JP3195052B2 - Power supply switching circuit - Google Patents

Power supply switching circuit

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JP3195052B2
JP3195052B2 JP16750292A JP16750292A JP3195052B2 JP 3195052 B2 JP3195052 B2 JP 3195052B2 JP 16750292 A JP16750292 A JP 16750292A JP 16750292 A JP16750292 A JP 16750292A JP 3195052 B2 JP3195052 B2 JP 3195052B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は負荷回路に主電源とバッ
クアップ電源を切り換えて供給する電源切換え回路に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power supply switching circuit for supplying a load circuit by switching between a main power supply and a backup power supply.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えばスタティック・ランダム・アクセ
ス・メモリ(以下「SRAM」という)から成る負荷回
路を動作させるために所定の駆動電圧を発生する主電源
が用意される。尚、この主電源は例えば前記負荷回路を
搭載した機器内で商用交流電圧から所定の直流電圧(負
荷回路)を生成するように構成することにより実現でき
る。
2. Description of the Related Art A main power supply for generating a predetermined drive voltage is provided for operating a load circuit comprising, for example, a static random access memory (hereinafter referred to as "SRAM"). The main power supply can be realized by, for example, generating a predetermined DC voltage (load circuit) from a commercial AC voltage in a device equipped with the load circuit.

【0003】ところで、主電源を切った場合に、そのま
ま何らかの手当を施さないと、負荷回路としてのSRA
Mに記憶されているデータが消えてしまうことになるの
で、一般にはそのデータの記憶保持を図るべくバックア
ップ電源を用意し、バックアップ電圧を主電源電圧に代
えて負荷回路に与えるようにしている。
By the way, when the main power supply is turned off, if no allowance is given, the SRA as a load circuit must
Since the data stored in M will be lost, a backup power supply is generally prepared to store and retain the data, and the backup voltage is applied to the load circuit instead of the main power supply voltage.

【0004】このような主電源とバックアップ電源の切
換え回路の従来例を図7に示す。同図において、1は主
電源電圧VCCを与える主電源、2はバックアップ電源電
圧VBATを与えるバックアップ電源である。
FIG. 7 shows a conventional example of such a circuit for switching between a main power supply and a backup power supply. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a main power supply that supplies a main power supply voltage V CC , and 2 denotes a backup power supply that supplies a backup power supply voltage V BAT .

【0005】D1は主電源1と出力端子3との間に接続
された第1スイッチングダイオードであり、D2はバッ
クアップ電源2と出力端子3との間に接続された第2ス
イッチングダイオードである。4は出力端子3に負荷回
路として接続されたSRAMである。今、第1、第2ス
イッチングダイオードD1、D2が同一の特性をもつダ
イオードであって、その順方向導通電圧がVFであると
したとき、負電源1が正常に動作しているときは、主電
源電圧VCCがバックアップ電源電圧VBATよりも高いの
で、第1スイッチングダイオードD1がON(第2スイ
ッチングダイオードD2はOFF)して出力電圧V
Oは、 VO=VCC−VF となる。しかし、例えばメインスイッチ(図示せず)の
OFFによって電源電圧VCCがバックアップ電圧VBAT
よりも低くなると、第2ダイオードD2がON(第1ス
イッチングダイオードD1はOFF)して出力電圧VO
は、 VO=VBAT−VF となる。
[0005] D1 is a first switching diode connected between the main power supply 1 and the output terminal 3, and D2 is a second switching diode connected between the backup power supply 2 and the output terminal 3. Reference numeral 4 denotes an SRAM connected to the output terminal 3 as a load circuit. Now, first, second switching diodes D1, D2 is a diode having the same properties, when the forward conduction voltage has to be V F, when the negative power supply 1 is operating normally, Since the main power supply voltage V CC is higher than the backup power supply voltage V BAT , the first switching diode D1 is turned on (the second switching diode D2 is turned off) and the output voltage V
O is a V O = V CC -V F. However, for example, when the main switch (not shown) is turned off, the power supply voltage V CC is changed to the backup voltage V BAT.
When the voltage becomes lower than the threshold voltage, the second diode D2 is turned on (the first switching diode D1 is turned off) and the output voltage V O
Is V O = V BAT −V F.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の回路におい
て、SRAM4の動作電圧の最小値が4.5Vで、デー
タを保持するために必要なバックアップ電圧の最小値が
2Vであるとすると、VCC、VBATはそれぞれ次の式で
示される電圧を有することが必要となる。 VCC=4.5+VF・・・(1) VBAT=2+VF ・・・(2) これは、VCCやVBATとして4.5Vや2Vよりもスイッ
チングダイオードのVF分だけ高い値がVCCやVBATの許
容最小値になるということを意味している。一方、SR
AM4はバックアップ時に印加されている電圧が2V位
になると、保持状態がぎりぎりとなり、0.2Vぐらい
の電圧の揺れが一瞬でも生じたりすると、SRAM4に
記憶しているデータが消去されてしまう。また、主電源
にノイズが乗ってそのノイズによるVCCの電圧低下が生
じると、SRAM4の動作時に誤動作が生じたりする。
In the above-mentioned conventional circuit, if the minimum value of the operating voltage of the SRAM 4 is 4.5 V and the minimum value of the backup voltage required to hold data is 2 V, V CC , V BAT need to have voltages represented by the following equations. V CC = 4.5 + V F ··· (1) V BAT = 2 + V F ··· (2) This is because the V F amount corresponding value higher switching diodes than 4.5V and 2V as V CC or V BAT This means that V CC and V BAT become the minimum allowable values. On the other hand, SR
When the voltage applied at the time of backup reaches about 2V, the holding state of the AM4 becomes marginal, and when a voltage swing of about 0.2V occurs even for a moment, the data stored in the SRAM4 is erased. In addition, if noise is applied to the main power supply and the voltage of V CC is reduced due to the noise, a malfunction may occur during the operation of the SRAM 4.

【0007】従って、主電源電圧VCC、及びVBATはこ
れらの電圧の揺れやノイズの影響を考慮して或る程度高
めに設定するが、それは許容範囲(マージン)を狭める
ことになる。その上に前記従来例の構成によればダイオ
ードのVFの分だけ更に余計に許容値が狭くなってしま
う。例えば、バックアップ電源2が電池である場合には
BATは時間とともに下がっていくので、VFを0.5V
とすると、(2)式よりVBATとして2.5V(実際には
電圧の揺れの分の0.2V考慮して2.7V)まで下がっ
た点が許容値となり、VFの分だけ余計にマージンが小
さくなってしまうという欠点があった。
Therefore, the main power supply voltages V CC and V BAT are set somewhat higher in consideration of the fluctuation of these voltages and the influence of noise, but this narrows the allowable range (margin). That much more extra allowance of V F of the diode according to the conventional configuration on becomes narrower. For example, since when the backup power supply 2 is battery V BAT is going down with time, 0.5V and V F
Then, from the equation (2), the point at which V BAT falls to 2.5 V (actually 2.7 V in consideration of 0.2 V for the fluctuation of the voltage) becomes an allowable value, and is extra by V F There is a disadvantage that the margin is reduced.

【0008】本発明はこのような点に鑑み、スイッチ素
子による電圧ロスを生じないようにした新規な電源切換
え回路を提供することを目的とする。また、本発明はそ
のような電圧ロスを生じない電源切換え回路において適
切な切換え制御がなされるようにすることを目的とす
る。
In view of the foregoing, it is an object of the present invention to provide a novel power supply switching circuit that does not cause a voltage loss due to a switching element. Another object of the present invention is to make it possible to perform appropriate switching control in a power supply switching circuit that does not cause such a voltage loss.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明では、負荷回路に主電源とバックアップ電源を
切り換えて供給するために、主電源と出力端子間に接続
されたMOSトランジスタより成る第1スイッチ手段
と、バックアップ電源と前記出力端子間に接続されたM
OSトランジスタより成る第2スイッチ手段と、前記第
1、第2スイッチ手段をそれぞれ構成する各MOSトラ
ンジスタにスイッチング電圧を与えるスイッチ制御手段
を備え、前記スイッチ制御手段は主電源電圧が基準電
圧以下に下がるのを検出する検出手段を有しており、該
検出手段の出力は前記主電源電圧の前記基準電圧以下へ
の低下が検出されたとき前記第1スイッチ手段をOF
F、第2スイッチ手段をONとするように働くようにな
っている電源切換え回路において、前記検出手段がコン
パレータと、主電源の電圧を前記コンパレータに印加す
る手段と、前記コンパレータに基準電圧を印加する基準
電圧回路とを有し、該基準電圧回路は、前記主電源によ
り充電されるコンデンサを含んでおり、そのコンデンサ
の出力を基準電圧としているあるいは、該基準電圧回
路は上記バックアップ電源からの電圧を入力するMOS
トランジスタのバッファ増幅器を含んでおり、このバッ
ファ増幅器の出力電圧を上記基準電圧としている
In order to achieve the above object, the present invention comprises a MOS transistor connected between a main power supply and an output terminal so as to switch and supply a main power supply and a backup power supply to a load circuit. First switch means, and M connected between a backup power supply and the output terminal.
A second switching means consisting of OS transistors, the first, and a switch control means for providing a switching voltage of the second switch means to the respective MOS transistors constituting each of said switch control means is mains voltage reference potential
Pressure detecting means for detecting the pressure drop below the pressure.
The output of the detecting means falls below the reference voltage of the main power supply voltage.
When the decrease of the voltage is detected, the first switch means is turned off.
F, it works to turn on the second switch means.
In the power supply switching circuit, the detecting means
Applying the voltage of the main power supply to the comparator
Means for applying a reference voltage to the comparator
A voltage circuit, wherein the reference voltage circuit is connected to the main power supply.
The capacitor that is charged
Is the reference voltage . Alternatively, the reference voltage
The path is a MOS that inputs the voltage from the backup power supply.
It includes a transistor buffer amplifier and
The output voltage of the amplifier is used as the reference voltage .

【0010】[0010]

【0011】更に前記スイッチ制御回路は、主電源の電
圧が予め定めた所定電圧より下がるのを検出する第1の
検出手段と、主電源の電圧が予め定めた所定電圧より下
がるのを検出する第2の検出手段を接続できる端子と、
前記第1の検出手段の出力と前記端子からの電圧を受け
るとともに前記第1検出手段の出力と前記端子からの電
圧がいずれも主電源の電圧がそれぞれの所定電圧より下
がったのを検出した出力であるときに前記第1スイッチ
手段をOFF、第2スイッチ手段をONとなす出力を発
生する論理回路とから構成することができる。
Further, the switch control circuit includes a first detecting means for detecting that the voltage of the main power supply falls below a predetermined voltage, and a second detecting means for detecting that the voltage of the main power supply falls below a predetermined voltage. A terminal to which the second detecting means can be connected;
An output which receives the output of the first detecting means and the voltage from the terminal, and the output of the first detecting means and the voltage detected from the terminal, each of which detects that the voltage of the main power supply has fallen below a predetermined voltage. And a logic circuit for generating an output that turns off the first switch means and turns on the second switch means.

【0012】[0012]

【作用】上記のように、電源切換え回路を、主電源と出
力端子間に接続されたMOSトランジスタより成る第1
スイッチ手段と、バックアップ電源と前記出力端子間に
接続されたMOSトランジスタより成る第2スイッチ手
段と、前記第1、第2スイッチ手段をそれぞれ構成する
各MOSトランジスタにスイッチング電圧を与えるスイ
ッチ制御手段とを設けた構成とすると、第1、第2スイ
ッチ手段がMOSトランジスタで構成されているためス
イッチ手段による電圧ロスが発生せず、従って、その
分、電源電圧低下の許容範囲(マージン)及びバックア
ップ電圧低下の許容範囲(マージン)が広くなる。
As described above, the power supply switching circuit comprises the first MOS transistor connected between the main power supply and the output terminal.
Switch means, second switch means comprising a MOS transistor connected between a backup power supply and the output terminal, and switch control means for applying a switching voltage to each of the MOS transistors constituting the first and second switch means. With this configuration, since the first and second switch means are constituted by MOS transistors, no voltage loss occurs due to the switch means. Therefore, the allowable range (margin) of the power supply voltage drop and the backup voltage drop are correspondingly reduced. Becomes wider (margin).

【0013】また、スイッチ制御回路を、検出手段によ
って主電源が予め定めた所定電圧より下がるのを検出し
て第1スイッチ手段をOFF、第2スイッチ手段をON
とするように構成すると、主電源電圧が所定電圧より下
がる前にバックアップ電源に切り換えるので、例えば負
荷回路がSRAMのような場合に主電源電圧低下時にデ
ータの確実な保持が可能となる。
Further, the switch control circuit turns off the first switch means and turns on the second switch means by detecting that the main power supply falls below a predetermined voltage by the detecting means.
With this configuration, the backup power supply is switched before the main power supply voltage falls below a predetermined voltage. Therefore, for example, when the load circuit is an SRAM, data can be reliably held when the main power supply voltage drops.

【0014】尚、このような所定電圧は基準電圧として
作ってやらなければならないが、この基準電圧をバック
アップ電源を利用して形成する場合、バックアップ電源
からの電圧を入力するバッファ増幅器を設け、このバッ
ファ増幅器の出力電圧を利用して上記基準電圧とするよ
うに構成すると、増幅器(該増幅器がMOSトランジス
タで構成され、そのゲートにバックアップ電源からの電
圧を印加する場合を想定すれば分かりやすいように)に
対しバックアップ電源から電流が流れず、電圧だけが印
加されるので、バックアップ電源のパワーを殆ど消費し
なくてすむ。
Incidentally, such a predetermined voltage must be generated as a reference voltage. When this reference voltage is formed by using a backup power supply, a buffer amplifier for inputting a voltage from the backup power supply is provided. If the output voltage of the buffer amplifier is used as the reference voltage, the amplifier (which is constituted by MOS transistors and a voltage from a backup power supply is applied to the gate thereof) can be easily understood. However, since no current flows from the backup power supply and only the voltage is applied, the power of the backup power supply is hardly consumed.

【0015】前記スイッチ制御回路を、主電源の電圧が
予め定めた所定電圧より下がるのを検出する第1の検出
手段と、主電源の電圧が予め定めた所定電圧より下がる
のを検出する第2の検出手段を接続できる端子と、前記
第1の検出手段の出力と前記端子からの電圧を受けると
ともに前記第1検出手段の出力と前記端子からの電圧が
いずれも主電源の電圧がそれぞれの所定電圧より下がっ
たのを検出した出力であるときに前記第1スイッチ手段
をOFF、第2スイッチ手段をONとなす出力を発生す
る論理回路とから構成した場合には、第1検出手段を例
えばMOSトランジスタを用いて構成したことにより、
検出電圧のバラツキが生じても、第2検出手段によっ
て、その検出の不正確さを補償することが可能となる。
The switch control circuit includes a first detecting means for detecting that the voltage of the main power supply falls below a predetermined voltage, and a second detecting means for detecting that the voltage of the main power supply falls below a predetermined voltage. Receiving the output of the first detecting means and the voltage from the terminal, and the output of the first detecting means and the voltage from the terminal are each at a predetermined voltage. A logic circuit that generates an output that turns off the first switch means and turns on the second switch means when the output is lower than the voltage is detected. By using transistors,
Even if the detection voltage varies, the second detection means can compensate for the inaccuracy of the detection.

【0016】[0016]

【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例に従って説
明する。本発明を実施した図1において、図7の従来例
と同一の部分には同一の符号を付してある。本実施例で
は主電源1と出力端子3との間、及びバックアップ電源
2と出力端子3の間に接続するスイッチ手段としてそれ
ぞれP型のMOSトランジスタP1、P2を使用してい
る。5はこれらのMOSトランジスタP1、P2の切換
えを行なうための制御電圧を各MOSトランジスタP
1、P2のゲートに与えるスイッチ制御回路である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the embodiments shown in the drawings. In FIG. 1 embodying the present invention, the same parts as those of the conventional example of FIG. 7 are denoted by the same reference numerals. In this embodiment, P-type MOS transistors P1 and P2 are used as switch means connected between the main power supply 1 and the output terminal 3 and between the backup power supply 2 and the output terminal 3, respectively. 5 is a control voltage for switching these MOS transistors P1 and P2.
1, a switch control circuit applied to the gate of P2.

【0017】SRAM4を動作させる場合は、スイッチ
制御回路5からMOSトランジスタP1のゲートにロー
レベル電圧を与えて該MOSトランジスタP1をON状
態にするとともにMOSトランジスタP2のゲートにハ
イレベル電圧を与えて該MOSトランジスタP2をOF
Fになす。SRAM4をバックアップ状態とするときに
は、スイッチ制御回路5はMOSトランジスタP1のゲ
ートにハイレベル電圧、MOSトランジスタP2のゲー
トにローレベル電圧をそれぞれ与えてMOSトランジス
タP1をOFF状態、MOSトランジスタP2をON状
態になす。
When operating the SRAM 4, the switch control circuit 5 applies a low-level voltage to the gate of the MOS transistor P1 to turn on the MOS transistor P1, and applies a high-level voltage to the gate of the MOS transistor P2 to apply the high-level voltage. MOS transistor P2 is turned off
Make F. When the SRAM 4 is in the backup state, the switch control circuit 5 applies a high-level voltage to the gate of the MOS transistor P1 and a low-level voltage to the gate of the MOS transistor P2 to turn off the MOS transistor P1 and turn on the MOS transistor P2. Eggplant

【0018】このように本実施例では主電源1とバック
アップ電源2を切換えるスイッチ手段としてMOSトラ
ンジスタP1、P2を用いているので、その電圧ロスは
殆ど零であり、SRAM4に対しVCCとしては最小4.
5V、VBATとしては最小2V(電圧の揺れやノイズの
影響を考慮する場合は4.5V、2Vよりやや高めにす
る)まで許容範囲が広がることになる。従って、例えば
バックアップ電源2として電池を用いた場合、電池の使
用できる寿命が従来例に比し延びることになる。
[0018] Since the MOS transistors are used P1, P2 as a switch means for switching the main power supply 1 and the backup power supply 2 in the present embodiment, the voltage loss is almost zero, the minimum as V CC to SRAM4 4.
5V, becomes (if considering the effect of shaking and noise voltage 4.5V, slightly to higher than 2V) minimum 2V to be spread tolerance as V BAT. Therefore, for example, when a battery is used as the backup power supply 2, the usable life of the battery is extended as compared with the conventional example.

【0019】図2は前記スイッチ制御回路5の詳細を示
している。このスイッチ制御回路5は主電源電圧VCC
抵抗R1、R2で分圧した(イ)点の電圧をコンパレー
タ6で基準電圧Vrefと比較し、(イ)点の電位が基準
電圧Vrefよりも低くなると、コンパレータ6の出力は
ハイレベルからローレベルとなる。
FIG. 2 shows the details of the switch control circuit 5. The switch control circuit 5 is compared with the reference voltage Vref and the voltage of the mains voltage obtained by dividing by V CC resistors R1, R2 (a) point by a comparator 6, lower than the potential of the reference voltage Vref (a) point Then, the output of the comparator 6 changes from the high level to the low level.

【0020】この出力は第1インバータG1で反転され
てMOSトランジスタP1のゲートにハイレベル電圧と
して印加され、MOSトランジスタP1をOFFにな
す。また、第1インバータG1の出力を更に第2インバ
ータG2で反転することによりMOSトランジスタP2
のゲートにはローレベルとして加わり、該MOSトラン
ジスタP2をONさせる。これによって出力端子3には
バックアップ電圧VBATが導出される。出力端子3に接
続されるSRAM4が主電源VCCの低下によってデータ
が消えてしまう前に上記の切換えが行なわれなければな
らない。そのため、基準電圧Vrefは、SRAM4のデ
ータが消えない値に選ばれるものとする。
This output is inverted by the first inverter G1 and applied as a high-level voltage to the gate of the MOS transistor P1, turning off the MOS transistor P1. Further, the output of the first inverter G1 is further inverted by the second inverter G2, so that the MOS transistor P2
At a low level to turn on the MOS transistor P2. As a result, the backup voltage V BAT is derived from the output terminal 3. The above switching must be performed before the SRAM 4 connected to the output terminal 3 loses data due to the decrease in the main power supply V CC . Therefore, the reference voltage Vref is selected to be a value at which the data in the SRAM 4 does not disappear.

【0021】このようにすることによって機器のメイン
スイッチがOFFとなって主電源電圧VCCが下がると
き、該VCCがSRAM4のデータを消去しない電圧値で
あるうちにバックアップ電源2からの電圧VBATを出力
端子3に出力するように切換えが行なわれる。
In this way, when the main switch of the device is turned off and the main power supply voltage V CC falls, while the V CC is a voltage value at which data in the SRAM 4 is not erased, the voltage V Switching is performed so as to output BAT to output terminal 3.

【0022】基準電圧Vrefを与える基準電圧源7の構
成は種々考えられるが、例えば1つの構成として図3の
ようにVCCを電源電圧とし、抵抗R4、R5とそのR5
に並列なコンデンサC1とから構成し、C1の電圧を基
準電圧とすることによって実現できる。
[0022] reference the voltage configuration of the reference voltage source 7 give Vref are various, for example as a power supply voltage V CC as shown in FIG. 3 as a single structure, resistors R4, R5 and the R5
And a capacitor C1 in parallel with the capacitor C1, and using the voltage of C1 as a reference voltage.

【0023】前記図3の基準電源7は主電源電圧VCC
利用した形態であるが、次の図4は基準電圧Vrefをバ
ックアップ電源2から得ている。図4において、バック
アップ電源2の電圧(バックアップ電源電圧)VBAT
バッファ増幅器8に印加されている。バックアップ電源
電圧VBATが3Vであるとすると、バッファ増幅器8の
出力も3Vとなる。この電圧は抵抗R6、R7によって
分圧され、(ロ)点の電圧がコンパレータ6の(−)端
子に印加される。この場合、バッファ増幅器8をMOS
トランジスタで構成すると、そのゲートにはバックアッ
プ電源2から電圧が印加されるだけであって、電流は流
れないので、バックアップ電源2のパワーが消費されな
いという利点を享受できる。
The reference power supply 7 shown in FIG. 3 uses the main power supply voltage V CC , but FIG. 4 shows the reference voltage Vref obtained from the backup power supply 2. In FIG. 4, the voltage of the backup power supply 2 (backup power supply voltage) V BAT is applied to the buffer amplifier 8. Assuming that the backup power supply voltage V BAT is 3 V, the output of the buffer amplifier 8 also becomes 3 V. This voltage is divided by the resistors R6 and R7, and the voltage at the point (b) is applied to the (-) terminal of the comparator 6. In this case, the buffer amplifier 8 is
When a transistor is used, only the voltage is applied from the backup power supply 2 to the gate, and no current flows, so that the advantage that the power of the backup power supply 2 is not consumed can be enjoyed.

【0024】図5はスイッチ制御回路5に関し、他の構
成を採っている。即ち、ここでは主電源電圧VCCと基準
電圧Vrefとの比較を行なうコンパレータ6aの出力を
NORゲート9の入力とし、NORゲート9の他の入力
は端子10より得るように構成されている。線路11及
び端子10はいずれも抵抗R8、R9を介して接地電位
に接続されている。NORゲート9の出力はMOSトラ
ンジスタP1のゲートに与えられるとともにインバータ
G2を介してMOSトランジスタP2のゲートに与えら
れる。
FIG. 5 relates to the switch control circuit 5 and adopts another configuration. That is, here, the output of the comparator 6a for comparing the main power supply voltage V CC with the reference voltage Vref is used as the input of the NOR gate 9, and the other input of the NOR gate 9 is obtained from the terminal 10. Both the line 11 and the terminal 10 are connected to the ground potential via the resistors R8 and R9. The output of NOR gate 9 is applied to the gate of MOS transistor P1 and to the gate of MOS transistor P2 via inverter G2.

【0025】端子10には外部回路として主電源VCC
基準電圧Vrefと比較する他のコンパレータ6bが接続
できる。今、コンパレータ6aをNORゲート9、イン
バータG2等とともにMOSトランジスタで同一のIC
チップに形成したとき、このMOSトランジスタで構成
されたコンパレータ6aはその特性のバラツキが生じ易
く、VCCの低下を正確に検出できない(従って、主電源
電圧VCCがSRAM4のデータ保持範囲を超えて下がっ
たところで動作する)場合が生じる。
The terminal 10 can be connected other comparator 6b to be compared with the reference voltage Vref main power V CC as an external circuit. Now, the comparator 6a is the same IC as the NOR gate 9, the inverter G2 and the like by using MOS transistors.
When formed on a chip, the characteristics of the comparator 6a composed of this MOS transistor tend to vary, and the comparator 6a cannot accurately detect a decrease in V CC (therefore, when the main power supply voltage V CC exceeds the data holding range of the SRAM 4). Operation when it is lowered).

【0026】このような不具合を避け、主電源電圧VCC
が所定電圧に下がったところで確実に電源の切換えが行
なわれるようにするべく、端子10に精度のよい例えば
バイポーラトランジスタを能動素子とするコンパレータ
6bを接続し、それらのコンパレータ6a、6bがいず
れも検出動作をして、それらの出力がローレベルとなっ
たとき電源の切換えが遂行されるようになすとよい。
尚、これらのコンパレータ6a、6bの出力はVCCの上
記低下検出が行なわれない状態ではハイレベル電圧であ
る。
To avoid such a problem, the main power supply voltage V CC
In order to ensure that the power supply is switched when the voltage drops to a predetermined voltage, a highly accurate comparator 6b having, for example, a bipolar transistor as an active element is connected to the terminal 10, and both of the comparators 6a and 6b detect the voltage. It is preferable to operate so that the switching of the power supply is performed when their outputs become low level.
Note that the outputs of these comparators 6a and 6b are high-level voltages in a state where the above-described detection of the decrease in V CC is not performed.

【0027】このようにすると、精度のよい電源切換え
が実現できるが、予めコンパレータ6aの検出点(従っ
て、基準電圧)を高めにとっておく(その分マージンは
狭くなる)ことにより上記バラツキを吸収した場合に
は、端子10に前記コンパレータ6bを接続する必要は
なくなるが、このようにコンパレータ6bを接続しなく
ても、端子10が抵抗R9で接地点に接続されているた
めNORゲート9はコンパレータ6aの動作だけにも対
応できる。
In this way, accurate power supply switching can be realized. However, when the detection point of the comparator 6a (accordingly, the reference voltage) is set high beforehand (the margin is narrowed by that amount), the above variation is absorbed. Does not need to connect the comparator 6b to the terminal 10, but even if the comparator 6b is not connected in this way, since the terminal 10 is connected to the ground point via the resistor R9, the NOR gate 9 is connected to the comparator 6a. It can respond to operation alone.

【0028】最後に、図6は本発明に係る電源切換え回
路の具体的な適用例を示している。同図において、20
は1つのICチップであり、主電源電圧VCCの入力用の
端子21、バックアップ電源電圧入力用の端子22、電
源電圧出力端子23、信号入力端子25、信号出力端子
24を備えている。
Finally, FIG. 6 shows a specific application example of the power supply switching circuit according to the present invention. In FIG.
Is an IC chip, which includes a terminal 21 for inputting a main power supply voltage V CC , a terminal 22 for inputting a backup power supply voltage, a power supply voltage output terminal 23, a signal input terminal 25, and a signal output terminal 24.

【0029】26は入力端子25から入力された信号を
デコードするデコーダであり、27はそのデコーダ26
からの出力データを受けて出力端子24へ供給するバッ
ファ回路である。一方、28は検出回路、29はゲート
回路である。これらの検出回路28とゲート回路29は
先に説明したスイッチ制御回路5を構成する。
Reference numeral 26 denotes a decoder for decoding a signal input from the input terminal 25, and reference numeral 27 denotes the decoder 26.
This is a buffer circuit which receives output data from and supplies it to the output terminal 24. On the other hand, 28 is a detection circuit and 29 is a gate circuit. The detection circuit 28 and the gate circuit 29 constitute the switch control circuit 5 described above.

【0030】ここで、デコーダ26と検出回路28は主
電源電圧VCCを動作電圧とし、バッファ回路27とゲー
ト回路29は出力電圧VOを動作電圧としているものと
する。そして、端子23及び24にはSRAM4が接続
されるものとする。
Here, it is assumed that the decoder 26 and the detection circuit 28 use the main power supply voltage V CC as the operation voltage, and the buffer circuit 27 and the gate circuit 29 use the output voltage V O as the operation voltage. The SRAMs 4 are connected to the terminals 23 and 24.

【0031】図6において、今、主電源電圧VCCが出力
端子23に導出されている状態において、そのVCCが下
がると、検出回路28及びゲート回路29によりMOS
トランジスタP1がOFF、MOSトランジスタP2が
ONし、出力端子23にはVBATが出力され、これはS
RAM4に与えられるだけでなく、バッファ回路27及
びゲート回路29にも与えられる。従って、VCCがデコ
ーダ26、検出回路28の動作不能電位まで降下しても
バッファ回路27、ゲート回路29にはVBATが供給さ
れているためP1はOFF、P2はON、出力端子23
は出力状態を維持することが可能になる。
In FIG. 6, when the main power supply voltage V CC is being led to the output terminal 23 and the V CC drops, the detection circuit 28 and the gate circuit 29 cause the MOS circuit to operate.
The transistor P1 is turned off, the MOS transistor P2 is turned on, and V BAT is output to the output terminal 23.
Not only provided to the RAM 4 but also to the buffer circuit 27 and the gate circuit 29. Therefore, even if V CC falls to the inoperable potential of the decoder 26 and the detection circuit 28, P1 is turned off, P2 is turned on, and the output terminal 23 is supplied because V BAT is supplied to the buffer circuit 27 and the gate circuit 29.
Can maintain the output state.

【0032】SRAM4のデータ保持不能はそれに加わ
る電源電圧の所定値を超える低下だけでなく、リード/
ライトの信号の電圧低下によってもデータが消えてしま
う場合があるが、図6の回路はその電源電圧と信号の双
方に関してデータ保持を図るように手当されている。
The inability of the SRAM 4 to hold data not only causes the power supply voltage applied to the SRAM 4 to decrease beyond a predetermined value, but also causes the read /
Although the data may be erased by the voltage drop of the write signal, the circuit of FIG. 6 is designed to hold the data with respect to both the power supply voltage and the signal.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
源切換え回路を、主電源と出力端子間に接続されたMO
Sトランジスタより成る第1スイッチ手段と、バックア
ップ電源と前記出力端子間に接続されたMOSトランジ
スタより成る第2スイッチ手段と、前記第1、第2スイ
ッチ手段をそれぞれ構成する各MOSトランジスタにス
イッチング電圧を与えるスイッチ制御手段とを設けた構
成とすると、第1、第2スイッチ手段がMOSトランジ
スタで構成されているためスイッチ手段による電圧ロス
が発生せず、従って、その分、電源電圧の低下及びバッ
クアップ電圧の許容範囲(マージン)が広くなる。
As described above, according to the present invention, the power supply switching circuit is provided with the MO connected between the main power supply and the output terminal.
A first switch comprising an S transistor; a second switch comprising a MOS transistor connected between a backup power supply and the output terminal; and a switching voltage applied to each of the MOS transistors constituting the first and second switch. When the switch control means is provided, the first and second switch means are constituted by MOS transistors, so that no voltage loss occurs due to the switch means. Becomes wider (margin).

【0034】また、スイッチ制御回路を、検出手段によ
って主電源が予め定めた所定電圧より下がるのを検出し
て第1スイッチ手段をOFF、第2スイッチ手段をON
とするように構成すると、主電源電圧が所定電圧より下
がる前にバックアップ電源に切り換えるので、例えば負
荷回路がSRAMのような場合にデータの確実な保持が
が可能となる。
The switch control circuit turns off the first switch means and turns on the second switch means by detecting that the main power supply falls below a predetermined voltage by the detecting means.
With this configuration, the power supply is switched to the backup power supply before the main power supply voltage falls below the predetermined voltage. Therefore, for example, when the load circuit is an SRAM, data can be reliably held.

【0035】尚、このような所定電圧は基準電圧として
作ってやらなければならないが、この基準電圧をバック
アップ電源を利用して形成する場合、バックアップ電源
からの電圧を入力するバッファ増幅器を設け、このバッ
ファ増幅器の出力電圧を上記基準電圧とするように構成
すると、増幅器(該増幅器MOSトランジスタで構成
され、そのゲートにバックアップ電源からの電圧が印加
される)に対しバックアップ電源から電流が流れず、電
圧だけが印加されるので、バックアップ電源のパワーを
殆ど消費しなくてすむ。
Incidentally, such a predetermined voltage must be created as a reference voltage. When this reference voltage is formed by using a backup power supply, a buffer amplifier for inputting a voltage from the backup power supply is provided. When the output voltage of the buffer amplifier is configured to be the reference voltage, the amplifier (the amplifier is formed of a MOS transistor and a voltage from a backup power supply is applied to the gate thereof)
To) no current flows from the backup power source to, since only a voltage is applied, it is not necessary to almost consumed power of the backup power supply.

【0036】前記スイッチ制御回路を、主電源の電圧が
予め定めた所定電圧より下がるのを検出する第1の検出
手段と、主電源の電圧が予め定めた所定電圧より下がる
のを検出する第2の検出手段を接続できる端子と、前記
第1の検出手段の出力と前記端子からの電圧を受けると
ともに前記第1検出手段の出力と前記端子からの電圧が
いずれも主電源の電圧がそれぞれの所定電圧より下がっ
たのを検出した出力であるときに前記第1スイッチ手段
をOFF、第2スイッチ手段をONとなす出力を発生す
る論理回路とから構成した場合には、第1検出手段を例
えばMOSトランジスタを用いて構成したことにより、
検出電圧のバラツキが生じても、第2検出手段によっ
て、その検出の不正確さを補償することが可能となる。
The switch control circuit comprises a first detecting means for detecting that the voltage of the main power supply falls below a predetermined voltage, and a second detecting means for detecting that the voltage of the main power supply falls below a predetermined voltage. Receiving the output of the first detecting means and the voltage from the terminal, and the output of the first detecting means and the voltage from the terminal are each at a predetermined voltage. A logic circuit that generates an output that turns off the first switch means and turns on the second switch means when the output is lower than the voltage is detected. By using transistors,
Even if the detection voltage varies, the second detection means can compensate for the inaccuracy of the detection.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明を実施した電源切換え回路を示す回路
図。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a power supply switching circuit embodying the present invention.

【図2】本発明を実施した電源切換え回路のスイッチ制
御回路例を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing an example of a switch control circuit of a power supply switching circuit embodying the present invention.

【図3】図2の基準電圧源を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a reference voltage source shown in FIG. 2;

【図4】本発明を実施した電源切換え回路の他のスイッ
チ制御回路例を示す図。
FIG. 4 is a diagram showing another switch control circuit example of the power supply switching circuit embodying the present invention.

【図5】本発明を実施した電源切換え回路の更に他のス
イッチ制御回路例を示す図。
FIG. 5 is a diagram showing still another switch control circuit example of the power supply switching circuit embodying the present invention.

【図6】本発明の具体的適用例を示す図。FIG. 6 is a diagram showing a specific application example of the present invention.

【図7】従来例の電源切換え回路を示す図。FIG. 7 is a diagram showing a conventional power supply switching circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 主電源 2 バックアップ電源 3 出力端子 4 SRAM 5 スイッチ制御回路 6 コンパレータ 7 基準電圧源 8 バッファ増幅器 9 NORゲート 10 端子 21 主電源電圧入力端子 22 バックアップ電源電圧入力端子 23 電源電圧出力端子 24 信号出力端子 25 信号入力端子 26 デコーダ 27 バッファ回路 28 検出回路 29 ゲート回路 P1、P2 MOSトランジスタ VCC 主電源電圧 VBAT バックアップ電源電圧 VO 出力電圧 G1、G2 インバータDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Main power supply 2 Backup power supply 3 Output terminal 4 SRAM 5 Switch control circuit 6 Comparator 7 Reference voltage source 8 Buffer amplifier 9 NOR gate 10 Terminal 21 Main power supply voltage input terminal 22 Backup power supply voltage input terminal 23 Power supply voltage output terminal 24 Signal output terminal 25 signal input terminal 26 decoder 27 buffer circuit 28 detection circuit 29 gate circuit P1, P2 MOS transistor V CC main power supply voltage V BAT backup power supply voltage V O output voltage G1, G2 inverter

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】負荷回路に主電源とバックアップ電源を切
り換えて供給するために、主電源と出力端子間に接続さ
れたMOSトランジスタより成る第1スイッチ手段と、
バックアップ電源と前記出力端子間に接続されたMOS
トランジスタより成る第2スイッチ手段と、前記第1、
第2スイッチ手段をそれぞれ構成する各MOSトランジ
スタにスイッチング電圧を与えるスイッチ制御手段と
備え、前記スイッチ制御手段は主電源電圧が基準電圧以
下に下がるのを検出する検出手段を有しており、該検出
手段の出力は前記主電源電圧の前記基準電圧以下への低
下が検出されたとき前記第1スイッチ手段をOFF、第
2スイッチ手段をONとするように働くようになってい
る電源切換え回路において、 前記検出手段がコンパレータと、主電源の電圧を前記コ
ンパレータに印加する手段と、前記コンパレータに基準
電圧を印加する基準電圧回路とを有し、 該基準電圧回路は、前記主電源により充電されるコンデ
ンサを含んでおり、そのコンデンサの出力を基準電圧と
していることを特徴とする電源切換え回路。
A first switch means comprising a MOS transistor connected between a main power supply and an output terminal for switching and supplying a main power supply and a backup power supply to a load circuit;
MOS connected between backup power supply and the output terminal
A second switch means comprising a transistor;
Each MOS transistor constituting the second switch means, respectively a switch control means for providing a switching voltage
The main power supply voltage is equal to or lower than a reference voltage.
Detecting means for detecting a downward movement;
The output of the means is low when the mains voltage falls below the reference voltage.
When the bottom is detected, the first switch means is turned off,
It works to turn on two switch means.
In the power supply switching circuit, the detecting means connects the comparator and the voltage of the main power supply to the control circuit.
Means for applying to the comparator and a reference to the comparator
A reference voltage circuit for applying a voltage, wherein the reference voltage circuit is a capacitor charged by the main power supply.
The output of the capacitor is
A power supply switching circuit, comprising:
【請求項2】負荷回路に主電源とバックアップ電源を切
り換えて供給するために、主電源と出力端子間に接続さ
れたMOSトランジスタより成る第1スイッチ手段と、
バックアップ電源と前記出力端子間に接続されたMOS
トランジスタより成る第2スイッチ手段と、前記第1、
第2スイッチ手段をそれぞれ構成する各MOSトランジ
スタにスイッチング電圧を与えるスイッチ制御手段とを
備え、前記スイッチ制御手段は主電源電圧が基準電圧以
下に下がるのを検出する検出手段を有しており、該検出
手段の出力は前記主電源電圧の前記基準電圧以下への低
下が検出されたとき前記第1スイッチ手段をOFF、第
2スイッチ手段をONとするように働くようになってい
る電源切換え回路において、 前記検出手段がコンパレータと、主電源の電圧を前記コ
ンパレータに印加する手段と、前記コンパレータに基準
電圧を印加する基準電圧回路とを有し、 該基準電圧回路は上記バックアップ電源からの電圧を入
力するMOSトランジスタのバッファ増幅器を含んでお
り、このバッファ増幅器の出力電圧を上記基準電圧とし
ていることを特徴とする電源切換え回路。
2. A main power supply and a backup power supply are turned off to a load circuit.
Connected between the main power supply and output terminals
First switch means comprising a MOS transistor;
MOS connected between backup power supply and the output terminal
A second switch means comprising a transistor;
Each MOS transistor constituting the second switch means
Switch control means for applying a switching voltage to the
The main power supply voltage is equal to or lower than a reference voltage.
Detecting means for detecting a downward movement;
The output of the means is low when the mains voltage falls below the reference voltage.
When the bottom is detected, the first switch means is turned off,
It works to turn on two switch means.
In the power supply switching circuit, the detecting means connects the comparator and the voltage of the main power supply to the control circuit.
Means for applying to the comparator and a reference to the comparator
A reference voltage circuit for applying a voltage, the reference voltage circuit receiving a voltage from the backup power supply.
Including MOS transistor buffer amplifier
The output voltage of this buffer amplifier is used as the reference voltage.
A power supply switching circuit.
【請求項3】前記スイッチ制御手段は、前記主電源の電
圧が予め定めた所定電 圧より下がるのを検出する第1の
検出手段と、前記主電源の電圧が予め定めた所定電圧よ
り下がるのを検出する第2の検出手段を接続できる端子
と、前記第1の検出手段の出力と前記端子からの電圧を
受けるとともに前記第1の検出手段の出力と前記端子か
らの電圧がいずれも前記主電源の電圧が所定電圧より下
がったのを検出した出力であるときに前記第1スイッチ
手段をOFF、第2スイッチ手段をONとなす出力を発
生する論理回路とから成り、前記第1の検出手段はMO
Sトランジスタでコンパレータが形成され、第2の検出
手段はバイポーラトランジスタでコンパレータが形成さ
れていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載
の電源切換え回路。
3. The switch control means according to claim 1 , further comprising:
First detecting that the pressure falls below a predetermined voltage a predetermined
Detecting means for detecting that the voltage of the main power supply is lower than a predetermined voltage;
Terminal to which second detecting means for detecting the falling of
And an output of the first detecting means and a voltage from the terminal.
And the output of the first detecting means and the terminal
Voltage of the main power supply is lower than a predetermined voltage.
The output of the first switch
Output that turns off the means and turns on the second switch means.
And the first detecting means is an MO circuit.
The comparator is formed by the S transistor, and the second detection is performed.
The means are bipolar transistors and the comparator is formed
3. The method according to claim 1 or 2, wherein
Power supply switching circuit.
【請求項4】前記出力端子の電圧は負荷回路だけでな
く、前記スイッチ制御手段にも与えられるとともに負荷
回路駆動用の信号供給回路にも与えられることを特徴と
する請求項1又は請求項2に記載の電源切換え回路。
4. The voltage at the output terminal is not limited to a load circuit.
And the load applied to the switch control means.
It is also provided to the signal supply circuit for driving the circuit.
The power supply switching circuit according to claim 1 or 2, wherein
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