JP3218426B2 - Liquid crystal element - Google Patents

Liquid crystal element

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JP3218426B2 JP33347796A JP33347796A JP3218426B2 JP 3218426 B2 JP3218426 B2 JP 3218426B2 JP 33347796 A JP33347796 A JP 33347796A JP 33347796 A JP33347796 A JP 33347796A JP 3218426 B2 JP3218426 B2 JP 3218426B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フラットパネルデ
ィスプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンタ
ーなどに用いられるライトバルブ等に使用される液晶素
子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal device used for a light valve used in a flat panel display, a projection display, a printer, and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から最も広範に用いられてきている
ディスプレイとしてはCRTが知られている。CRT
は、テレビやVTR等の動画出力、あるいはパソコンの
モニターとして広く用いられている。しかしながら、C
RTはその特性上、静止画像を表示する際にはフリッカ
や解像度不足による走査線縞等が視認性を低下させた
り、焼き付きによる蛍光体の劣化が起こったりする。ま
た、CRTが発生する電磁波が人体に悪影響を与えるこ
とが最近明らかになり、VDT作業者の健康が害される
ことが懸念されている。そして、CRTはその構造上、
画面後方に広く体積を有するため、オフィス、家庭の省
スペース化を阻害し、ひいては高度情報化社会における
ディスプレイとしての責任を果たし得ない可能性があ
る。
2. Description of the Related Art A CRT is known as the most widely used display. CRT
Is widely used as a moving image output for televisions and VTRs, or as a monitor for personal computers. However, C
Due to the characteristics of RT, when a still image is displayed, flicker or scanning line stripes due to insufficient resolution lowers the visibility, or the phosphor deteriorates due to burn-in. In addition, it has recently been found that the electromagnetic waves generated by the CRT adversely affect the human body, and there is a concern that the health of VDT workers may be impaired. And the CRT is structurally
Since it has a large volume behind the screen, it may hinder space saving in offices and homes, and may not be able to fulfill its responsibility as a display in a highly information-oriented society.

【0003】このようなCRTの欠点を解決するものと
して液晶素子がある。例えば、エム・シャット(M.S
chadt)とダブリュー・ヘルフリッヒ(W.Hel
frich)著“アプライド・フィジックス・レター
ズ”(Applied Physics Letter
s)第18巻、第4号(1971年2月15日発行)第
127〜128頁において示されたツイステッド・ネマ
ティック(twisted nematic)液晶を用
いた液晶素子が知られている。このような液晶素子を駆
動方式で分類すると、ひとつにはコスト面で優位性を持
つ単純マトリクスタイプの液晶素子がある。この液晶素
子は、画素密度を高くしたマトリクス電極構造を用いた
時分割駆動の時、クロストークを発生する問題点がある
ため、画素数が制限されていた。また、応答速度が数十
ミリ秒と遅いため、ディスプレイとしての用途も制限さ
れていた。近年このような単純マトリクスタイプの液晶
素子の欠点を改善するものとして、TFT(薄膜トラン
ジスタ)等を用いたアクティブマトリクスタイプの液晶
素子の開発が行われている。このタイプの液晶素子は、
一つ一つの画素にトランジスタ等のスイッチング素子を
作成するため、クロストークや応答速度の問題は解決さ
れる反面、大面積になればなるほど、不良画素なく液晶
素子を作成することが工業的に非常に困難となり、また
可能であったとしても多大なコストが発生する。
As a solution to such a drawback of the CRT, there is a liquid crystal element. For example, M. Shut (MS
chadt) and W. Helfrich
Frich), "Applied Physics Letters"
s) A liquid crystal device using a twisted nematic liquid crystal disclosed in Vol. 18, No. 4 (issued on Feb. 15, 1971), pp. 127 to 128 is known. When such liquid crystal elements are classified by driving method, one of them is a simple matrix type liquid crystal element which has an advantage in cost. This liquid crystal element has a problem that crosstalk occurs in time-division driving using a matrix electrode structure with a high pixel density, and thus the number of pixels is limited. In addition, since the response speed is as slow as several tens of milliseconds, the use as a display has been limited. In recent years, an active matrix type liquid crystal element using a TFT (thin film transistor) or the like has been developed to improve the disadvantages of such a simple matrix type liquid crystal element. This type of liquid crystal element
Since switching elements such as transistors are created for each pixel, the problems of crosstalk and response speed are solved.However, the larger the area, the more industrially it is extremely difficult to create a liquid crystal element without defective pixels. And costly if possible.

【0004】このような従来型の液晶素子の欠点を改善
するものとして、双安定性を有する液晶素子を用いた液
晶素子がクラーク(Clark)及びラガウェル(La
gerwall)により提案されている(特開昭56−
107216号、米国特許第4367924号明細書
等)。この双安定性を有する液晶としては、一般にカイ
ラルスメクティックC相またはカイラルスメクティック
H相を呈するカイラルスメクティック液晶である強誘電
性液晶が用いられている。この強誘電性液晶は、自発分
極により反転スイッチングを行うため、非常に速い応答
速度を示す上にメモリー性のある双安定状態を発現させ
ることができる。さらに、表示素子に用いた場合に視野
角特性が優れていることから、高速、高精細、大面積の
表示素子或いはライトバルブに好適に用いられると考え
られる。また、最近では、チャンダニ、竹添らにより、
3つの安定状態を示すカイラルスメクティック反強誘電
性液晶素子も提案されている(ジャパニーズ ジャーナ
ル オブ アプライド フィジックス(Japanes
e Journal of Applied Phys
ics)27巻、1988年L729頁)。
In order to improve the disadvantages of the conventional liquid crystal device, a liquid crystal device using a liquid crystal device having bistability has been proposed by Clark and Lagawell (La).
gerwall) (Japanese Unexamined Patent Publication No. Sho 56-56).
107216, U.S. Pat. No. 4,367,924, etc.). As the liquid crystal having the bistability, a ferroelectric liquid crystal which is a chiral smectic liquid crystal exhibiting a chiral smectic C phase or a chiral smectic H phase is generally used. Since the ferroelectric liquid crystal performs inversion switching by spontaneous polarization, it has a very fast response speed and can exhibit a bistable state with memory properties. Furthermore, since it has excellent viewing angle characteristics when used for a display element, it is considered to be suitably used for a high-speed, high-definition, large-area display element or light valve. Also, recently, Chandani, Takezoe and others
Chiral smectic antiferroelectric liquid crystal devices exhibiting three stable states have also been proposed (Japanese Journal of Applied Physics (Japanes)
e Journal of Applied Physs
ics) 27, 1988, L729).

【0005】このようなカイラルスメクティック液晶素
子においては、例えば一般的なラビング処理したポリイ
ミド配向膜を用いて液晶分子を配向させた場合、得られ
る見かけのティルト角(液晶分子の2つの安定状態の分
子軸のなす角の1/2)は一般にせいぜい3°から8°
程度であり、そのため液晶素子の透過率は3〜5%、コ
ントラストは10前後と、かなり低い値であった。ま
た、「強誘電性液晶の構造と物性」(コロナ社,福沢敦
夫、竹添秀雄著、1990年)に記載されているよう
に、ジグザグ状の配向欠陥の発生や上下基板間での液晶
分子のねじれ(スプレイ配向という)に起因してコント
ラストが著しく低下するという問題もあった。この配向
欠陥(ジグザグ欠陥)は、一対の基板間に挟持された液
晶の層状構造(スメクティック層構造)が2方向のシェ
ブロン状(山形状)の構造(シェブロン構造)からなっ
ていることに起因している。羽生らは、配向膜界面での
液晶分子のプレティルト角を大きくすることによりシェ
ブロン構造を1方向に揃え、スプレイ配向を一様状態
(ユニフォーム配向)よりも弾性的に不安定なものとし
た。これにより、ジグザグ欠陥を解消し、且つ、見かけ
のティルト角を大きくすることによりコントラストの大
きな液晶素子を得ている(特開平3−252624号公
報)。しかしながら、この羽生らの手法を用いたとして
も、良好な駆動状態を得るためには例えばティルト角は
16°以下としなければならず、理想的な透過率を得ら
れるティルト角(22.5°)と比較すると更なる改良
の余地が残されている。加えて、シェブロン構造特有の
スメクティック層の傾きも透過率を低下させ、それに伴
ってコントラストを低下させる要因となっていた。
In such a chiral smectic liquid crystal device, for example, when the liquid crystal molecules are aligned using a general rubbed polyimide alignment film, the apparent tilt angle (the two stable states of the liquid crystal molecules) is obtained. The half of the angle between the axes) is generally at most 3 ° to 8 °
Therefore, the transmittance of the liquid crystal element was 3 to 5%, and the contrast was about 10 which was a very low value. In addition, as described in “Structure and Physical Properties of Ferroelectric Liquid Crystal” (Corona Co., Atsuo Fukuzawa, Hideo Takezoe, 1990), generation of zigzag-shaped alignment defects and liquid crystal molecules between upper and lower substrates are caused. There is also a problem that the contrast is significantly reduced due to the twist (called splay alignment). This alignment defect (zigzag defect) is caused by the fact that the layered structure (smectic layer structure) of the liquid crystal sandwiched between a pair of substrates has a two-directional chevron-like (mountain-like) structure (chevron structure). ing. Hanyu et al. Increased the pretilt angle of liquid crystal molecules at the interface of the alignment film to align the chevron structure in one direction, making the splay alignment more elastically unstable than in a uniform state (uniform alignment). Thereby, a zigzag defect is eliminated, and a liquid crystal element having a large contrast is obtained by increasing an apparent tilt angle (Japanese Patent Laid-Open No. 3-252624). However, even if the method of Hanyu et al. Is used, in order to obtain a good driving state, for example, the tilt angle must be set to 16 ° or less, and the tilt angle (22.5 ° There is room for further improvement when compared to (). In addition, the inclination of the smectic layer peculiar to the chevron structure also lowers the transmittance, and causes a reduction in contrast.

【0006】一方、最近、低コントラストの要因である
シェブロン構造を解消し、ブックシェルフといわれる層
状構造(以下、該構造をブックシェルフ構造と記す)、
或いはそれに近い構造を現出させ、高コントラストを実
現しようという動きがある(例えば、「次世代液晶ディ
スプレイと液晶材料」(株)シーエムシー、福田敦夫
編、1992年)。このような構造を実現させる手段と
して、ナフタレン系液晶材料を用いる方法があるが、こ
の場合、ティルト角が10°程度であり、理想的な最大
の透過率が得られる22.5°と比べて非常に小さく、
低透過率となってしまうという問題がある。さらには、
ブックシェルフ構造を温度に対して可逆的に現出するこ
とができないという問題もある。もう一つの代表的な手
段として、シェブロン構造を有する液晶素子に外部から
高電場を加えてブックシェルフ構造を誘起する方法があ
るが、この方法も温度などの外部刺激に対しての不安定
性が問題となっている。ブックシェルフ構造を有する液
晶に関しては、近年発見されたばかりであり、実用に供
するためにはこの他にさまざまな問題が存在する。
On the other hand, recently, a chevron structure which is a cause of low contrast has been eliminated, and a layered structure called a bookshelf (hereinafter, this structure is referred to as a bookshelf structure),
Alternatively, there has been a movement to realize a structure close to that and realize high contrast (for example, "Next Generation Liquid Crystal Display and Liquid Crystal Materials", edited by CMC, Atsuo Fukuda, 1992). As a means for realizing such a structure, there is a method using a naphthalene-based liquid crystal material. In this case, the tilt angle is about 10 °, which is smaller than 22.5 ° at which an ideal maximum transmittance can be obtained. Very small,
There is a problem that the transmittance becomes low. Moreover,
There is also a problem that the bookshelf structure cannot be reversibly exposed to temperature. Another typical method is to induce a bookshelf structure by applying a high electric field from outside to a liquid crystal device having a chevron structure, but this method also has a problem of instability to external stimuli such as temperature. It has become. A liquid crystal having a bookshelf structure has only recently been discovered in recent years, and there are various other problems for practical use.

【0007】さらに、ブックシェルフ構造或いはそれに
近い構造を示す液晶組成物の成分として、フルオロカー
ボン末端部分を持つ液晶化合物が提案されている(米国
特許5262082号明細書、国際出願公開WO93/
22396、1993年第4回強誘電性液晶国際会議P
−46、Mark D.Radcliffeら、等)。
この液晶性化合物は、光学活性化合物と混ぜ合わせるこ
とによって、電場などの外部場を用いずともブックシェ
ルフ構造或いはそれに近い層傾き角の小さな構造を現出
することができ、高速、高精細、大面積の液晶素子、液
晶装置に適している。しかしながら、液晶素子のスピー
ド、配向、コントラスト、駆動安定性等の面でさらなる
改良が求められている。
Further, as a component of a liquid crystal composition exhibiting a bookshelf structure or a structure similar thereto, a liquid crystal compound having a fluorocarbon terminal portion has been proposed (US Pat. No. 5,262,082, International Application Publication WO 93/93).
22396, 1993 4th International Conference on Ferroelectric Liquid Crystals, P
-46, Mark D.C. Radcliffe et al.).
By mixing this liquid crystal compound with an optically active compound, a bookshelf structure or a structure with a small layer tilt angle close thereto can be exhibited without using an external field such as an electric field. Suitable for liquid crystal elements and liquid crystal devices with a large area. However, further improvements are required in terms of the speed, alignment, contrast, drive stability and the like of the liquid crystal element.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】特に、前記ブックシェ
ルフ構造或いはそれに近い構造を示す液晶組成物を用い
た液晶素子において、見かけのティルト角θaを最適化
し、22.5°付近まで拡大することによって高輝度を
実現しようとした場合に、液晶組成物の粘性が増加し、
電界応答が遅くなることが新たな問題となった。
In particular, in a liquid crystal device using a liquid crystal composition having the bookshelf structure or a structure close to the bookshelf structure, the apparent tilt angle θa is optimized and enlarged to about 22.5 °. When trying to achieve high brightness, the viscosity of the liquid crystal composition increases,
The slow response of the electric field is a new problem.

【0009】カイラルスメクティック液晶の分子の応答
は、液晶の自発分極Ps、外部電場Eによって下記式
(1)で表わされることが知られている。
It is known that the response of a molecule of a chiral smectic liquid crystal is represented by the following equation (1) by the spontaneous polarization Ps of the liquid crystal and an external electric field E.

【0010】τ=η/PsE 式(1) ここで、τは液晶の電場に対する応答の時定数、ηはス
イッチング粘性と呼ばれる抵抗係数である。従って高輝
度化のためのティルト角最適化により増加した粘性を克
服するためには、液晶の分子設計上の自発分極Psを大
きくすることが必要となる(電界を増加することはある
程度有効であるが、駆動電圧の増加には消費電力、発熱
等の制限を受けるため、液晶の自発分極Psを高めるこ
とが現実的である)。
Τ = η / PsE Equation (1) where τ is a time constant of response of the liquid crystal to an electric field, and η is a resistance coefficient called switching viscosity. Therefore, in order to overcome the increased viscosity due to the tilt angle optimization for high brightness, it is necessary to increase the spontaneous polarization Ps in the molecular design of the liquid crystal (it is effective to increase the electric field to some extent). However, since the increase in the driving voltage is limited by power consumption, heat generation, and the like, it is realistic to increase the spontaneous polarization Ps of the liquid crystal.)

【0011】液晶の自発分極を高めた場合には、2状態
間の反転閾値にヒステリシスが生じたり、自発分極の温
度依存性から低温になるほど液晶駆動マージンが減少す
ること等の問題が発生してしまう。このことは、液晶と
配向制御膜/電極界面において液晶中の不純物イオン等
の蓄積が起こり、その結果、液晶層中に下記式(2)、
(3)で示される反電場成分が誘起され、液晶分子の電
界応答を阻害することが原因であると考えられている。
In the case where the spontaneous polarization of the liquid crystal is increased, problems such as the occurrence of hysteresis in the inversion threshold value between the two states and the reduction of the liquid crystal driving margin at lower temperatures due to the temperature dependence of the spontaneous polarization occur. I will. This means that accumulation of impurity ions and the like in the liquid crystal occurs at the interface between the liquid crystal and the alignment control film / electrode, and as a result, the following formula (2)
It is considered that the cause is that the anti-electric field component shown in (3) is induced and the electric field response of the liquid crystal molecules is inhibited.

【0012】 Vreverse=〔−2Ps/(Ci+Clc)〕exp(t/τ) 式(2) ここで、Psは液晶の自発分極、Ci、Clcはそれぞれ
配向制御膜及び液晶層の静電容量、τは液晶層、配向制
御膜の合成容量から決定される時定数で即ち反電場成分
の緩和時間を示す。配向制御膜、液晶層の抵抗をRi
lcで表わす時、 τ=CR=(Ci+Clc)/〔(1/Ri)+(1/Rlc)〕 式(3) で示される。従って、液晶の反電場の減衰過程は、上記
式(2)で表わされるように、液晶電極界面の抵抗に依
存し、配向制御膜の抵抗を減少させることによりその反
電場の影響を低減することが可能となる。
V reverse = [− 2Ps / (C i + C lc )] exp (t / τ) Equation (2) where Ps is the spontaneous polarization of the liquid crystal, and C i and C lc are the alignment control film and the liquid crystal layer, respectively. Is the time constant determined from the combined capacitance of the liquid crystal layer and the alignment control film, that is, the relaxation time of the anti-electric field component. The resistance of the alignment control film and the liquid crystal layer is represented by R i ,
When represented by R lc , τ = CR = (C i + C lc ) / [(1 / R i ) + (1 / R lc )] Equation (3) Therefore, the attenuation process of the anti-electric field of the liquid crystal depends on the resistance of the interface of the liquid crystal electrode as expressed by the above equation (2), and the effect of the anti-electric field is reduced by reducing the resistance of the alignment control film. Becomes possible.

【0013】一般にカイラルスメクティック液晶を配向
させるには、基板表面にポリイミド(PI)、ポリアミ
ド(PA)等の水平配向性、或いは傾斜配向性の高分子
膜を形成し、ほぼ同方向にラビング処理した一対の基板
を用いる。これらの電気特性は、室温で1×1010Ωc
m以上の抵抗値を示す絶縁膜であり、自発分極の高い液
晶の電界応答において誘起された反電場がスイッチング
特性上問題となる。
In general, in order to align a chiral smectic liquid crystal, a polymer film having a horizontal or inclined orientation such as polyimide (PI) or polyamide (PA) is formed on a substrate surface and rubbed in substantially the same direction. A pair of substrates is used. These electrical properties are 1 × 10 10 Ωc at room temperature.
This is an insulating film having a resistance value of m or more, and an anti-electric field induced in an electric field response of a liquid crystal having a high spontaneous polarization causes a problem in switching characteristics.

【0014】上述の問題点を解決する手法として、導電
性高分子の配向制御膜への利用が期待されている。配向
制御膜を低抵抗化することは、上述の目的に加え、ラビ
ングプロセス時に生じる配向制御膜の静電的帯電を防
ぎ、帯電異物の吸着を防ぐことができること、さらに
は、双安定性を有するカイラルスメクティック液晶にお
いては、膜表面の局所的な電荷の偏りを非局在化するこ
とでメモリ性の向上と均一配向が実現できる等の大きな
メリットがある。
As a method for solving the above-mentioned problems, use of a conductive polymer for an orientation control film is expected. Lowering the resistance of the alignment control film, in addition to the above-described objects, can prevent electrostatic charging of the alignment control film generated during the rubbing process, prevent adsorption of charged foreign substances, and further, have bistability. The chiral smectic liquid crystal has a great merit such as improvement of memory property and realization of uniform alignment by delocalizing local charge bias on the film surface.

【0015】配向制御膜の低抵抗化の例としては、ポ
リアニリンを用いたπ共役系導電性高分子膜(特開平5
−19264号公報)、導電性微粒子を高分子マトリ
クス中に分散含有させたもの(特開平3−92824号
公報)、電荷移動錯体を含有させたもの(米国特許第
5,231,523号明細書)等が提案されているが、
いずれも液晶素子の配向制御膜としては以下のような問
題を有している。
As an example of lowering the resistance of the orientation control film, a π-conjugated conductive polymer film using polyaniline (Japanese Patent Laid-Open No.
US Pat. No. 5,231,523), one containing conductive fine particles dispersed in a polymer matrix (Japanese Patent Laid-Open No. 3-92824), and one containing a charge transfer complex (US Pat. No. 5,231,523). ) Etc. are proposed,
All of them have the following problems as alignment control films for liquid crystal elements.

【0016】のようなπ共役系高分子膜も未ドープ状
態では、ポリイミド等と同様に絶縁膜であり、低抵抗化
のためには酸、アルカリまたは電気化学的なドーピング
処理を必要とする。これらの後処理は製造工程上複雑に
なるだけでなく、液晶層や透明電極配線のドーパントに
よる汚染、腐食等のおそれがあることが問題となる。
When the π-conjugated polymer film is in an undoped state, it is an insulating film similarly to polyimide and the like, and requires an acid, alkali, or electrochemical doping process to reduce the resistance. These post-treatments not only complicate the manufacturing process, but also pose a problem that the liquid crystal layer and the transparent electrode wiring may be contaminated or corroded by a dopant.

【0017】またのような導電性微粒子を分散させた
ものは、ラビング時にその微粒子及び周囲のバインダ膜
の剥がれが起こり易く、その部分が配向欠陥となるおそ
れがあることが問題となる。
In the case where such conductive fine particles are dispersed, the fine particles and the surrounding binder film are liable to peel off at the time of rubbing, and there is a problem that the portion may become an alignment defect.

【0018】一方、のように電荷移動錯体を分散させ
たものは、錯体の熱的不安定性や錯体を配向制御膜に混
入する際に急激な抵抗増加が生じることが問題となる。
On the other hand, in the case where the charge transfer complex is dispersed as described above, there is a problem in that thermal instability of the complex and a sudden increase in resistance when the complex is mixed into the orientation control film are caused.

【0019】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その課題とするところは配向制御膜を低抵抗
化することによって、配向制御膜への帯電異物の吸着を
防止することにより信頼性の高い液晶素子を提供するこ
とである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to reduce the resistance of an alignment control film to thereby prevent adsorption of charged foreign substances on the alignment control film. It is to provide a highly reliable liquid crystal element.

【0020】また、本発明は、カイラルスメクティック
相を呈する液晶を用いた液晶素子における反電場の影響
を抑制することによって、良好なスイッチング特性を示
す液晶素子を提供することを目的としている。
It is another object of the present invention to provide a liquid crystal device exhibiting good switching characteristics by suppressing the influence of an anti-electric field in a liquid crystal device using a liquid crystal exhibiting a chiral smectic phase.

【0021】加えて、本発明の課題は、反電場がスイッ
チング特性に大きな影響を与えるブックシェルフ構造或
いはそれに近い層傾き角の小さな構造を有する、高コン
トラスト、高輝度のカイラルスメクティック液晶素子に
おいて、従来困難であった高速スイッチングを実現する
ことにあり、また、その素子を用いて高速描画、高輝
度、高コントラストの液晶装置、特に液晶表示装置の提
供を図るものである。
Another object of the present invention is to provide a high-contrast, high-brightness chiral smectic liquid crystal device having a bookshelf structure in which an anti-electric field greatly affects the switching characteristics or a structure with a small layer tilt angle close thereto. It is an object of the present invention to realize high-speed switching, which has been difficult, and to provide a liquid crystal device with high speed drawing, high luminance, and high contrast, particularly a liquid crystal display device using the element.

【0022】さらには、本発明は、上述したようなフル
オロカーボン末端部分を持つ液晶化合物を含有する液晶
組成物を用いた液晶素子において大きな問題となってい
た反電場の影響を、配向制御膜の組成の処方により解決
し、良好なスイッチング特性を示す液晶素子を実現しよ
うとするものである。
Further, the present invention reduces the influence of an anti-electric field, which has been a major problem in a liquid crystal device using a liquid crystal composition containing a liquid crystal compound having a fluorocarbon terminal as described above, by controlling the composition of the alignment control film. To achieve a liquid crystal element exhibiting good switching characteristics.

【0023】[0023]

【課題を解決するための手段】本発明は、一対の基板間
に液晶組成物を挟持した液晶素子であって、該一対の基
板のうち少なくとも一方の基板の前記液晶組成物と接す
る面に配向制御膜が形成されており、該配向制御膜が
リアミドとポリピリジン系高分子との混合膜からなるこ
とを特徴とする液晶素子である。
The present invention relates to a liquid crystal element having a liquid crystal composition sandwiched between a pair of substrates, wherein at least one of the pair of substrates has an alignment on a surface in contact with the liquid crystal composition. control film is formed, the alignment control film Po
A liquid crystal device characterized by comprising a mixed film of polyamide and polypyridine polymer.

【0024】[0024]

【0025】[0025]

【0026】かかる構成とすることにより、配向制御膜
に化学的ドーピング、電気化学的ドーピング、電荷移動
錯体の添加、導電性微粒子の添加のいずれをも行うこと
なしに、配向制御膜の低抵抗化を図ることが可能とな
る。
With this configuration, the resistance of the orientation control film can be reduced without performing any of chemical doping, electrochemical doping, addition of a charge transfer complex, and addition of conductive fine particles to the orientation control film. Can be achieved.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】本発明は、配向制御膜(配向膜)
の低抵抗化を図る上で障害となる前述の問題点を解決す
るために、導電性を有する高分子(以下、タイプNの高
分子と略す)と、絶縁性の高分子(以下、タイプPの高
分子と略す)を混在させて配向制御膜を形成することに
より、ドーピング工程を経ることなく、配向制御膜の低
抵抗化と均一配向性を実現するものである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention relates to an alignment control film (alignment film).
In order to solve the above-mentioned problem that is an obstacle in lowering the resistance of a polymer, a polymer having conductivity (hereinafter abbreviated as a polymer of type N) and a polymer having an insulating property (hereinafter, type P) The polymer is abbreviated as above) to form an alignment control film, thereby realizing low resistance and uniform alignment of the alignment control film without going through a doping process.

【0028】 タイプPの高分子としては、電子供与性
の高分子が好ましく、π共役系を持たない高分子、さら
に液晶の配向性を考慮すると、ポリアミドが用いられ
る。
[0028] as a polymer of the type P, the electric children given of the polymer is preferably a polymer that does not have a π-conjugated system, and further consideration of the orientation of the liquid crystal, is needed use is made of Polyamide.

【0029】 また、タイプNの高分子としては、電
受容性の高分子が好ましく、π共役系を有するポリピリ
ジン系高分子、即ちポリピリジン及びその誘導体が用
られる。
Further, as the polymer type N, preferably electron-accepting polymer, Poripiri having π-conjugated system
Jin polymer, i.e. polypyridine and its derivatives are needed use.

【0030】本発明において、タイプNの高分子とタイ
プPの高分子からなる配向制御膜の導電率はタイプNの
高分子単独からなる膜の導電率よりも高い。またタイプ
Nの高分子がπ共役系を持ち、タイプPの高分子がπ共
役系を持たない組み合わせにおいては、配向制御膜は、
該π共役系を持つ高分子の1π結合あたりのπ−π*
移に基づく光学吸収が該π結合を持たない高分子を添加
することにより増大している。
In the present invention, the conductivity of the orientation control film composed of the type N polymer and the type P polymer is higher than the conductivity of the film composed of the type N polymer alone. In a combination in which the polymer of type N has a π-conjugated system and the polymer of type P does not have a π-conjugated system,
The optical absorption based on the π-π * transition per 1π bond of the polymer having a π conjugate system is increased by adding a polymer having no π bond.

【0031】 本発明においては、混合が容易であると
いう点から、ポリアミドとポリピリジン又はその誘導体
とを組み合わせて用いる。
[0031] In the present invention, from the viewpoint of mixed-is easy, Ru used in combination with polyamide and polypyridine or a derivative thereof.

【0032】 本発明における低抵抗化機構の詳細は明
確にされてはいないが、以下のような要因により低抵抗
化が達成されていると推察される
Although the details of the mechanism for lowering the resistance in the present invention have not been clarified, it is inferred that the lowering of resistance has been achieved due to the following factors .

【0033】要因1(両樹脂間の電荷移動による効率的
な導電キャリアの発生) ポリピリジンはピリジン環の窒素中の孤立電子対の強い
電気陰性度から酸化電位が高いために、Pd等のカチオ
ンでしかドープできない。即ち、酸化されにくく還元さ
れ易いため、ナイロン等のポリアミドとの混合では、ポ
リアミド側から電子を引き付けエレクトロンリッチの状
態にあり、一方ポリアミドはプロトンリッチの状態にあ
ると考えられる。
Factor 1 (Efficient generation of conductive carriers due to charge transfer between both resins) Since polypyridine has a high oxidation potential due to the strong electronegativity of the lone pair of electrons in the nitrogen of the pyridine ring, polypyridine is a cation such as Pd. Can only dope. That is, it is considered that the polyamide is in an electron-rich state by attracting electrons from the polyamide side, while the polyamide is in a proton-rich state, when mixed with a polyamide such as nylon because it is not easily oxidized and easily reduced.

【0034】表1にナイロン66とポリチオフェンピリ
ジンの分散混合膜のπ−π*遷移に基づく490nm付
近の吸光度をチオフェンピリジン環(−C42S−C5
3N−)濃度で規格化した値をブレンド重量比に対し
て示す。この吸光度はポリチオフェンピリジンの主鎖上
に分布しているキャリア濃度(電子濃度)に対応してい
るので、このブレンド系においては、ナイロンの含有に
よりポリチオフェンピリジンが分極し、ポリチオフェン
ピリジン単膜よりもキャリア濃度が増加していることが
認められた。
Table 1 shows the absorbance at around 490 nm based on the π-π * transition of a dispersion mixed film of nylon 66 and polythiophene pyridine, based on the thiophene pyridine ring (—C 4 H 2 S—C 5).
The values normalized by the H 3 N-) concentration are shown with respect to the blend weight ratio. Since this absorbance corresponds to the carrier concentration (electron concentration) distributed on the main chain of polythiophene pyridine, in this blend system, the polythiophene pyridine is polarized due to the inclusion of nylon, and the carrier concentration is higher than that of the polythiophene pyridine monolayer. An increase in concentration was observed.

【0035】[0035]

【表1】 [Table 1]

【0036】要因2(発達したキャリア導電経路) よく知られているように、ポリピリジン及びその誘導体
高分子はπ共役高分子であり、その主鎖上に発達した共
役電子の導電経路を有している。一方、ナイロン66を
はじめとするポリアミド樹脂は、一般には絶縁体として
知られているが、300V/cm程度の電界のもとで
は、プロトン(H+)伝導性であることが知られている
(S.Saito,Reports on Progr
ess in Polymer Physics in
Japan,XII,411(1969),D.A.
Seanor,J.Polymer.Sci.A−2,
6,463(1968))。このため、両樹脂を混合し
ても生成したキャリアの伝導経路が分断されることなく
相互に保証しあっていると考えられる。
Factor 2 (Developed Carrier Conduction Path) As is well known, polypyridine and its derivative polymers are π-conjugated polymers and have a conjugated electron conduction path developed on the main chain. I have. On the other hand, polyamide resins such as nylon 66 are generally known as insulators, but are known to be proton (H + ) conductive under an electric field of about 300 V / cm ( S. Saito, Reports on Progr
ess in Polymer Physics in
Japan, XII, 411 (1969); A.
Seeornor, J. et al. Polymer. Sci. A-2,
6,463 (1968)). For this reason, even if both resins are mixed, it is considered that the conduction paths of the generated carriers are mutually guaranteed without being divided.

【0037】以上のように、あたかも両高分子が高分子
電荷移動錯体の如く機能することにより、それぞれの単
独の抵抗率よりも混合化により低抵抗化しているものと
考えられる。
As described above, it is considered that as if both polymers functioned like a polymer charge-transfer complex, the resistivity of each polymer was lower than that of a single polymer by mixing.

【0038】また、カイラルスメクティック液晶の均一
配向性においても、ポリピリジン系高分子、ポリアミド
系高分子は優れた配向性を有しており、中でも、メチレ
ン鎖をその主鎖に有するナイロン系のポリアミド系高分
子は前述したフルオロカーボン末端を持つ液晶化合物を
含む液晶組成物を配向させる上で優れている。また、両
者はm−クレゾール、蟻酸等を共通溶媒としているため
プロセス的にも混合し易いという利点を持っている。
The polypyridine-based polymer and the polyamide-based polymer also have excellent orientation in the uniform orientation of the chiral smectic liquid crystal. Among them, the nylon-based polyamide-based polymer having a methylene chain in its main chain is particularly preferred. The polymer is excellent in aligning a liquid crystal composition containing the above-mentioned liquid crystal compound having a fluorocarbon terminal. In addition, since both use m-cresol, formic acid or the like as a common solvent, they have an advantage that they are easily mixed even in a process.

【0039】尚、本発明はブックシェルフ構造またはそ
れに近い層構造を有する高自発分極型カイラルスメクテ
ィック液晶のスイッチング特性を向上させる点で特に顕
著な効果を持つものであるが、シェブロン構造を有する
カイラルスメクティック液晶においても特に低温側のス
イッチング特性を向上させる点で有効である。また、本
発明は、カイラルスメクティック液晶以外の液晶素子に
おいても、配向膜を低抵抗化するために有効に用いられ
る。
Although the present invention has a particularly remarkable effect in improving the switching characteristics of a highly spontaneously polarized chiral smectic liquid crystal having a bookshelf structure or a layer structure close thereto, a chiral smectic having a chevron structure Liquid crystals are also effective in improving the switching characteristics particularly at low temperatures. Further, the present invention can be effectively used in liquid crystal elements other than the chiral smectic liquid crystal in order to reduce the resistance of the alignment film.

【0040】以下に本発明にかかる液晶素子の例を挙げ
て説明する。
The liquid crystal device according to the present invention will be described below with reference to examples.

【0041】 本発明の液晶素子の構成例を図1に示
す。本発明の液晶素子においては、ガラス基板11a、
11b上に透明電極12a、12b及び配向制御膜14
a、14bが形成され、該配向制御膜14a、14bの
うち少なくとも一方は、前述のタイプNとタイプPの高
分子の混合膜である。好ましくは、タイプPが下記一般
式P−1で表わされる構造のくり返し単位を有するポリ
アミドであり、タイプNが下記一般式P−2で表わされ
る構造のくり返し単位を有するポリピリジン系高分子で
ある。
FIG. 1 shows a configuration example of the liquid crystal element of the present invention. In the liquid crystal device of the present invention, the glass substrate 11a,
11b, the transparent electrodes 12a and 12b and the orientation control film 14
a and 14b are formed, and at least one of the alignment control films 14a and 14b is a mixed film of the above-mentioned type N and type P polymers. Preferably, polypyridine type P is poly <br/> amino-de having a repeating unit of the structure represented by the following general formula P-1, type N is having repeating units of the structure represented by the following general formula P-2 It is a system polymer.

【0042】 一般式P−1 −CONH−(CH2n−NHCO−(CH2m− 一般式P−2 −A−B− (式中、m及びnはそれぞれ同一もしくは異なる1〜1
2のいずれかの整数。Aはピリジン環でBとの結合位は
2位または5位であり、Bはピリジン環、チオフェン
環、ピロール環、フルオレノン環、イソチアナフテンピ
リジン環、フラン環、チオフェンピリジン環のいずれか
であり、チオフェン環、ピロール環は、3位または4位
のプロトンが、アルキル基、アルコキシ基、カルボン酸
エステル基、フェニル基、ナフチル基、アントラセン−
イル基で置換されていてもよい。)
Formula P-1 —CONH— (CH 2 ) n —NHCO— (CH 2 ) m —Formula P-2-AB— (wherein m and n are the same or different and 1 to 1
Any integer of 2. A is a pyridine ring and the bond position with B is at the 2- or 5-position, and B is any of a pyridine ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, a fluorenone ring, an isothianaphthene pyridine ring, a furan ring, and a thiophene pyridine ring. , A thiophene ring or a pyrrole ring, the proton at the 3- or 4-position has an alkyl group, an alkoxy group, a carboxylate group, a phenyl group, a naphthyl group, an anthracene group.
And may be substituted with an yl group. )

【0043】 ここで、P−1で表わされる構造のくり
返し単位を有するポリアミドの重合度は、配向制御能と
可溶性とを考慮すると1000以上100000以下が
好ましい。また、P−2で表わされる構造のくり返し単
位を有するポリピリジン系高分子の重合度は、配向制御
能と可溶性とを考慮すると100以上100000以下
が好ましく、1000以上50000以下がより好まし
い。
[0043] Here, the polymerization degree of polyamide-de having a repeating unit of structure represented by P-1 is preferably 1000 to 100,000 in consideration the orientation control performance and solubility. The degree of polymerization of the polypyridine-based polymer having the repeating unit having the structure represented by P-2 is preferably from 100 to 100,000, more preferably from 1,000 to 50,000, in consideration of the ability to control the orientation and the solubility.

【0044】 また、本発明においてポリアミドとポリ
ピリジン系高分子との重量比は、低抵抗化の点から5:
95〜45:55とすることが好ましく、15:85〜
35:65とすることがより好ましい。
In the present invention, the weight ratio between the polyamide and the polypyridine-based polymer is 5:
95:45:55, preferably 15:85
More preferably, the ratio is 35:65.

【0045】尚、本発明においては、配向制御膜14
a、14bと透明電極12a、12bとの間に、酸化シ
リコン、酸化タンタル等をスパッタや蒸着で設けた絶縁
膜13a、13bを設けても良い。
In the present invention, the orientation control film 14 is used.
Insulating films 13a and 13b in which silicon oxide, tantalum oxide, or the like is provided by sputtering or vapor deposition may be provided between the transparent electrodes 12a and 12b.

【0046】上記基板をシリカビーズ等のスペーサ16
を介してシール材を用いて貼り合わせ、セルを作製す
る。このセルに液晶組成物15を毛細管現象等を用いて
注入し、本発明の液晶素子が作製される。
The above substrate is used as a spacer 16 made of silica beads or the like.
Are bonded using a sealing material through to form a cell. The liquid crystal composition 15 is injected into this cell by using a capillary phenomenon or the like, whereby the liquid crystal element of the present invention is manufactured.

【0047】液晶組成物15としては、ネマティック液
晶組成物、カイラルスメクティック液晶組成物などが用
いられるが、特にカイラルスメクティック液晶組成物を
用いることにより、反電場抑制の点で大きな効果が得ら
れる。
As the liquid crystal composition 15, a nematic liquid crystal composition, a chiral smectic liquid crystal composition, or the like is used. Particularly, by using the chiral smectic liquid crystal composition, a great effect can be obtained in terms of suppressing an anti-electric field.

【0048】本発明において、用いる液晶組成物として
は、好ましくはフルオロカーボン末端部分及び炭化水素
末端部分を有し、該両末端部分が中心核によって結合さ
れ、スメクティック中間相又は潜在的スメクティック中
間相を持つフッ素含有液晶化合物を含有するものが望ま
しい。
In the present invention, the liquid crystal composition to be used preferably has a fluorocarbon terminal portion and a hydrocarbon terminal portion, and the both terminal portions are bound by a central nucleus and have a smectic intermediate phase or a potential smectic intermediate phase. Those containing a fluorine-containing liquid crystal compound are desirable.

【0049】一般的に、本発明で用いられるフッ素含有
液晶化合物は、中心核を有し、該中心核は、少なくとも
2つの、芳香族環、複素芳香族環、脂肪族環、又は置換
芳香族環、もしくは置換脂肪族環から選ばれ、これらの
環は互いに−COO−、−COS−、−HC=N−、−
COSe−から選ばれる官能基によって結合されていて
もよい。これらの環は縮合していても、縮合していなく
てもよい。複素芳香族環中のヘテロ原子はN、O、又は
Sから選ばれる少なくとも一つの原子を含む。脂肪族環
中の隣接していないメチレン基はOによって置換されて
いてもよい。
In general, the fluorine-containing liquid crystal compound used in the present invention has a central nucleus, and the central nucleus has at least two aromatic rings, heteroaromatic rings, aliphatic rings, or substituted aromatic rings. Or a substituted aliphatic ring, and these rings are mutually -COO-, -COS-, -HC = N-,-
It may be bonded by a functional group selected from COSe-. These rings may be fused or unfused. Heteroatoms in the heteroaromatic ring include at least one atom selected from N, O, or S. Non-adjacent methylene groups in the aliphatic ring may be replaced by O.

【0050】前記フッ素含有液晶化合物としては、フル
オロカーボン末端部分が、−D1−Cxa2xa−Xで表わ
される基、(但し、上記式中xaは1〜20であり、X
は−H又は−Fを表わし、D1は、−CO−O−(C
2ra−、−O−(CH2ra−、−(CH2ra−、
−O−SO2−、−SO2−、−SO2−(CH2ra−、
−O−(CH2ra−O−(CH2rb−、−(CH2
ra−N(Cpa2pa+1)−SO2−、又は−(CH2ra
−N(Cpa2pa+1)−CO−を表わす。ra及びrb
は、独立に1〜20であり、paは0〜4である。)、
或いは、−D2−(Cxb2xb−O)za−Cya2ya+1
表わされる基、(但し、上記式中xbはそれぞれの(C
xb2xb−O)に独立に1〜10であり、yaは、1〜
10であり、zaは1〜10であり、D2は、−CO−
O−Crc2rc、−O−Crc2rc−、−Crc2rc−、
−O−(Csa2sa−O)ta−Crd2rd−、−O−SO
2−、−SO2−、−SO2−Crc2rc−、−Crc2rc
−N(Cpb2pb+1)−SO2−、−Crc2rc−N(C
pb2pb+1)−CO−、単結合から選ばれ、rc及びr
dはそれぞれ独立に1〜20であり、saはそれぞれの
(Csa2sa−O)に独立に1〜10であり、taは1
〜6であり、pbは0〜4である。)であるような化合
物を用いることができる。
In the fluorine-containing liquid crystal compound, the terminal portion of the fluorocarbon is a group represented by -D 1 -C xa F 2xa -X (provided that xa is 1 to 20;
It represents -H or -F, D 1 is, -CO-O- (C
H 2) ra -, - O- (CH 2) ra -, - (CH 2) ra -,
-O-SO 2 -, - SO 2 -, - SO 2 - (CH 2) ra -,
-O- (CH 2) ra -O- ( CH 2) rb -, - (CH 2)
ra -N (C pa H 2pa + 1) -SO 2 -, or - (CH 2) ra
-N (C pa H 2pa + 1 ) represents the -CO-. ra and rb
Is independently 1 to 20, and pa is 0 to 4. ),
Alternatively, a group represented by -D 2- (C xb F 2xb -O) za -C ya F 2ya + 1 (where xb is each of (C
xb F 2xb -O) is independently 1 to 10, and ya is 1 to
10, za is 1 to 10, and D 2 is -CO-
O-C rc H 2rc, -O -C rc H 2rc -, - C rc H 2rc -,
-O- (C sa H 2sa -O) ta -C rd H 2rd -, - O-SO
2 -, - SO 2 -, - SO 2 -C rc H 2rc -, - C rc H 2rc
-N (C pb H 2pb + 1 ) -SO 2 -, - C rc H 2rc -N (C
pb H 2pb + 1) -CO-, selected from a single bond, rc and r
d is independently 1 to 20, sa is independently 1 to 10 for each (C sa H 2sa -O), and ta is 1
And pb is 0-4. ) Can be used.

【0051】特に好ましくは、下記一般式(I)、或い
は(II)で表わされるフッ素含有液晶化合物を用いる
ことができる。
Particularly preferably, a fluorine-containing liquid crystal compound represented by the following general formula (I) or (II) can be used.

【0052】[0052]

【化3】 を表わす。Embedded image Represents

【0053】ga、ha、iaは独立に0〜3の整数
(但し、ga+ha+iaは少なくとも2である)を表
わす。
Ga, ha and ia each independently represent an integer of 0 to 3 (provided that ga + ha + ia is at least 2).

【0054】夫々のL1とL2は独立に、単結合、−CO
−O−、−O−CO−、−COS−、−S−CO−、−
CO−Se−、−Se−CO−、−CO−Te−、−T
e−CO−、−CH2CH2−、−CH=CH−、−C≡
C−、−CH=N−、−N=CH−、−CH2−O−、
−O−CH2−、−CO−又は−O−を表わす。
Each of L 1 and L 2 is independently a single bond, —CO
-O-, -O-CO-, -COS-, -S-CO-,-
CO-Se-, -Se-CO-, -CO-Te-, -T
e-CO -, - CH 2 CH 2 -, - CH = CH -, - C≡
C -, - CH = N - , - N = CH -, - CH 2 -O-,
-O-CH 2 -, - CO- or represent -O-.

【0055】夫々のX1、Y1、Z1はA1、A2、A3の置
換基であり、独立に−H、−Cl、−F、−Br、−
I、−OH、−OCH3、−CH3、−CN、又は−NO
2を表わし、夫々のja、ma、naは独立に0〜4の
整数を表わす。
Each of X 1 , Y 1 and Z 1 is a substituent of A 1 , A 2 and A 3 and independently represents —H, —Cl, —F, —Br,
I, -OH, -OCH 3, -CH 3, -CN, or -NO
2 and each of ja, ma and na independently represents an integer of 0-4.

【0056】J1は、−CO−O−(CH2ra−、−O
−(CH2ra−、−(CH2ra−、−O−SO2−、
−SO2−、−SO2−(CH2ra−、−O−(CH2
ra−O−(CH2rb−、−(CH2ra−N(Cpa
2pa+1)−SO2−、又は−(CH2ra−N(Cpa
2pa+1)−CO−を表わす。ra及びrbは、独立に1
〜20であり、paは0〜4である。
J 1 is —CO—O— (CH 2 ) ra —, —O
- (CH 2) ra -, - (CH 2) ra -, - O-SO 2 -,
-SO 2 -, - SO 2 - (CH 2) ra -, - O- (CH 2)
ra -O- (CH 2) rb - , - (CH 2) ra -N (C pa H
2pa + 1) -SO 2 -, or - (CH 2) ra -N ( C pa H
2pa + 1 ) represents -CO-. ra and rb are independently 1
-20 and pa is 0-4.

【0057】R1は、−O−Cqa2qa−O−Cqb
2qb+1、−Cqa2qa−O−Cqb2qb+1、−Cqa2qa
3、−O−Cqa2qa−R3、−CO−O−Cqa2qa
3、又は−O−CO−Cqa2qa−R3を表わし、直鎖
状、分岐状のいずれであっても良い(但し、R3は、−
O−CO−Cqb2qb+1、−CO−O−Cqb2qb+1、−
H、−Cl、−F、−CF3、−NO2、−CNを表わ
し、qa及びqbは独立に1〜20である)。
R 1 is -OC qa H 2qa -OC qb H
2qb + 1, -C qa H 2qa -O-C qb H 2qb + 1, -C qa H 2qa -
R 3, -O-C qa H 2qa -R 3, -CO-O-C qa H 2qa -
R 3 or —O—CO—C qa H 2qa —R 3 , which may be linear or branched (where R 3 is-
O-CO-C qb H 2qb + 1, -CO-O-C qb H 2qb + 1, -
H, -Cl, -F, -CF 3 , -NO 2, represents a -CN, qa and qb are 20 independently).

【0058】R2はCxa2xa−Xを表わす(Xは−H又
は−Fを表わし、xaは1〜20の整数である)。
R 2 represents C xa F 2xa -X (X represents -H or -F, and xa is an integer of 1 to 20).

【0059】[0059]

【化4】 を表わす。Embedded image Represents

【0060】gb、hb、ibはそれぞれ独立に0〜3
の整数(但し、gb+hb+ibは少なくとも2であ
る)を表わす。
Gb, hb and ib are each independently 0 to 3
(Where gb + hb + ib is at least 2).

【0061】夫々のL3、L4は独立に、単結合、−CO
−O−、−O−CO−、−CO−S−、−S−CO−、
−CO−Se−、−Se−CO−、−CO−Te−、−
Te−CO−、−(CH2CH2ka−(kaは1〜
4)、−CH=CH−、−C≡C−、−CH=N−、−
N=CH−、−CH2−O−、−O−CH2−、−CO−
又は−O−を表わす。
Each of L 3 and L 4 is independently a single bond, -CO
-O-, -O-CO-, -CO-S-, -S-CO-,
-CO-Se-, -Se-CO-, -CO-Te-,-
Te-CO -, - (CH 2 CH 2) ka - (ka is 1
4), -CH = CH-, -C≡C-, -CH = N-,-
N = CH -, - CH 2 -O -, - O-CH 2 -, - CO-
Or -O-.

【0062】夫々のX2、Y2、Z2はA4、A5、A6の置
換基であり、独立に−H、−Cl、−F、−Br、−
I、−OH、−OCH3、−CH3、−CF3、−O−C
3、−CN、又は−NO2を表わし、夫々のjb、m
b、nbは独立に0〜4の整数を表わす。
Each of X 2 , Y 2 and Z 2 is a substituent of A 4 , A 5 and A 6 and independently represents —H, —Cl, —F, —Br,
I, -OH, -OCH 3, -CH 3, -CF 3, -O-C
F 3 , —CN, or —NO 2 , and each jb, m
b and nb each independently represent an integer of 0 to 4;

【0063】J2は、−CO−O−Crc2rc−、−O−
rc2rc−、−Crc2rc−、−O−(Csa2sa
O)ta−Crd2rd−、−O−SO2−、−SO2−、−
SO2−Crc2rc−、−Crc2rc−N(Cpb2pb+1
−SO2−、−Crc2rc−N(Cpb2pb+1)−CO−
であり、rc及びrdは独立に1〜20であり、saは
それぞれの(Csa2sa−O)に独立に1〜10であ
り、taは1〜6であり、pbは0〜4である。
J 2 is —CO—O—C rc H 2rc —, —O—
C rc H 2rc -, - C rc H 2rc -, - O- (C sa H 2sa -
O) ta -C rd H 2rd- , -O -SO 2- , -SO 2 -,-
SO 2 -C rc H 2rc -, - C rc H 2rc -N (C pb H 2pb + 1)
-SO 2 -, - C rc H 2rc -N (C pb H 2pb + 1) -CO-
Where rc and rd are independently 1-20, sa is independently 1-10 for each (C sa H 2sa -O), ta is 1-6, pb is 0-4. is there.

【0064】R4は、−O−(Cqc2qc−O)wa−Cqd
2qd+1、−(Cqc2qc−O)wa−Cqd2qd+1、−C
qc2qc−R6、−O−Cqc2qc−R6、−CO−O−C
qc2qc−R6、又は−O−CO−Cqc2qc−R6を表わ
し、直鎖状、分岐状のいずれであっても良い(但し、R
6は−O−CO−Cqd2qd+1、−CO−O−Cqd
2qd+1、−Cl、−F、−CF3、−NO2、−CN、又
は−Hを表わし、qc及びqdは独立に1〜20の整
数、waは1〜10の整数である)。
R 4 is -O- (C qc H 2qc -O) wa- C qd
H 2qd + 1, - (C qc H 2qc -O) wa -C qd H 2qd + 1, -C
qc H 2qc -R 6 , -OC qc H 2qc -R 6 , -CO- OC
qc H 2qc -R 6, or represents -O-CO-C qc H 2qc -R 6, linear, may be either branched (Here, R
6 is -O-CO-C qd H 2qd + 1, -CO-O-C qd H
2qd + 1, -Cl, -F, -CF 3, -NO 2, represents -CN, or -H, qc and qd are independently an integer of 1 to 20, the wa is an integer of 1 to 10).

【0065】R5は、(Cxb2xb−O)za−Cya
2ya+1で表わされる(但し、上記式中xbはそれぞれの
(Cxb2xb−O)に独立に1〜10であり、yaは1
〜10であり、zaは1〜10である)。
R 5 is (C xb F 2xb -O) za -C ya F
2ya + 1 is represented by (wherein, the formula xb is 1 to 10 independently of each (C xb F 2xb -O), ya is 1
And za is 1-10).

【0066】上記一般式(I)で表わされる化合物は、
特開平2−142753号公報、米国特許第5,08
2,587号に記載の方法によって得ることができる。
かかる化合物の具体例を以下に列挙する。
The compound represented by the above general formula (I)
JP-A-2-142755, U.S. Pat.
2,587.
Specific examples of such compounds are listed below.

【0067】[0067]

【化5】 Embedded image

【0068】[0068]

【化6】 Embedded image

【0069】[0069]

【化7】 Embedded image

【0070】[0070]

【化8】 Embedded image

【0071】[0071]

【化9】 Embedded image

【0072】[0072]

【化10】 Embedded image

【0073】[0073]

【化11】 Embedded image

【0074】[0074]

【化12】 Embedded image

【0075】[0075]

【化13】 Embedded image

【0076】[0076]

【化14】 Embedded image

【0077】[0077]

【化15】 Embedded image

【0078】[0078]

【化16】 Embedded image

【0079】上記一般式(II)で表わされる化合物
は、国際公開WO93/22396、特表平7−506
368号公報に記載の方法によって得ることができる。
かかる化合物の具体例を以下に列挙する。
The compound represented by the above general formula (II) is described in WO 93/22396, JP-T-Hei 7-506.
368 can be obtained.
Specific examples of such compounds are listed below.

【0080】[0080]

【化17】 Embedded image

【0081】[0081]

【化18】 Embedded image

【0082】[0082]

【化19】 Embedded image

【0083】[0083]

【化20】 Embedded image

【0084】[0084]

【化21】 Embedded image

【0085】また、本発明において用いられるカイラル
スメクティック液晶組成物は例えば、以下に示すような
カイラル部位を持つ化合物を含有している。
The chiral smectic liquid crystal composition used in the present invention contains, for example, a compound having a chiral moiety as shown below.

【0086】[0086]

【化22】 Embedded image

【0087】[0087]

【化23】 Embedded image

【0088】[0088]

【化24】 Embedded image

【0089】[0089]

【化25】 Embedded image

【0090】[0090]

【化26】 Embedded image

【0091】[0091]

【化27】 Embedded image

【0092】[0092]

【化28】 Embedded image

【0093】[0093]

【化29】 Embedded image

【0094】[0094]

【化30】 Embedded image

【0095】[0095]

【化31】 Embedded image

【0096】これら化合物は、単一で又は複数の混合系
の形でカイラルスメクティック液晶組成物の母剤として
用いる。
These compounds are used as a matrix of a chiral smectic liquid crystal composition in the form of a single compound or a mixture of plural compounds.

【0097】本発明で用いるカイラルスメクティック液
晶組成物には、化合物同士の相溶性、層間隔等の制御に
応じて前記以外のカイラル化合物、アキラル化合物を含
む種々の他の液晶性化合物を適宜選択して用いる。特
に、前述したようなフルオロカーボン末端部分を有する
化合物を必須成分とした上で、カイラル化合物の配合比
率をその種類に応じて適宜設定する。例えば、カイラル
化合物は0.5〜50重量%程度の範囲内で配合する。
また、カイラル化合物として、フッ素系末端部分を有し
ないものを用いる場合、当該カイラル化合物の配合比率
は、ベースとなるフルオロカーボン末端部分を有する化
合物との相溶性を考慮して0.1〜10重量%とするこ
とが好ましい。また酸化防止剤、紫外線吸収剤、色素、
顔料等の添加剤が含有されていてもよい。
In the chiral smectic liquid crystal composition used in the present invention, various other liquid crystal compounds including chiral compounds and achiral compounds other than those described above are appropriately selected according to the control of the compatibility between the compounds and the layer spacing. Used. In particular, the compound having a fluorocarbon terminal as described above is used as an essential component, and the compounding ratio of the chiral compound is appropriately set according to the type. For example, the chiral compound is blended in a range of about 0.5 to 50% by weight.
When a compound having no fluorine-based terminal portion is used as the chiral compound, the mixing ratio of the chiral compound is 0.1 to 10% by weight in consideration of compatibility with the compound having a base fluorocarbon terminal portion. It is preferable that Also antioxidants, UV absorbers, dyes,
An additive such as a pigment may be contained.

【0098】 次に一般式P−1で示されるポリアミ
くり返し単位の構造式例を示す。
[0098] made of Polyamide, which then represented by the general formula P-1
The structural formula example of a repeating unit is shown.

【0099】[0099]

【化32】 Embedded image

【0100】次に一般式P−2で示されるポリピリジン
系高分子のくり返し単位の構造式例を示す。
Next, structural examples of the repeating unit of the polypyridine polymer represented by the general formula P-2 will be shown.

【0101】[0101]

【化33】 Embedded image

【0102】[0102]

【実施例】以下具体的な実施例及び比較例を示す。ま
ず、本実施例及び比較例における各評価方法を示す。
EXAMPLES Specific examples and comparative examples are shown below. First, each evaluation method in this example and a comparative example will be described.

【0103】[均一配向性の評価]配向(層法線方向)
の均一性はSmA相における最暗状態の透過率を検光子
と偏光子の偏光軸をクロスニコルで測定し、検光子と偏
光子の偏光軸をパラニコルにした時の透過光量で規格化
したTdというパラメータで評価した。これは100%
を上限として、絶対値が小さいことが望ましい。
[Evaluation of Uniform Orientation] Orientation (Normal direction of layer)
The uniformity of T was obtained by measuring the transmittance in the darkest state in the SmA phase by measuring the polarization axes of the analyzer and the polarizer with crossed Nicols, and standardizing the transmission light amount when the polarization axes of the analyzer and the polarizer were paranicoles. The evaluation was performed using the parameter d . This is 100%
It is desirable that the absolute value be small, with the upper limit being.

【0104】Td=Ic/Ipc=偏光子−検光子をクロスニコルにした時の最暗位
の透過光量 Ip=偏光子−検光子をパラニコルにした時の最暗位の
透過光量 [膜の抵抗率の評価]コーニング社製の♯7059基板
をトリクロロエチレン、アセトン、エタノール、純水で
それぞれ超音波洗浄し、最後に純水洗浄を行い、乾燥窒
素雰囲気下で乾燥したものを用意し、その基板上に配向
制御膜材溶液をスピンコート等により100Åの膜厚に
なるように塗布焼成した後、櫛歯型対向形状の金電極を
抵抗加熱で300Å蒸着し、シート方向の抵抗測定を行
い、体積抵抗を求めた(温度25℃、湿度55%)。ま
た体積抵抗は、同じくコーニング社製の♯7059基板
上にITOを700Å蒸着した基板を用いて前述と同様
な方法で1000Åの膜厚になるよう配向制御膜を塗布
焼成した後、リング状の金電極を抵抗加熱蒸着で300
Åで形成し、膜厚方向の抵抗を測定することによっても
求められる。
T d = I c / I p I c = the darkest transmitted light quantity when the polarizer-analyzer is crossed Nicol I p = the darkest transmitted light when the polarizer-analyzer is paranicol Transmitted light amount [Evaluation of film resistivity] Corning's # 7059 substrate was subjected to ultrasonic cleaning with trichloroethylene, acetone, ethanol, and pure water respectively, and finally washed with pure water and dried under a dry nitrogen atmosphere. After preparing and sintering an alignment control film material solution on the substrate to a thickness of 100 ° by spin coating or the like, a comb-shaped counter-shaped gold electrode is vapor-deposited by resistance heating at 300 °, and the resistance in the sheet direction is set. The measurement was performed to determine the volume resistance (temperature: 25 ° C., humidity: 55%). Further, a volume resistance is determined by coating and baking an orientation control film to a thickness of 1000 ° by a method similar to the above using a substrate obtained by vapor-depositing ITO on a 7059 substrate manufactured by Corning Co., Ltd. Electrode 300 by resistance heating evaporation
It can also be determined by measuring the resistance in the film thickness direction by forming with Å.

【0105】[駆動特性評価]また、液晶の電界応答に
対する反電場の影響の評価は、10℃で図2に示すよう
なリセットパルスと両極性パルスを含む動作パルスをV
1とV4の電圧を4V/minで0V→40V→0Vと変
化させながら1秒おきに印加し、V4印加終了後800
msecでの透過率を求め、その結果得られた電圧−透
過率曲線の50%透過条件から反転閾値電圧を求めた。
この時0V→40Vの過程での上記反転閾値電圧を
12、40V→0Vの過程での上記反転閾値電圧をV21
とした場合の反転閾値の差 VH=V12−V21 をもってヒステリシス電圧とした。
[Evaluation of Driving Characteristics] In addition, the evaluation of the influence of the anti-electric field on the electric field response of the liquid crystal was performed at 10 ° C. by applying an operation pulse including a reset pulse and a bipolar pulse shown in FIG.
A voltage of 1 and V 4 is applied to the 1-second intervals while changing the 0V → 40V → 0V at 4V / min, V 4 is applied after the end of 800
The transmittance at msec was determined, and the inversion threshold voltage was determined from the 50% transmission condition of the resulting voltage-transmittance curve.
At this time, the inversion threshold voltage in the process of 0V → 40V is V 12 , and the inversion threshold voltage in the process of 40V → 0V is V 21
The hysteresis voltage is defined as the difference V H = V 12 −V 21 between the inversion thresholds when

【0106】[実施例1]本実施例の液晶素子は下記の
ようにして作製した。
[Example 1] The liquid crystal element of this example was manufactured as follows.

【0107】コーニング社製の♯7059基板をトリク
ロロエチレン、アセトン、エタノール、純水でそれぞれ
超音波洗浄し、最後に純水洗浄を行い、乾燥窒素雰囲気
下で乾燥した上に、重合度5000のナイロン66と重
合度2000のポリチオフェンピリジン(PTpy)の
混合蟻酸溶液をスピンコートした。塗布溶液はナイロン
66とPTpyの固形分比を25:75となるように調
整した0.5重量%の蟻酸溶液を用意した。スピン条件
は2000rpm、20秒で行なった。この基板を、8
0℃のオーブン中で5分間溶剤乾燥を行なった後、18
0℃のオーブン中で1時間の加熱焼成を行った。得られ
た混合膜の膜厚は約100Åであった。
A Corning # 7059 substrate was ultrasonically washed with trichloroethylene, acetone, ethanol, and pure water, and finally washed with pure water, dried in a dry nitrogen atmosphere, and dried with nylon 66 having a polymerization degree of 5000. And a mixed formic acid solution of polythiophene pyridine (PTpy) having a polymerization degree of 2000 was spin-coated. As a coating solution, a 0.5% by weight formic acid solution prepared by adjusting the solid content ratio of nylon 66 and PTpy to 25:75 was prepared. Spin conditions were set at 2000 rpm for 20 seconds. This substrate is
After drying the solvent in an oven at 0 ° C. for 5 minutes,
The heating and firing were performed in an oven at 0 ° C. for one hour. The thickness of the obtained mixed film was about 100 °.

【0108】次に得られた膜上に歯型の金電極を抵抗加
熱の蒸着法により約300Å設けた後、微小電流計によ
り抵抗値を測定した。この時体積抵抗で、5×107Ω
cmであった。
Next, after a tooth-shaped gold electrode was provided on the obtained film by about 300 ° by a resistance heating evaporation method, the resistance value was measured by a minute ammeter. At this time, the volume resistance is 5 × 10 7 Ω
cm.

【0109】次に透明電極としてスパッタ法により15
00Åの厚さのITO(酸化インジウム錫)を形成した
一対のガラス基板を用意し、その一方の基板上に上述の
混合蟻酸溶液をスピンコートした。この基板を、80℃
のオーブン中で5分間溶剤乾燥した後、180℃のオー
ブン中で1時間、加熱焼成した。得られた混合膜は約1
00Åの厚さで、この膜にローラー押し込み0.4m
m、ローラー回転数1000rpm、基板送り速度5m
m/秒で3回、ラビング処理を施した。ローラーは直径
8cmのローラーにナイロン布を巻いて行なった。
Next, a transparent electrode was formed by sputtering.
A pair of glass substrates on which ITO (indium tin oxide) having a thickness of 00 mm was formed was prepared, and one of the substrates was spin-coated with the above mixed formic acid solution. This substrate is heated at 80 ° C.
After drying the solvent in the oven for 5 minutes, it was heated and baked in an oven at 180 ° C. for 1 hour. The obtained mixed film is about 1
With a thickness of 00mm, the roller is pressed into this membrane 0.4m
m, roller rotation speed 1000 rpm, substrate feed speed 5 m
Rubbing treatment was performed three times at m / sec. The roller was formed by winding a nylon cloth around a roller having a diameter of 8 cm.

【0110】その後、上記一方の基板表面に平均粒径
2.0μmのシリカビーズを0.01重量%で分散させ
たIPA(イソプロピルアルコール)溶液を、1500
rpm、10秒の条件でスピン塗布し、分布密度300
個/mm2程度のビーズスペーサーを散布した。
Then, an IPA (isopropyl alcohol) solution in which silica beads having an average particle size of 2.0 μm were dispersed at 0.01% by weight on the surface of the one substrate was 1500
rpm, spin coating under the condition of 10 seconds, distribution density 300
Bead beads spacers of about pieces / mm 2 were sprayed.

【0111】対向側の基板には、シランカップリング剤
(ODS−E)の0.5重量%濃度エタノール溶液を2
00rpm、20秒の条件でスピンナーで塗布し、垂直
配向処理を施した。その後、180℃のオーブンで1時
間乾燥した。この基板に熱硬化型の液状接着剤を印刷法
により塗工した。
A 0.5% by weight ethanol solution of a silane coupling agent (ODS-E) was applied to the opposite substrate.
The coating was performed with a spinner under the conditions of 00 rpm and 20 seconds, and a vertical alignment treatment was performed. Then, it was dried in an oven at 180 ° C. for 1 hour. A thermosetting liquid adhesive was applied to the substrate by a printing method.

【0112】こうして得られた2枚の基板を対向して貼
り合わせ、150℃のオーブン中で90分間熱硬化さ
せ、セルを形成した。
The two substrates thus obtained were adhered to each other and thermally cured in an oven at 150 ° C. for 90 minutes to form a cell.

【0113】このセルに、以下に述べる液晶組成物を減
圧下(10Pa)、等方相温度(100℃)で注入し、
SmC*相まで徐冷することにより液晶素子とした。
The liquid crystal composition described below was injected into this cell under reduced pressure (10 Pa) at an isotropic phase temperature (100 ° C.).
The liquid crystal element was obtained by gradually cooling to the SmC * phase.

【0114】本実施例に用いた混合液晶組成物を以下に
示す。
The mixed liquid crystal composition used in this example is shown below.

【0115】重量比;化合物A/B/C/D/E=4
6.4/15.5/30.9/5.2/2.0
Weight ratio: Compound A / B / C / D / E = 4
6.4 / 15.5 / 30.9 / 5.2 / 2.0

【0116】[0116]

【化34】 Embedded image

【0117】[0117]

【化35】 Embedded image

【0118】本組成物の物性パラメータを以下に示す。The physical parameters of this composition are shown below.

【0119】[0119]

【数1】 (Equation 1)

【0120】尚、上記ティルト角及び自発分極の測定方
法は以下の通りである。
The measuring methods of the tilt angle and the spontaneous polarization are as follows.

【0121】[ティルト角の測定]±30〜±50V、
1〜100HzのAC(交流)を液晶素子の上下基板間
に電極を介して印加しながら、直交クロスニコル下、そ
の間に配置された液晶素子を偏光板と平行に回転させる
と同時に、フォトマル(浜松フォトニクス(株)製)で
光学応答を検知しながら、第1の消光位(透過率がもっ
とも低くなる位置)及び第2の消光位を求める。そして
この時の第1の消光位から第2の消光位までの角度の1
/2をティルト角とする。
[Measurement of tilt angle] ± 30 to ± 50 V,
While applying an AC (alternating current) of 1 to 100 Hz between the upper and lower substrates of the liquid crystal element via electrodes, the liquid crystal element disposed therebetween is rotated in parallel with the polarizing plate under crossed Nicols, and at the same time, the photomultiplier ( The first extinction position (the position where the transmittance becomes lowest) and the second extinction position are obtained while detecting the optical response with Hamamatsu Photonics Co., Ltd. The angle of the angle from the first extinction position to the second extinction position at this time is 1
/ 2 is the tilt angle.

【0122】[自発分極の測定方法]自発分極は、K.
ミヤサト他「三角波による強誘電性液晶の自発分極の直
接測定方法」(日本応用物理学会誌22、10号(66
1)1983、”Direct Method wit
h Triangular Waves for Me
asuring Spontaneous Polar
ization inFerroelectric L
iquid Crystal ”,as descri
bed by K.Miyasato et al(J
ap.J.Appl.Phys.22.No.10,L
661(1983)))によって測定した。
[Method of Measuring Spontaneous Polarization]
Miyasato et al., "Direct Measurement Method of Spontaneous Polarization of Ferroelectric Liquid Crystal by Triangular Wave" (Journal of the Japan Society of Applied Physics 22, 10 (66)
1) 1983, "Direct Method wit
h Triangular Waves for Me
asuring Spontaneous Polar
Ization in Ferroelectric L
liquid Crystal ", as descri
bed by K. Miyasato et al (J
ap. J. Appl. Phys. 22. No. 10, L
661 (1983))).

【0123】上記カイラルスメクチック液晶セルをメト
ラー社製のFP80HT温度コントローラで制御された
FP82ホットステージ上に乗せ、等方相(90℃)か
らSmA相(50℃)に−1℃/分の降温速度で相転移
させ、クロスニコル下でSmA相における最暗状態を得
てその透過率を測定したところ、パラニコル下での透過
率を100%として、Td=0.50%であった。ま
た、10℃においてパルス幅20μsecの電圧可変で
反転閾値を測定したところ、反転閾値V12と反転閾値V
21の差(VH)は0.3Vであった。
The above chiral smectic liquid crystal cell was placed on an FP82 hot stage controlled by a Mettler FP80HT temperature controller, and the temperature was reduced from the isotropic phase (90 ° C.) to the SmA phase (50 ° C.) at a rate of −1 ° C./min. The darkest state in the SmA phase was obtained under crossed Nicols, and the transmittance thereof was measured. As a result, the transmittance under paranicol was 100%, and Td was 0.50%. When the inversion threshold was measured at 10 ° C. with a variable voltage having a pulse width of 20 μsec, the inversion threshold V 12 and the inversion threshold V were measured.
The difference (V H ) of 21 was 0.3V.

【0124】[比較例1]コーニング社製の♯7059
基板を実施例1と同様な手法で洗浄したものを用意し、
その基板上に重合度5000のナイロン66の1.0重
量%蟻酸溶液をスピンコートした。スピン条件は300
0rpm、20秒で行った。この基板を80℃のオーブ
ン中で5分間溶剤乾燥を行なった後、180℃のオーブ
ン中で1時間、加熱焼成を行った。得られた混合膜の膜
厚は約100Åであった。
[Comparative Example 1] # 7059 manufactured by Corning Incorporated
A substrate was prepared by cleaning it in the same manner as in Example 1,
A 1.0% by weight formic acid solution of nylon 66 having a degree of polymerization of 5,000 was spin-coated on the substrate. Spin condition is 300
The test was performed at 0 rpm for 20 seconds. After drying the substrate in an oven at 80 ° C. for 5 minutes, the substrate was heated and baked in an oven at 180 ° C. for 1 hour. The thickness of the obtained mixed film was about 100 °.

【0125】次に得られた膜上に櫛歯型の金電極を抵抗
加熱の蒸着法により約300Å設けた後、微小電流計に
より抵抗値を測定した。この時体積抵抗で、2×1010
Ωcmであった。
Next, a comb-shaped gold electrode was provided on the obtained film by about 300 ° by a resistance heating evaporation method, and the resistance value was measured by a microammeter. At this time, the volume resistance is 2 × 10 10
Ωcm.

【0126】次に実施例1と同様に、透明電極を形成し
た一対のガラス基板を用意し、その一方の基板上に上記
ナイロン66膜を上述の条件で形成し、実施例1と同様
のラビング処理を施し、他方の基板には実施例1と同様
の垂直配向処理を施してセルを作製した。
Next, as in Example 1, a pair of glass substrates on which transparent electrodes were formed were prepared, and the nylon 66 film was formed on one of the substrates under the above-described conditions. After the treatment, the other substrate was subjected to the same vertical alignment treatment as in Example 1 to produce a cell.

【0127】このセルに、実施例1で用いた液晶組成物
を減圧下(10Pa)、等方相温度(100℃)で注入
し、SmC*相まで徐冷することにより液晶素子とし
た。
The liquid crystal composition used in Example 1 was injected into the cell under reduced pressure (10 Pa) at an isotropic phase temperature (100 ° C.), and was gradually cooled to an SmC * phase to obtain a liquid crystal element.

【0128】この液晶セルを実施例1と同様にして、最
暗状態の透過率を測定したところ、Td=0.45%で
あった。また、10℃においてパルス幅20μsecの
電圧可変で反転閾値を測定したところ、VHは1.5V
であった。
When the transmittance of this liquid crystal cell in the darkest state was measured in the same manner as in Example 1, it was found that T d was 0.45%. When the inversion threshold was measured at 10 ° C. with a variable voltage having a pulse width of 20 μsec, V H was 1.5 V
Met.

【0129】[比較例2]コーニング社製の♯7059
基板を実施例1と同様な手法で洗浄したものを用意し、
その基板上にPTpyの1.0重量%蟻酸溶液を塗布し
た。スピン条件は1000rpm、20秒で行った。こ
の基板を80℃のオーブン中で5分間溶剤乾燥を行った
後、180℃のオーブン中で1時間加熱焼成を行った。
得られた混合膜の膜厚は約100Åであった。
[Comparative Example 2] Corning's # 7059
A substrate was prepared by cleaning it in the same manner as in Example 1,
A 1.0 wt% formic acid solution of PTpy was applied on the substrate. Spin conditions were 1000 rpm for 20 seconds. After drying the substrate in an oven at 80 ° C. for 5 minutes, the substrate was baked for 1 hour in an oven at 180 ° C.
The thickness of the obtained mixed film was about 100 °.

【0130】次に得られた膜上に櫛歯型の金電極を抵抗
加熱の蒸着法により約300Å設けた後、微小電流計に
より抵抗値を測定した。この時体積抵抗で、9×109
Ωcmであった。
Next, a comb-shaped gold electrode was provided on the obtained film by about 300 ° by a resistance heating evaporation method, and the resistance value was measured by a microammeter. At this time, the volume resistance is 9 × 10 9
Ωcm.

【0131】次に実施例1と同様に、透明電極を形成し
た一対のガラス基板を用意し、その一方の基板上に上記
PTpy膜を上述の条件で形成し、実施例1と同様のラ
ビング処理を施し、他方の基板には実施例1と同様の垂
直配向処理を施してセルを作製した。
Next, as in Example 1, a pair of glass substrates on which transparent electrodes were formed were prepared, and the PTpy film was formed on one of the substrates under the above-described conditions. Then, the other substrate was subjected to the same vertical alignment treatment as in Example 1 to produce a cell.

【0132】このセルに、実施例1で用いた液晶組成物
を減圧下(10Pa)、等方相温度(100℃)で注入
し、SmC*相まで徐冷することにより液晶素子とし
た。
The liquid crystal composition used in Example 1 was injected into this cell under reduced pressure (10 Pa) at an isotropic phase temperature (100 ° C.), and was gradually cooled to an SmC * phase to obtain a liquid crystal element.

【0133】この液晶セルを実施例1と同様にして、最
暗状態の透過率を測定したところ、Td=1.85%で
あった。また、10℃においてパルス幅20μsecの
電圧可変で反転閾値を測定したところ、VHは1.0V
であった。
When the transmittance of this liquid crystal cell in the darkest state was measured in the same manner as in Example 1, T d was 1.85%. When the inversion threshold was measured at 10 ° C. with a variable voltage having a pulse width of 20 μsec, V H was 1.0 V
Met.

【0134】[比較例3]コーニング社製の♯7059
基板を実施例1と同様な手法で洗浄したものを用意し、
その基板上にポリイミドの前駆体であるポリアミック酸
LP64(東レ社製)のNMP(Nメチルピロリド
ン):nBC(nブチルセロソルブ)混合溶液をスピン
コートした。塗布溶液はNMP:nBC=2:1の混合
溶液にLP64を1.0重量%となるように調整し、ス
ピン条件は、2700rpm、20秒で行なった。この
基板を80℃のオーブン中で5分間溶剤乾燥を行った
後、200℃のオーブン中で1時間の加熱焼成を行な
い、イミド化した。得られたポリイミド膜の膜厚は約1
00Åであった。
[Comparative Example 3] Corning's # 7059
A substrate was prepared by cleaning it in the same manner as in Example 1,
On that substrate, a mixed solution of polyamic acid LP64 (manufactured by Toray Industries, Ltd.), which is a precursor of polyimide, and NMP (N-methylpyrrolidone): nBC (n-butyl cellosolve) was spin-coated. The coating solution was adjusted to a mixed solution of NMP: nBC = 2: 1 with 1.0% by weight of LP64, and spinning was performed at 2700 rpm for 20 seconds. After drying the substrate in an oven at 80 ° C. for 5 minutes, the substrate was baked for 1 hour in an oven at 200 ° C. to imidize the substrate. The thickness of the obtained polyimide film is about 1
It was 00 $.

【0135】次に得られた膜上に櫛歯型の金電極を抵抗
加熱の蒸着法により約300Å設けた後、微小電流計に
より抵抗値を測定した。この時体積抵抗で、2×1011
Ωcmであった。
Next, a comb-shaped gold electrode was provided on the resulting film by about 300 ° by a resistance heating evaporation method, and the resistance value was measured by a microammeter. At this time, the volume resistance is 2 × 10 11
Ωcm.

【0136】次に実施例1と同様に、透明電極を形成し
た一対のガラス基板を用意し、その一方の基板上に上記
ポリイミド膜を上述の条件で形成し、実施例1と同様の
ラビング処理を施し、他方の基板には実施例1と同様の
垂直配向処理を施してセルを作製した。
Next, as in Example 1, a pair of glass substrates on which transparent electrodes were formed were prepared, and the polyimide film was formed on one of the substrates under the above-described conditions. Then, the other substrate was subjected to the same vertical alignment treatment as in Example 1 to produce a cell.

【0137】このセルに、実施例1で用いた液晶組成物
を減圧下(10Pa)、等方相温度(100℃)で注入
し、SmC*相まで徐冷することにより液晶素子とし
た。
The liquid crystal composition used in Example 1 was injected into this cell under reduced pressure (10 Pa) at an isotropic phase temperature (100 ° C.), and was gradually cooled to an SmC * phase to obtain a liquid crystal element.

【0138】この液晶セルを実施例1と同様にして、最
暗状態の透過率を測定したところ、Td=0.07%で
あった。また、10℃においてパルス幅20μsecの
電圧可変で反転閾値を測定したところ、VHは2.0V
であった。
When the transmittance of this liquid crystal cell in the darkest state was measured in the same manner as in Example 1, it was Td = 0.07%. When the inversion threshold was measured at 10 ° C. with a variable voltage having a pulse width of 20 μsec, V H was 2.0 V
Met.

【0139】実施例1と比較例1〜3の結果を表2に示
す。
Table 2 shows the results of Example 1 and Comparative Examples 1 to 3.

【0140】[0140]

【表2】 [Table 2]

【0141】[実施例2]コーニング社製の♯7059
基板を実施例1と同様に洗浄したものを用意し、一方の
基板上に重合度5000のナイロン66とポリピリジン
(Ppy)の混合蟻酸溶液をスピンコートした。塗布溶
液はナイロン66とPpyの固形分比を25:75とな
るように調整した0.5重量%の蟻酸溶液を用意した。
スピン条件は2000rpm、20秒で行なった。この
基板を80℃のオーブン中で5分間溶剤乾燥を行った
後、180℃のオーブン中で1時間加熱焼成した。得ら
れた混合膜の膜厚は約100Åであった。
Example 2 # 7059 manufactured by Corning Incorporated
A washed substrate was prepared in the same manner as in Example 1, and a mixed formic acid solution of nylon 66 and polypyridine (Ppy) having a degree of polymerization of 5,000 was spin-coated on one of the substrates. As a coating solution, a 0.5% by weight formic acid solution prepared by adjusting the solid content ratio of nylon 66 to Ppy to 25:75 was prepared.
Spin conditions were set at 2000 rpm for 20 seconds. The substrate was dried in an oven at 80 ° C. for 5 minutes and then baked in an oven at 180 ° C. for 1 hour. The thickness of the obtained mixed film was about 100 °.

【0142】次に得られた膜上に櫛歯型の金電極を抵抗
加熱の蒸着法により約300Å設けた後、微小電流計に
より抵抗値を測定した。この時体積抵抗で、9×107
Ωcmであった。
Next, a comb-shaped gold electrode was provided on the obtained film by about 300 ° by a resistance heating evaporation method, and the resistance value was measured by a microammeter. At this time, the volume resistance is 9 × 10 7
Ωcm.

【0143】次に実施例1と同様に、透明電極を形成し
た一対のガラス基板を用意し、両基板上に上記混合膜を
上述の条件で形成し、実施例1と同様のラビング処理を
施し、互いにラビング方向が反平行になるように対向し
て貼り合わせ、セルを作製した。
Next, as in Example 1, a pair of glass substrates on which transparent electrodes were formed were prepared, the mixed film was formed on both substrates under the above-described conditions, and the same rubbing treatment as in Example 1 was performed. Then, they were bonded to each other so that the rubbing directions were antiparallel to each other, thereby producing a cell.

【0144】このセルに、実施例1で用いた液晶組成物
を減圧下(10Pa)、等方相温度(100℃)で注入
し、一方の基板のみを急冷した後、セル全体をSmC*
相まで徐冷することにより液晶素子とした。
The liquid crystal composition used in Example 1 was injected into this cell under reduced pressure (10 Pa) at an isotropic phase temperature (100 ° C.), and only one of the substrates was rapidly cooled .
The liquid crystal element was obtained by gradually cooling to the phase.

【0145】この液晶セルを実施例1と同様にして、最
暗状態の透過率を測定したところ、Td=0.50%で
あった。また、10℃においてパルス幅20μsecの
電圧可変で反転閾値を測定したところ、VHは0.5V
であった。
When the transmittance of this liquid crystal cell in the darkest state was measured in the same manner as in Example 1, it was Td = 0.50%. When the inversion threshold was measured at 10 ° C. with a variable voltage having a pulse width of 20 μsec, V H was 0.5 V
Met.

【0146】[比較例4]コーニング社製の♯7059
基板を実施例1と同様な手法で洗浄したものを用意し、
その基板上に重合度5000のナイロン6の1.0重量
%蟻酸溶液を塗布した。スピン条件は2000rpm、
20秒で行なった。この基板を80℃のオーブン中で5
分間溶剤乾燥を行った後、180℃のオーブン中で1時
間加熱焼成した。得られたナイロン膜の膜厚は約100
Åであった。
[Comparative Example 4] # 7059 manufactured by Corning Incorporated
A substrate was prepared by cleaning it in the same manner as in Example 1,
A 1.0% by weight formic acid solution of nylon 6 having a degree of polymerization of 5000 was applied onto the substrate. Spin conditions are 2000 rpm,
Performed in 20 seconds. This substrate is placed in an oven at 80 ° C. for 5 minutes.
After drying the solvent for 1 minute, it was heated and baked in an oven at 180 ° C. for 1 hour. The thickness of the obtained nylon film is about 100
Was Å.

【0147】次に得られた膜上に櫛歯型の金電極を抵抗
加熱の蒸着法により約300Å設けた後、微小電流計に
より抵抗値を測定した。この時体積抵抗で、1.5×1
10Ωcmであった。
Next, a comb-shaped gold electrode was provided on the resulting film by about 300 ° by a resistance heating evaporation method, and the resistance value was measured by a microammeter. At this time, the volume resistance is 1.5 × 1
It was 0 10 Ωcm.

【0148】次に実施例1と同様に、透明電極を形成し
た一対のガラス基板を用意し、両基板上に上記ナイロン
膜を上述の条件で形成し、実施例1と同様のラビング処
理を施し、互いにラビング方向が逆方向になるように対
向して貼り合わせ、セルを作製した。
Next, in the same manner as in Example 1, a pair of glass substrates on which transparent electrodes were formed were prepared, the nylon film was formed on both substrates under the above-described conditions, and the same rubbing treatment as in Example 1 was performed. Then, the rubbing directions were opposed to each other so as to be opposite to each other, and a cell was produced.

【0149】このセルに、実施例1で用いた液晶組成物
を減圧下(10Pa)、等方相温度(100℃)で注入
し、一方の基板のみを急冷した後、セル全体をSmC*
相まで徐冷することにより液晶素子とした。
The liquid crystal composition used in Example 1 was injected into this cell under reduced pressure (10 Pa) at an isotropic phase temperature (100 ° C.), and only one of the substrates was rapidly cooled .
The liquid crystal element was obtained by gradually cooling to the phase.

【0150】この液晶セルを実施例1と同様にして、最
暗状態の透過率を測定したところ、Td=1.5%であ
った。また、10℃においてパルス幅20μsecの電
圧可変で反転閾値を測定したところ、VHは2.8Vで
あった。
When the transmittance of this liquid crystal cell in the darkest state was measured in the same manner as in Example 1, Td was 1.5%. When the inversion threshold was measured at 10 ° C. with a variable voltage having a pulse width of 20 μsec, V H was 2.8 V.

【0151】実施例2と比較例4の結果を表3に示す。Table 3 shows the results of Example 2 and Comparative Example 4.

【0152】[0152]

【表3】 [Table 3]

【0153】[実施例3]ポリチオフェンピリジンに代
えて重合度2000のポリピリジンを用いたこと以外
は、実施例1と同様にして液晶素子を作成した。この液
晶素子について実施例1同様の評価を行ったところ、体
積比抵抗は8×107Ωcmであった。Td=0.20%
であった。また、VHは0.3Vであった。
[Example 3] A liquid crystal device was prepared in the same manner as in Example 1 except that polypyridine having a polymerization degree of 2000 was used instead of polythiophenepyridine. When the same evaluation as in Example 1 was performed for this liquid crystal element, the volume resistivity was 8 × 10 7 Ωcm. T d = 0.20%
Met. V H was 0.3 V.

【0154】[0154]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
良好な導電性を示す配向制御膜を有する液晶素子を提供
することができる。特に配向制御膜に導電性微粒子やド
ーバントを導入することなく、ブックシュルフ或いはそ
れに近い層傾き角の小さい構造を有する、高コントラス
ト、高輝度のカイラルスメクティック液晶素子において
も従来困難であった、高速スイッチングが実現し、さら
には、フルオロカーボン末端部分を持つ液晶化合物を用
いた液晶素子において、従来問題となっていた反電場成
分を配向制御膜の組成を制御することにより解決し、良
好なスイッチング特性を示す液晶素子が実現した。
As described above, according to the present invention,
A liquid crystal element having an alignment control film exhibiting good conductivity can be provided. In particular, high-contrast, high-brightness chiral smectic liquid crystal devices having a structure with a small layer tilt angle close to Bookshelf, without introducing conductive fine particles or dopants into the alignment control film, have been conventionally difficult to achieve. In addition, in a liquid crystal device using a liquid crystal compound having a fluorocarbon terminal portion, a liquid crystal device that has solved the conventional problem of an anti-electric field component by controlling the composition of an alignment control film and has excellent switching characteristics. The device has been realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の液晶素子のセル断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a cell of a liquid crystal element of the present invention.

【図2】本発明の液晶素子の駆動特性である反転閾値の
ヒステリシス量を測定する駆動波形の説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a driving waveform for measuring a hysteresis amount of an inversion threshold, which is a driving characteristic of the liquid crystal element of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11a,11b ガラス基板 12a,12b 透明電極 13a,13b 絶縁膜 14a,14b 配向制御膜 15 カイラルスメクティック液晶 16 ビーズスペーサー 17a,17b 偏光板 11a, 11b Glass substrate 12a, 12b Transparent electrode 13a, 13b Insulating film 14a, 14b Alignment control film 15 Chiral smectic liquid crystal 16 Bead spacer 17a, 17b Polarizing plate

フロントページの続き (72)発明者 武田 恭明 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 中澤 郁郎 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 朝岡 正信 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 羽生 由紀夫 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平6−75226(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1337 Continued on the front page (72) Inventor Yasuaki Takeda 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Ikuo Nakazawa 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Masanobu Asaoka 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Yukio Hanyu 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (56) References JP-A-6-75226 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G02F 1/1337

Claims (14)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 一対の基板間に液晶組成物を挟持した液
晶素子であって、該一対の基板のうち少なくとも一方の
基板の前記液晶組成物と接する面に配向制御膜が形成さ
れており、該配向制御膜がポリアミドとポリピリジン系
高分子との混合膜からなることを特徴とする液晶素子。
1. A liquid crystal element having a liquid crystal composition sandwiched between a pair of substrates, wherein at least one of the pair of substrates has an alignment control film formed on a surface in contact with the liquid crystal composition, A liquid crystal device, wherein the alignment control film comprises a mixed film of a polyamide and a polypyridine-based polymer.
【請求項2】 前記ポリアミドが下記一般式P−1で表
される構造のくり返し単位を有することを特徴とする請
求項1記載の液晶素子。 一般式P−1 −CONH−(CH2n−NHCO−
(CH2m− (式中、m及びnはそれぞれ同一もしくは異なる1〜1
2のいずれかの整数。)
2. A liquid crystal device according to claim 1, wherein the benzalkonium that having a repeating unit of the structure in which the polyamide is represented by the following general formula P-1. Formula P-1 -CONH- (CH 2) n -NHCO-
(CH 2 ) m − (wherein m and n are the same or different and 1 to 1
Any integer of 2. )
【請求項3】 前記ポリピリジン系高分子が下記一般式
P−2で表される構造のくり返し単位を有するポリピリ
ジン系高分子であることを特徴とする請求項1または2
に記載の液晶素子。 一般式P−2 −A−B− (式中、Aはピリジン環でBとの結合位は2位または5
位であり、Bはピリジン環、チオフェン環、ピロール
環、フルオレノン環、イソチアナフテンピリジン環、フ
ラン環、チオフェンピリジン環のいずれかであり、チオ
フェン環、ピロール環は、3位または4位のプロトン
が、アルキル基、アルコキシ基、カルボン酸エステル
基、フェニル基、ナフチル基、アントラセン−イル基で
置換されていてもよい。)
3. The polypyridine polymer according to claim 1, wherein the polypyridine polymer is a polypyridine polymer having a repeating unit having a structure represented by the following general formula P- 2.
3. The liquid crystal device according to item 1. In the general formula P-2-AB-, wherein A is a pyridine ring and the bonding position with B is 2 or 5
And B is any of a pyridine ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, a fluorenone ring, an isothianaphthene pyridine ring, a furan ring, and a thiophene pyridine ring. May be substituted with an alkyl group, an alkoxy group, a carboxylic ester group, a phenyl group, a naphthyl group, or an anthracen-yl group. )
【請求項4】 前記配向制御膜に一軸配向処理が施され
ている請求項1乃至のいずれかに記載の液晶素子。
4. A liquid crystal device according to any one of claims 1 to 3 uniaxial aligning treatment in the orientation control layer has been subjected.
【請求項5】 前記液晶組成物がカイラルスメクティッ
ク液晶組成物である請求項1乃至のいずれかに記載の
液晶素子。
5. A liquid crystal device according to any one of claims 1 to 4 liquid crystal composition is a chiral smectic liquid crystal composition.
【請求項6】 前記液晶組成物がブックシェルフ構造又
はそれに近い層傾きの小さな構造を有している請求項
記載の液晶素子。
Wherein said liquid crystal composition according to claim has a small structure of a bookshelf structure or near layer inclination 5
The liquid crystal element according to the above.
【請求項7】 前記液晶組成物が強誘電性を有する請求
項1乃至のいずれかに記載の液晶素子。
7. A liquid crystal device according to any one of claims 1 to 6 having the liquid crystal composition is a ferroelectric.
【請求項8】 前記配向制御膜が前記一対の基板の両方
に設けられている請求項1乃至のいずれかに記載の液
晶素子。
8. A liquid crystal device according to any one of claims 1 to 7 wherein the orientation control film is provided on both of the pair of substrates.
【請求項9】 前記配向制御膜が前記一対の基板の一方
のみに設けられている請求項1乃至のいずれかに記載
の液晶素子。
9. The liquid crystal device according to any one of claims 1 to 7 wherein the orientation control film is provided only on one of the pair of substrates.
【請求項10】 前記ポリアミドの重合度が1000以
上100000以下である請求項乃至のいずれかに
記載の液晶素子。
10. A liquid crystal device according to any one of the made of Polyamide with a polymerization degree of 1,000 or more and 100,000 or less claims 1 to 9.
【請求項11】 前記ポリピリジン系高分子の重合度が
1000以上50000以下である請求項乃至1
いずれかに記載の液晶素子。
11. A liquid crystal device according to any one of claims 3 to 1 0 degree of polymerization of 1,000 to 50,000 of the polypyridine polymer.
【請求項12】 前記ポリアミドとポリピリジン系高分
子の重量比が5:95〜45:55である請求項1乃至
のいずれかに記載の液晶素子。
12. the weight ratio of the polyamide and polypyridine polymer is 5: 95-45: 55 a liquid crystal device according to any one of claims 1 to 1 1.
【請求項13】 前記ポリアミドとポリピリジン系高分
子の重量比が15:85〜35:65である請求項1乃
至1のいずれかに記載の液晶素子。
13. the weight ratio of the polyamide and polypyridine polymer is 15: 85-35: 65 a liquid crystal device according to any one of claims 1 to 1 1.
【請求項14】 前記配向制御膜に化学的ドーピング、
電気化学的ドーピング、電荷移動錯体の添加、導電性微
粒子の添加のいずれをも行っていないことを特徴とする
請求項1乃至1のいずれかに記載の液晶素子。
14. A chemical doping method for the alignment control film,
A liquid crystal device according to any one of claims 1 to 1 3, characterized electrochemical doping, that no even doing one of the addition of charge additive of transfer complex, conductive fine particles.
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