JP3209167B2 - Thin film formation method - Google Patents
Thin film formation methodInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、枚葉式の成膜装置
を用いて半導体基板上に薄膜を形成する方法に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a thin film on a semiconductor substrate using a single-wafer type film forming apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の枚葉式成膜装置によるＴＥＯＳ−
Ｏ3 系酸化膜の形成方法を、図５を参照して説明する。
図５は、従来の枚葉式成膜装置を用いてシリコン基板上
にＴＥＯＳ−Ｏ3 系酸化膜を成膜する場合の一連の処理
過程を示すグラフである。なお、同図において、横軸は
処理開始からの経過時間を示し、縦軸は反応室内の圧力
を示す。2. Description of the Related Art A conventional single-wafer type film forming apparatus has a TEOS-
A method for forming an O 3 -based oxide film will be described with reference to FIG.
FIG. 5 is a graph showing a series of processing steps when a TEOS-O 3 -based oxide film is formed on a silicon substrate using a conventional single-wafer-type film forming apparatus. In the figure, the horizontal axis indicates the elapsed time from the start of the processing, and the vertical axis indicates the pressure in the reaction chamber.
【０００３】まず、枚葉式のＴＥＯＳ−Ｏ3 装置の反応
室内に、シリコンからなるウエハを挿入する。そして、
このウエハを反応室内で所定の待機圧力（図中のＰB ）
の下で保持した後に、この反応室内にテトラエチルオル
トシリケート（以下、ＴＥＯＳという）等の原料ガスを
導入することによって反応室内の圧力をＰB から反応圧
力（図中のＰO ）まで上昇させる。その後、この反応圧
力の下で基板温度が所定の反応温度になるまでウエハを
加熱して保持する。[0003] First, single in the reaction chamber of the wafer type TEOS-O 3 apparatus, inserting a wafer made of silicon. And
This wafer is placed in a reaction chamber at a predetermined standby pressure (P B in the figure).
After holding under tetraethylorthosilicate in the reaction chamber (hereinafter, referred to as TEOS) to increase the pressure in the reaction chamber by introducing a raw material gas such as from P B to reaction pressure (P O in the figure). Thereafter, the wafer is heated and held under the reaction pressure until the substrate temperature reaches a predetermined reaction temperature.
【０００４】その結果、ウエハの基板温度が安定化した
後に、酸化ガス（Ｏ3 とＯ2 の混合ガス）を反応室内に
供給する。すると、この酸化ガスと先ほど導入しておい
た原料ガスとが反応してウエハ上に成膜が開始される。As a result, after the substrate temperature of the wafer is stabilized, an oxidizing gas (a mixed gas of O 3 and O 2 ) is supplied into the reaction chamber. Then, the oxidizing gas reacts with the source gas introduced earlier to start film formation on the wafer.
【０００５】ところで、以上のような成膜プロセスにお
いてＴＥＯＳのような高分子量の液化ガスを使用する場
合、原料ガスであるＴＥＯＳの供給が過剰になると、反
応の途中形態として生成されるＴＥＯＳの高分子重合
体、例えば［Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3］n 等がウエハや反応
室内に付着し、極度の供給過剰時にはガラス状やゲル状
の未反応生成物が生じることさえある。When a high-molecular-weight liquefied gas such as TEOS is used in the above-described film forming process, if the supply of TEOS, which is a raw material gas, becomes excessive, the amount of TEOS generated in the middle of the reaction increases. A molecular polymer, for example, [Si (OC 2 H 5 ) 3 ] n or the like adheres to the wafer or the reaction chamber, and even when the supply is extremely excessive, an unreacted product in the form of glass or gel may be generated.
【０００６】これらの未反応生成物は、高分子量である
ため揮発し難い上に、メタノール（ＣＨ3ＯＨ ）やエタ
ノール（Ｃ2Ｈ5ＯＨ）等を含んでいるため、アウトガス
を発生する。その結果、アウトガスの雰囲気中で成膜を
行うと、アウトガスを核として気相成長したパーティク
ルがウエハ上に付着したり、ウエハ上に異常成長（０．
１μｍ以上の大きさの突起物）等を発生させたりするこ
とがある。[0006] These unreacted products have a high molecular weight and are therefore difficult to volatilize. In addition, they contain methanol (CH 3 OH), ethanol (C 2 H 5 OH) and the like, and generate outgas. As a result, when a film is formed in an atmosphere of an outgas, particles grown in a gas phase with the outgas as nuclei adhere to the wafer or abnormally grow on the wafer (0.
Or a projection having a size of 1 μm or more).
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の薄
膜形成方法においては、原料ガスの未反応性生成物によ
るパーティクルや異常成長等が発生し易いという問題点
があった。本発明は、このような課題を解決するための
ものであり、ウエハ上でのパーティクルの発生等を抑制
することができる薄膜形成方法を提供することを目的と
する。As described above, the conventional thin film forming method has a problem that particles or abnormal growth due to unreacted products of the raw material gas are apt to occur. An object of the present invention is to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a thin film forming method capable of suppressing generation of particles on a wafer.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明に係る薄膜形成方法は、枚葉式の熱Ｃ
ＶＤ成膜装置における反応室内に、半導体基板を載置す
るとともに酸素を含む酸化ガスと原料ガスとを導入し、
前記半導体基板上に気相成長によって薄膜を形成する方
法において、不活性なキャリアガスと前記酸化ガスとを
所定の比率で混合したガスを、前記原料ガスよりも先に
前記反応室内に導入することにより、この反応室内の圧
力を所定の反応圧力まで上昇および維持する工程と、前
記半導体基板を所定の反応温度まで上昇させる工程と、
前記反応室に前記原料ガスを導入し、前記反応室内の圧
力を前記反応圧力に維持した状態で成膜を実施する工程
とを有するものである。このように構成することにより
本発明は、原料ガスの導入時に反応室内に十分な酸化ガ
スが存在するため、未反応生成物の発生を抑制すること
ができる。In order to achieve the above object, a thin film forming method according to the present invention employs a single-wafer type thermal C.
A semiconductor substrate is placed in a reaction chamber of a VD film forming apparatus.
And an oxidizing gas containing oxygen and a source gas are introduced,
A method of forming a thin film on the semiconductor substrate by vapor phase growth
In the method, an inert carrier gas and the oxidizing gas are mixed with each other.
The gas mixed at a predetermined ratio, prior to the source gas
By introducing into the reaction chamber, the pressure in the reaction chamber
Increasing and maintaining the force to a predetermined reaction pressure;
Raising the semiconductor substrate to a predetermined reaction temperature,
The source gas is introduced into the reaction chamber, and the pressure in the reaction chamber is increased.
A step of forming a film while maintaining a force at the reaction pressure
And With this configuration, the present invention can suppress the generation of unreacted products because a sufficient oxidizing gas is present in the reaction chamber when the source gas is introduced.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】次に、本発明の一つの実施の形態
について図を用いて説明する。図１は、本発明に係る成
膜装置の一つの実施の形態を示す配管系統図である。同
図に示すように、チャンバ１にはＴＥＯＳ、トリメチル
フォスファイト（以下、ＴＭＯＰという）、トリエチル
フォスファイト（以下、ＴＥＯＰという）、トリメチル
ボレート（以下、ＴＭＢという）、トリエチルボレート
（以下、ＴＥＢという）等の原料ガス、Ｎ2 やＨｅ等の
キャリアガス、Ｏ2 やＯ3 等の酸化ガスを導入するため
の配管が複数接続されている。Next, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a piping diagram showing one embodiment of a film forming apparatus according to the present invention. As shown in the figure, chamber 1 contains TEOS, trimethyl phosphite (hereinafter, referred to as TMOP), triethyl phosphite (hereinafter, referred to as TEOP), trimethyl borate (hereinafter, referred to as TMB), and triethyl borate (hereinafter, referred to as TEB). And a plurality of pipes for introducing a source gas such as N 2 or He, a carrier gas such as N 2 or He, and an oxidizing gas such as O 2 or O 3 .
【００１０】すなわち、ＴＥＯＳは液体キャビネット２
に貯蔵されており、ＬＦＣ（LiquidFlow Controller）
３とインジェクションバルブ５とを介してチャンバ１に
導入される。また、キャリアガスはＭＦＣ（Massflow C
ontoroller）４とインジェクションバルブ５とを介して
チャンバ１に導入される。さらに、酸化ガスのライン６
はインジェクションバルブ５を介さず、直接チャンバ１
に接続されている。That is, TEOS is a liquid cabinet 2
LFC (LiquidFlow Controller)
It is introduced into the chamber 1 via 3 and the injection valve 5. The carrier gas is MFC (Massflow C).
Introduced into the chamber 1 via an ontoroller 4 and an injection valve 5. In addition, the oxidizing gas line 6
Is the chamber 1 directly without the injection valve 5
It is connected to the.
【００１１】また、各配管の要所毎にハンドバルブ９、
エアーオペレーションバルブ１０、ＡＰＣバルブ１１が
取り付けられ、液体キャビネット２はチャンバ１だけで
なく他のチャンバ７にも接続されている。Further, a hand valve 9 is provided for each important point of each pipe.
An air operation valve 10 and an APC valve 11 are attached, and the liquid cabinet 2 is connected not only to the chamber 1 but also to another chamber 7.
【００１２】図２は、チャンバ１の詳細な構成の一例を
示す断面図である。同図に示すように、成膜時において
は、外部から挿入されたウエハ１ｂは、チャンバ１内の
サセプタ１ｄ上に載置され、ハロゲンランプ１ｆから照
射されたハロゲン光１ｅによってウエハ１ｂは所望の温
度になるまで加熱される。そして、原料ガス１ａを導入
することにより、ウエハ１ｂ上で成膜が開始され、成膜
に使用されなかった原料ガスはバキュームマニフォール
ド１ｃを介してチャンバ外に排気される。FIG. 2 is a sectional view showing an example of a detailed configuration of the chamber 1. As shown in FIG. As shown in the figure, during film formation, a wafer 1b inserted from the outside is placed on a susceptor 1d in the chamber 1, and the wafer 1b is illuminated by a halogen light 1e irradiated from a halogen lamp 1f. Heated to temperature. Then, by introducing the source gas 1a, the film formation is started on the wafer 1b, and the source gas not used for the film formation is exhausted out of the chamber via the vacuum manifold 1c.
【００１３】なお、本実施の形態においては、成膜装置
の一例としてアプライド・マテリアル社（Applied Mate
rials Inc.）製の枚葉式ＣＶＤ装置であるセンチュラ
（Centura ）を用いているが、枚葉式の成膜装置であれ
ばその他の装置を用いてもよい。In the present embodiment, an example of a film forming apparatus is Applied Material (Applied Material).
(Centura) which is a single-wafer CVD apparatus manufactured by rials Inc., but other apparatuses may be used as long as they are single-wafer type film forming apparatuses.
【００１４】次に、図１，２，４を用いて本発明に係る
薄膜形成方法について説明する。図４は、本発明に係る
薄膜形成の一連の処理過程を示すグラフである。まず、
チャンバ１内のサセプタ１ｄに、シリコンからなるウエ
ハ１ｂを載置する。そして、チャンバ１内へウエハ１ｂ
の搬送が完了すると、１０００〜１００００ｓｃｃｍの
酸化ガスおよび適正な量のキャリアガスを供給し、チャ
ンバ１内の圧力を待機圧力ＰB から所定の反応圧力ＰO
まで上昇させる。Next, a method for forming a thin film according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a graph showing a series of processing steps for forming a thin film according to the present invention. First,
A wafer 1b made of silicon is placed on a susceptor 1d in the chamber 1. Then, the wafer 1b is put into the chamber 1.
Is completed, an oxidizing gas of 1000 to 10000 sccm and an appropriate amount of carrier gas are supplied, and the pressure in the chamber 1 is increased from the standby pressure P B to a predetermined reaction pressure P O.
Up to
【００１５】このとき、供給する酸化ガスとしては、Ｏ
2 とＯ3 との混合ガスを用いるとよく、その場合Ｏ3 の
流量は総流量の少なくとも５ｗｔ％（約７ｇ／ｍ3 ）と
することが必要である。さらには、１０ｗｔ％（約１４
ｇ／ｍ3 ）以上のＯ3 を含むＯ2 ガスであれば、より好
ましいといえる。At this time, the oxidizing gas to be supplied is O
It is preferable to use a mixed gas of 2 and O 3 , in which case the flow rate of O 3 needs to be at least 5 wt% (about 7 g / m 3 ) of the total flow rate. Furthermore, 10 wt% (about 14
It can be said that an O 2 gas containing at least g / m 3 ) O 3 is more preferable.
【００１６】一方、キャリアガスとしては、Ｈｅ，
Ｎ2 ，Ａｒ等の不活性ガスを単体のまま、もしくはこれ
らを複数種類混合したものを用いる。そして、その流量
は装置に備えられたポンプ８の能力、すなわち排気量に
応じて決定し、チャンバ１内の圧力がスムーズに上昇す
るように調整する。例えば、Ｈｅ／Ｎ2 の混合ガスを用
いる場合は、各流量を２０００／４０００ｓｃｃｍとす
るとよい。On the other hand, as the carrier gas, He,
An inert gas such as N 2 or Ar is used as a single substance or a mixture of a plurality of these gases is used. The flow rate is determined according to the capacity of the pump 8 provided in the apparatus, that is, the amount of exhaust gas, and is adjusted so that the pressure in the chamber 1 increases smoothly. For example, when a mixed gas of He / N 2 is used, each flow rate may be set to 2000/4000 sccm.
【００１７】また、待機圧力を０．３Ｔｏｒｒとし、反
応圧力を２００Ｔｏｒｒとすると、待機圧力から反応圧
力まで上昇させるのに要する適切な時間は２０ｓｅｃで
ある。このとき、あまり短時間で圧力上昇を行う（すな
わち、圧力上昇レートを高くする）と、チャンバ１内に
堆積した異物が巻き上がってウエハ表面を汚染するおそ
れがあるため、圧力は異物が巻きあがらないように徐々
に上昇させる必要がある。When the standby pressure is set to 0.3 Torr and the reaction pressure is set to 200 Torr, an appropriate time required to increase the pressure from the standby pressure to the reaction pressure is 20 seconds. At this time, if the pressure is increased in a very short time (that is, if the pressure increase rate is increased), the foreign matter deposited in the chamber 1 may be rolled up and contaminate the wafer surface. You need to raise it slowly so that it doesn't.
【００１８】その後、チャンバ１内の圧力が所定の反応
圧力（５０〜７５０Ｔｏｒｒ）に達したのであれば、ウ
エハ１ｂを所定の時間に亘って上記反応圧力下で保持
し、基板温度が所定の反応温度（４００〜７００℃）に
達するように安定化を図る。なお、このウエハ１ｂを保
持する時間としては、上記条件下では少なくとも１５ｓ
ｅｃが必要である。Thereafter, if the pressure in the chamber 1 reaches a predetermined reaction pressure (50 to 750 Torr), the wafer 1b is held under the reaction pressure for a predetermined time and the substrate temperature is set to a predetermined reaction pressure. Stabilization is performed to reach the temperature (400 to 700 ° C.). The time for holding the wafer 1b is at least 15 seconds under the above conditions.
ec is required.
【００１９】その結果、チャンバ１内の圧力が所定の反
応圧力となり、かつ、ウエハ１ｂの基板温度が所定の反
応温度になった後に、ＴＥＯＳ等の原料ガス１ａを供給
して成膜を開始する。このとき原料ガス１ａの流量は、
ＢＰＳＧ（Boron PhosphoSilicate Glass）からなる膜
を形成するのであれば、ＴＥＯＳの導入量を２００〜１
０００ｍｇ／ｍｉｎ、ＴＥＯＰの導入量を２０〜１００
ｍｇ／ｍｉｎ、ＴＥＢの導入量を５０〜５００ｍｇ／ｍ
ｉｎの範囲とする。As a result, after the pressure in the chamber 1 reaches a predetermined reaction pressure and the substrate temperature of the wafer 1b reaches a predetermined reaction temperature, a source gas 1a such as TEOS is supplied to start film formation. . At this time, the flow rate of the source gas 1a is
If a film made of BPSG (Boron PhosphoSilicate Glass) is to be formed, the amount of TEOS introduced should be 200 to 1
000mg / min, the amount of TEOP introduced is 20-100
mg / min, the amount of TEB introduced is 50-500 mg / m
in range.
【００２０】また、原料ガスを導入する直前にチャンバ
１内の圧力を若干下げてもよい。原料ガスとしては、上
記以外にもＴＭＯＰやＴＭＢ等を用いてもよく、さらに
は上記のような有機シリコン材料を用いる代わりに、モ
ノシラン（ＳｉＨ4 ）またはジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）等の
無機シリコン材料を用いてもよい。Further, the pressure in the chamber 1 may be slightly lowered just before the introduction of the source gas. As the source gas, other than the above, TMOP, TMB, or the like may be used. Further, instead of using the above organic silicon material, inorganic silicon such as monosilane (SiH 4 ) or disilane (Si 2 H 6 ) may be used. Materials may be used.
【００２１】以上のように、本発明においては、チャン
バ内の圧力上昇に酸化ガスを用いることにより、原料ガ
スの供給時点には既に十分な量の酸化ガスがチャンバ１
内に供給されている。そのため、原料ガスの供給開始と
ともにほぼ遅延無く成膜が開始され、チャンバ１内や排
気配管への未反応の原料ガスの流出を最低限に抑えるこ
とができる。したがって、本発明は従来の薄膜形成方法
で解決すべき課題となっていたチャンバ内や排気配管へ
の未反応生成物の付着を容易に防止することができる。As described above, in the present invention, a sufficient amount of the oxidizing gas is already supplied to the chamber 1 at the time of supply of the source gas by using the oxidizing gas to increase the pressure in the chamber.
Is supplied within. Therefore, the film formation is started almost without delay as soon as the supply of the source gas is started, and the outflow of the unreacted source gas into the chamber 1 and the exhaust pipe can be minimized. Therefore, the present invention can easily prevent the unreacted products from adhering to the inside of the chamber or the exhaust pipe, which has been a problem to be solved by the conventional thin film forming method.
【００２２】なお、図３は従来例および本発明の一例に
おけるウエハ処理枚数とパーティクル増加数との関係を
示したグラフである。同図に示すように、従来例におい
てはウエハ処理枚数の５枚目以降から急激にパーティク
ルの個数が増加するのに対して、本発明においては２５
枚目においてもパーティクルが検出されることはなかっ
た。さらに、成膜の長期安定性試験として７０００枚以
上の処理を行っても、異物の発生は認められなかった。FIG. 3 is a graph showing the relationship between the number of processed wafers and the number of increased particles in the conventional example and the example of the present invention. As shown in the figure, in the conventional example, the number of particles sharply increases from the fifth wafer and thereafter, whereas in the present invention, the number of particles increases by 25%.
No particles were detected on the first sheet. Further, no foreign matter was generated even when the treatment of 7000 sheets or more was performed as a long-term stability test of film formation.
【００２３】ここで、酸化ガスとしてはＯ3 ＋Ｏ2：４
０００ｓｃｃｍ、キャリアガスとしてＨｅ／Ｎ2 の混合
ガスを２０００／４０００ｓｃｃｍ、反応圧力：２００
Ｔｏｒｒ、待機圧力：０．３Ｔｏｒｒ、ＴＥＯＳ：５０
０ｍｇ／ｍｉｎ、ＴＥＯＰ４０ｍｇ／ｍｉｎ、ＴＥＢ：
１２０ｍｇ／ｍｉｎとしている。Here, the oxidizing gas is O 3 + O 2 : 4
2,000 sccm, a mixed gas of He / N 2 as a carrier gas 2000/4000 sccm, reaction pressure: 200
Torr, standby pressure: 0.3 Torr, TEOS: 50
0 mg / min, TEOP 40 mg / min, TEB:
It is 120 mg / min.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、キャリア
ガスおよび酸化ガスを原料ガスよりも先に反応室内に導
入し、反応室内を所定の反応圧力まで上昇させることに
より、原料ガスの導入時に十分な酸化ガスが存在し、未
反応生成物が発生することはほとんどない。したがっ
て、ウエハ上におけるパーティクルや異常成長等が発生
しにくいという効果を有する。As described above, the present invention provides a carrier
By introducing the gas and the oxidizing gas into the reaction chamber before the source gas, and raising the reaction chamber to a predetermined reaction pressure, sufficient oxidizing gas is present when the source gas is introduced, and unreacted products are generated. Few things. Therefore, there is an effect that particles, abnormal growth, and the like on the wafer hardly occur.
【図１】 本発明に係る成膜装置の一つの実施の形態を
示す配管系統図である。FIG. 1 is a piping system diagram showing one embodiment of a film forming apparatus according to the present invention.
【図２】 図１に係るチャンバの詳細を示す断面図であ
る。FIG. 2 is a sectional view showing details of a chamber according to FIG. 1;
【図３】 ウエハ処理枚数とパーティクル増加数との関
係を示したグラフである。FIG. 3 is a graph showing the relationship between the number of processed wafers and the number of increased particles.
【図４】 本発明の一つの実施の形態（成膜工程におけ
る時間とチャンバ内の圧力との関係）を示したグラフで
ある。FIG. 4 is a graph showing one embodiment of the present invention (relationship between time in a film forming process and pressure in a chamber).
【図５】 従来例の成膜工程における時間とチャンバ内
の圧力との関係を示したグラフである。FIG. 5 is a graph showing a relationship between a time and a pressure in a chamber in a conventional film forming process.
１…チャンバ、２…液体キャビネット、３…ＬＦＣ、４
…ＭＦＣ、５…インジェクションバルブ、６…酸化ガス
のライン、７…他のチャンバ、８…ポンプ、９…ハンド
バルブ、１０…エアオペレーションバルブ、１１…ＡＰ
Ｃバルブ。1 ... chamber, 2 ... liquid cabinet, 3 ... LFC, 4
... MFC, 5 ... Injection valve, 6 ... Oxidizing gas line, 7 ... Other chamber, 8 ... Pump, 9 ... Hand valve, 10 ... Air operation valve, 11 ... AP
C valve.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/31 H01L 21/316 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/31 H01L 21/316
Claims (10)
室内に、半導体基板を載置するとともに酸素を含む酸化
ガスと原料ガスとを導入し、前記半導体基板上に気相成
長によって薄膜を形成する方法において、不活性なキャリアガスと 前記酸化ガスとを所定の比率で
混合したガスを、前記原料ガスよりも先に前記反応室内
に導入することにより、この反応室内の圧力を所定の反
応圧力まで上昇および維持する工程と、 前記半導体基板を所定の反応温度まで上昇させる工程
と、前記反応室に前記原料ガスを導入し、前記反応室内の圧
力を前記反応圧力に維持した状態で成膜を実施する工程
と を有することを特徴とする薄膜形成方法。A semiconductor substrate is placed in a reaction chamber of a single wafer type thermal CVD film forming apparatus, and an oxidizing gas containing oxygen and a source gas are introduced, and a thin film is formed on the semiconductor substrate by vapor phase growth. In the forming method, an inert carrier gas and the oxidizing gas are mixed at a predetermined ratio.
The combined gas, by introducing into the reaction chamber prior to the raw material gas, comprising the steps you increase and maintain the pressure in the reaction chamber to a predetermined reaction pressure, increasing the semiconductor substrate to a predetermined reaction temperature And introducing the source gas into the reaction chamber,
A step of forming a film while maintaining a force at the reaction pressure
And a method for forming a thin film.
らなるガスであることを特徴とする薄膜形成方法。2. The method according to claim 1, wherein the oxidizing gas is a gas composed of ozone (O 3 ) and oxygen (O 2 ).
流量を１０００〜１００００ｓｃｃｍの範囲とし、その
うちのオゾン（Ｏ3 ）の含有量を重量比で少なくとも５
％以上とすることを特徴とする薄膜形成方法。3. The method according to claim 2, wherein the flow rate of the gas composed of ozone (O 3 ) and oxygen (O 2 ) is in the range of 1000 to 10000 sccm, and the content of ozone (O 3 ) is at least by weight. 5
% Or more.
ート（ＴＥＯＳ）を含むガスであることを特徴とする薄
膜形成方法。4. The thin film forming method according to claim 1, wherein the source gas is a gas containing at least tetraethylorthosilicate (TEOS).
たはジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）の何れか一方を含むガスであ
ることを特徴とする薄膜形成方法。5. The method according to claim 1, wherein the source gas is a gas containing at least one of monosilane (SiH 4 ) and disilane (Si 2 H 6 ).
ＭＯＰ）またはトリエチルフォスファイト（ＴＥＯＰ）
の何れか一方、および、トリメチルボレート（ＴＭＢ）
またはトリエチルボレート（ＴＥＢ）の何れか一方を前
記反応室内に導入する工程を、さらに有することを特徴
とする薄膜形成方法。6. The method according to claim 4, wherein, in addition to the raw material gas, trimethyl phosphite (T
MOP) or triethyl phosphite (TEOP)
And trimethyl borate (TMB)
Alternatively, the method further comprises a step of introducing one of triethyl borate (TEB) into the reaction chamber.
Ｓ）を２００〜１０００ｍｇ／ｍｉｎ、トリエチルフォ
スファイト（ＴＥＯＰ）を２０〜１００ｍｇ／ｍｉｎ、
トリエチルボレート（ＴＥＢ）を５０〜５００ｍｇ／ｍ
ｉｎの範囲で導入することにより、前記半導体基板上に
ＢＰＳＧからなる膜を形成することを特徴とする薄膜形
成方法。7. The method according to claim 1, wherein the source gas is tetraorthosilicate (TEO).
S) 200 to 1000 mg / min, triethyl phosphite (TEOP) 20 to 100 mg / min,
Triethyl borate (TEB) 50-500mg / m
forming a film made of BPSG on the semiconductor substrate by introducing in a range of in.
とを特徴とする薄膜形成方法。8. The method according to claim 1, wherein the reaction pressure is in a range of 50 to 750 Torr.
特徴とする薄膜形成方法。9. The method according to claim 1, wherein the reaction temperature is in a range of 400 to 700 ° C.
減少させる工程を、さらに有することを特徴とする薄膜
形成方法。10. The thin film forming method according to claim 1, further comprising a step of reducing the pressure in the reaction chamber immediately before introducing the source gas.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30845797A JP3209167B2 (en) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | Thin film formation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30845797A JP3209167B2 (en) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | Thin film formation method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH11145126A JPH11145126A (en) | 1999-05-28 |
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