JP3083868B2 - Method for producing zinc bisacetylacetonato - Google Patents
Method for producing zinc bisacetylacetonatoInfo
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Description
【発明の詳細な説明】［発明の目的］DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention]
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＶＤ法によってＺｎ
Ｏ膜を作製するときの原料として好適なビスアセチルア
セトナト亜鉛の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
The present invention relates to a method for producing bisacetylacetonato zinc suitable as a raw material when producing an O film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜は、バリスタ，電
子写真用感光剤，ガスセンサー等を対象とした電子セラ
ミック材料として広く利用されている他に、特にＣ軸方
向に配向した膜は表面弾性波素子等の音響デバイスや光
導波路等の光学デバイスに利用され、さらに酸化インジ
ュウム錫（ＩＴＯ）膜に代わる広波長範囲の透明導電膜
の用途として期待が高まっている。2. Description of the Related Art Zinc oxide (ZnO) films are widely used as electronic ceramic materials for varistors, electrophotographic photosensitive agents, gas sensors, and the like. It is used for acoustic devices such as elastic wave devices and optical devices such as optical waveguides, and is expected to be used as a transparent conductive film having a wide wavelength range in place of indium tin oxide (ITO) film.
【０００３】このＺｎＯ膜を作製する方法としては、大
別してＰＶＤ法（物理気相折出法）とＣＶＤ法（化学気
相折出法）とが知られている。前者は不純物の少ない膜
を作製する場合に適した方法であり、工業化されつつあ
る。また後者は、量産性に適した方法であるが、未だ研
究段階にある。ここで従来のＣＶＤ法によるＺｎＯ膜の
作製方法を説明する。[0003] As a method of producing this ZnO film, a PVD method (physical vapor deposition) and a CVD (chemical vapor deposition) are generally known. The former is a method suitable for producing a film with few impurities, and is being industrialized. The latter is a method suitable for mass production, but is still in the research stage. Here, a method for forming a ZnO film by a conventional CVD method will be described.
【０００４】先ず、原料に無機化合物を用いる以下のよ
うな各方法があり、その反応は次のように行われる。First, there are the following methods using an inorganic compound as a raw material, and the reaction is carried out as follows.
【０００５】 Ｚｎ＋（１／２）Ｏ2 →ＺｎＯ …(1) ＺｎＸ2 ＋（１／２）Ｏ2 →ＺｎＯ＋Ｘ2 （ＸはＣｌなど） …(2) これら式(1),(2) における反応は、いずれも合成温度及
び原料気化温度が高いので、反応炉の構造やＺｎＯ膜の
基板との反応性などの点で不都合が多い。また特に式
(2) の反応では、反応時に発生するハロゲンガスのため
に、反応装置の腐食や膜自身への汚染が生ずるという欠
点がある。Zn + (1/2) O 2 → ZnO (1) ZnX 2 + (1/2) O 2 → ZnO + X 2 (X is Cl, etc.) (2) In these formulas (1) and (2) Since both the synthesis temperature and the raw material vaporization temperature are high in the reaction, there are many disadvantages in terms of the structure of the reaction furnace and the reactivity of the ZnO film with the substrate. And especially the formula
The reaction (2) has a drawback that the halogen gas generated during the reaction causes corrosion of the reactor and contamination of the film itself.
【０００６】次に、原料に有機金属化合物を用いる以下
のような各方法があり、その反応は次のように行われ
る。Next, there are the following methods using an organometallic compound as a raw material, and the reaction is carried out as follows.
【０００７】 Ｚｎ（Ｃ2 Ｈ2 ）2 ＋７Ｏ2 →ＺｎＯ＋４ＣＯ2 ＋５Ｈ2 Ｏ …(3) Ｚｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ＋Ｈ2 Ｏ→ＺｎＯ＋２Ｃ5 Ｈ8 Ｏ2 …(4) この中で式(3) の反応は、合成温度及び原料気化温度は
低いが、原料のアルキル金属の毒性が強く、しかも空気
中で不安定で激しい発火性を示すため、キャリアガスと
して安定性の高い高純度アルゴンガスを用いる必要があ
る。また式(4)の反応は、先に本出願人が出願した特開
昭57-118002 号公報に開示した方法であり、原料として
βジケトン金属錯体の１種である図３に示すような化学
構造式を有するビスアセチルアセトナト亜鉛Ｚｎ（Ｃ5
Ｈ7 Ｏ2 ）2 ｛以下Ｚｎ（ａｃａｃ）2 と称する｝を用
いることから、取扱いが安全でかつＣＶＤ用原料として
も安定であるという利点を有す。Zn (C 2 H 2 ) 2 + 7O 2 → ZnO + 4CO 2 + 5H 2 O (3) Zn (C 5 H 7 O 2 ) 2 + H 2 O → ZnO + 2C 5 H 8 O 2 (4) In the reaction of formula (3), although the synthesis temperature and the vaporization temperature of the raw material are low, the toxicity of the raw material alkyl metal is strong, and it is unstable and violently ignitable in the air. It is necessary to use argon gas. The reaction of the formula (4) is a method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-118002, filed by the present applicant, and uses a chemical reaction as shown in FIG. Bisacetylacetonato zinc having the structural formula Zn (C 5
Since H 7 O 2 ) 2 {hereinafter referred to as Zn (acac) 2 } is used, there is an advantage that handling is safe and the raw material for CVD is stable.
【０００８】ここで、このＺｎ（ａｃａｃ）2 を製造す
るには、従来公知の方法では以下のような３つの反応を
利用する必要がある。Here, in order to produce this Zn (acac) 2 , it is necessary to utilize the following three reactions in a conventionally known method.
【０００９】 ＺｎＳＯ4 ・７Ｈ2 Ｏ＋２Ｃ5 Ｈ8 Ｏ2 ＋２ＮａＯＨ →Ｚｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏ＋Ｎａ2 ＳＯ4 ＋８Ｈ2 Ｏ …(5) Ｚｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏ＋ＣＨ3 ＯＨ →Ｚｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）・ＣＨ3 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ …(6) Ｚｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・ＣＨ3 ＯＨ →Ｚｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ＋ＣＨ3 ＯＨ …(7) [0009] ZnSO 4 · 7H 2 O + 2C 5 H 8 O 2 + 2NaOH → Zn (C 5 H 7 O 2) 2 · H 2 O + Na 2 SO 4 + 8H 2 O ... (5) Zn (C 5 H 7 O 2) 2・ H 2 O + CH 3 OH → Zn (C 5 H 7 O 2 ) .CH 3 OH + H 2 O ... (6) Zn (C 5 H 7 O 2 ) 2 .CH 3 OH → Zn (C 5 H 7 O 2 ) 2 + CH 3 OH ... (7 )
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】ところで従来のそのよ
うなビスアセチルアセトナト亜鉛Ｚｎ（ａｃａｃ）2 を
製造する方法では、有害な不純物による原料錯体の汚染
が生ずるので高温時不安定となって分解し易くなるとい
う問題がある。However, in the conventional method for producing bis (acetylacetonato) zinc (Zac (acac) 2 ), the starting complex is contaminated by harmful impurities, so that it becomes unstable at high temperatures and decomposes. There is a problem that it becomes easier.
【００１１】すなわち、ＣＶＤ法によってＺｎＯ膜を作
製する場合は、安定な膜の折出の条件として原料中に他
の不純物が存在することを嫌う性質があるが、前記式
(5) 乃至(7) ではそのような不純物としてＮａやＳが存
在しているので、ＣＶＤ用原料の製造方法としては不適
である。また式(5) の反応は水溶液中で行うため最終製
品のＺｎ（ａｃａｃ）2 中にＨ2 Ｏが残り易いが、この
Ｈ2 Ｏもまた不純物として働く。That is, when a ZnO film is formed by the CVD method, there is a property that the presence of other impurities in the raw material is disliked as a condition for stable film deposition.
In (5) to (7), since Na and S are present as such impurities, they are not suitable as a method for producing a raw material for CVD. Since the reaction of the formula (5) is carried out in an aqueous solution, H 2 O tends to remain in the final product Zn (acac) 2 , but this H 2 O also functions as an impurity.
【００１２】特にＺｎＯ膜の析出速度を上げるためにＣ
ＶＤ処理を高温で行う場合に前記式で得られたＺｎ（ａ
ｃａｃ）2 を原料として用いると、この原料が分解し易
いので結果としてＺｎＯ膜の析出速度を上げることが困
難となる。Particularly, in order to increase the deposition rate of the ZnO film, C
When the VD process is performed at a high temperature, the Zn (a
When cac) 2 is used as a raw material, the raw material is easily decomposed, and as a result, it becomes difficult to increase the deposition rate of the ZnO film.
【００１３】本発明は以上のような問題に対処してなさ
れたもので、有害な不純物による原料錯体の汚染を防止
するビスアセチルアセトナト亜鉛の製造方法を提供する
ことを目的とするものである。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has as its object to provide a method for producing zinc bisacetylacetonato which prevents contamination of a raw material complex by harmful impurities. .
【００１４】［発明の構成］[Configuration of the Invention]
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、水酸化亜鉛Ｚｎ（ＯＨ）2 とアセチルアセ
トン（Ｃ5 Ｈ8 Ｏ2 ）とを有機溶媒中において反応させ
て、付加物として水（Ｈ2 Ｏ）を有するビスアセチルア
セトナト亜鉛Ｚｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏを形成
し、続いて前記付加物である水（Ｈ2 Ｏ）を除去するこ
とを特徴とするものである。In order to achieve the above object, the present invention provides an adduct comprising reacting zinc hydroxide Zn (OH) 2 with acetylacetone (C 5 H 8 O 2 ) in an organic solvent. as water (H 2 O) bis having acetylacetonato zinc Zn (C 5 H 7 O 2 ) to form a 2 · H 2 O, followed by the removal of water (H 2 O) is the adduct It is a feature.
【００１６】[0016]
【作用】原料として水酸化亜鉛とアセチルアセトンを用
いる簡単な方法で反応を行わせるので、原料中に例えば
ＮａやＳのような有害な不純物が含まれることなく、さ
らに反応は水溶液中で行わないので、過剰のＨ2 Ｏが原
料中に含まれることもなく反応が行われる。従って有害
な不純物の影響を極力避けることができ、ＣＶＤ用原料
の製造方法として適した方法を得ることができる。Since the reaction is carried out by a simple method using zinc hydroxide and acetylacetone as raw materials, no harmful impurities such as Na and S are contained in the raw materials, and the reaction is not carried out in an aqueous solution. The reaction is carried out without excessive H 2 O being contained in the raw material. Therefore, the influence of harmful impurities can be avoided as much as possible, and a method suitable as a method for producing a raw material for CVD can be obtained.
【００１７】[0017]
【実施例】以下本発明のビスアセチルアセトナト亜鉛の
製造方法の実施例を説明する。EXAMPLES Examples of the method for producing bisacetylacetonatozinc of the present invention will be described below.
【００１８】先ず、本発明の原理について説明する。First, the principle of the present invention will be described.
【００１９】最初に原料として水酸化亜鉛Ｚｎ（ＯＨ）
2 及び図４に示すような化学構造式を有するアセチルア
セトン（Ｃ5 Ｈ8 Ｏ2 ）を用意し、有機溶媒中例えばエ
タノール中で両者を次のように反応させる。ここで、エ
タノールは反応物の表面積を増加して反応を促進するよ
うに働く。また前記原料としてのＺｎ（ＯＨ）2 及び
（Ｃ5 Ｈ8 Ｏ2 ）とエタノールは不純物の少ない反応生
成物を得るため、できるだけ高純度のものを用いるよう
にする。また不純物Ｈ2Ｏに関する限り、出発材料とし
てはＺｎ（ＯＨ）2 よりＺｎＯを用いた方が便利と考え
られるが、ＺｎＯでは式(8) の反応が生じない。これは
ＺｎＯは、Ｚｎ（ＯＨ）2 に比べて塩基度が小さいこと
が原因であると考えられる。First, zinc hydroxide Zn (OH) is used as a raw material.
Acetylacetone (C 5 H 8 O 2 ) having a chemical structural formula as shown in FIG. 2 and FIG. 4 is prepared, and the two are reacted in an organic solvent such as ethanol as follows. Here, ethanol acts to increase the surface area of the reactants and promote the reaction. In addition, Zn (OH) 2 and (C 5 H 8 O 2 ) as the raw materials and ethanol should be as pure as possible in order to obtain a reaction product with few impurities. As far as the impurity H 2 O is concerned, it is considered that ZnO is more convenient than Zn (OH) 2 as a starting material, but the reaction of the formula (8) does not occur in ZnO. This is considered to be because ZnO has a lower basicity than Zn (OH) 2 .
【００２０】 Ｚｎ（ＯＨ）2 ＋２Ｃ5 Ｈ8 Ｏ2 →Ｚｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏ …(8) 次にこれによって得られた付加物として水（Ｈ2 Ｏ）を
有するビスアセチルアセトナト亜鉛Ｚｎ（ａｃａｃ）2
・Ｈ2 Ｏをメタノール（ＣＨ3 ＯＨ）と次のように反応
させる。Zn (OH) 2 + 2C 5 H 8 O 2 → Zn (C 5 H 7 O 2 ) 2 .H 2 O (8) Next, water (H 2 O) is added as an adduct thus obtained. Bisacetylacetonato zinc having Zn (acac) 2
H 2 O is reacted with methanol (CH 3 OH) as follows.
【００２１】 Ｚｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏ＋ＣＨ3 ＯＨ →Ｚｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・ＣＨ3 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ …(9) これによって（Ｈ2 Ｏ）が除去されたＺｎ（ａｃａｃ）
2 ・ＣＨ3 ＯＨが得られる。次にこれを真空乾燥するこ
とにより次のような反応が行われる。Zn (C 5 H 7 O 2 ) 2 .H 2 O + CH 3 OH → Zn (C 5 H 7 O 2 ) 2 .CH 3 OH + H 2 O (9) As a result, (H 2 O) is removed. Zn (acac)
2. CH 3 OH is obtained. Next, the following reaction is carried out by vacuum drying.
【００２２】 Ｚｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・ＣＨ3 ＯＨ →Ｚｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ＋ＣＨ3 ＯＨ …(10) これによって（ＣＨ3 ＯＨ）及び（Ｈ2 Ｏ）が除去され
て目的とする純粋なＺｎ（ａｃａｃ）2 が得られる。Zn (C 5 H 7 O 2 ) 2 .CH 3 OH → Zn (C 5 H 7 O 2 ) 2 + CH 3 OH (10) Thereby, (CH 3 OH) and (H 2 O) are removed. Thus, the desired pure Zn (acac) 2 is obtained.
【００２３】次に具体的製造条件を伴った実施例につい
て説明する。Next, an embodiment with specific manufacturing conditions will be described.
【００２４】実施例 原料として、水酸化亜鉛Ｚｎ（ＯＨ）2 （純正化学）１
９．９８ｇ（０．２ｍｏｌ），アセチルアセトン（Ｃ5
Ｈ8 Ｏ2 ）（半井化学薬品，試薬特級）５０ｍｌ（０．
４９ｍｏｌ）及び有機溶媒としてエタノール５０ｍｌを
３００ｍｌのナス型フラスコに混入し、還流冷却器を取
り付けた後、８０℃で１時間マグネットスタラーで撹拌
しながら還流した。続いて放冷により液温が室温程度ま
で降下した後に氷冷した。次に生成した結晶を吸引ろ過
し、約４０℃で数時間真空乾燥を行った。これによって
前記式(8)による反応が行われて、Ｚｎ（ａｃａｃ）2
・Ｈ2 Ｏの結晶が得られた。Examples As raw materials, zinc hydroxide Zn (OH) 2 (JUNSEI CHEMICAL) 1
9.98 g (0.2 mol) of acetylacetone (C 5
H 8 O 2 ) (Hansui Chemicals, special grade reagent) 50 ml (0.
49 mol) and 50 ml of ethanol as an organic solvent were mixed in a 300 ml eggplant-shaped flask, and a reflux condenser was attached. Then, the mixture was refluxed at 80 ° C. for 1 hour with stirring with a magnetic stirrer. Subsequently, the liquid temperature was lowered to about room temperature by cooling, and then ice-cooled. Next, the generated crystals were subjected to suction filtration and vacuum-dried at about 40 ° C. for several hours. As a result, the reaction according to the above formula (8) is performed, and Zn (acac) 2
· H 2 O crystals were obtained.
【００２５】次に乾燥した粗結晶をメタノール（ＣＨ3
ＯＨ）を１５０ｍｌ満たしたビーカーに移し、加熱して
溶解させた後、未だ溶液が熱いうちにろ過して不活性不
純物を取り除いた。溶液を放冷，氷冷した後吸引ろ過し
て針状の錯体結晶を得た。これによって前記式(9) によ
る反応が行われて、Ｚｎ（ａｃａｃ）2 ・ＣＨ3 ＯＨの
結晶が得られた。Next, the dried crude crystals were washed with methanol (CH 3
OH) was transferred to a beaker filled with 150 ml and heated to dissolve, and then filtered while the solution was still hot to remove inert impurities. The solution was allowed to cool and cooled on ice, and then subjected to suction filtration to obtain acicular complex crystals. As a result, the reaction represented by the formula (9) was carried out, and Zn (acac) 2 · CH 3 OH crystals were obtained.
【００２６】続いて得られた結晶を約８０℃で８時間真
空乾燥を行い、メタノール（ＣＨ3 ＯＨ）や不純物とし
て残っている水（Ｈ2 Ｏ）を除去した後、シリカゲルを
乾燥剤としたデシケータに移して保存した。これによっ
て前記式(10)による反応が行われて、目的であるＺｎ
（ａｃａｃ）2 が得られた。Subsequently, the obtained crystals were vacuum-dried at about 80 ° C. for 8 hours to remove methanol (CH 3 OH) and water (H 2 O) remaining as impurities, and then silica gel was used as a desiccant. Transferred to desiccator and saved. As a result, the reaction according to the formula (10) is performed, and the desired Zn
(Acac) 2 was obtained.
【００２７】このような本実施例によって得られたＺｎ
（ａｃａｃ）2 はＺｎＯ膜を作製するためのＣＶＤ用原
料として用いられるが、ＣＶＤ用原料としての熱的安定
性を調べるため、次のような装置を利用した方法でＺｎ
Ｏ膜を作製した。The Zn obtained in this embodiment as described above
(Acac) 2 is used as a raw material for CVD for producing a ZnO film. In order to examine the thermal stability as a raw material for CVD, Zn was formed by a method using the following apparatus.
An O film was produced.
【００２８】図１はこのために用いられる開放形の熱Ｃ
ＶＤ装置を示すもので、１は脱水用カラムで流量計２，
ＣａＣｌ2 源３及びＰ2 Ｏ5 源４から構成され、この脱
水用カラム１を通じてキャリアガスであるＮ2 ガスが導
入される。５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄはバルブである。６
はＳＵＳ製の原料気化器で内部には本実施例で得られた
Ｚｎ（ａｃａｃ）2 が用意され、この原料気化器６には
前記Ｎ2 ガスが供給される。７は原料気化器６内の温度
を検出する温度計である。FIG. 1 shows the open heat C used for this purpose.
1 shows a VD device, 1 is a dehydration column, a flow meter 2,
It comprises a CaCl 2 source 3 and a P 2 O 5 source 4, and N 2 gas as a carrier gas is introduced through this dehydration column 1. 5A, 5B, 5C, and 5D are valves. 6
Is a raw material vaporizer made of SUS, in which Zn (acac) 2 obtained in the present embodiment is prepared. The raw material vaporizer 6 is supplied with the N 2 gas. Reference numeral 7 denotes a thermometer for detecting the temperature in the raw material vaporizer 6.
【００２９】８は流量計、９はＣａＣｌ2 源、１０はＰ
2 Ｏ5 源、１１はノズルである。流量計８には反応ガス
であるＯ2ガスが導入される。このＯ2 ガスが用いられ
ない場合は、ノズル１１から吹き出す全ガス流量を一定
とするために、付加ガスとしてＮ2 ガスが導入される。
ノズル１１はＳＵＳ製の６ｍｍφの管を用い先端を潰し
て（０．７ｍｍ×９ｍｍ）の長さで使用した。ＳＵＳ製
の配管及びノズル１１は、原料ガス及び反応ガス（ある
いは付加ガス）の凝集を避けるため、リボンヒータによ
る保温を行った。１２はノズル１１から吹き出されたガ
スによってＺｎＯ膜を作製するための基板で、この基板
１２はヒータ１３上に保持されて所望温度に加熱され
る。基板加熱は例えば抵抗加熱であるホットプレート方
式によって制御した。8 is a flow meter, 9 is a CaCl 2 source, 10 is P
2 O 5 source, 11 is a nozzle. O 2 gas as a reaction gas is introduced into the flow meter 8. When this O 2 gas is not used, N 2 gas is introduced as an additional gas in order to keep the total gas flow rate blown out from the nozzle 11 constant.
The nozzle 11 was used with a length of (0.7 mm × 9 mm) by crushing the tip using a SUS 6 mmφ tube. The SUS pipe and nozzle 11 were kept warm by a ribbon heater in order to avoid agglomeration of the raw material gas and the reaction gas (or additional gas). Reference numeral 12 denotes a substrate for forming a ZnO film by gas blown from the nozzle 11, and the substrate 12 is held on a heater 13 and heated to a desired temperature. The substrate heating was controlled by, for example, a hot plate method which is resistance heating.
【００３０】このような熱ＣＶＤ装置で作製したＺｎＯ
膜を通して調べるＣＶＤ原料の熱的安定性は、温度，時
間に対してどの程度原料ガスを安定に供給できるかによ
って決定される。図２はこれを説明する特性図で、横軸
の保持時間の経過に対して縦軸のＺｎＯ膜の析出速度
（成膜レート）がどのように変化するかを示している。
なお、特性図では加熱温度Ｔｖを変えて得られた△印，
□印，○印の３種類の異なった特性を示しており、△印
は１２５℃における特性、□印は１１５℃における特
性、○印は１０５℃における特性を示している。また、
破線の特性は比較のため従来の特性を示している。The ZnO produced by such a thermal CVD apparatus
The thermal stability of a CVD source examined through a film is determined by the extent to which the source gas can be supplied stably with respect to temperature and time. FIG. 2 is a characteristic diagram for explaining this, and shows how the deposition rate (deposition rate) of the ZnO film on the vertical axis changes with the passage of the holding time on the horizontal axis.
Note that, in the characteristic diagram, Δ marks obtained by changing the heating temperature Tv,
□ and ○ indicate three types of different characteristics, Δ indicates characteristics at 125 ° C., □ indicates characteristics at 115 ° C., and ○ indicates characteristics at 105 ° C. Also,
The characteristic shown by the broken line shows the conventional characteristic for comparison.
【００３１】図２から明らかなように、各特性とも保持
時間の経過につれて加熱温度Ｔｖが高くなる程、析出速
度の低下は短い時間で生じるようになるが、本実施例に
対応した３種の各特性はいずれも析出速度の低下する時
間は、従来特性よりも遅い時間で生じている。このこと
は本実施例で得られた原料を用いてＣＶＤ法によってＺ
ｎＯ膜を作製した場合、安定なＣＶＤ処理が行われるこ
とを示しており、本実施例で得られたＣＶＤ用原料が熱
的安定性に優れていることを意味している。As can be seen from FIG. 2, as the heating temperature Tv becomes higher as the holding time elapses for each characteristic, the deposition rate decreases in a shorter time. In each of the characteristics, the time during which the deposition rate is reduced occurs later than the conventional characteristics. This is because the raw material obtained in the present example is used for the Z method by the CVD method.
This indicates that when an nO film is formed, stable CVD processing is performed, which means that the CVD raw material obtained in this example has excellent thermal stability.
【００３２】このように本実施例によれば、ＺｎＯ膜を
作製するＣＶＤ用原料であるビスアセチルアセトナト亜
鉛Ｚｎ（ａｃａｃ）2 を製造する場合、原料として水酸
化亜鉛Ｚｎ（ＯＨ）2 及びアセチルアセトン（Ｃ5 Ｈ8
Ｏ2 ）を用いる簡単な方法で反応を行わせるので、従来
のようにＮａやＳのような有害な不純物は含まれない。
従ってこれらの不純物による原料錯体の汚染は生じない
ため、高温時も安定状態を保つことができる。As described above, according to this embodiment, when manufacturing bisacetylacetonato zinc Zn (acac) 2 which is a CVD raw material for forming a ZnO film, zinc hydroxide Zn (OH) 2 and acetylacetone are used as raw materials. (C 5 H 8
Since the reaction is carried out by a simple method using O 2 ), harmful impurities such as Na and S are not included as in the prior art.
Thus contamination of the raw material complex by these impurities can be kept viable Ji such damage, the high temperature stable state.
【００３３】従って、ＺｎＯ膜の析出速度を上げるため
の高温でのＣＶＤ処理が容易となるので、各種用途に適
用されるＺｎＯ膜の作製を効率良く行うことができるよ
うになる。Therefore, the CVD process at a high temperature for increasing the deposition rate of the ZnO film is facilitated, so that the ZnO film applicable to various uses can be manufactured efficiently.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、Ｚｎ
Ｏ膜を作製するＣＶＤ用原料であるビスアセチルアセト
ナト亜鉛Ｚｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 を有害不純物を含まな
い簡単な方法で製造することができるので、ＣＶＤ用原
料として熱的安定性に優れたものを得ることができる。As described above, according to the present invention, Zn
Bisacetylacetonato zinc Zn (C 5 H 7 O 2 ) 2 , which is a raw material for CVD for forming an O film, can be produced by a simple method containing no harmful impurities. Excellent ones can be obtained.
【図１】本発明の実施例で得られたビスアセチルアセト
ナト亜鉛を用いてＺｎＯ膜を作製する熱ＣＶＤ装置を示
す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a thermal CVD apparatus for producing a ZnO film using bisacetylacetonato zinc obtained in an example of the present invention.
【図２】図１の装置によって作製されるＺｎＯ膜の析出
速度の温度依存性を示す特性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram showing the temperature dependence of the deposition rate of a ZnO film produced by the apparatus shown in FIG.
【図３】本発明実施例で用いられるビスアセチルアセト
ナト亜鉛の化学構造式である。FIG. 3 is a chemical structural formula of zinc bisacetylacetonato used in Examples of the present invention.
【図４】本発明実施例で用いられるアセチルアセトンの
化学構造式である。FIG. 4 is a chemical structural formula of acetylacetone used in Examples of the present invention.
１ 脱水用カラム ６ 原料気化器 １１ ノズル １２ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Dehydration column 6 Raw material vaporizer 11 Nozzle 12 Substrate
Claims (2)
セトン（Ｃ5 Ｈ8 Ｏ2 ）とを有機溶媒中において反応さ
せて、付加物として水（Ｈ2 Ｏ）を有するビスアセチル
アセトナト亜鉛Ｚｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏを形成
し、続いて前記付加物である水（Ｈ2 Ｏ）を除去するこ
とを特徴とするビスアセチルアセトナト亜鉛の製造方
法。1. A reaction between zinc hydroxide Zn (OH) 2 and acetylacetone (C 5 H 8 O 2 ) in an organic solvent to obtain zinc bisacetylacetonato zinc having water (H 2 O) as an adduct. A method for producing bis (acetylacetonato) zinc, comprising forming (C 5 H 7 O 2 ) 2 .H 2 O and subsequently removing the adduct water (H 2 O).
（Ｃ5 Ｈ7Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏにメタノール（ＣＨ3 Ｏ
Ｈ）を反応させて水（Ｈ2 Ｏ）を除去する請求項１記載
のビスアセチルアセトナト亜鉛の製造方法。2. The zinc bisacetylacetonate Zn
(C 5 H 7 O 2 ) 2 .H 2 O in methanol (CH 3 O
Method for producing bis acetylacetonate zinc of claim 1 H) are reacted with the removal of water (H 2 O).
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH04334388A JPH04334388A (en) | 1992-11-20 |
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