JP3145764B2 - Method and apparatus for manufacturing conductor coil pattern - Google Patents
Method and apparatus for manufacturing conductor coil patternInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスクやＶＴＲに
用いられる薄膜磁気ヘッド，あるいは平板型インダクタ
ー，磁気センサー等において、磁界発生用あるいは誘導
電流発生用として用いられる導体コイルパターンの製造
方法、及びその製造装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a conductor coil pattern used for generating a magnetic field or an induced current in a thin-film magnetic head used for a magnetic disk or a VTR, a flat plate type inductor, a magnetic sensor, and the like. The present invention relates to the manufacturing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】導体コイルパターンを用いた薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法としては、ジャーナル・オブ・アプライ
ド・フィジクス誌，第５５巻，６号，１９８４年，２２
３５ページに開示されているものがある。それによると
薄膜磁気ヘッドは、基板上に下部磁性体パターン，絶縁
膜，導体コイルパターン，絶縁膜，上部磁性体パター
ン，保護膜を順に積み上げた形態をしている。ここで、
基板としては非磁性の酸化物セラミック材料、上下の磁
性体パターンとしてはＮｉ−Ｆｅ合金、絶縁膜及び保護
膜としては酸化アルミニウム，酸化シリコン，焼き締め
たフォトレジスト等が広く用いられている。また特に、
導体コイルパターンの製造方法は、例えば、昭和５８年
電子通信学会総合全国大会講演予稿集，１−１８６ペー
ジに開示されている。2. Description of the Related Art A method of manufacturing a thin film magnetic head using a conductor coil pattern is disclosed in Journal of Applied Physics, Vol. 55, No. 6, 1984, 22.
Some are disclosed on page 35. According to this, the thin-film magnetic head has a form in which a lower magnetic material pattern, an insulating film, a conductor coil pattern, an insulating film, an upper magnetic material pattern, and a protective film are sequentially stacked on a substrate. here,
A non-magnetic oxide ceramic material is used as the substrate, a Ni-Fe alloy is used as the upper and lower magnetic material patterns, and aluminum oxide, silicon oxide, and hardened photoresist are used as the insulating and protective films. Also, in particular,
The manufacturing method of the conductor coil pattern is disclosed in, for example, pp. 1-186 of IEEJ General Conference, 1983.
【０００３】ここで薄膜磁気ヘッドの製造方法のうち、
特に導体コイルパターンの製造方法を、図４をもとに説
明する。図４（ａ）に示すように、基板１３上の下部磁
性体パターン１４上に形成した絶縁膜１５上に、導体め
っき時に電極とするための導電体１７を形成する。この
形成方法としては、真空蒸着法，スパッタ法，無電界め
っき法等が用いられている。[0003] In the method of manufacturing a thin film magnetic head,
In particular, a method for manufacturing a conductor coil pattern will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 4A, a conductor 17 to be used as an electrode at the time of conductor plating is formed on an insulating film 15 formed on a lower magnetic pattern 14 on a substrate 13. As this forming method, a vacuum evaporation method, a sputtering method, an electroless plating method, or the like is used.
【０００４】次に図４（ｂ）に示すように、導電体１７
上にフォトレジスト１８を塗布し、これをコイルの反転
レジストパターン１９にする。導体コイルパターン１６
の製造方法に関する開示文書中では、反転レジストパタ
ーン１９の形成のために、フォトレジスト１８上でコイ
ルの反転パターン状に加工したＴｉをマスクとして、Ｏ
2 のイオンビームエッチング技術を用い、反転レジスト
パターン１９を形成している。[0004] Next, as shown in FIG.
A photoresist 18 is applied thereon, and this is used as a reverse resist pattern 19 of the coil. Conductor coil pattern 16
In the disclosure document relating to the manufacturing method of the above, in order to form the inverted resist pattern 19, Ti processed into the inverted pattern of the coil on the photoresist 18 is used as a mask,
The inverted resist pattern 19 is formed by using the ion beam etching technique of No. 2 .
【０００５】次に図４（ｃ）に示すように、コイル用の
導体として用いるＣｕをめっきする。Ｃｕめっきは硫酸
銅水溶液等のＣｕイオンとして含む液中で、導電体１７
を陰極，銅板等を陽極として電気分解することにより、
基板１３状の導電体１７上にＣｕを析出させる技術であ
る。ここで導電体１７上には反転レジストパターン１９
が存在するため、反転レジストパターン１９の無い部
分、つまりコイルパターン状にＣｕ２０が析出すること
になる。Next, as shown in FIG. 4C, Cu used as a conductor for the coil is plated. Cu plating is carried out in a solution containing Cu ions such as an aqueous solution of copper sulfate.
Is electrolyzed as a cathode and a copper plate as an anode,
This is a technique for depositing Cu on a conductor 13 in the form of a substrate 13. Here, an inverted resist pattern 19 is formed on the conductor 17.
Is present, Cu 20 is deposited in a portion having no inverted resist pattern 19, that is, in a coil pattern.
【０００６】この後、図４（ｄ）に示すように、フォト
レジストを剥離すると、コイルの形状をＣｕ２０で形成
することができるが、このままではコイルパターン間が
導電体１７によって接続されているためコイルとしての
役割は果たさない。そのため、この後まず基板１３をよ
く乾燥させ、別に用意した真空装置中でアルゴンイオン
ビーム２１を基板１３上方から照射することにより、導
電体１７のうち反転レジストパターン１９が最初に存在
した部分をエッチング除去する。この際に、めっきされ
たＣｕ２０の一部もやはりエッチングされる。このよう
にして導体コイルパターン１６を形成する。Thereafter, as shown in FIG. 4D, when the photoresist is peeled off, the coil can be formed of Cu20. It does not serve as a coil. Therefore, after that, first, the substrate 13 is thoroughly dried, and an argon ion beam 21 is irradiated from above the substrate 13 in a separately prepared vacuum device to etch a portion of the conductor 17 where the inverted resist pattern 19 first exists. Remove. At this time, a part of the plated Cu 20 is also etched. Thus, the conductor coil pattern 16 is formed.
【０００７】このようにして形成する導体コイルパター
ン１６上に、絶縁膜を形成してコイルに伴う凹凸を平坦
化し、その上面に下部磁性体パターン１４と一部接続し
た形の、上部磁性体パターンを形成する。この後、全体
を保護膜で被覆し基板１３上に薄膜磁気ヘッドを形成さ
れることになる。実際に薄膜磁気ヘッドとして用いる場
合には、この後基板１３をスライダー状に加工するわけ
であるが、その詳細については本発明と関連が無いので
ここでは省略する。An insulating film is formed on the conductive coil pattern 16 thus formed to flatten the irregularities associated with the coil, and the upper magnetic pattern is partially connected to the lower magnetic pattern 14 on the upper surface. To form Thereafter, the whole is covered with a protective film to form a thin film magnetic head on the substrate 13. When the substrate 13 is actually used as a thin-film magnetic head, the substrate 13 is subsequently processed into a slider shape, but details thereof are omitted here because they are not related to the present invention.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た導体コイルパターンの製造方法は、以下に示すような
多くの問題を有していた。 反転レジストパターン１９の形成上の問題 導体コイルパターン１６の断面積を充分大きくとり、電
流を流す際の抵抗を小さくしつつ、単位面積当りのコイ
ルの巻数を上げることにより発生する磁界、発生する誘
導電流を大きくするために、微細で、且つパターン断面
幅に比較して断面高さの高い（アスペクト比の高い）反
転レジストパターン１９を形成する必要がある。しか
し、このような形状のレジストパターンは形成が困難で
あった。また、アスペクト比の高い反転レジストパター
ン１９を形成できたとしても、その後にＣｕめっき用の
溶液中に浸漬するために、剥離等の問題を発生しやすか
った。However, the above-described method for manufacturing a conductor coil pattern has many problems as described below. Problems in Forming the Inverted Resist Pattern 19 The magnetic field generated by increasing the number of turns of the coil per unit area while increasing the cross-sectional area of the conductor coil pattern 16 to reduce the resistance when the current flows is reduced, and the induced induction. In order to increase the current, it is necessary to form the inverted resist pattern 19 which is fine and has a higher sectional height (higher aspect ratio) than the pattern sectional width. However, it is difficult to form a resist pattern having such a shape. Further, even if the inverted resist pattern 19 having a high aspect ratio could be formed, problems such as peeling were liable to occur because the resist pattern 19 was subsequently immersed in a Cu plating solution.
【０００９】また、めっき後のレジストの剥離を容易に
するために、逆台形の断面を有する反転レジストパター
ン１９が望ましいが、このような断面形状は光学的な露
光によって形成するのが非常に困難であった。これを解
決するために、由比藤勇他，電子情報通信学会論文誌Ｃ
−ＩＩ，第Ｊ７４−Ｃ−ＩＩ巻，３号，１９９１年，１
７０ページに開示されているようなイメージリバースレ
ジストを用いる方法もあるが、工程数が増大しスループ
ットが低下するという問題を有していた。しかも製造条
件の管理を厳しくする必要があり、歩留りが低下する。 Ｃｕめっきを用いる工程を用いていることにより問題 前記製造方法では、まず最初に導電体１７を形成し、導
体コイルパターン形成後にこれを除去する必要がある。
このように、本来導体コイルパターンの構成要素として
全く必要の無い、導電体１７を用いる工程を含むことか
ら、製造時のスループットが上がらないという問題を有
していた。In order to easily remove the resist after plating, an inverted resist pattern 19 having an inverted trapezoidal cross section is desirable, but such a cross section is very difficult to form by optical exposure. Met. In order to solve this, Isamu Yubito et al., IEICE Transactions C
-II, J74-C-II, No. 3, 1991, 1
Although there is a method using an image reverse resist as disclosed on page 70, there is a problem that the number of steps increases and the throughput decreases. Moreover, it is necessary to strictly control the manufacturing conditions, and the yield is reduced. Problem Due to Use of Step Using Cu Plating In the above-described manufacturing method, it is necessary to first form conductor 17 and remove it after forming the conductor coil pattern.
As described above, since the method includes the step of using the conductor 17 which is not necessary at all as a component of the conductor coil pattern, there is a problem that the throughput at the time of manufacturing does not increase.
【００１０】また全工程を溶液処理を含まない、ドライ
プロセスで構成した場合には、各工程を実施する装置に
順に接続していくことがたやすく実施できるため、工程
の連続性を保った大量生産の可能な製造装置の作製が可
能となる。そして、製造装置単価の低減，スループット
の向上に大きく貢献できる。しかし、従来技術は液中処
理が含まれるため処理及び装置の連続化が原理的に不可
能であり、製品の生産性向上に限界があるということ、
さらに気温，湿度等の影響を受け易く、常に同一の品質
を実現するのに周辺環境（湿度，温度など）を整備する
設備が必要であるというような問題点も有していた。When all the steps are formed by a dry process that does not include a solution treatment, the steps can be easily connected to an apparatus for performing each step in an easy manner, so that a large amount of the steps can be maintained. It becomes possible to produce a production apparatus that can be produced. This can greatly contribute to a reduction in the manufacturing unit cost and an improvement in the throughput. However, in the prior art, since treatment in liquid is included, continuity of treatment and equipment is not possible in principle, and there is a limit to improvement in product productivity,
In addition, there is a problem that the apparatus is easily affected by temperature, humidity, and the like, and equipment for maintaining the surrounding environment (humidity, temperature, etc.) is required to always achieve the same quality.
【００１１】本発明の目的は、従来の導体コイルパター
ンの製造工程の大幅な簡便化を可能とし、さらに工程の
連続性を保ちつつ、従来の製造工程数よりも総工程数を
減少して装置費用を削減しつつ迅速に製造を行うことの
可能な導体コイルパターンの製造方法と、そのための製
造装置を提供することにある。An object of the present invention is to make it possible to greatly simplify the conventional manufacturing process of a conductor coil pattern, and to reduce the total number of processes from the conventional manufacturing process while maintaining the continuity of the processes. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a conductor coil pattern that can be manufactured quickly while reducing costs, and a manufacturing apparatus therefor.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁物上の渦
巻状の導体パターンで、外部から導体に電流を印加する
ことにより中心近傍に磁界を発生し、あるいは中心近傍
の磁界を変化させることによって導体に誘導電流を発生
することが可能な導体パターンの製造方法において、前
記導体パターンが、導体をその構成要素として含むガス
を絶縁物上に導入しつつ、ヒータにより加熱された前記
絶縁物上の任意の部分へシンクロトロン放射光を照射
し、前記任意の部分のみの表面状態を変化させ、次に前
記表面状態を変化させた部分を前記ヒータの加熱のみに
よって継続的に導電材料を析出させ、前記任意の部分へ
選択的に導電材料を堆積することによって形成すること
を特徴とする。According to the present invention, a spiral conductor pattern on an insulator is used to generate a magnetic field near the center or change the magnetic field near the center by applying a current to the conductor from the outside. In the method for producing a conductor pattern capable of generating an induced current in a conductor, the conductor pattern is heated by a heater while introducing a gas containing the conductor as a constituent element onto the insulator. Irradiate synchrotron radiation to an arbitrary portion above, change the surface state of only the arbitrary portion, and then continuously deposit a conductive material only by heating the heater at the portion where the surface state is changed. And selectively depositing a conductive material on the arbitrary portion.
【００１３】本発明の導体コイルパターン製造装置は、
シンクロトロン放射光源と、チャンバーと、前記シンク
ロトロン放射光源からの光を前記チャンバーに導く光学
系と、前記光学系からの光を任意のパターン部だけ遮蔽
して前記チャンバー内の基板上に導入するためのマスク
と、前記チャンバー内にガスを導入するガス導入機構
と、前記基板を加熱するヒーターとを有することを特徴
とする。[0013] The conductor coil pattern manufacturing apparatus of the present invention comprises:
A synchrotron radiation source, a chamber, and the sink
An optical system for guiding light from a rotron radiation light source to the chamber, a mask for shielding the light from the optical system by an arbitrary pattern portion and introducing the light onto a substrate in the chamber, and supplying a gas into the chamber. It is characterized by having a gas introduction mechanism for introducing and a heater for heating the substrate.
【００１４】また本発明の導体コイルパターンの製造装
置は、前記チャンバーに接続部分を介して隣接して、あ
るいは前記チャンバー内に、導体コイルパターン形成用
とは別の成膜装置を設けたことを特徴とする。Further, the apparatus for manufacturing a conductor coil pattern according to the present invention is characterized in that a film forming apparatus different from that for forming a conductor coil pattern is provided adjacent to the chamber via a connection portion or in the chamber. Features.
【００１５】[0015]
【作用】トリメチルアルミニウム等の有機金属分子は、
常温で気体状のものが多い。しかしそれらの多くは不安
定であり、加熱や光照射等により分子に対してエネルギ
ーを加えると分解して金属を遊離する。[Action] Organometallic molecules such as trimethylaluminum
Most are gaseous at room temperature. However, many of them are unstable, and when energy is applied to molecules by heating, light irradiation, or the like, they are decomposed to release metals.
【００１６】この現象を利用して導体材料の成膜が行わ
れており、これら励起ＣＶＤ法に関しては、例えば、明
石和夫，服部秀三，松本修編「光・プラズマプロセシン
グ」第１４０頁（日刊工業新聞社，１９８６年）に詳し
く開示されている。A film of a conductive material is formed by utilizing this phenomenon. Regarding these excitation CVD methods, for example, Kazuo Akashi, Shuzo Hattori, Osamu Matsumoto, “Optical / Plasma Processing,” p. 140 (daily publication) Kogyo Shimbun, 1986).
【００１７】そこで本発明者は、有機金属ガスを分解し
て生成した金属を、基板全面ではなく基板上の特定の部
分に付着堆積させ、これをもって導体コイルパターンと
することを試みた。このような基板上での局所的な成膜
の可能性については、レーザー光を集光してその光，及
び熱エネルギーにより有機金属を分解し、基板上のレー
ザー光照射位置に金属膜を形成する方法が知られてい
る。この技術については、例えば、岸田俊二他著，高橋
清，小長内誠監修「光励起プロセスハンドブック」第２
４７頁（サイエンスフォーラム，１９８７年）、あるい
は梶川敏和「レーザーによるマイクロ加工」（表面技術
誌，４０巻，第８号，８７４頁，１９８９年）に開示さ
れている。またレーザー光ではなく、電子ビーム等の粒
子ビームによる局所的な成膜方法についても、マツイシ
ンジ他，アプライド・フィジクス・レター誌，９月号，
第５３巻，第１０号，１９８８年，８４２ページに開示
されているように、近年実用化されている。Therefore, the present inventor tried to deposit a metal generated by decomposing an organometallic gas on a specific portion of the substrate, not on the entire surface of the substrate, and use it as a conductor coil pattern. Regarding the possibility of local film formation on such a substrate, the laser beam is focused and the organic metal is decomposed by the light and thermal energy to form a metal film at the laser beam irradiation position on the substrate. There are known ways to do this. This technology is described in, for example, Shunji Kishida et al., Kiyoshi Takahashi and Makoto Konagauchi, "Optical Excitation Process Handbook," Second Edition
47 (Science Forum, 1987) or Toshikazu Kajikawa, "Micromachining by Laser" (Surface Technology Journal, Vol. 40, No. 8, p. 874, 1989). Regarding the local film formation method using a particle beam such as an electron beam instead of laser light, Matsui Shinji et al., Applied Physics Letter Magazine, September,
Vol. 53, No. 10, 1988, p. 842, has recently been put to practical use.
【００１８】しかし上で述べたようなビームを用いた従
来手法では、基板上の特定部位にのみ成膜可能であると
いう点は満足されるものの、基板上に配置した一つ一つ
のデバイス全てに対して、個別に励起光あるいは励起ビ
ームを照射、走引する必要がある。従って、基板を大型
化して量産性を向上させようとした場合に、大型化に応
じて工程所要時間が延びるため、スループットの向上が
困難という根本的な問題がある。また、ビーム照射部位
の温度が５００℃以上に昇温されることから、適用可能
なデバイスに制限があることや、形成した導体パターン
の断面が蒲鉾状になり、矩形で高アスペクトの断面形状
を要求される導体コイルパターンとしては不適当という
問題も含んでいる。However, the conventional method using a beam as described above satisfies the point that a film can be formed only on a specific portion on a substrate, but it can be applied to all the devices arranged on the substrate. On the other hand, it is necessary to individually irradiate and run excitation light or an excitation beam. Therefore, when the size of the substrate is increased to improve the mass productivity, the time required for the process is increased according to the increase in the size, and there is a fundamental problem that it is difficult to improve the throughput. In addition, since the temperature of the beam irradiation site is raised to 500 ° C. or more, there are limitations on applicable devices, and the cross-section of the formed conductor pattern becomes a semi-cylindrical shape, and a rectangular, high-aspect cross-sectional shape is obtained. There is also a problem that the required conductor coil pattern is inappropriate.
【００１９】ここで本発明者は、次のような実験を行っ
た。実験装置の断面を図３に示して説明する。まず、排
気機構を有するチャンバー１は、荷電を環状に加速した
際に、接線方向に発生するシンクロトロン放射光２２
（紫外域からＸ線域の波長で特に強度の高い光）を、光
学系６を経てゲートバルブ３を通して、試料４上に導入
する構造を有している。シンクロトロン放射光２２に関
しては、富増多喜夫著，「シンクロトロン放射技術」，
工業調査会，東京，１９９０年等に詳細に開示されてい
る。試料４上には、発生装置２からのシンクロトロン放
射光２２を一部遮ることの可能なマスク７が置かれてい
る。また、同時にガス導入機構８が設置されており、マ
スク７と試料４の間の空間に有機金属ガス９を導入する
ことが可能である。試料４の下部にはヒーター５が設置
され、試料４の温度を調節可能である。先に述べた、従
来の光あるいは電子ビームを収束してＣＶＤを行う手法
との根本的な違いは、放射光の照射が試料４上のあらゆ
る部分に一括して可能な点で、これが製造時の量産性の
向上に大きく寄与する。Here, the inventor conducted the following experiment. A cross section of the experimental apparatus is shown in FIG. First, the chamber 1 having the exhaust mechanism is provided with a synchrotron radiation 22 generated in a tangential direction when the charge is accelerated in a ring shape.
(Light having a particularly high intensity in the wavelength range from the ultraviolet region to the X-ray region) is introduced into the sample 4 through the gate valve 3 via the optical system 6. Regarding synchrotron radiation 22, see "Takashi Tomimasu", "Synchrotron radiation technology",
It is disclosed in detail in the Industrial Research Committee, Tokyo, 1990 and the like. On the sample 4, a mask 7 that can partially block the synchrotron radiation 22 from the generator 2 is placed. At the same time, a gas introduction mechanism 8 is provided, so that the organometallic gas 9 can be introduced into the space between the mask 7 and the sample 4. A heater 5 is provided below the sample 4 so that the temperature of the sample 4 can be adjusted. A fundamental difference from the above-described conventional method of converging a light or electron beam to perform CVD is that irradiation of emitted light can be collectively applied to all parts on the sample 4. Greatly contributes to the improvement of mass productivity.
【００２０】このような構成の装置を用いて、シンクロ
トロン放射光２２を導入した実験を実際に行った。試料
４には酸化シリコン基板、有機金属ガス９としてはジメ
チル・アルミニウム・ハイドライドを用い、試料４の一
部にのみ放射光２２が照射可能な状態にマスク７を設置
した。実験結果を次表に示す。An experiment in which the synchrotron radiation 22 was introduced was actually performed using the apparatus having such a configuration. A silicon oxide substrate was used as the sample 4 and dimethyl aluminum hydride was used as the organic metal gas 9, and the mask 7 was set so that only a part of the sample 4 could be irradiated with the radiated light 22. The experimental results are shown in the following table.
【００２１】[0021]
【表１】 [Table 1]
【００２２】一般には酸化シリコンのような絶縁物上で
は、有機金属の熱分解による金属の均一な成膜は難しい
といわれている。この結果からも、２００℃程度の低温
では単なる熱分解による試料全面均一の金属（この場合
アルミニウム）の成膜は起こらないことがわかる。しか
し、放射光の照射と同時に有機金属ガスを供給すること
によって成膜可能なことがわかる。また、成膜初期に放
射光が照射されて膜成長が始まっていれば、その後は放
射光を照射しなくても、２００℃という低温で照射部の
みに膜成長が継続することもわかった。シンクロトロン
放射光２２の照射によって、膜成長が可能になる理由は
はっきりしないものの、本発明者の表面分析では膜成長
の起こる初期界面付近で、酸化シリコンが金属シリコン
状態に近くなっていることがわかっており、これが何等
かの原因である可能性もある。以上の検討から本発明を
用いて、導体パターンを形成可能なことがわかる。It is generally said that it is difficult to form a uniform metal film by thermal decomposition of an organic metal on an insulator such as silicon oxide. From this result, it can be seen that even at a low temperature of about 200 ° C., uniform metal (in this case, aluminum) film formation does not occur due to mere thermal decomposition. However, it can be seen that the film can be formed by supplying the organometallic gas simultaneously with the irradiation of the radiation light. Further, it was also found that if the film growth was started by irradiation with the radiated light in the initial stage of film formation, the film growth would be continued only at the irradiated portion at a low temperature of 200 ° C. without irradiation with the radiated light thereafter. Although it is not clear why the irradiation of the synchrotron radiation 22 enables the film growth, the present inventors' surface analysis shows that silicon oxide is close to the metal silicon state near the initial interface where the film growth occurs. I know, and this could be the cause. From the above examination, it can be seen that a conductor pattern can be formed using the present invention.
【００２３】さらに、光を製造工程に利用する利点とし
てその直進性を利用できるという点がある。従来の反転
レジストパターン１９の形成においては、Ｃｕめっき後
のイオンビームエッチングによる若干のＣｕ２０の目減
りも考慮して、かなり厚膜の反転レジストパターン１９
を形成する必要があり、そのため導体コイルパターン１
６のパターン幅及び間隔を狭くするのに限界があった。
しかし、本発明の導体コイルパターンの製造方法では、
最初に光が照射された領域にのみ成膜が行われるため、
マスク７を微細にすることにより微細で密なパターンを
形成可能である。マスク７の厚みは、従来技術の導体コ
イルパターン形成用の反転レジストパターン１９よりは
るかに薄くできるので、微細化は容易である。そして、
パターン幅及び間隔を狭くし、単位面積当りの導体コイ
ルパターンの巻数を増大させることによって、導体コイ
ルパターンに流す電流を変化させた際の発生磁界、及び
磁界を変化させた際の誘導電流値は大きくなり、本発明
の導体コイルパターンを例えば薄膜磁気ヘッドに用いた
場合、飛躍的な性能向上が期待できる。Further, as an advantage of using light in the manufacturing process, there is a point that its straightness can be used. In the formation of the conventional inversion resist pattern 19, a considerable thickness of the inversion resist pattern 19 is considered in consideration of a slight loss of Cu 20 due to ion beam etching after Cu plating.
Must be formed, so that the conductor coil pattern 1
There was a limit in reducing the pattern width and interval of No. 6.
However, in the method for manufacturing a conductor coil pattern of the present invention,
Since the film is formed only in the area where the light was first irradiated,
By making the mask 7 fine, a fine and dense pattern can be formed. Since the thickness of the mask 7 can be made much thinner than the conventional resist pattern 19 for forming a conductor coil pattern, miniaturization is easy. And
By reducing the pattern width and interval and increasing the number of turns of the conductor coil pattern per unit area, the generated magnetic field when the current flowing through the conductor coil pattern is changed, and the induced current value when the magnetic field is changed are When the conductor coil pattern of the present invention is used in, for example, a thin film magnetic head, a dramatic improvement in performance can be expected.
【００２４】また、従来技術では絶縁膜の上に導体コイ
ルパターンを形成するのに、導電体膜成膜装置、フ
ォトレジスト塗布装置、露光装置、フォトレジスト
現像装置、Ｃｕめっき装置、洗浄及び乾燥装置、
イオンビームエッチング装置、と６台もの装置で導体コ
イルパターンを形成していた。しかし本発明では、導
体コイルパターン形成用選択成長装置、１台だけで導体
コイルパターンが形成可能となり、装置作製維持費用，
設置面積，製造工程数，製造時間，所要人数の大幅な削
減が可能となる。In the prior art, a conductor film pattern forming apparatus, a photoresist coating apparatus, an exposure apparatus, a photoresist developing apparatus, a Cu plating apparatus, a cleaning and drying apparatus are used to form a conductor coil pattern on an insulating film. ,
The conductor coil pattern was formed by an ion beam etching device and as many as six devices. However, according to the present invention, a conductor coil pattern can be formed by only one selective growth apparatus for forming a conductor coil pattern, and the apparatus fabrication and maintenance cost is reduced.
It is possible to greatly reduce the installation area, the number of manufacturing steps, the manufacturing time, and the required number of people.
【００２５】ところで、導体コイルパターンを絶縁膜で
被覆し、薄膜磁気ヘッド等に用いる場合には、導体コイ
ルパターン形成用選択成長装置に隣接して接続するか、
あるいは内包する形で、絶縁膜を形成するための成膜装
置を設けることにより、製造のための装置設置面積，製
造工程数，所要人員，製造時間のさらなる削減が可能で
ある。これは、導体コイルパターンの製造方法が、溶液
処理を含まないドライプロセスであることから初めて実
現できるもので、従来の導体コイルパターン形成技術で
は考えられなかった装置構成である。但しこの場合には
装置を隣接するため、絶縁膜の品質（例えば耐環境性，
絶縁性）が導体コイルパターン形成用の有機金属ガスの
微量の混入により、若干劣化する危険性がある。本発明
者の検討でも、導体コイルパターン製造装置に隣接して
いない成膜装置によって形成された絶縁膜と比較して、
膜の屈折率に若干の差があることが確認されており、膜
質に何等かの差があることが予想される。従って導体コ
イルパターンを用いる薄膜磁気ヘッド等における、絶縁
膜の要求品質や精度に応じて、絶縁膜形成装置の有無を
選択する必要がある。When the conductor coil pattern is coated with an insulating film and used for a thin-film magnetic head or the like, the conductor coil pattern is connected adjacent to a selective growth device for forming a conductor coil pattern, or
Alternatively, by providing a film forming apparatus for forming an insulating film in a form of being included, it is possible to further reduce the apparatus installation area for manufacturing, the number of manufacturing steps, required personnel, and manufacturing time. This can be realized only because the manufacturing method of the conductor coil pattern is a dry process that does not include a solution treatment, and is an apparatus configuration that could not be considered by the conventional conductor coil pattern forming technology. However, in this case, since the devices are adjacent to each other, the quality of the insulating film (for example, environmental resistance,
(Insulation) may be slightly deteriorated due to a small amount of an organic metal gas for forming a conductor coil pattern. The study of the present inventor also compared with the insulating film formed by the film forming apparatus not adjacent to the conductor coil pattern manufacturing apparatus,
It has been confirmed that there is a slight difference in the refractive index of the film, and it is expected that there is some difference in the film quality. Therefore, it is necessary to select the presence or absence of an insulating film forming device according to the required quality and accuracy of the insulating film in a thin-film magnetic head using a conductor coil pattern.
【００２６】[0026]
【実施例】次に本発明の導体コイルパターンの製造方
法、及び導体コイルパターンの製造装置について図面を
参照して説明する。 （実施例１）実施例１で用いた導体コイルパターンの製
造装置は、図１に示すごときものである。図１は導体コ
イルパターンの製造装置の断面模式図である。装置は大
きく分けて、チャンバー１，シンクロトロン放射光発生
装置２，ゲートバルブ３，試料４，ヒーター５から成っ
ている。シンクロトロン放射光２は、ゲートバルブ３を
介して接続されている光学系６によって、試料４上に導
かれる。ここでシンクロトロン放射光２２の光路にはＸ
線を導体コイルパターン状に透過させるためのマスク７
がセットされている。さらに導体形成用ガスを任意の量
チャンバー１内に導入するために、ガス導入機構８が設
けられており、マスク７と試料４の間の空間に有機金属
ガス９を導入可能である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a sectional view showing a manufacturing method of a conductor coil pattern according to the present invention; (Example 1) An apparatus for manufacturing a conductor coil pattern used in Example 1 is as shown in FIG. FIG. 1 is a schematic sectional view of an apparatus for manufacturing a conductor coil pattern. The apparatus is roughly divided into a chamber 1, a synchrotron radiation light generator 2, a gate valve 3, a sample 4, and a heater 5. The synchrotron radiation 2 is guided onto a sample 4 by an optical system 6 connected via a gate valve 3. Here, the optical path of the synchrotron radiation light 22 is X
Mask 7 for transmitting wires in a conductor coil pattern
Is set. Further, a gas introduction mechanism 8 is provided to introduce an arbitrary amount of the conductor forming gas into the chamber 1, and an organometallic gas 9 can be introduced into a space between the mask 7 and the sample 4.
【００２７】このような概略の装置を用いて、導体コイ
ルパターンの製造を行った。用いた装置，材料を次に示
す。A conductor coil pattern was manufactured using the above-described apparatus. The equipment and materials used are shown below.
【００２８】シンクロットロン放射光２２…エネルギー
３００ｅＶ以下の白色光 試料４…酸化シリコンを表面に形成したＡｌ3 Ｏ3 −Ｔ
ｉＣ基板 有機金属ガス９…ジメチルアルミニウムハイドライド 次にこれらの装置，材料を用いた導体コイルパターンの
製造手順を示す。まず、試料４をセットしたチャンバー
１を排気機構１０を用いて１×１０-9Ｔｏｒｒに減圧す
る。次に、試料４をヒーター５で２００℃に加熱し、ガ
ス導入機構８を介して有機金属ガス９をマスク７と試料
４の間の空間に導入し、ガス圧を１０-7Ｔｏｒｒに保
つ。シンクロトロン放射光２２は、光学系６，マスク７
を通って試料４上に照射される。この時の試料４上での
照射光子数は、およそ１０18個／ｃｍ2 である。このシ
ンクロトロン放射光２２の照射を受けた試料４の表面は
励起され、表面状態に変化が起こる。そしてその変化し
た部分で有機金属ガス９が分解し、金属（本実施例にお
いては金属アルミニウム）を析出する。Synchrotron radiation 22: white light having an energy of 300 eV or less Sample 4: Al 3 O 3 —T having silicon oxide formed on the surface
iC substrate Organometallic gas 9: dimethyl aluminum hydride Next, a procedure for manufacturing a conductor coil pattern using these devices and materials will be described. First, the pressure of the chamber 1 in which the sample 4 is set is reduced to 1 × 10 −9 Torr using the exhaust mechanism 10. Next, the sample 4 is heated to 200 ° C. by the heater 5, and the organometallic gas 9 is introduced into the space between the mask 7 and the sample 4 via the gas introduction mechanism 8, and the gas pressure is maintained at 10 −7 Torr. The synchrotron radiation 22 has an optical system 6 and a mask 7.
Irradiates the sample 4 on the sample 4. The number of irradiation photons on the sample 4 at this time is about 10 18 / cm 2 . The surface of the sample 4 that has been irradiated with the synchrotron radiation 22 is excited, and the surface state changes. Then, the organic metal gas 9 is decomposed in the changed portion, and a metal (metal aluminum in this embodiment) is deposited.
【００２９】このような工程を経た試料４をチャンバー
１から取り出し、その表面を走査型電子顕微鏡で観察し
た結果、アルミニウム導体コイルパターンが、厚さ約３
００ｎｍ，幅約５００ｎｍで形成されていることが確認
された。さらに、試料４上に析出したアルミニウムをマ
イクロオージェ分光分析器で深さ方向に分析した結果、
不純物として予想される炭素等は非常に少なく、例えば
薄膜磁気ヘッドの製造等に本発明を用いた場合にも、製
品の長期信頼性に問題はないことが明らかとなった。The sample 4 having undergone such a process is taken out of the chamber 1 and its surface is observed with a scanning electron microscope. As a result, the aluminum conductor coil pattern has a thickness of about 3 mm.
It was confirmed that the film was formed with a thickness of about 00 nm and a width of about 500 nm. Furthermore, as a result of analyzing the aluminum deposited on the sample 4 in the depth direction using a micro Auger spectrometer,
The amount of carbon and the like expected as impurities is very small, and it has been clarified that there is no problem in the long-term reliability of the product even when the present invention is used for manufacturing a thin film magnetic head, for example.
【００３０】また、全体の導体コイルパターン製造工程
が大幅に単純化されたため、従来技術で約２０時間を要
していた導体コイルパターンの製造時間が大幅に短縮さ
れ、約２時間で作製が可能になった。さらに工程の単純
化にともない、作業に必要な人の数、必要装置数も従来
と比べて大幅に少なくて済むようになり、全体としてコ
ストを抑さえることができた。 （実施例２）実施例２で用いた導体コイルパターンの製
造装置は、図２に示すごときものである。図２は導体コ
イルパターンの製造装置の断面模式図である。装置は大
きく分けて、チャンバー１，シンクロトロン放射光発生
装置２，ゲートバルブ３，試料４，ヒーター５，搬送路
１１，絶縁膜形成装置１２から成っている。これは、搬
送路１１と絶縁膜形成装置１２がある以外は、実施例１
の装置と同じものである。Further, since the entire conductor coil pattern manufacturing process is greatly simplified, the manufacturing time of the conductor coil pattern, which required about 20 hours in the prior art, is greatly reduced, and the manufacturing is possible in about 2 hours. Became. Furthermore, with the simplification of the process, the number of people required for the work and the number of required devices can be significantly reduced as compared with the conventional method, and the cost can be reduced as a whole. (Embodiment 2) An apparatus for manufacturing a conductor coil pattern used in Embodiment 2 is as shown in FIG. FIG. 2 is a schematic sectional view of an apparatus for manufacturing a conductor coil pattern. The apparatus is roughly divided into a chamber 1, a synchrotron radiation light generating apparatus 2, a gate valve 3, a sample 4, a heater 5, a transport path 11, and an insulating film forming apparatus 12. This is the same as in Example 1 except that the transport path 11 and the insulating film forming apparatus 12 are provided.
It is the same as the device of.
【００３１】このような概略の装置を用いて、導体コイ
ルパターンの製造を行った。用いた装置、材料を次に示
す。A conductor coil pattern was manufactured using the above-described apparatus. The equipment and materials used are shown below.
【００３２】シンクロトロン放射光２２…エネルギー３
００ｅＶ以下の白色光 試料４…石英基板 有機金属ガス９…トリメチル・アルミニウム 絶縁膜形成装置１２…アルゴンスパッタリング装置（タ
ーゲットは酸化シリコン） 次にこれらの装置，材料を用いた導体コイルパターンの
製造手順を示す。まず、試料４をセットしたチャンバー
１を排気機構１０を用いて１×１０-9Ｔｏｒｒに減圧す
る。次に、試料４をヒーター５で２００℃に加熱し、ガ
ス導入機構８を介して有機金属ガス９をマスク７と試料
４の間の空間に導入し、ガス圧を１０-7Ｔｏｒｒに保
つ。シンクロトロン放射光２２は、光学系６，マスク７
を通って試料４上に照射される。この時の試料４上での
照射光子数は、およそ１０16個／ｃｍ2 である。このシ
ンクロトロン放射光２２の照射を受けた試料４表面は励
起され、表面状態に変化が起こる。そしてその変化した
部分で有機金属ガス９が分解し、金属（本実施例におい
ては金属アルミニウム）を析出する。Synchrotron radiation 22 ... Energy 3
White light of 00 eV or less Specimen 4 Quartz substrate Organometallic gas 9 Trimethylaluminum Insulating film forming device 12 Argon sputtering device (target is silicon oxide) Next, the procedure for manufacturing a conductor coil pattern using these devices and materials is described below. Show. First, the pressure of the chamber 1 in which the sample 4 is set is reduced to 1 × 10 −9 Torr using the exhaust mechanism 10. Next, the sample 4 is heated to 200 ° C. by the heater 5, and the organometallic gas 9 is introduced into the space between the mask 7 and the sample 4 via the gas introduction mechanism 8, and the gas pressure is maintained at 10 −7 Torr. The synchrotron radiation 22 has an optical system 6 and a mask 7.
Irradiates the sample 4 on the sample 4. At this time, the number of irradiation photons on the sample 4 is about 10 16 / cm 2 . The surface of the sample 4 irradiated with the synchrotron radiation 22 is excited, and the surface state changes. Then, the organic metal gas 9 is decomposed in the changed portion, and a metal (metal aluminum in this embodiment) is deposited.
【００３３】以上の工程を経てアルミニウムの導体コイ
ルパターンを形成した試料４を、搬送路１１を通して絶
縁膜形成装置１２に搬送し、絶縁膜を形成した。絶縁膜
の形成条件を次に示す。The sample 4 on which the aluminum conductor coil pattern was formed through the above steps was transferred to the insulating film forming apparatus 12 through the transfer path 11 to form an insulating film. The conditions for forming the insulating film are as follows.
【００３４】到達真空度…５×１０-6Ｔｏｒｒ アルゴンガス圧…２×１０-2Ｔｏｒｒ 投入電力…６００Ｗ 形成膜厚…５００ｎｍ このような工程を経た試料４をチャンバー１から取り出
し、その表面をレーザー走査顕微鏡で絶縁膜内部の導体
コイルパターンを観察した結果、アルミニウム導体コイ
ルパターンが、厚さ約３００ｎｍ、幅約５００ｎｍで形
成されていることが確認された。Ultimate vacuum degree: 5 × 10 −6 Torr Argon gas pressure: 2 × 10 −2 Torr Input power: 600 W Film thickness: 500 nm The sample 4 having undergone such a process is taken out of the chamber 1 and its surface is laser As a result of observing the conductor coil pattern inside the insulating film with a scanning microscope, it was confirmed that the aluminum conductor coil pattern was formed with a thickness of about 300 nm and a width of about 500 nm.
【００３５】また、絶縁膜形成までの全体の導体コイル
パターン製造工程が大幅に単純化されたため、従来技術
で約２４時間を要していた導体コイルパターンの製造時
間が大幅に短縮され、約３時間で作製が可能になった。
さらに工程の単純化にともない、作業に必要な人の数、
必要装置数も従来と比べて大幅に少なくて済むようにな
り、全体としてコストを抑さえることができた。Further, since the entire process of manufacturing the conductor coil pattern up to the formation of the insulating film is greatly simplified, the time required to manufacture the conductor coil pattern, which required about 24 hours in the prior art, is greatly reduced. Production was possible in a short time.
Furthermore, with the simplification of the process, the number of people required for the work,
The number of required devices can be greatly reduced as compared with the conventional device, and the cost can be reduced as a whole.
【００３６】以上本発明の実施例として２例を挙げた
が、この２例には記載しなかったものの、以下に示すよ
うな別の構成の装置あるいは方法、材料を用いても、本
実施例と同様の効果が得られる。 有機金属ガスとしてトリメチル・アルミニウム及びジ
メチル・アルミニウム・ハイドライドを用いた例を示し
たが、他のガス（例えばトリイソブチル・アルミニウ
ム）や、他の高導電率金属を遊離する金属含有ガス（例
えばヨウ化金化合物）あるいは高導電率化合物を遊離す
るガス系（例えばチタンクロライド−水素−窒素系）を
用いても同様の効果が得られる可能性がある。本発明の
主旨は、本来導体の成膜の困難な基板上でも、表面状態
を光照射部分で変化させることにより選択的に導体が析
出できるという点にある。 実施例では、シンクロトロン放射光２２を用いる本発
明の導体コイルパターン製造方法及び製造装置を示した
が、他の紫外からＸ線域の波長を発生する光源を用いて
も同様の効果が得られるのは明らかである。例えば、自
由電子レーザーや高出力エキシマ光を用いても同様の効
果が得られる。 実施例２では、絶縁膜形成装置１２としてアルゴンス
パッタリング装置に酸化シリコン製ターゲットを装着し
た装置の例を述べたが、もちろんターゲット材料種（つ
まり絶縁膜の種類）は導体コイルパターンの特性を損な
わない材料であれば何でもよい。例えば、酸化シリコン
と窒化シリコンの混合膜のような膜でも構わない。さら
に絶縁膜としてスパッタリング法による膜を用いる必然
性はなく、ＣＶＤ，蒸着，樹脂塗布等の他の手法を用い
て保護膜を形成しても、本発明の効果が損なわれること
がないのは明らかである。Although two examples of the present invention have been described above, although not described in these two examples, even if an apparatus, a method, or a material having another configuration as shown below is used, The same effect can be obtained. Although an example in which trimethyl aluminum and dimethyl aluminum hydride are used as the organic metal gas has been described, other gases (for example, triisobutyl aluminum) and metal-containing gases that release other highly conductive metals (for example, iodide A similar effect may be obtained by using a gas (for example, titanium chloride-hydrogen-nitrogen) that releases a high conductivity compound or a gold compound. The gist of the present invention is that a conductor can be selectively deposited even on a substrate on which a conductor is originally difficult to be formed by changing the surface state in a light-irradiated portion. In the embodiment, the conductor coil pattern manufacturing method and the manufacturing apparatus of the present invention using the synchrotron radiation light 22 are described. However, the same effect can be obtained by using another light source that generates a wavelength in the X-ray range from ultraviolet. It is clear. For example, the same effect can be obtained by using a free electron laser or high-power excimer light. In the second embodiment, an example in which the silicon oxide target is mounted on the argon sputtering apparatus as the insulating film forming apparatus 12 has been described, but the target material type (that is, the type of the insulating film) does not impair the characteristics of the conductor coil pattern. Any material can be used. For example, a film such as a mixed film of silicon oxide and silicon nitride may be used. Further, it is not necessary to use a film formed by a sputtering method as an insulating film, and it is apparent that the effect of the present invention is not impaired even if a protective film is formed by using other methods such as CVD, vapor deposition, and resin coating. is there.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上のように本発明の導体コイルパター
ンの製造方法及び製造装置を用いることにより、従来の
導体コイルパターン作製工程の大幅な簡便化を可能と
し、さらに工程の連続性を保ちつつ、従来の製造工程数
よりも総工程数を減少して装置費用，所要人員を削減し
つつ迅速に導体コイルパターンの製造を行うことが可能
となる。As described above, by using the method and apparatus for manufacturing a conductor coil pattern of the present invention, it is possible to greatly simplify the conventional process of manufacturing a conductor coil pattern and to maintain the continuity of the process. In addition, it is possible to rapidly manufacture the conductor coil pattern while reducing the total number of processes as compared with the conventional manufacturing process, thereby reducing equipment costs and required personnel.
【図１】本発明の導体コイルパターンの製造方法、及び
製造装置を説明するための、導体コイルパターン製造装
置の断面模式図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a conductor coil pattern manufacturing apparatus for explaining a method and apparatus for manufacturing a conductor coil pattern according to the present invention.
【図２】本発明の他の導体コイルパターンの製造装置を
説明するための断面模式図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining another conductor coil pattern manufacturing apparatus of the present invention.
【図３】本発明の導体コイルパターンの製造方法を説明
するための、導体コイルパターン製造装置の断面模式図
である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a conductor coil pattern manufacturing apparatus for explaining a method of manufacturing a conductor coil pattern according to the present invention.
【図４】従来の導体コイルパターンの製造方法を説明す
るための、工程順に示した導体コイルパターンの半径方
向の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view in the radial direction of the conductor coil pattern shown in the order of steps for explaining a conventional method of manufacturing the conductor coil pattern.
１ チャンバー ２ シンクロトロン放射光発生装置 ３ ゲートバルブ ４ 試料 ５ ヒーター ６ 光学系 ７ マスク ８ ガス導入機構 ９ 有機金属ガス １０ 排気機構 １１ 搬送路 １２ 絶縁膜形成装置 １３ 基板 １４ 下部磁性体パターン １５ 絶縁膜 １６ 導体コイルパターン １７ 導電体 １８ フォトレジスト １９ 反転レジストパターン ２０ Ｃｕ ２１ アルゴンイオンビーム ２２ シンクロトロン放射光 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Chamber 2 Synchrotron radiation light generator 3 Gate valve 4 Sample 5 Heater 6 Optical system 7 Mask 8 Gas introduction mechanism 9 Organometallic gas 10 Exhaust mechanism 11 Transport path 12 Insulating film forming device 13 Substrate 14 Lower magnetic body pattern 15 Insulating film 16 Conductor coil pattern 17 Conductor 18 Photoresist 19 Inverted resist pattern 20 Cu 21 Argon ion beam 22 Synchrotron radiation
Claims (3)
から導体に電流を印加することにより中心近傍に磁界を
発生し、あるいは中心近傍の磁界を変化させることによ
って導体に誘導電流を発生することが可能な導体パター
ンの製造方法において、前記導体パターンが、導体をそ
の構成要素として含むガスを絶縁物上に導入しつつ、ヒ
ータにより加熱された前記絶縁物上の任意の部分へシン
クロトロン放射光を照射し前記任意の部分のみの表面状
態を変化させ、次に前記表面状態を変化させた部分を前
記ヒータの加熱のみによって継続的に導電材料を析出さ
せ、前記任意の部分へ選択的に導電材料を堆積すること
によって形成することを特徴とする導体コイルパターン
の製造方法。1. A spiral conductor pattern on an insulator, wherein a magnetic field is generated near the center by applying a current to the conductor from the outside, or an induced current is generated in the conductor by changing the magnetic field near the center. In the method of manufacturing a conductor pattern, the conductor pattern may be a synchrotron to an arbitrary portion on the insulator heated by a heater while introducing a gas containing a conductor as a constituent element onto the insulator. Irradiation light is applied to change the surface state of only the arbitrary portion, and then the portion where the surface condition is changed is continuously deposited only by heating the heater to selectively deposit the conductive material on the arbitrary portion. A method for manufacturing a conductor coil pattern, comprising: forming a conductive coil pattern on a conductive coil pattern.
製造装置であって、シンクロトロン放射光源と、チャン
バーと、前記シンクロトロン放射光源を前記チャンバー
に導く光学系と、前記光学系からの光を任意のパターン
部だけ遮蔽して前記チャンバー内の基板上に導入するた
めのマスクと、前記チャンバー内にガスを導入するガス
導入機構と、前記基板を加熱するヒーターとを有するこ
とを特徴とする導体コイルパターンの製造装置。2. A manufacturing apparatus for performing the manufacturing method according to claim 1, comprising: a synchrotron radiation light source; a chamber; an optical system for guiding the synchrotron radiation light source to the chamber; A mask for shielding only light of an arbitrary pattern portion and introducing the light onto the substrate in the chamber, a gas introduction mechanism for introducing gas into the chamber, and a heater for heating the substrate. Manufacturing apparatus for a conductor coil pattern.
チャンバーに接続部分を介して隣接して、あるいは前記
チャンバー内に、導体コイルパターン形成用とは別の成
膜装置を設けたことを特徴とする導体コイルパターンの
製造装置。3. The manufacturing apparatus according to claim 2, wherein a film forming apparatus different from that for forming the conductor coil pattern is provided adjacent to the chamber via a connection portion or in the chamber. Characteristic conductor coil pattern manufacturing equipment.
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|---|---|---|---|
| JP03983592A JP3145764B2 (en) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | Method and apparatus for manufacturing conductor coil pattern |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275259A JPH05275259A (en) | 1993-10-22 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1992
- 1992-02-26 JP JP03983592A patent/JP3145764B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2014515260A (en) * | 2011-05-19 | 2014-06-30 | スターリング・インターナショナル・インコーポレイテッド | Mulganthiol as an attractant for indoor stink bugs |
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