JP3146749U - Multilayer chip LC filter with spatial overvoltage protection element - Google Patents
Multilayer chip LC filter with spatial overvoltage protection element Download PDFInfo
- Publication number
- JP3146749U JP3146749U JP2008006561U JP2008006561U JP3146749U JP 3146749 U JP3146749 U JP 3146749U JP 2008006561 U JP2008006561 U JP 2008006561U JP 2008006561 U JP2008006561 U JP 2008006561U JP 3146749 U JP3146749 U JP 3146749U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- intermediate substrate
- metal layer
- filter according
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
- H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
- H01P1/20336—Comb or interdigital filters
- H01P1/20345—Multilayer filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/207—Hollow waveguide filters
- H01P1/208—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure
- H01P1/2088—Integrated in a substrate
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
【課題】過電圧保護と、LCフィルターの2つの機能を兼ねた、信号の高速度伝播中に遭遇する、静電放電と電磁干渉を一挙に解決できる積層チップ型LCフィルターを提供する。
【解決手段】LCフィルターは、その第2中間基板4上の金属層41がインダクタンスとして作用し、第1中間基板3と下部基板1の電極層2との間にキャパシタンスが形成されるため、LCタイプのフィルターが構成される。十字形電極層2の電極上に形成された2つの第1の溝21、22により、電極層2を切断し、下部基板1の内部にまで延長し、過電圧保護機能を持った空間を形成する。
【選択図】図2The present invention provides a multilayer chip type LC filter that can solve electrostatic discharge and electromagnetic interference encountered during high-speed signal propagation, which has two functions of overvoltage protection and LC filter.
In the LC filter, a metal layer 41 on the second intermediate substrate 4 acts as an inductance, and a capacitance is formed between the first intermediate substrate 3 and the electrode layer 2 of the lower substrate 1. A type of filter is configured. The electrode layer 2 is cut by the two first grooves 21 and 22 formed on the electrodes of the cross-shaped electrode layer 2 and extended to the inside of the lower substrate 1 to form a space having an overvoltage protection function. .
[Selection] Figure 2
Description
本考案は、積層チップ型LC(インダクタンス−キャパシタンス)フィルターに関するものであり、特にLCフィルターと空間過電圧保護素子を1つに組み合わせて構成された、空間過電圧保護素子を有する積層チップ型LCフィルターに関するものである。 The present invention relates to a multilayer chip type LC (inductance-capacitance) filter, and more particularly to a multilayer chip type LC filter having a spatial overvoltage protection element formed by combining an LC filter and a spatial overvoltage protection element. It is.
現在の電子機器は、信号を高速度で伝送することに重点をおいている。そして、静電放電(ESD)の過電圧保護装置特性に対する要求は特に厳格である。キャパシタンス値の低い過電圧保護装置は、伝播速度の速い高周波信号の減衰を回避できる。大気中のノイズ信号はカップリング作用により、信号線において混信として現れるので、ICの信号誤認の原因となる。故にフィルターと、過電圧保護との組み合せは、信号の高速伝播に関して、非常に重要となる。 Current electronic devices focus on transmitting signals at high speed. And the requirements for the overvoltage protection device characteristics of electrostatic discharge (ESD) are particularly strict. An overvoltage protection device having a low capacitance value can avoid attenuation of a high-frequency signal having a high propagation speed. A noise signal in the atmosphere appears as interference on the signal line due to the coupling action, which causes a false signal recognition of the IC. Therefore, the combination of the filter and the overvoltage protection is very important with respect to high-speed signal propagation.
以上の事情に鑑み、過電圧保護装置と、LCフィルターの2つの機能を兼ねた装置を開発して、信号の高速度伝播中に発生する静電放電と電磁干渉(EMI)を一度に解決することを本考案の目的とする。 In view of the above circumstances, an overvoltage protection device and a device having both functions of an LC filter will be developed to solve electrostatic discharge and electromagnetic interference (EMI) generated during high-speed signal propagation at once. Is the purpose of the present invention.
上記の課題を解決する手段として本考案では、複数の基板を積層したLCフィルターにおいて、第1の溝で隔てられた電極層が表面に形成され、第1の溝が内部にまで伸張された第1基板と、第1の溝に対応した位置に第1の溝の幅と長さとが等しい第2の溝を有し、電極層を介するように第1基板上に設けられた第1中間基板と、第1中間基板の第1基板がある面とは反対の面側に設けられた第2中間基板と、第2中間基板の第2中間基板がある面とは反対側の面側に設けられた第2基板と、第2中間基板と第2基板との間に設けられ、インダクタンスを有する金属層と、を含み、電極層は、第1の溝と第2の溝によって形成された空間を有する電極を構成し、金属層上に形成される2つの金属端を結ぶ方向は、前記第1の溝を結ぶ方向と一致し、金属層と電極層との間でキャパシタンスとしての役割を持たせた、空間過電圧保護素子を有する積層チップ型LCフィルターを提供する。 As a means for solving the above problems, in the present invention, in an LC filter in which a plurality of substrates are stacked, an electrode layer separated by a first groove is formed on the surface, and the first groove is extended to the inside. A first intermediate substrate provided on the first substrate with an electrode layer interposed between the first substrate and a second groove having a width and length equal to the first groove at a position corresponding to the first groove; And a second intermediate substrate provided on the side of the first intermediate substrate opposite to the surface on which the first substrate is present, and a surface of the second intermediate substrate on the surface opposite to the surface on which the second intermediate substrate is present. And a metal layer having an inductance provided between the second intermediate substrate and the second intermediate substrate, and the electrode layer is a space formed by the first groove and the second groove. The direction connecting the two metal ends formed on the metal layer is the direction connecting the first groove We, between the metal layer and the electrode layer to have a role as a capacitance, to provide a laminated chip type LC filter having a spatial over-voltage protection device.
また、この第1基板と第1中間基板との間に設けられた空間は、第1基板、電極層及び第2基板にて包囲されているように構成した。 In addition, the space provided between the first substrate and the first intermediate substrate is configured to be surrounded by the first substrate, the electrode layer, and the second substrate.
また、電極層は十字形をなし、伝送線と接地線を含み、第1の溝は伝送線上に形成されている。 The electrode layer has a cross shape, includes a transmission line and a ground line, and the first groove is formed on the transmission line.
また、第2中間基板と第2基板との間に形成された金属層は、蛇行状に往復する形状をなしている。 The metal layer formed between the second intermediate substrate and the second substrate has a shape that reciprocates in a meandering manner.
また、インダクタンスの値は、第1中間基板の層数、或いは厚さを変化させて調整することできる。 The inductance value can be adjusted by changing the number of layers or the thickness of the first intermediate substrate.
また、金属層は第2中間基板の表面、または第2基板の表面に形成されている。 The metal layer is formed on the surface of the second intermediate substrate or the surface of the second substrate.
また、金属層は複数の層に分割され、立体的渦状構造に形成してもよい。 The metal layer may be divided into a plurality of layers and formed into a three-dimensional spiral structure.
また、第2中間基板と第2基板との間に第3中間基板を含み、立体的渦状構造の金属層は、第2中間基板の上に形成される第1の渦状金属層と、第3中間基板の上に形成される第2の渦状金属層と、を連結して構成した。 The third intermediate substrate includes a third intermediate substrate between the second intermediate substrate and the second substrate, and the three-dimensional spiral metal layer includes a first spiral metal layer formed on the second intermediate substrate, and a third A second spiral metal layer formed on the intermediate substrate was connected to be configured.
また、第1の渦状金属層と第2の渦状金属層との間の距離を伸ばすように第2中間基板と第3中間基板との間に金属層を接続する貫通した接続孔を有する第4の中間基板を設けた。 Further, a fourth connection hole having a through hole that connects the metal layer between the second intermediate substrate and the third intermediate substrate so as to extend the distance between the first spiral metal layer and the second spiral metal layer. An intermediate substrate was provided.
なお、本考案のLCフィルターの更に詳細な特徴、機能および応用に関しては、本明細書に添付した図面を参照して、以下説明する本考案の実施の形態をご覧になっていただきたい。 For more detailed features, functions and applications of the LC filter of the present invention, please refer to the embodiments of the present invention described below with reference to the drawings attached to this specification.
本考案に係る積層チップ型LCフィルターは主として下部基板の上表面に1つの十字型電極層を設け、その任意の1方向の電極線の両端に、各々空間(エア・ギャップ)を設けて過電圧保護素子とした。更に、1つの中間基板を準備し、その上に蛇行状(meandering)に往復する構造のインダクタンス、または立体の渦状構造のインダクタンスを形成する。そのインダクタンスを有する中間基板と下部基板上の電極層との間にキャパシタンスを形成したものである。 The multilayer chip type LC filter according to the present invention is mainly provided with one cross-shaped electrode layer on the upper surface of the lower substrate, and provided with spaces (air gaps) at both ends of the electrode line in any one direction, overvoltage protection. It was set as the element. Further, one intermediate substrate is prepared, and an inductance having a structure reciprocating in a meandering manner or an inductance having a three-dimensional spiral structure is formed thereon. A capacitance is formed between the intermediate substrate having the inductance and the electrode layer on the lower substrate.
図1(a)〜(d)、図2を参照しよう。本考案に係る積層チップ型LCフィルターは、下記の部品を含んでいる。 Please refer to FIGS. 1 (a) to 1 (d) and FIG. The multilayer chip type LC filter according to the present invention includes the following parts.
上表面に十字形の電極層2が形成された下部基板1。その電極層2は伝送線と、接地線との電極を含む。電極線には2つの第1の溝21、22が形成される。第1の溝21、22は電極層2を切断し、更に下部基板1の内部にまで延長している。
A
第1中間基板3には、第1中間基板3を貫通する第2の溝31、32が形成される。第2の溝31、32の位置は、下部基板1の第1の溝21、22に対応し、その幅と長さも第1の溝21、22と相等しい。
第2中間基板4は第1中間基板3の上に設けられ、その上表面には往復形状の金属層41が形成され、伝送線を2部分に分割している。伝送線の両端は電極層41となり、電極層41の伝送線の両端を結ぶ方向は、下部基板1に設けられた電極層の空間を結んだ方向と一致である。
The second
上部基板5は第2中間基板4を覆っている。
The
上部基板5は第2中間基板4と、第1中間基板3を覆う外、更に下部基板1まで覆った後、外部電極を覆って、フィルターと空間による過電圧保護を兼ねた装置を構成するのである。
The
図3を参照しよう。本考案に係るLCフィルターは、その第2中間基板4上の金属層41がインダクタンスとして作用し、第1中間基板3と下部基板1の電極層2との間にキャパシタンスが形成されるため、LCタイプのフィルターが構成される。十字形電極層2の電極上に形成された2つの第1の溝21、22により、電極層2を切断し、下部基板1の内部にまで延長し、過電圧保護機能を持った空間を形成する。
Refer to FIG. In the LC filter according to the present invention, the
本考案に係るLCフィルターは図1(a)〜(d)と図2に示した組合せの外、また図4に示すように、インダクタンスを有する往復形状の金属層51を上部基板5の下表面に形成することができる。組み合わせの際、上部基板5を直接第1中間基板3の上から覆い、LCフィルターを形成するのである。
The LC filter according to the present invention is not limited to the combination shown in FIGS. 1A to 1D and 2, and as shown in FIG. 4, a
本考案の第2実施例を図5(a)〜(f)、図6、図7に示す。この実施例での本装置は、下記の部品を含んでいる。 A second embodiment of the present invention is shown in FIGS. 5 (a) to 5 (f), FIG. 6, and FIG. The apparatus in this embodiment includes the following parts.
下部基板100の表面に形成された十字形の電極層110。この電極層110の任意の1方向の電極線上に2つの第1の溝111、112を形成し、電極層110を切断して、下部基板100の内部にまで延長する。中間基板200を下部基板100の上に設けられる。第1の溝111、112と対応した位置に、幅と長さが相等しい第2の溝201、202を第1中間基板200上に形成する。
A
第2中間基板300を第1中間基板200上に設ける。第2中間基板300の表面にインダクタンスとして機能する平面金属を渦状に構成するため、第1の渦状金属層400を形成し、それに入力端401設ける。
The second
第3中間基板500は、第2中間基板300の上に設けられる。第2中間基板300上の金属層400の入力端から離れた位置に対応するように、貫通した金属孔層501が第3中間基板500に設けられている。
The third
第4中間基板600は、第3中間基板500の上に設けられる。この第4中間基板600の上にはインダクタンスとして機能する別の第2の渦状金属層610が形成される。その第2の渦状金属層610の1端には貫通した金属層620が設けられ、第3中間基板500の金属孔層501と、第2中間基板300の金属層400の入力端ではない端子と接続し、第2の渦状金属層610の1端を出力端630としている。このような立体渦状インダクタンスを構成し、一段と高いインダクタンスを提供し、また、必要なインダクタンス値に応じて、巻線の数を増加できるのである。
The fourth
第4中間基板600の上を覆う上部基板700を設ける。
An
図8は本考案の第2実施例の一部分に変更を加えた説明図である。この図によると、第3中間基板500は使用されず、第4中間基板600の渦状金属層610に貫通した金属孔層620を直接利用し、第2中間基板300の金属層400の入力端ではない端子と接続し、立体渦状インダクタンスを構成している。
FIG. 8 is an explanatory diagram in which a part of the second embodiment of the present invention is modified. According to this figure, the third
或いは図9に示すように、第4中間基板600を使用せず、上部基板700の下表面に、直接インダクタンスとする別の1段の渦状金属層710を形成し、その1端を第3中間基板500の金属孔層501と、第2中間基板300の金属層400の入力端ではない端子と接続し、立体渦状インダクタンスを構成することもできる。
Alternatively, as shown in FIG. 9, the fourth
本考案に係る電極層は、金、銀、パラジウム、白金、タングステン、銅などの金属中の1種、またはその中の金属を任意に組み合わせた合金、または混合材料から形成される。溝を切開して形成された電極層は、それぞれ尖端状して放電の機能を持たせてもよい。 The electrode layer according to the present invention is formed of one of metals such as gold, silver, palladium, platinum, tungsten, copper, or an alloy that is an arbitrary combination of metals therein, or a mixed material. The electrode layers formed by cutting the grooves may each have a pointed shape and may have a discharge function.
本考案に係る金属層は、金、銀、パラジウム、白金、タングステン、銅などの金属中の1種、またはその中の金属を任意に組み合わせた合金、または混合材料から形成される。電極層と金属層は、同じ材料で形成されても良く、異なる材料から形成されても良い。 The metal layer according to the present invention is formed of one of metals such as gold, silver, palladium, platinum, tungsten, copper, or an alloy that is an arbitrary combination of metals therein, or a mixed material. The electrode layer and the metal layer may be formed of the same material or different materials.
本考案に係る基板はそれぞれ、絶縁材料またはフェロエレクトリック材料にて、積層式薄膜(multilayer thin film)に形成される。絶縁材料は少なくともアルミニウム元素、例えAl2O3の中のAl、チタン元素、またはシリコン元素の中の1つを含んでいる。 Each of the substrates according to the present invention is formed into a multilayer thin film of an insulating material or a ferroelectric material. The insulating material includes at least one of aluminum element, for example, Al in Al 2 O 3 , titanium element, or silicon element.
本考案に係る装置は、電極層に設けられた第1の溝および中間層の第2の溝などの巧みな構成で過電圧、特に静電放電保護と、LCフィルターの2つの機能を兼備し、信号の高速度伝播中に発生する静電放電と電磁干渉を一度に解決できる効果がある。本考案は形態において確かに相違性があるのみならず、従来の類似装置に比べ、上述の機能を追加でき、新規性及び進歩性の法定実用新案登録請求の要件に、十分合致するものと考える。 The device according to the present invention has two functions of an overvoltage, particularly electrostatic discharge protection, and an LC filter with a clever configuration such as a first groove provided in the electrode layer and a second groove in the intermediate layer, There is an effect that electrostatic discharge and electromagnetic interference generated during high-speed signal propagation can be solved at a time. The present invention is not only different in form, but can be added with the above-mentioned functions compared with the conventional similar devices, and it is considered that the present invention sufficiently meets the requirements of the legal utility model registration request for novelty and inventive step. .
以上詳細な説明は、本考案の実行可能な実施例についての具体的説明である。但し、これらの実施例は本考案の特許請求範囲を制限するものではなく、凡そ本考案の技術精神を逸脱せずなされた同等効果の実施、又は変更は、全て本考案の特許請求範囲内に含まれるものとする。 The above detailed description is a specific description of the feasible embodiments of the present invention. However, these examples do not limit the scope of claims of the present invention, and all implementations or modifications of equivalent effects made without departing from the technical spirit of the present invention are all within the scope of claims of the present invention. Shall be included.
1 下部基板、
2 十字形電極層、
21、22 第1の溝、
3 第1中間基板、
31、32 第2の溝、
4 第2中間基板、
41 往復式金属層、
5 上部基板、
100 下部基板、
110 十字形電極層、
111、112 第1の溝、
200 第1中間基板、
201、202 第2の溝、
300 第2中間基板、
400 渦状金属層、
401 入力端、
500 第3中間基板、
501 金属孔層、
600 第4中間基板、
610 渦状金属層、
620 金属層、
630 出力端、
700 上部基板、
710 渦状金属層。
1 Lower substrate,
2 Cross electrode layer,
21, 22 First groove,
3 first intermediate substrate,
31, 32 second groove,
4 Second intermediate substrate,
41 reciprocating metal layer,
5 Upper substrate,
100 lower substrate,
110 Cross electrode layer,
111, 112 first groove,
200 first intermediate substrate,
201, 202 second groove,
300 second intermediate substrate,
400 spiral metal layer,
401 input terminal,
500 third intermediate substrate,
501 metal pore layer,
600 fourth intermediate substrate,
610 spiral metal layer,
620 metal layer,
630 output end,
700 upper substrate,
710 A spiral metal layer.
Claims (13)
第1の溝で隔てられた電極層が表面に形成され、前記第1の溝が内部にまで伸張された第1基板と、
前記第1の溝に対応した位置に前記第1の溝の幅と長さとが等しい第2の溝を有し、前記電極層を介するように前記第1基板上に設けられた第1中間基板と、
前記第1中間基板の前記第1基板がある面とは反対の面側に設けられた第2中間基板と、
前記第2中間基板の前記第2中間基板がある面とは反対側の面側に設けられた第2基板と、
前記第2中間基板と前記第2基板との間に設けられ、インダクタンスを有する金属層と、
を含み、
前記第1の溝と前記第2の溝によって形成された空間によって隔てられた前記電極層により電極が構成され、
前記金属層上に形成される2つ金属端を結ぶ方向は、前記第1の溝を結ぶ方向と一致し、
前記金属層と前記電極層との間でキャパシタンスとしての役割を持たせた、空間過電圧保護素子を有する積層チップ型LCフィルター。 In LC filters with multiple substrates stacked,
An electrode layer separated by a first groove is formed on a surface, and the first substrate has the first groove extended to the inside;
A first intermediate substrate having a second groove having a width and length equal to the first groove at a position corresponding to the first groove and provided on the first substrate through the electrode layer When,
A second intermediate substrate provided on the surface of the first intermediate substrate opposite to the surface on which the first substrate is located;
A second substrate provided on a surface of the second intermediate substrate opposite to the surface on which the second intermediate substrate is located;
A metal layer provided between the second intermediate substrate and the second substrate and having an inductance;
Including
An electrode is constituted by the electrode layer separated by a space formed by the first groove and the second groove,
The direction connecting the two metal ends formed on the metal layer coincides with the direction connecting the first grooves,
A multilayer chip LC filter having a spatial overvoltage protection element, which has a role as a capacitance between the metal layer and the electrode layer.
前記第1の溝は、前記伝送線上に形成されている、請求項1または請求項2に記載のLCフィルター。 The electrode layer has a cross shape and includes a transmission line and a ground line,
The LC filter according to claim 1, wherein the first groove is formed on the transmission line.
前記立体的渦状構造の前記金属層は、前記第2中間基板の上に形成される第1の渦状金属層と、前記第3中間基板の上に形成される第2の渦状金属層と、を連結して構成されたものである、請求項8に記載のLCフィルター。 Including a third intermediate substrate between the second intermediate substrate and the second substrate;
The metal layer having the three-dimensional spiral structure includes a first spiral metal layer formed on the second intermediate substrate and a second spiral metal layer formed on the third intermediate substrate. The LC filter according to claim 8, wherein the LC filter is configured to be connected.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW097201588U TWM347755U (en) | 2008-01-25 | 2008-01-25 | Laminated chip type LC filter containing hollow gas-gap over-voltage protecting mechanism |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3146749U true JP3146749U (en) | 2008-11-27 |
Family
ID=43296445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008006561U Expired - Fee Related JP3146749U (en) | 2008-01-25 | 2008-09-17 | Multilayer chip LC filter with spatial overvoltage protection element |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3146749U (en) |
KR (1) | KR200454577Y1 (en) |
TW (1) | TWM347755U (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015149317A1 (en) * | 2014-04-03 | 2015-10-08 | 深圳振华富电子有限公司 | Stacked chip ceramic radio-frequency low-pass filter and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9391010B2 (en) | 2012-04-02 | 2016-07-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Power line filter for multidimensional integrated circuits |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100578295B1 (en) * | 2005-05-13 | 2006-05-11 | 주식회사 이노칩테크놀로지 | Laminated complex chip element of combining with resistor, inductor and capacitor |
KR100573364B1 (en) * | 2005-06-11 | 2006-04-26 | 주식회사 이노칩테크놀로지 | Chip type surge arrester |
KR100684334B1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-02-20 | (주) 래트론 | A array varistor-noise filter integrated device with difference materials |
KR100758303B1 (en) * | 2005-12-08 | 2007-09-12 | 한국전자통신연구원 | The Band Rejection Filter Using Dielectric Waveguide |
-
2008
- 2008-01-25 TW TW097201588U patent/TWM347755U/en not_active IP Right Cessation
- 2008-08-19 KR KR2020080011025U patent/KR200454577Y1/en not_active IP Right Cessation
- 2008-09-17 JP JP2008006561U patent/JP3146749U/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015149317A1 (en) * | 2014-04-03 | 2015-10-08 | 深圳振华富电子有限公司 | Stacked chip ceramic radio-frequency low-pass filter and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090007726U (en) | 2009-07-29 |
TWM347755U (en) | 2008-12-21 |
KR200454577Y1 (en) | 2011-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5840731B2 (en) | Circuit protection element | |
US7982557B2 (en) | Layered low-pass filter capable of producing a plurality of attenuation poles | |
JP6577670B2 (en) | Circuit protection element | |
KR20140136740A (en) | Multi-layered ceramic capacitor and board for mounting the same | |
KR20160032581A (en) | Inductor array chip and board for mounting the same | |
JP5975198B1 (en) | High frequency module | |
JP2001044076A (en) | Surface-mounting rc device | |
JP2015061258A (en) | Ebg structure, semiconductor device, and circuit board | |
JP2011181512A (en) | Method of manufacturing composite electronic component | |
CN108886348A (en) | Electronic component | |
JP3146749U (en) | Multilayer chip LC filter with spatial overvoltage protection element | |
JP2010109313A (en) | Composite electronic component | |
JP5994108B2 (en) | Common mode noise filter | |
JP6102770B2 (en) | High frequency module | |
JP4830674B2 (en) | Surge absorber | |
JP5831633B2 (en) | Multilayer element and manufacturing method thereof | |
JP2005167468A (en) | Electronic apparatus and semiconductor device | |
US20090236692A1 (en) | Rc filtering device having air gap construction for over voltage protection | |
JP2008258464A (en) | Circuit board and differential transmission apparatus | |
KR101548879B1 (en) | Chip component and board for mounting the same | |
JP5932893B2 (en) | Chip-type coil component and its mounting board | |
JP2007214509A (en) | Laminated electronic component | |
JP4720911B2 (en) | Composite electronic component and manufacturing method thereof | |
WO2015151810A1 (en) | Chip-type electronic component | |
JP2005317725A (en) | Electronic device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080919 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111105 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |