JP3104585B2 - マイクロ波加熱装置 - Google Patents

マイクロ波加熱装置

Info

Publication number
JP3104585B2
JP3104585B2 JP07238009A JP23800995A JP3104585B2 JP 3104585 B2 JP3104585 B2 JP 3104585B2 JP 07238009 A JP07238009 A JP 07238009A JP 23800995 A JP23800995 A JP 23800995A JP 3104585 B2 JP3104585 B2 JP 3104585B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microwave
dielectric line
microwave heating
dielectric
heating apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP07238009A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0982469A (ja
Inventor
健司 秋元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP07238009A priority Critical patent/JP3104585B2/ja
Publication of JPH0982469A publication Critical patent/JPH0982469A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3104585B2 publication Critical patent/JP3104585B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波加熱装
置に関し、特に、単一枚あるいは複数枚の半導体基板な
どの大面積である基板全面を同時に均一に加熱処理を施
すマイクロ波加熱装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来よりマイクロ波を用い被処理体を加
熱する技術は広く用いられている。工業的にはもちろん
もこと、一般家庭でも食品加熱用として本技術を用いた
電子レンジが普及している。
【0003】一方、半導体装置の製造工程に於いても加
熱工程は多く、例えば、石英炉芯管により処理室を構成
した抵抗加熱型の処理装置が広く用いられている。この
処理装置では複数枚の半導体基板を、石英で形成された
基板保持台に固定し、これを既に加熱されている石英炉
芯管内に徐々に導入し、設定温度に設定された均熱領域
に設置することにより熱処理を行うものである。しかし
ながら、この方式では、熱処理装置の占有面積が大き
く、また、半導体基板を加熱するだけでなく、石英の炉
心管や基板保持台を同時に加熱する必要があり、温度調
整に際しての即応性に劣るという欠点があった。
【0004】これに対し、マイクロ波を用いた加熱装置
は、半導体基板のみを選択的に加熱することが出来るの
で、従来の炉芯管による加熱処理装置に比較し、加熱室
や基板搬送装置のための冷却手段が不要であり、且つ温
度調整に際しての即応性に優れた利点を有することより
注目を集めている。
【0005】図5は従来のマイクロ波加熱装置の一例を
示す部分断面図である。この種の半導体基板用のマイク
ロ波加熱装置として、例えば、特開昭62−27406
6号公報に開示されている。このマイクロ波加熱装置
は、図5に示すように、アルミニウムあるいはステンレ
スより形成され真空状態にされた処理室10に処理試料
11を収納し、マイクロ波導波管より導波管8を介して
搬送されてきたマイクロ波を石英製のマイクロ波透過窓
9より導入し処理試料11にマイクロ波を垂直に照射し
加熱を行うものである。
【0006】また、通常のマイクロ波加熱装置では、マ
イクロ波の強度分布の均一性を得ることが難しくマイク
ロ波透過窓の中心部で強く周辺部で弱くなる。この問題
に対し、このマイクロ波加熱装置では、マイクロ波透過
窓に選択的にマイクロ波遮断膜を被着してマイクロ波強
度の高い領域のマイクロ波を遮断することによって被処
理基板の面内温度分布をある程度一様になるように工夫
が成されている。
【0007】しかしながら、この装置によっても、中心
部と周辺部のマイクロ波強度を同一とすることは困難で
ある。また、この装置では、マイクロ波照射領域が、マ
イクロ波透過窓の大きさで決定されており、さらに、こ
のマイクロ波透過窓の大きさは、マイクロ波導波管の径
で決定される。即ち、今後、8インチから10インチと
いう大口径化する半導体基板には対応できないという欠
点がある。
【0008】図6は従来のマイクロ波加熱装置の他の例
を示す斜視図である。上述した欠点を解消するマイクロ
波加熱装置は、特公昭59−87790号公報に開示さ
れている。このマイクロ波加熱装置は、半導体基板を加
熱するのではなく、面積の大きな複写紙の未定着トナー
を定着するために複写紙面を均一に加熱する装置であ
る。
【0009】このマイクロ波加熱装置は、図6に示すよ
うに、誘電体基板13とこの上面及び下面に形成された
導体基板14及び15により構成されるストリップ線路
12と、導電性部材17を上下させ終端のスリット23
の部分と接近あるいは離間させる板カム18と、複写紙
のような薄い被加熱物21をストリップ線路12上に送
るローラ19,20とを有している。また、上面の導体
基板14には、同軸ケーブル22からのマイクロ波の伝
播方向に対し直角に長いスリット23の複数が1/4波
長の間隔で並べてラダーパターン16が形成されてい
る。
【0010】供給されたマイクロ波はストリップ線路1
2を伝播し、板カム18の回転により導電性部材17を
終端部に接近あるいは離間を周期的に行ないマイクロ波
の反射位置をずらし、すなわち、定在波の生起位置を1
/4波長だけ離れた2位置間欠的をシフトさせる。この
ことによりストリップ線路12から放出された2位置の
マイクロ波がローラ19,20により被加熱物21の送
りに伴なって表面は細かい格子状に加熱されあたかも一
様に加熱されたと同じ状態になる。
【0011】このように、このマイクロ波加熱装置は、
面積の広い複写紙でも連続的に一様に加熱処理ができる
ことを特徴としていた。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た大面積の被処理体を加熱するマイクロ波加熱装置で
は、複写紙のように連続的に送られるより広い面積の被
処理体を加熱処理できるものの、半導体基板のように全
面を同時に均一加熱処理しなければならい被処理体に適
用できないという問題がある。何となれば、処理される
半導体基板の表面には、薄膜の多層膜が形成されてお
り、全表面を同時に均一に加熱しなければ、熱応力によ
り膜のはがれや割れを生じることとなる。
【0013】また、たとえ半導体基板の大きさをはるか
に上回る大きさを有したマイクロ波ストリップ線路が形
成可能であったとしても、このプラズマ加熱装置による
と、金属製のマイクロストリップ線路部材に半導体基板
全面に置くことになり、金属汚染の発生は免れない。い
ずれにしても、複写紙のトナーを定着させるマイクロ波
加熱装置の半導体製造工程への適用は困難である。
【0014】従って、本発明の目的は、複数枚あるいは
単一枚の大面積の半導体基板全面を同時に均一に加熱処
理できるとともに装置の占有面積を小さくしかつ不必要
な部分を加熱することのないマイクロ波加熱装置を提供
することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、内壁に
具備する保持手段により保持される被処理試料が収納さ
れるとともに板状の誘電体線路部材で仕切られる二つの
処理室と、前記誘電体線路部材の一端に導波管を介して
取付けられるマイクロ波発器と、前記誘電体線路部材に
導入されるマイクロ波を反射させ定在波を形成させると
ともに前記誘電体線路部材の他端に設けられる反射板と
を備えるマイクロ波加熱装置コネクタである。
【0016】また、前記保持手段は、二つの前記処理室
の該内壁に形成され前記被処理試料を吸着する吸着孔を
有することが望ましい。
【0017】
【0018】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
【0019】図1(a)および(b)は本発明の実施の
一形態を示すマイクロ波加熱装置の縦断面図および上面
図である。このマイクロ波加熱処理装置は、図1に示す
ように、半導体基板である処理試料11を底面に載置し
て収納するとともに金属製の壁に周囲を囲まれる処理室
5と、この処理室5の天井部に配設され処理試料11に
対向し配設される誘電体線路1と、この誘電体線路の一
端に導波管4を介してマイクロ波を導入するマイクロ波
発振器2と、誘電体線路1の他端にされ導入されるマイ
クロ波を反射させる反射板3とを備えている。
【0020】この誘電体線路1は、安価な有機物の板で
形成することが望ましく、例えば、耐熱性の優れたフロ
ロカーボンポリマーシートがよい。本マイクロ波加熱処
理装置では、機械的強度を考慮し、厚さ20mmのシー
トを用い、処理試料11より十分大きい300mmX3
00mmのマイクロ波放射領域を有した誘電体線路1を
形成した。また、この誘電体線路1のマイクロ波導入端
部は、マイクロ波の導波管4との接続のために一端をテ
ーパ状に加工し終端部を導波管4の断面形状と同じ形状
にしマイクロ波放出面は処理試料11を十分覆うように
大きい面積にしあたかも羽子板と同じ形状に製作されて
いる。このことは、導波管4とマイクロ波放射面部との
接続におけるテーパ部の角度が急峻であると、マイクロ
波の伝播効率に影響を与えるので、接続部のテーパ部
は、例えば、45度程度に緩やかに製作してある。
【0021】一方、誘電体線路1のマイクロ波導入部と
反対側の他端部には、定在波を形成するために完全なマ
イクロ波の反射状態をつくる反射板3が設けられている
ことが必要である。即ち、端面に於いて平滑な平面を形
成し、更に、その端面は、側壁にある金属製の反射板3
と隙間のない接触をしている。もし、接触度をより確実
にするなら、端部に金属蒸着など施し反射板3としても
良い。
【0022】図2は図1の誘電体線路を抽出して示す斜
視図、図3(a)および(b)は誘電体線路から放出さ
れるマイクロ波強度を示す分布図である。通常、無限長
を有する誘電体線路にマイクロ波を導入した場合、導入
した場所に於ける強度が最大となり、線路内の吸収によ
り距離が大きくなるに従い指数関数的に低減するものと
考えられる。本マイクロ波加熱装置でも、図2の誘電体
線路の導波管接続部と反対側の端部で反射が無いとした
場合には、誘電体線路中のマイクロ波強度は、導波管接
続部で最も大きく進行方向に沿って減衰するものと考え
られる。
【0023】次に、図1のマイクロ波加熱装置の動作作
用を説明する。まず、図1の導波管4により供給された
マイクロ波は、石英もしくは有機材で形成された誘電体
線路1内に拡散することになる。そして、マイクロ波の
導入側と反対の端面が反射板3に接しているため、進行
していったマイクロ波は反射され、進行波とこの反射波
の間で定在波を形成する。このときの誘電体線路1の直
下でのマイクロ波強度分布は、図3(a)に示す通り、
マイクロ波進行方向に正弦波状の様相呈することにな
る。
【0024】ここで、マイクロ波の周波数を、例えば、
2.45GHzとすると波長は122.4mm程度とな
る。厳密には、誘電体線路1内では、これと異なる固有
の波長を有することとなるが、その差は小さいものと考
えられる。誘電体線路1の端部におけるマイクロ波の反
射が完全な反射である場合を想定すると、誘電体線路1
内には、波長の半分の周期をもった定在波が形成される
ものと考えられる。その結果、誘電体線路1と処理試料
11とをある距離だけ引き離しておけば、処理試料11
の表面における進行方向と直角な軸方向に放射されるマ
イクロ波の強度分布は、図3(b)に示すように緩やか
な上に凸な分布を有することになる。
【0025】そこで、本マイクロ波加熱装置では、処理
試料11を誘電体線路1から離した位置に置くことによ
り、誘電体線路1の直下で放出されたマイクロ波は互い
に干渉されながらも拡散され強度分布が均一化され、処
理試料1である半導体基板には均一に照射される。即
ち、基板の均一加熱処理が可能となる。
【0026】なお、誘電体線路1と処理試料11との距
離は、誘電体線路1内でのマイクロ波の波長に対し、半
波長以上、即ち、誘電体線路内で形成される定在波の1
周期以上の距離をとることが均一性確保のために望まし
い。本マイクロ波加熱装置では、倒えば、2.45MH
zの波長のマイクロ波を使用しているので、そのマイク
ロ波の自由空間での波長122.4mmに対して、誘電
体線路1と処理試料11の距離を波長と同じ程度の距離
はなすことにより、半径20cmの領域範囲において、
±5%程度の強度分布が得られた。
【0027】なお、この実施の形態における誘電体線路
1は、フロロカーボンポリマーで形成された板を使用し
ているが、石英板やセラミックス板でもかまわない。特
に、酸化性の雰囲気で加熱処理を行う場合には、石英板
を使用することが望ましく、フッ素ガス中で処理を行う
場合には、セラミックスもしくは有機材料で形成された
板を使用することが望ましい。
【0028】図4は本発明の実施の他の形態を示すマイ
クロ波加熱装置の縦断面図である。このマイクロ波加熱
処理装置は、図4に示すように、向い合う側壁に載置さ
れる処理試料11aと11bとの間に等距離になるよう
に誘電体線路1aが配設されている。そして、誘電体線
路1aの表裏面からそれぞれ放射されるマイクロ波で処
理試料11aと11bとが同時に加熱処理される。
【0029】それ以外のマイクロ波発振器2aおよび誘
電体線路1aにマイクロ波を導入するための導波管4a
が設けられている。また、処理室5aの両壁には、処理
試料11a,11bである半導体基板を吸着する吸着孔
6が設けられている。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、マイクロ
波を一端から導入し他端の反射板で反射させ定在波を発
生させ処理試料より大きめの表面から垂直にマイクロ波
を放射する平板状の誘電体線路を設けることによって、
処理試料である半導体基板のみを選択的に加熱すること
が出来るので、従来の加熱処理装置に比較し大きな加熱
室や基板搬送装置のための冷却手段が不要となり装置の
占有面積を小さく済み、且つ温度調整に際しての即応性
に優れた利点を有する。
【0031】また、上記誘電体線路内で定在波を形成し
周期性を有した強度分布を得るとともに誘電体線路と処
理試料との距離を適宜明け、この定在波1周期毎に垂直
に放出されるマイクロ波を互いに拡散させマイクロ波強
度を平均化して強度分布を均一にすることによって、処
理試料である半導体基板の全面は同時に均一に加熱処理
されるという効果がある。さらに、処理試料の大きさに
応じて誘電体線路の大きさを決めることができるので、
大きな処理面積を有する処理試料でも一度の加熱で処理
できるという効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態を示すマイクロ波加熱装
置の縦断面図および上面図である。
【図2】図1の誘電体線路を抽出して示す斜視図であ
る。
【図3】誘電体線路から放出されるマイクロ波強度を示
す分布図である。
【図4】本発明の実施の他の形態を示すマイクロ波加熱
装置の縦断面図である。
【図5】従来のマイクロ波加熱装置の一例を示す部分断
面図である。
【図6】従来のマイクロ波加熱装置の他の例を示す斜視
図である。
【符号の説明】
1,1a 誘電体線路 2,2a マイクロ波発振器 3,3a 反射板 4,4a,8 導波管 5,5a,10 処理室 6 吸着孔 9 マイクロ波透過窓 8 誘電体基板 9,10 導体基板 11 処理試料 12 ストリップ線路 13 誘電体基板 14,15 導体基板 16 ラーダパターン 17 導電性部材 18 板カム 19,20 ローラ 21 被加熱物 22 同軸ケーブル 23 スリット

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内壁に具備する保持手段により保持され
    被処理試料が収納されるとともに板状の誘電体線路部
    材で仕切られる二つの処理室と、前記誘電体線路部材の
    一端に導波管を介して取付けられるマイクロ波発器と、
    前記誘電体線路部材に導入されるマイクロ波を反射させ
    定在波を形成させるとともに前記誘電体線路部材の他端
    に設けられる反射板とを備えることを特徴とするマイク
    ロ波加熱装置。
  2. 【請求項2】 前記保持手段は、二つの前記処理室の該
    内壁に形成され前記被処理試料を吸着する吸着孔を有す
    ことを特徴とする請求項1記載のマイクロ波加熱装
    置。
JP07238009A 1995-09-18 1995-09-18 マイクロ波加熱装置 Expired - Fee Related JP3104585B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07238009A JP3104585B2 (ja) 1995-09-18 1995-09-18 マイクロ波加熱装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07238009A JP3104585B2 (ja) 1995-09-18 1995-09-18 マイクロ波加熱装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0982469A JPH0982469A (ja) 1997-03-28
JP3104585B2 true JP3104585B2 (ja) 2000-10-30

Family

ID=17023794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP07238009A Expired - Fee Related JP3104585B2 (ja) 1995-09-18 1995-09-18 マイクロ波加熱装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3104585B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101402585B1 (ko) * 2012-11-01 2014-06-02 코닝정밀소재 주식회사 글라스의 화학강화 장치 및 이를 이용한 화학강화 방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0754744B2 (ja) * 1990-09-26 1995-06-07 財団法人ファインセラミックスセンター マイクロ波加熱装置及びマイクロ波加熱方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0982469A (ja) 1997-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9018110B2 (en) Apparatus and methods for microwave processing of semiconductor substrates
US6783628B2 (en) Plasma processing apparatus
JP2002093788A (ja) プラズマ処理装置
JP4504511B2 (ja) プラズマ処理装置
KR100529030B1 (ko) 플라스마 처리장치
JP2006128000A (ja) プラズマ処理装置
JP2002280196A (ja) マイクロ波を利用したプラズマ発生装置
JP3104585B2 (ja) マイクロ波加熱装置
KR101187100B1 (ko) 마이크로파-여기 플라즈마 처리 장치
JP2011106747A (ja) 基板乾燥方法、基板乾燥装置、基板の製造方法、及びフラットパネルディスプレイ
AU739180B2 (en) Large area microwave plasma apparatus with adaptable applicator
JP3031416B1 (ja) マイクロ波加熱方法およびその装置
US4749589A (en) Method of surface treatment
JP2000286237A (ja) 半導体基板用プラズマ表面処理装置におけるラジアルラインスロットアンテナの構造
JPH07169740A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
KR20200018745A (ko) 어닐링 장치
JP2001167900A (ja) プラズマ処理装置
JP3784912B2 (ja) マイクロ波励起プラズマ装置
JP2011117678A (ja) 基板乾燥方法、基板乾燥装置、基板の製造方法、及びフラットパネルディスプレイ
EP0184917B1 (en) Plasma reactor vessel and process
KR940002736B1 (ko) 마이크로파 플라즈마 처리장치
JPH04117437U (ja) マイクロ波プラズマ装置
JPS6372123A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP2781757B2 (ja) プラズマcvd装置
JPS59100536A (ja) マイクロ波処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20000801

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees