinestatic charge detection, Me
d. Phys. 12(3), 339 (1985) ) 。 (2)多数の気泡または気孔が分散された記録層の表面
を一様に帯電してこの気泡または気孔内の気体に強電荷
を作用させ、この記録層に画像情報を担った放射線を照
射して当該放射線強度に応じて当該記録層の表面の帯電
電荷を像状に消失させて静電潜像を形成し、この静電潜
像をトナーにより現像して読取る技術(特開昭62− 133
38号公報) 。 (3)透明導電性支持体上に、セレンからなる記録層、
絶縁層、導電層をこの順に積層して構成された放射線画
像変換パネルの表面に一様な帯電電荷を付与した後、こ
の記録層にX線を照射して像状に帯電電荷を消失させて
静電潜像を形成し、この静電潜像を光走査して読取る技
術(Journal of Applied Photographic Engineering Vo
l.4,No.4, 178 (1978) )。 (4)セレンからなる記録層に一様な帯電電荷を付与し
た後、この記録層にX線を照射して像状に帯電電荷を消
失させて静電潜像を形成し、この静電潜像をエレクトロ
メーターで読取る技術(Journal of Applied Photograp
hic EngineeringVol.5, No.4,183 (1979) )。
2. Description of the Related Art Conventionally, the following techniques have been proposed for a radiation image recording and reading method. (1) When a substance (gas, liquid, semiconductor) is irradiated with X-rays, it is ionized to form charges, and the behavior of the charges is determined by the characteristics of the charges and the characteristics of the medium, and can be predicted by the diffusion coefficient D. Based on the principle, a technique of recording an X-ray image using an X-ray fan beam and reading the recorded image information based on the presence or absence of charges (Kinestatic charge detection, Me
d. Phys. 12 (3), 339 (1985)). (2) The surface of the recording layer in which many bubbles or pores are dispersed is uniformly charged to cause a strong charge to act on the gas in the bubbles or pores, and the recording layer is irradiated with radiation carrying image information. In accordance with the radiation intensity, the electrostatic charge on the surface of the recording layer is erased imagewise to form an electrostatic latent image, and the electrostatic latent image is developed with toner and read (Japanese Patent Laid-Open No. 62-133).
No. 38). (3) a recording layer made of selenium on a transparent conductive support,
After applying a uniform charge to the surface of the radiation image conversion panel formed by laminating an insulating layer and a conductive layer in this order, the recording layer is irradiated with X-rays to erase the charge in an image form. Technology for forming an electrostatic latent image and optically scanning and reading the electrostatic latent image (Journal of Applied Photographic Engineering Vo
l.4, No. 4, 178 (1978)). (4) After applying a uniform charge to the recording layer made of selenium, the recording layer is irradiated with X-rays to eliminate the charge in an image-like manner to form an electrostatic latent image. Technology for reading images with an electrometer (Journal of Applied Photograp
hic Engineering Vol. 5, No. 4, 183 (1979)).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記(1)の
技術では、X線ファンビームを用いて記録するため、X
線源の負荷が大きく、また長時間にわたり露光をしなけ
ればならないという難点がある。さらに、X線の照射に
より生じたイオンが拡散するため、潜像のボケが生じや
すい問題がある。上記(2)の技術では、静電潜像をト
ナーにより現像して画像を読取るため、階調性、解像力
が劣り、精度の高い読取りができない問題がある。上記
(3)の技術では、記録層としてセレンを用いているた
め、フレキシブルな記録層が得られず、またSN比が高
圧(高エネルギー)領域で減少する問題がある。また、
記録材料が放射線導電体と読取光導電体を兼ねているの
で、放射線画像の形成特性と光読取特性とを別個独立に
調整することができない。例えばセレンを半導体レーザ
ー(780 nm)に感度をもたせようとすると不安定とな
り、一方、有機光半導体 (OPC) では半導体レーザー
に感度があるがX線感度は低い問題がある。上記(4)
の技術では、記録層としてセレンを用いているため、フ
レキシブルな記録層が得られず、取扱いが不便である問
題がある。また、SN比が高圧(高エネルギー)領域で
減少する問題がある。
However, in the technique (1), recording is performed using an X-ray fan beam.
There are disadvantages that the load on the radiation source is large and that exposure must be performed for a long time. Further, there is a problem that a latent image is easily blurred because ions generated by X-ray irradiation are diffused. In the technique (2), since the electrostatic latent image is developed with toner and the image is read, there is a problem that the gradation property and the resolving power are inferior and high-precision reading cannot be performed. In the technique (3), since selenium is used as the recording layer, there is a problem that a flexible recording layer cannot be obtained and that the SN ratio decreases in a high-pressure (high energy) region. Also,
Since the recording material serves both as a radiation conductor and a reading photoconductor, the radiation image forming characteristics and the optical reading characteristics cannot be independently adjusted. For example, if selenium is given sensitivity to a semiconductor laser (780 nm), it becomes unstable. On the other hand, an organic optical semiconductor (OPC) has a problem that the semiconductor laser has sensitivity but the X-ray sensitivity is low. The above (4)
According to the technique described above, since selenium is used as the recording layer, there is a problem that a flexible recording layer cannot be obtained and handling is inconvenient. In addition, there is a problem that the SN ratio decreases in a high pressure (high energy) region.

【0004】本発明の第1の目的は、高感度に放射線画
像を記録することができ、放射線画像形成特性と光読取
特性を別個独立に調整することが可能であって、イオン
の拡散による潜像のボケの生じない放射線画像変換パネ
ル(以下適宜「パネル」と略称する。)を提供すること
にある。本発明の第2の目的は、放射線画像を高精度で
読取ってデジタル化することができる放射線画像記録読
取方法を提供することにある。
A first object of the present invention is to record a radiographic image with high sensitivity, to adjust the radiographic image forming characteristic and the optical reading characteristic separately and independently, and to control the latent image by ion diffusion. An object of the present invention is to provide a radiation image conversion panel (hereinafter, abbreviated as “panel” as appropriate) in which image blur does not occur. A second object of the present invention is to provide a radiation image recording and reading method capable of reading and digitizing a radiation image with high accuracy.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の放射線画像変換
パネルは、第1の導電層上に、光導電体で区分けされた
多数の気泡または気孔を含有する記録層が形成され、こ
の記録層上に絶縁層が形成され、この絶縁層上に第2の
導電層が形成されてなり、第1の導電層および第2の導
電層の少なくとも一方が、前記記録層の気泡または気孔
内のガスをイオン化する放射線および読取光を透過する
ものであることを特徴とする。本発明の第1の放射線画
像記録読取方法は、上記放射線画像変換パネルの表面に
電圧を印加して帯電し、その記録層に画像情報に従った
パターン状に放射線を照射して当該記録層の気泡または
気孔内のガスをイオン化することにより、当該放射線強
度に応じて当該記録層の表面の帯電電荷を像状に消失さ
せて静電潜像を形成した後、当該記録層に読取光を照射
して電荷の変化を検知することにより当該静電潜像を読
取ることを特徴とする。本発明の第2の放射線画像記録
読取方法は、導電層上に形成された、光導電体で区分け
された多数の気泡または気孔を含有する記録層の表面を
一様に帯電し、当該記録層に画像情報に従ったパターン
状に放射線を照射して前記記録層の気泡または気孔内の
ガスをイオン化することにより、当該放射線強度に応じ
て当該記録層の表面の帯電電荷を像状に消失させて静電
潜像を形成した後、当該記録層に読取光を照射し、当該
記録層の上に配置した導電体の電荷変化を検知すること
により当該静電潜像を読取ることを特徴とする。
According to the radiation image conversion panel of the present invention, a recording layer containing a large number of bubbles or pores separated by a photoconductor is formed on a first conductive layer. An insulating layer is formed on the insulating layer, a second conductive layer is formed on the insulating layer, and the first conductive layer and the second conductive layer are formed.
At least one of the electric layers is formed by bubbles or pores of the recording layer.
Penetrates radiation and reading light to ionize gas inside
And characterized in that. In the first radiation image recording / reading method of the present invention, the surface of the radiation image conversion panel is charged by applying a voltage, and the recording layer is irradiated with radiation in a pattern according to image information. By ionizing the gas in the bubbles or pores of the recording layer, the charge on the surface of the recording layer is erased imagewise according to the radiation intensity to form an electrostatic latent image. The electrostatic latent image is read by irradiating the reading light and detecting a change in charge. The second radiation image recording / reading method of the present invention uniformly charges the surface of a recording layer containing a large number of air bubbles or pores formed on a conductive layer and separated by a photoconductor. By irradiating radiation in a pattern according to image information to ionize the gas in the bubbles or pores of the recording layer, the charged charges on the surface of the recording layer are erased imagewise according to the radiation intensity. Forming an electrostatic latent image on the recording layer, irradiating the recording layer with reading light, and detecting a change in the electric charge of a conductor disposed on the recording layer to read the electrostatic latent image. .

【0006】[0006]

【作用】光導電体で区分けされた多数の気泡または気孔
を含有する記録層の表面を帯電した後パターン状の放射
線を照射すると、放射線の作用によって気泡または気孔
内の気体が一単位となってイオン化し、当該気泡または
気孔に対応する部分の帯電電荷が消失し、高感度に放射
線画像が記録される。このイオンは気泡または気孔内に
閉じ込められるので拡散による潜像のボケが生じない。
トナーを用いずに少なくとも一方の透明な導電層を通し
て記録層に読取光を照射して電荷の変化を検知すること
により読取る方法、またはトナーを用いずに記録層に読
取光を照射して当該記録層の上に配置した導電体の電荷
変化を検知することにより読取る方法によれば、階調
性、解像力が高く、高精度で読取ることができる。
When the surface of a recording layer containing a large number of bubbles or pores separated by a photoconductor is charged and then irradiated with patterned radiation, the radiation acts to convert the gas in the bubbles or pores into one unit. As a result, the charge corresponding to the bubbles or pores disappears and the radiation image is recorded with high sensitivity. Since these ions are confined in bubbles or pores, the latent image is not blurred due to diffusion.
A method of reading by irradiating the recording layer through at least one transparent conductive layer without using toner and detecting a change in charge by irradiating the recording layer, or irradiating the recording layer with reading light without using toner to perform the recording. According to the method of reading by detecting the change in the electric charge of the conductor arranged on the layer, the gradation and the resolving power are high, and the reading can be performed with high accuracy.

【0007】[0007]

【実施例】以下、本発明の第1の態様を図1〜図3を用
いて説明する。図1〜図3において、1は放射線画像変
換パネル、2は第1の導電層、3は多数の気泡または気
孔を有し光導電体を含有する記録層、4は絶縁層、5は
第2の導電層、7は電源、8は検出系であり、図1は帯
電プロセス、図2は放射線照射プロセス、図3は読取り
プロセスを示す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 3, 1 is a radiation image conversion panel, 2 is a first conductive layer, 3 is a recording layer containing a number of bubbles or pores and containing a photoconductor, 4 is an insulating layer, and 5 is a second layer. 1 is a charging process, FIG. 2 shows a radiation irradiation process, and FIG. 3 shows a reading process.

【0008】帯電プロセスにおいては、図1に示すよう
に、電源7により第1の導電層2と第2の導電層5の間
に電圧を印加すると、多数の気泡または気孔を有し光導
電体を含有する記録層3と絶縁層4の表面が帯電する。
放射線照射プロセスにおいては、図2に示すように、表
面が帯電した記録層3に向かって、画像情報に従ったパ
ターン状の放射線を照射して、当該放射線強度に応じて
当該記録層3の表面の帯電電荷を前記画像情報に従った
像状に消失させて静電潜像を形成する。この際、記録層
3の表面の帯電電荷の消失に伴い、絶縁層4の表面の帯
電電荷が変化する。読取りプロセスにおいては、図3に
示すように、読取光を走査しながら記録層3に向けて照
射して記録層3の表面に残っている電荷を消失させる。
この電荷の消失に応じて絶縁層4の表面の帯電量が変化
する。絶縁層4の帯電量の変化に伴って電源7より供給
される電流を検出系8によって検出し、記録層3の電荷
の変化を検知することにより当該静電潜像を電気的に読
取る。
In the charging process, as shown in FIG. 1, when a voltage is applied between a first conductive layer 2 and a second conductive layer 5 by a power supply 7, a photoconductor having many bubbles or pores is provided. Are charged on the surfaces of the recording layer 3 and the insulating layer 4 containing.
In the radiation irradiation process, as shown in FIG. 2, the recording layer 3 having a charged surface is irradiated with radiation in a pattern according to image information, and the surface of the recording layer 3 is irradiated with the radiation intensity. To form an electrostatic latent image. At this time, the charge on the surface of the insulating layer 4 changes as the charge on the surface of the recording layer 3 disappears. In the reading process, as shown in FIG. 3, the scanning light is irradiated to the recording layer 3 while scanning the light to erase the charge remaining on the surface of the recording layer 3.
The amount of charge on the surface of the insulating layer 4 changes according to the disappearance of the charge. The detection system 8 detects a current supplied from the power supply 7 in accordance with a change in the charge amount of the insulating layer 4 and detects a change in the charge of the recording layer 3 to electrically read the electrostatic latent image.

【0009】本発明のパネルに必ずしも必要ではない
が、パネル形状を保持するため、必要に応じて図4また
は図5に示すように支持体6を設けても良い。支持体6
は第1の導電層2側に設けても、第2の導電層5側に設
けても良い。また、導電層が支持体を兼ねていても良
い。
Although not necessary for the panel of the present invention, a support 6 may be provided as shown in FIG. 4 or FIG. Support 6
May be provided on the first conductive layer 2 side or on the second conductive layer 5 side. Further, the conductive layer may also serve as a support.

【0010】次に、本発明の第2の態様を図6〜図8を
用いて説明する。図6〜図8において、1は放射線画像
変換パネル、3は記録層、6は支持体、9は導電層、1
0はコロナ帯電器、11は導電体、12は反射防止膜、
13はシリンドリカルレンズであり、図6は帯電プロセ
ス、図7は放射線照射プロセス、図8は読取りプロセス
を示す。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 8, 1 is a radiation image conversion panel, 3 is a recording layer, 6 is a support, 9 is a conductive layer,
0 is a corona charger, 11 is a conductor, 12 is an antireflection film,
Reference numeral 13 denotes a cylindrical lens, FIG. 6 shows a charging process, FIG. 7 shows a radiation irradiation process, and FIG. 8 shows a reading process.

【0011】帯電プロセスにおいては、図6に示すよう
に、光導電体で区分けされた多数の気泡または気孔を含
有する記録層3の表面を、コロナ帯電器10により一様
に帯電させる。放射線照射プロセスにおいては、図7に
示すように、表面が一様に帯電した記録層3の当該表面
に、画像情報に従ったパターン状に放射線を照射して、
当該放射線強度に応じて当該記録層3の表面の帯電電荷
を前記画像情報に従った像状に消失させて静電潜像を形
成する。読取りプロセスにおいては、例えば、図8に示
すように、記録層3の上に、読取光に対して実質的に透
明である導電体11を配置し、この導電体11を介して
当該記録層3に読取光を照射して当該導電体11の電荷
変化を検知することにより当該静電潜像を電気的に読取
ることが好ましい。この図8の構成では、読取光用の光
学系と電荷検知用導電体が一体的に形成できるので、読
取系の小型化を図ることができるという利点がある。し
かし,本発明では、図8の構成に限定されず、例えば、
図9に示すように、読取光を導電体11を介さずに、記
録層3と導電体11との間から当該記録層3に斜めに直
接照射する構成を採用してもよい。この図9の構成によ
っても本発明の目的は十分に達成される。
In the charging process, as shown in FIG. 6, the surface of the recording layer 3 containing a large number of bubbles or pores separated by a photoconductor is uniformly charged by a corona charger 10. In the radiation irradiation process, as shown in FIG. 7, the surface of the recording layer 3 having a uniformly charged surface is irradiated with radiation in a pattern according to image information.
In accordance with the radiation intensity, the charge on the surface of the recording layer 3 is erased in an image according to the image information to form an electrostatic latent image. In the reading process, for example, as shown in FIG. 8, a conductor 11 that is substantially transparent to reading light is arranged on the recording layer 3, and the recording layer 3 is interposed via the conductor 11. It is preferable that the electrostatic latent image is electrically read by irradiating the electrostatic latent image with the reading light to detect a change in the charge of the conductor 11. In the configuration shown in FIG. 8, since the optical system for reading light and the electric conductor for charge detection can be formed integrally, there is an advantage that the size of the reading system can be reduced. However, the present invention is not limited to the configuration of FIG.
As shown in FIG. 9, a configuration may be employed in which the reading light is directly applied obliquely to the recording layer 3 from between the recording layer 3 and the conductor 11 without passing through the conductor 11. The object of the present invention can be sufficiently achieved by the configuration shown in FIG.

【0012】次に、本発明の各構成要素について説明す
る。記録層3においては、気泡または気孔の大きさは、
放射線の照射により生じたイオンを狭い範囲に閉じ込め
て潜像のボケを防止する観点から、0.01〜100 μmが好
ましい。気泡または気孔の密度は、高感度に潜像を形成
する観点から、記録層3の保持強度を損なわない範囲で
できるだけ高密度であることが好ましい。記録層3の層
厚は、特に限定されないが、通常 0.5μm〜1mm程度で
ある。また、第2の態様においては、記録層3は、図6
のように支持体6の導電層9に密着させるか、当該導電
層9に積層して設けられる。
Next, each component of the present invention will be described. In the recording layer 3, the size of bubbles or pores is
From the viewpoint of confining ions generated by radiation irradiation in a narrow range and preventing blurring of a latent image, the thickness is preferably 0.01 to 100 μm. From the viewpoint of forming a latent image with high sensitivity, it is preferable that the density of bubbles or pores is as high as possible as long as the holding strength of the recording layer 3 is not impaired. The thickness of the recording layer 3 is not particularly limited, but is usually about 0.5 μm to 1 mm. Further, in the second embodiment, the recording layer 3 is formed as shown in FIG.
It is provided in close contact with the conductive layer 9 of the support 6 as described above, or is provided by being laminated on the conductive layer 9.

【0013】記録層3の構成材料としては、多数の気泡
または気孔を区分けするために光導電体を用いる。この
光導電体としては、100 ℃までの耐熱性を有する有機光
半導体が好ましく用いられる。具体的には、ポリビニル
カルバゾール等のカルバゾール誘導体、ピレン、テトラ
フェニルピレン、1−メチルピレン、アゾピレン等のピ
レン誘導体、アントラセン、テトラセン等の高級縮合芳
香族化合物、クリセン、バイセン、2,3−ベンゾクリ
セン等のクリセン類、フェニルインドール等のインドー
ル誘導体、ピラゾリンハイドロクロライド、ピラゾリン
ピクレート等のピラゾリン誘導体、2,4,7−トリニ
トロ−9−フルオレノン等のフルオレノン誘導体、ポリ
イミダゾピロロン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、
オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダ
ゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チオフェン誘導
体、トリアジン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチリル化
合物、アゾメチン系化合物、アシルハイドラジン誘導
体、ピラゾリン誘導体、イミダゾロン誘導体、イミダゾ
ールチオン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズ
オキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、ポリア
リールアルカン、例えばトリアリールメタンロイコ色素
あるいはスクエアリン酸誘導体染料、2,4,8−トリ
ニトロチオキサントン等が挙げられる。
As a constituent material of the recording layer 3, a photoconductor is used to separate a large number of bubbles or pores. As this photoconductor, an organic optical semiconductor having heat resistance up to 100 ° C. is preferably used. Specifically, carbazole derivatives such as polyvinylcarbazole, pyrene derivatives such as pyrene, tetraphenylpyrene, 1-methylpyrene, and azopyrene; higher condensed aromatic compounds such as anthracene and tetracene; chrysene, bicene, and 2,3-benzochrysene; Chrysenes, indole derivatives such as phenylindole, pyrazoline hydrochloride, pyrazoline derivatives such as pyrazoline picrate, fluorenone derivatives such as 2,4,7-trinitro-9-fluorenone, polyimidazopyrrolone derivatives, triphenylamine derivatives,
Oxadiazole derivative, triazole derivative, imidazole derivative, oxazole derivative, thiophene derivative, triazine derivative, hydrazone derivative, styryl compound, azomethine compound, acylhydrazine derivative, pyrazoline derivative, imidazolone derivative, imidazolethione derivative, benzimidazole derivative, benz Oxazole derivatives, benzothiazole derivatives, polyarylalkanes such as triarylmethane leuco dyes or squaric acid derivative dyes, and 2,4,8-trinitrothioxanthone.

【0014】また、光導電体としては、特に、各種の光
導電性有機顔料、例えばフタロシアニン顔料、アゾ顔
料、キナクリドン顔料、ビスベンズイミダゾール顔料、
インジゴ顔料、キノン顔料、ペリレン顔料、キノリン顔
料、シアニン顔料等が好ましく用いられる。フタロシア
ニン顔料としては、特公昭40−2780号、同45−8102号、
同45− 11021号、同46− 42511号、同46− 42512号、同
48− 163号、同49− 17535号、同50−5059号、特開昭50
− 38543号の各公報に記載されている光導電性フタロシ
アニン系顔料が挙げられる。アゾ顔料としては、特開昭
51− 90827号、同52− 55643号の各公報に記載されてい
る光導電性アゾ顔料が挙げられる。キナクリドン顔料と
しては、特開昭49−30332号公報に記載されている光導
電性キナクリドン顔料が挙げられる。ビスベンズイミダ
ゾール顔料としては、特開昭47− 18543号公報に記載さ
れている光導電性ビスベンズイミダゾール顔料が挙げら
れる。インジゴ顔料としては、特開昭47− 30331号公報
に記載されているトランスインジゴ顔料またはシスイン
ジゴ顔料が挙げられる。キノン顔料としては、特開昭47
− 18544号公報に記載されている多環キノン顔料が挙げ
られる。ペリレン顔料としては、特開昭47− 30330号公
報、米国特許第 3,871,882号明細書に記載されているペ
リレン顔料が挙げられる。キノリン顔料としては、特開
昭49−1231号公報に記載されているキノリン顔料が挙げ
られる。シアニン顔料としては、特開昭47− 37544号公
報に記載されているシアニン顔料が挙げられる。
Examples of the photoconductor include various photoconductive organic pigments such as phthalocyanine pigments, azo pigments, quinacridone pigments, bisbenzimidazole pigments, and the like.
Indigo pigments, quinone pigments, perylene pigments, quinoline pigments, cyanine pigments and the like are preferably used. As phthalocyanine pigments, Japanese Patent Publication Nos. 40-2780 and 45-8102,
No. 45-11021, No. 46-42511, No. 46-42512, No.
Nos. 48-163, 49-17535, 50-5059, JP-A-50
And photoconductive phthalocyanine pigments described in JP-B-38543. As the azo pigment,
Examples thereof include photoconductive azo pigments described in JP-A-51-90827 and JP-A-52-55643. Examples of the quinacridone pigment include a photoconductive quinacridone pigment described in JP-A-49-30332. Examples of the bisbenzimidazole pigment include a photoconductive bisbenzimidazole pigment described in JP-A-47-18543. Examples of the indigo pigment include a transindigo pigment and a cis indigo pigment described in JP-A-47-30331. As the quinone pigment, JP-A-47
And polycyclic quinone pigments described in JP-A-18544. Examples of the perylene pigment include perylene pigments described in JP-A-47-30330 and U.S. Pat. No. 3,871,882. Examples of the quinoline pigment include quinoline pigments described in JP-A-49-1231. Examples of the cyanine pigment include cyanine pigments described in JP-A-47-37544.

【0015】以上の光導電性物質は、複数のものを適宜
組合せて使用してもよい。また、上記光導電性物質を適
宜のバインダー樹脂中に溶解または分散させて記録層を
形成してもよい。かかるバインダー樹脂としては、スチ
レン−ブタジエンポリマー、シリコーン樹脂、スチレン
−アルキッド樹脂、ポリビニルクロライド、ポリアクリ
ルエステル、ポリメチルアクリルエステル、ポリスチレ
ン、イソブチレンポリマー、ポリエステル、フェノール
−ホルムアルデヒド樹脂、ポリビニリデンクロライド、
ビニリデンクロライド−アクリロニトリルコポリマー、
ポリビニルアセタール、ビニルアセテート−ビニルクロ
ライドコポリマー、ポリビニルホルマールアセテート、
ケトン樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート等が挙げら
れる。まだ、記録層3中には、放射線に対する吸収を大
きくするために、Pb、Sn等の重金属微粉体を含有さ
せてもよい。
A plurality of the above photoconductive substances may be used in combination as appropriate. Further, the recording layer may be formed by dissolving or dispersing the photoconductive substance in an appropriate binder resin. Such binder resins include styrene-butadiene polymer, silicone resin, styrene-alkyd resin, polyvinyl chloride, polyacrylester, polymethylacrylester, polystyrene, isobutylene polymer, polyester, phenol-formaldehyde resin, polyvinylidene chloride,
Vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer,
Polyvinyl acetal, vinyl acetate-vinyl chloride copolymer, polyvinyl formal acetate,
Ketone resins, polyamides, polycarbonates and the like can be mentioned. Still, the recording layer 3 may contain heavy metal fine powder such as Pb or Sn in order to increase absorption of radiation.

【0016】多数の気泡を含む記録層3の形成手段とし
ては、(1)記録層物質の光分解で生成するガス分子の
気泡化による手段、(2)記録層物質の熱分解で熱反応
で生成するガスの気泡化による手段、(3)記録層材料
中に含有した可溶性物質の水、溶媒により溶出・気泡化
し、溶出後加熱気体の封鎖を行う手段、(4)記録層と
してマイクロカプセルの集積層を用いる手段、等が挙げ
られる。
As means for forming the recording layer 3 containing many bubbles, (1) means for forming bubbles of gas molecules generated by photolysis of the recording layer material, and (2) thermal reaction by thermal decomposition of the recording layer material. (3) means for dissolving and bubbling the soluble substance contained in the recording layer material with water and a solvent, and sealing off the heated gas after elution; (4) microcapsules as the recording layer Means using an integrated layer, and the like.

【0017】多数の気孔を含む記録層3の形成手段とし
ては、(1)電気的放電加工方法、機械的化学的方法、
溶出法等により記録層材料に多数の細孔を設ける手段、
(2)細粉を樹脂バインダーで結着し、塗布あるいは吹
付けを行う手段、(3)ガラス繊維等を適当な手段で固
めて層状にし、これをフィルムでラミネートする手段、
等が挙げられる。
Means for forming the recording layer 3 having a large number of pores include (1) an electric discharge machining method, a mechanical chemical method,
Means for providing a large number of pores in the recording layer material by an elution method or the like,
(2) means for binding the fine powder with a resin binder and applying or spraying; (3) means for hardening glass fibers or the like by an appropriate means to form a layer and laminating it with a film;
And the like.

【0018】図1〜図3に示した第1の態様における第
1の導電層2および第2の導電層5としては、アルミニ
ウム、パラジウム、銅、鉄、ニッケル、ステンレス鋼、
金、銀、スズ、亜鉛等からなる金属の蒸着膜またはラミ
ネート膜、あるいはバインダー樹脂中に金属またはカー
ボンブラック等の導電性材料が分散含有させてなるもの
等が挙げられる。第1の導電層2および第2の導電層5
の少なくとも一方は、読取光を記録層3に到達させるた
めに、読取光の波長に対して透明である。透明な導電層
の透過率は80%以上が好ましい。透明な導電層を得るた
めには、アルミニウム、金、銀、パラジウム、酸化イン
ジウム、酸化スズ、ITO等の薄膜が用いられる。この
薄膜は蒸着法、スパッタリング法、圧着法、ラミネート
法等により形成することができる。第1の導電層2およ
び/または第2の導電層5は全面にわたって連続的に形
成されていても、ストライプ状に区切られていても良
い。導電層をストライプ状に形成し、読取光をストライ
プ状導電層に対してほぼ垂直に走査して読取を行えば、
読取光走査方向の画素位置はストライプ状導電層の位置
で、読取光走査方向に垂直な方向の画素位置は時間で各
々独立に検知できる。
As the first conductive layer 2 and the second conductive layer 5 in the first embodiment shown in FIGS. 1 to 3, aluminum, palladium, copper, iron, nickel, stainless steel,
Examples thereof include a deposited film or a laminated film of a metal made of gold, silver, tin, zinc, or the like, and a material in which a conductive material such as a metal or carbon black is dispersed and contained in a binder resin. First conductive layer 2 and second conductive layer 5
Is transparent to the wavelength of the reading light so that the reading light reaches the recording layer 3. The transmittance of the transparent conductive layer is preferably 80% or more. In order to obtain a transparent conductive layer, a thin film of aluminum, gold, silver, palladium, indium oxide, tin oxide, ITO, or the like is used. This thin film can be formed by an evaporation method, a sputtering method, a pressure bonding method, a lamination method, or the like. The first conductive layer 2 and / or the second conductive layer 5 may be formed continuously over the entire surface, or may be divided into stripes. If the conductive layer is formed in a stripe shape and reading is performed by scanning the reading light substantially perpendicularly to the stripe-shaped conductive layer,
The pixel position in the reading light scanning direction is the position of the stripe-shaped conductive layer, and the pixel position in the direction perpendicular to the reading light scanning direction can be independently detected with time.

【0019】図1〜図3に示した第1の態様における絶
縁層4は、比抵抗が1014Ω・cm以上であることが好まし
く、例えばポリエチレンテレフタレートフィルム (PE
T) 等の樹脂、その他により構成される。絶縁層4の層
厚は、特に限定されないが、通常 0.5μm〜1mm程度で
ある。なお、読取光を第2の導電層5側から照射する場
合には、絶縁層4も読取光を透過する必要がある。
The insulating layer 4 in the first embodiment shown in FIGS. 1 to 3 preferably has a specific resistance of 10 14 Ω · cm or more. For example, a polyethylene terephthalate film (PE
T) and other resins. The thickness of the insulating layer 4 is not particularly limited, but is usually about 0.5 μm to 1 mm. When the reading light is irradiated from the second conductive layer 5 side, the insulating layer 4 also needs to transmit the reading light.

【0020】図1の帯電プロセスにおいては、電源7に
より第1の導電層2と第2の導電層5との間に電圧を印
加して、両導電層間の電位差を50〜1500V程度にする。
図4の帯電プロセスにおいては、コロナ帯電器10を用
いる方法のほかに、電子写真法で用いられている摩擦帯
電法、電極接触法等を用いてもよい。帯電電位は、通常
表面電位の絶対値で50〜1500V程度である。
In the charging process shown in FIG. 1, a voltage is applied between the first conductive layer 2 and the second conductive layer 5 by the power supply 7 so that the potential difference between the two conductive layers is about 50 to 1500 V.
In the charging process shown in FIG. 4, in addition to the method using the corona charger 10, a triboelectric charging method, an electrode contact method, or the like used in electrophotography may be used. The charging potential is usually about 50 to 1500 V in absolute value of the surface potential.

【0021】図3または図8の読取りプロセスにおいて
は、読取光は、記録層3を構成する光導電体が感度を有
するものであればよいが、走査性の観点から各種レーザ
ー光が好ましく、特に半導体レーザー光が好ましい。読
取光のビーム系は、読取精度を高める観点から、10〜50
0 μmが好ましく、さらには20〜200 μmが好ましく、
特には50〜200 μmが好ましい。
In the reading process shown in FIG. 3 or FIG. 8, the reading light may be any light as long as the photoconductor constituting the recording layer 3 has sensitivity. Semiconductor laser light is preferred. The beam system of the reading light is 10 to 50 from the viewpoint of improving the reading accuracy.
0 μm is preferable, and further preferably 20 to 200 μm,
In particular, 50 to 200 μm is preferable.

【0022】第2の態様における導電体11の構成材料
としては、図8の構成を採る場合には読取光に対して実
質的に透明であって電荷を誘起し得るものが用いられ、
図9の構成を採る場合には透明または不透明のいかんに
かかわらず電荷を誘起し得るものが用いられる。具体的
には、透明な材料としてはITO等が挙げられ、不透明
な材料としては、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム
等の金属または合金が挙げられる。導電体11の長さ
(図8および図9において紙面に垂直方向)は、記録層
3よりも10mm程度大きいことが好ましく、導電体11の
幅(図8および図9において紙面の左右方向)は、読取
光のビーム径の10倍程度であることが好ましく、具体的
には 0.3〜3mm程度である。
As the constituent material of the conductor 11 in the second embodiment, when adopting the configuration of FIG. 8, a material that is substantially transparent to reading light and can induce electric charge is used.
In the case of adopting the configuration of FIG. 9, one that can induce a charge regardless of whether it is transparent or opaque is used. Specifically, the transparent material includes ITO and the like, and the opaque material includes metals or alloys such as gold, silver, copper, nickel, and aluminum. The length of the conductor 11 (in the direction perpendicular to the plane of the paper in FIGS. 8 and 9) is preferably about 10 mm larger than the recording layer 3, and the width of the conductor 11 (the horizontal direction in the plane of the paper in FIGS. 8 and 9) is It is preferably about 10 times the beam diameter of the reading light, specifically about 0.3 to 3 mm.

【0023】読取系は、一体型の構成とすることが好ま
しい。また、読取系は1つに限らず、複数設けてもよ
い。また、読取部としては、読取光学系を固定しパネル
を搬送する構成(特開昭56− 11395号、同57− 76974
号、同60−5665号、同58− 17767号、同60−117212号の
各公報参照) 、またはパネルを固定し読取光学系を移動
させる構成 (特開昭60−140215号公報参照) のいずれで
あってもよいが、装置を小型化できる点で後者の方がよ
り好ましい。
The reading system is preferably of an integrated type. The number of reading systems is not limited to one, and a plurality of reading systems may be provided. Further, the reading section has a configuration in which the reading optical system is fixed and the panel is conveyed (Japanese Patent Laid-Open Nos. 56-11395 and 57-76974).
No., No. 60-5665, No. 58-17767, No. 60-117212), or a configuration in which the reading optical system is moved while fixing the panel (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-140215). However, the latter is more preferable in that the device can be downsized.

【0024】図1〜図3の検出系8の具体的構成は特に
限定されないが、例えば電源7と導電層2または5の間
に電流−電圧変換増幅器を接続し、増幅器からの出力を
A/Dコンバーターによってデジタル信号に変換するシ
ステムが用いられる。また、ストライプ状の導電層を用
いたときには、ストライプ状の電極に電流−電圧変換増
幅器をそれぞれ接続し、各増幅器からの出力をアナログ
マルチプレクサを介してA/Dコンバーターに接続し、
デジタル信号に変換するシステムを用いてもよい。この
場合、個々の増幅器に要求される周波数帯域は1台の増
幅器を用いたときに比べて狭くて良いので、読取の高速
化やノイズの低減の観点で好ましい。
The specific configuration of the detection system 8 shown in FIGS. 1 to 3 is not particularly limited. For example, a current-voltage conversion amplifier is connected between the power supply 7 and the conductive layer 2 or 5, and the output from the amplifier is A / A. A system for converting into a digital signal by a D converter is used. When a stripe-shaped conductive layer is used, a current-voltage conversion amplifier is connected to each of the stripe-shaped electrodes, and an output from each amplifier is connected to an A / D converter via an analog multiplexer.
A system for converting to a digital signal may be used. In this case, the frequency band required for each amplifier may be narrower than when a single amplifier is used, which is preferable in terms of speeding up reading and reducing noise.

【0025】放射線源としては、X線、γ線、α線、β
線等のように、記録層中の気泡または気孔中の気体をイ
オン化できるものが用いられる。
X-rays, γ-rays, α-rays, β-rays
A material such as a line that can ionize bubbles in the recording layer or gas in the pores is used.

【0026】静電潜像の読取りを行った後、当該静電潜
像を消去するためには、図1〜図3の態様では第1の導
電層2と第2の導電層5とを短絡させて、全面をハロゲ
ンランプ等により光照射すればよい。また、図6〜図8
の態様では、残留電荷の存在する状態で再帯電を行って
次の放射線画像の形成プロセスを遂行してもよいし、あ
るいは残留電荷と逆極性の電界、または減衰交流電界を
印加して消去してもよい。また、ハロゲンランプ等の光
導電体が感度をもつ光を照射して消去しても良い。
After reading the electrostatic latent image, in order to erase the electrostatic latent image, the first conductive layer 2 and the second conductive layer 5 are short-circuited in the embodiments shown in FIGS. Then, the entire surface may be irradiated with light using a halogen lamp or the like. 6 to 8
In the embodiment, the next radiation image forming process may be performed by performing recharging in a state where the residual charge is present, or may be erased by applying an electric field having a polarity opposite to that of the residual charge or an attenuated AC electric field. You may. Alternatively, a photoconductor such as a halogen lamp may be irradiated with sensitive light for erasing.

【0027】読取りプロセスにおいては、読取りゲイン
を調節して読取り精度を高めるために、実際に読取る前
に、低エネルギーの光で予備の読取りを行うようにして
もよい(特開昭58− 67240号,同58−6724号の各公報参
照) 。
In the reading process, in order to increase the reading accuracy by adjusting the reading gain, a preliminary reading may be performed with low-energy light before actually reading (Japanese Patent Laid-Open No. 58-67240). , Pp. 58-6724).

【0028】読取りプロセスにおいては、放射線画像の
診断に重要な周波数領域の応答を強調することによりコ
ントラストを向上させて診断能を上げるために、例えば
超低周波数領域からの周波数応答を強調する等の周波数
処理を施してもよい (特開昭55−163472号公報参照)。
In the reading process, in order to enhance the diagnostic performance by enhancing the contrast by enhancing the response in the frequency region important for the diagnosis of the radiographic image, for example, the frequency response from the very low frequency region is enhanced. Frequency processing may be performed (see JP-A-55-163472).

【0029】また、異なる被写体、異なる撮影条件の放
射線画像でも適正な濃度の最終的再生像が得られるよう
に信号を処理する階調処理を施してもよい(特開昭55−
116340号公報参照)。具体的には、信号の最大レベル、
最小レベルを検出し、その値に基づいて出力画像の光学
濃度の最大、最小を決定する等の処理がある。
Further, tone processing for processing signals may be performed so that a final reproduced image of an appropriate density can be obtained even for radiation images of different subjects and different imaging conditions (Japanese Patent Application Laid-Open No. 55-1979).
No. 116340). Specifically, the maximum level of the signal,
Processing includes detecting the minimum level, and determining the maximum and minimum optical densities of the output image based on the detected level.

【0030】また、医療用X線画像においては、患者の
被曝線量の低減等の目的で照射野しぼりを行うことがあ
り、照射野外の信号値は照射野内に比べて著しく低いの
で、上記階調処理を行う際に最小レベルを誤って検出し
てしまうことがある。従って、正しく処理するために
は、あらかじめ照射野を認識し、その内で画像処理を行
うことが肝要である(特開昭60−120349号公報
参照) 。さらに、失敗のない適正な画像処理を可能とす
るためには、被写体の部位、体位(正面、側面など)、
画像中の位置をあらかじめ認識した上で処理することが
肝要である。
In the medical X-ray image, the patient's
In some cases, the irradiation field is squeezed for the purpose of reducing exposure dose, and the signal level outside the irradiation field is significantly lower than that inside the irradiation field. There is. Therefore, for proper processing, it is important to recognize the irradiation field in advance and perform image processing within the irradiation field (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-120349). Furthermore, in order to enable appropriate image processing without failure, the part, body position (front, side, etc.) of the subject,
It is important to perform processing after recognizing the position in the image in advance.

【0031】また、同一の被写体の同一の方向からの複
数枚の放射線画像を同時にもしくは順次に別の放射線画
像変換パネルに記録し、この複数枚の放射線画像からこ
れらの放射線画像の濃度を平均した画像を得る重ね合わ
せ処理を行うようにしてもよい(特開昭56− 11034号公
報参照)。
A plurality of radiation images of the same subject from the same direction are recorded simultaneously or sequentially on another radiation image conversion panel, and the densities of these radiation images are averaged from the plurality of radiation images. A superposition process for obtaining an image may be performed (see Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 56-11034).

【0032】また、特定構造物のみが抽出された放射線
画像を再生するエネルギーサブトラクション処理を行っ
てもよい(特開昭60−225541号公報参照) 。このエネル
ギーサブトラクション処理は、同一の被写体に対して相
異なるエネルギー分布を有する放射線を照射し、特定の
構造物が特有の放射線エネルギー吸収特性を有すること
を利用して特定構造物が異なる画像を2つの放射線画像
間に存在させ、その後この2つの放射線画像の画像信号
間で必要に応じて適当な重みをつけたうえで引算(サブ
トラクト)を行い特定の構造物の画像を抽出する処理で
ある。
Further, an energy subtraction process for reproducing a radiation image from which only a specific structure is extracted may be performed (see Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 60-225541). This energy subtraction process irradiates the same subject with radiation having different energy distributions, and takes advantage of the fact that a specific structure has a specific radiation energy absorption characteristic to generate two images with different specific structures. This is a process of extracting an image of a specific structure by causing the image to exist between the radiation images and then performing an appropriate subtraction (subtract) between the image signals of the two radiation images as necessary.

【0033】本発明の方法を実施するに際しては、帯電
部と、撮影部と、読取部とが一体化された装置が好まし
く用いられる。この一体型装置は、例えば特開昭58− 6
6931号, 同58− 66934号の各公報の技術を利用して構成
することができる。具体的一例においては、帯電部と、
撮影部と、読取部とを一体的に設けて、これらの各部を
放射線画像変換パネルが循環移動させるようにした装置
が挙げられる。
In carrying out the method of the present invention, a device in which a charging unit, a photographing unit, and a reading unit are integrated is preferably used. This integrated device is disclosed in, for example,
It can be constructed using the technology of each of the publications 6931 and 58-66934. In a specific example, the charging unit,
There is an apparatus in which a radiographing unit and a reading unit are provided integrally, and these units are circulated by a radiation image conversion panel.

【0034】以下、さらに具体的な実施例について説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。なお、以下において「部」は「重量部」を表す。 実施例1 クロモフタルブルー4GN(β型銅フタロシアニン)1
部と、m−クレゾールホルムアルデヒド樹脂 1.5部と、
ポリメチルメタクリレート樹脂1部と、塩化ビニリデン
−アクリロニトリル共重合体 0.5部と、メチルエチルケ
トン15部とを、ガラスビーズにより10分間分散してA液
を調製した。p−ジアゾ−N,N−ジメチルアニリンク
ロリドの塩化亜鉛複塩1部と、メチルアルコール1部
と、メチルエチルケトン6部とを混合してB液を調製し
た。前記B液を前記A液に撹拌しながら加えて塗布液を
調製し、厚さ 100μmのポリエチレンテレフタレートフ
ィルム (PET) の片面にアルミニウムの蒸着膜を設け
てなる東レ社製のフィルムの当該蒸着膜上に前記塗布液
を塗布した後、これを均一に紫外線を一様露光し、短時
間加熱して当該層中に一様な気泡を形成し、支持体と第
1の導電層と層厚が 250μmの記録層とを得た。この記
録層の第1の導電層とは反対側の表面上に、ITOの蒸
着膜を有するPETを当該蒸着膜が露出表面となるよう
にラミネートして絶縁層および第2の導電層を設けて放
射線画像変換パネルを作製した。なお、ITOの蒸着膜
は、あらかじめエッチングにより幅 150μm間隔のスト
ライプ状に形成した。この放射線画像変換パネルを、読
取光学系移動型の読取部に固定し、第1の導電層と第2
の導電層との間に電圧を印加し、第2の導電層の表面電
位を−900 Vに設定した。この状態で、管電圧 120k
V、管電流200mA、照射時間 0.1秒、放射線源との距
離 150cmの条件で、X線を記録層に向けて一様に照射し
た。次に、読取光として波長780nmの半導体レーザー光
を用いて、走査速度25m/sで走査しながら照射し、こ
のとき第1の導電層と第2の導電層との間に流れる電流
を検出してこれをデジタルの電圧信号に変換し、静電潜
像の読取りを行った。なお、半導体レーザーの光量は記
録層3での帯電電荷を消失させるのに十分なものとし
た。その結果、SN比の良好なシグナルが得られた。次
に、記録層の残存電荷を消去して、厚さ2mmの2枚の鉛
板の端面同士を厚さ10μmのPETを介して貼り合わせ
て形成したスリットを被写体として用いて、X線を記録
層に照射した後、上記と同様にして読取りを行い、画像
信号を得た。この画像信号から変調伝達関数 (MTF)
を求めたところ、高解像度の画像であることが確認され
た。
Hereinafter, more specific examples will be described, but the present invention is not limited to these examples. In the following, “parts” means “parts by weight”. Example 1 Chromophtal Blue 4GN (β-type copper phthalocyanine) 1
Parts, 1.5 parts of m-cresol formaldehyde resin,
Liquid A was prepared by dispersing 1 part of polymethyl methacrylate resin, 0.5 part of vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer, and 15 parts of methyl ethyl ketone for 10 minutes using glass beads. Liquid B was prepared by mixing 1 part of zinc chloride double salt of p-diazo-N, N-dimethylaniline chloride, 1 part of methyl alcohol, and 6 parts of methyl ethyl ketone. The solution B was added to the solution A with stirring to prepare a coating solution, and a 100 μm-thick polyethylene terephthalate film (PET) was provided with a vapor deposition film of aluminum on one surface. After the coating solution is applied, the coating solution is uniformly exposed to ultraviolet light, and is heated for a short time to form uniform bubbles in the layer. The thickness of the support, the first conductive layer, and the layer is 250 μm. Was obtained. On the surface of the recording layer opposite to the first conductive layer, PET having an ITO deposited film is laminated so that the deposited film becomes an exposed surface to provide an insulating layer and a second conductive layer. A radiation image conversion panel was produced. The ITO vapor deposition film was formed in advance in the form of stripes at intervals of 150 μm by etching. This radiation image conversion panel is fixed to a reading unit of a reading optical system movable type, and the first conductive layer and the second
And a surface potential of the second conductive layer was set to -900 V. In this state, the tube voltage is 120k
The recording layer was uniformly irradiated with X-rays under the conditions of V, a tube current of 200 mA, an irradiation time of 0.1 second, and a distance from the radiation source of 150 cm. Next, irradiation is performed while scanning at a scanning speed of 25 m / s using semiconductor laser light having a wavelength of 780 nm as reading light. At this time, a current flowing between the first conductive layer and the second conductive layer is detected. This was converted to a digital voltage signal, and an electrostatic latent image was read. Note that the light amount of the semiconductor laser was sufficient to eliminate the charged charges on the recording layer 3. As a result, a signal having a good SN ratio was obtained. Next, the residual charge in the recording layer was erased, and X-rays were recorded using a slit formed by bonding the end faces of two lead plates having a thickness of 2 mm to each other via a PET having a thickness of 10 μm as a subject. After irradiating the layer, reading was performed in the same manner as above, and an image signal was obtained. From this image signal, the modulation transfer function (MTF)
Was found to be a high-resolution image.

【0035】実施例2 クロモフタルブルー4GN(β型銅フタロシアニン)1
部と、m−クレゾールホルムアルデヒド樹脂2部と、ポ
リメチルメタクリレート樹脂1部と、メチルエチルケト
ン15部とを、ガラスビーズにより10分間にわたり分散し
て分散液を調製した。この分散液を、厚さ 100μmのP
ETの片面にアルミニウムの蒸着膜を設けてなる東レ社
製のフィルムの当該蒸着膜上に塗布し、ブラッシング現
象が生ずるように乾燥し、当該層中に一様な気泡を形成
し、支持体と第1の導電層と厚さ 250μmの記録層とを
得た。この支持体と第1の導電層と記録層とを用いたほ
かは実施例1と同様にして放射線画像変換パネルを作製
した。この放射線画像変換パネルを用いて、実施例1と
同様にして読取りを行ったところ、SN比の良好なシグ
ナルが得られた。また、実施例1と同様にして変調伝達
関数 (MTF) を求めたところ、高解像度の画像である
ことが確認された。
Example 2 Chromophtal Blue 4GN (β-type copper phthalocyanine) 1
Parts, 2 parts of m-cresol formaldehyde resin, 1 part of polymethyl methacrylate resin, and 15 parts of methyl ethyl ketone were dispersed with glass beads for 10 minutes to prepare a dispersion. This dispersion is poured into a 100 μm thick P
ET is coated on the vapor-deposited film of a film made by Toray, which is provided with a vapor-deposited film of aluminum on one side, and dried so as to cause a brushing phenomenon. A first conductive layer and a recording layer having a thickness of 250 μm were obtained. A radiation image conversion panel was produced in the same manner as in Example 1 except that this support, the first conductive layer and the recording layer were used. When reading was performed using this radiation image conversion panel in the same manner as in Example 1, a signal having a good SN ratio was obtained. When the modulation transfer function (MTF) was determined in the same manner as in Example 1, it was confirmed that the image was a high-resolution image.

【0036】実施例3 実施例1と同様にしてA液およびB液を調製した。前記
B液を前記A液に撹拌しながら加えて塗布液を調製し、
厚さ 100μmのポリエチレンテレフタレートフィルム
(PET) の片面にアルミニウムの蒸着膜を設けてなる
東レ社製のフィルムの当該蒸着膜上に前記塗布液を塗布
した後、これを均一に紫外線を一様露光し、短時間加熱
して記録層中に一様な気泡を形成し、放射線画像変換パ
ネルを作製した。なお、記録層の層厚は 500μmであっ
た。この放射線画像変換パネルの導電層を接地し、記録
層の表面をコロナ帯電器により−600 Vに一様に帯電
し、その後、管電圧 120kV、管電流 200mA、照射時
間 0.1秒、放射線源との距離 150cmの条件で、Funkのチ
ャートを用いてX線をパターン状に照射した。次に、図
8に示すように、シリンドリカルレンズの中央に幅1mm
のITOからなる光導電体を設け、さらにこのITOの
表面に 780nmの光に対する反射防止膜を設けてなるシリ
ンドリカルレンズ系を上記記録層とのギャップが 200μ
mとなるように配置し、シリンドリカルレンズの中央か
ら波長 780nmのパルス半導体レーザー光 (デューティ:
50%, 発光時間1μs)を走査速度25m/sで走査しな
がら照射し、このときのシリンドリカルレンズ上のIT
Oの誘起電荷の変化を外部プリアンプを用いて検知する
ことにより静電潜像の読取りを行った。なお、半導体レ
ーザーの光量は帯電電荷を消失させるのに十分なものと
した。その結果、チャートに対応したパターン状のSN
比の良好なシグナルが得られた。
Example 3 A liquid A and a B liquid were prepared in the same manner as in Example 1. The solution B was added to the solution A while stirring to prepare a coating solution,
100 μm thick polyethylene terephthalate film
(PET) After coating the coating liquid on the vapor-deposited film of a film made by Toray having an aluminum vapor-deposited film provided on one surface of the film, the film is uniformly exposed to ultraviolet light, heated for a short time, and recorded. Uniform air bubbles were formed in the layer to produce a radiation image conversion panel. The thickness of the recording layer was 500 μm. The conductive layer of the radiation image conversion panel is grounded, and the surface of the recording layer is uniformly charged to -600 V by a corona charger. Thereafter, the tube voltage is 120 kV, the tube current is 200 mA, the irradiation time is 0.1 second, and the radiation source is connected. Under a condition of a distance of 150 cm, X-rays were irradiated in a pattern using a Funk chart. Next, as shown in FIG. 8, the center of the cylindrical lens is 1 mm wide.
A cylindrical lens system having a photoconductor made of ITO and an anti-reflection film for 780 nm light provided on the surface of the ITO has a gap with the recording layer of 200 μm.
m, and a pulsed semiconductor laser light with a wavelength of 780 nm from the center of the cylindrical lens (duty:
50%, emission time 1 μs) while scanning at a scanning speed of 25 m / s.
The electrostatic latent image was read by detecting a change in the induced charge of O using an external preamplifier. The light amount of the semiconductor laser was set to a value sufficient to eliminate the charged charges. As a result, the pattern SN corresponding to the chart
Good ratio signals were obtained.

【0037】実施例4 実施例2と同様にして分散液を調製した。この分散液
を、厚さ 100μmのPETの片面にアルミニウムの蒸着
膜を設けてなる東レ社製のフィルムの当該蒸着膜上に塗
布し、ブラッシング現象が生ずるように乾燥し、記録層
中に一様な気泡を形成し、放射線画像変換パネルを作製
した。なお、記録層の層厚は 500μmであった。この放
射線画像変換パネルを用いて、実施例3と同様にして、
帯電プロセス、放射線照射プロセス、読取りプロセスを
遂行したところ、チャートに対応したパターン状のSN
比の良好なシグナルが得られた。
Example 4 A dispersion was prepared in the same manner as in Example 2. This dispersion is applied to a film of Toray made by depositing an aluminum film on one side of a PET film having a thickness of 100 μm, and then dried so as to cause a brushing phenomenon. Air bubbles were formed to produce a radiation image conversion panel. The thickness of the recording layer was 500 μm. Using this radiation image conversion panel, as in Example 3,
After performing the charging process, radiation irradiation process, and reading process, the pattern SN corresponding to the chart
Good ratio signals were obtained.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、高感度に放射線画像を記録することができ、しか
も放射線画像形成特性と光読取特性を別個独立に調整す
ることが可能であって、イオンの拡散による潜像のボケ
の生じない放射線画像変換パネルを提供することができ
る。また、上記パネルを用いて放射線画像を高精度で読
取ってデジタル化することが可能な放射線画像記録読取
方法を提供することができる。
As described above in detail, according to the present invention, a radiation image can be recorded with high sensitivity, and the radiation image forming characteristic and the optical reading characteristic can be adjusted independently. Thus, a radiation image conversion panel free from blurring of a latent image due to ion diffusion can be provided. Further, it is possible to provide a radiation image recording / reading method capable of reading a radiation image with high precision using the panel and digitizing the radiation image.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の態様における帯電プロセスの説
明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a charging process according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の態様における放射線照射プロセ
スの説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a radiation irradiation process according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の態様における読取りプロセスの
説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a reading process according to the first embodiment of the present invention.

【図4】放射線画像変換パネルの他の構成例を示す説明
図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing another configuration example of the radiation image conversion panel.

【図5】放射線画像変換パネルのさらに他の構成例を示
す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing still another configuration example of the radiation image conversion panel.

【図6】本発明の第2の態様における帯電プロセスの説
明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram of a charging process according to a second embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第2の態様における放射線照射プロセ
スの説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram of a radiation irradiation process according to the second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第2の態様における読取りプロセスの
一例の説明図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a reading process according to the second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第2の態様における読取りプロセスの
他の例の説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram of another example of the reading process according to the second aspect of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 放射線画像変換パネル 2 第1の導電層 3 記録層 4 絶縁層 5 第2の導電層 6 支持体 7 電源 8 検出系 9 導電層 10 コロナ帯電器 11 導電体 12 反射防止膜 13 シリンドリカルレンズ Reference Signs List 1 radiation image conversion panel 2 first conductive layer 3 recording layer 4 insulating layer 5 second conductive layer 6 support 7 power supply 8 detection system 9 conductive layer 10 corona charger 11 conductor 12 antireflection film 13 cylindrical lens

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−199351(JP,A) 特開 昭58−184878(JP,A) 特開 昭58−199351(JP,A) 特開 平3−25486(JP,A) 特開 昭63−249100(JP,A) 特開 平1−131500(JP,A) 特開 平3−123899(JP,A) 特開 昭61−142497(JP,A) 特開 昭47−10526(JP,A) 特開 昭60−211448(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G21K 4/00 G03B 42/02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-58-199351 (JP, A) JP-A-58-1884878 (JP, A) JP-A-58-199351 (JP, A) 25486 (JP, A) JP-A-63-249100 (JP, A) JP-A-1-131500 (JP, A) JP-A-3-123899 (JP, A) JP-A-61-142497 (JP, A) JP-A-47-10526 (JP, A) JP-A-60-211448 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G21K 4/00 G03B 42/02

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 第1の導電層上に、光導電体で区分けさ
れた多数の気泡または気孔を含有する記録層が形成さ
れ、この記録層上に絶縁層が形成され、この絶縁層上に
第2の導電層が形成されてなり、第1の導電層および第2の導電層の少なくとも一方が、
前記記録層の気泡または気孔内のガスをイオン化する放
射線および読取光を透過するものである ことを特徴とす
る放射線画像変換パネル。
1. A recording layer containing a large number of bubbles or pores separated by a photoconductor is formed on a first conductive layer, an insulating layer is formed on the recording layer, and an insulating layer is formed on the recording layer. A second conductive layer is formed, and at least one of the first conductive layer and the second conductive layer is
A discharge for ionizing gas in bubbles or pores of the recording layer.
A radiation image conversion panel that transmits radiation and reading light .
【請求項2】 請求項1に記載の放射線画像変換パネル
の表面に電圧を印加して帯電し、その記録層に画像情報
に従ったパターン状に放射線を照射して当該記録層の気
泡または気孔内のガスをイオン化することにより、当該
放射線強度に応じて当該記録層の表面の帯電電荷を像状
に消失させて静電潜像を形成した後、当該記録層に読取
光を照射して電荷の変化を検知することにより当該静電
潜像を読取ることを特徴とする放射線画像記録読取方
法。
2. The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the surface is charged by applying a voltage to the radiation image conversion panel, and the recording layer has image information.
By irradiating radiation in a pattern according to the above to ionize the gas in the bubbles or pores of the recording layer, the charged charges on the surface of the recording layer are erased in an image-like manner in accordance with the intensity of the radiation, and the electrostatic charge is removed. A radiographic image recording and reading method, comprising: forming a latent image, irradiating the recording layer with reading light, and detecting a change in charge to read the electrostatic latent image.
【請求項3】 導電層上に形成された、光導電体で区分
けされた多数の気泡または気孔を含有する記録層の表面
を一様に帯電し、当該記録層に画像情報に従ったパター
ン状に放射線を照射して前記記録層の気泡または気孔内
のガスをイオン化することにより、当該放射線強度に応
じて当該記録層の表面の帯電電荷を像状に消失させて静
電潜像を形成した後、当該記録層に読取光を照射し、当
該記録層の上に配置した導電体の電荷変化を検知するこ
とにより当該静電潜像を読取ることを特徴とする放射線
画像記録読取方法。
3. A surface of a recording layer formed on a conductive layer and containing a large number of bubbles or pores separated by a photoconductor is uniformly charged, and a pattern according to image information is formed on the recording layer. By irradiating radiation in the form of ions to ionize the gas in the air bubbles or pores of the recording layer, the charged charges on the surface of the recording layer are erased in an image-like manner in accordance with the intensity of the radiation, thereby forming an electrostatic image. Forming a latent image on the recording layer, irradiating the recording layer with reading light, and detecting a change in electric charge of a conductor disposed on the recording layer to read the electrostatic latent image; Reading method.
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