JP3147090B2 - Ion implantation simulation method - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の開
発、設計に有用なイオン注入シミュレーション方法に関
する。The present invention relates to an ion implantation simulation method useful for developing and designing a semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のイオン注入シミュレーションの方
法を図２及び図５を用いて説明する。図２は、一般的な
モンテカルロイオン注入シミュレーションのフローチャ
ート図であり、図５は、イオン注入においてイオンと原
子とが相互作用をする領域を模式的に示した図である。2. Description of the Related Art A conventional ion implantation simulation method will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a flowchart of a general Monte Carlo ion implantation simulation, and FIG. 5 is a diagram schematically showing a region where ions and atoms interact in ion implantation.
【０００３】イオン１の注入条件として図５の状態を設
定する。イオン１が注入される物質がアモルファスの場
合、イオン１が衝突する原子の位置は、物質の密度Ｄ０
と、イオン１と原子が衝突したときの距離の最大値であ
るＰｍａｘを用いて、乱数により決定される。また、イ
オン１が注入される物質が結晶の場合は、Ｐｍａｘより
内側の部分に結晶を作り、イオン１が衝突する原子を計
算する。そして、イオン１と原子の散乱計算を行って、
イオン１の失うエネルギーを計算する。The condition shown in FIG. 5 is set as the ion 1 implantation condition. If the substance into which the ions 1 are implanted is amorphous, the position of the atom with which the ions 1 collide is determined by the density D0 of the substance.
And Pmax, which is the maximum value of the distance when the ion 1 and the atom collide, are determined by random numbers. If the substance into which the ions 1 are to be implanted is a crystal, a crystal is formed in a portion inside Pmax, and the atoms that the ions 1 collide with are calculated. Then, the scattering calculation of ions 1 and atoms is performed,
The energy lost by ion 1 is calculated.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た方法では、計算時間を短くするためにＰｍａｘを小さ
くすると、阻止能が小さくなり、ピーク位置が深くなっ
てしまうので、計算時間を減らすためにＰｍａｘだけを
小さくすることはできないという問題がある。However, in the above method, if Pmax is reduced in order to shorten the calculation time, the stopping power is reduced and the peak position is deepened. There is a problem that cannot be reduced only.
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、その主たる目的は、イオン注入シミュレー
ションにおいて、ピーク位置を変えることなく、計算時
間を短縮することができるイオン注入シミュレーション
方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and a main object of the present invention is to provide an ion implantation simulation method capable of reducing the calculation time without changing the peak position in the ion implantation simulation. To provide.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明のイオン注入シミ
ュレーション方法は、ターゲットにイオンを注入するに
際し、ターゲットの原子とイオンが相互作用する領域
を、イオンの飛翔線を中心軸とする、半径Ｌ１の円柱で
規定される第１の領域と、前記第１の領域の外側で、イ
オンと原子が衝突したときの距離の最大値（Ｐｍａｘ）
を半径とする円柱で規定される第２の領域に分解し、前
記第１の領域のターゲットの密度（Ｄ０）を、現実の物
質の密度に設定し、前記第２の領域のターゲットの密度
（Ｄ１）を、前記現実の物質の密度より小さく設定する
ものである。According to the ion implantation simulation method of the present invention, when ions are implanted into a target, a region where the atoms of the target and the ions interact with each other has a radius L1 with a flight axis of the ions as a central axis. And a maximum value (Pmax) of a distance between the first region defined by the cylinder and an ion and an atom outside the first region.
Is decomposed into a second region defined by a cylinder having a radius of, and the density of the target in the first region (D0) is set to the density of the actual substance, and the density of the target in the second region (D0) D1) is set smaller than the actual density of the substance.
【０００７】本発明においては、イオン注入シミュレー
ションを行うに際して、イオンの散乱相手の原子が、前
記第２の領域に存在する場合に、前記イオンが前記原子
に衝突することによって損失するエネルギー、リコイル
原子の重み、または、リコイルで生じた原子空孔の量
を、前記Ｄ０／前記Ｄ１倍に設定することが好ましい。In the present invention, when performing ion implantation simulation, when an atom to be scattered by an ion is present in the second region, the energy lost due to the collision of the ion with the atom, the recoil atom Or the amount of atomic vacancies generated by recoil is preferably set to D0 / D1 times.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】本発明に係るイオン注入シミュレ
ーション方法は、その好ましい一実施の形態において、
ターゲットにイオン（図１の１）を注入するに際し、タ
ーゲットの原子とイオンが相互作用する領域を、イオン
の飛翔線を中心軸とする、所定の半径Ｌ１（図１の３）
の円柱で規定される第１の領域（図１の５）と、第１の
領域の外側で、イオンと原子が衝突したときの距離の最
大値（Ｐｍａｘ（図１の２））を半径とする円柱で規定
される第２の領域（図１の４）に分解し、第１の領域の
ターゲットの密度（Ｄ０）を、現実の物質の密度に設定
し、第２の領域のターゲットの密度（Ｄ１）を、現実の
物質の密度より小さく設定し、イオンと原子の衝突回数
を減らして計算速度を速める。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An ion implantation simulation method according to the present invention, in a preferred embodiment thereof,
When ions (1 in FIG. 1) are implanted into the target, a region where the atoms of the target and the ions interact with each other is defined as a predetermined radius L1 (3 in FIG. 1) with the trajectory of the ions as the central axis.
A first region (5 in FIG. 1) defined by a cylinder of the following formula, and a maximum value (Pmax (2 in FIG. 1)) of a distance when an ion collides with an atom outside the first region is defined as a radius. Is decomposed into a second region (4 in FIG. 1) defined by a circular cylinder, and the density (D0) of the target in the first region is set to the actual material density, and the density of the target in the second region is set. (D1) is set smaller than the actual density of the substance, and the number of collisions between ions and atoms is reduced to increase the calculation speed.
【０００９】[0009]
【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention;
【００１０】［実施例１］本発明の第１の実施例につい
て、図面を参照して説明する。図２は、モンテカルロイ
オン注入シミュレーションの一般的なフロー図であり、
図３は、図２のフロー図中、第１の実施例の特徴である
Ｓ２のステップの処理を詳細に示したものである。な
お、本発明の第１の実施例は、イオン１注入される物質
が結晶の場合に関するものである。[Embodiment 1] A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a general flow chart of the Monte Carlo ion implantation simulation.
FIG. 3 shows in detail the processing of step S2, which is a feature of the first embodiment, in the flowchart of FIG. Note that the first embodiment of the present invention relates to a case where the substance into which the ions 1 are implanted is a crystal.
【００１１】まず、イオン１注入のシミュレーションを
行うにあたって、図１に示されるイオン１の周りの物質
の密度Ｄ０、Ｄ１を決定する。ここで、図１のＤ０は、
イオン１の通過する軌道に近い領域の密度であり、実際
に存在する物質の密度と同じものに設定する。また、Ｄ
１に関しては、イオン１の通過する軌道から遠い領域の
密度であり、イオン１との相互作用が小さい為、実際の
物質の密度よりも数倍から数十倍程度小さい密度に設定
する。First, in simulating the ion 1 implantation, the densities D0 and D1 of the substance around the ion 1 shown in FIG. 1 are determined. Here, D0 in FIG.
This is the density of the area near the orbit through which the ions 1 pass, and is set to be the same as the density of the substance actually existing. Also, D
1 is a density in a region far from the orbit through which the ions 1 pass, and since the interaction with the ions 1 is small, the density is set to be several times to several tens times smaller than the actual density of the substance.
【００１２】図２及び図３を参照して、本実施例のイオ
ン注入シミュレーションの方法について説明する。ま
ず、Ｓ１のステップでイオン１を１つ注入し、続いて、
Ｓ２のステップで、衝突するターゲットを決定する処理
を行うが、本実施例では、図３に示すように、まず、Ｓ
１１のステップでイオン１の周りの各領域に密度Ｄ０、
Ｄ１で結晶を並ベる。このとき、密度Ｄ１の場所では、
原子を乱数等で減らして密度を減少させる処理を行う。
次に、Ｓ１２のステップで、並ベられたターゲット原子
の中からイオン１が最初に衝突する原子を探して求め
る。Referring to FIGS. 2 and 3, a method of ion implantation simulation according to this embodiment will be described. First, one ion 1 is implanted in the step of S1, and then,
In the step of S2, a process of determining a colliding target is performed. In the present embodiment, as shown in FIG.
The density D0 is applied to each region around the ion 1 in the 11 steps.
Crystals are lined up at D1. At this time, in the place of density D1,
A process of reducing the density by reducing the number of atoms by random numbers or the like is performed.
Next, in step S12, an atom that the ion 1 first collides with is searched for from the arranged target atoms and is obtained.
【００１３】次に、図２のＳ３のステップでイオン１の
ターゲットとの散乱計算を行うが、ここで、イオン１が
密度Ｄ１の物質と散乱している場合には、散乱によって
イオン１が失ったエネルギーをＤ０／Ｄ１倍する処理を
行う。又、衝突された原子がリコイルして点欠陥（原子
空孔）ができた場合は、リコイルした原子の重みと原子
空孔の重みをそれぞれＤ０／Ｄ１倍する処理を行う。Next, in step S3 in FIG. 2, the scattering calculation of the ion 1 with the target is performed. Here, if the ion 1 is scattered with the substance having the density D1, the ion 1 is lost by the scattering. A process for multiplying the energy by D0 / D1 is performed. If the colliding atom recoils to form a point defect (atom vacancy), the weight of the recoiled atom and the weight of the vacancy are each multiplied by D0 / D1.
【００１４】次に、Ｓ４のステップで、イオン１が停止
したかどうかを判断して、停止している場合はＳ５のス
テップに進み、停止していなければＳ２のステップに戻
る。次に、Ｓ５のステップで、計算するべき全てのイオ
ン１について計算が終了しているかどうか判断し、計算
が終了していればシミュレーションを終了し、計算が終
了していなければＳ１のステップに戻る。Next, in step S4, it is determined whether or not the ion 1 has stopped. If the ion 1 has stopped, the process proceeds to step S5, and if not, the process returns to step S2. Next, in step S5, it is determined whether or not the calculation has been completed for all the ions 1 to be calculated. If the calculation has been completed, the simulation ends. If the calculation has not been completed, the process returns to step S1. .
【００１５】本実施例では、Ｓ３のステップでイオン１
のターゲットとの散乱計算を行うに際して、図１のＬ１
の外側の領域の原子密度を小さく設定することによっ
て、散乱の回数（散乱する原子の数）を減らすことがで
き、結果として計算時間を短くすることができる。ここ
で、本実施例の散乱の計算時間（Ｔ１）を従来法の計算
時間（Ｔ０）と比較すると、（１）式のようになる。In the present embodiment, in the step S3, ions 1
When performing the scattering calculation with the target, L1 in FIG.
By setting the atomic density in the region outside the region to be small, the number of times of scattering (the number of scattered atoms) can be reduced, and as a result, the calculation time can be shortened. Here, when the calculation time (T1) of the scattering of the present embodiment is compared with the calculation time (T0) of the conventional method, the equation (1) is obtained.
【００１６】[0016]
【数１】 (Equation 1)
【００１７】具体的な数値で比較すると、Ｌ１／Ｐｍａ
ｘ＝１／２、Ｄ１／Ｄ０＝１／２の場合には、計算時間
は従来法に比べて５／８倍（約６３％）となり、Ｌ１／
Ｐｍａｘ＝１／２、Ｄ１／Ｄ０＝１／１０の場合には、
計算時間は１３／４０倍（約３３％）となる。When compared with specific numerical values, L1 / Pma
When x = 1/2 and D1 / D0 = 1/2, the calculation time is 5/8 times (about 63%) as compared with the conventional method, and L1 / L0
When Pmax = 1/2 and D1 / D0 = 1/10,
The calculation time is 13/40 times (about 33%).
【００１８】ここで、Ｐｍａｘは、衝突パラメータであ
る、イオン１と原子が衝突した時の距離の最大値であ
る。衝突パラメータの最大値の目安は、イオン１と原子
間の原子核散乱ポテンシャルが充分小さくなる距離に取
る必要がある。原子核散乱のポテンシャルは、いくつか
のモデルがあり、原子の種類によっても異なるが、トー
マスフェルミポテンシャルを例にすると、０．１オング
ストロームの時に比べて１オングストロームの位置で約
２桁ポテンシャルエネルギーが小さくなり、２オングス
トロームで３桁程度小さくなる。Ｌ１の値はこれらの値
が目安になる。Ｐｍａｘはポテンシャルエネルギーがゼ
ロに近づく３オングストローム以上にすることが考えら
れる。Here, Pmax is the maximum value of the distance when the ion 1 collides with the atom, which is a collision parameter. The standard of the maximum value of the collision parameter must be set at a distance at which the nuclear scattering potential between the ion 1 and the atom is sufficiently small. There are several models for the nuclear scattering potential, which vary depending on the type of atom, but taking the Thomas Fermi potential as an example, the potential energy at the position of 1 angstrom is about two orders of magnitude smaller than at 0.1 angstrom. , About 3 digits at 2 Å. These values serve as a guide for the value of L1. It is conceivable that Pmax is set to 3 angstroms or more at which the potential energy approaches zero.
【００１９】また、本実施例のイオン注入シミュレーシ
ョンでは、例えば、Ｌ１より外の原子密度を１／２にし
た場合には，Ｌ１より外の原子との散乱回数も１／２と
なり、このままシミュレーションを行うと、ピーク位置
が深くなってしまう。そこで、Ｌ１より外の原子との散
乱が起こった際、その原子との散乱で失うエネルギーを
２倍にしてシミュレーションを行い、誤差によるピーク
位置のずれを起こさないように考慮している。In the ion implantation simulation of the present embodiment, for example, when the atomic density outside L1 is reduced to 1/2, the number of times of scattering with atoms outside L1 is also reduced to 1/2. Doing so will deepen the peak position. Therefore, when scattering occurs with an atom outside L1, simulation is performed by doubling the energy lost by the scattering with the atom, and consideration is given so as not to cause a peak position shift due to an error.
【００２０】［実施例２］次に、本発明の第２の実施例
について図２及び図４を参照して説明する。第２の実施
例は、イオン１を注入する物質がアモルファスの場合に
ついてのものである。図２は、モンテカルロイオン注入
シミュレーションの一般的なフロー図であり、図４は、
図２のフロー図中のＳ２に処理の方法を詳細に示したも
のである。Embodiment 2 Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The second embodiment is for the case where the substance into which the ions 1 are implanted is amorphous. FIG. 2 is a general flow chart of the Monte Carlo ion implantation simulation, and FIG.
S2 in the flowchart of FIG. 2 shows the processing method in detail.
【００２１】まず、前記した第１の実施例と同様に、図
２のイオン注入シミュレーションを行う前に、図１に示
されるイオンの周りの物質の密度Ｄ０、Ｄ１を決定す
る。ここでも、前記した第１の実施例と同様に、図１の
Ｄ０を実際に存在する物質の密度と同じものにし、Ｄ１
を実際の物質の密度よりも数倍から数十倍程度小さい密
度に設定する。First, as in the first embodiment, before performing the ion implantation simulation shown in FIG. 2, the densities D0 and D1 of the substances around the ions shown in FIG. 1 are determined. Here, as in the first embodiment, D0 in FIG. 1 is made the same as the density of the substance actually present, and D1
Is set to a density several times to several tens times smaller than the density of the actual substance.
【００２２】図２及び図４を参照して、本実施例のイオ
ン注入シミュレーションの方法について説明する。ま
ず、Ｓ１のステップで、イオン１を１つ注入し、続い
て、Ｓ２のステップで、衝突するターゲットを決定する
処理を行うが、本実施例では、図４のＳ２１のステップ
で、図１に示される密度Ｄ０の物質が存在する領域５
と、密度Ｄ１が存在する領域４のイオン１の平均自由行
程を計算する。ここで、図１に示されるイオン１の平均
自由行程は、（２）式で表される。Referring to FIGS. 2 and 4, a method of ion implantation simulation according to the present embodiment will be described. First, in step S1, one ion 1 is implanted, and then, in step S2, a process of determining a target to collide is performed. In the present embodiment, in step S21 of FIG. Region 5 where the substance of the indicated density D0 exists
And the mean free path of the ions 1 in the region 4 where the density D1 exists. Here, the mean free path of the ion 1 shown in FIG. 1 is expressed by equation (2).
【００２３】 [0023]
【数２】(Equation 2)
【００２４】イオン１がターゲットに衝突するまで進む
距離は、平均自由行程を中心として分布を持つ様に決め
る。次に、Ｓ２２のステップで、乱数を用いて最初に衝
突するターゲットが密度Ｄ０の物質に属しているか、ま
たは、密度Ｄ１の物質に属しているかを乱数により決定
する。ここで、原子が密度Ｄ０の物質に存在している確
率と密度Ｄ１に存在している確率の比は、πＬ2Ｄ０：
π（Ｐｍａｘ2−Ｌ2）Ｄ１となる。次に、Ｓ２３のステ
ップで、乱数を用いてイオン１が原子と衝突した時のイ
オン１と原子の距離を決定する。The distance that the ions 1 travel until they collide with the target is determined so as to have a distribution centered on the mean free path. Next, in step S22, it is determined using a random number whether the target that first collides with the substance of the density D0 or the substance of the density D1 using the random number. Here, the ratio of the probability that an atom exists in a substance having a density D0 and the probability that an atom exists in a substance having a density D1 is πL 2 D0:
π (Pmax 2 −L 2 ) D1. Next, in step S23, the distance between the ion 1 and the atom when the ion 1 collides with the atom is determined using a random number.
【００２５】ここで、Ｓ２２の処理の結果、衝突する原
子が密度Ｄ０の物質に存在しているとすると、０から１
までの乱数ｕを用いて衝突時のイオン１と原子間の距離
は（３）式で表される。Here, as a result of the processing in S22, assuming that the colliding atoms are present in the substance having the density D0, 0 to 1
The distance between the ion 1 and the atom at the time of collision is expressed by the following equation (3) using the random number u up to:
【００２６】 [0026]
【数３】(Equation 3)
【００２７】また、衝突する原子が密度Ｄ１の物質に存
在している場合には、イオン１と原子間の距離は（４）
式で表される。When the colliding atom exists in the substance having the density D1, the distance between the ion 1 and the atom becomes (4)
It is expressed by an equation.
【００２８】[0028]
【数４】 (Equation 4)
【００２９】次に、Ｓ２４のステップで、乱数を用いて
イオン１が原子と衝突したときの原子の方向を表す角度
を決定する。Next, in step S24, an angle representing the direction of the atom when the ion 1 collides with the atom is determined using random numbers.
【００３０】次に、図２のＳ３のステップで、ターゲッ
トとの散乱計算を行う。ここで、イオン１が密度Ｄ１の
物質と散乱している場合には、散乱によってイオン１が
失ったエネルギーをＤ０／Ｄ１倍する。又、衝突された
原子がリコイルして点欠陥（原子空孔）ができた場合
は、リコイルした原子の重みと原子空孔の重みをそれぞ
れＤ０／Ｄ１倍する。Next, in step S3 of FIG. 2, scattering calculation with the target is performed. Here, when the ions 1 are scattered with the substance having the density D1, the energy lost by the scattering of the ions 1 is multiplied by D0 / D1. When a point defect (atom vacancy) is created by recoil of the collided atom, the weight of the recoiled atom and the weight of the atom vacancy are each multiplied by D0 / D1.
【００３１】次に、Ｓ４のステップでイオン１が停止し
たかどうかを判断して、停止していればＳ５のステップ
に進み、停止していなければＳ２のステップに戻る。そ
して、Ｓ５のステップで、計算するべき全てのイオン１
について計算が終了しているかどうか判断し、計算が終
了していればシミュレーションを終了し、計算が終了し
ていなければＳ１のステップに戻る。Next, it is determined whether or not the ion 1 has stopped in step S4. If the ion 1 has stopped, the process proceeds to step S5, and if not, the process returns to step S2. Then, in step S5, all ions 1 to be calculated are calculated.
It is determined whether or not the calculation has been completed. If the calculation has been completed, the simulation ends, and if the calculation has not been completed, the process returns to the step S1.
【００３２】このように第２の実施例では、前記した第
１の実施例と同様に、Ｓ３のステップでイオン１のター
ゲットとの散乱計算を行うに際して、図１のＬ１の外側
の領域の原子密度を小さく設定することによって、散乱
の回数（散乱する原子の数）を減らすことができ、結果
として計算時間を短くすることができる。As described above, in the second embodiment, as in the first embodiment, when the scattering calculation of the ions 1 with the target is performed in step S3, the atoms in the region outside L1 in FIG. By setting the density small, the number of times of scattering (the number of scattered atoms) can be reduced, and as a result, the calculation time can be shortened.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
精度低下によるピーク位置のずれを起こさずに、計算時
間を短縮できるという効果を奏する。As described above, according to the present invention,
There is an effect that the calculation time can be shortened without causing a shift of the peak position due to a decrease in accuracy.
【００３４】その理由は、本発明では、Ｌ１以上の原子
密度を小さくすると、散乱の回数（散乱する原子の数）
を減らすことができ、結果として計算時間を短くできる
からである。The reason is that, in the present invention, when the atomic density of L1 or more is reduced, the number of scatterings (the number of scattered atoms)
Is reduced, and as a result, the calculation time can be shortened.
【００３５】また、散乱計算に際して、散乱する原子の
数を減らした分、１回の散乱で失うエネルギーを増やす
補正を行っているため、ピーク位置のずれを起こすこと
はない。In the scattering calculation, since the number of atoms to be scattered is reduced and the energy to be lost by one scattering is corrected, the peak position does not shift.
【図１】本発明のイオン注入シミュレーション方法を説
明するための概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram for explaining an ion implantation simulation method of the present invention.
【図２】一般的な、モンテカルロシミュレーションのフ
ローを示すチャート図である。FIG. 2 is a chart showing a general Monte Carlo simulation flow.
【図３】本発明の第１の実施例に係るイオン注入シミュ
レーション方法の一工程を詳細に示したフロー図であ
る。FIG. 3 is a flowchart showing in detail one step of an ion implantation simulation method according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第２の実施例に係るイオン注入シミュ
レーション方法の一工程を詳細に示したフロー図であ
る。FIG. 4 is a flowchart showing in detail one step of an ion implantation simulation method according to a second embodiment of the present invention.
【図５】従来のイオン注入シミュレーション方法を示す
概念図である。FIG. 5 is a conceptual diagram showing a conventional ion implantation simulation method.
１ イオン ２ イオンと原子が衝突したときの距離の最大値（Ｐｍ
ａｘ） ３ Ｌ１ ４ 密度Ｄ１の領域 ５ 密度Ｄ０の領域1 Ion 2 Maximum value of distance when ion and atom collide (Pm
ax) 3 L1 4 Area of density D1 5 Area of density D0
Claims (3)
ーゲットの原子とイオンが相互作用する領域を、イオン
の飛翔線を中心軸とする、半径Ｌ１の円柱で規定される
第１の領域と、前記第１の領域の外側で、イオンと原子
が衝突したときの距離の最大値（Ｐｍａｘ）を半径とす
る円柱で規定される第２の領域に分解し、前記第１の領
域のターゲットの密度（Ｄ０）を、現実の物質の密度に
設定し、前記第２の領域のターゲットの密度（Ｄ１）
を、前記現実の物質の密度より小さく設定することを特
徴とするイオン注入シミュレーション方法。When a target is implanted with ions, a region where the atoms of the target interact with the ions is defined as a first region defined by a cylinder having a radius L1 and having a flight axis of the ion as a central axis; Outside the first region, the ion beam decomposes into a second region defined by a cylinder having a radius equal to the maximum value (Pmax) of the distance when the ion and the atom collide, and the density of the target in the first region ( D0) is set to the density of the actual substance, and the density (D1) of the target in the second region is set.
Is set smaller than the actual density of the substance.
て、イオンの散乱相手の原子が、前記第２の領域に存在
する場合に、前記イオンが前記原子に衝突することによ
って損失するエネルギーを、前記Ｄ０／前記Ｄ１倍に設
定することを特徴とする請求項１記載のイオン注入シミ
ュレーション方法。2. When performing an ion implantation simulation, when an atom to be scattered by an ion is present in the second region, the energy lost by the collision of the ion with the atom is represented by D0 / 2. The ion implantation simulation method according to claim 1, wherein D1 is set.
て、イオンの散乱相手の原子が、前記第２の領域に存在
する場合に、リコイル原子の重み、または、リコイルで
生じた原子空孔の量を前記Ｄ０／前記Ｄ１倍に設定する
ことを特徴とする請求項１記載のイオン注入シミュレー
ション方法。3. When performing ion implantation simulation, when an atom to be scattered by ions is present in the second region, the weight of recoil atoms or the amount of atomic vacancies generated by recoil is calculated as D0. 2. The ion implantation simulation method according to claim 1, wherein the value is set to be / D1 times.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18844798A JP3147090B2 (en) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | Ion implantation simulation method |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP18844798A JP3147090B2 (en) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | Ion implantation simulation method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021804A JP2000021804A (en) | 2000-01-21 |
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