JP3110491B2 - Surface acoustic wave device using diamond-like film - Google Patents
Surface acoustic wave device using diamond-like filmInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、高周波フィルタ等に用
いられる表面弾性波素子に関し、特に圧電体層の形成等
に有利なダイヤモンド状層を用いた表面弾性波素子及び
その製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device used for a high-frequency filter and the like, and more particularly to a surface acoustic wave device using a diamond-like layer which is advantageous for forming a piezoelectric layer and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】表面弾
性波素子は固体表面を伝搬する弾性波を応用した素子で
あり、従来、ＬｉＮｂＯ3 のような圧電性が高く且つ音
波吸収損失が少ない結晶基板上に簾状電極を形成するこ
とにより製造されていた。このような表面弾性波素子に
おいて伝搬される周波数は表面波の波長及び音速に依存
するため、これらを改善してＧＨｚの高周波数に対応さ
せることが考えられる。そして、表面波の波長は簾状電
極の電極の配列のピッチにより決まり、これを細かくす
る程、表面波の高周波化を図ることができる。しかしな
がら、エッチング技術等の微細加工技術に限界があるた
め、電極の配列のピッチの微細化による高周波化は現状
では困難である。一方、音速は基板材料で決まるため、
音速が１００００ｍ／ｓを超えるサファイヤやダイヤモ
ンド状層を圧電体膜と組み合わせて使用することによっ
て、高周波化を図る技術が近年開発されている。2. Description of the Related Art A surface acoustic wave element is an element to which an elastic wave propagating on a solid surface is applied. Conventionally, a crystal such as LiNbO 3 having a high piezoelectricity and a small sound absorption loss is used. It has been manufactured by forming a blind electrode on a substrate. Since the frequency propagated in such a surface acoustic wave element depends on the wavelength and sound velocity of the surface acoustic wave, it is conceivable to improve them to correspond to a high frequency of GHz. The wavelength of the surface wave is determined by the pitch of the electrode arrangement of the screen-shaped electrode, and the finer this is, the higher the frequency of the surface wave can be achieved. However, since there is a limit to a fine processing technique such as an etching technique, it is difficult at present to increase the frequency by reducing the pitch of the electrode arrangement. On the other hand, the sound speed is determined by the substrate material,
In recent years, a technique for increasing the frequency by using a sapphire or diamond-like layer having a sound speed exceeding 10,000 m / s in combination with a piezoelectric film has been developed.
【０００３】昭和６２年７月１６日に出願された特開昭
６４−２０７１４号は、基板上にダイヤモンド薄膜、イ
ンタデジタルトランスデューサー及び圧電体膜とを組み
合わせて備えた表面波装置を開示している。この出願に
おいて、ダイヤモンド薄膜は、スパッタリング、真空蒸
着、イオンプレーティング、ＣＶＤ等の方法で形成され
ることが記載されている。Japanese Patent Application Laid-Open No. 64-20714 filed on July 16, 1987 discloses a surface acoustic wave device having a combination of a diamond thin film, an interdigital transducer and a piezoelectric film on a substrate. I have. This application describes that the diamond thin film is formed by a method such as sputtering, vacuum deposition, ion plating, and CVD.
【０００４】 昭和６２年９月３日に出願された特開昭
６４−６２９１１号は、単結晶または多結晶ダイヤモン
ド層と圧電体層と電極層とを有する表面弾性波素子を開
示しており、同一出願人により昭和６２年１０月１６日
に出願された特開平１−１０３３１０号は、ダイヤモン
ド状炭素膜層と圧電体層と電極層とを有する表面弾性波
素子を開示している。しかしながら、かかるダイヤモン
ド状炭素膜層の物性及び作成条件は何ら特定されていな
い。The Japanese Patent Application Laid-Open No. Sept.
Japanese Patent Application Laid- Open No. 64-62911 discloses a surface acoustic wave device having a single crystal or polycrystalline diamond layer, a piezoelectric layer and an electrode layer, and was filed on October 16, 1987 by the same applicant. No. 1-103310 discloses a surface acoustic wave device having a diamond-like carbon film layer, a piezoelectric layer, and an electrode layer. However, the physical properties and preparation conditions of such a diamond-like carbon film layer are not specified at all.
【０００５】 昭和６３年３月１５日に出願された特開
平１−２３３８１９号及び昭和６３年９月１日に出願さ
れた特開平２−２０９１０号には、単結晶半導体基板上
に、ダイヤモンド結晶薄膜及び窒化アルミニウム薄膜を
順次形成した三層複合構造弾性表面波素子が開示されて
おり、同一出願人により昭和６３年１１月１８日に出願
された特開平２−１３７４１３号には、誘電体薄膜及び
圧電体薄膜が形成されたダイヤモンド単結晶を基板に埋
め込んだ弾性表面波デバイスの製造方法が記載されてい
る。これらの出願はいずれも単結晶等の結晶体ダイヤモ
ンドを対象としている。A Japanese patent application filed on March 15, 1988
The JP flat 2-20910 filed flat 1-233819 Patent and 1988 September 1, on a single crystal semiconductor substrate, successively forming the three-layer composite structure elasticizing the diamond crystal thin film and the aluminum nitride thin film and surface acoustic wave element is disclosed, it has been in the JP flat 2-137413 filed 1988 November 18, by the same applicant, the substrate a diamond single crystal dielectric thin film and the piezoelectric thin film is formed Describes a method of manufacturing a surface acoustic wave device embedded in the device. Each of these applications is directed to crystalline diamond such as a single crystal.
【０００６】また、平成１年３月１４日に特許出願され
た特開平２−２３９７１５号には、ダイヤモンド基板上
に圧電体薄膜が形成された弾性表面波基板が開示されて
おり、ダイヤモンドとして人工及び天然ダイヤモンドを
対象としているが、製法や物性の詳細は何ら記載されて
いない。Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-239715, filed on Mar. 14, 1999, discloses a surface acoustic wave substrate in which a piezoelectric thin film is formed on a diamond substrate. And natural diamond, but there is no description of the production method or physical properties.
【０００７】上記の従来技術において、単結晶または多
結晶ダイヤモンドを用いる弾性表面波素子は、ダイヤモ
ンド膜の平滑度が低いため、圧電体層の結晶成長が容易
でなく、ダイヤモンド層上に形成された圧電体層の表面
平滑度や結合強度にも問題があった。In the above-mentioned prior art, the surface acoustic wave device using single crystal or polycrystalline diamond is not easy to grow the crystal of the piezoelectric layer due to the low smoothness of the diamond film, and is formed on the diamond layer. There were also problems with the surface smoothness and bonding strength of the piezoelectric layer.
【０００８】一方、非晶質ダイヤモンドであるダイヤモ
ンド状層は、その製造条件等によって、屈折率、硬度、
密度等の物性が異なる種々のものが得られ、表面弾性波
素子の周波数特性や製造容易性はダイヤモンド状層の物
性に著しく依存する。例えば、特願平２−８３２２１号
には、ダイヤモンド状層は主に４種類のものに分類でき
ることが記載されている。On the other hand, a diamond-like layer of amorphous diamond has a refractive index, hardness,
Various materials having different physical properties such as density can be obtained, and the frequency characteristics and manufacturability of the surface acoustic wave device remarkably depend on the physical properties of the diamond-like layer. For example, Japanese Patent Application No. 2-83221 describes that a diamond-like layer can be mainly classified into four types.
【０００９】しかしながら、上記の従来技術のうちダイ
ヤモンド状層を用いた特開平１−１０３３１０号は、そ
の物性及び製造条件は何等記載されておらず、ダイヤモ
ンド状層は特定できない。出願人の調査及び研究によれ
ば単にダイヤモンド状層を用いただけでは良好な特性を
有する表面弾性波素子は得られない。特に、所定のビッ
カース硬度等の物性値を有するダイヤモンド状層でなけ
れば、圧電体膜の結晶成長及び後処理等が困難であり、
良好な素子を得ることができないことがわかった。[0009] However, among the above-mentioned prior arts, JP-A-1-103310 using a diamond-like layer does not describe any physical properties and manufacturing conditions, and the diamond-like layer cannot be specified. According to the research and research conducted by the applicant, a surface acoustic wave device having good characteristics cannot be obtained simply by using a diamond-like layer. In particular, unless it is a diamond-like layer having physical properties such as a predetermined Vickers hardness, it is difficult to perform crystal growth and post-treatment of the piezoelectric film,
It was found that a good device could not be obtained.
【００１０】そこで本発明の目的は、圧電体膜の形成、
後処理が容易であり且つ素子の平滑度が高く、それによ
って良好な表面弾性波素子機能をもたらす、ダイヤモン
ド状層を用いた表面弾性波素子及びその製造方法を提供
することを目的とする。Accordingly, an object of the present invention is to form a piezoelectric film,
An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device using a diamond-like layer, which can be easily post-processed and has a high degree of smoothness of the device, thereby providing a good surface acoustic wave device function, and a method for manufacturing the same.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明者は、異なる物性
値を有する種々のダイヤモンド状層を用いて表面弾性波
素子を作製し、その特性及び製造容易性等を鋭意検討し
たところ、所定のビッカース硬度、密度等を有するダイ
ヤモンド状層を用いた場合だけ、表面弾性波素子の製造
に好適であり且つ良好な特性を有する表面弾性波素子を
得ることがきることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。Means for Solving the Problems The present inventor manufactured a surface acoustic wave device using various diamond-like layers having different physical property values, and intensively studied the characteristics and easiness of manufacture. Only when a diamond-like layer having Vickers hardness, density, etc. is used, it has been found that a surface acoustic wave device suitable for manufacturing a surface acoustic wave device and having good characteristics can be obtained, and the present invention is completed. Reached.
【００１２】すなわち本発明は、ダイヤモンド状層と、
圧電体層と、電極層とを含む表面弾性波素子であって、
ダイヤモンド状層のビッカース硬度が６５００〜９００
０kg/mm2であることを特徴とする表面弾性波素子を提供
するものである。That is, the present invention provides a diamond-like layer,
A piezoelectric layer, a surface acoustic wave device including an electrode layer,
Vickers hardness of diamond-like layer is 6500 to 900
An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device characterized by being at 0 kg / mm 2 .
【００１３】本発明に用いるダイヤモンド状層とは、炭
素主成分とし、微量不純物として水素等を含む非晶質構
造の薄膜である。かかるダイヤモンド状層は単結晶及び
他結晶のダイヤモンド結晶体に比べて、膜の強度が十分
高く取扱いが容易であり、基板への密着性も十分であ
る。さらに、膜の平滑度が高いため圧電膜のＣ軸配向性
が改善される。また、ダイヤモンド状層は屈折率が高い
ため膜が緻密であり、これも圧電体のＣ軸配向性に有利
となる。The diamond-like layer used in the present invention is a thin film having an amorphous structure containing carbon as a main component and a small amount of impurities such as hydrogen. Such a diamond-like layer has a sufficiently high film strength, is easy to handle, and has a sufficient adhesion to a substrate, as compared with a single crystal or another crystal diamond crystal. Further, since the film has high smoothness, the C-axis orientation of the piezoelectric film is improved. In addition, the diamond-like layer has a high refractive index, so that the film is dense, which is also advantageous for the C-axis orientation of the piezoelectric body.
【００１４】本発明に従えば、ダイヤモンド状層のビッ
カース硬度が６５００〜９０００kg/mm2の範囲にある必
要がある。ここにビッカース硬度を制限したのは、硬度
はダイヤモンド状層の耐熱性に強く依存しており、この
範囲にあるダイヤモンド状層は十分な耐熱性を有するか
らである。これによりダイヤモンド状層は圧電体膜を真
空成膜する際に必要な基板温度に十分に耐えることがで
き、さらに成膜した圧電体膜の後処理を可能にして圧電
体膜の結晶性を向上することができる。特にこの後処理
には５００℃ほどの高温が要求される。ビッカース硬度
が上記範囲内にないと、ダイヤモンド状層上に形成した
圧電体層、例えば、ＺｎＯ2 層のＣ軸配向性は低くな
る。According to the present invention, the Vickers hardness of the diamond-like layer needs to be in the range of 6500 to 9000 kg / mm 2 . The Vickers hardness is limited here because the hardness is strongly dependent on the heat resistance of the diamond-like layer, and a diamond-like layer in this range has sufficient heat resistance. As a result, the diamond-like layer can sufficiently withstand the substrate temperature required for forming a piezoelectric film in a vacuum, and further improves the crystallinity of the piezoelectric film by enabling post-processing of the formed piezoelectric film. can do. Particularly, the post-treatment requires a high temperature of about 500 ° C. If the Vickers hardness is not within the above range, the C-axis orientation of a piezoelectric layer, for example, a ZnO 2 layer formed on the diamond-like layer will be low.
【００１５】また、ダイヤモンド状層の密度が、２．３
５〜２．４１の範囲にあることが好ましく、屈折率が
３．４５〜３．５０にあることが好ましい。密度及び屈
折率が上記範囲内にあることにより、一層平滑な膜であ
り密度が高く、屈折率が高いことは膜が緻密であること
であり、その上に形成される圧電体膜の平滑度及びダイ
ヤモンド状層との結合性も向上し、圧電体膜のＣ軸配向
し易くなる。さらに、この範囲の物性値を有することで
ダイヤモンド状層が緻密になり、圧電体膜の結晶成長が
容易になるというということが非常に重要である。The density of the diamond-like layer is 2.3
The refractive index is preferably in the range of 5 to 2.41, and the refractive index is preferably in the range of 3.45 to 3.50. When the density and the refractive index are within the above ranges, the film is a smoother film and has a higher density, and the higher refractive index means that the film is denser, and the smoothness of the piezoelectric film formed thereon is higher. Also, the bonding property with the diamond-like layer is improved, and the C-axis orientation of the piezoelectric film is easily performed. Further, it is very important that the diamond-like layer has a high density by having the physical property values in this range, and the crystal growth of the piezoelectric film is facilitated.
【００１６】本発明に用いるダイヤモンド状層は、種々
の方法で形成できるが、特に、平滑度の高いダイヤモン
ド状層が得られるという理由でイオン化蒸着法が好まし
い。膜厚は特に制限されないが１〜２０μｍ程度が良好
である。また、上記ビッカース硬度、密度、屈折率との
間には、相関関係があることが中山らにより見出されて
おり（特願平２−１４４４８０）、かかる関係を用いる
ことにより容易に上記物性値の範囲内のダイヤモンド状
層を製造することができる。The diamond-like layer used in the present invention can be formed by various methods. In particular, an ionization vapor deposition method is preferable because a diamond-like layer having high smoothness can be obtained. The film thickness is not particularly limited, but is preferably about 1 to 20 μm. Nakayama et al. Found that there is a correlation between the above-mentioned Vickers hardness, density and refractive index (Japanese Patent Application No. 2-144480). Can be produced.
【００１７】上記のようなダイヤモンド状層は、一般
に、基板上に形成する。基板材料は特に制限されず、ガ
ラス、アルミナ等を用いることができる。The diamond-like layer as described above is generally formed on a substrate. The substrate material is not particularly limited, and glass, alumina, or the like can be used.
【００１８】本発明に用いる圧電体膜は、ＺｎＯ、Ａｌ
Ｎ，ＺｎＳ，ＬｉＮｂＯ3 、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 、
ＬｉＴａＯ3 、ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 等を用いることが
出来るが特にそれらに制限されない。ＡｌＮはＺｎＯよ
りも音速を向上出来るため有利である。これらの圧電材
料は、スパッタリング、真空蒸着、ＣＶＤ等の種々の方
法により形成できる。これらの圧電体膜は一般にはダイ
ヤモンド状層上に形成されるが、成膜時の基板温度を高
くし、さらに成膜後に圧電体の配向性を向上するために
追加の熱処理を施すのが好ましい。特に本発明の所定の
ビッカース硬度を有するダイヤモンド状層は良好な耐熱
性を有するのでかかる後処理に好適である。The piezoelectric film used in the present invention is made of ZnO, Al
N, ZnS, LiNbO 3 , Pb (Zr, Ti) O 3 ,
LiTaO 3 , SiO 2 , Ta 2 O 5 or the like can be used, but is not particularly limited thereto. AlN is more advantageous than ZnO because it can improve the speed of sound. These piezoelectric materials can be formed by various methods such as sputtering, vacuum deposition, and CVD. These piezoelectric films are generally formed on a diamond-like layer, but it is preferable to increase the substrate temperature during film formation and further perform an additional heat treatment after film formation to improve the orientation of the piezoelectric body. . In particular, the diamond-like layer having a predetermined Vickers hardness of the present invention has good heat resistance and is suitable for such post-treatment.
【００１９】本発明に用いる電極層は、アルミニウム、
金等の金属が用いられる。電極層の形成は、フォトリソ
グラフィーが好適である。電極層の形成位置は、特に限
定されず、圧電体層上、ダイヤモンド状層上のいずれで
もかまわない。また、対抗電極の位置も上記のように特
に制限されない。The electrode layer used in the present invention is made of aluminum,
A metal such as gold is used. Photolithography is suitable for forming the electrode layer. The formation position of the electrode layer is not particularly limited, and may be on the piezoelectric layer or on the diamond-like layer. Further, the position of the counter electrode is not particularly limited as described above.
【００２０】さらに本発明は、ダイヤモンド状層と、圧
電体層と、電極層とを含む表面弾性波素子を製造する方
法であって、ビッカース硬度が６５００〜９０００kg/m
m2のダイヤモンド膜をイオン化蒸着法により形成するこ
とを特徴とする表面弾性波素子の製造方法をも提供する
ものである。圧電体層、電極層は、それぞれ上記のよう
な方法で製造することができ、各層の形成順序は特に制
限されない。Further, the present invention relates to a method for producing a surface acoustic wave device including a diamond layer, a piezoelectric layer and an electrode layer, wherein the Vickers hardness is 6500 to 9000 kg / m 2.
The diamond film m 2 there is provided also a method for manufacturing a surface acoustic wave device characterized by forming the ionized evaporation method. The piezoelectric layer and the electrode layer can be respectively manufactured by the methods described above, and the order of forming the layers is not particularly limited.
【００２１】以下に本発明の実施例を示すが、本発明は
それらに制限されるものではない。Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited thereto.
【００２２】[0022]
【実施例】ダイヤモンド状層の形成 イオン化蒸着法により、特開平第１−２３４３９６号、
同第１−２３４３９７号、同２−１９６０９５号等に記
載されたイオン化蒸着装置を用いて、シリコンウェハー
基板上にダイヤモンド状層を形成させた。形成条件は以
下の通りである。EXAMPLE Formation of diamond-like layer JP-A-1-234396,
A diamond-like layer was formed on a silicon wafer substrate using an ionization vapor deposition apparatus described in JP-A Nos. 1-234397 and 2-19695. The forming conditions are as follows.
【００２３】 排気した成膜室にメタンガスを導入しガ
ス圧を０．１Ｔｏｒｒとし、接地した熱陰極フィラメン
トに交流電流２５Ａを流して熱電子を形成した。フィラ
メントはコイル状としその幅３ｍｍ、その周りを取り囲
む陽極との隙間を８ｍｍとした。フィラメントと陽極の
間に放電を起こさせてガスをイオン化してプラズマを形
成させた。プラズマ拘束磁界として磁束密度４００ガウ
スを使用した。５ｍｍ／分の速度で振動させた電位−３
００Ｖのグリッドによりイオン化ビームを加速し、電位
−３００Ｖ及び温度２００℃の基体に付着させた。な
お、ビッカース硬度は電流値を変えることで調整でき
る。 Methane gas is introduced into the evacuated film forming chamber,
The cathode pressure is 0.1 Torr and the grounded hot cathode filament
An alternating current of 25 A was passed through the substrate to form thermoelectrons. Fira
The element is coil-shaped and its width is 3mm, surrounding it
The gap with the anode was 8 mm. Of filament and anode
In the meantime, a discharge is caused to ionize the gas to form plasma.
Was completed. 400 gau of magnetic flux density as plasma confined magnetic field
Used. Electric potential oscillated at a speed of 5 mm / min-3
The ionization beam is accelerated by the 00V grid,
The substrate was attached to a substrate at -300 V and a temperature of 200 ° C. The Vickers hardness can be adjusted by changing the current value.
【００２４】また、同様の基板上にＲＦプラズマＣＶＤ
法及びマイクロ波プズマＣＶＤ法によりダイヤモンド状
層を同一基板上に形成した。結果を第１表に示す。Further, RF plasma CVD is performed on a similar substrate.
A diamond-like layer was formed on the same substrate by a plasma method and a microwave plasma CVD method. The results are shown in Table 1.
【００２５】[0025]
【表１】 同表より、本発明の６５００から９０００kg／mm2 のビ
ッカース硬度を有するダイヤモンド膜は５００℃以上の
耐熱温度を有しており、その上に形成する成膜基板温度
を温度を上昇させることができること並びに成膜した圧
電体層の加熱処理に絶え得ることがわかる。また、形成
されたダイヤモンド状層の平滑度を同表に示した。平滑
度はＤＥＫＴＡＫ IIＡ（ＵＬＶＡＣ社）により測定し
た。イオン化蒸着法により形成したダイヤモンド状層は
良好な平滑度を有することがわかる。[Table 1] According to the table, the diamond film having a Vickers hardness of 6500 to 9000 kg / mm 2 of the present invention has a heat resistance temperature of 500 ° C. or more, and the temperature of a film-forming substrate formed thereon can be raised. Further, it can be seen that the heat treatment of the formed piezoelectric layer can be stopped. The table also shows the smoothness of the formed diamond-like layer. The smoothness was measured by DEKTAK IIA (ULVAC). It can be seen that the diamond-like layer formed by the ionization deposition method has good smoothness.
【００２６】屈折率及び密度の測定 屈折率はエリプソメーターにより測定した。密度はＭｇ
Ｏ上に作成した膜を塩酸で剥離し測定した。 Measurement of Refractive Index and Density The refractive index was measured by an ellipsometer. Density is Mg
The film formed on O was peeled off with hydrochloric acid and measured.
【００２７】圧電体層の成膜 スパッタ法によりＡｌＮ膜を上記のダイヤモンド状層上
に形成した。成膜温度を第１表中に示す。成膜条件はガ
ス圧２．２×１０-3Ｔｏｒｒ、スパッタ用ＲＦ電源２０
０Ｗ、Ａｒ／Ｎ2 のガス比１／１、成膜の膜厚２．４μ
ｍとした。 (1) 付着力等の測定 ＳＥＢＡＳＴＩＡＮ装置を用いて測定した。 (2) ＡｌＮの熱処理 熱処理炉へ入れ熱処理する。 (3) 熱処理前後のＡｌＮ層の配向性 ＡｌＮのＸ線回折を測定する。（００２）面の角度に固
定しそのロッキングカーブを測定する。その標準偏差σ
よりＣ軸配向性が評価できる。An AlN film was formed on the above-mentioned diamond-like layer by a sputtering method for forming a piezoelectric layer . The film forming temperatures are shown in Table 1. The film formation conditions were a gas pressure of 2.2 × 10 −3 Torr, a sputtering RF power supply 20.
0 W, gas ratio of Ar / N 2 1/1, film thickness of 2.4 μm
m. (1) Measurement of adhesive force and the like Measurement was performed using a SEBASTIAN apparatus. (2) Heat treatment of AlN Heat treatment is carried out in a heat treatment furnace. (3) Orientation of AlN layer before and after heat treatment X-ray diffraction of AlN is measured. (002) The surface is fixed at an angle and its rocking curve is measured. Its standard deviation σ
The C-axis orientation can be evaluated more.
【００２８】電極の形成 Ａｌを蒸着して電極を作成する。こうして得られた本発
明の表面弾性波素子の断面図を第２図に示す。図中、１
は基板、２はダイヤモンド状層、３は圧電体層、４は電
極を示す。本発明の表面弾性波素子の構造は図の構造に
限定されず、本発明の範囲内で、当業者ならば、電極の
位置、や対抗電極の有無等の任意に選択でき、それらは
本発明の範囲に包含される。 Formation of electrode An electrode is formed by evaporating Al. FIG. 2 is a sectional view of the surface acoustic wave device of the present invention obtained in this manner. In the figure, 1
Denotes a substrate, 2 denotes a diamond-like layer, 3 denotes a piezoelectric layer, and 4 denotes an electrode. The structure of the surface acoustic wave device of the present invention is not limited to the structure shown in the drawings. Within the scope of the present invention, those skilled in the art can arbitrarily select the position of the electrode, the presence or absence of the counter electrode, and the like. Is included in the range.
【００２９】[0029]
【発明の効果】本発明の方法によれば、圧電体層の結晶
配向性を十分に向上することができ、ダイヤモンド層と
圧電体層の結合性も良好であり、さらに平滑な圧電体層
を形成することができる。この方法により得られた本発
明の表面弾性波素子は、機械的強度、音速等において高
性能、高品位の表面弾性波素子であるため、高周波フィ
ルタ等の用途に好適である。According to the method of the present invention, the crystal orientation of the piezoelectric layer can be sufficiently improved, the bonding between the diamond layer and the piezoelectric layer is good, and a smooth piezoelectric layer can be formed. Can be formed. The surface acoustic wave device of the present invention obtained by this method is a high-performance and high-quality surface acoustic wave device with respect to mechanical strength, sound speed, and the like, and thus is suitable for applications such as high-frequency filters.
【図１】 基板上に形成したダイヤモンド状膜のビッカ
ース硬度と耐熱温度の関係を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing the relationship between the Vickers hardness of a diamond-like film formed on a substrate and the heat resistance temperature.
【図２】 本発明の一具体例である表面弾性波素子構造
を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a surface acoustic wave device structure as a specific example of the present invention.
１ 基板、 ２ ダイヤモンド状層、 ３ 圧電体層、 ４ 電極、 1 substrate, 2 diamond-like layer, 3 piezoelectric layer, 4 electrode,
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−195094（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−206390（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−103310（ＪＰ，Ａ) 電子情報通信学会技術研究報告Ｖｏ ｌ．88，Ｎｐ．181，1988年９月20日, ｐ．43〜48 日本音響学会平成２年度春季研究発表 会講演論文集 ▲ＩＩ▼，平成２年３ 月，ｐ．755−756 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/25 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-60-195094 (JP, A) JP-A-63-206390 (JP, A) JP-A-1-103310 (JP, A) IEICE Technology Research Report Vol. 88, Np. 181, September 20, 1988, p. 43-48 Proceedings of the Acoustical Society of Japan Spring Meeting, 1990 (II), March 1990, p. 755-756 (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H03H 9/25
Claims (4)
層とを含む表面弾性波素子であって、ダイヤモンド状層
のビッカース硬度が６５００〜９０００kg/mm2であるこ
とを特徴とする表面弾性波素子。1. A surface acoustic wave device including a diamond-like layer, a piezoelectric layer, and an electrode layer, wherein the diamond-like layer has a Vickers hardness of 6500 to 9000 kg / mm 2. Wave element.
層とを含む表面弾性波素子であって、ダイヤモンド状層
の屈折率が２．３５〜２．４１であり且つ密度が３．４
５〜３．５０であることを特徴とする表面弾性波素子。2. A surface acoustic wave device including a diamond-like layer, a piezoelectric layer, and an electrode layer, wherein the diamond-like layer has a refractive index of 2.35 to 2.41 and a density of 3.4.
A surface acoustic wave device having a thickness of 5 to 3.50.
層とを含む表面弾性波素子を製造する方法であって、ダ
イヤモンド膜をビッカース硬度が６５００〜９０００kg
/mm2になるように形成することを特徴とする表面弾性波
素子の製造方法。3. A method for manufacturing a surface acoustic wave device including a diamond-like layer, a piezoelectric layer, and an electrode layer, wherein the diamond film has a Vickers hardness of 6500 to 9000 kg.
/ mm 2. A method for manufacturing a surface acoustic wave device, wherein
により形成される請求項１〜３のいずれか一項の表面弾
性波素子。4. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein said diamond-like layer is formed by an ionization vapor deposition method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03140684A JP3110491B2 (en) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | Surface acoustic wave device using diamond-like film |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP03140684A JP3110491B2 (en) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | Surface acoustic wave device using diamond-like film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04341005A JPH04341005A (en) | 1992-11-27 |
| JP3110491B2 true JP3110491B2 (en) | 2000-11-20 |
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ID=15274353
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03140684A Expired - Fee Related JP3110491B2 (en) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | Surface acoustic wave device using diamond-like film |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3110491B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8038616B2 (en) | 2003-05-30 | 2011-10-18 | Surf Technology As | Acoustic imaging by nonlinear low frequency manipulation of high frequency scattering and propagation properties |
Families Citing this family (3)
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-
1991
- 1991-05-17 JP JP03140684A patent/JP3110491B2/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 日本音響学会平成２年度春季研究発表会講演論文集 ▲ＩＩ▼，平成２年３月，ｐ．７５５−７５６ |
| 電子情報通信学会技術研究報告Ｖｏｌ．８８，Ｎｐ．１８１，１９８８年９月２０日，ｐ．４３〜４８ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8038616B2 (en) | 2003-05-30 | 2011-10-18 | Surf Technology As | Acoustic imaging by nonlinear low frequency manipulation of high frequency scattering and propagation properties |
Also Published As
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