JP3168062U - Donor substrate assembly for electrical circuit repair - Google Patents

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Abstract

【課題】電気回路の修理に用いるドナー基板アセンブリを提供する。【解決手段】ドナー基板アセンブリ100は,ドナー基板200およびドナー基板支持ベース202を備える。上記ドナー基板支持ベース202はプリント回路基板上の導体修理領域から所定の垂直離間位置に上記ドナー基板200を保持するように構成されている。【選択図】図4AA donor substrate assembly for use in electrical circuit repair is provided. A donor substrate assembly includes a donor substrate and a donor substrate support base. The donor substrate support base 202 is configured to hold the donor substrate 200 at a predetermined vertical distance from a conductor repair region on the printed circuit board. [Selection] Figure 4A

Description

(関連出願の参照)
名称を「電気回路修理のための方法およびシステム」(A Method and System for Electrical Circuit Repair)とする2009年3月2日提出のイスラエル国特許出願第197349号をここに参照する。
(Refer to related applications)
Reference is now made to Israel Patent Application No. 197349, filed Mar. 2, 2009, whose name is “A Method and System for Electrical Circuit Repair”.

この考案は包括的には電気回路修理に関する。   This invention relates generally to electrical circuit repair.

以下の公報が従来技術の現在状況を表すと考えられる。   The following publications are considered to represent the current state of the prior art.

米国特許第4,752,455号,第4,970,196号,第4,987,006号,第5,173,441号および第5,292,559号   U.S. Pat.Nos. 4,752,455, 4,970,196, 4,987,006, 5,173,441 and 5,292,559

「サポート金属フィルムからの金属析出」(“Metal deposition from a supported metal film”), Bohandy, B.F. Kim および F.J. Adrian, J. Appl. Phys. 60 (1986) 1538 “Metal deposition from a supported metal film”, Bohandy, B.F. Kim and F.J. Adrian, J. Appl. Phys. 60 (1986) 1538

「レーザ誘導フォワード転送プロセスによる金属析出のメカニズムの研究」(“A study of the mechanism of metal deposition by the laser-induced forward transfer process”), F. J. Adrian, J. Bohandy, B. F. Kim, および A. N. Jette, Journal of Vacuum Science and Technology B 5, 1490 (1989), pp. 1490-1494 “A study of the mechanism of metal deposition by the laser-induced forward transfer process”, FJ Adrian, J. Bohandy, BF Kim, and AN Jette, Journal of Vacuum Science and Technology B 5, 1490 (1989), pp. 1490-1494

この考案は,電気回路の修理のためのシステムおよび方法において用いるドナー基板アセンブリ(donor substrate assembly)を提供するものである。   The present invention provides a donor substrate assembly for use in systems and methods for electrical circuit repair.

すなわち,この考案の一実施例によると,レーザおよび少なくとも一つのレーザビーム進行経路(at least one laser beam delivery pathway)を用いる,電気回路を修理するための方法および/またはシステムにおいて有用なドナー基板アセンブリが提供され,上記ドナー基板アセンブリは,ドナー基板と,回路基板上に形成される導体の少なくとも一つの導体修理領域から所定垂直離間位置に上記ドナー基板を保持するように構成されたドナー基板支持ベースを備えている。   That is, according to one embodiment of the present invention, a donor substrate assembly useful in a method and / or system for repairing an electrical circuit using a laser and at least one laser beam delivery pathway. And a donor substrate support base configured to hold the donor substrate at a predetermined vertical spacing from a donor substrate and at least one conductor repair region of a conductor formed on the circuit board. It has.

この考案の他の好ましい実施例では,電気回路の修理において(in repairing an electrical circuit)有用なドナー基板アセンブリが提供され,上記ドナー基板アセンブリは,ドナー基板と,電気回路上の少なくとも一つの導体修理領域から所定垂直離間位置に上記ドナー基板を保持するように構成されたドナー基板支持ベースを備えている。   In another preferred embodiment of the present invention, a donor substrate assembly useful in repairing an electrical circuit is provided, the donor substrate assembly including a donor substrate and at least one conductor repair on the electrical circuit. A donor substrate support base configured to hold the donor substrate at a predetermined vertical spacing from the region;

好ましくは,上記ドナー基板は,一面に導体材料の薄層がコートされた平板(プレート)(plate)から形成されている。さらには,導体材料の上記薄層は厚さが0.5〜3ミクロンの銅から形成されている。さらには,上記平板は1mm厚のガラスによって形成され,かつ上記導体材料の層は1ミクロン厚の銅から形成されている。   Preferably, the donor substrate is formed from a plate coated on one side with a thin layer of conductive material. Furthermore, the thin layer of conductive material is formed from copper having a thickness of 0.5 to 3 microns. Further, the flat plate is made of 1 mm thick glass, and the conductor material layer is made of 1 micron thick copper.

この考案の好ましい実施例では,上記ドナー基板支持ベースは概略U字状であり,中央概略平面部および椀部を含む。さらには,上記中央概略平面部には最内凹部が形成されており,そこに粘着層が配置されている。さらには,上記中央概略平面部には最外凹部が形成されており,そこに常磁性材料によって形成されたディスクが配置されており,上記ディスクは上記粘着層によって保持されている(retained)。   In a preferred embodiment of the present invention, the donor substrate support base is generally U-shaped and includes a central generally planar portion and a collar. Furthermore, an innermost concave portion is formed in the central outline plane portion, and an adhesive layer is disposed there. Furthermore, an outermost recess is formed in the central plane portion, and a disk formed of a paramagnetic material is disposed therein, and the disk is retained by the adhesive layer.

この考案の好ましい実施例では,上記ドナー基板支持ベースは,その上面に,ドッキング・モジュールの対応面との正確な係合のために配置された傾斜面(angled surfaces)を有する一対の位置決めガイド(a pair of positioning guides)を備え,これにより上記ドッキング・モジュールに対して上記ドナー基板の精緻かつ安定した位置決め(accurate and stable positioning)がもたらされる。   In a preferred embodiment of the invention, the donor substrate support base has a pair of positioning guides (angled surfaces) disposed on its upper surface for accurate engagement with the corresponding surface of the docking module. a pair of positioning guides), which provides accurate and stable positioning of the donor substrate relative to the docking module.

好ましくは,上記ドナー基板支持ベースは,その中央概略平面部および椀部の底部向きの内縁上に,上記ドナー基板のための支持面を備えている。さらには,上記底部向き内縁に,上記ドナー基板の対応縁(corresponding edges)を係合する粘着層が設けられており,これにより上記ドナー基板を上記ベースに保持する。   Preferably, the donor substrate support base includes a support surface for the donor substrate on an inner edge of the central substantially plane portion and the bottom portion of the collar portion toward the bottom portion. Further, an adhesive layer that engages corresponding edges of the donor substrate is provided on the bottom-facing inner edge, thereby holding the donor substrate on the base.

この考案の好ましい実施例では,上記導体材料層の底面が,上記所定離間に対応する所定距離だけ正確に上記ベースの底面から凹んでいる。さらには,上記正確な所定距離は50〜300ミクロンの間である。または上記正確な所定距離は50ミクロンである。   In a preferred embodiment of the present invention, the bottom surface of the conductive material layer is accurately recessed from the bottom surface of the base by a predetermined distance corresponding to the predetermined separation. Furthermore, the exact predetermined distance is between 50 and 300 microns. Or the exact predetermined distance is 50 microns.

この考案のさらに他の好ましい実施態様は,電気回路の修理において有用なドナー基板アセンブリを提供するもので,上記ドナー基板アセンブリは,ドナー基板と,上記ドナー基板を支持するドナー基板支持ベースと,上記ドナー基板をドッキング・モジュール上に取外し可能に保持するための上記ドナー基板支持ベース上に取付けられた磁気的係合可能要素(magnetically engageable element)とを備える。   Yet another preferred embodiment of the present invention provides a donor substrate assembly useful in the repair of electrical circuits, the donor substrate assembly comprising a donor substrate, a donor substrate support base that supports the donor substrate, and A magnetically engageable element mounted on the donor substrate support base for removably holding the donor substrate on the docking module.

この考案のさらに他の好ましい実施態様では,電気回路の修理において有用なドナー基板アセンブリが提供され,上記ドナー基板アセンブリは,ドナー基板,および上記ドナー基板を支持するドナー基板支持ベースを備え,上記ドナー基板支持ベースは,その上面に,ドッキング・モジュールの対応面に正確に係合するように配置された傾斜面を有する一対の位置決めガイドを備えており,これにより上記ドッキング・モジュールに対する上記ドナー基板の精緻かつ安定した位置決めを提供するものである。   In still another preferred embodiment of the present invention, a donor substrate assembly useful in electrical circuit repair is provided, the donor substrate assembly comprising a donor substrate and a donor substrate support base that supports the donor substrate, the donor substrate The substrate support base includes a pair of positioning guides on its upper surface having inclined surfaces arranged to accurately engage the corresponding surfaces of the docking module, whereby the donor substrate relative to the docking module. It provides precise and stable positioning.

この考案は,図面に関連する以下の詳細な記述からより完全に理解されかつ認識を深めることができよう。   The invention will be more fully understood and appreciated from the following detailed description in conjunction with the drawings.

電気回路修理システムの構成において,この考案の一実施例にしたがって構成されかつ動作するドナー基板アセンブリの概略図である。1 is a schematic diagram of a donor substrate assembly constructed and operative in accordance with one embodiment of the present invention in the configuration of an electrical circuit repair system. 図1に示す電気回路修理システムの一部を形成する,ドッキング・モジュールに係合する前の,この考案の一実施例にしたがって構成されかつ動作する上記ドナー基板アセンブリの概略図である。2 is a schematic view of the donor substrate assembly constructed and operative in accordance with one embodiment of the present invention prior to engaging a docking module that forms part of the electrical circuit repair system shown in FIG. 図1に示す電気回路修理システムの一部を形成する,ドッキング・モジュールに係合した,この考案の一実施例にしたがって構成されかつ動作する上記ドナー基板アセンブリの概略図である。2 is a schematic view of the donor substrate assembly configured and operating in accordance with one embodiment of the present invention engaged with a docking module that forms part of the electrical circuit repair system shown in FIG. 図1〜図3の構成における,この考案の一実施例にしたがって構成されかつ動作するドナー基板アセンブリの上面を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating the top surface of a donor substrate assembly constructed and operative in accordance with one embodiment of the present invention in the configuration of FIGS. 図1〜図3の構成における,この考案の一実施例にしたがって構成されかつ動作するドナー基板アセンブリの底面を示す概略図である。4 is a schematic diagram illustrating the bottom surface of a donor substrate assembly constructed and operative in accordance with one embodiment of the present invention in the configuration of FIGS. 1-3. FIG. 図4AのV−V線に沿う,図4Aおよび4Bのドナー基板アセンブリの概略断面図である。4B is a schematic cross-sectional view of the donor substrate assembly of FIGS. 4A and 4B, taken along line VV of FIG. 4A.

図1を参照して,図1は電気回路を修理するシステムの構成において,この考案の一実施態様にしたがって構成されかつ動作するドナー基板アセンブリ100の概略図を示す。   Referring to FIG. 1, FIG. 1 shows a schematic diagram of a donor substrate assembly 100 constructed and operative in accordance with one embodiment of the present invention in the configuration of an electrical circuit repair system.

図1に示されるように,上記システムは,好ましくは,従来の光学テーブル102上に好ましくは取付けられる(搭載される)シャーシ101を備えている。上記シャーシ101は,点検/修理されるべきプリント回路基板(printed circuit board,PCB)106等の電気回路が置かれる電気回路点検/修理箇所104を規定する。上記PCBは,通常,余剰導体欠陥(excess conductor defects),およびたとえば断線(カット)110といった欠如導体欠陥(missing conductor defects)のような一または複数の様々なタイプの欠陥を持つ。   As shown in FIG. 1, the system preferably includes a chassis 101 that is preferably mounted (mounted) on a conventional optical table 102. The chassis 101 defines an electrical circuit inspection / repair location 104 where an electrical circuit such as a printed circuit board (PCB) 106 to be inspected / repaired is placed. The PCB typically has one or more various types of defects, such as excess conductor defects and missing conductor defects, for example, disconnection (cut) 110.

上記シャーシ101に関して規定される第1の点検/修理軸114に沿う点検/修理位置104に関する直線動作のために,ブリッジ112が配置されている。第1の点検/修理軸114に垂直な第2の点検/修理軸118に沿うブリッジ112に関する直線動作のために,光学ヘッド・アセンブリ116が配置されている。   A bridge 112 is arranged for linear movement with respect to the inspection / repair position 104 along the first inspection / repair axis 114 defined for the chassis 101. An optical head assembly 116 is arranged for linear movement with respect to the bridge 112 along a second inspection / repair axis 118 perpendicular to the first inspection / repair axis 114.

この考案の一実施態様では,好ましくは上記光学ヘッド・アセンブリ116が点検/修理サブアセンブリ120を含む。   In one embodiment of the present invention, preferably the optical head assembly 116 includes a service / repair subassembly 120.

好ましくは上記システムは制御アセンブリ124も含み,上記制御アセンブリ124は好ましくはユーザ・インターフェース128を有し,かつ上記点検/修理サブアセンブリ120を操作するために実行されるソフトウエア・モジュールを含むコンピュータ126を備えている。制御アセンブリ124は,好ましくはイスラエル国ヤフネのオルボテック・リミテッドから市販されているディスカバリー8000システム(Discovery 8000 system)のような自動光学点検システム(図示略)からの欠陥位置入力を受ける。   Preferably, the system also includes a control assembly 124, which preferably has a user interface 128 and a computer 126 that includes a software module executed to operate the service / repair subassembly 120. It has. The control assembly 124 receives defect location inputs from an automated optical inspection system (not shown), such as the Discovery 8000 system, preferably commercially available from Orbotec Limited of Yafune, Israel.

点検/修理サブアセンブリ120は好ましくはベース130を含み,ベース130上に,エクストン・ピーエーのバスラー・インク(Basler, Inc.of Exton PA)から提供されているバスラーCMOSカメラのようなカメラ132が支持されている。カメラ132は,100〜150mmの典型的焦点距離を有するフォーカス対象レンズ139,部分反射ミラー142および日本のミツトヨ・リミテッド(Mitutoyo Ltd.)から市販されている5×/0.14対象レンズ・モジュールのような対象レンズ・モジュール144を通して,光学軸136に沿ってPCB106上の撮像位置134を撮像する。   The inspection / repair subassembly 120 preferably includes a base 130 supported by a camera 132, such as a Basler CMOS camera provided by Basler, Inc. of Exton PA. Has been. The camera 132 may be a focus target lens 139 having a typical focal length of 100-150 mm, a partially reflective mirror 142 and a 5 × / 0.14 target lens module commercially available from Mitutoyo Ltd., Japan. The imaging position 134 on the PCB 106 is imaged along the optical axis 136 through the target lens module 144.

ベース130の下部には,米国カリフォルニア州サンタクレアのニュー・フォーカス・コーポレーション(New Focus Corporation)またはニューポート・コーポレーション(Newport Corporation) (公序良俗違反につき、不掲載)から市販されている,ニューフォーカスモデル9064または9065のような3次元駆動アクチュエータが取付けられている。ドッキング・モジュール150はアクチュエータ140上に取付けられており,かつドナー基板アセンブリ100上に取外し可能に取付けられるようになっている。駆動アクチュエータ140は,少なくとも1方向,好ましくは2または3方向への,ベース130に対する上記ドッキング・モジュール150,すなわちドナー基板アセンブリ100の選択可能な位置決め(selectable positioning)を提供する。  Below the base 130 is the New Focus Model 9064, which is commercially available from New Focus Corporation or Newport Corporation (not shown for public order and morals violations) in Santa Clare, California, USA. Or a three-dimensional drive actuator such as 9065 is attached. The docking module 150 is mounted on the actuator 140 and is removably mounted on the donor substrate assembly 100. The drive actuator 140 provides selectable positioning of the docking module 150 or donor substrate assembly 100 relative to the base 130 in at least one direction, preferably two or three directions.

上記点検/修理サブアセンブリ120は,好ましくは,パルス・レーザ・ビームを生成するように動作する,フランス国グレノーブルのティーム・フォトニクス(Teem Photonics)から市販されているパッシブQスイッチ・マイクロレーザのようなパルス・レーザ源152を含む。適切なマイクロレーザは,用途に応じて,たとえば532nmまたは1064nmの波長のビーム(複数)を出力するように動作するレーザ・ヘッド(複数)(laser heads)から選択することができる。   The inspection / repair subassembly 120 is preferably a passive Q-switched microlaser, commercially available from Teem Photonics, Grenoble, France, which operates to generate a pulsed laser beam. A simple pulsed laser source 152. A suitable microlaser can be selected from laser heads that operate to output beams of 532 nm or 1064 nm wavelength, depending on the application.

パルス・ビーム154は,80mmおよび150mmの焦点距離をそれぞれ有する2つのレンズ160および162を包含することができるコリメート光学系158を通過し,上記レーザ・ビーム154は好ましくは0.5〜3.0mmのスポットサイズにコリメートされる。次にレーザ・ビーム154はミラー174によって反射され,かつ上記コリメートされた出力ビームの要求されるサイズのために配置かつ調整された多重レンズ178を備えるビーム・エクスパンダ176によって,特定径に調整される。レンズ178は,28mm平凸レンズ,-10mm両凹レンズおよび129mm平凸レンズのようなレンズをそれぞれ含んでもよい。   The pulsed beam 154 passes through a collimating optics 158 that can include two lenses 160 and 162 having focal lengths of 80 mm and 150 mm, respectively, and the laser beam 154 preferably has a spot size of 0.5 to 3.0 mm. Is collimated. The laser beam 154 is then reflected by a mirror 174 and adjusted to a specific diameter by a beam expander 176 with a multiple lens 178 arranged and adjusted for the required size of the collimated output beam. The The lens 178 may include lenses such as a 28 mm plano-convex lens, a -10 mm biconcave lens, and a 129 mm plano-convex lens, respectively.

レーザ・ビーム154は次に,ニューポート・コーポレーションから市販されている二軸高速ステアリング・ミラー(two-axis fast steering mirror)(FSM)182に入射するようにレンズ180によって方向付けられ,その後108mmメニスカス・レンズのようなレンズ184,ミラー186および平凸338mmレンズのようなレンズ188を通過する。レンズ180,184および188は上記FSM182上に上記ビームの位置を保持する。ビーム154は次に,軸136に沿う対象レンズ・モジュール154を通り,かつドッキング・モジュール150上に取付けられているドナー基板アセンブリ100を通るようにビーム154を方向付けるビーム・スプリッタ190に入射し,その結果修理機能が実行される。   Laser beam 154 is then directed by lens 180 to be incident on a two-axis fast steering mirror (FSM) 182 commercially available from Newport Corporation, after which a 108 mm meniscus It passes through a lens 184 such as a lens, a mirror 186 and a lens 188 such as a plano-convex 338 mm lens. Lenses 180, 184 and 188 hold the position of the beam on the FSM 182. Beam 154 then enters beam splitter 190 that directs beam 154 through target lens module 154 along axis 136 and through donor substrate assembly 100 mounted on docking module 150; As a result, the repair function is executed.

図2および図3を参照して,図2および図3は上記ドッキング・モジュール150への上記ドナー基板アセンブリ100の取付けを示している。図2は上記ドッキング・モジュール150への係合(結合)前の上記ドナー基板アセンブリ100の概略図であり,図3は上記ドッキング・モジュール150に係合している上記ドナー基板アセンブリ100の概略図である。図2に示されるように,ドッキング・モジュール150は好ましくハウジング192を含み,そこにマウンティング・ピン196を有するマウンティング・ブラケット194が取付けられており,順に上記アクチュエータ140に取り付けることができる。   2 and 3, FIGS. 2 and 3 show the attachment of the donor substrate assembly 100 to the docking module 150. FIG. 2 is a schematic view of the donor substrate assembly 100 prior to engagement (coupling) with the docking module 150, and FIG. 3 is a schematic view of the donor substrate assembly 100 engaged with the docking module 150. It is. As shown in FIG. 2, the docking module 150 preferably includes a housing 192, to which a mounting bracket 194 having a mounting pin 196 is attached, which in turn can be attached to the actuator 140.

ハウジング192は,好ましくは,後述するように,そこで相対的な上記ドナー基板アセンブリ100の精緻な位置決めをもたらす1対の傾斜側面(a pair of inclined side surfaces)197を含んでいる。   The housing 192 preferably includes a pair of inclined side surfaces 197 that provide precise positioning of the donor substrate assembly 100 relative thereto, as described below.

電磁石198がハウジング192内に取付けられており,以下に詳述するように,電磁石198は,その下部(底面)に,ドッキング・モジュール150とドナー基板アセンブリ100との間の取外し可能な係合を提供する磁気係合面(magnetic engagement surface)199を規定する。   An electromagnet 198 is mounted in the housing 192 and, as will be described in detail below, the electromagnet 198 has a removable engagement between the docking module 150 and the donor substrate assembly 100 at its bottom (bottom). A magnetic engagement surface 199 is provided that is provided.

図4Aおよび図4Bを参照して,図4Aおよび図4Bはそれぞれドナー基板アセンブリ100の上面および底面を示す概略的な挿絵であり,図5を参照して,図5は図4AのV−V線に沿う,図4Aおよび4Bのドナー基板アセンブリの断面を概略的に示すものである。   Referring to FIGS. 4A and 4B, FIGS. 4A and 4B are schematic illustrations showing the top and bottom surfaces of the donor substrate assembly 100, respectively, and FIG. 5 and FIG. 4A schematically shows a cross section of the donor substrate assembly of FIGS. 4A and 4B along the line.

図4A,図4Bおよび図5に示されるように,上記ドナー基板アセンブリ100は,好ましくは,ドナー基板200およびドナー基板支持ベース202を含み,上記ドナー基板支持ベース202はPCB106(図1)上に形成された導体の導体修理領域(conductor repair area)から所定垂直離間位置に(at a predetermined perpendicular separation)上記ドナー基板200を保持するように構成されている。   As shown in FIGS. 4A, 4B, and 5, the donor substrate assembly 100 preferably includes a donor substrate 200 and a donor substrate support base 202, the donor substrate support base 202 on the PCB 106 (FIG. 1). The donor substrate 200 is configured to be held at a predetermined perpendicular separation from a conductor repair area of the formed conductor.

上記ドナー基板200は好ましくは平面状(planar)で,0.5〜3mmの厚さを持ち,典型的にはガラスまたはプラスチックのような,レーザ・ビーム154(図1)の波長を透過する材料からなる平板(プレート)204から形成され,その底面に厚さ0.5〜3ミクロンの銅のような少なくとも薄い導体材料の一層(レイヤ)206がコートされている。図示する実施例において,上記平板204は1mm厚のガラスから形成され,上記導体材料の層206は1ミクロン厚の銅である。   The donor substrate 200 is preferably planar, has a thickness of 0.5-3 mm, and is typically made of a material that is transparent to the wavelength of the laser beam 154 (FIG. 1), such as glass or plastic. Formed from a flat plate 204, the bottom surface is coated with a layer 206 of at least a thin conductive material such as copper having a thickness of 0.5 to 3 microns. In the illustrated embodiment, the flat plate 204 is formed from 1 mm thick glass and the layer of conductive material 206 is 1 micron thick copper.

特に図5に示されるように,上記ドナー基板支持ベース202は好ましくは概略U字型(generally U-shaped)であり,中央概略平面部(central generally planar portion)210および椀部(arms)212を備えている。中央概略平面部210には好ましくは最内凹部(interiormost recess)214が形成されており,その少なくとも一部に,たとえばアカポルS.A.(Akapol S.A.) ((公序良俗違反につき、不掲載) Villa Ballester Buenos Aires, Argentina)から市販されているPOXIPOL(登録商標) 10 MINUTE CLEAR EPOXYのような粘着剤(接着剤)218が入れられる。常磁性材料からなるディスク220が最外凹部(outermost recess)222内に収容され,その中で粘着剤218によって保持されている。電磁石198とディスク220との間の磁力が,ドッキング・モジュール150上への上記ドナー基板支持アセンブリ100の取外し可能な取付け係合(removable mounting engagement)を提供する。  In particular, as shown in FIG. 5, the donor substrate support base 202 is preferably generally U-shaped with a central generally planar portion 210 and arms 212. I have. The central generally planar portion 210 is preferably formed with an interiormost recess 214, at least a portion of which is, for example, Acapol S.P. A. (Akapol S.A.) ((not shown for violation of public order and morals) Adhesive (adhesive) 218 such as POXIPOL (registered trademark) 10 MINUTE CLEAR EPOXY commercially available from Villa Ballester Buenos Aires, Argentina. A disk 220 made of paramagnetic material is housed in an outermost recess 222 and held therein by an adhesive 218. The magnetic force between the electromagnet 198 and the disk 220 provides a removable mounting engagement of the donor substrate support assembly 100 on the docking module 150.

図4Aに特に示されるように,ベース202の上面に,上記ドッキング・モジュール150の対応する傾斜面(複数)197との正確な係合(precise engagement)のために配置されている,傾斜面(複数)232を含む一対の位置決めガイド230が形成されており,これによって上記ドッキング・モジュール150に対する上記ドナー基板100の精緻な位置決め(accurate positioning)が提供される。傾斜面232がドッキング・モジュール150の対応する傾斜面197(特に図3を参照)に正確に接触係合して位置すること(lie in precise toucing engagement)はこの考案に特有の特徴である。この正確な接触係合によって,ドッキング・モジュール150に対するドナー基板アセンブリ100の望ましい精緻かつ安定した位置決めが提供される。   As specifically shown in FIG. 4A, an inclined surface (located on the upper surface of the base 202 for precise engagement with the corresponding inclined surface (s) 197 of the docking module 150 ( A pair of positioning guides 230 including 232 are formed, which provides accurate positioning of the donor substrate 100 with respect to the docking module 150. The lie in precise toucing engagement is a characteristic feature of the present invention that the inclined surface 232 is positioned in the corresponding inclined surface 197 of the docking module 150 (see in particular FIG. 3). This precise contact engagement provides the desired precise and stable positioning of donor substrate assembly 100 with respect to docking module 150.

図4Bに特に示されるように,中央概略平面部210および椀部212の底部向き内縁(bottom facing inner edges)240は,ドナー基板200のための支持面(support surfaces)を規定する。上記縁240には,好ましくはアカポルS.A.(Akapol S.A.) ((公序良俗違反につき、不掲載)Villa Ballester Buenos Aires, Argentina)から市販されているPOXIPOL(登録商標)10 MINUTE CLEAR EPOXY(公序良俗違反につき、不掲載)のような粘着層(接着層)242が設けられており,上記縁240は上記平板204の対応する上向き縁(top facing edges)と係合し,これによりドナー基板200がベース202に固定される。導体材料の上記層206の外面は50から300ミクロンの間,好ましくは50ミクロンの所定距離Dだけベース200の底面から凹んでおり,これは特に図5に示されている。  As specifically shown in FIG. 4B, the bottom facing inner edges 240 of the central generally planar portion 210 and the ridge 212 define support surfaces for the donor substrate 200. The edge 240 is preferably Acapol S.P. A. (Akapol SA) Adhesive layer (adhesive layer) such as POXIPOL (registered trademark) 10 MINUTE CLEAR EPOXY (not listed for public order and morals violations) commercially available from Villa Ballester Buenos Aires, Argentina (not listed for public order and morals violations) ) 242 and the edges 240 engage the corresponding top facing edges of the plate 204, thereby securing the donor substrate 200 to the base 202. The outer surface of the layer 206 of conductive material is recessed from the bottom surface of the base 200 by a predetermined distance D between 50 and 300 microns, preferably 50 microns, which is particularly illustrated in FIG.

上述の好ましい実施形態は例示として挙げられたものであり,この考案は上記に特に示されかつ記載されたものに限定されないことは当業者に理解されよう。むしろこの考案は,記載された様々な特徴の組合せおよびサブコンビネーションの両方をも含み,また当業者であれば上記の明細書を読むことで想起するであろう,および従来技術には開示されていない,それらの変形および部分的変更をも含む。   It will be appreciated by those skilled in the art that the preferred embodiments described above have been given by way of example, and that the invention is not limited to what has been particularly shown and described hereinabove. Rather, the invention includes both the various feature combinations and subcombinations described, and those skilled in the art will recognize upon reading the above specification and are not disclosed in the prior art. Not including those variations and partial changes.

Claims (15)

電気回路の修理において有用なドナー基板アセンブリであって,
ドナー基板,および
電気回路上の少なくとも一つの導体修理領域から所定の垂直離間位置に上記ドナー基板を保持するように構成されたドナー基板支持ベースを備える,
ドナー基板アセンブリ。
A donor substrate assembly useful in the repair of electrical circuits,
A donor substrate and a donor substrate support base configured to hold the donor substrate in a predetermined vertical spacing from at least one conductor repair region on the electrical circuit;
Donor substrate assembly.
上記ドナー基板は,一面に導体材料の薄層がコートされた平板から形成されている,請求項1に記載のドナー基板アセンブリ。   The donor substrate assembly according to claim 1, wherein the donor substrate is formed of a flat plate coated on one surface with a thin layer of a conductive material. 上記導体材料の薄層は,厚さが0.5〜3ミクロンの銅から形成されている,請求項2に記載のドナー基板アセンブリ。   The donor substrate assembly of claim 2, wherein the thin layer of conductive material is formed from copper having a thickness of 0.5 to 3 microns. 上記平板は1mm厚のガラスによって形成され,かつ上記導体材料の層は1ミクロン厚の銅から形成されている,請求項3に記載のドナー基板アセンブリ。   4. The donor substrate assembly of claim 3, wherein the flat plate is formed from 1 mm thick glass and the layer of conductive material is formed from 1 micron thick copper. 上記ドナー基板支持ベースは概略U字状であって中央概略平面部および椀部を含む,請求項1から4のいずれか一項に記載のドナー基板アセンブリ。   5. The donor substrate assembly according to any one of claims 1 to 4, wherein the donor substrate support base is generally U-shaped and includes a central generally planar portion and a collar. 上記中央概略平面部には最内凹部が形成されておりそこに粘着層が入れられている,請求項5に記載のドナー基板アセンブリ。   The donor substrate assembly according to claim 5, wherein an innermost recess is formed in the central plane portion, and an adhesive layer is placed therein. 上記中央概略平面部には最外凹部が形成されており,そこに常磁性材料によって形成されたディスクが配置されており,上記ディスクは上記粘着層によって保持されている,請求項6に記載のドナー基板アセンブリ。   The outermost concave portion is formed in the central schematic plane portion, a disk formed of a paramagnetic material is disposed therein, and the disk is held by the adhesive layer. Donor substrate assembly. 上記ドナー基板支持ベースは,その上面に,ドッキング・モジュールの対応面との正確な係合のために配置された傾斜面を有する一対の位置決めガイドを備え,これにより上記ドッキング・モジュールに対して上記ドナー基板の精緻かつ安定した位置決めがもたらされる,請求項1から7のいずれか一項に記載のドナー基板アセンブリ。   The donor substrate support base includes a pair of positioning guides on its upper surface having an inclined surface arranged for precise engagement with a corresponding surface of the docking module, thereby allowing the docking module to 8. The donor substrate assembly according to any one of claims 1 to 7, wherein precise and stable positioning of the donor substrate is provided. 上記ドナー基板支持ベースは,その中央概略平面部および椀部の底部向きの内縁上に,上記ドナー基板のための支持面を備えている,請求項1から8のいずれか一項に記載のドナー基板アセンブリ。   The donor substrate support base according to any one of claims 1 to 8, wherein the donor substrate support base includes a support surface for the donor substrate on an inner edge of the center substantially plane portion and a bottom portion of the donor substrate. Board assembly. 上記底部向きの内縁に,上記ドナー基板の対応縁を係合する粘着層が設けられており,これにより上記ドナー基板を上記ベースに保持する,請求項9に記載のドナー基板アセンブリ。   The donor substrate assembly according to claim 9, wherein an adhesive layer that engages a corresponding edge of the donor substrate is provided on the inner edge facing the bottom, thereby holding the donor substrate on the base. 上記導体材料層の底面が,上記所定離間に対応する所定距離だけ正確に上記ベースの底面から凹んでいる,請求項2から10のいずれか一項に記載のドナー基板アセンブリ。   11. The donor substrate assembly according to any one of claims 2 to 10, wherein the bottom surface of the conductive material layer is recessed from the bottom surface of the base precisely by a predetermined distance corresponding to the predetermined separation. 上記正確な所定距離は50〜300ミクロンの間である,請求項11に記載のドナー基板アセンブリ。   12. The donor substrate assembly of claim 11, wherein the precise predetermined distance is between 50 and 300 microns. 上記正確な所定距離は50ミクロンである,請求項11に記載のドナー基板アセンブリ。   12. The donor substrate assembly of claim 11, wherein the exact predetermined distance is 50 microns. 電気回路の修理において有用なドナー基板アセンブリであって,
ドナー基板と,
上記ドナー基板を支持するドナー基板支持ベースと,
上記ドナー基板をドッキング・モジュール上に取外し可能に保持するための上記ドナー基板支持ベース上に取付けられた磁気的係合可能要素とを備える,
ドナー基板アセンブリ。
A donor substrate assembly useful in the repair of electrical circuits,
A donor substrate;
A donor substrate support base for supporting the donor substrate;
A magnetically engageable element mounted on the donor substrate support base for removably holding the donor substrate on a docking module;
Donor substrate assembly.
電気回路の修理において有用なドナー基板アセンブリであって,
ドナー基板,および
上記ドナー基板を支持するドナー基板支持ベースを備え,上記ドナー基板支持ベースは,その上面に,ドッキング・モジュールの対応面に正確に係合するように配置された傾斜面を有する一対の位置決めガイドを備えており,これにより上記ドッキング・モジュールに対する上記ドナー基板の精緻かつ安定した位置決めを提供する,
ドナー基板アセンブリ。
A donor substrate assembly useful in the repair of electrical circuits,
A pair of donor substrates, and a donor substrate support base that supports the donor substrate, the donor substrate support base having an inclined surface disposed on its upper surface so as to accurately engage with a corresponding surface of the docking module; Providing a precise and stable positioning of the donor substrate with respect to the docking module,
Donor substrate assembly.
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