JP3224203B2 - Optical module - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光加入者系システ
ムに用いられる双方向光送受信機能を有する光モジュー
ルに関する。なお、光加入者系システムでは、低コスト
の光モジュールの開発が不可欠になっている。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical module having a bidirectional optical transmission / reception function used in an optical subscriber system. In the optical subscriber system, development of a low-cost optical module is indispensable.
【0002】[0002]
【従来の技術】図12は、WDM送受信モジュールのブ
ロック構成を示す。この光モジュールは、 1.3/1.55μ
m光信号を合分波するWDM回路と、 1.3μm光信号を
送受信する双方向光送受信回路とにより構成される。こ
のような光モジュールの低コスト化を図るためには、石
英系光導波路基板上に半導体レーザや受光素子等の光機
能素子を直接搭載するハイブリッド集積型光モジュール
が有効である。2. Description of the Related Art FIG. 12 shows a block diagram of a WDM transmitting / receiving module. This optical module is 1.3 / 1.55μ
It comprises a WDM circuit for multiplexing / demultiplexing m optical signals and a bidirectional optical transmitting / receiving circuit for transmitting / receiving 1.3 μm optical signals. In order to reduce the cost of such an optical module, it is effective to use a hybrid integrated optical module in which an optical functional element such as a semiconductor laser or a light receiving element is directly mounted on a quartz optical waveguide substrate.
【0003】図13は、従来のハイブリッド集積型光モ
ジュールの構成例を示す(山田他,「PLCプラットフ
ォームを用いたフィルタ反射型WDM送受信光回路(SC
-2-5)」、1996年電子情報通信学会春季大会予稿集、p
p.439-440) 。このハイブリッド集積型光モジュール
は、機能的に 1.3/1.55μm光信号を合分波するWDM
回路と、 1.3μm光信号を送受信する双方向光送受信回
路に分けられる。FIG. 13 shows an example of the configuration of a conventional hybrid integrated optical module (Yamada et al., “Filter-Reflection WDM Transmit / Receive Optical Circuit (SC) Using PLC Platform”).
-2-5), Proceedings of the 1996 IEICE Spring Conference, p.
p.439-440). This hybrid integrated optical module is a WDM that multiplexes and demultiplexes 1.3 / 1.55 μm optical signals.
Circuit and a bidirectional optical transmitting and receiving circuit for transmitting and receiving 1.3 μm optical signals.
【0004】段差を設けたシリコン基板1上に石英系光
導波路2が形成されたものをプラットフォームと称す
る。このプラットフォームのシリコン基板凹部上には、
WDM回路として石英系光導波路2のフィルタ挿入溝1
4中に挿入した干渉膜フィルタ15と、双方向光送受信
回路の一部として 1.3μm光信号に対するY分岐回路1
02が形成される。その結果、 1.3/1.55μm光信号共
通の入出力用光ファイバ4aと1.55μm光信号の出力用
光ファイバ4bは、ともにプラットフォームの同一端面
に、光ファイバブロック5を介して接続することができ
る。A quartz optical waveguide 2 formed on a silicon substrate 1 having a step is referred to as a platform. On the silicon substrate recess of this platform,
Filter insertion groove 1 of quartz optical waveguide 2 as WDM circuit
And a Y-branch circuit 1 for a 1.3 μm optical signal as a part of a bidirectional optical transmitting and receiving circuit.
02 is formed. As a result, the input / output optical fiber 4a common to 1.3 / 1.55 μm optical signals and the output optical fiber 4b for 1.55 μm optical signals can both be connected to the same end face of the platform via the optical fiber block 5.
【0005】さらに、本光モジュールの特徴は、Y分岐
回路102の入力導波路および出力導波路の端部近傍の
シリコンテラス(シリコン基板凸部)6上に、送信波長
1.3μmの半導体レーザ(LD)31と、モニタ用受光
素子(M−PD)32と、受信波長 1.3μmの受信用受
光素子(R−PD)33を直接搭載したところにある。
このような構成により、本光モジュールを構成する部品
点数を大幅に削減することができた。Further, the feature of the present optical module is that the transmission wavelength is set on the silicon terrace (silicon substrate convex portion) 6 near the end of the input waveguide and the output waveguide of the Y branch circuit 102.
A 1.3 μm semiconductor laser (LD) 31, a monitoring light receiving element (M-PD) 32, and a 1.3 μm receiving light receiving element (R-PD) 33 are directly mounted.
With such a configuration, the number of components constituting the optical module can be significantly reduced.
【0006】ここで、段差を設けたシリコン基板1を用
いた理由について図14を参照して説明する。シリコン
テラス6は、LDおよびPDの高さ基準面およびヒート
シンクとして機能させる。このために、光機能素子(L
D31,M−PD32,R−PD33)3は、活性層3
aを下向きにした「ジャンクションダウン」の形態で半
田接合部40を介してシリコンテラス6上に搭載され
る。このとき、光導波路コア2bの中心が光機能素子3
の活性層3aの高さと一致するように設定される。Here, the reason for using the silicon substrate 1 having a step will be described with reference to FIG. The silicon terrace 6 functions as a height reference plane for the LD and PD and a heat sink. For this purpose, the optical function element (L
D31, M-PD32, R-PD33) 3 are the active layers 3
It is mounted on the silicon terrace 6 via the solder joint 40 in the form of “junction down” with “a” facing downward. At this time, the center of the optical waveguide core 2b is
Is set to match the height of the active layer 3a.
【0007】シリコンテラス6の表面から光導波路コア
2bの中心までの高さは、標準的には10〜12μm程度で
ある。したがって、コア層の厚さを8μmとすれば、シ
リコンテラス6の表面において下部クラッド層2cの厚
さは高々6〜8μm程度にしかならない。一方、シリコ
ン基板1上に形成した光導波路は、一般に下部クラッド
層の厚さが薄いと、シリコン基板の影響が現れて伝搬損
失が大きくなる。したがって、高品質な光導波路を実現
するためには、十分な厚さの下部クラッド層が必要にな
る。そこで、従来のハイブリッド集積型光モジュールの
プラットフォームでは、光導波路となる部分のシリコン
基板を凹状に掘り下げて、十分な厚さの下部クラッド層
が形成されるようにしていた。The height from the surface of the silicon terrace 6 to the center of the optical waveguide core 2b is typically about 10 to 12 μm. Therefore, if the thickness of the core layer is 8 μm, the thickness of the lower cladding layer 2 c on the surface of the silicon terrace 6 is only about 6 to 8 μm at most. On the other hand, in the optical waveguide formed on the silicon substrate 1, when the thickness of the lower clad layer is small, the influence of the silicon substrate appears and the propagation loss increases. Therefore, in order to realize a high-quality optical waveguide, a lower clad layer having a sufficient thickness is required. Therefore, in the platform of the conventional hybrid integrated optical module, the silicon substrate in the portion to be the optical waveguide is dug down in a concave shape so that the lower clad layer having a sufficient thickness is formed.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】図13に示す従来の光
モジュールでは、段差を設けたシリコン基板上に石英系
光導波路を形成したプラットフォームを用いることによ
り、部品点数の大幅な削減と組立工程の簡略化ができ、
コストを大幅に低減することができる。しかし、光加入
者系システムをより安価に構築するためには、光モジュ
ールのコストを可能な限り低減させる必要がある。この
観点に立つと、図13に示す従来の光モジュールでも、
さらにコスト低減の余地が残されている。このために
は、以下の課題を解決する必要がある。The conventional optical module shown in FIG. 13 uses a platform in which a silica-based optical waveguide is formed on a silicon substrate having a step to greatly reduce the number of parts and reduce the number of assembly steps. Can be simplified,
The cost can be significantly reduced. However, in order to construct an optical subscriber system at lower cost, it is necessary to reduce the cost of the optical module as much as possible. From this viewpoint, the conventional optical module shown in FIG.
There is still room for cost reduction. For this purpose, it is necessary to solve the following problems.
【0009】第1は、段差を設けたシリコン基板を用い
たプラットフォームは、通常の平板シリコン基板を用い
たものと比べると、若干のコスト高になることは否めな
い。したがって、平板シリコン基板を用いて、かつ光機
能素子の直接搭載を可能とするモジュール構成が望まれ
る。第2は、従来の光モジュールでは、同一基板上に光
機能素子搭載部とフィルタ搭載部が設けられているた
め、熱処理温度を考慮した工程設計や材料選定が必要に
なる。図15は、従来の光モジュールの製作工程を示
す。(1),(2a),(3a) は、処理温度の高いものから順に実
装する場合の工程である。すなわち、基板上にフィルタ
挿入溝14を形成した後((1) フィルタ溝形成工程) 、
光機能素子(31〜33)を搭載し((2a)光機能素子搭
載工程) 、最後に干渉膜フィルタ15を挿入固定する
((3a)フィルタ挿入工程) 。このようにすれば、光機能
素搭載時の高温がフィルタおよびフィルタ固定用接着剤
に加わらないので、これらの材料への耐熱性の要求が緩
和される。しかし、フィルタ溝形成工程とフィルタ挿入
工程とが連続していないので、フィルタ挿入溝14への
ゴミ付着等の可能性が高くなる。したがって、実装工程
中のゴミ発生防止に十分な注意を要する。First, the cost of a platform using a silicon substrate having a step is slightly higher than that of a platform using a normal flat silicon substrate. Therefore, a module configuration using a flat silicon substrate and capable of directly mounting an optical functional element is desired. Second, in the conventional optical module, since the optical functional element mounting portion and the filter mounting portion are provided on the same substrate, it is necessary to design a process and select a material in consideration of a heat treatment temperature. FIG. 15 shows a manufacturing process of a conventional optical module. (1), (2a), and (3a) are steps in the case of mounting in ascending order of processing temperature. That is, after forming the filter insertion groove 14 on the substrate ((1) filter groove forming step),
The optical functional elements (31 to 33) are mounted ((2a) optical functional element mounting step), and finally, the interference film filter 15 is inserted and fixed ((3a) filter inserting step). In this case, the high temperature at the time of mounting the optical functional element is not applied to the filter and the adhesive for fixing the filter, so that the requirement for heat resistance of these materials is eased. However, since the filter groove forming step and the filter inserting step are not continuous, there is a high possibility that dust adheres to the filter inserting groove 14. Therefore, sufficient care must be taken to prevent the generation of dust during the mounting process.
【0010】(1),(2b),(3b) の工程は、干渉膜フィルタ
15を挿入固定した後((2b)フィルタ挿入工程)、光機
能素子(31〜33)を搭載する((3b)光機能素子搭載
工程) 。この場合には、フィルタおよびフィルタ固定用
接着剤が高温にさらされることになるので、これらの材
料選定にあたっては十分な耐熱性のあるものを選ぶ必要
がある。In the steps (1), (2b), and (3b), after the interference film filter 15 is inserted and fixed ((2b) filter insertion step), the optical functional elements (31 to 33) are mounted ((3b) ) Optical functional element mounting process). In this case, the filter and the adhesive for fixing the filter are exposed to a high temperature. Therefore, when selecting these materials, it is necessary to select a material having sufficient heat resistance.
【0011】第3は、図13に示す従来の光モジュール
は、光ファイバがプラットフォーム端部に接続固定され
た、いわゆるピッグテイル型であるので、光ファイバの
取扱いに注意を要し、また光モジュールを電気配線ボー
ドに実装する工程の自動化が難しかった。このため、光
モジュールに接続する光ファイバを着脱可能な構成、す
なわちレセプタクル型が望まれている。ところで、ピッ
グテイル型モジュールでは、光ファイバと光導波路との
光軸を調芯した後に光ファイバが接続固定されるので、
接続損失は約 0.1dBというほぼ理想的な値にまで低減で
きる。しかし、レセプタクル型ではある程度の接続損失
は避けられず、現状では 0.5〜1dB程度の接続損失が発
生してしまう。このような接続損失は、1.55μm光信号
に対しては許容しがたい高い値である。一般的に、LD
やPDのような能動光素子を含まず、光ファイバ−石英
系光導波路−光ファイバの系で構成される受動光回路で
は、ファイバ接続損失は 0.1dB程度に抑える必要があ
る。Third, since the conventional optical module shown in FIG. 13 is a so-called pigtail type in which the optical fiber is connected and fixed to the end of the platform, care must be taken in handling the optical fiber. It was difficult to automate the process of mounting on an electric wiring board. For this reason, a configuration in which an optical fiber connected to an optical module is detachable, that is, a receptacle type is desired. By the way, in the pigtail type module, the optical fiber is connected and fixed after the optical axis of the optical fiber and the optical waveguide are aligned.
The connection loss can be reduced to almost the ideal value of about 0.1 dB. However, in the case of the receptacle type, a certain amount of connection loss is inevitable, and at present, a connection loss of about 0.5 to 1 dB occurs. Such a connection loss is an unacceptably high value for a 1.55 μm optical signal. Generally, LD
In a passive optical circuit that does not include an active optical element such as an optical fiber or a PD and is composed of an optical fiber-silica optical waveguide-optical fiber system, the fiber connection loss needs to be suppressed to about 0.1 dB.
【0012】本発明は、ハイブリッド集積型光モジュー
ルにおいてコスト低減のために平板シリコン基板を用い
ることができ、さらにレセプタクル型構成でありながら
受動光回路部の低損失化を実現できる光モジュールを提
供することを目的とする。The present invention provides an optical module in which a flat silicon substrate can be used for cost reduction in a hybrid integrated optical module and the passive optical circuit section can be reduced in loss while having a receptacle type configuration. The purpose is to:
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】請求項1の光モジュール
は、第1の基板上に形成された光導波回路と、この光導
波回路と光結合を保ちつつ第1の基板上に半田を介して
搭載された動作波長1.3μm帯の光機能素子とからな
るハイブリッド光回路と、第2の基板上に形成され、
1.3μm帯と1.55μm帯の光信号を合分波する光
導波回路からなる受動光回路とを備え、前記ハイブリッ
ド光回路と前記受動光回路は、前記ハイブリッド光回路
の光導波路構造を、前記光機能素子の活性層の中心から
素子表面までの高さに半田接合部の厚さを加えた程度の
薄い下部クラッド層を有するものとし、かつコアとクラ
ッドの比屈折率差及びコア寸法を前記受動光回路よりも
スポットサイズが小さくなるものとすることで、光導波
路構造とパラメータがそれぞれの回路に要求される特性
に設定され、前記受動光回路の光導波回路は、一方の端
面で前記ハイブリッド光回路の光導波回路と着脱可能な
状態で直接接続され、他方の端面で光ファイバと固定剤
により固定接続される構成である。According to a first aspect of the present invention, there is provided an optical module comprising: an optical waveguide formed on a first substrate; and an optical waveguide formed on the first substrate while maintaining optical coupling with the optical waveguide. A hybrid optical circuit including an optical functional element having an operating wavelength of 1.3 μm mounted thereon, and a hybrid optical circuit formed on a second substrate;
And a passive optical circuit made of a light waveguide circuit the optical signal to demultiplexing of 1.3μm band and 1.55μm band, said hybrid <br/> mode optical circuit and the passive optical circuit, the hybrid optical circuit
From the center of the active layer of the optical functional device
The height of the solder joint is added to the height to the element surface.
Shall have a thin lower cladding layer,
Relative refractive index difference and core size of the passive optical circuit
With that the spot size is reduced, is set to a characteristic optical waveguide structure and parameters are required for each of the circuits, the optical waveguide circuit of the passive optical circuit, the optical waveguide of the hybrid optical circuit at one end face In this configuration, it is directly connected to the circuit in a detachable state, and is fixedly connected to the optical fiber with a fixing agent at the other end surface.
【0014】これにより、光機能素子を搭載するために
高温の半田処理を必要とするハイブリッド光回路と、高
分子材料のフィルタ素子を含む場合には耐熱性が比較的
弱い受動光回路とを別基板構成として製造し、熱処理を
影響を遮断することができる。 さらに、ハイブリッド光
回路と受動光回路とを別基板とすることにより、それぞ
れの光導波路構造とパラメータを最適に選んで製作する
ことができる。例えば、ハイブリッド光回路は、光機能
素子との結合損失低減を優先し、比屈折率差0.75%、コ
ア寸法6μm角の石英系光導波路で構成し、受動光回路
は、光導波回路の損失低減を優先し、比屈折率差 0.3
%、コア寸法8μm角の石英系光導波路で構成し、この
両者の組み合わせにより光モジュールを実現することが
できる。With this, in order to mount the optical function element,
Hybrid optical circuits that require high temperature soldering
When a molecular filter element is included, the heat resistance is relatively high.
A weak passive optical circuit is manufactured as a separate substrate configuration, and heat treatment is performed.
The effect can be cut off. Further, by using the hybrid optical circuit and the passive optical circuit as separate substrates, the respective optical waveguide structures and parameters can be optimally selected and manufactured. For example, the hybrid optical circuit has a priority on reducing the coupling loss with the optical functional element, and is composed of a silica-based optical waveguide with a relative refractive index difference of 0.75% and a core size of 6 μm square. The passive optical circuit has a reduction in the loss of the optical waveguide circuit. Priority, relative refractive index difference 0.3
%, And a quartz optical waveguide having a core size of 8 μm square, and an optical module can be realized by a combination of both.
【0015】さらに、下部クラッド層の厚さを薄く設定
したので、基板上に光機能素子をジャンクションダウン
の状態で搭載し、光導波回路との位置合わせを実現する
ことができる。ただし、このような薄い下部クラッド層
を用いた場合には、1.55μm光信号に対して顕著な
伝搬損失増加が見られるとともに、 1.3μm光信号
に対しても若干の伝搬損失が発生する。しかし、ハイブ
リッド光回路の光導波路に対する許容伝搬損失が、受動
光回路に対して求められる伝搬損失よりも若干大きいこ
とを考慮すれば、ハイブリッド光回路の光導波回路の長
さを必要最小限に設定することにより、この光導波路の
損失の影響を最小限に抑えることができる。一方、高品
質な光導波特性が要求される受動光回路は、ハイブリッ
ド光回路と分離されており、十分な下部クラッド層厚を
有する光導波路を用いて形成することができる。 Further, the thickness of the lower cladding layer is set to be thin.
So the optical function element is junction-down on the board
To achieve alignment with the optical waveguide circuit
be able to. However, such a thin lower cladding layer
Is remarkable for a 1.55 μm optical signal.
1.3 μm optical signal with increased propagation loss
, A slight propagation loss occurs. But hive
The allowable propagation loss for the optical waveguide of the lid optical circuit is
Be slightly larger than the propagation loss required for optical circuits.
Considering the above, the length of the optical waveguide circuit of the hybrid optical circuit
By setting the height to the minimum necessary, this optical waveguide
The effect of loss can be minimized. On the other hand, high quality
Passive optical circuits that require high quality optical waveguide characteristics are hybrid
Separated from the optical circuit.
It can be formed using an optical waveguide having the same.
【0016】さらに本発明の光モジュールは、動作波長
1.3μm帯の光機能素子を搭載し、受動光回路に
は、 1.3μm帯と1.55μm帯の両方の波長帯で
動作する光導波回路を形成する。これにより、1.55
μm帯での動作が必要な受動光回路は、十分な厚さの下
部クラッド層を有する光導波路を用いることができる。
一方、 1.3μm帯でのみ動作すればよいハイブリッ
ド光回路は、基板上に形成した薄い下部クラッド層を用
いることができる。このため、ハイブリッド光回路の光
導波路は薄い下部クラッド層上に形成したにもかかわら
ず、伝搬損失増加の影響をほとんど無視することができ
る。したがって、高性能かつ低コストな光モジュールを
製作することができる。 Further, the optical module of the present invention has an operating wavelength
Equipped with 1.3μm band optical function element, and used for passive optical circuit
In both the 1.3 μm and 1.55 μm wavelength bands
An operating optical waveguide circuit is formed. This gives 1.55
Passive optical circuits that need to operate in the μm band
An optical waveguide having a partial cladding layer can be used.
On the other hand, a hybrid that only needs to operate in the 1.3 μm band
The optical circuit uses a thin lower cladding layer formed on the substrate.
Can be. For this reason, the hybrid optical circuit
Despite waveguide formed on thin lower cladding layer
And the effect of increased propagation loss can be almost ignored.
You. Therefore, a high-performance and low-cost optical module
Can be manufactured.
【0017】請求項2の光モジュールのハイブリッド光
回路は、平坦なシリコン基板上に形成した下部クラッド
層の厚さが5〜10μmである石英系光導波路と、この
石英系光導波路と光結合を保ちつつシリコン基板上に直
接搭載した光機能素子で構成される。また、受動光回路
は、平坦なシリコン基板上に形成した下部クラッド層の
厚さが15μm以上である石英系光導波路を用いて構成
される。 The hybrid light of the optical module according to claim 2
The circuit is a lower clad formed on a flat silicon substrate
A silica-based optical waveguide having a layer thickness of 5 to 10 μm;
Directly on a silicon substrate while maintaining optical coupling with a silica-based optical waveguide
It is composed of optical function elements mounted in close contact. Also, passive optical circuits
Is the lower cladding layer formed on a flat silicon substrate.
Constructed using a silica-based optical waveguide with a thickness of 15 μm or more
Is done.
【0018】したがって、本発明の構成によれば、平坦
シリコン基板上の石英系光導波路を用いて低コストなハ
イブリッド構成の光モジュールを実現することができ
る。 Therefore, according to the structure of the present invention, the flat
Using a quartz optical waveguide on a silicon substrate
An optical module with an hybrid configuration can be realized.
You.
【0019】さらに、本発明の光モジュールは、ハイブ
リッド光回路と受動光回路とを別基板とすることによ
り、受動光回路とハイブリッド光回路との直接接続部を
着脱可能としながら、受動光回路と光ファイバとは固定
剤による固定接続により接続損失を最小化することがで
きる。すなわち、接続損失を極限まで低減する必要があ
る受動光回路では、光ファイバと光導波路とを調芯の後
に接着剤等により固定することにより、超低損失で光フ
ァイバとの接続が可能になる。一方、ハイブリッド光回
路では、接続損失の許容度が比較的大きいので、受動光
回路との接続を着脱可能にしても問題は生じない。 Further, the optical module according to the present invention is a
By using a separate board for the lid optical circuit and the passive optical circuit,
The direct connection between the passive optical circuit and the hybrid optical circuit.
Passive optical circuit and optical fiber fixed while detachable
Connection loss can be minimized by the fixed connection with the agent.
Wear. That is, in a passive optical circuit in which connection loss needs to be reduced to the limit, the optical fiber and the optical waveguide can be connected to the optical fiber with ultra-low loss by fixing the optical fiber and the optical waveguide with an adhesive or the like after alignment. . On the other hand, in the hybrid optical circuit, since the tolerance of the connection loss is relatively large, there is no problem even if the connection with the passive optical circuit is detachable.
【0020】このような構成により、電気配線ボードへ
の光モジュールの実装工程において、このボードへの電
気的接続を行うハイブリッド光回路は、ファイバピッグ
テイルが付いていない状態で取り扱うことができるの
で、この工程の自動化が可能になる。ファイバピッグテ
イル付きの受動光回路は、ハイブリッド光回路をボード
へ実装した後にハイブリッド光回路に取り付けることに
より光モジュールを構成することができる。したがっ
て、この構成は、レセプタクル型構成でありながら、受
動光回路の低損失化を実現することができる。With this configuration, in the process of mounting the optical module on the electric wiring board, the hybrid optical circuit for making an electrical connection to the board can be handled without the fiber pigtail. This process can be automated. The passive optical circuit with the fiber pigtail can constitute an optical module by mounting the hybrid optical circuit on a board and then attaching the hybrid optical circuit to the hybrid optical circuit. Therefore, this configuration can realize low loss of the passive optical circuit while being a receptacle type configuration.
【0021】[0021]
(第1の実施形態)図1は、本発明の光モジュールの第
1の実施形態を示す。本実施形態の光モジュールは、受
動光回路10と、ハイブリッド光回路20と、光ファイ
バブロック5の3つのパーツからなり、それらが合体し
た構成になっている。(First Embodiment) FIG. 1 shows a first embodiment of the optical module of the present invention. The optical module of the present embodiment is composed of three parts, a passive optical circuit 10, a hybrid optical circuit 20, and an optical fiber block 5, and has a configuration in which they are combined.
【0022】受動光回路10は、シリコン基板1上の石
英系光導波路2を用いて形成される1.3/1.55μm入出
力導波路11と、1.55μm出力導波路12と、 1.3μm
入出力導波路13と、石英系光導波路2のフィルタ挿入
溝14に挿入された干渉膜フィルタ15とにより構成さ
れ、 1.3/1.55μm光信号を合分波するWDM回路とし
て機能する。ハイブリッド光回路20は、シリコン基板
1上の石英系光導波路2を用いてY分岐回路を形成する
1.3μm入出力導波路21と、同一基板上に搭載した送
信波長 1.3μmの半導体レーザ(LD)31と、モニタ
用フォトダイオード(M−PD)32と、受信波長 1.3
μmの受信用フォトダイオード(R−PD)33とによ
り構成され、双方向光送受信回路として機能する。The passive optical circuit 10 includes a 1.3 / 1.55 μm input / output waveguide 11, a 1.55 μm output waveguide 12, and a 1.3 / 1.5 μm output waveguide 12, which are formed using a quartz optical waveguide 2 on a silicon substrate 1.
The input / output waveguide 13 and the interference film filter 15 inserted in the filter insertion groove 14 of the silica-based optical waveguide 2 function as a WDM circuit for multiplexing and demultiplexing 1.3 / 1.55 μm optical signals. The hybrid optical circuit 20 forms a Y-branch circuit using the quartz-based optical waveguide 2 on the silicon substrate 1.
1.3 μm input / output waveguide 21, semiconductor laser (LD) 31 having a transmission wavelength of 1.3 μm mounted on the same substrate, monitoring photodiode (M-PD) 32, and reception wavelength 1.3
A receiving photodiode (R-PD) 33 of μm functions as a bidirectional optical transmitting / receiving circuit.
【0023】受動光回路10およびハイブリッド光回路
20は、 1.3μm入出力導波路13と 1.3μm入出力導
波路21が光結合を保ちつつ両端部が直接接続される。
受動光回路10の他方の端部には、光ファイバブロック
5を介して 1.3/1.55μm光信号共通の入出力用光ファ
イバ4aと1.55μm光信号の出力用光ファイバ4bが固
定接続される。このような構成により、全体として双方
向WDM送受信回路として機能する。Both ends of the passive optical circuit 10 and the hybrid optical circuit 20 are directly connected while the 1.3 μm input / output waveguide 13 and the 1.3 μm input / output waveguide 21 maintain optical coupling.
The other end of the passive optical circuit 10 is fixedly connected via an optical fiber block 5 to an input / output optical fiber 4a common to 1.3 / 1.55 μm optical signals and an optical fiber 4b for outputting 1.55 μm optical signals. With such a configuration, the whole functions as a bidirectional WDM transmission / reception circuit.
【0024】本実施形態の光モジュールは、受動光回路
10とハイブリッド光回路20をそれぞれ異なる基板上
に形成し、その後に互いを接続する構成になっているの
で、それぞれ異なる光導波路パラメータを採用すること
ができる。上述のように、受動光回路10ではファイバ
接続損失および光回路損失を極限まで低減する必要があ
るので、コアとクラッドの比屈折率差 0.3%、コア寸法
8×8μmの光導波路を用いた。このようにすると、光
ファイバと光導波路との接続損失を1点あたり 0.1dB以
下にまで低減できるとともに、光導波路の伝搬損失を0.
05dB/cm程度に低減できる。その結果、1.55μm光信号
に対する光モジュールの挿入損失を 0.8dB以下にまで低
減することができる。The optical module of this embodiment has a configuration in which the passive optical circuit 10 and the hybrid optical circuit 20 are formed on different substrates, respectively, and thereafter are connected to each other. Therefore, different optical waveguide parameters are employed. be able to. As described above, in the passive optical circuit 10, since it is necessary to reduce the fiber connection loss and the optical circuit loss to the minimum, an optical waveguide having a relative refractive index difference of 0.3% between the core and the clad and a core size of 8 × 8 μm was used. By doing so, the connection loss between the optical fiber and the optical waveguide can be reduced to 0.1 dB or less per point, and the propagation loss of the optical waveguide can be reduced to 0.
It can be reduced to about 05dB / cm. As a result, the insertion loss of the optical module for a 1.55 μm optical signal can be reduced to 0.8 dB or less.
【0025】一方、ハイブリッド光回路20では、光機
能素子と光導波路との結合損失を低減することが最優先
される。そのためには、光導波路のスポットサイズを受
動光回路10のものより小さくする必要があるので、比
屈折率差0.75%、コア寸法6×6μmの光導波路を用い
た。また、LD31として、光出力部にスポット拡大部
を設けたスポットサイズ変換レーザ(SS−LD)を用
いた。その結果、光導波路とLD31との光結合損失は
3dBにまで低減することができた。On the other hand, in the hybrid optical circuit 20, reducing the coupling loss between the optical functional element and the optical waveguide is given top priority. For this purpose, the spot size of the optical waveguide needs to be smaller than that of the passive optical circuit 10. Therefore, an optical waveguide having a relative refractive index difference of 0.75% and a core size of 6 × 6 μm was used. Further, as the LD 31, a spot size conversion laser (SS-LD) provided with a spot magnifying section in the light output section was used. As a result, the optical coupling loss between the optical waveguide and the LD 31 could be reduced to 3 dB.
【0026】このように、本発明の光モジュールの第1
の効果は、受動光回路10とハイブリッド光回路20を
それぞれ最適なパラメータを有する光導波路を用いて実
現できることである。なお、この効果は、ハイブリッド
光回路20の基板(プラットフォーム)として、従来技
術で説明した段差付きシリコン基板上に形成した石英系
光導波路を用いた場合でも、十分に発揮することができ
る。As described above, the first embodiment of the optical module of the present invention
Is that the passive optical circuit 10 and the hybrid optical circuit 20 can be realized using optical waveguides having optimal parameters. Note that this effect can be sufficiently exerted even when the quartz optical waveguide formed on the stepped silicon substrate described in the related art is used as the substrate (platform) of the hybrid optical circuit 20.
【0027】さらに、本実施形態の受動光回路10のよ
うに、干渉膜フィルタ15やその固定剤等に高分子材料
が用いられる場合には、光モジュールの製作工程におけ
る熱処理温度の問題を容易に解決することができる。こ
こで、本実施形態の光モジュールの製作工程について図
2を参照して説明する。本実施形態では、光モジュール
を受動光回路10とハイブリッド光回路20に分割した
ので、両者をそれぞれ別の工程で製作することができ
る。受動光回路10は、シリコン基板1上の石英系光導
波路2にフィルタ挿入溝14を形成した後に((1a)フィ
ルタ溝形成工程)、このフィルタ挿入溝14中に干渉膜
フィルタ15を挿入し、接着剤により固定する((1b)フ
ィルタ挿入工程)。また、シリコン基板1の両端部にガ
ラス板8を接着し、8°の斜め端面になるように研磨す
る。図では、端面を斜めにしていないが、垂直方向また
は水平方向のいずれかが斜めになるように形成する。Further, when a polymer material is used for the interference film filter 15 and its fixing agent as in the passive optical circuit 10 of the present embodiment, the problem of the heat treatment temperature in the manufacturing process of the optical module can be easily reduced. Can be solved. Here, a manufacturing process of the optical module of the present embodiment will be described with reference to FIG. In the present embodiment, since the optical module is divided into the passive optical circuit 10 and the hybrid optical circuit 20, both can be manufactured in different processes. After forming the filter insertion groove 14 in the quartz optical waveguide 2 on the silicon substrate 1 ((1a) filter groove formation step), the passive optical circuit 10 inserts the interference film filter 15 into the filter insertion groove 14, Fix with an adhesive ((1b) filter insertion step). Further, glass plates 8 are bonded to both ends of the silicon substrate 1 and polished so as to form an oblique end surface of 8 °. In the figure, the end face is not slanted, but is formed so that either the vertical direction or the horizontal direction is slanted.
【0028】一方、ハイブリッド光回路20は、受動光
回路10とは独立に光機能素子(LD31,M−PD3
2,R−PD33)を搭載できる((2) 光機能素子搭載
工程)。このとき、各光機能素子を搭載固定するには、
半田接合部40を溶融するために 300℃以上に基板温度
を上昇させる必要があるが、受動光回路10におけるフ
ィルタ挿入工程とは完全に分離されているので、干渉膜
フィルタ15に何らの影響も及ぼさない。また、シリコ
ン基板1の端部にガラス板8を接着し、垂直方向または
水平方向に8°の斜め端面になるように研磨する。On the other hand, the hybrid optical circuit 20 has an optical function element (LD31, M-PD3) independent of the passive optical circuit 10.
2, R-PD33) can be mounted ((2) optical function element mounting step). At this time, to mount and fix each optical function element,
In order to melt the solder joint 40, it is necessary to raise the substrate temperature to 300 ° C. or more. However, since it is completely separated from the filter insertion step in the passive optical circuit 10, there is no influence on the interference film filter 15. Has no effect. Further, a glass plate 8 is adhered to an end of the silicon substrate 1 and polished so as to have an oblique end face of 8 ° in the vertical or horizontal direction.
【0029】また、光ファイバブロック5に入出力用光
ファイバ4aおよび出力用光ファイバ4bを固定し、そ
の一端面を同様に斜め端面になるように研磨する。最後
に、光ファイバブロック5、受動光回路10、ハイブリ
ッド光回路20の斜め端面側を例えば紫外線硬化接着剤
を用いて接続し、光モジュールが製作される((3) 光モ
ジュール組立工程)。なお、上記の工程で、受動光回路
10の両端面、ハイブリッド光回路20の一端面、光フ
ァイバブロック5の一端面を斜めに研磨したのは、接続
部での反射を防止するためである。また、各端部にガラ
ス板8を接着したのは、各接続部の面積を大きくして接
着強度を高めるためである。Further, the input / output optical fiber 4a and the output optical fiber 4b are fixed to the optical fiber block 5, and one end surface thereof is similarly polished so as to be an oblique end surface. Finally, the oblique end faces of the optical fiber block 5, the passive optical circuit 10, and the hybrid optical circuit 20 are connected by using, for example, an ultraviolet curing adhesive, and an optical module is manufactured ((3) optical module assembly process). In the above process, both ends of the passive optical circuit 10, one end of the hybrid optical circuit 20, and one end of the optical fiber block 5 are polished obliquely in order to prevent reflection at the connection. Further, the reason why the glass plate 8 is bonded to each end is to increase the area of each connecting portion and increase the bonding strength.
【0030】(第2の実施形態)図3は、本発明の光モ
ジュールの第2の実施形態を示す。本実施形態のモジュ
ール構成は、図1に示す第1の実施形態と同じである。
本実施形態の特徴は、受動光回路10とハイブリッド光
回路20の光導波路構造を図3(a),(b) のようにしたと
ころにある。(Second Embodiment) FIG. 3 shows a second embodiment of the optical module of the present invention. The module configuration of the present embodiment is the same as that of the first embodiment shown in FIG.
The feature of the present embodiment lies in that the optical waveguide structures of the passive optical circuit 10 and the hybrid optical circuit 20 are as shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b).
【0031】本実施形態の受動光回路10の石英系光導
波路2は、 1.3/1.55μm光信号が伝搬し、かつ伝搬損
失を十分に小さくする必要性から、図3(a) に示すよう
にシリコン基板1上に形成した十分な厚さの下部クラッ
ド層2cと上部クラッド層2aでコア層2bを埋め込ん
だ構造のものを用いる。ここで、下部クラッド層2aお
よび上部クラッド層2bの層厚は共に20μm、コア寸法
は7×7μm、比屈折率差は0.45%に設定した。As shown in FIG. 3A, the quartz optical waveguide 2 of the passive optical circuit 10 according to the present embodiment transmits 1.3 / 1.55 μm optical signals and requires a sufficiently small propagation loss. A structure in which a core layer 2b is buried with a sufficiently thick lower clad layer 2c and an upper clad layer 2a formed on a silicon substrate 1 is used. Here, the thicknesses of the lower cladding layer 2a and the upper cladding layer 2b were both set to 20 μm, the core size was set to 7 × 7 μm, and the relative refractive index difference was set to 0.45%.
【0032】一方、ハイブリッド光回路20の石英系光
導波路2は、 1.3μm光信号のみが伝搬し、かつ若干の
伝搬損失増加は光機能素子の動作条件の微調整で補償で
きる柔軟性があることから、図3(b) に示すように平坦
なシリコン基板1上に石英系光導波路2を形成し、かつ
光機能素子3を直接搭載する。ここで、下部クラッド層
2aの層厚は 7.5μm、上部クラッド層2bの層厚は20
μm、コア寸法は7×7μm、比屈折率差は0.45%に設
定した。On the other hand, the silica-based optical waveguide 2 of the hybrid optical circuit 20 has the flexibility that only the 1.3 μm optical signal propagates and that a slight increase in the propagation loss can be compensated for by finely adjusting the operating conditions of the optical functional element. Then, as shown in FIG. 3 (b), a quartz optical waveguide 2 is formed on a flat silicon substrate 1, and the optical functional element 3 is directly mounted. Here, the thickness of the lower cladding layer 2a is 7.5 μm, and the thickness of the upper cladding layer 2b is 20 μm.
μm, the core size was set to 7 × 7 μm, and the relative refractive index difference was set to 0.45%.
【0033】このように、本実施形態のハイブリッド光
回路20では、下部クラッド層2cを薄く設定してある
ので、従来の段差付きシリコン基板に代えて平坦シリコ
ン基板を用いることができる。また、受動光回路10で
は、光導波路に最適なパラメータを設定できるので、低
損失化を図ることができる。この結果、高性能かつ低コ
ストな光モジュールが実現できる。As described above, in the hybrid optical circuit 20 of the present embodiment, since the lower cladding layer 2c is set to be thin, a flat silicon substrate can be used instead of the conventional stepped silicon substrate. Further, in the passive optical circuit 10, since the optimal parameters can be set for the optical waveguide, the loss can be reduced. As a result, a high-performance and low-cost optical module can be realized.
【0034】ここで、ハイブリッド光回路20における
上記の設計条件の根拠について、図4を参照して説明す
る。光機能素子3をジャンクションダウンの形態でシリ
コン基板1上に搭載したとき、石英系光導波路のコア層
2bと光機能素子3の活性層3aの高さを合わせるため
には、下部クラッド層2cの厚さをD、コア層2bの厚
さをd、光機能素子3の活性層3aの中心から素子表面
までの高さをH、シリコン基板1の表面の半田接合部4
0の厚さをhとすると、 D+d/2=H+h …(1) の関係を満たす必要がある。一般に、光機能素子3で
は、活性層3aの中心から素子表面までの高さHを7〜
8μm以上に設定することは容易ではない。また、光機
能素子の位置合わせ精度を考えると、半田接合部40の
厚さhは電気配線層の厚さを含めて5μm以下に設定す
ることが望まれる。さらに、石英系光導波路のコア層2
bの厚さdは、通常は6〜8μm程度である。これらを
考慮すると、(1) 式より下部クラッド層2cの厚さDの
実現可能な上限値が概ね決まってくる。すなわち、Dは
約10μm以下に設定すべきであることがわかる。Here, the basis of the above design conditions in the hybrid optical circuit 20 will be described with reference to FIG. When the optical function element 3 is mounted on the silicon substrate 1 in a junction-down form, in order to match the height of the core layer 2b of the quartz optical waveguide and the active layer 3a of the optical function element 3, the lower clad layer 2c The thickness is D, the thickness of the core layer 2b is d, the height from the center of the active layer 3a of the optical function element 3 to the element surface is H, and the solder joint 4 on the surface of the silicon substrate 1 is formed.
Assuming that the thickness of 0 is h, it is necessary to satisfy the following relationship: D + d / 2 = H + h (1) Generally, in the optical function device 3, the height H from the center of the active layer 3a to the device surface is 7 to
It is not easy to set the thickness to 8 μm or more. In consideration of the positioning accuracy of the optical functional element, it is desirable that the thickness h of the solder joint 40 be set to 5 μm or less including the thickness of the electric wiring layer. Further, the core layer 2 of the silica-based optical waveguide
The thickness d of b is usually about 6 to 8 μm. Taking these into consideration, the upper limit of the thickness D of the lower cladding layer 2c that can be achieved is substantially determined from the equation (1). That is, it is understood that D should be set to about 10 μm or less.
【0035】図5は、下部クラッド層厚Dと光導波路伝
搬損失の関係を示す。ここでは、シリコン基板上の石英
系光導波路は、コア寸法7×7μm、比屈折率差0.45%
とした。下部クラッド層厚が15μm以上であれば、伝搬
光の波長および偏波によらず伝搬損失は 0.1dB/cm以下
で低損失である。下部クラッド層厚が15μm以下になる
と、1.55μmTMモードの伝搬光の損失が増加を始め、
下部クラッド層厚 7.5μmで 1.5dB/cmの損失となる。
一方、 1.3μm光信号では、下部クラッド層厚10μmま
ではTEモードおよびTMモードともに伝搬損失は 0.1
dB/cm以下であるが、これ以下の層厚になるとTMモー
ドの損失増加が顕著になり、下部クラッド層厚 7.5μm
では 0.3dB/cmの損失となる。FIG. 5 shows the relationship between the lower cladding layer thickness D and the optical waveguide propagation loss. Here, the quartz optical waveguide on the silicon substrate has a core size of 7 × 7 μm and a relative refractive index difference of 0.45%.
And When the thickness of the lower cladding layer is 15 μm or more, the propagation loss is 0.1 dB / cm or less, which is low, regardless of the wavelength and polarization of the propagating light. When the thickness of the lower cladding layer becomes 15 μm or less, the loss of 1.55 μm TM mode propagating light starts to increase,
When the lower cladding layer thickness is 7.5 μm, the loss is 1.5 dB / cm.
On the other hand, for a 1.3 μm optical signal, the propagation loss of both the TE mode and the TM mode is 0.1 when the lower cladding layer thickness is 10 μm.
It is less than dB / cm, but if the layer thickness is less than this, the loss of the TM mode increases remarkably, and the lower cladding layer thickness is 7.5 μm.
Will result in a loss of 0.3 dB / cm.
【0036】以上示した図4および図5より、平坦なシ
リコン基板の石英系光導波路をハイブリッド光回路の基
板として利用できる条件が規定される。すなわち、光導
波路の比屈折率差0.45%、コア寸法7×7μmで、使用
波長を 1.3μm帯に限定し、0.5dB/cmの伝搬損失を許
容すれば、下部クラッド層厚Dを7〜10μmに設定すれ
ばよいことがわかる。From FIG. 4 and FIG. 5 described above, the conditions under which the quartz optical waveguide of a flat silicon substrate can be used as a substrate of a hybrid optical circuit are defined. That is, if the relative refractive index difference of the optical waveguide is 0.45%, the core size is 7 × 7 μm, the wavelength used is limited to the 1.3 μm band, and the propagation loss of 0.5 dB / cm is allowed, the lower cladding layer thickness D is 7 to 10 μm. It can be seen that it should be set to.
【0037】なお、上記の説明では、比屈折率差0.45%
の光導波路を用いた場合を示したが、比屈折率差0.75
%、コア寸法6×6μmの光導波路を用いた場合には、
下部クラッド層厚Dは5μm以上の設定で、 1.3μm光
信号に対して損失が約 0.5dB/cmの光導波路が実現でき
る。以上により、光導波路のコア寸法を6〜8μm、下
部クラッド層厚を5〜10μmに設定すれば、少なくとも
1.3μm光信号の送受信モジュールについては、平坦な
シリコン基板上の石英系光導波路を用いてもハイブリッ
ド光回路を構成できることがわかる。In the above description, the relative refractive index difference is 0.45%.
The case where the optical waveguide of was used was shown, but the relative refractive index difference was 0.75.
%, When an optical waveguide having a core size of 6 × 6 μm is used,
When the lower cladding layer thickness D is set to 5 μm or more, an optical waveguide having a loss of about 0.5 dB / cm with respect to a 1.3 μm optical signal can be realized. As described above, if the core size of the optical waveguide is set to 6 to 8 μm and the thickness of the lower cladding layer is set to 5 to 10 μm, at least
It can be seen that a hybrid optical circuit can be formed using a quartz optical waveguide on a flat silicon substrate for a transmitting / receiving module for 1.3 μm optical signals.
【0038】(第3の実施形態)図6は、本発明の光モ
ジュールの第3の実施形態を示す。本実施形態における
受動光回路10およびハイブリッド光回路20の機能
は、第1および第2の実施形態と同様である。本実施形
態の特徴は、受動光回路10におけるWDM回路とし
て、マッハツェンダ干渉回路16を用いたところにあ
る。本実施形態では、1.55μm出力導波路12を図のよ
うに引き回すことにより、その出力部を 1.3/1.55μm
入出力導波路11と同一端面に配置している。(Third Embodiment) FIG. 6 shows a third embodiment of the optical module of the present invention. The functions of the passive optical circuit 10 and the hybrid optical circuit 20 in this embodiment are the same as those in the first and second embodiments. The feature of this embodiment resides in that a Mach-Zehnder interference circuit 16 is used as a WDM circuit in the passive optical circuit 10. In this embodiment, the output section of the 1.55 μm output waveguide 12 is set to 1.3 / 1.55 μm
It is arranged on the same end face as the input / output waveguide 11.
【0039】マッハツェンダ干渉回路16を用いること
により、受動光回路10は光導波路のみで構成すること
ができる。これにより、フィルタ溝加工や後加工のない
分だけ第1および第2の実施形態に比べて有利である
が、光導波路が複雑化する分だけ寸法が大きくなる。し
たがって、実際には、小型化の要求が強いのか、組立工
程簡略化の要求が強いのかにより、第1,第2の実施形
態の構成か、第3の実施形態の構成かが選択される。By using the Mach-Zehnder interference circuit 16, the passive optical circuit 10 can be composed of only an optical waveguide. This is advantageous compared to the first and second embodiments because there is no filter groove processing or post-processing, but the size is increased by the complexity of the optical waveguide. Therefore, in practice, the configuration of the first or second embodiment or the configuration of the third embodiment is selected depending on whether there is a strong demand for miniaturization or a strong demand for simplifying the assembling process.
【0040】本実施形態では、ハイブリッド光回路20
は第1および第2の実施形態と同一である。これは、第
1〜第3の実施形態において、ハイブリッド光回路20
を共通化できることを示している。すなわち、各種光モ
ジュールで共通に使用される光回路を用意しておけば、
それらの組み合わせを変えるだけで各種光モジュールを
安価に製作することができる。また、ハイブリッド光回
路20は、図7に示すように光ファイバブロック5を介
して光ファイバを直接接続すれば、単一波長の双方向光
送受信モジュールとして利用できる。In this embodiment, the hybrid optical circuit 20
Is the same as in the first and second embodiments. This is because, in the first to third embodiments, the hybrid optical circuit 20
It is shown that can be shared. In other words, if you prepare optical circuits commonly used in various optical modules,
Various optical modules can be manufactured at low cost only by changing the combination. The hybrid optical circuit 20 can be used as a single-wavelength bidirectional optical transmitting / receiving module by directly connecting optical fibers via the optical fiber block 5 as shown in FIG.
【0041】(第4の実施形態)図8は、本発明の光モ
ジュールの第4の実施形態を示す。本実施形態と第1〜
第3の実施形態との違いは、受動光回路10Aとハイブ
リッド光回路20Aの機能分割の仕方にある。受動光回
路10Aは、WDM回路101とY分岐回路102を有
する。ハイブリッド光回路20Aは、半導体レーザ(L
D)31と、モニタ用フォトダイオード(M−PD)3
2と、受信用フォトダイオード(R−PD)33と、送
信用出力導波路22と、受信用入力導波路23を有す
る。さらに、本実施形態では、ハイブリッド光回路20
Aの光機能素子搭載部を封止蓋34で覆い、封止蓋34
を半田によって固定し、局所的に気密封止している。(Fourth Embodiment) FIG. 8 shows an optical module according to a fourth embodiment of the present invention. This embodiment and first to first
The difference from the third embodiment lies in the way of dividing the functions of the passive optical circuit 10A and the hybrid optical circuit 20A. The passive optical circuit 10A has a WDM circuit 101 and a Y branch circuit 102. The hybrid optical circuit 20A includes a semiconductor laser (L
D) 31 and monitor photodiode (M-PD) 3
2, a receiving photodiode (R-PD) 33, a transmitting output waveguide 22, and a receiving input waveguide 23. Furthermore, in the present embodiment, the hybrid optical circuit 20
The optical function element mounting portion A is covered with a sealing lid 34, and the sealing lid 34
Are fixed by soldering and locally airtightly sealed.
【0042】このような構成にすれば、ハイブリッド光
回路20Aにおける光導波路長を必要最小限まで短くで
きる。その結果、平坦なシリコン基板を用いたハイブリ
ッド光回路において、下部クラッド層厚を薄くしたこと
により伝搬損失が増加してしまう領域でも、光導波路長
を短くしたことにより全体として損失増加を十分に小さ
く抑えることができる。さらに、ハイブリッド光回路で
は、上記のように局所的に気密封止が実現できる。この
ため、光モジュールをパッケージに設置するときに、パ
ッケージ構造を簡易にすることができるので、モジュー
ルコストの低減が可能になる。なお、局所封止は、本実
施形態のみならず、他の実施形態に対しても適用でき
る。With such a configuration, the optical waveguide length in the hybrid optical circuit 20A can be reduced to a necessary minimum. As a result, in a hybrid optical circuit using a flat silicon substrate, even in a region where the propagation loss increases due to the reduction in the thickness of the lower cladding layer, the overall increase in loss is sufficiently reduced by shortening the optical waveguide length. Can be suppressed. Further, in the hybrid optical circuit, the hermetic sealing can be locally realized as described above. For this reason, when installing the optical module in the package, the package structure can be simplified, and the module cost can be reduced. The local sealing can be applied not only to this embodiment but also to other embodiments.
【0043】(第5の実施形態)図9は、本発明の光モ
ジュールの第5の実施形態を示す。本実施形態の光モジ
ュールは、受動光回路10Bと、ハイブリッド光回路2
0Bと、光ファイバブロック5の3つのパーツからな
り、それらが合体した構成になっている。(Fifth Embodiment) FIG. 9 shows a fifth embodiment of the optical module of the present invention. The optical module of the present embodiment includes a passive optical circuit 10B and a hybrid optical circuit 2B.
OB and three parts of the optical fiber block 5, which are combined.
【0044】受動光回路10Bは、マッハツェンダ干渉
回路16により構成され 1.3/1.55μmWDM回路とし
て機能する。ハイブリッド光回路20Bは、送信波長1.
55μmの半導体レーザ(LD)35と、モニタ用フォト
ダイオード(M−PD)36と、受信波長 1.3μmの受
信用フォトダイオード(R−PD)33とにより構成さ
れ、双方向光送受信回路として機能する。The passive optical circuit 10B comprises a Mach-Zehnder interference circuit 16 and functions as a 1.3 / 1.55 μm WDM circuit. The hybrid optical circuit 20B has a transmission wavelength of 1.
It comprises a 55 μm semiconductor laser (LD) 35, a monitoring photodiode (M-PD) 36, and a receiving photodiode (R-PD) 33 having a receiving wavelength of 1.3 μm, and functions as a bidirectional optical transmitting / receiving circuit. .
【0045】ところで、ハイブリッド光回路20Bは、
第2の実施形態と同様に、平坦なシリコン基板1上に形
成された下部クラッド層厚 7.5μm、コア寸法7×7μ
m、比屈折率差0.45%の石英系光導波路2を用いてい
る。この寸法の光導波路は、図5に示すように、1.55μ
mTMモードに対して約 1.5dB/cmの伝搬損失が発生す
る。一方、 1.3μm光信号に対する伝搬損失は 0.5dB/
cm以下である。そこで、ハイブリッド光回路20Bで
は、1.55μmLD35を 1.3μmR−PD33よりも基
板端部に近くなるように配置し、1.55μm光信号が伝搬
する光導波路の長さを極力短くした(光導波路長〜5m
m)。これにより、薄い下部クラッド層の影響を抑制し
た。すなわち、平坦なシリコン基板1上の薄い下部クラ
ッド層を有する石英系光導波路を用いた場合でも、光導
波路長を短尺化することにより1.55μm用の光機能素子
の搭載も可能になる。受動光回路10Bは、シリコン基
板1上に形成された下部クラッド層厚20μm、コア寸法
7×7μm、比屈折率差0.45%の石英系光導波路2を用
いているので、伝搬損失 0.1dB/cm以下の優れた光導波
特性を実現した。By the way, the hybrid optical circuit 20B comprises:
As in the second embodiment, the lower clad layer formed on the flat silicon substrate 1 has a thickness of 7.5 μm and a core size of 7 × 7 μm.
m, a quartz optical waveguide 2 having a relative refractive index difference of 0.45% is used. As shown in FIG. 5, an optical waveguide of this size has a thickness of 1.55 μm.
A propagation loss of about 1.5 dB / cm occurs for the mTM mode. On the other hand, the propagation loss for a 1.3 μm optical signal is 0.5 dB /
cm or less. Therefore, in the hybrid optical circuit 20B, the 1.55 μm LD 35 is arranged closer to the end of the substrate than the 1.3 μm R-PD 33, and the length of the optical waveguide through which the 1.55 μm optical signal propagates is shortened as much as possible (optical waveguide length to 5 m).
m). Thereby, the influence of the thin lower cladding layer was suppressed. That is, even when a silica-based optical waveguide having a thin lower cladding layer on a flat silicon substrate 1 is used, an optical functional element for 1.55 μm can be mounted by shortening the optical waveguide length. Since the passive optical circuit 10B uses the silica-based optical waveguide 2 formed on the silicon substrate 1 and having a lower cladding layer thickness of 20 μm, a core size of 7 × 7 μm, and a relative refractive index difference of 0.45%, the propagation loss is 0.1 dB / cm. The following excellent optical waveguide characteristics have been realized.
【0046】(実装形態の一例)図10は、本発明の光
モジュールの実装形態の一例を示す。ここに示す光モジ
ュールは、図1に示す第1の実施形態のものとする。受
動光回路10と光ファイバブロック5は、調芯し接着剤
により固定して一体化されたのち、全体がパッケージ5
0中に配置される。一方、ハイブリッド光回路20はパ
ッケージ51中に配置される。なお、これに先立ち、ハ
イブリッド光回路20の光機能素子を局所的に封止して
おくことが望ましい。局所封止は、例えば第4の実施形
態で示した方法を用いる。そして、パッケージ50とパ
ッケージ51は、ガイドピン52を用いて着脱可能な状
態で接続される。(Example of Mounting Form) FIG. 10 shows an example of a mounting form of the optical module of the present invention. The optical module shown here is of the first embodiment shown in FIG. After the passive optical circuit 10 and the optical fiber block 5 are aligned and fixed with an adhesive to be integrated, the entire package 5 is formed.
0. On the other hand, the hybrid optical circuit 20 is disposed in the package 51. Prior to this, it is desirable that the optical functional element of the hybrid optical circuit 20 be locally sealed. For the local sealing, for example, the method described in the fourth embodiment is used. The package 50 and the package 51 are detachably connected to each other using the guide pins 52.
【0047】このように、受動光回路10と光ファイバ
ブロック5とを調芯固定して一体化したので、特に低損
失性が要求される1.55μm光信号に対する入力および出
力光ファイバの接続損失は 0.1dB/cmにまで低減でき
る。その一方で、光ファイバ付きの受動光回路10とハ
イブリッド光回路20とを着脱可能な状態で接続するよ
うにしたので、この光モジュールを電気実装ボードに実
装する工程を大幅に簡略化することができる。As described above, since the passive optical circuit 10 and the optical fiber block 5 are aligned and fixed to be integrated, the connection loss of the input and output optical fibers for a 1.55 μm optical signal that requires particularly low loss is reduced. It can be reduced to 0.1dB / cm. On the other hand, since the passive optical circuit 10 with the optical fiber and the hybrid optical circuit 20 are detachably connected to each other, the step of mounting this optical module on the electric mounting board can be greatly simplified. it can.
【0048】ここで、図11を参照し、この光モジュー
ルを電気実装ボード60に実装する工程について説明す
る。光モジュールは、光ファイバ付きの受動光回路を含
むパッケージ50が着脱可能な状態で分離できるので、
(1) に示すように、ハイブリッド光回路を含むパッケー
ジ51のみをピッグテイルのない状態で、通常の電子回
路61とまったく同一の工程で搭載できる。そして、
(2) に示すように、最後に光ファイバ付きの受動光回路
を含むパッケージ50を接続すれば、光モジュールを簡
単に電気実装ボード60に搭載することができる。この
ように、本発明の光モジュールは、レセプタクル型構成
でありながら受動光回路の低損失化が実現でき、さらに
電気実装ボードへの搭載工程を大幅に簡略化することが
できる。Here, a step of mounting the optical module on the electric mounting board 60 will be described with reference to FIG. Since the optical module can be detachably detached from the package 50 including the passive optical circuit with the optical fiber,
As shown in (1), only the package 51 including the hybrid optical circuit can be mounted in the same process as the normal electronic circuit 61 without the pigtail. And
As shown in (2), if the package 50 including the passive optical circuit with the optical fiber is finally connected, the optical module can be easily mounted on the electrical mounting board 60. As described above, the optical module of the present invention can realize a low loss of the passive optical circuit while having the receptacle type configuration, and can greatly simplify the mounting process on the electric mounting board.
【0049】[0049]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光モジュ
ールは、受動光回路とハイブリッド光回路をそれぞれ別
な基板上に形成し、その両者を結合させる構成にしたの
で、それぞれの光導波路構造とパラメータを最適に選ん
で製作することができる。さらに、本発明では、ハイブ
リッド光回路の光導波路に対する許容伝搬損失が、受動
光回路に対して求められる伝搬損失より若干大きいこと
に着目し、平坦なシリコン基板上に形成した石英系光導
波路の下部クラッド層の厚さを5〜10μmの範囲に設定
するようにした。その結果、段差を設けたシリコン基板
を用いなくても、平坦なシリコン基板上の石英系光導波
路を用いてハイブリッド光回路を構成することができ
る。しかも、高品質な光導波特性が要求される受動光回
路は、最適なパラメータを設定すればよいので、高品質
かつ低コストなハイブリッド構成の光モジュールを実現
することができる。As described above, in the optical module of the present invention, the passive optical circuit and the hybrid optical circuit are formed on different substrates, respectively, and the two are coupled to each other. And parameters can be optimally selected and manufactured. Further, in the present invention, focusing on the fact that the allowable propagation loss for the optical waveguide of the hybrid optical circuit is slightly larger than the propagation loss required for the passive optical circuit, the lower part of the quartz-based optical waveguide formed on a flat silicon substrate is considered. The thickness of the cladding layer was set in the range of 5 to 10 μm. As a result, a hybrid optical circuit can be configured using a silica-based optical waveguide on a flat silicon substrate without using a silicon substrate having a step. In addition, a passive optical circuit that requires high-quality optical waveguide characteristics may be set with optimal parameters, so that a high-quality and low-cost optical module having a hybrid configuration can be realized.
【0050】さらに、本発明では、 1.3/1.55μmWD
M回路と、 1.3μm双方向光送受信回路とで構成される
WDM送受信モジュールにおいて、1.55μm光信号を伝
搬してかつ低伝搬損失が要求されるWDM回路は、十分
な厚さの下部クラッド層を有する受動光回路を用いるこ
とができる。一方、 1.3μm帯でのみ動作すればよい双
方向光送受信回路(分岐回路、半導体レーザおよび受光
素子で構成される回路)は、平坦なシリコン基板上に形
成した薄い下部クラッド層を有するハイブリッド光回路
を用いることができる。この結果、1.55μm光信号の損
失は十分に低く、かつ平坦なシリコン基板を用いたハイ
ブリッド構成の光モジュールを低コストで実現すること
ができる。Further, according to the present invention, 1.3 / 1.55 μm WD
In a WDM transmission / reception module composed of an M circuit and a 1.3 μm bidirectional optical transmission / reception circuit, a WDM circuit that propagates an optical signal of 1.55 μm and requires low propagation loss requires a lower cladding layer having a sufficient thickness. A passive optical circuit having the same can be used. On the other hand, a bidirectional optical transmitting / receiving circuit (a circuit composed of a branch circuit, a semiconductor laser, and a light receiving element) that only needs to operate in the 1.3 μm band is a hybrid optical circuit having a thin lower cladding layer formed on a flat silicon substrate. Can be used. As a result, the loss of the 1.55 μm optical signal is sufficiently low, and an optical module having a hybrid configuration using a flat silicon substrate can be realized at low cost.
【0051】さらに、受動光回路と光ファイバとを調芯
し、さらに接着剤固定して一体化するとともに、ハイブ
リッド光回路と受動光回路との接続端面を着脱可能な状
態で直接接続することができる。これにより、電気配線
ボードへの光モジュールの実装工程において、このボー
ドへの電気的接続を実現する必要があるハイブリッド光
回路は、ファイバピッグテイルが付いていない状態で取
り扱うことができ、その後にファイバピッグテイル付き
の受動光回路を取り付けることにより光モジュールを構
成することができる。したがって、この構成は、レセプ
タクル型構成でありながら、受動光回路の低損失化を実
現することができる。Further, it is possible to align the passive optical circuit and the optical fiber, further fix them with an adhesive and integrate them, and directly connect the connection end faces of the hybrid optical circuit and the passive optical circuit in a detachable state. it can. As a result, in the process of mounting an optical module on an electrical wiring board, a hybrid optical circuit that needs to realize electrical connection to this board can be handled without a fiber pigtail, and then the fiber An optical module can be configured by attaching a passive optical circuit with a pigtail. Therefore, this configuration can realize low loss of the passive optical circuit while being a receptacle type configuration.
【図1】本発明の光モジュールの第1の実施形態を示す
図。FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of an optical module of the present invention.
【図2】第1の実施形態の光モジュールの製作工程を示
す図。FIG. 2 is a view showing a manufacturing process of the optical module of the first embodiment.
【図3】本発明の光モジュールの第2の実施形態を示す
図。FIG. 3 is a diagram showing a second embodiment of the optical module of the present invention.
【図4】第2の実施形態におけるハイブリッド光回路2
0の構成を示す図。FIG. 4 shows a hybrid optical circuit 2 according to a second embodiment.
FIG.
【図5】下部クラッド層厚Dと光導波路伝搬損失の関係
を示す図。FIG. 5 is a diagram showing a relationship between a lower cladding layer thickness D and an optical waveguide propagation loss.
【図6】本発明の光モジュールの第3の実施形態を示す
図。FIG. 6 is a diagram showing a third embodiment of the optical module of the present invention.
【図7】本発明の光モジュールの第3の実施形態の変形
例を示す図。FIG. 7 is a diagram showing a modification of the third embodiment of the optical module of the present invention.
【図8】本発明の光モジュールの第4の実施形態を示す
図。FIG. 8 is a diagram showing a fourth embodiment of the optical module of the present invention.
【図9】本発明の光モジュールの第5の実施形態を示す
図。FIG. 9 is a diagram showing a fifth embodiment of the optical module of the present invention.
【図10】本発明の光モジュールの実装形態の一例を示
す図。FIG. 10 is a diagram showing an example of a mounting mode of the optical module of the present invention.
【図11】本発明の光モジュールのボードへの実装工程
を示す図。FIG. 11 is a view showing a step of mounting the optical module of the present invention on a board.
【図12】WDM送受信光モジュールのブロック構成を
示す図。FIG. 12 is a diagram showing a block configuration of a WDM transmission / reception optical module.
【図13】従来のハイブリッド集積型光モジュールの構
成例を示す図。FIG. 13 is a diagram showing a configuration example of a conventional hybrid integrated optical module.
【図14】従来の光モジュールの断面構造を示す図。FIG. 14 is a diagram showing a cross-sectional structure of a conventional optical module.
【図15】従来の光モジュールの製作工程を示す図。FIG. 15 is a diagram showing a manufacturing process of a conventional optical module.
1 シリコン基板 2 石英系光導波路 2a 上部クラッド層 2b コア層 2c 下部クラッド層 3 光機能素子 3a 活性層 4a 入出力用光ファイバ 4b 出力用光ファイバ 5 光ファイバブロック 6 シリコンテラス 8 ガラス板 10 受動光回路 11 1.3/1.55μm入出力導波路 12 1.55μm出力導波路 13 1.3μm入出力導波路 14 フィルタ挿入溝 15 干渉膜フィルタ 16 マッハツェンダ干渉回路 20 ハイブリッド光回路 21 1.3μm入出力導波路 31 送信波長 1.3μmの半導体レーザ(LD) 32 モニタ用受光素子(M−PD) 33 受信波長 1.3μmの受信用受光素子(R−PD) 34 封止蓋 35 送信波長1.55μmの半導体レーザ(LD) 36 モニタ用受光素子(M−PD) 40 半田接合部 50,51 パッケージ 52 ガイドピン 60 電気実装ボード 61 電子回路 101 WDM回路 102 Y分岐回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Silicon substrate 2 Quartz optical waveguide 2a Upper cladding layer 2b Core layer 2c Lower cladding layer 3 Optical functional element 3a Active layer 4a Input / output optical fiber 4b Output optical fiber 5 Optical fiber block 6 Silicon terrace 8 Glass plate 10 Passive light Circuit 11 1.3 / 1.55 μm input / output waveguide 12 1.55 μm output waveguide 13 1.3 μm input / output waveguide 14 Filter insertion groove 15 Interference film filter 16 Mach-Zehnder interference circuit 20 Hybrid optical circuit 21 1.3 μm input / output waveguide 31 Transmission wavelength 1.3 μm semiconductor laser (LD) 32 monitor light receiving element (M-PD) 33 receiving wavelength 1.3 μm receiving light receiving element (R-PD) 34 sealing lid 35 semiconductor laser (LD) with transmission wavelength 1.55 μm 36 monitor Light receiving element (M-PD) 40 Solder joint 50, 51 Package 52 Guide pin 60 Gas mounting board 61 the electronic circuit 101 WDM circuit 102 Y branch circuit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳澤 雅弘 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 加藤 邦治 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日 本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平8−190026(JP,A) 特開 平8−94870(JP,A) 特開 平8−304645(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02B 6/24 - 6/43 G02B 6/12 - 6/14 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Masahiro Yanagisawa 3-19-2 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Kuniharu Kato 3--19, Nishishinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo No. 2 Within Nippon Telegraph and Telephone Corporation (56) References JP-A-8-190026 (JP, A) JP-A-8-94870 (JP, A) JP-A 8-304645 (JP, A) (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G02B 6/24-6/43 G02B 6/12-6/14
Claims (2)
と、この光導波回路と光結合を保ちつつ第1の基板上に
半田を介して搭載された動作波長1.3μm帯の光機能
素子とからなるハイブリッド光回路と、 第2の基板上に形成され、1.3μm帯と1.55μm
帯の光信号を合分波する光導波回路からなる受動光回路
とを備え、 前記ハイブリッド光回路と前記受動光回路は、前記ハイブリッド光回路の光導波路構造を、前記光機能
素子の活性層の中心から素子表面までの高さに半田接合
部の厚さを加えた程度の薄い下部クラッド層を有するも
のとし、かつコアとクラッドの比屈折率差及びコア寸法
を前記受動光回路よりもスポットサイズが小さくなるも
のとすることで、 光導波路構造とパラメータがそれぞれ
の回路に要求される特性に設定され、 前記受動光回路の光導波回路は、一方の端面で前記ハイ
ブリッド光回路の光導波回路と着脱可能な状態で直接接
続され、他方の端面で光ファイバと固定剤により固定接
続される構成であることを特徴とする光モジュール。1. An optical waveguide circuit formed on a first substrate, and light of an operating wavelength of 1.3 μm mounted on the first substrate via solder while maintaining optical coupling with the optical waveguide circuit. A hybrid optical circuit comprising functional elements, and a 1.3 μm band and 1.55 μm formed on a second substrate.
A passive optical circuit composed of an optical waveguide circuit for multiplexing / demultiplexing an optical signal in a band , wherein the hybrid optical circuit and the passive optical circuit have an optical waveguide structure of the hybrid optical circuit, and the optical function
Solder bonding to the height from the center of the active layer of the device to the surface of the device
With a lower cladding layer thin enough to add the thickness of the part
And the relative refractive index difference between the core and the clad and the core dimensions
The spot size is smaller than the passive optical circuit.
By setting , the optical waveguide structure and parameters are set to characteristics required for each circuit, and the optical waveguide circuit of the passive optical circuit is detachable from the optical waveguide circuit of the hybrid optical circuit at one end face. An optical module, wherein the optical module is directly connected in a state, and is fixedly connected to the optical fiber with a fixing agent at the other end face.
なシリコン基板であり、ハイブリッド光回路における光
導波回路は下部クラッド層の厚さが5〜10μmの範囲
に設定された石英系光導波路を用いて形成され、光機能
素子はこの石英系光導波路と光結合を保ちつつ前記シリ
コン基板上に直接搭載され、 受動光回路における基板は平坦なシリコン基板であり、
受動光回路における光導波回路は下部クラッド層の厚さ
が15μm以上に設定された石英系光導波路を用いて形
成されたことを特徴とする請求項1に記載の光モジュー
ル。2. The substrate in the hybrid optical circuit is a flat silicon substrate, and the optical waveguide circuit in the hybrid optical circuit is formed using a silica-based optical waveguide in which the thickness of the lower cladding layer is set in the range of 5 to 10 μm. The optical functional element is mounted directly on the silicon substrate while maintaining optical coupling with the quartz optical waveguide, and the substrate in the passive optical circuit is a flat silicon substrate,
2. The optical module according to claim 1, wherein the optical waveguide circuit in the passive optical circuit is formed using a silica-based optical waveguide in which a thickness of a lower cladding layer is set to 15 μm or more.
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