JP3107958B2 - Exposure equipment - Google Patents

Exposure equipment

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JP3107958B2
JP3107958B2 JP05277326A JP27732693A JP3107958B2 JP 3107958 B2 JP3107958 B2 JP 3107958B2 JP 05277326 A JP05277326 A JP 05277326A JP 27732693 A JP27732693 A JP 27732693A JP 3107958 B2 JP3107958 B2 JP 3107958B2
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pattern
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exposure
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程中のリ
ソグラフィー工程に用いられる露光装置に関し、特に光
学系のレンズ収差の自動補正が可能な露光装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus used in a lithography step in a semiconductor manufacturing process, and more particularly to an exposure apparatus capable of automatically correcting lens aberration of an optical system.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程で幾度となく用いられる
リソグラフィー工程(露光装置によるパターン転写)
で、工程間の誤差をなくすことは重要である。誤差を生
じた場合は、パターンズレが発生し製品ができなくなる
ようなこともある。
2. Description of the Related Art A lithography process (pattern transfer by an exposure apparatus) used many times in a semiconductor manufacturing process.
Therefore, it is important to eliminate errors between processes. When an error occurs, a pattern shift may occur and a product may not be produced.

【0003】半導体プロセスにおいて、パターン転写方
法は大別して2通りある。1つは、マスクまたはレチク
ルに初めから作られたパターンを光学系を通してウエハ
上に転写する方法である。もう1つは、EB(電子ビー
ム)やレーザ光で直接パターンを描く直描タイプであ
る。
In the semiconductor process, there are roughly two types of pattern transfer methods. One is a method in which a pattern originally formed on a mask or a reticle is transferred onto a wafer through an optical system. The other is a direct drawing type in which a pattern is directly drawn by EB (electron beam) or laser light.

【0004】前者は、すでに描かれたパターンを転写す
るためスループットは速く現在の主流を締めている。但
し、装置間の誤差を含んでいる為重ね合わせ度数が多く
なる程、初めに露光されたパターンとの誤差が増巾す
る。また半導体の種類によっては、レチクルまたはマス
クを多数必要とするため改良の余地がある。後者はウエ
ハ毎に直接描いていくため、スループットは、極度に遅
いという欠点がある。
[0004] In the former case, the throughput is fast because the transferred pattern is already drawn, and the current mainstream is confined. However, since errors between apparatuses are included, as the number of superpositions increases, the error from the pattern first exposed increases. Also, depending on the type of semiconductor, there is room for improvement because many reticles or masks are required. The latter has a drawback that the throughput is extremely slow since the drawing is performed directly for each wafer.

【0005】マスクまたはレチクルに形成されたパター
ンを転写する従来の露光装置では、さらに、下記に示す
欠点がある。
A conventional exposure apparatus for transferring a pattern formed on a mask or a reticle has the following disadvantages.

【0006】(1)露光装置間のマッチングを取るのが
容易ではない。
(1) It is not easy to perform matching between exposure apparatuses.

【0007】(2)レチクルまたはマスクを工程数分多
数枚必要である。
(2) A large number of reticles or masks are required for the number of steps.

【0008】(3)光学系の経時変化がある。(3) There is a temporal change of the optical system.

【0009】一方、上記のマスクとして透過形平面ディ
スプレイを用いることにより、露光工程ごとの多数のマ
スクを作成する必要がなく、かつマスクを交換すること
なしに1枚のウエハの全露光工程を1台の装置で実施し
得る露光装置が、特開平1−155347号に提案され
ている。
On the other hand, by using a transmissive flat panel display as the mask, it is not necessary to prepare a large number of masks for each exposure step, and the entire exposure step for one wafer can be performed without exchanging masks. An exposure apparatus that can be implemented by a single apparatus has been proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-155347.

【0010】しかしながら、特開平1−155347号
の露光装置も光学系の経時変化や露光装置間のマッチン
グの問題を解決するものではない。
However, the exposure apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-155347 does not solve the problems of the aging of the optical system and the matching between the exposure apparatuses.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の従来
例における問題点に鑑みてなされたもので、光学系のレ
ンズ収差の自動補正が可能な露光装置を提供することを
目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems in the prior art, and has as its object to provide an exposure apparatus capable of automatically correcting lens aberration of an optical system.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の露光装置は、パターンの消去および書込が可能
なレチクルまたはマスクと、与えられたパターンデータ
に基づいて該レチクルまたはマスク上にパターンを描画
するパターン書込手段と、該レチクルまたはマスクを照
明し、かつ該レチクルまたはマスク上に描画されたパタ
ーンの転写像を被露光位置に投影する光学系と、前記光
学系により投影される転写像を検出するセンサと、該レ
チクルまたはマスク上に基準格子を描画させ、前記セン
サにより前記基準格子の転写像を検出させ、検出された
前記基準格子の転写像に基づき前記光学系の収差を検出
し、前記レチクルまたはマスク上に露光用のパターンを
描画させる際、該収差検出結果に基づいて該収差を相殺
すべく露光用パターンデータを補正して前記パターン書
込手段に与える制御手段とを具備することを特徴とす
る。
In order to achieve the above object, an exposure apparatus according to the present invention comprises a reticle or mask capable of erasing and writing a pattern, and a reticle or mask on a reticle or mask based on given pattern data. Pattern writing means for drawing a pattern, an optical system for illuminating the reticle or mask, and projecting a transfer image of the pattern drawn on the reticle or mask to a position to be exposed, and an optical system for projecting the pattern A sensor for detecting a transferred image, drawing a reference grating on the reticle or mask, causing the sensor to detect a transferred image of the reference grating, and correcting the aberration of the optical system based on the detected transferred image of the reference grating. When detecting and drawing an exposure pattern on the reticle or mask, an exposure pattern is used to cancel the aberration based on the aberration detection result. Ndeta corrected to a characterized by comprising a control means for providing the pattern writing means.

【0013】本発明の一実施例においては、前記レチク
ルまたはマスクとして透過形の平面ディスプレイを用い
ている。
In one embodiment of the present invention, a transmissive flat display is used as the reticle or mask.

【0014】本発明の他の実施例において、前記レチク
ルまたはマスクは帯電可能な膜と、それぞれ平行に並ん
だ多数のストライプ状透明電極からなり、前記帯電可能
膜を挟んで対向するとともに前記ストライプの方向が互
いに直交する2組の電極群とを有し、前記制御手段は、
前記レチクルまたはマスクに描画すべき基準格子パター
ンおよび露光用パターンのデータを前記2組の電極群を
構成するストライプ状透明電極の各交点を示す直交座標
としてディジタルデータで記憶している。前記書込手段
は、前記帯電可能膜の、前記制御手段から与えられるパ
ターンデータが示す箇所を帯電させかつ該帯電部分に選
択的に磁性流体を塗布することによりパターンを描画す
る。
In another embodiment of the present invention, the reticle or the mask comprises a chargeable film and a plurality of stripe-shaped transparent electrodes arranged in parallel with each other. And two sets of electrodes whose directions are orthogonal to each other.
Data of a reference grid pattern and an exposure pattern to be drawn on the reticle or mask are stored as digital data as orthogonal coordinates indicating each intersection of the striped transparent electrodes constituting the two sets of electrodes. The writing means draws a pattern by charging a portion of the chargeable film indicated by the pattern data provided from the control means and selectively applying a magnetic fluid to the charged portion.

【0015】[0015]

【作用】本発明の露光装置によれば、レチクルまたはマ
スクが、電気的オン/オフ信号(ディジタル情報)等に
より、レチクルまたはマスク上にパターンを描くことが
可能であり、初めにレチクルまたはマスクに基準格子を
描き光学系透過後の転写像光として転写ステージ上また
は転写像光を受けることが可能な位置にあるセンサでと
らえ、このセンサで受けた転写信号を基に、基準格子か
らのずれ量等をCPU等により計算処理して理想的な転
写像との誤差を求め、半導体製作等に必要な露光用パタ
ーンのデータに対し誤差補正をかけた新パターンデータ
を作成し、レチクルまたはマスク上に前データをクリア
した後に描くようにしている。
According to the exposure apparatus of the present invention, the reticle or the mask can draw a pattern on the reticle or the mask by an electric on / off signal (digital information) or the like. A reference grating is drawn and captured by a sensor on the transfer stage or at a position where the transfer image light can be received as transfer image light after transmission through the optical system.Based on the transfer signal received by this sensor, the amount of deviation from the reference grating CPU and other calculations to calculate the error from the ideal transfer image, create new pattern data by applying error correction to the exposure pattern data required for semiconductor fabrication, etc., and place it on the reticle or mask. It draws after clearing the previous data.

【0016】このように露光用パターンを誤差補正をか
けた後、レチクルまたはマスクに描画することにより 光学系収差を考慮に入れたパターンデータとすること
ができる。
As described above, after the exposure pattern is subjected to error correction, by drawing on a reticle or a mask, it is possible to obtain pattern data in which optical system aberrations are taken into consideration.

【0017】装置間のマッチングを取り易くなる。[0017] Matching between devices becomes easier.

【0018】レチクルまたはマスクを多数もつ必要は
なく、MT等のようなデータのみでも良い。
It is not necessary to have many reticles or masks, and only data such as MT may be used.

【0019】パターン変更もデータ入力により、新し
いパターンの作成が可能となる(このパターンデータに
周辺露光やウエハ上のナンバリング等も情報として入力
することができる)。
A new pattern can be created by data input for pattern change (peripheral exposure, numbering on a wafer, etc. can also be input as information to this pattern data).

【0020】光学系の経時変化補正が可能となる。It is possible to correct the aging of the optical system.

【0021】[0021]

【実施例】以下、図面に基づき本発明の実施例を説明す
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0022】図1は、本発明の一実施例に係る露光装置
の構成を示す。同図において、1は透過形のレチクル
(またはマスク)で、例えば透過形液晶ディスプレイを
用いることができる。2はレチクル1を照明する光源、
3はレチクル1のパターン像を投影する光学系、4は半
導体ウエハ5を搭載して移動可能なステージである。ス
テージ4上にはCCDセンサ6が配設してある。10は
この露光装置全体の動作を制御する制御装置で、CPU
11、メモリ12、ならびに上記のレチクル1、光源
2、図示しないシャッタ装置、光学系3、ステージ4お
よびセンサ6等とこの制御装置10とを接続するための
各種インターフェース15等を備えている。
FIG. 1 shows the configuration of an exposure apparatus according to one embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a transmission type reticle (or mask), for example, a transmission type liquid crystal display can be used. 2 is a light source for illuminating the reticle 1,
Reference numeral 3 denotes an optical system for projecting a pattern image of the reticle 1, and reference numeral 4 denotes a movable stage on which a semiconductor wafer 5 is mounted. On the stage 4, a CCD sensor 6 is provided. A control device 10 controls the operation of the entire exposure apparatus.
11, a memory 12, and various interfaces 15 for connecting the reticle 1, the light source 2, the shutter device (not shown), the optical system 3, the stage 4, the sensor 6, and the like to the control device 10 and the like.

【0023】次に、図1の装置の動作を図2のフローチ
ャートを参照しながら説明する。基準格子パターンおよ
び製造すべき半導体集積回路で使用するパターンのデー
タは上記CPU11を動作させるためのプログラム等と
ともに予め磁気テープ装置等の外部メモリ装置に格納し
てあり、上記基準格子パターンのデータは、この露光装
置のプログラムロード時、上記メモリ12に読み込まれ
ているものとする。また、露光処理で用いるべきレチク
ルパターンのデータは、露光処理で用いるべきレチクル
パターンがキーボード等により特定されたとき、上記外
部メモリ装置からメモリ12に転送されるものとする。
さらに、メモリ12内の歪み量計算値のレジスタ等所定
の領域は必要な初期化が施されているものとする。
Next, the operation of the apparatus of FIG. 1 will be described with reference to the flowchart of FIG. The reference grid pattern and the data of the pattern used in the semiconductor integrated circuit to be manufactured are stored in advance in an external memory device such as a magnetic tape device together with a program for operating the CPU 11, and the data of the reference grid pattern is It is assumed that the memory 12 has been read when the program of the exposure apparatus is loaded. The data of the reticle pattern to be used in the exposure processing is transferred from the external memory device to the memory 12 when the reticle pattern to be used in the exposure processing is specified by a keyboard or the like.
Further, it is assumed that a predetermined area such as a register for the calculated amount of distortion in the memory 12 has been subjected to necessary initialization.

【0024】半導体ウエハのセットまたはキーボード等
からの入力により動作の開始が指令されると、CPU1
1は、まず、基準格子パターンのデータをメモリ12か
ら読み出してレチクル1に送出する(ステップ10
1)。これにより、レチクル1に基準格子パターンが形
成される。さらに、ステージ4を駆動してセンサ6を光
学系3の視野内に移動し、レチクル1に光源2の光を照
射して基準格子パターンの光学系3による転写像をセン
サ上に投影させる(ステップ102)。次いで、センサ
6からの基準格子パターン転写像のデータを取り込み、
これを演算処理することによってその転写像に歪みがあ
るか否かを判定する(ステップ103)。歪みがなけれ
ば、処理を後述のステップ121に移行する。
When an operation start is instructed by an input from a set of semiconductor wafers or a keyboard or the like, the CPU 1
1. First, the data of the reference lattice pattern is read from the memory 12 and sent to the reticle 1 (step 10).
1). As a result, a reference grating pattern is formed on the reticle 1. Further, the stage 4 is driven to move the sensor 6 into the field of view of the optical system 3, and the reticle 1 is irradiated with light from the light source 2 to project a reference grid pattern transferred image by the optical system 3 onto the sensor (step). 102). Next, the data of the reference grid pattern transfer image from the sensor 6 is fetched,
By calculating this, it is determined whether or not the transferred image has distortion (step 103). If there is no distortion, the process proceeds to step 121 described later.

【0025】一方、歪みがある場合は各座標の歪み量を
計算し(ステップ111)、レチクル上の基準格子パタ
ーンを消去した(ステップ112)後、上記基準格子を
歪み量計算値で補正した状態でレチクル1上に描画し
(ステップ113)、センサ6上に投影する(ステップ
114)。そして、そのときのセンサ出力に基づいて基
準格子像の歪みが取れたか否かを判定する(ステップ1
15)。歪みが取れていれば、処理を後述のステップ1
21に移行する。一方、歪みが取れていなければ、前回
の歪み量計算値と今回のセンサ出力に基づいて各座標の
歪み量を再計算した(ステップ111)後、上記ステッ
プ112〜115の処理を繰り返す。
On the other hand, if there is distortion, the amount of distortion at each coordinate is calculated (step 111), the reference grid pattern on the reticle is erased (step 112), and the reference grid is corrected with the calculated distortion amount. Is drawn on the reticle 1 (step 113) and projected on the sensor 6 (step 114). Then, it is determined whether or not the distortion of the reference lattice image has been removed based on the sensor output at that time (step 1).
15). If the distortion is removed, the process proceeds to step 1 described later.
Move to 21. On the other hand, if the distortion has not been removed, the distortion amount of each coordinate is recalculated based on the previous distortion amount calculation value and the current sensor output (step 111), and then the processes of steps 112 to 115 are repeated.

【0026】ステップ121ではレチクルパターンを消
去する。続いて、製造すべき半導体集積回路のパターン
をステップ111で計算された歪み量で補正した状態で
レチクル1上に描画し(ステップ122)、ウエハをス
テージ4上に搭載してステージ4を移動させ、該ウエハ
に対して露光を行なう。
In step 121, the reticle pattern is erased. Subsequently, a pattern of the semiconductor integrated circuit to be manufactured is drawn on the reticle 1 in a state where the pattern is corrected by the distortion amount calculated in step 111 (step 122), and the wafer is mounted on the stage 4 and the stage 4 is moved. Then, the wafer is exposed.

【0027】なお、上述においては1種類のパターンご
とに収差判定処理を実行する例を示したが、このような
処理は、ウエハの1ロットごとに行なってもよく、ある
いは所定の期間、例えば定期点検期間ごとに行なっても
よい。また、1種類の半導体集積回路の全パターンを同
一の露光装置で露光する場合は、その半導体集積回路の
所定枚数ごとまたはロットごとに行なってもよい。
In the above description, an example in which the aberration determination processing is performed for each type of pattern has been described. However, such processing may be performed for each lot of wafers, or may be performed for a predetermined period, for example, periodically. It may be performed every inspection period. When all patterns of one type of semiconductor integrated circuit are exposed by the same exposure apparatus, the exposure may be performed for each predetermined number of semiconductor integrated circuits or for each lot.

【0028】さらに、上述のレチクルは、特開平1−1
55347号に示されるようなレーザによりパターンを
描画する液晶ディスプレイであってもよい。
Further, the above-described reticle is disclosed in
A liquid crystal display which draws a pattern with a laser as shown in Japanese Patent No. 55347 may be used.

【0029】[0029]

【他の実施例】図3は本発明の第2の実施例に係る露光
装置の構成を示す。同図の装置は図1のものに対し、レ
チクル(またはマスク)1の部分に静電複写技術を応用
したものである。すなわち、本実施例によれば、マスク
またはレチクルが強誘電体膜等でおおわれ、電位が印加
された部分に磁性流体等が、マスク/レチクル像として
描けるようになっている。強誘電体膜の両面には、所望
のパターン形状に電位を印加するための電極群が配置さ
れている。これらの電極群は、それぞれ平行に並んだ多
数のストライプ状透明電極からなり、両面でそれらのス
トライプの方向が互いに直交している。
FIG. 3 shows an exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention. The apparatus shown in the figure is obtained by applying the electrostatic copying technique to the reticle (or mask) 1 in the apparatus shown in FIG. That is, according to the present embodiment, the mask or the reticle is covered with the ferroelectric film or the like, and the magnetic fluid or the like can be drawn as a mask / reticle image in the portion where the potential is applied. Electrode groups for applying a potential in a desired pattern shape are arranged on both surfaces of the ferroelectric film. Each of these electrode groups is composed of a number of stripe-shaped transparent electrodes arranged in parallel, and the directions of the stripes are orthogonal to each other on both surfaces.

【0030】図3において、31は磁気テープ装置等の
外部メモリ装置、キーボードおよびマウス等で構成され
るパターン情報入力回路、32はCPU等で構成され、
図2のような処理を制御するパターン情報補正回路、3
3は入力信号回路、34は入力信号回路33を介して送
出されるパターン情報補正回路の出力に基づいて、レチ
クル1を駆動するため必要な駆動信号を作成したりタイ
ミング駆動回路35で形成されるタイミングに応じてそ
の駆動信号を供給したりする制御回路、35はレチクル
1を駆動するためのタイミング信号を作成し、そのタイ
ミングでレチクル1に上記駆動信号を印加するタイミン
グ駆動回路、36はタイミング駆動回路35とレチクル
1のストライプ状透明電極とを接続するための電気信号
線、37はコネクタである。
In FIG. 3, reference numeral 31 denotes an external memory device such as a magnetic tape device, a pattern information input circuit including a keyboard and a mouse, and 32 denotes a CPU and the like.
A pattern information correction circuit for controlling the processing as shown in FIG.
Reference numeral 3 denotes an input signal circuit, and reference numeral 34 denotes a timing drive circuit 35 which generates a drive signal necessary for driving the reticle 1 based on an output of the pattern information correction circuit sent via the input signal circuit 33, and is formed by a timing drive circuit 35. A control circuit for supplying the drive signal according to the timing; a timing drive circuit for generating a timing signal for driving the reticle 1 at the timing; and a timing drive circuit for applying the drive signal to the reticle 1 at that timing; An electric signal line for connecting the circuit 35 and the stripe-shaped transparent electrode of the reticle 1, and 37 is a connector.

【0031】図3の露光装置においても、図1のものと
同様に、始めに、基準格子を描き、光学系透過後の転写
像をCCD等のようなセンサ6で受けることにより、基
準格子のずれ量をCPU処理計算により認識し補正を可
能としている。したがって、投影光学系3の収差等の誤
差をレチクルまたはマスク上でなくなるように補正をか
け、ウエハ上の転写像誤差をなくすることができる。
In the exposure apparatus shown in FIG. 3, similarly to the exposure apparatus shown in FIG. 1, a reference grating is first drawn, and a transferred image after passing through the optical system is received by a sensor 6 such as a CCD or the like. The shift amount is recognized and corrected by CPU processing calculation. Therefore, errors such as aberrations of the projection optical system 3 can be corrected so as not to be present on the reticle or mask, and errors in the transferred image on the wafer can be eliminated.

【0032】なお、パターンの変更にあたっては、電位
印加部に逆電位をもたせ、マスクまたはレチクル上に描
かれた磁性流体等を回収し、再び新しいデータに伴う電
位を印加することにより、再びパターン描画可能とし、
レチクルまたはマスクを多数もつ必要性のない構成とし
ている。基準格子パターンや半導体集積回路製造用のパ
ターンは、電気信号のオン/オフによりパターン化し、
パターンはCPUからの情報で作動する。
When the pattern is changed, the potential application section is provided with a reverse potential, the magnetic fluid or the like drawn on the mask or reticle is collected, and the potential accompanying new data is applied again to draw the pattern again. Possible,
The structure does not need to have many reticles or masks. The reference grid pattern and the pattern for manufacturing a semiconductor integrated circuit are patterned by turning on / off an electric signal.
The pattern operates on information from the CPU.

【0033】図1および図3のレチクル部分は図4の構
造となっても良い。図4において、1はレチクル、1a
は透明導電膜、36は電気信号線、37はコネクタであ
る。レチクル上にパターンを形成するための媒体として
は磁性流体のようなものが挙げられる。直交した電極を
透明導電膜により形成し、この電極に対し、図3に示す
タイミング駆動回路、制御回路、入力信号回路、パター
ン情報補正回路、パターン情報入力回路より構成される
回路に接続し、情報データを直交座標上に電荷状態で与
える。これによりレチクルは、部分的に+または−の電
荷をもった状態を保持させる。ここで、磁性流体のつい
たローラ61を、レチクル上に走査することにより、レ
チクル上の電荷のかかっている部分62に磁性流体を転
位させる。この状態でウエハ上に露光が実施される。
The reticle portion shown in FIGS. 1 and 3 may have the structure shown in FIG. In FIG. 4, 1 is a reticle, 1a
Is a transparent conductive film, 36 is an electric signal line, and 37 is a connector. As a medium for forming a pattern on a reticle, a medium such as a magnetic fluid can be used. An orthogonal electrode is formed of a transparent conductive film, and this electrode is connected to a circuit including a timing drive circuit, a control circuit, an input signal circuit, a pattern information correction circuit, and a pattern information input circuit shown in FIG. Data is given in the form of electric charge on rectangular coordinates. As a result, the reticle is maintained in a state having a partial positive or negative charge. Here, the magnetic fluid is displaced to the charged portion 62 on the reticle by scanning the roller 61 with the magnetic fluid on the reticle. In this state, exposure is performed on the wafer.

【0034】露光完了後は、イニシャライズの必要性が
あり、レチクル上に当初かけた電荷と逆の電荷をかけ、
ローラ側を走査することにより、レチクル上は、まった
く初期の状態に戻すことが可能となる。
After the exposure is completed, there is a need for initialization, and a charge opposite to the charge initially applied is applied to the reticle.
By scanning the roller side, the reticle can be returned to a completely initial state.

【0035】図5は、反射形のレチクル(またはマス
ク)を用いた例を示す。図5のレチクル(またはマス
ク)は高反射基板部1bと強誘電体部1cからなる。強
誘電体部1cは、図4に示す構成をもっており、図6の
ように磁性流体等をつけることが可能となっている。な
お、下地(高反射基板部1b)を金属とすることによ
り、電荷を戻すことが容易となる。図6において、61
は磁性流体のついたローラである。このローラは静電複
写機に用いられるような磁性ブラシであってもよい。
FIG. 5 shows an example using a reflection type reticle (or mask). The reticle (or mask) in FIG. 5 includes a high-reflection substrate portion 1b and a ferroelectric portion 1c. The ferroelectric portion 1c has the configuration shown in FIG. 4, and can be provided with a magnetic fluid or the like as shown in FIG. It is to be noted that the use of a metal as the base (highly reflective substrate portion 1b) makes it easy to return the electric charge. In FIG. 6, 61
Is a roller with a magnetic fluid. This roller may be a magnetic brush as used in electrostatic copying machines.

【0036】なお、本発明におけるようなレチクル/マ
スクのような使い方は、光学系の中の絞り(アパーチャ
ー)や変形照明のマスク部としても使用可能であり、こ
うすることにより様々な光学条件をパラメータ化するこ
とが容易となる。
It is to be noted that the method of using the reticle / mask as in the present invention can be used also as a stop (aperture) in an optical system or as a mask portion for deformed illumination. It becomes easy to parameterize.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
チクルまたはマスク上の基準格子をセンサ上に投影し、
そのセンサ出力をCPU処理計算させることにより光学
系の収差に対するデータ補正をかけることができる。こ
のため、露光装置間のマッチングが容易となり、本体光
学系の経時変化も打ち消すことが可能となる。また、光
学系の各寸法調整も簡素化させることが可能となる。
As described above, according to the present invention, a reference grating on a reticle or a mask is projected on a sensor,
Data correction for the aberration of the optical system can be performed by calculating the sensor output by the CPU processing. For this reason, matching between the exposure apparatuses becomes easy, and it is also possible to cancel a temporal change of the main optical system. Also, it is possible to simplify the adjustment of each dimension of the optical system.

【0038】さらに、レチクルまたはマスクが書き込み
/消去が可能なため、レチクルまたはマスクを多数もつ
必要性がなく大幅なコストダウンを計ることが可能とな
る。
Further, since the reticle or the mask can be written / erased, there is no need to have a large number of reticles or masks, so that the cost can be greatly reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施例に係る露光装置の構成図で
ある。
FIG. 1 is a configuration diagram of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図1の装置の動作説明のためのフローチャー
トである。
FIG. 2 is a flowchart for explaining the operation of the apparatus of FIG. 1;

【図3】 本発明の他の実施例に係る露光装置の構成図
である。
FIG. 3 is a configuration diagram of an exposure apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図4】 図1および図3におけるレチクルの具体例を
示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a specific example of the reticle in FIGS. 1 and 3;

【図5】 本発明のさらに他の実施例に係る露光装置の
構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram of an exposure apparatus according to still another embodiment of the present invention.

【図6】 図3および図5におけるレチクルの具体例を
示す斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing a specific example of the reticle in FIGS. 3 and 5;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:レチクル(またはマスク)、1a:透明導電膜、1
b:高反射基板部、1c:強誘電体部,2:光源、3:
投影光学系、4:ステージ、5:ウエハ、6:CCDセ
ンサ、10:制御装置、11:CPU、12:メモリ、
15:インターフェース、31:パターン情報入力回
路、32:パターン情報補正回路、33:入力信号回
路、34:制御回路、35:タイミング駆動回路、3
6:電気信号線、37:コネクタ、61:ローラ、6
2:レチクル上の電荷のかかっている部分。
1: reticle (or mask), 1a: transparent conductive film, 1
b: high reflection substrate part, 1c: ferroelectric part, 2: light source, 3:
Projection optical system, 4: Stage, 5: Wafer, 6: CCD sensor, 10: Control device, 11: CPU, 12: Memory,
15: Interface, 31: Pattern information input circuit, 32: Pattern information correction circuit, 33: Input signal circuit, 34: Control circuit, 35: Timing drive circuit, 3
6: electric signal line, 37: connector, 61: roller, 6
2: Charged portion on the reticle.

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 7/20 521 Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 G03F 7/20 521

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 パターンの消去および書込が可能なレチ
クルまたはマスクと、 与えられたパターンデータに基づいて該レチクルまたは
マスク上にパターンを描画するパターン書込手段と、 該レチクルまたはマスクを照明し、かつ該レチクルまた
はマスク上に描画されたパターンの転写像を被露光位置
に投影する光学系と、 前記光学系により投影される転写像を検出するセンサ
と、 該レチクルまたはマスク上に基準格子を描画させ、前記
センサにより前記基準格子の転写像を検出させ、検出さ
れた前記基準格子の転写像に基づき前記光学系の収差を
検出し、前記レチクルまたはマスク上に露光用のパター
ンを描画させる際、該収差検出結果に基づいて該収差を
相殺すべく露光用パターンデータを補正して前記パター
ン書込手段に与える制御手段とを具備することを特徴と
する露光装置。
1. A reticle or mask capable of erasing and writing a pattern, pattern writing means for drawing a pattern on the reticle or mask based on given pattern data, and illuminating the reticle or mask. And an optical system for projecting a transfer image of a pattern drawn on the reticle or mask to a position to be exposed, a sensor for detecting a transfer image projected by the optical system, and a reference grating on the reticle or mask. When drawing, the sensor detects a transfer image of the reference grating, detects aberration of the optical system based on the detected transfer image of the reference grating, and draws a pattern for exposure on the reticle or mask. A control means for correcting exposure pattern data to cancel the aberration based on the aberration detection result and providing the corrected pattern data to the pattern writing means. Exposure apparatus characterized by comprising and.
【請求項2】 前記レチクルまたはマスクが透過形の平
面ディスプレイからなることを特徴とする請求項1記載
の露光装置。
2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the reticle or the mask comprises a transmission type flat display.
【請求項3】 前記レチクルまたはマスクは帯電可能な
膜を有し、前記書込手段は与えられたパターンデータが
示す形状に前記帯電可能膜を帯電させかつ該帯電部分に
選択的に磁性流体を塗布することによりパターンを描画
するものであることを特徴とする請求項1記載の露光装
置。
3. The reticle or the mask has a chargeable film, and the writing means charges the chargeable film in a shape indicated by given pattern data, and selectively applies a magnetic fluid to the charged portion. 2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the pattern is drawn by coating.
【請求項4】 前記制御手段は、前記レチクルまたはマ
スクに描画すべき基準格子パターンおよび露光用パター
ンのディジタルデータを記憶する記憶手段を備えること
を特徴とする請求項1記載の露光装置。
4. An exposure apparatus according to claim 1, wherein said control means includes storage means for storing digital data of a reference lattice pattern to be drawn on said reticle or mask and an exposure pattern.
【請求項5】 前記レチクルまたはマスクは、それぞれ
平行に並んだ多数のストライプ状透明電極からなり、前
記帯電可能膜を挟んで対向するとともに前記ストライプ
の方向が互いに直交する2組の電極群を備え、前記記憶
手段は、前記パターンデータを前記2組の電極群を構成
するストライプ状透明電極の各交点を示す直交座標とし
て記憶していることを特徴とする請求項3記載の露光装
置。
5. The reticle or the mask includes a plurality of stripe-shaped transparent electrodes which are arranged in parallel with each other, and includes two sets of electrodes which face each other with the chargeable film interposed therebetween and in which the directions of the stripes are orthogonal to each other. 4. An exposure apparatus according to claim 3, wherein said storage means stores the pattern data as orthogonal coordinates indicating respective intersections of the striped transparent electrodes constituting the two electrode groups.
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