JP3107798B2 - Inspection equipment for semiconductor devices - Google Patents

Inspection equipment for semiconductor devices

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JP3107798B2
JP3107798B2 JP11253810A JP25381099A JP3107798B2 JP 3107798 B2 JP3107798 B2 JP 3107798B2 JP 11253810 A JP11253810 A JP 11253810A JP 25381099 A JP25381099 A JP 25381099A JP 3107798 B2 JP3107798 B2 JP 3107798B2
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probe card
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probe
semiconductor device
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猛 土肥
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体デバイス
の製造工程において、ウエハ基盤上に形成した半導体デ
バイスの機能検査を行うための検査装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an inspection apparatus for performing a function inspection of a semiconductor device formed on a wafer substrate in a semiconductor device manufacturing process.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来からある半導体デバイスの検査装置
を、図5〜図7に示す。図5に示す検査装置は、検査対
象である半導体デバイスを形成したウエハ基盤1を載せ
るためのステージ2を備えたプローバ3と、プローブカ
ード4を取り付けるテストヘッド5と、テスター6とか
らなる。上記ウエハ基盤1上には、図7に示すように、
半導体デバイス7が形成されている。このような半導体
デバイス7は、ひとつのウエハ基盤1上に複数形成され
る場合が多いが、ここでは、1個の半導体デバイス7に
ついて説明する。上記半導体デバイス7上には、複数の
コンタクトポイント8が形成されている。このコンタク
トポイント8の配置は、半導体デバイス7の形状や、内
部の回路構成によって異なるものである。
2. Description of the Related Art A conventional semiconductor device inspection apparatus is shown in FIGS. The inspection apparatus shown in FIG. 5 includes a prober 3 having a stage 2 for mounting a wafer substrate 1 on which a semiconductor device to be inspected is formed, a test head 5 for attaching a probe card 4, and a tester 6. On the wafer substrate 1, as shown in FIG.
A semiconductor device 7 is formed. In many cases, a plurality of such semiconductor devices 7 are formed on one wafer substrate 1. Here, one semiconductor device 7 will be described. A plurality of contact points 8 are formed on the semiconductor device 7. The arrangement of the contact points 8 differs depending on the shape of the semiconductor device 7 and the internal circuit configuration.

【0003】一方、上記プローブカード4は、図6に示
すような基板9の中央部に、リング10をはめ込んでい
る。このリング10は、上記半導体デバイス7に対応さ
せた長方形や円形などの窓を備え、窓の周囲に、複数の
金属製のプローブ針11を固定している。なお、図7
は、検査装置にセットしたプローブカード4を下側から
見た図である。複数のプローブ針11のそれぞれは、上
記半導体デバイス7上の各コンタクトポイント8に対応
する位置に配置されている。上記プローブ針11は、そ
れぞれ基板9に設けた図示しない配線およびテストヘッ
ド5内の配線を介して、テスター6に接続している。こ
のテスター6は、プローブ針11が接触したコンタクト
ポイント8の電気的な検査を行うところである。
On the other hand, the probe card 4 has a ring 10 fitted in the center of a substrate 9 as shown in FIG. The ring 10 has a rectangular or circular window corresponding to the semiconductor device 7, and a plurality of metal probe needles 11 are fixed around the window. FIG.
FIG. 3 is a diagram of the probe card 4 set in the inspection apparatus as viewed from below. Each of the plurality of probe needles 11 is arranged at a position corresponding to each contact point 8 on the semiconductor device 7. The probe needles 11 are connected to the tester 6 via wires (not shown) provided on the substrate 9 and wires in the test head 5, respectively. The tester 6 is to perform an electrical inspection of the contact point 8 with which the probe needle 11 has contacted.

【0004】また、上記プローバ3は、ステージ2を移
動させ、ウエハ基盤1上の半導体デバイス7と上記プロ
ーブカード4との相対位置を自動的に調整する機能を備
えている。プローバ3が、位置調整して、上記半導体デ
バイス1の各コンタクトポイント8に、プローブカード
4の各プローブ針11を接触させるようにする。ただ
し、上記プローバ3には、検査する品種の半導体デバイ
ス7の配置を予め記憶させておかなければならない。
The prober 3 has a function of moving the stage 2 and automatically adjusting the relative position between the semiconductor device 7 on the wafer substrate 1 and the probe card 4. The position of the prober 3 is adjusted so that each probe needle 11 of the probe card 4 comes into contact with each contact point 8 of the semiconductor device 1. However, the arrangement of the semiconductor device 7 of the type to be inspected must be stored in the prober 3 in advance.

【0005】以下に、上記検査装置の作用を説明する。
まず、ステージ2に、ウエハ基盤1をセットするととも
に、テストヘッド5には、検査する品種に合った型のプ
ローブカード4を取り付ける。検査装置を起動すると、
上記プローバ3は、ステージ2を移動させ、プローブカ
ード4に対するウエハ基盤1上の半導体デバイス7の位
置を調整する。プローバ3は、ステージ2を水平方向に
移動して、半導体デバイス7をプローブカード4のプロ
ーブ針11の真下に位置するようにする。それから、ス
テージ2を上方に移動させ、上記リング10に固定した
プローブ針11と、コンタクトポイント8とを接触させ
る。プローブ針11が半導体デバイス7のコンタクトポ
イント8に接触すると、テスター6が、その半導体デバ
イス7の良・不良を判定する。
[0005] The operation of the above inspection apparatus will be described below.
First, the wafer base 1 is set on the stage 2 and the probe card 4 of a type suitable for the type to be inspected is mounted on the test head 5. When you start the inspection device,
The prober 3 moves the stage 2 to adjust the position of the semiconductor device 7 on the wafer base 1 with respect to the probe card 4. The prober 3 moves the stage 2 in the horizontal direction so that the semiconductor device 7 is located directly below the probe needle 11 of the probe card 4. Then, the stage 2 is moved upward to bring the probe needle 11 fixed to the ring 10 into contact with the contact point 8. When the probe needle 11 comes into contact with the contact point 8 of the semiconductor device 7, the tester 6 determines whether the semiconductor device 7 is good or bad.

【0006】上記のようにして、1個の半導体デバイス
7の良・不良を判定したら、プローバ3は、ステージ2
を上下・左右に移動させ、1枚のウエハ基盤1上の半導
体デバイス7の機能を次々と測定する。テスター6での
測定結果は、プローバ3に送信され、プローバ3から、
モニタやCPUに出力される。上記テスター6によって
判定された不良品は、モニタで確認することができる。
また、プローバ3に、不良デバイスにマークを付けるイ
ンカーを設けることもある。このインカーは、プローバ
3に接続した図示しない制御機構で制御されるもので、
不良品に、赤インクなどでマークを付ける。このように
して、検出された不良品は、次の工程に進まずに破棄さ
れる。
[0006] As described above, when the pass / fail of one semiconductor device 7 is determined, the prober 3 sets the stage 2
Is moved vertically and horizontally, and the functions of the semiconductor devices 7 on one wafer substrate 1 are measured one after another. The measurement result of the tester 6 is transmitted to the prober 3, and from the prober 3,
It is output to a monitor or CPU. The defective product determined by the tester 6 can be confirmed on a monitor.
The prober 3 may be provided with an inker for marking a defective device. This inker is controlled by a control mechanism (not shown) connected to the prober 3.
Mark defective products with red ink. In this way, the detected defective product is discarded without proceeding to the next step.

【0007】上記のような検査装置では、検査する品種
に合ったプローブカード4を用いるが、同一品種の検査
では、ひとつのプローブカード4を繰り返し使うことに
なる。このように、ひとつのプローブカード4を繰り返
し利用するということは、同じプローブ針11を何回も
使用することである。プローブ針11は、上記コンタク
トポイント8と繰り返し接触することにより磨耗変形す
る。プローブ針11の磨耗変形がひどくなると、半導体
デバイス7のコンタクトポイント8との接触が不安定に
なったり、部分的に接触が不十分になったりして、信頼
できる検査ができなくなってしまうことがある。そのた
め、プローブ針11の磨耗変形がひどくなる前に、プロ
ーブカード4を交換しなければならない。実際には、所
定使用回数ごとに、新しいプローブカードに交換してい
た。
In the above-described inspection apparatus, a probe card 4 suitable for the type to be inspected is used. However, in the inspection of the same type, one probe card 4 is used repeatedly. Reusing one probe card 4 in this way means using the same probe needle 11 many times. The probe needle 11 is worn and deformed due to repeated contact with the contact point 8. If the probe needle 11 becomes severely deformed by abrasion, the contact with the contact point 8 of the semiconductor device 7 becomes unstable or partially insufficient, so that reliable inspection cannot be performed. is there. Therefore, the probe card 4 must be replaced before the probe needle 11 is severely deformed by abrasion. In practice, a new probe card is replaced every predetermined number of times of use.

【0008】また、プローブカード4の使用が所定使用
回数に達しない場合でも、プローブカード4のプローブ
針11が曲がってしまったりして、修理することがあ
る。プローブ針11の修理を行なった場合に、修理の種
類によっては、そのプローブカード4の本来の所定使用
回数を超えても使用できるようになったり、反対に、寿
命が短くなったりすることがある。そこで、修理履歴
も、プローブカード4の交換時期に影響する。
Further, even when the probe card 4 has not been used a predetermined number of times, the probe needle 11 of the probe card 4 may be bent or repaired. When the probe needle 11 is repaired, depending on the type of repair, the probe card 4 can be used even if it exceeds the original predetermined number of times of use, or on the contrary, the service life is shortened. . Therefore, the repair history also affects the replacement time of the probe card 4.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上記プローブカードの
交換時期の目安として、各プローブカードの使用回数
や、時には、プローブカードの修理履歴などを管理しな
ければならない。そこで、各プローブカード用の記録簿
を設けて、そこに、使用回数や、修理履歴を記載してい
た。そして、上記のような記録簿を、それぞれのプロー
ブカードと対にして管理していた。しかし、半導体デバ
イスの検査を行う毎に、その使用回数を上記記録簿に記
入することは手間のかかることであった。特に、プロー
ブカードの枚数が多くなれば、それだけ記録簿の数も多
くなり、各記録簿を作成する手間もかかるうえ、これら
記録簿を各ローブカードに対応させて管理することは非
常に面倒であるという問題があった。
As a guideline for replacing the probe card, it is necessary to manage the number of times each probe card is used and sometimes the repair history of the probe card. Therefore, a record book for each probe card is provided, and the number of uses and the repair history are described therein. Then, the above-mentioned record book is managed in pairs with each probe card. However, each time a semiconductor device is inspected, it is time-consuming to write the number of times it is used in the record book. In particular, the greater the number of probe cards, the greater the number of records, the more time it takes to create each record, and the more difficult it is to manage these records for each lobe card. There was a problem.

【0010】このように、記録簿の作成や管理が煩雑な
ので、コンピュータを用いて、全てのプローバをネット
ワーク管理することも考えられる。しかし、このような
ネットワーク管理によって全プローブカードを管理する
ためには、大掛かりなシステムが必要となり、半導体デ
バイスの検査という本来の目的以外の部分でコストがか
かり過ぎてしまうという問題もあった。この発明の目的
は、プローブカードの使用履歴データを簡単に管理でき
て、しかも、そのための費用が安価な半導体デバイスの
検査装置を提供することである。
As described above, since the creation and management of the record book are complicated, it is conceivable to use a computer to manage all the probers on the network. However, in order to manage all the probe cards by such network management, a large-scale system is required, and there is a problem that the cost is excessively increased in a part other than the original purpose of the inspection of the semiconductor device. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor device inspection apparatus which can easily manage the usage history data of a probe card and which is inexpensive.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】第1の発明は、ウエハ基
盤を載せるステージと、このステージに対向させプロー
ブ針を備えたプローブカードと、上記ウエハ基盤のコン
タクトポイントと上記プローブ針との位置関係を調整し
て上記プローブ針をコンタクトポイントに接触させるプ
ローバと、プローブ針を接触させたウエハ基盤の機能を
検査するテスターとを備えた半導体デバイスの検査装置
において、プローブカードに備えた記憶モジュールと、
この記憶モジュールとプローバ間でデータ通信を行うた
めの通信手段とを備え、上記記憶モジュールが、通信回
路と、この通信回路を介して入力されるデータを記憶す
る不揮発性メモリと、インダクタンスとを備えるととも
に、上記通信手段が、通信回路と、プローバに設けた通
信ポートとからなり、上記インダクタンスが外部電波に
よって発生する誘導起電力で上記通信回路を作動させ、
上記通信回路と通信ポート間は非接触でデータ通信可能
に構成し、半導体デバイスの検査開始前に、記憶モジュ
ールに記憶したプローブカードの使用履歴データを、上
記通信手段を介してプローバに入力し、検査終了後に、
プローバで更新した使用履歴データを上記通信手段を介
してプローブカードの記憶モジュールへ入力する点に特
徴を有する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a stage on which a wafer substrate is placed, a probe card having probe needles opposed to the stage, and a positional relationship between the contact points of the wafer substrate and the probe needles. A prober that adjusts the probe needles to contact the contact points, and a tester for testing the function of the wafer substrate contacted with the probe needles, in a semiconductor device inspection apparatus, a storage module provided in a probe card,
A communication unit for performing data communication between the storage module and the prober, the storage module including a communication circuit, a non-volatile memory for storing data input via the communication circuit, and an inductance; Together, the communication means comprises a communication circuit and a communication port provided in the prober, and the inductance operates the communication circuit with an induced electromotive force generated by an external radio wave,
The communication circuit and the communication port are configured so that data communication can be performed in a non-contact manner.
The probe card usage history data stored in the
Input to the prober via the communication means, and after the inspection,
Use history data updated by the prober via the above communication means
And input to the storage module of the probe card .

【0012】第2の発明は、記憶モジュールをフィルム
状に形成するとともに、上記記憶モジュールをプローブ
カード表面に貼り付けた点に特徴を有する。
The second invention is characterized in that the storage module is formed in a film shape and the storage module is attached to the surface of the probe card.

【0013】第3の発明は、通信回路を作動させる電波
の周波数が、ウエハ基盤を検査する際の検査信号の周波
数領域に含まれない点に特徴を有する。第4の発明は、
記憶モジュールの通信回路を作動させる電波の強度が、
ウエハ基盤を検査する際の検査信号強度より強い点に特
徴を有する。第5の発明は、記憶モジュールを作動させ
る電波に指向性を持たせた点に特徴を有する。第6の発
は、記憶モジュールが、特定の入力信号によってのみ
動作するためのプログラムを備えている点に特徴を有す
る。第7の発明は、記憶モジュールにデータを入力する
ためのプローバとは別の信号入力手段と第2の通信手段
とを備え、この信号入力手段および第2の通信手段を介
して、プローブカードの修理履歴や耐用回数などを上記
記憶モジュールに記憶させる点に特徴を有する。
A third aspect of the present invention is characterized in that the frequency of a radio wave for operating a communication circuit is not included in a frequency range of an inspection signal when inspecting a wafer substrate . The fourth invention is
The intensity of the radio wave that activates the communication circuit of the storage module is
It is characterized in that it is stronger than the inspection signal intensity when inspecting a wafer substrate . The fifth invention is characterized in that radio waves for operating the storage module have directivity. 6th departure
Akira is characterized in that the storage module includes a program for operating only by a specific input signal. A seventh invention comprises a signal input means different from a prober for inputting data to the storage module and a second communication means, and the probe card of the probe card is provided via the signal input means and the second communication means. The feature is that the repair history and the number of times of use are stored in the storage module.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】図1〜図4に、この発明の実施例
を示す。図1のプローブカード4は、基板9に記憶モジ
ュール12を備えた点が従来例のプローブカード4と異
なる。この記憶モジュール12は、図2に示すように、
不揮発性のメモリ13を備え、ここに、プローブカード
4の使用履歴データを記憶するようにしている。さら
に、プローブカード4には、上記メモリ13のデータを
通信するための通信回路14と、インダクタンス15と
を備えている。このインダクタンス15に、外部電波に
よって誘導される起電力が、上記通信回路14の電源と
なる。したがって、プローブカード4には、通信回路1
4の電源配線を設ける必要がない。また、上記メモリ1
3は、不揮発性メモリなので、上記通信回路14を介し
て入力されたデータの記憶保持に電力を必要としない。
1 to 4 show an embodiment of the present invention. The probe card 4 of FIG. 1 is different from the conventional probe card 4 in that a storage module 12 is provided on a substrate 9. This storage module 12, as shown in FIG.
A non-volatile memory 13 is provided, in which usage history data of the probe card 4 is stored. Further, the probe card 4 includes a communication circuit 14 for communicating data in the memory 13 and an inductance 15. An electromotive force induced by an external radio wave in the inductance 15 serves as a power supply of the communication circuit 14. Therefore, the probe card 4 includes the communication circuit 1
There is no need to provide the power supply wiring of No. 4. The memory 1
Reference numeral 3 is a non-volatile memory, and does not require power to store and hold data input via the communication circuit 14.

【0015】上記プローブカード4を、図3に示すよう
に、テストヘッド5に取り付けて、プローバ3のステー
ジ2に対向させる。このステージ2にウエハ基盤1をセ
ットして、ウエハ基盤1上に形成した半導体デバイスの
検査を行うが、上記ウエハ基盤1は、図7に示す従来例
で説明したものと同じである。また、上記テストヘッド
5およびプローバ3には、テスター6を接続している。
プローバ3がプローブカード4とウエハ基盤1との相対
位置を調整し、テスター6が、半導体デバイス7の良・
不良を判定する機構は従来例と同じである。ただし、こ
の実施例のプローバ3は、通信ポート16を備えてい
る。この通信ポート16を介して、メモリ13とプロー
バ3間で、プローブカード4の履歴データのやり取りが
できる。この履歴データとは、上記プローブカード4が
この検査以前に、使用された回数や、修理されたことが
あるかというデータである。
As shown in FIG. 3, the probe card 4 is attached to a test head 5 and is opposed to the stage 2 of the prober 3. The wafer substrate 1 is set on the stage 2 and a semiconductor device formed on the wafer substrate 1 is inspected. The wafer substrate 1 is the same as that described in the conventional example shown in FIG. A tester 6 is connected to the test head 5 and the prober 3.
The prober 3 adjusts the relative position between the probe card 4 and the wafer substrate 1, and the tester 6
The mechanism for determining a defect is the same as in the conventional example. However, the prober 3 of this embodiment has a communication port 16. The history data of the probe card 4 can be exchanged between the memory 13 and the prober 3 via the communication port 16. The history data is data indicating the number of times the probe card 4 has been used and whether the probe card 4 has been repaired before the inspection.

【0016】上記検査装置の作用を説明する。プローブ
カード4をテストヘッド5に取り付け、プローバ3のス
テージ2にウエハ基盤1をセットする。初めに、プロー
バ3が、通信ポート16から信号を発信する。この信号
は、上記プローブカード4の記憶モジュール12に記憶
された履歴データを引き出すための信号である。すなわ
ち、この信号により、上記記憶モジュール12内のイン
ダクタンス15が誘導起電力を発生し、通信回路14が
作動する。この通信回路14が作動すると、これを介し
て、上記メモリ13内のデータが発信される。上記メモ
リ13から発信された履歴データは、通信ポート16を
介して、プローバ3内の記憶部に記憶される。なお、各
プローブカード4のメモリ13には、各プローブカード
4の耐用回数である所定使用回数を、初期データとし
て、予め、各メモリ13に記憶させておく。この初期デ
ータは、後で説明する方法でメモリ13に入力され、検
査開始時点に、上記履歴データとともに、プローバ3に
送信される。
The operation of the above inspection apparatus will be described. The probe card 4 is attached to the test head 5, and the wafer base 1 is set on the stage 2 of the prober 3. First, the prober 3 transmits a signal from the communication port 16. This signal is a signal for extracting the history data stored in the storage module 12 of the probe card 4. That is, the signal causes the inductance 15 in the storage module 12 to generate an induced electromotive force, and the communication circuit 14 operates. When the communication circuit 14 operates, data in the memory 13 is transmitted through the communication circuit 14. The history data transmitted from the memory 13 is stored in a storage unit in the prober 3 via the communication port 16. In the memory 13 of each probe card 4, a predetermined number of times of use, which is the number of times of use of each probe card 4, is stored in advance in each memory 13 as initial data. The initial data is input to the memory 13 by a method to be described later, and is transmitted to the prober 3 together with the history data at the start of the examination.

【0017】メモリ13からプローバ3へのデータ送信
が終了して、インダクタンス15に作用する電波がなく
なると、通信回路14の動作は停止する。上記のように
して、メモリ13から、プローバ3への履歴データの送
信が終了してから、実際に、半導体デバイス7の検査を
始める。プローバ3が、ステージ2を移動させながら、
プローブカード4に固定したプローブ針11に半導体デ
バイス7のコンタクトポイント8を接触させる。そし
て、テスター6が、その半導体デバイスの良・不良を判
定して、プローバ3へその判定データを送る。
When the data transmission from the memory 13 to the prober 3 is completed and there is no radio wave acting on the inductance 15, the operation of the communication circuit 14 stops. After the transmission of the history data from the memory 13 to the prober 3 is completed as described above, the inspection of the semiconductor device 7 is actually started. While prober 3 moves stage 2,
The contact point 8 of the semiconductor device 7 is brought into contact with the probe needle 11 fixed to the probe card 4. Then, the tester 6 determines whether the semiconductor device is good or bad and sends the determination data to the prober 3.

【0018】また、プローバ3では、検査回数をカウン
トし、それを初期の使用回数に加えて、プローバ3の記
憶部に入力する。このように加算される検査回数が、プ
ローブカード4、すなわちプローブ針11のその時点で
の使用回数である。このように、プローブカード4の使
用回数は、半導体デバイス7の検査中に、刻々と更新さ
れ、プローバ3に記憶される。そして、最新の使用回数
は、プローバ3に接続した図示しないモニタで、作業者
が確認することができる。モニタに表示されたプローブ
カード4の使用回数が、所定使用回数に達した場合に
は、作業者は、検査装置を止めて、プローブカード4を
新しいものに取り替える。
Further, the prober 3 counts the number of inspections, adds it to the initial number of times of use, and inputs it to the storage unit of the prober 3. The number of inspections added in this way is the number of times the probe card 4, that is, the probe needle 11, is used at that time. As described above, the number of times the probe card 4 is used is updated every moment during the inspection of the semiconductor device 7 and stored in the prober 3. Then, the operator can check the latest number of times of use on a monitor (not shown) connected to the prober 3. When the number of times of use of the probe card 4 displayed on the monitor has reached the predetermined number of uses, the operator stops the inspection device and replaces the probe card 4 with a new one.

【0019】一方、プローブカード4の使用回数が、所
定使用回数に満たないまま、その検査が終了する場合に
は、プローバ3の記憶部に記憶した使用回数を、プロー
ブカード4の記憶モジュール12へ送信する。このデー
タ送信も、上記メモリ13からプローバ3へのデータ送
信と同様に行われる。すなわち、プローバ3で更新され
た履歴データを、プローバ3から上記通信ポート16を
介して発信する。この履歴データの電波によって、プロ
ーブカード4の記憶モジュール12内のインダクタンス
15が誘導起電力を発生し、通信回路14が作動する。
通信回路14は、プローバ3からのデータ信号を受信し
て、メモリ13に、更新した履歴データを記憶させる。
このようにして、プローブカード4は、自身の履歴デー
タを記憶モジュール12に記憶することができる。
On the other hand, when the inspection is completed while the number of times of use of the probe card 4 is less than the predetermined number of times of use, the number of times of use stored in the storage unit of the prober 3 is stored in the storage module 12 of the probe card 4. Send. This data transmission is performed in the same manner as the data transmission from the memory 13 to the prober 3. That is, the history data updated by the prober 3 is transmitted from the prober 3 via the communication port 16. By the radio wave of the history data, the inductance 15 in the storage module 12 of the probe card 4 generates an induced electromotive force, and the communication circuit 14 operates.
The communication circuit 14 receives the data signal from the prober 3 and stores the updated history data in the memory 13.
In this manner, the probe card 4 can store its own history data in the storage module 12.

【0020】次に、別品種の検査を行う場合には、テス
トヘッド5に取り付けた上記プローブカード4を、上記
別品種に適応したプローブカード4と交換する。テスト
ヘッド5から取り外した、プローブカード4は、履歴デ
ータを記憶したまま保管される。上記記憶モジュール1
2のメモリ13は、不揮発性メモリなので、プローブカ
ード4をテストヘッド5から取り外して、管理するとき
にも、電源無しでメモリ13内の記憶が保たれるからで
ある。上記のように、プローブカード4の使用回数デー
タは、使用中に更新され、最新の使用回数が、所定使用
回数に達したかどうかを確認することができる。
Next, when testing another type, the probe card 4 attached to the test head 5 is replaced with a probe card 4 adapted to the different type. The probe card 4 removed from the test head 5 is stored with the history data stored. The above storage module 1
This is because the memory 13 of the second memory is a non-volatile memory, so that even when the probe card 4 is removed from the test head 5 and managed, the storage in the memory 13 is maintained without power supply. As described above, the usage count data of the probe card 4 is updated during use, and it can be checked whether the latest usage count has reached the predetermined usage count.

【0021】次に、各プローブカード4のメモリ13に
初期データを入力したり、履歴データを更新したりする
方法を説明する。図4に示すように、プローブカード4
を、検査スタンド17の支持部18に載せる。この検査
スタンド17には、通信ポート19が設けられ、この通
信ポート19にコントローラ20を接続している。上記
通信ポート19は、先に説明した検査装置の通信ポート
16と同様のもので、データを非接触で送受信するため
のポートである。つまり、上記通信ポート19とプロー
ブカード4の通信回路14とによってこの発明の第2の
通信手段を構成している。そこで、上記コントローラ2
0と検査スタンド17上のプローブカード4の記憶モジ
ュール12とは、上記通信ポート19を介して、データ
を送受信することができる。
Next, a method of inputting initial data to the memory 13 of each probe card 4 and updating history data will be described. As shown in FIG.
Is placed on the support portion 18 of the inspection stand 17. The inspection stand 17 is provided with a communication port 19, and a controller 20 is connected to the communication port 19. The communication port 19 is similar to the communication port 16 of the inspection apparatus described above, and is a port for transmitting and receiving data without contact. That is, the communication port 19 and the communication circuit 14 of the probe card 4 constitute the second communication means of the present invention. Therefore, the controller 2
0 and the storage module 12 of the probe card 4 on the inspection stand 17 can transmit and receive data via the communication port 19.

【0022】新しいプローブカード4の記憶モジュール
12には、上記コントローラ20から、各プローブカー
ド4に応じた所定使用回数や、使用回数「0」の初期デ
ータを送信する。また、プローブカード4を修理した場
合には、その修理履歴データを、コントローラ20から
記憶モジュール12へ入力する。もちろん、上記プロー
ブカード4の履歴データを、通信ポート19を介してコ
ントローラ20へ送信することもできる。このように、
コントローラ20へ履歴データを送信すれば、その履歴
データをコントローラ20で書き換えることもできる。
例えば、コントローラ20で、修理履歴を更新したり、
所定使用回数を変更したりすることもできる。また、コ
ントローラ20のモニタで、履歴データをいつでも確認
することもできる。上記コントローラ20が、この発明
のプローバとは別の信号入力手段を構成する。
To the storage module 12 of the new probe card 4, the controller 20 transmits a predetermined number of times of use corresponding to each probe card 4 and initial data of the number of times of use “0”. When the probe card 4 is repaired, the repair history data is input from the controller 20 to the storage module 12. Of course, the history data of the probe card 4 can be transmitted to the controller 20 via the communication port 19. in this way,
If the history data is transmitted to the controller 20, the history data can be rewritten by the controller 20.
For example, the controller 20 updates the repair history,
The predetermined number of times of use can be changed. The history data can be checked at any time on the monitor of the controller 20. The controller 20 constitutes another signal input means different from the prober of the present invention.

【0023】以上説明したように、各プローブカード4
の記憶モジュール12に、自身の履歴データを記憶させ
るようにしたので、従来のように、履歴データを記入す
る記録簿を作成したり、管理したりする必要がなくなっ
た。また、記憶モジュール12は、プローブカード4に
固定されているので、プローブカード4とその履歴デー
タとが常に一体化していて、バラバラになってしまうよ
うなことはない。従来は、プローブカード4と記録簿と
がバラバラになってしまった場合に、そのプローブカー
ド4の履歴データが解らなくなってしまうこともあった
が、この発明では、プローブカード4の履歴データは、
プローバ3やコントローラ20を介して、いつでも確認
することができる。
As described above, each probe card 4
The storage module 12 stores its own history data, so that it is no longer necessary to create or manage a record book for writing history data as in the related art. Further, since the storage module 12 is fixed to the probe card 4, the probe card 4 and its history data are always integrated, and there is no possibility that the storage card 12 will be scattered. Conventionally, when the probe card 4 and the record book are separated, the history data of the probe card 4 may not be understood. However, in the present invention, the history data of the probe card 4 is
It can be confirmed at any time via the prober 3 or the controller 20.

【0024】なお、この実施例では、通信回路14がイ
ンダクタンス15の誘導起電力によって作動するように
しているため、通信回路14用の電源配線が不要であ
る。さらに、通信回路13と通信ポート16、19間の
データ通信を非接触方式にしているので、通信配線も不
要である。このように、配線が無ければ、配線がじゃま
になるようなことが無くて、基板9への取り付け位置の
自由度が高いうえ取付が簡単である。上記実施例では、
プローバ3や、検査スタンド17に、通信ポート16、
19を設けなければならないが、消耗品であるプローブ
カード4の変更を最小限にできるので、コストが掛から
ない。もしも、記憶モジュール12に配線があると、測
定中の振動がプローブカードに伝わった場合、配線が無
い場合と比べてぶれが大きくなるので、配線がはずれた
り、記憶モジュール12がずれてしまったりすることが
起こる。そのため、基板9への固定をより強固にしなけ
ればならないが、上記実施例のように、配線が無い場合
には、簡単な接着などで対応できる。
In this embodiment, since the communication circuit 14 is operated by the induced electromotive force of the inductance 15, the power supply wiring for the communication circuit 14 is unnecessary. Further, since data communication between the communication circuit 13 and the communication ports 16 and 19 is performed in a non-contact manner, no communication wiring is required. As described above, if there is no wiring, the wiring is not obstructed, the degree of freedom of the mounting position on the substrate 9 is high, and the mounting is simple. In the above embodiment,
The prober 3, the inspection stand 17, the communication port 16,
Although 19 must be provided, the cost is not increased because the change of the probe card 4 which is a consumable can be minimized. If the storage module 12 has wiring, the vibration during the measurement is transmitted to the probe card, and the vibration is larger than in the case where there is no wiring. Things happen. For this reason, the fixing to the substrate 9 must be further strengthened. However, when there is no wiring as in the above embodiment, it can be dealt with by simple bonding or the like.

【0025】また、記憶モジュールをフィルム基板上に
形成し、絶縁シートで被覆して、全体をフィルム状にす
れば、プローブカード4のどこにでも、貼り付けること
ができる。記憶モジュールを曲げることができるので、
基板9の上下底面だけでなく、側面に貼り付けることも
できるし、基板9上にテスト用の配線が設けられてい留
場合にも、その上に重ねて貼り付けることもできる。そ
して、上記フィルム状の記憶モジュールの片面に予め接
着層を設けておけば、記憶モジュールを、シールのよう
に簡単に貼り付けることができる。特に、通信回線14
のアンテナ部分を、細長いフィルム状に形成して、プロ
ーブカード4の外周に巻き付けるように貼れば、長いア
ンテナもじゃまにならないで、高感度を達成できる。
If the storage module is formed on a film substrate and covered with an insulating sheet to form a film as a whole, the storage module can be attached anywhere on the probe card 4. Since the memory module can be bent,
It can be attached not only to the upper and lower bottom surfaces of the substrate 9 but also to the side surfaces. Even when the test wiring is provided on the substrate 9, it can be attached to the test wiring. If an adhesive layer is provided in advance on one side of the film-shaped storage module, the storage module can be easily attached like a seal. In particular, the communication line 14
By forming the antenna portion in a long and thin film shape and pasting it around the outer periphery of the probe card 4, high sensitivity can be achieved without disturbing the long antenna.

【0026】また、上記検査装置では、ウエハの検査を
行う前に、記憶モジュール12内のデータをプローバ3
に送信し、検査終了後に、プローバ3からデータを受信
してメモリ13のデータを更新する。すなわち、ウエハ
の検査中には、記憶モジュール12内の回路が作動する
ことは無い。したがって、記憶モジュールの動作中に発
生する電磁波が、ウエハ基板の検査に悪影響を与える心
配はない。ただし、外部からの電磁波によって、記憶モ
ジュール12が誤動作することがないように、記憶モジ
ュール12を作動させるための電波の周波数や強度を、
検査信号の周波数や強度と、変えて設定すれば、より安
心である。
In the above inspection apparatus, the data in the storage module 12 is stored in the prober 3 before the inspection of the wafer.
After the inspection is completed, the data is received from the prober 3 and the data in the memory 13 is updated. That is, the circuit in the storage module 12 does not operate during the inspection of the wafer. Therefore, there is no concern that the electromagnetic waves generated during the operation of the storage module will adversely affect the inspection of the wafer substrate. However, in order to prevent the storage module 12 from malfunctioning due to external electromagnetic waves, the frequency and intensity of radio waves for operating the storage module 12 are
It is safer to change the frequency and strength of the test signal.

【0027】また、上記記憶モジュールを作動させるた
めの電波に指向性を持たせ、特定の方向からの電波でし
か作動しないようにしておけば、デバイスの検査中に、
記憶モジュール12勝手にが作動することを防止でき
る。さらに、上記記憶モジュール12に、特定の信号が
入力しない限り、記憶モジュール12が動作しないよう
なプログラムを組み込んでおくこともできる。このよう
なプログラムを備えれば、外部の電波によって、記憶モ
ジュール12が誤作動することをより確実に防止でき
る。
If the radio wave for operating the storage module is provided with directivity so that it can be operated only by a radio wave from a specific direction, during the device inspection,
The operation of the storage module 12 without permission can be prevented. Furthermore, a program that does not operate the storage module 12 unless a specific signal is input to the storage module 12 can be incorporated. With such a program, it is possible to more reliably prevent the storage module 12 from malfunctioning due to external radio waves.

【0028】なお、半導体デバイスの製造ラインに、複
数の検査装置を設置した場合、各プローバ3にCPUな
どを接続し、このCPUにテスター6の判定データを入
力して、半導体デバイスの不良率などを管理することも
できる。この実施例では、プローブカード4の交換時期
をモニタにより作業員が確認するようにしているが、作
業員に交換時期を報せる手段はモニタに限らない。例え
ば、プローブカード4が所定使用回数に達したときに、
警報を発するとか、自動的に検査装置を止めるようにし
ても良い。
When a plurality of inspection devices are installed on a semiconductor device manufacturing line, a CPU or the like is connected to each prober 3 and judgment data of the tester 6 is input to each of the CPUs to determine a defect rate of the semiconductor device. Can also be managed. In this embodiment, the operator confirms the replacement time of the probe card 4 by the monitor, but the means for notifying the worker of the replacement time is not limited to the monitor. For example, when the probe card 4 reaches a predetermined number of uses,
An alarm may be issued or the inspection device may be automatically stopped.

【0029】[0029]

【発明の効果】第1の発明によれば、プローブカードに
記憶モジュールを設けて、そこに各プローブカードの履
歴データを記憶させることができる。このように、各履
歴データを各記憶モジュールに記憶させるようにすれ
ば、履歴データを記録した記録簿の作成や管理が不要に
なる。また、プローブカードと履歴データとが一体化し
ているので、データの管理が簡単である。
According to the first aspect of the present invention, it is possible to provide a storage module in the probe card and store the history data of each probe card therein. As described above, if each history data is stored in each storage module, it is not necessary to create and manage a record book in which the history data is recorded. In addition, since the probe card and the history data are integrated, data management is easy.

【0030】また、不揮発性メモリを採用したので、通
信により、記憶させたデータを保持するための電源が必
要ない。記憶モジュールに、通信回路の作動用電源とし
てインダクタンスを設けたので、通信回路用の電源を接
続する必要がない。さらに、通信が、通信回路と通信ポ
ート間で非接触で行われるので、信号線もいらない。つ
まり、記憶モジュールには、外部配線が全く不要であ
る。このように、じゃまな外部配線が無いので、従来の
プローブカードを改造することなく、プローブカード上
のどこにでも、簡単に記憶モジュールを取り付けるだけ
で、この発明の検査装置に用いるプローブカードを構成
することができる。さらに、半導体デバイスの検査後に
プローバで履歴データを更新し、記憶モジュールにはい
つも最新のデータを記憶させることができる。
Further, since a non-volatile memory is employed, a power supply for holding stored data through communication is not required. Since the storage module is provided with an inductance as a power supply for operating the communication circuit, there is no need to connect a power supply for the communication circuit. Further, since communication is performed without contact between the communication circuit and the communication port, no signal line is required. That is, no external wiring is required for the storage module. As described above, since there is no obstructive external wiring, the probe card used in the inspection apparatus of the present invention can be configured by simply attaching the storage module anywhere on the probe card without modifying the conventional probe card. be able to. In addition, after inspection of semiconductor devices
Update the history data with the prober and enter
Even the latest data can be stored.

【0031】第2の発明によれば、記憶モジュールをフ
ィルム状に構成することによって、コンパクト化すると
ともに、可撓性を持たせることができる。したがって、
記憶モジュールがプローブカードに取り付け易くなると
ともに、検査装置全体を小さくできる。第3〜第6の発
明によれば、記憶モジュールが、検査中に作動すること
を防止できるので、検査中に記憶モジュールから電磁波
が発生して、検査に影響を与えることが無い。第7の発
明によれば、プローブカードを使用していないときに、
修理履歴データを入力したり、記憶モジュールの初期化
ができる。
According to the second aspect of the present invention, the memory module is formed in a film shape, so that the memory module can be made compact and flexible. Therefore,
The storage module can be easily attached to the probe card, and the size of the entire inspection apparatus can be reduced. Third to sixth departures
According to the description , since the storage module can be prevented from operating during the inspection, the storage module does not generate electromagnetic waves during the inspection and does not affect the inspection. 7th departure
According to Ming, when not using a probe card,
You can input repair history data and initialize the storage module.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施例の検査装置に用いるプローブ
カードの正面図である。
FIG. 1 is a front view of a probe card used in an inspection device according to an embodiment of the present invention.

【図2】この発明の実施例のプローブカードに設けた記
憶モジュールの構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of a storage module provided in the probe card according to the embodiment of the present invention.

【図3】この発明の実施例の検査装置の概略図である。FIG. 3 is a schematic view of an inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図4】この発明の実施例のプローブカードに、初期デ
ータや修理履歴データを入力する際の装置の構成図であ
る。
FIG. 4 is a configuration diagram of an apparatus for inputting initial data and repair history data to the probe card according to the embodiment of the present invention.

【図5】従来例の検査装置の概略図である。FIG. 5 is a schematic view of a conventional inspection apparatus.

【図6】従来例のプローブカードの正面図である。FIG. 6 is a front view of a conventional probe card.

【図7】ウエハ基盤表面のモデル図である。FIG. 7 is a model diagram of a wafer base surface.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ウエハ基盤 2 ステージ 3 プローバ 4 プローブカード 6 テスター 7 半導体デバイス 8 コンタクトポイント 11 プローブ針 12 記憶モジュール 13 メモリ 14 通信回路 15 インダクタンス 16 通信ポート 19 通信ポート 20 コントローラ Reference Signs List 1 wafer base 2 stage 3 prober 4 probe card 6 tester 7 semiconductor device 8 contact point 11 probe needle 12 storage module 13 memory 14 communication circuit 15 inductance 16 communication port 19 communication port 20 controller

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/66 G01R 31/26 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/66 G01R 31/26

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ウエハ基盤を載せるステージと、このス
テージに対向させプローブ針を備えたプローブカード
と、上記ウエハ基盤のコンタクトポイントと上記プロー
ブ針との位置関係を調整して上記プローブ針をコンタク
トポイントに接触させるプローバと、プローブ針を接触
させたウエハ基盤の機能を検査するテスターとを備えた
半導体デバイスの検査装置において、プローブカードに
備えた記憶モジュールと、この記憶モジュールとプロー
バ間でデータ通信を行うための通信手段とを備え、上記
記憶モジュールが、通信回路と、この通信回路を介して
入力されるデータを記憶する不揮発性メモリと、インダ
クタンスとを備えるとともに、上記通信手段が、通信回
路と、プローバに設けた通信ポートとからなり、上記イ
ンダクタンスが外部電波によって発生する誘導起電力で
上記通信回路を作動させ、上記通信回路と通信ポート間
は非接触でデータ通信可能に構成し、半導体デバイスの
検査開始前に、記憶モジュールに記憶したプローブカー
ドの使用履歴データを、上記通信手段を介してプローバ
に入力し、検査終了後に、プローバで更新した使用履歴
データを上記通信手段を介してプローブカードの記憶モ
ジュールへ入力することを特徴とする半導体デバイスの
検査装置。
1. A stage on which a wafer base is placed, a probe card facing the stage and provided with probe needles, and a positional relationship between a contact point of the wafer base and the probe needles is adjusted to bring the probe needles into contact points. In a semiconductor device inspection apparatus having a prober that comes into contact with a probe, and a tester that inspects the function of a wafer substrate that has come into contact with a probe needle, a storage module provided on a probe card, and data communication between the storage module and the prober Communication means for performing, the storage module comprises a communication circuit, a nonvolatile memory for storing data input via the communication circuit, and an inductance, and the communication means, the communication circuit, And a communication port provided on the prober. The communication circuit is operated by the induced electromotive force generated by the wave, and the communication circuit and the communication port are configured to be capable of non-contact data communication .
Before starting the inspection, the probe car stored in the storage module
The usage history data of the
And the use history updated by the prober after the inspection is completed
The data is stored in the storage card of the probe card via the communication means.
An inspection apparatus for semiconductor devices, wherein the input is to a joule .
【請求項2】 記憶モジュールをフィルム状に形成する
とともに、上記記憶モジュールをプローブカード表面に
貼り付けたことを特徴とする請求項1記載の半導体デバ
イスの検査装置。
2. The semiconductor device inspection apparatus according to claim 1 , wherein the storage module is formed in a film shape, and the storage module is attached to a surface of the probe card.
【請求項3】 通信回路を作動させる電波の周波数が、
ウエハ基盤を検査する際の検査信号の周波数領域に含ま
れないことを特徴とする請求項1または2に記載の半導
体デバイスの検査装置。
3. The frequency of a radio wave for operating a communication circuit is:
3. The semiconductor device inspection apparatus according to claim 1 , wherein the inspection apparatus is not included in a frequency range of an inspection signal when inspecting a wafer substrate .
【請求項4】 記憶モジュールの通信回路を作動させる
電波の強度が、ウエハ基盤を検査する際の検査信号強度
より強いことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1に
記載の半導体デバイスの検査装置。
4. The semiconductor device according to claim 1 , wherein an intensity of a radio wave for operating a communication circuit of the storage module is higher than an inspection signal intensity when inspecting the wafer substrate . Inspection equipment.
【請求項5】 記憶モジュールを作動させる電波に指向
性を持たせたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか
1に記載の半導体デバイスの検査装置。
5. The semiconductor device inspection apparatus according to claim 1 , wherein the radio waves for operating the storage module have directivity.
【請求項6】 記憶モジュールが、特定の入力信号によ
ってのみ動作するためのプログラムを備えていることを
特徴とする請求項1〜5のいずれか1に記載の半導体デ
バイスの検査装置。
6. The semiconductor device inspection apparatus according to claim 1 , wherein the storage module has a program for operating only by a specific input signal.
【請求項7】 記憶モジュールにデータを入力するため
のプローバとは別の信号入力手段と第2の通信手段とを
備え、この信号入力手段および第2の通信手段を介し
て、プローブカードの修理履歴や耐用回数などを上記記
憶モジュールに記憶させることを特徴とする請求項1〜
のいずれか1に記載の半導体デバイスの検査装置。
7. A probe card which is different from a prober for inputting data to a storage module and which is provided with a second communication means. The probe card is repaired via the signal input means and the second communication means. The storage module according to claim 1 , wherein a history and a number of times of use are stored in the storage module .
7. The semiconductor device inspection apparatus according to any one of 6 .
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