JP3200629B2 - Optical modulator using photonic bandgap structure and optical modulation method - Google Patents
Optical modulator using photonic bandgap structure and optical modulation methodInfo
- Publication number
- JP3200629B2 JP3200629B2 JP22750999A JP22750999A JP3200629B2 JP 3200629 B2 JP3200629 B2 JP 3200629B2 JP 22750999 A JP22750999 A JP 22750999A JP 22750999 A JP22750999 A JP 22750999A JP 3200629 B2 JP3200629 B2 JP 3200629B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical modulator
- photonic band
- band gap
- light
- structures
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、フォトニックバ
ンドギャップ構造を用いた光変調器に関するものであ
る。特に、誘電体を用いた電気信号による光の位相ある
いは振幅の変調装置で、従来の装置に比べて変調効率が
良く、変調器を小型にできるものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical modulator using a photonic band gap structure. In particular, a modulator for modulating the phase or amplitude of light by an electric signal using a dielectric material has a higher modulation efficiency and a smaller modulator than conventional devices.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電気光学効果を用いた従来の光変調器の
例（西原 浩、春名 正光、栖原 敏明共著、「光集積
回路」、オーム社、３０１頁、図１０・１）を図６に示
す。この例は、位相変調器を二個用いた振幅変調器であ
る。この例では、電気光学効果をもつＬｉＮｂＯ３結晶
表面に光導波路を設け、その光導波路とその周辺に電界
を印加することにより生ずる導波路の境界領域の屈折率
の変化を用いて、光の位相を変化させ、その内部を伝播
する光の変調を行うものである。この場合の屈折率の変
化率は、伝搬定数、従って位相の変化率に概略等しい。
また、この方式で広い変調帯域幅を有するものに進行波
型光変調器（西原 浩、春名 正光、栖原敏明共著、
「光集積回路」、オーム社、３０３頁、図１０・３）が
ある。これは、電極の一端から電気信号を入力し、電極
を伝搬させた後、他端で電気的に終端するものである。
変調は、変調信号が電極を伝搬している間に行われる。
従来のこの型の装置では、この変調領域のサイズは２０
から５０ｍｍであり、その周波数限界は５０ＧＨｚ程度
である。2. Description of the Related Art FIG. 6 shows an example of a conventional optical modulator using the electro-optic effect (Hiro Nishihara, Masamitsu Haruna, Toshiaki Suhara, "Optical Integrated Circuit", Ohmsha, p. 301, FIG. 10-1). Show. This example is an amplitude modulator using two phase modulators. In this example, an optical waveguide is provided on the surface of a LiNbO3 crystal having an electro-optic effect, and the phase of light is changed by using a change in the refractive index of a boundary region of the waveguide caused by applying an electric field to the optical waveguide and its periphery. It modulates and modulates the light propagating inside. The rate of change of the refractive index in this case is approximately equal to the propagation constant and thus the rate of change of the phase.
In addition, a traveling-wave optical modulator (Hiro Nishihara, Masamitsu Haruna, Toshiaki Suhara)
"Optical Integrated Circuit", Ohmsha, p. 303, FIG. In this method, an electric signal is input from one end of an electrode, propagated through the electrode, and then electrically terminated at the other end.
The modulation is performed while the modulation signal is propagating through the electrodes.
In a conventional device of this type, the size of this modulation area is 20
From 50 mm, and its frequency limit is about 50 GHz.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の光変調
器では、変調効率が低く、効率を高めるためには電界を
印加された長い光導波路を使う必要があった。この様に
光導波路が長くなるに従って、電極を伝播する電気信号
と光導波路を伝播する光との速度差が顕在化し、効率的
な変調には自ずと限界があった。However, in the conventional optical modulator, the modulation efficiency is low, and in order to increase the efficiency, it is necessary to use a long optical waveguide to which an electric field is applied. As described above, as the length of the optical waveguide increases, the speed difference between the electric signal propagating through the electrode and the light propagating through the optical waveguide becomes apparent, and there is naturally a limit to efficient modulation.
【０００４】この発明は上記に鑑み提案されたもので、
改善された変調効率を持つフォトニックバンドギャップ
構造を用いた光変調器を提供することを目的とする。[0004] The present invention has been proposed in view of the above,
It is an object of the present invention to provide an optical modulator using a photonic band gap structure having improved modulation efficiency.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の光変調器は、電
界の変化による物性定数の変化を用いる光変調器で、特
に電気光学効果を持った誘電体材料で作られたフォトニ
ックバンド構造を光導波路の側壁に用い、大きな波数で
シングルモード状態を保持しながら、光の伝搬速度を従
来の方法による場合よりも遅くし、また、該フォトニッ
クバンド構造に電界を印加することによりフォトニック
バンド構造による効果として光の位相や振幅を変化せし
めることにより、変調作用を起こすものであり、従来に
は無かった方法である。SUMMARY OF THE INVENTION An optical modulator according to the present invention is an optical modulator using a change in a physical property constant due to a change in an electric field, and more particularly, a photonic band structure made of a dielectric material having an electro-optic effect. Is used for the side wall of the optical waveguide, while maintaining the single mode state at a large wave number, making the light propagation speed slower than in the conventional method, and applying an electric field to the photonic band structure to obtain a photonic band. The modulation effect is caused by changing the phase and amplitude of the light as an effect of the band structure, which is a method that has not been provided in the past.
【０００６】この光変調器の動作原理を示すために、図
４のように二つの一次元半無限フォトニックバンド構造
間の空隙を伝搬する光を考える。ここで、この一次元半
無限フォトニックバンド構造４０４は、屈折率２．２９
の物質Ａでできたｘ方向の厚さａのスラブ４３１とｘ方
向の厚さｂの空気層４３０が交互に並んだ構成となって
いる。この例ではａとｂが等しく、これが長さの単位と
なっているとする。つまりａ＝ｂ＝１とする。また、二
つの一次元半無限フォトニックバンド構造間の間隙が導
波路４０５となるが、これは２ａ+２ｃでｃ＝１．３の
場合を考える。フォトニックバンド構造での具体的サイ
ズは、導波路を伝播する被変調光４０１に対しては全反
射する様にその幾何学的サイズが決められ、結果として
光は該導波路に閉じ込められる。変調を受ける光の空気
中での波数をｋ0とし、誘電体導波構造を取り扱う一般
的な方法に従って、導波路を伝搬する光を二つの平面の
合成と見ると、導波路に沿った方向への伝搬定数βは、
β＝ｋ0×ｓｉｎθであり、ここでθは平面波とｘ方向
の角度である。このｓｉｎθと波数の関係を、導波路に
沿って進む光について数値計算によるシミュレーション
で求めた結果が図５である。この図に示されるように特
定の波数においては、大きな波数でシングルモード状態
を保持しながら、ｓｉｎθ、従って伝搬定数βは、著し
く小さくできることが分かる。In order to show the principle of operation of this optical modulator, consider light propagating in a gap between two one-dimensional semi-infinite photonic band structures as shown in FIG. Here, the one-dimensional semi-infinite photonic band structure 404 has a refractive index of 2.29.
A slab 431 having a thickness a in the x direction and an air layer 430 having a thickness b in the x direction made of the substance A are alternately arranged. In this example, it is assumed that a and b are equal, and this is a unit of length. That is, a = b = 1. The gap between the two one-dimensional semi-infinite photonic band structures becomes the waveguide 405, which is the case where 2a + 2c and c = 1.3. The specific size of the photonic band structure is determined so that the modulated light 401 propagating through the waveguide is totally reflected, and as a result, the light is confined in the waveguide. When the wave number of the modulated light in the air is k 0 and the light propagating through the waveguide is synthesized as two planes according to the general method of handling the dielectric waveguide structure, the direction along the waveguide is Is the propagation constant β
β = k 0 × sin θ, where θ is the angle between the plane wave and the x direction. FIG. 5 shows the relationship between sin θ and the wave number obtained by a numerical simulation for light traveling along the waveguide. As shown in this figure, it can be seen that at a specific wave number, sin θ, and thus the propagation constant β, can be significantly reduced while maintaining the single mode state at a large wave number.
【０００７】この様に、本発明で提案する構造では、光
導波路内を伝播する光の伝播速度を、大きな波数でシン
グルモード状態を保持しながら調整することが可能とな
り、該伝播する光を効率よく位相変調することができる
ようになった。As described above, in the structure proposed in the present invention, the propagation speed of light propagating in the optical waveguide can be adjusted while maintaining a single mode state at a large wave number, and the propagating light can be efficiently used. Phase modulation can be performed well.
【０００８】また、本発明の方法の他の利点としては、
屈折率の変化率に対する伝搬定数の変化率が従来の装置
に比べて著しく大きいことである。上記説明の図５にお
ける動作点Ｇでは、従来の場合に比べて、４０倍以上の
効果がシミュレーションにより得られている。つまり、
該構造のサイズを最適化することにより、該電界にたい
する位相変化を大きくすることができ、従って従来の変
調器に比べて小さな電界で必要な位相変化を生ぜしめる
事や変調器の小型化が可能となり、より高集積度の光集
積回路が可能となった。Another advantage of the method of the present invention is that
The rate of change of the propagation constant with respect to the rate of change of the refractive index is significantly larger than that of the conventional device. At the operating point G in FIG. 5 described above, an effect 40 times or more as compared with the conventional case is obtained by simulation. That is,
By optimizing the size of the structure, the phase change with respect to the electric field can be increased, so that the required phase change can be generated with a smaller electric field as compared with the conventional modulator, and the modulator can be downsized. Thus, an optical integrated circuit with a higher degree of integration has become possible.
【０００９】また、他の利点としては、光の電界分布が
大きい場合でも、伝搬できる波数に対する伝搬定数が限
られるため、伝播モードをシングルモードにできる点で
あり、このため、該電界との相互作用領域を従来に比べ
大きく維持したまま、多モードに分散して伝播すること
による信号劣化等の悪影響から逃れることができる。Another advantage is that even when the electric field distribution of light is large, the propagation mode can be made a single mode because the propagation constant with respect to the number of waves that can propagate is limited. It is possible to avoid the adverse effects such as signal degradation due to multi-mode dispersion and propagation while maintaining the action area larger than before.
【００１０】さらに、電極を設計する上での利点として
は、電極に電気光学効果物質が接する面積が半分程度に
なるため、電極下の物質の比誘電率を実質的に低下せし
めることができ、従って、特性インピーダンスを容易に
大きくすることができる。Further, as an advantage in designing the electrode, the area where the electro-optical effect material is in contact with the electrode is reduced to about half, so that the relative permittivity of the material under the electrode can be substantially reduced. Therefore, the characteristic impedance can be easily increased.
【００１１】上述の原理に基づいた光変調器で、上記目
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、少なく
とも二つのフォトニックバンドギャップ構造と、該フォ
トニックバンドギャップ構造に電界を印加するための電
極と、該電極に電圧を印加するための手段と、該二つの
フォトニックバンドギャップ構造間に設けられた間隙
と、該二つの１次元フォトニックバンドギャップ構造間
に設けられた間隙に光を導入する手段とを持ち、入射し
た光は、該間隙を伝播することを特徴としている。該間
隙は光導波路となり、この導波路を光が伝搬する際に、
フォトニックバンドギャップ構造の伝搬定数が、該電極
に印加される電圧により変化する効果を、本発明は利用
している。In order to achieve the above object, an optical modulator based on the above-mentioned principle, the invention according to claim 1 provides at least two photonic band gap structures and an electric field applied to the photonic band gap structures. An electrode for applying, a means for applying a voltage to the electrode, a gap provided between the two photonic bandgap structures, and a device provided between the two one-dimensional photonic bandgap structures. Means for introducing light into the gap, wherein the incident light propagates through the gap. The gap becomes an optical waveguide, and when light propagates through this waveguide,
The present invention utilizes the effect that the propagation constant of the photonic bandgap structure changes according to the voltage applied to the electrode.
【００１２】また、請求項２に記載の発明は、上記した
請求項１に記載の発明の構成に加えて、少なくとも三つ
のフォトニックバンドギャップ構造を有し、該少なくと
も三つのフォトニックバンドギャップ構造に電界を印加
するための複数の電極と、該複数の電極に電圧を印加す
るための手段と、該少なくとも三つのフォトニックバン
ドギャップ構造のうちのそれぞれ少なくとも二つの間に
設けられた複数の間隙と、該複数の間隙に光を導入する
手段と、を持ち、入射した光はそれぞれの該間隙を伝播
することを特徴としている。請求項２に記載の発明によ
り、複数のフォトニックバンドギャップ構造と複数の光
導波路を具えた光変調器において、フォトニックバンド
ギャップ構造の数を減らす事が出来る。According to a second aspect of the present invention, in addition to the configuration of the first aspect of the present invention, at least three photonic band gap structures are provided. A plurality of electrodes for applying an electric field thereto, means for applying a voltage to the plurality of electrodes, and a plurality of gaps provided between at least two of the at least three photonic band gap structures, respectively. And means for introducing light into the plurality of gaps, wherein incident light propagates through each of the gaps. According to the second aspect of the present invention, in an optical modulator including a plurality of photonic band gap structures and a plurality of optical waveguides, the number of photonic band gap structures can be reduced.
【００１３】また、請求項３に記載の発明は、上記した
請求項１または２に記載の発明の構成に加えて、フォト
ニックバンドギャップ構造は、それぞれ平行に並んだ複
数の１次元フォトニックバンドギャップ構造であり、該
１次元フォトニックバンドギャップ構造の方向へは伝搬
することがバンドギャップにより禁じられている波数の
光を、該間隙に入射し伝播させることを特徴としてい
る。この請求項３に記載の発明により、フォトニックバ
ンドギャップ構造として、最も製造の容易な１次元フォ
トニックバンドギャップ構造で、光変調器が実現できる
事を開示している。According to a third aspect of the present invention, in addition to the configuration of the first or second aspect, the photonic band gap structure comprises a plurality of one-dimensional photonic bands arranged in parallel. A gap structure is characterized in that light having a wave number that is prohibited by the band gap from propagating in the direction of the one-dimensional photonic band gap structure is incident on the gap and propagated. According to the third aspect of the present invention, it is disclosed that an optical modulator can be realized with a one-dimensional photonic band gap structure that is the easiest to manufacture as a photonic band gap structure.
【００１４】また、請求項４に記載の発明は、上記した
請求項３に記載の発明の構成に加えて、１次元フォトニ
ックバンドギャップ構造は、電界によって屈折率の変化
する平板と、該平板と屈折率の異なる領域が交互に規則
的に平行に並んだ構造よりなる１次元フォトニックバン
ドギャップ構造で、該平板の法線方向は該光の伝播方向
に直交することを特徴としている。この請求項４に記載
の発明により、請求項３に記載の発明のさらに詳細な構
造を開示し、１次元フォトニックバンドギャップ構造の
２つの構成物のうち電気光学効果を持つ平板は、一方の
みで良い事を提案している。According to a fourth aspect of the present invention, in addition to the configuration of the third aspect of the present invention, the one-dimensional photonic band gap structure includes a flat plate whose refractive index is changed by an electric field, and And a one-dimensional photonic band gap structure in which regions having different refractive indices are alternately and regularly arranged in parallel. The normal direction of the flat plate is orthogonal to the light propagation direction. According to the fourth aspect of the present invention, a more detailed structure of the third aspect of the present invention is disclosed. Of the two components of the one-dimensional photonic band gap structure, only one of the flat plates having an electro-optical effect is provided. We are proposing good things.
【００１５】また、請求項５に記載の発明は、請求項３
の発明の構成に加えて、該電極は、該光の伝播方向と該
平板の該法線方向とで作られる面に平行であることを特
徴としている。この請求項５に記載の発明により、電極
の向きが開示され、具体的配置が可能になった。[0015] Further, the invention described in claim 5 is the third invention.
In addition to the configuration of the invention described in the above, the electrode is parallel to a plane formed by the light propagation direction and the normal direction of the flat plate. According to the invention described in claim 5, the direction of the electrode is disclosed, and the specific arrangement is made possible.
【００１６】また、請求項６に記載の発明は、上記した
請求項３に記載の発明の構成に加えて、該電極の法線方
向は、それぞれの１次元フォトニックバンドギャップ構
造について共通する方向に設けられる事を特徴としてい
る。この請求項６に記載の発明により、複数の１次元フ
ォトニックバンドギャップ構造に設けられる電極の方向
を開示して、電極の方向をより明確にしている。According to a sixth aspect of the present invention, in addition to the configuration of the third aspect of the present invention, the normal direction of the electrode is a direction common to each one-dimensional photonic band gap structure. It is characterized by being provided in. According to the sixth aspect of the present invention, the directions of the electrodes provided in the plurality of one-dimensional photonic band gap structures are disclosed to further clarify the directions of the electrodes.
【００１７】また、請求項７に記載の発明は、上記した
請求項３に記載の発明の構成に加えて、該電極は、それ
ぞれの１次元フォトニックバンドギャップ構造について
共通する一側面に設けられる事を特徴としている。この
請求項６に記載の発明により、該電極を、１次元フォト
ニックバンドギャップ構造の表面、裏面あるいは側面の
みに付けることが開示されており、製造しやすい方向に
電極を設けることで、変調作用が実現できることを示し
ている。According to a seventh aspect of the present invention, in addition to the configuration of the third aspect of the present invention, the electrode is provided on one side common to each one-dimensional photonic band gap structure. It is characterized by things. According to the invention described in claim 6, it is disclosed that the electrode is provided only on the front surface, the back surface, or the side surface of the one-dimensional photonic band gap structure. Can be realized.
【００１８】また、請求項８に記載の発明は、上記した
請求項３に記載の発明の構成に加えて、該電極の法線方
向は、それぞれの１次元フォトニックバンドギャップ構
造の相対する方向に設けられる事を特徴としている。例
えば、１次元フォトニックバンドギャップ構造の表面と
裏面に電極を設けて、これらに逆相の信号を加えるよう
にすると、フォトニックバンドギャップ構造は、大きな
電界にさらされることになり、効率的な変調が出来る。According to an eighth aspect of the present invention, in addition to the configuration of the third aspect of the present invention, the normal direction of the electrode is a direction opposite to the direction of each one-dimensional photonic band gap structure. It is characterized by being provided in. For example, if electrodes are provided on the front and back surfaces of the one-dimensional photonic bandgap structure, and signals of opposite phases are applied to the electrodes, the photonic bandgap structure is exposed to a large electric field, and efficient. Can be modulated.
【００１９】また、請求項９に記載の発明は、上記した
請求項３に記載の発明の構成に加えて、該電極は、それ
ぞれの１次元フォトニックバンドギャップ構造の相対す
る方向に設けられ、異なる１次元フォトニックバンドギ
ャップ構造に設けられた電極の少なくとも１つが連続し
た平面よりなる事を特徴としている。この請求項９に記
載の発明により、複数の１次元フォトニックバンドギャ
ップ構造に設けられる電極について、共通のものが使え
るようになり、電極間の配線の一部を省略できる事を開
示している。According to a ninth aspect of the present invention, in addition to the configuration of the third aspect of the present invention, the electrodes are provided in opposite directions of the respective one-dimensional photonic band gap structures. At least one of the electrodes provided in different one-dimensional photonic band gap structures has a continuous plane. According to the ninth aspect of the present invention, it is disclosed that a common electrode can be used for a plurality of one-dimensional photonic band gap structures, and a part of wiring between the electrodes can be omitted. .
【００２０】また、請求項１０に記載の発明は、上記の
請求項１、２、３、４、５、６、７、８、あるいは９に
記載の発明の構成に加えて、該１次元フォトニックバン
ドギャップ構造は、リチウムナイオベイト（ＬｉＮｂＯ
３）とガス体をその構成物として含む事を特徴としてい
る。この請求項１０に記載の発明により、１次元フォト
ニックバンドギャップ構造の構成材料を開示している。According to a tenth aspect of the present invention, in addition to the configuration of the first, second, third, fourth, fifth, sixth, seventh, eighth, or ninth aspect, the one-dimensional photolithography is further improved. The nick band gap structure is lithium niobate (LiNbO
3) and a gas body as its constituent. According to the tenth aspect, a constituent material having a one-dimensional photonic band gap structure is disclosed.
【００２１】また、請求項１１に記載の発明は、上記の
請求項１、２、３、４、５、６、７、８、あるいは９に
記載の発明の構成に加えて、該１次元フォトニックバン
ドギャップ構造は、リチウムナイオベイト（ＬｉＮｂＯ
３）と二酸化ケイ素をその構成物として含む事を特徴と
している。この請求項１１に記載の発明により、１次元
フォトニックバンドギャップ構造の構成材料を開示して
いる。According to the eleventh aspect of the present invention, in addition to the configuration of the first, second, third, fourth, fifth, sixth, seventh, eighth or ninth aspect of the present invention, the one-dimensional photodetector is provided. The nick band gap structure is lithium niobate (LiNbO
3) and silicon dioxide as its constituent. According to the eleventh aspect of the present invention, a constituent material having a one-dimensional photonic band gap structure is disclosed.
【００２２】また、請求項１２に記載の発明は、１、
２、３、４、５、６、７、８、９、１０、あるいは１１
に記載の発明の構成に加えて、該光変調器の該電極に直
流あるいは交流電圧を印加することにより、光の位相変
調を行う事を特徴としている。Further, the invention according to claim 12 provides the following:
2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, or 11
In addition to the configuration of the invention described in (1), a phase modulation of light is performed by applying a DC or AC voltage to the electrode of the optical modulator.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を具体的に示
すために、第一の誘電体物質をリチウムナイオベイト、
第二の誘電体物質を二酸化ケイ素とする実施形態を第一
の実施例に、また、第一の誘電体物質をリチウムナイオ
ベイト、第二の誘電体物質を空気とする実施形態を第二
の実施例に示す。さらに、強度変調器に適用した場合の
実施形態を第３の実施例に示す。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In order to specifically show an embodiment of the present invention, a first dielectric material is lithium niobate,
An embodiment in which the second dielectric material is silicon dioxide is the first example, and an embodiment in which the first dielectric material is lithium niobate and the second dielectric material is air is the second example. Examples will be shown. Further, an embodiment when applied to an intensity modulator is shown in a third example.
【００２４】図１に本発明の第一の実施例の模式図を示
す。この例は波長０．６３３ミクロンのＨｅ−Ｎｅレー
ザ光の変調器１００であり、２つの対称配置された１次
元フォトニックバンド構造１０４と、それに挟まれた一
つの間隙１０５を有する。それぞれのフォトニックバン
ド構造のサイズは、ｘ方向が５．８４４ミクロン、ｙ方
向が３２ミクロン、ｚ方向が５ミリメートルのもので、
間隙はフォトニックバンド構造に挟まれる位置に０．７
７４ミクロンの幅で、二酸化ケイ素で埋められている。
この１次元フォトニックバンド構造は、ｘ方向が０．１
６７ミクロン、ｙ方向が１０ミクロン、ｚ方向が５ミリ
メートルのリチウムナイオベイト（ＬｉＮｂＯ３）板
と、ｘ方向が０．１６７ミクロン、ｙ方向が１０ミクロ
ン、ｚ方向が５ミリメートルの二酸化ケイ素板とを構成
要素として、交互にそれぞれ平行に８枚並べたものであ
る。リチウムナイオベイトの光学軸は、ｙ方向である。
波長０．６３３ミクロン光での屈折率は、リチウムナイ
オベイトでは、２．２９で、二酸化ケイ素では、１．４
３である。各フォトニックバンド構造の上下には、電極
１０８、１０９として図のように１．０ミクロンの金板
が設置されており、左右のフォトニックバンド構造の電
極はそれぞれ独立しており、それには、外部から電圧を
印加できるように、引き出し線１１０が設けてある。こ
の図における電極は、それぞれの各フォトニックバンド
構造で独立しているが、２つのフォトニックバンド構造
にまたがる電極を用いることも可能である。光１０１
は、光ファイバーから、図１のようにそのｚ方向に沿っ
てレンズ系１０２を用いて該間隙１０５に入射される。
この際、ｙ方向に偏光した光を用いている。該間隙は、
光の導波路として用いられ、入射光がその部分を伝播す
る際に位相変調され、該間隙の他の一端から放射され
る。この部分にも光学系を用いて、他の光ファイバーに
入射しても良い。この場合、光波の位相のずれは、電極
に印加する電圧に比例し、πずらすために必要な印加電
圧は１５．９Ｖであった。FIG. 1 is a schematic diagram of a first embodiment of the present invention. This example is a modulator 100 of a He—Ne laser beam having a wavelength of 0.633 μm, and has two symmetrically arranged one-dimensional photonic band structures 104 and one gap 105 sandwiched therebetween. The size of each photonic band structure is 5.844 microns in the x direction, 32 microns in the y direction, and 5 millimeters in the z direction.
The gap is 0.7 at the position between the photonic band structures.
It is 74 microns wide and is filled with silicon dioxide.
This one-dimensional photonic band structure has an x-direction of 0.1.
A lithium niobate (LiNbO3) plate of 67 microns, 10 microns in the y direction, and 5 millimeters in the z direction, and a silicon dioxide plate of 0.167 micron in the x direction, 10 microns in the y direction, and 5 millimeters in the z direction Eight elements are alternately arranged in parallel as elements. The optical axis of lithium niobate is in the y-direction.
The refractive index at 0.633 micron wavelength light is 2.29 for lithium niobate and 1.4 for silicon dioxide.
3. On the upper and lower sides of each photonic band structure, a 1.0-micron gold plate is installed as electrodes 108 and 109 as shown in the figure, and the left and right photonic band structure electrodes are independent of each other. A lead line 110 is provided so that a voltage can be externally applied. Although the electrodes in this figure are independent of each photonic band structure, electrodes extending over two photonic band structures can also be used. Light 101
Is incident on the gap 105 from the optical fiber using the lens system 102 along the z direction as shown in FIG.
At this time, light polarized in the y direction is used. The gap is
Used as a light waveguide, the phase of the incident light is modulated as it propagates through that portion, and is emitted from the other end of the gap. An optical system may be used for this portion to enter another optical fiber. In this case, the phase shift of the light wave was proportional to the voltage applied to the electrode, and the applied voltage required to shift π was 15.9 V.
【００２５】図２に本発明の第二の実施例の模式図を示
す。この例は波長１．５ミクロン光の変調器２００であ
り、２つの対称配置された１次元フォトニックバンド構
造２０４と、それに挟まれた一つの空隙２０５でなって
いる。そのフォトニックバンド構造のサイズは、ｘ方向
が１７．３ミクロン、ｙ方向が１０ミクロン、ｚ方向が
５ミリメートルのもので、変調器の中心部に２．３ミク
ロンの空隙をもっている。この１次元フォトニックバン
ド構造は、ｘ方向が０．５ミクロン、ｙ方向が１０ミク
ロン、ｚ方向が５ミリメートルのリチウムナイオベイト
板を構成要素として、０．５ミクロンの間隔でそれぞれ
平行に８枚並べたものである。各板の間は、空隙であ
り、空気で充たされている。波長１．５ミクロン光での
屈折率は、空気は１．０であり、リチウムナイオベイト
（ＬｉＮｂＯ３）では、２．２９でる。各フォトニック
バンド構造の上下２０８、２０９には、電極として図の
ように金板が設置されており、そのうちの一つは異なっ
た１次元フォトニックバンド構造で共通する平板の電極
２０８となっている。それぞれの電極には、外部から電
圧を印加できるように引き出し線２１０が設けてある。
光２０１は、図２のように該空隙をそのｚ方向に沿って
レンズ系２０２を用いて入射されるが、この際、ｙ方向
に偏光した光を用いている。該空隙は、光の導波路とし
て用いられ、その部分を伝播する際に位相変調され、該
空隙の他の一端から放射される。FIG. 2 is a schematic diagram of a second embodiment of the present invention. This example is a modulator 200 of 1.5-micron wavelength light, which is composed of two symmetrically arranged one-dimensional photonic band structures 204 and one gap 205 sandwiched therebetween. The size of the photonic band structure is 17.3 microns in the x direction, 10 microns in the y direction, 5 millimeters in the z direction, and has a 2.3 micron gap in the center of the modulator. This one-dimensional photonic band structure is composed of eight pieces of lithium niobate plates of 0.5 micron in the x direction, 10 micron in the y direction, and 5 millimeters in the z direction. They are arranged. There is a gap between the plates, which is filled with air. The refractive index for light having a wavelength of 1.5 μm is 1.0 for air, and 2.29 for lithium niobate (LiNbO 3). As shown in the figure, metal plates are provided on the upper and lower portions 208 and 209 of each photonic band structure as electrodes, and one of them is a flat plate electrode 208 common to different one-dimensional photonic band structures. I have. Each electrode is provided with a lead line 210 so that a voltage can be externally applied.
As shown in FIG. 2, the light 201 is incident on the air gap through the lens system 202 along the z direction, and at this time, light polarized in the y direction is used. The gap is used as a light waveguide, is phase-modulated as it propagates through the portion, and is emitted from the other end of the gap.
【００２６】図３に本発明の第３の実施例の模式図を示
す。この例は２つの位相変調器を用いて振幅変調する例
である。よく知られた、リチウムナイオベイト（ＬｉＮ
ｂＯ３）基板にチタンを拡散させた導波路３２１で作ら
れた分波器で入射光３０１が分波され、それぞれ別の位
相変調器により、位相変調されるた後、分波器と同じ構
造を持つ合波器で合波され、振幅変調が行われる。本実
施例では、ひとつのフォトニックバンド構造を２つの位
相変調器に共通に使うため、３つのフォトニックバンド
構造で、振幅変調器を構成している。フォトニックバン
ド構造は、第一の実施例のものと大略同じである。FIG. 3 is a schematic diagram of a third embodiment of the present invention. In this example, amplitude modulation is performed using two phase modulators. The well-known lithium niobate (LiN
bO3) After the incident light 301 is demultiplexed by the demultiplexer made of the waveguide 321 in which titanium is diffused into the substrate, and phase-modulated by different phase modulators, the same structure as the demultiplexer is obtained. The signals are multiplexed by the multiplexer, and amplitude modulation is performed. In the present embodiment, since one photonic band structure is commonly used for two phase modulators, an amplitude modulator is constituted by three photonic band structures. The photonic band structure is substantially the same as that of the first embodiment.
【００２７】また、その電極３０９については、各フォ
トニックバンド構造の上面にそれぞれ１つづつ設けたも
のである。中間のフォトニックバンド構造の電極に印加
する信号は、他の２つの電極に印加する信号に対して逆
相の信号を印加するのが望ましいが、各電極には、振幅
あるいは位相の異なるそれぞれ別の信号を印加すること
も可能である。The electrodes 309 are provided one by one on the upper surface of each photonic band structure. It is desirable that the signal applied to the electrode having the intermediate photonic band structure be a signal having the opposite phase to the signal applied to the other two electrodes. Can also be applied.
【００２８】[0028]
【発明の効果】この発明は上記した構成からなるので、
以下に説明するような効果を奏することができる。Since the present invention has the above-described configuration,
The following effects can be obtained.
【００２９】請求項１に記載の発明では、屈折率の変化
率に対する伝搬定数の変化率が従来の装置に比べて著し
く大きいことであり、従来の変調器に比べて小さな電界
で必要な位相変化を生ぜしめる事や変調器の小型化が可
能となり、より高集積度の光集積回路が可能となった。
また、他の効果としては、光の電界分布が大きい場合で
も、伝搬できる波数に対する伝搬定数が限られるため、
伝播モードをシングルモードにできる点であり、このた
め、該電界との相互作用領域を従来に比べ大きく維持し
たまま、多モードに分散して伝播することによる信号劣
化等の悪影響から逃れることができる様になった。さら
に、電極を設計する上での利点としては、電極に電気光
学効果物質が接する面積が半分程度になるため、電極下
の物質の比誘電率を実質的に低下せしめることができ、
従って、特性インピーダンスを容易に大きくすることが
可能となった。According to the first aspect of the present invention, the rate of change of the propagation constant with respect to the rate of change of the refractive index is significantly larger than that of the conventional device, and the phase change required by a smaller electric field than that of the conventional modulator is required. And the size of the modulator can be reduced, and a highly integrated optical integrated circuit has become possible.
Another effect is that even when the electric field distribution of light is large, the propagation constant for the wave number that can be propagated is limited,
This is a point that the propagation mode can be changed to a single mode. Therefore, it is possible to escape from the adverse effects such as signal degradation due to propagation in multiple modes while maintaining the interaction region with the electric field larger than before. It became like. Further, as an advantage in designing the electrode, the area where the electro-optic effect material is in contact with the electrode is reduced to about half, so that the relative dielectric constant of the material under the electrode can be substantially reduced,
Therefore, the characteristic impedance can be easily increased.
【００３０】また、請求項２に記載の発明では、少なく
とも三つの該フォトニックバンドギャップ構造と少なく
とも三つのフォトニックバンドギャップ構造のうちの二
つの間に設けられた複数の光導波路を用いる場合に、ひ
とつのフォトニックバンドギャップ構造を異なった光導
波路に対して使えるようになり、フォトニックバンドギ
ャップ構造の数を減らせるようになった。Further, according to the second aspect of the present invention, when a plurality of optical waveguides provided between two of the at least three photonic band gap structures and the at least three photonic band gap structures are used. One photonic bandgap structure can be used for different optical waveguides, and the number of photonic bandgap structures can be reduced.
【００３１】さらに、請求項３に記載の発明では、１次
元フォトニックバンドギャップ構造を用いて変調するこ
とを開示しており、簡単な構成で効率的な位相変調が可
能になった。Further, the invention according to claim 3 discloses that modulation is performed using a one-dimensional photonic band gap structure, and efficient phase modulation can be achieved with a simple configuration.
【００３２】さらに、請求項４に記載の発明では、１次
元フォトニックバンドギャップ構造の構成を開示してお
り、電界によって屈折率の変化する平板と、該平板と屈
折率の異なる領域が交互に規則的に平行に並んだ構造を
用いて、効率的な位相変調が可能になった。Further, the invention according to claim 4 discloses a configuration of a one-dimensional photonic band gap structure, in which a flat plate whose refractive index changes by an electric field and a region having a different refractive index from the flat plate are alternately arranged. Efficient phase modulation has been made possible by using regularly arranged structures.
【００３３】さらに、請求項５に記載の発明では、電極
の位置を規定して、効率的な位相変調が可能になった。Further, according to the fifth aspect of the present invention, it is possible to regulate the positions of the electrodes and perform efficient phase modulation.
【００３４】さらに、請求項６に記載の発明では、さら
に電極の位置を規定して、効率的な製造が可能になっ
た。Further, according to the invention described in claim 6, the positions of the electrodes are further defined to enable efficient production.
【００３５】さらに、請求項７に記載の発明では、電極
の位置を規定して、製造工程の簡略化が可能になった。Further, according to the present invention, it is possible to simplify the manufacturing process by defining the positions of the electrodes.
【００３６】さらに、請求項８に記載の発明では、電極
の位置を規定して、効率的な製造が可能になった。Further, according to the invention described in claim 8, the position of the electrode is defined, thereby enabling efficient production.
【００３７】さらに、請求項９に記載の発明では、電極
の形状を規定して、効率的な製造が可能になった。Further, according to the ninth aspect of the present invention, it is possible to efficiently manufacture the electrode by defining the shape of the electrode.
【００３８】さらに、請求項１０に記載の発明では、軽
量な光変調器を実現した。Further, according to the tenth aspect of the present invention, a lightweight optical modulator is realized.
【００３９】さらに、請求項１１に記載の発明では、堅
牢な光変調器を実現した。Further, according to the present invention, a robust optical modulator is realized.
【００４０】さらに、請求項１２に記載の発明では、電
気信号を印加することで光変調ができるようになった。Further, according to the twelfth aspect of the present invention, light modulation can be performed by applying an electric signal.
【００４１】また、上記の実施形態では、１次元フォト
ニックバンドギャップ構造の実施例を示したが、２次元
あるいは３次元フォトニックバンドギャップ構造でも光
導波路に光を閉じ込める作用があることから、これらの
構造によっても１次元フォトニックバンドギャップ構造
の結果と同様の効果を容易に得ることが出来ることは明
らかである。In the above embodiment, an example of a one-dimensional photonic bandgap structure has been described. However, even a two-dimensional or three-dimensional photonic bandgap structure has an effect of confining light in an optical waveguide. It is obvious that the same effect as the result of the one-dimensional photonic bandgap structure can be easily obtained by the structure described above.
【００４２】また、上記実施例では、フォトニックバン
ド構造の実現にリチウムナイオベイト（ＬｉＮｂＯ３）
の例を示したが、その代わりに、他の物質としては、リ
チウムタンタレイト（ＬｉＴａＯ３）、ガリウム砒素
（ＧａＡｓ）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、ニ
オブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）等の電気光学効果を持っ
た物質を用いても同様の効果を得ることができる。Further, in the above embodiment, the lithium niobate (LiNbO3) is used to realize the photonic band structure.
However, instead of other substances, lithium tantalate (LiTaO 3), gallium arsenide (GaAs), barium titanate (BaTiO 3), potassium niobate (KNbO 3), and the like have electro-optical effects. The same effect can be obtained by using a different material.
【００４３】また、フォトニックバンド構造の構成材料
の一つとして空気を用いたが、その代わりに他のガスで
充たすことも可能であり、むしろ不活性ガスが望まし
い。同様に、フォトニックバンド構造の構成材料の一つ
として二酸化珪素を用いたが、代わりに該電気光学効果
を持った物質とは屈折率の異なる他の絶縁材料で充たす
事も可能であり、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、弗
化マグネシウム（ＭｇＦ２）等を用いる事ができる。こ
の際、同じ波数になるように幾何学的サイズを調整する
ことによって、本実施例と同様の効果を容易に得ること
ができる。Although air is used as one of the constituent materials of the photonic band structure, it is possible to fill it with another gas instead. Instead, an inert gas is preferable. Similarly, although silicon dioxide was used as one of the constituent materials of the photonic band structure, it can be filled with another insulating material having a different refractive index from the substance having the electro-optical effect. Aluminum (Al2O3), magnesium fluoride (MgF2), or the like can be used. At this time, by adjusting the geometric size so as to have the same wave number, the same effect as in the present embodiment can be easily obtained.
【図１】本発明の第一の実施例を示すための模式図FIG. 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第二の実施例を示すための模式図FIG. 2 is a schematic view showing a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第三の実施例を示すための模式図FIG. 3 is a schematic view showing a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明の原理を示すための模式図FIG. 4 is a schematic view showing the principle of the present invention.
【図５】図４の構成について、数値計算によるシミュレ
ーションで求めた結果5 is a result obtained by a simulation based on numerical calculation for the configuration in FIG.
【図６】電気光学効果を用いた従来の光変調器の例を示
す模式図FIG. 6 is a schematic diagram showing an example of a conventional optical modulator using an electro-optic effect.
１００ 第一の実施例の光変調器 １０１ 入射光線 １０２ 入射用レンズ系 １０３ 放射用レンズ系 １０４ 一次元フォトニックバンド構造 １０５ 光導波路 １０６ 二酸化珪素基板 １０７ 二酸化珪素 １０８ 下部電極 １０９ 上部電極 １１０ 変調信号印加用引出し線 １１１ 反射波防止用終端 ２００ 第二の実施例の光変調器 ２０１ 入射光線 ２０２ 入射用レンズ系 ２０３ 放射用レンズ系 ２０４ 一次元フォトニックバンド構造 ２０５ 光導波路 ２０８ 下部電極 ２０９ 上部電極 ２１０ 変調信号印加用引出し線 ２１１ 反射波防止用終端 ３００ 第三の実施例の光変調器 ３０１ 入射光線 ３０４ 一次元フォトニックバンド構造 ３０９ 電極 ３１０ 変調信号印加用引出し線 ３１１ 反射波防止用終端 ３２０ リチウムナイオベイト（ＬｉＮｂＯ３）基板 ３２１ ＬｉＮｂＯ３基板にチタンを拡散した導波路 REFERENCE SIGNS LIST 100 Optical modulator of first embodiment 101 Incident light beam 102 Incident lens system 103 Radiating lens system 104 One-dimensional photonic band structure 105 Optical waveguide 106 Silicon dioxide substrate 107 Silicon dioxide 108 Lower electrode 109 Upper electrode 110 Modulation signal application Lead wire for reflection 111 Termination for preventing reflected wave 200 Optical modulator of second embodiment 201 Incident light beam 202 Incident lens system 203 Radiating lens system 204 One-dimensional photonic band structure 205 Optical waveguide 208 Lower electrode 209 Upper electrode 210 Modulation Signal application lead line 211 Reflected wave preventing terminal 300 Optical modulator 301 of third embodiment 301 Incident light beam 304 One-dimensional photonic band structure 309 Electrode 310 Modulated signal applying lead line 311 Reflected wave preventing terminal 320 Lithium niobate (LiNbO3 Waveguide by diffusing titanium into the substrate 321 LiNbO3 substrate
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平11−330619（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−83005（ＪＰ，Ａ) 特表 平８−505707（ＪＰ，Ａ) 国際公開98／53350（ＷＯ，Ａ１) 国際公開98／26316（ＷＯ，Ａ１) 国際公開96／27225（ＷＯ，Ａ１) 米国特許5740287（ＵＳ，Ａ) 文部省科学研究費（補助金）重点領域 研究「量子位相エレクトロニクス」平成 ７年度研究成果報告書（研究成果報告会 論文集）（平成８年２月１日〜２日）ｐ ｐ．95−100 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/03 505 G02F 1/035 G02B 6/12 ＩＮＳＰＥＣ（ＤＩＡＬＯＧ) ＷＰＩ／Ｌ（ＱＵＥＳＴＥＬ)Continuation of the front page (56) References JP-A-11-330619 (JP, A) JP-A-10-83005 (JP, A) JP-A-8-505707 (JP, A) WO 98/53350 (WO, A1) WO 98/26316 (WO, A1) WO 96/27225 (WO, A1) US Patent 5,740,287 (US, A) Ministry of Education, Science and Technology Research Grants (subsidy) Key research area "Quantum phase electronics" FY1995 research Achievement Report (Research Achievement Report Papers) (Feb. 1-2, 1996) pp. 95-100 (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G02F 1/03 505 G02F 1/035 G02B 6/12 INSPEC (DIALOG) WPI / L (QUESTEL)
Claims (12)
る光変調器で、少なくとも二つのフォトニックバンドギ
ャップ構造と、該フォトニックバンドギャップ構造に電
界を印加するための電極と、該電極に電圧を印加するた
めの手段と、該二つのフォトニックバンドギャップ構造
間に設けられた間隙と、該少なくとも二つのフォトニッ
クバンドギャップ構造間に設けられた間隙に光を導入す
る手段とを持ち、入射した光は、該間隙を伝播すること
を特徴とする光変調器。An optical modulator that uses a change in a physical constant due to a change in an electric field, comprising at least two photonic band gap structures, an electrode for applying an electric field to the photonic band gap structure, and a voltage applied to the electrodes. , A gap provided between the two photonic bandgap structures, and a means for introducing light into the gap provided between the at least two photonic bandgap structures. The light modulator propagates the gap through the gap.
とも三つのフォトニックバンドギャップ構造を有し、該
少なくとも三つのフォトニックバンドギャップ構造に電
界を印加するための複数の電極と、該複数の電極に電圧
を印加するための手段と、該少なくとも三つのフォトニ
ックバンドギャップ構造のうちのそれぞれ少なくとも二
つの間に設けられた複数の間隙と、該複数の間隙に光を
導入する手段と、を持ち、入射した光はそれぞれの該間
隙を伝播することを特徴とする光変調器。2. The optical modulator according to claim 1, further comprising at least three photonic bandgap structures, a plurality of electrodes for applying an electric field to said at least three photonic bandgap structures, and said plurality of electrodes. Means for applying a voltage to the electrode, a plurality of gaps provided between at least two of the at least three photonic band gap structures, and means for introducing light into the plurality of gaps, An optical modulator having an incident light propagating through each of the gaps.
て、フォトニックバンドギャップ構造は、それぞれ平行
に並んだ複数の１次元フォトニックバンドギャップ構造
であり、該１次元フォトニックバンドギャップ構造の方
向へは伝搬することがバンドギャップにより禁じられて
いる波数の光を、該間隙に入射し伝播させることを特徴
とする光変調器。3. The optical modulator according to claim 1, wherein the photonic band gap structure is a plurality of one-dimensional photonic band gap structures arranged in parallel with each other. An optical modulator characterized in that light having a wave number prohibited from propagating in a direction by a band gap is incident on the gap and propagated.
ォトニックバンドギャップ構造は、電界によって屈折率
の変化する平板と、該平板と屈折率の異なる領域が交互
に規則的に平行に並んだ構造よりなる１次元フォトニッ
クバンドギャップ構造で、該平板の法線方向は該光の伝
播方向に直交することを特徴とする光変調器。4. The optical modulator according to claim 3, wherein in the one-dimensional photonic band gap structure, a flat plate whose refractive index changes by an electric field and regions having a different refractive index from the flat plate are alternately and regularly arranged in parallel. An optical modulator having a one-dimensional photonic band gap structure having a flat structure, wherein a normal direction of the flat plate is orthogonal to a propagation direction of the light.
は、該光の伝播方向と該平板の該法線方向とで作られる
面に平行であることを特徴とする光変調器。5. An optical modulator according to claim 3, wherein said electrode is parallel to a plane formed by a direction of propagation of said light and said normal direction of said flat plate.
方向は、それぞれの１次元フォトニックバンドギャップ
構造について共通する方向に設けられる事を特徴とする
光変調器。6. The optical modulator according to claim 3, wherein the normal direction of the electrodes in the optical modulator according to claim 3 is provided in a direction common to each one-dimensional photonic band gap structure.
れぞれの１次元フォトニックバンドギャップ構造につい
て共通する一側面に設けられる事を特徴とする光変調
器。7. The optical modulator according to claim 3, wherein the electrodes are provided on one side common to the respective one-dimensional photonic band gap structures.
方向は、それぞれの１次元フォトニックバンドギャップ
構造の相対する方向に設けられる事を特徴とする光変調
器。8. The optical modulator according to claim 3, wherein the normal direction of the electrode in the optical modulator according to claim 3 is provided in a direction opposite to each one-dimensional photonic band gap structure.
２つの電極は、それぞれの１次元フォトニックバンドギ
ャップ構造の相対する方向に設けられ、少なくとも２つ
の異なる１次元フォトニックバンドギャップ構造に設け
られた電極が連続した平面よりなる事を特徴とする光変
調器。9. The optical modulator according to claim 3, wherein at least two electrodes are provided in opposite directions of the respective one-dimensional photonic band gap structures, and are provided in at least two different one-dimensional photonic band gap structures. An optical modulator characterized in that the electrodes comprise a continuous plane.
８あるいは９の光変調器における１次元フォトニックバ
ンドギャップ構造は、リチウムナイオベイト（ＬｉＮｂ
Ｏ３）とガス体をその構成物として含む事を特徴とする
光変調器。10. The method of claim 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7,
The one-dimensional photonic band gap structure in the 8 or 9 optical modulator is a lithium niobate (LiNb).
O3) and a gas body as constituents thereof.
８あるいは９の光変調器における１次元フォトニックバ
ンドギャップ構造は、リチウムナイオベイト（ＬｉＮｂ
Ｏ３）と二酸化ケイ素をその構成物として含む事を特徴
とする光変調器。11. The method of claim 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7,
The one-dimensional photonic band gap structure in the 8 or 9 optical modulator is a lithium niobate (LiNb).
An optical modulator comprising O3) and silicon dioxide as constituents thereof.
８、９、１０、あるいは１１における光変調器で、該フ
ォトニックバンドギャップ構造に電界を印加するための
電極に直流あるいは交流電圧を印加することにより、光
の位相変調を行う事を特徴とする光変調方法。12. The method of claim 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7,
The optical modulator according to 8, 9, 10 or 11, wherein phase modulation of light is performed by applying a DC or AC voltage to an electrode for applying an electric field to the photonic band gap structure. Light modulation method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22750999A JP3200629B2 (en) | 1999-08-11 | 1999-08-11 | Optical modulator using photonic bandgap structure and optical modulation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22750999A JP3200629B2 (en) | 1999-08-11 | 1999-08-11 | Optical modulator using photonic bandgap structure and optical modulation method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001051244A JP2001051244A (en) | 2001-02-23 |
| JP3200629B2 true JP3200629B2 (en) | 2001-08-20 |
Family
ID=16862025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22750999A Expired - Lifetime JP3200629B2 (en) | 1999-08-11 | 1999-08-11 | Optical modulator using photonic bandgap structure and optical modulation method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3200629B2 (en) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2320257C (en) | 1998-02-19 | 2005-11-01 | Massachusetts Institute Of Technology | High omnidirectional reflector |
| CA2346733C (en) | 1998-10-14 | 2007-01-02 | Massachusetts Institute Of Technology | Omnidirectional reflective multilayer device for confining electromagnetic radiation |
| JP3586635B2 (en) * | 2000-10-19 | 2004-11-10 | 株式会社日立製作所 | Optical devices and substrates |
| JP2004526181A (en) | 2001-01-25 | 2004-08-26 | オムニガイド コミュニケーションズ インコーポレイテッド | Photonic crystal optical waveguide with tailored dispersion profile |
| US6625364B2 (en) | 2001-01-25 | 2003-09-23 | Omniguide Communications | Low-loss photonic crystal waveguide having large core radius |
| JP2004521379A (en) | 2001-01-31 | 2004-07-15 | オムニガイド コミュニケーションズ インコーポレイテッド | Electromagnetic mode conversion of photonic crystal multimode waveguide |
| JP2004533390A (en) | 2001-04-12 | 2004-11-04 | オムニガイド コミュニケーションズ インコーポレイテッド | High refractive index contrast optical waveguides and applications |
| GB2374678A (en) * | 2001-04-20 | 2002-10-23 | Marconi Caswell Ltd | Photonic band gap device |
| WO2003079071A1 (en) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Technical University Of Denmark | Planar optical waveguides with photonic crystal structure |
| US7260300B2 (en) | 2003-03-04 | 2007-08-21 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Waveguide element using photonic crystal |
| EP1605286A4 (en) | 2003-03-04 | 2006-04-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Waveguide device using photonic crystal |
| KR100543708B1 (en) * | 2003-12-17 | 2006-01-20 | 삼성전자주식회사 | Mode converter device using omnidirectional reflectors |
| JP4890021B2 (en) * | 2005-12-20 | 2012-03-07 | 株式会社フジクラ | OPTICAL ELEMENT AND OPTICAL MODULATOR HAVING OPTICAL ELEMENT |
| CN110927995A (en) * | 2019-12-13 | 2020-03-27 | 西南大学 | Electro-optical modulator based on metal-medium-metal waveguide |
-
1999
- 1999-08-11 JP JP22750999A patent/JP3200629B2/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 文部省科学研究費（補助金）重点領域研究「量子位相エレクトロニクス」平成７年度研究成果報告書（研究成果報告会論文集）（平成８年２月１日〜２日）ｐｐ．９５−１００ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001051244A (en) | 2001-02-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7088875B2 (en) | Optical modulator | |
| JP2603437B2 (en) | Periodic domain inversion electro-optic modulator | |
| US7224869B2 (en) | Low loss electrodes for electro-optic modulators | |
| US7426326B2 (en) | Low loss bridge electrode with rounded corners for electro-optic modulators | |
| EP2624029B1 (en) | Optical waveguide element | |
| JP3200629B2 (en) | Optical modulator using photonic bandgap structure and optical modulation method | |
| JP4183716B2 (en) | Optical waveguide device | |
| US10228511B2 (en) | Integrated low-voltage CMOS-compatible electro-optic modulator | |
| JP2008064936A (en) | Optical modulator | |
| WO2014157456A1 (en) | Optical modulator | |
| JP2005221999A (en) | Optical modulator and optical modulator array | |
| JPH07234391A (en) | Device for controlling light | |
| WO2006088093A1 (en) | Optical modulator | |
| US8606053B2 (en) | Optical modulator | |
| JP3558529B2 (en) | Optical modulator and optical modulator | |
| JP5467414B2 (en) | Optical functional waveguide | |
| JPH04355714A (en) | Optical control element | |
| JP2007248944A (en) | Optical modulator | |
| JPH02214828A (en) | Integrated optical waveguide device | |
| Poveda et al. | Optical waveguide devices modulated by surface acoustic waves | |
| JP4519436B2 (en) | Reflective light modulator | |
| JP2018194630A (en) | Optical deflection element performance index measurement device, and optical deflection element performance index measurement program | |
| JP2022133031A (en) | Hybrid array waveguide type light deflector | |
| JPH01201628A (en) | Optical switch | |
| JPS6236631A (en) | Waveguide type optical modulator |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3200629 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R154 | Certificate of patent or utility model (reissue) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R154 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |