JP3105977B2 - Mold for forming fine uneven patterns - Google Patents
Mold for forming fine uneven patternsInfo
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- B29C45/2632—Stampers; Mountings thereof
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば光磁気ディス
ク、光メモリディスク、あるいは光カード等の情報記録
媒体などを製造する際使用される微細凹凸パターン成形
用成形型に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mold for forming a fine uneven pattern used for manufacturing an information recording medium such as a magneto-optical disk, an optical memory disk or an optical card.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光ディスク、光メモリディスク、あるい
は光カード等の情報記録媒体には、通常、基板の主表面
にトラック用溝や情報用ピット等の微細凹凸パターンが
形成されている。この微細凹凸パターンは、微細凹凸パ
ターンを有する成形型（スタンパ）を用い、インジェク
ション法、熱プレス法、２Ｐ法、又は注型成形法等の方
法により樹脂などの材料を成形することにより得てい
る。2. Description of the Related Art In an information recording medium such as an optical disk, an optical memory disk, or an optical card, a fine uneven pattern such as a track groove or an information pit is usually formed on a main surface of a substrate. This fine concavo-convex pattern is obtained by molding a material such as a resin by a method such as an injection method, a hot press method, a 2P method, or a casting method using a molding die (stamper) having the fine concavo-convex pattern. .
【０００３】このように、情報記録媒体の表面に微細凹
凸パターンを形成するときに用いられる微細凹凸パター
ン成形用成形型としては、例えば、特開昭６４−６６８
４６号公報に開示されているものが知られている。この
公報に開示されている成形型は、ガラス等で構成される
基板上にクロムからなる微細凹凸パターンを形成したも
のである。[0003] As described above, as a molding die for forming a fine uneven pattern used when forming a fine uneven pattern on the surface of an information recording medium, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 64-668 is known.
One disclosed in Japanese Patent Publication No. 46 is known. The mold disclosed in this publication has a fine uneven pattern made of chromium formed on a substrate made of glass or the like.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、微細凹凸パ
ターン成形用成形型は、使用する度に樹脂等の材料が微
細凹凸パターンに付着してしまうので、頻繁な洗浄を施
す必要がある。この場合の洗浄方法は、通常、濃硫酸を
洗浄液とした化学洗浄である。By the way, in the mold for forming a fine uneven pattern, a material such as resin adheres to the fine uneven pattern each time it is used, so that it is necessary to perform frequent cleaning. The cleaning method in this case is usually chemical cleaning using concentrated sulfuric acid as a cleaning liquid.
【０００５】ところが、上述の特開昭６４−６６８４６
号公報に開示されているような、基板上にクロムからな
る微細凹凸パターンを形成した成形型は、化学洗浄の際
に微細凹凸パターンが多数欠落してしまうという問題点
があった。発明者の究明によれば、この問題点が生ずる
原因は次の現象によるものであることが解明された。[0005] However, the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 64-68646.
In the mold disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H10-175, in which a fine uneven pattern made of chromium is formed on a substrate, there is a problem that many fine uneven patterns are missing during chemical cleaning. According to the inventor's investigation, it has been found that the cause of this problem is due to the following phenomenon.
【０００６】すなわち、クロムからなる微細凹凸パター
ンの表面は、通常、空気中の酸素によって酸化された薄
い酸化クロム被膜に常に覆われているので、洗浄液が濃
硫酸だけであるならばクロムが洗浄液中に溶け出すこと
はない。しかしながら、微細凹凸パターンを形成した成
形型（スタンパ）は、その製造後、これをスタンパとし
て用いて成形作業を行う際には、クリーンルームでな
く、一般の作業場で用いられる場合が少なくない。しか
も、この成形作業を行う作業場には他の工作機械その他
種々の装置や材料等がおかれていることが多い。このた
め、作業場内には種々の物質の微粒子が浮游している。
この微粒子の中にはアルミニウム等の金属の小片が含ま
れている場合が多い。このため、このアルミニウム等の
金属の小片が微細凹凸パターンの表面に付着したり、あ
るいは、洗浄液中に混入したりする。さらに、洗浄室内
でもアルミニウム等の金属からなる治具を用いる場合が
多いので、この治具等から離脱した金属小片が濃硫酸洗
浄液中に混入し、それが洗浄中に微細凹凸パターンの表
面に付着する場合も多い。このようにして微細凹凸パタ
ーンの表面に付着した金属小片の一部が溶けて陽イオン
になると共に、その金属小片に残る電子が酸化クロム被
膜に移動し、酸化クロムを還元してしまう。その結果、
酸化クロムは金属クロムとなり濃硫酸洗浄液中に溶けて
しまうため、酸化クロム被膜に覆われていた濃硫酸に可
溶なクロムが溶け出してしまい、ついには、微細凹凸パ
ターンの欠落という欠陥が生じてしまう。そして、洗浄
を頻繁に行うと、この欠落は、無視できない程の数に達
してしまう。That is, the surface of the fine uneven pattern made of chromium is usually always covered with a thin chromium oxide film oxidized by oxygen in the air. Does not melt into However, when a molding die (stamper) on which a fine concavo-convex pattern is formed is subjected to a molding operation using the same as a stamper after production, it is often used not in a clean room but in a general workplace. In addition, there are many cases where other machine tools and other various devices and materials are placed in a work place where the molding operation is performed. For this reason, fine particles of various substances are floating in the work place.
These fine particles often contain small pieces of metal such as aluminum. For this reason, the small pieces of the metal such as aluminum adhere to the surface of the fine uneven pattern or are mixed in the cleaning liquid. Furthermore, since a jig made of a metal such as aluminum is often used even in the cleaning chamber, small metal pieces detached from the jig and the like are mixed into the concentrated sulfuric acid cleaning solution and adhere to the surface of the fine uneven pattern during the cleaning. In many cases. In this manner, a part of the small metal piece attached to the surface of the fine uneven pattern is melted to become a cation, and the electrons remaining in the small metal piece move to the chromium oxide film and reduce the chromium oxide. as a result,
The chromium oxide becomes metallic chromium and dissolves in the concentrated sulfuric acid cleaning solution, so that the chromium soluble in the concentrated sulfuric acid covered by the chromium oxide coating is dissolved, and finally, a defect such as a lack of a fine uneven pattern occurs. I will. If cleaning is performed frequently, the number of missing parts reaches a value that cannot be ignored.
【０００７】本発明は、上述の背景のもとでなされたも
のであり、頻繁に化学洗浄をしても微細凹凸パターンに
欠落が生ずることのない微細凹凸パターン成形用成形型
を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned background, and an object of the present invention is to provide a mold for forming a fine uneven pattern which does not cause a drop in the fine uneven pattern even when frequently subjected to chemical cleaning. Aim.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明にかかる微細凹凸パターン成形用成形型
は、基板上に微細凹凸パターンを有する微細凹凸パター
ン成形用成形型において、前記微細凹凸パターンを窒素
とクロムとを含む材料で構成し、かつこの材料中の窒素
含有量を２０原子％以上にしたことを特徴とする構成と
した。Means for Solving the Problems To solve the above-mentioned problems, a mold for forming a fine uneven pattern according to the present invention is a mold for forming a fine uneven pattern having a fine uneven pattern on a substrate. The concavo-convex pattern is made of a material containing nitrogen and chromium, and the nitrogen content in the material is set to 20 atom% or more.
【０００９】[0009]
【作用】上述の構成において、微細凹凸パターンを窒素
とクロムとを含む材料で構成し、かつこの材料中の窒素
含有量を２０原子％以上にしたことにより、頻繁な化学
洗浄を施しても微細凹凸パターンに欠陥を生ずることが
ほぼなくなった。In the above structure, the fine concavo-convex pattern is made of a material containing nitrogen and chromium, and the nitrogen content in the material is set to 20 atom% or more, so that the fine pattern can be formed even if frequent chemical cleaning is performed. Defects were almost eliminated in the uneven pattern.
【００１０】これは、微細凹凸パターンを、窒素とクロ
ムとを含む材料で構成し、かつこの材料中の窒素含有量
を２０原子％以上にしたことにより、濃硫酸洗浄液に対
して耐性を有するようになったためである。すなわち、
硫酸洗浄液中で微細凹凸パターンに金属小片から電子が
移動し、微細凹凸パターンを覆っている酸化クロム被膜
が還元されて溶けてしまっても、微細凹凸パターンが溶
け出してしまうことがない。[0010] This is because the fine concavo-convex pattern is made of a material containing nitrogen and chromium, and the nitrogen content in the material is set to 20 atom% or more, so that the pattern is resistant to a concentrated sulfuric acid cleaning solution. Because it became. That is,
Even if electrons move from small metal pieces to the fine uneven pattern in the sulfuric acid cleaning solution and the chromium oxide film covering the fine uneven pattern is reduced and melted, the fine uneven pattern does not melt.
【００１１】[0011]
【実施例】実施例１ 図１は本発明の実施例１にかかる微細凹凸パターン成形
用成形型の断面図である。Embodiment 1 FIG. 1 is a sectional view of a mold for forming a fine uneven pattern according to Embodiment 1 of the present invention.
【００１２】図１において、微細凹凸パターン成形用成
形型１０は、石英ガラスからなる基板１上に、凸部２ａ
と凹部２ｂとからなる微細凹凸パターン２が形成された
ものである。なお、凸部２ａの両側面は基板表面に垂直
な面に対して所定の角度をなす傾斜面に形成されてお
り、成形時における離型を容易にしている。In FIG. 1, a mold 10 for forming a fine uneven pattern is provided on a substrate 1 made of quartz glass, with a projection 2a.
And a concave / convex pattern 2 composed of a concave portion 2b. Note that both side surfaces of the convex portion 2a are formed as inclined surfaces forming a predetermined angle with respect to a surface perpendicular to the substrate surface, thereby facilitating mold release during molding.
【００１３】微細凹凸パターン２は、基板１上にクロム
と窒素とを含む材料で薄膜を形成し、しかる後、この薄
膜にフォトリソグラフィー法を施し、薄膜の一部を微細
パターンに沿って除去することにより、微細凹凸パター
ン２を形成したものである。この場合、薄膜の材料とし
て、クロムを母材とし、窒素（Ｎ）を３０原子％含む材
料を用いた。したがって、微細凹凸パターン２の凸部２
ａはクロムを母材とし、窒素（Ｎ）を３０原子％含む材
料で構成されている。この材料における窒素とクロムと
の共存状態は、主として、窒素がクロムと化合して窒化
クロム（おもにＣｒＮ、場合によってはＣｒＮ2 もしく
はＣｒ2 Ｎ）として存在し、この窒化クロムがクロム母
材中に分散されたような形態となっている。In the fine uneven pattern 2, a thin film is formed on the substrate 1 using a material containing chromium and nitrogen, and thereafter, the thin film is subjected to photolithography to remove a part of the thin film along the fine pattern. Thus, the fine uneven pattern 2 is formed. In this case, as a material of the thin film, a material containing chromium as a base material and containing 30 atomic% of nitrogen (N) was used. Therefore, the convex portion 2 of the fine uneven pattern 2
a is made of a material containing chromium as a base material and containing 30 atomic% of nitrogen (N). The coexistence state of nitrogen and chromium in this material is mainly that nitrogen combines with chromium and exists as chromium nitride (mainly CrN, and sometimes CrN 2 or Cr 2 N), and this chromium nitride is contained in the chromium base material. It is in the form of being dispersed.
【００１４】この実施例の微細凹凸パターン成形用成形
型に、アルミニウムの微粉を一様にふりかけ、しかる
後、濃硫酸（液温５０°Ｃ）に１分間侵漬した後、パタ
ーンの欠落数を調べたところ、欠落は全く認められなか
った。ちなみに、微細凹凸パターンをクロムのみで構成
した微細凹凸パターン成形用成形型に同様の試験を施し
たところ、パターンの欠落数が５００以上であった（図
２の比較例１参照）。なお、この試験は正規の成形時に
おける洗浄の条件に比較して著しく苛酷な試験である。
したがって、この試験で欠落数が数十ないし百個程度以
内であれば、成形時の洗浄でパターンの欠落が生ずるこ
とはまずないとみてよいものである。The aluminum fine powder is evenly sprinkled on the mold for forming a fine uneven pattern of this embodiment, and then immersed in concentrated sulfuric acid (liquid temperature of 50 ° C.) for one minute. Upon examination, no omissions were observed. Incidentally, when the same test was performed on a mold for forming a fine concavo-convex pattern in which the fine concavo-convex pattern was composed only of chromium, the number of missing patterns was 500 or more (see Comparative Example 1 in FIG. 2). This test is extremely severe compared to the cleaning conditions at the time of regular molding.
Therefore, if the number of missing portions in this test is within several tens or hundreds, it can be considered that pattern missing is unlikely to occur during cleaning during molding.
【００１５】次に、この実施例にかかる微細凹凸パター
ン成形用成形型の製造手順を説明する。Next, a description will be given of a procedure of manufacturing a mold for forming a fine uneven pattern according to this embodiment.
【００１６】まず、寸法が５インチ×５インチ×０．０
９インチで主表面を鏡面研磨したガラス基板１を用意し
た。First, the dimensions are 5 inches × 5 inches × 0.0
A glass substrate 1 having a 9-inch mirror-polished main surface was prepared.
【００１７】次に、この基板１の一主表面に、ＡｒとＮ
2 の混合ガス（Ａｒ：Ｎ2 ＝７０：３０モル％）をスパ
ッターガスとし、クロムをスパッタリングターゲットと
したプレーナーマグネトロン直流スパッタリング法によ
り、膜厚３０００オングストロームの窒化クロムを含む
クロム膜を形成した。Next, on one main surface of the substrate 1, Ar and N
A chromium film containing chromium nitride and having a film thickness of 3000 Å was formed by a planar magnetron direct current sputtering method using a mixed gas of 2 (Ar: N 2 = 70: 30 mol%) as a sputtering gas and chromium as a sputtering target.
【００１８】次に、前記窒化クロムを含むクロム膜上
に、フォトレジストＡＺ１３５０（米国ヘキスト社製の
商品名）をスピンコートして膜厚５０００オングストロ
ームのレジスト膜を形成した後、レジスト膜を６０℃で
３０分ベークした。このベーク温度は、フォトレジスト
毎に固有の最適設定温度（この場合は９０℃）よりも低
い。このように低い温度でベークするのは、後のエッチ
ング工程において微細パ凹凸ターンを形成するときに、
凸部の両側面に傾斜を付けるためである。Next, a photoresist AZ1350 (trade name, manufactured by Hoechst Corporation, USA) is spin-coated on the chromium film containing chromium nitride to form a 5000-Å-thick resist film. And baked for 30 minutes. This bake temperature is lower than the optimum set temperature (in this case, 90 ° C.) specific to each photoresist. Baking at such a low temperature is necessary when forming a fine uneven surface in a later etching step.
This is for making both side surfaces of the convex portion inclined.
【００１９】すなわち、低い温度でベークすると、クロ
ム膜とレジスト膜との密着度合いが弱くなる。このた
め、レジストにパターンを形成してエッチングを行うと
き、エッチング液がパターンの境界部近傍において、レ
ジスト膜とクロム膜との間に侵入し、クロム膜の上方の
エッチング度合いを早くする。その結果、パターン境界
部におけるクロム膜の上部が下部より多くエッチングさ
れ、傾斜面（テーパ面）が形成されることになる。That is, when baking is performed at a low temperature, the degree of adhesion between the chromium film and the resist film becomes weak. For this reason, when a pattern is formed on a resist and etching is performed, an etchant penetrates between the resist film and the chromium film near the boundary of the pattern, thereby increasing the degree of etching above the chromium film. As a result, the upper portion of the chromium film at the pattern boundary is etched more than the lower portion, and an inclined surface (tapered surface) is formed.
【００２０】次に、微細凹凸パターンが形成されたフォ
トマスクを用いて水銀ランプにより上記レジスト膜を露
光し、現像してレジストパターンを形成した。Next, the resist film was exposed by a mercury lamp using a photomask on which a fine uneven pattern was formed, and developed to form a resist pattern.
【００２１】次に、硝酸第２セリウムアンモニウム１６
５ｇと過塩素酸（７０％）４２ｍｌに純水を加えて１０
００ｍｌにしたエッチング液を用いて、窒化クロムを含
むクロム膜をエッチングし、次いで所定の剥離液により
レジストパターンを剥離することにより、微細凹凸パタ
ーン成形用成形型１０（図１参照）を得た。この実施例
の微細凹凸パターン成形用成形型１０の微細凹凸パター
ン２は、略２．５μｍ四方の凸部２ａと凹部２ｂとが約
１万個形成されたものである。Next, ceric ammonium nitrate 16
Pure water is added to 5 g and 42 ml of perchloric acid (70%), and 10
The chromium film containing chromium nitride was etched with the use of a 100 ml etching solution, and then the resist pattern was stripped with a predetermined stripping solution to obtain a mold 10 for forming a fine concavo-convex pattern (see FIG. 1). The fine concavo-convex pattern 2 of the mold 10 for forming a fine concavo-convex pattern of this embodiment is formed by forming approximately 10,000 convex portions 2a and concave portions 2b of approximately 2.5 μm square.
【００２２】実施例２〜５ 上述の実施例１の微細凹凸パターン成形用成形型を製造
する工程におけるスパッターガス中のＮ2 の含有量を変
えた以外は実施例１と同様な方法により、実施例２〜５
にかかる微細凹凸パターン成形用成形型をそれぞれ製造
した。こうして得た各微細凹凸パターン成形用成形型に
おける微細凹凸パターンを構成する材料中の窒素含有量
をオージェ電子分光法で調べたところ、それぞれ、２０
（実施例２）、２５（実施例３）、４０（実施例４）、
５０（実施例５）原子％であった。 Examples 2 to 5 In the same manner as in Example 1 except that the content of N 2 in the sputtering gas was changed in the step of manufacturing the mold for forming a fine concavo-convex pattern of Example 1 described above. Examples 2-5
, And a mold for forming a fine concave-convex pattern was manufactured. The nitrogen content in the material constituting the fine concavo-convex pattern in each of the thus obtained molds for forming fine concavo-convex pattern was examined by Auger electron spectroscopy.
(Example 2), 25 (Example 3), 40 (Example 4),
It was 50 (Example 5) atomic%.
【００２３】また、それぞれについて、実施例１と同様
の方法によってアルミニウム微粉末を付着して濃硫酸に
１分間侵漬した後、パターン欠落数を調べたところ、８
７個（実施例２）、４個（実施例３）、１個（実施例
４）、０個（実施例５）であった。Further, for each of them, the aluminum fine powder was adhered in the same manner as in Example 1 and immersed in concentrated sulfuric acid for 1 minute.
There were 7 pieces (Example 2), 4 pieces (Example 3), 1 piece (Example 4), and 0 pieces (Example 5).
【００２４】比較例２〜３ 上述の実施例１の微細凹凸パターン成形用成形型を製造
する工程におけるスパッターガス中のＮ2 の含有量を変
えた以外は実施例１と同様な方法により、比較例２〜３
にかかる微細凹凸パターン成形用成形型をそれぞれ製造
した。こうして得た各微細凹凸パターン成形用成形型に
おける微細凹凸パターンを構成する材料中の窒素含有量
をオージェ電子分光法で調べたところ、それぞれ、１０
（比較例２）、１５（比較例３）原子％であった。 Comparative Examples 2 to 3 Comparative examples 2 to 3 were performed in the same manner as in Example 1 except that the content of N 2 in the sputter gas was changed in the step of manufacturing the mold for forming a fine uneven pattern of Example 1 described above. Examples 2-3
, And a mold for forming a fine concave-convex pattern was manufactured. The nitrogen content in the material constituting the fine concavo-convex pattern in each of the molds for forming fine concavo-convex patterns thus obtained was examined by Auger electron spectroscopy.
(Comparative Example 2) and 15 (Comparative Example 3) were at%.
【００２５】また、それぞれについて、実施例１と同様
の方法によってアルミニウム微粉末を付着して濃硫酸に
１分間侵漬した後、パターン欠落数を調べたところ、と
もに５００個以上であった。In each case, fine aluminum powder was adhered in the same manner as in Example 1 and immersed in concentrated sulfuric acid for 1 minute, and the number of missing patterns was examined.
【００２６】図２は、以上説明した実施例１〜５、比較
例１〜３について、微細凹凸パターンに含まれる窒素含
有量と、パターン欠落数とをまとめて表に示したもので
ある。FIG. 2 is a table summarizing the nitrogen content contained in the fine uneven pattern and the number of missing patterns in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 described above.
【００２７】図２に示される結果から明らかなように、
窒素含有量が２０％を越えると、パターン欠落数がめだ
って減少する。苛酷なこの試験においてこの程度の欠落
数であれば、実際の成形時の洗浄ではまずパターン欠落
を生ずることがないとみてよい。さらに、窒素含有量が
２５％以上になると、この苛酷な試験でもパターンの欠
落がほぼなくなることがわかる。As is apparent from the results shown in FIG.
When the nitrogen content exceeds 20%, the number of missing patterns decreases remarkably. With such a severe number of drops in this severe test, it can be considered that the pattern is not dropped in the cleaning at the time of actual molding. Furthermore, when the nitrogen content is 25% or more, it can be seen that even in this severe test, the lack of the pattern is almost eliminated.
【００２８】また、窒素含有量が５０％を越えても特に
問題はないが、微細凹凸パターンとなる薄膜をスパッタ
リング等の薄膜形成技術で形成する場合には、窒素含有
量を５０〜６０原子％以上にすることは技術的に困難で
あり、この意味で窒素含有量は６０％程度が上限とな
る。There is no particular problem even if the nitrogen content exceeds 50%. However, when a thin film to be a fine uneven pattern is formed by a thin film forming technique such as sputtering, the nitrogen content is reduced to 50 to 60 atomic%. It is technically difficult to achieve the above, and in this sense, the upper limit of the nitrogen content is about 60%.
【００２９】なお、本発明の微細凹凸パターン成形用成
形型を構成する基板としては、石英ガラスやソーダライ
ムガラス等のガラス材のように透明のものの他に、シリ
コンその他のセラミックのように不透明に材料を用いて
もよい。The substrate constituting the mold for forming a fine concave-convex pattern of the present invention may be a transparent material such as quartz glass or soda lime glass or an opaque material such as silicon or other ceramics. Materials may be used.
【００３０】また、上記各実施例では、クロム窒化物を
含むクロム膜の成膜方法としてＡｒとＮ2 の混合ガス
（実施例１では窒素の含有量は３０モル％）をスパッタ
ーガスとして用いたスパッタリング法により成膜した
が、混合ガス中のＮ2 の含有量の値は必ずしも実施例１
に示したようにクロム窒化物を含むクロムからなる微細
凹凸パターン中の窒素の含有量の値と一致するものでは
なく、成膜速度などの成膜条件により異なるので、微細
凹凸パターン中の窒素の含有量を２０原子％以上のもの
を得るためにＮ2 の含有量が２０モル％未満の混合ガス
を用いることも可能である。また、クロム窒化物を含む
クロム膜の成膜方法は、上記実施例のように混合ガスを
スパッターガスとして用いたスパッタリング法に限ら
ず、窒化クロムを含むクロムをスパッタリングターゲッ
トとし、Ａｒのみをスパッターガスとして用いたスパッ
タリングを用いてもよいことはいうまでもない。Further, in each of the above embodiments, a mixed gas of Ar and N 2 (the nitrogen content is 30 mol% in the first embodiment) was used as a sputtering gas as a method for forming a chromium film containing chromium nitride. Although the film was formed by the sputtering method, the value of the content of N 2 in the mixed gas was not always the same as in Example 1.
Does not match the value of the nitrogen content in the fine uneven pattern made of chromium containing chromium nitride as shown in In order to obtain a content of 20 atomic% or more, it is also possible to use a mixed gas having a N 2 content of less than 20 mol%. Further, the method for forming a chromium film containing chromium nitride is not limited to the sputtering method using a mixed gas as a sputter gas as in the above embodiment, but a chromium nitride-containing chromium as a sputtering target and only Ar as a sputter gas. It goes without saying that the sputtering used as the above may be used.
【００３１】さらに、本発明では、微細凹凸パターンを
構成する材料がクロムと窒素とからなる場合を例にかか
げたが、この材料としては、微細凹凸パターンに所望の
特性を付与するために、クロムと窒素の外に炭素や酸素
を含む材料としてもよいことは勿論である。Further, in the present invention, the case where the material constituting the fine concavo-convex pattern is made of chromium and nitrogen has been described as an example. Needless to say, a material containing carbon and oxygen in addition to nitrogen and nitrogen may be used.
【００３２】[0032]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明にかかる微
細凹凸パターン成形用成形型は、微細凹凸パターンを窒
素とクロムとを含む材料で構成し、かつこの材料中の窒
素含有量を２０原子％以上にしたことにより、化学洗浄
を頻繁に行ってもパターンの欠落を防止できるという効
果を得ているものである。As described in detail above, the mold for forming a fine uneven pattern according to the present invention comprises a fine uneven pattern made of a material containing nitrogen and chromium, and has a nitrogen content of 20%. By making the atomic percentage or more, it is possible to prevent the pattern from being lost even if chemical cleaning is frequently performed.
【図１】本発明の一実施例の微細凹凸パターン成形用成
形型の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a mold for forming a fine uneven pattern according to one embodiment of the present invention.
【図２】各実施例及び比較例の窒素含有量とパターン欠
落数とをまとめて表に示した図である。FIG. 2 is a table summarizing the nitrogen content and the number of missing patterns in each of Examples and Comparative Examples.
１…基板、２…微細凹凸パターン、２ａ…凸部、２ｂ…
凹部、１０…微細凹凸パターン成形用成形型。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... Fine uneven pattern, 2a ... Convex part, 2b ...
Concave part, 10 ... Mold for forming fine uneven pattern.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B29C 59/00 - 59/18 B29C 33/00 - 33/76 G11B 7/26 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) B29C 59/00-59/18 B29C 33/00-33/76 G11B 7/26
Claims (1)
凹凸パターン成形用成形型において、 前記微細凹凸パターンを窒素とクロムとを含む材料で構
成し、かつこの材料中の窒素含有量を２０原子％以上に
したことを特徴とする微細凹凸パターン成形用成形型。1. A mold for forming a fine concavo-convex pattern having a fine concavo-convex pattern on a substrate, wherein the fine concavo-convex pattern is made of a material containing nitrogen and chromium, and the nitrogen content in the material is 20 atomic%. A molding die for forming a fine uneven pattern characterized by the above.
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| JP34634591A JP3105977B2 (en) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | Mold for forming fine uneven patterns |
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