JP3079589B2 - Monitoring method of vacuum processing equipment - Google Patents
Monitoring method of vacuum processing equipmentInfo
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Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、処理チャンバとガス供
給系と真空排気系を有して所定の処理を行う真空処理装
置の監視方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for monitoring a vacuum processing apparatus having a processing chamber, a gas supply system, and a vacuum exhaust system and performing a predetermined process.
【０００２】半導体装置の製造では、基板上に膜を形成
するＣＶＤや基板表面をエッチングするドライエッチン
グなどに上記真空処理装置を用いている。その基板は半
導体チップを多数個取りするウエーハであるので、上記
処理が正常に行われない場合には、多数の半導体チップ
が品質低下したり不良となったりして、半導体装置の信
頼性低下や多額の損失を招くことになる。In the manufacture of semiconductor devices, the above vacuum processing apparatus is used for CVD for forming a film on a substrate, dry etching for etching a substrate surface, and the like. Since the substrate is a wafer for taking a large number of semiconductor chips, if the above processing is not performed normally, many semiconductor chips are deteriorated in quality or defective, and the reliability of the semiconductor device is reduced. This results in a large loss.
【０００３】そこで、処理に異常が発生する前に補繕が
できるように真空処理装置の異常を早期に発見すること
が望まれる。[0003] Therefore, it is desired to find an abnormality in the vacuum processing apparatus at an early stage so that repair can be performed before an abnormality occurs in the processing.
【０００４】[0004]
【従来の技術】上記真空処理装置を使用する際、従来
は、処理を適正にさせるために次の事項を管理してい
る。2. Description of the Related Art Conventionally, when using the above-mentioned vacuum processing apparatus, the following items are managed in order to make processing appropriate.
【０００５】１）処理チャンバの圧力：処理開始前の到
達真空度及び処理中のガス圧力。 ２）処理チャンバにおける被処理基板の温度。 ３）ガス供給系から供給するガスの流量〔マスフローコ
ントローラ（ＭＦＣ）による〕。[0005] 1) Pressure in the processing chamber: the ultimate vacuum degree before the start of the processing and the gas pressure during the processing. 2) The temperature of the substrate to be processed in the processing chamber. 3) Flow rate of gas supplied from the gas supply system (by mass flow controller (MFC)).
【０００６】しかしながらこれらの事項は、処理に必要
な条件であって、真空処理装置の異常を早期に発見する
ためのものではない。そこで真空処理装置の正常性を維
持するため、その装置を定期的に使用停止して厳密な点
検を行い、不具合な箇所が見つかればその時点に補繕を
行っている。また、使用中に上記事項が異常となった際
には、急遽使用停止してその原因を追求し補繕を行うと
いった段取りとなっている。However, these items are conditions necessary for processing, and are not for detecting abnormalities of the vacuum processing apparatus at an early stage. Therefore, in order to maintain the normality of the vacuum processing apparatus, the apparatus is periodically stopped and strictly inspected, and repair is performed at that point when a defective portion is found. In addition, when the above-mentioned matter becomes abnormal during use, it is arranged that the use is suddenly stopped, the cause is pursued, and repair is performed.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】真空処理装置に対する
このような補繕のやり方は、稼働率を重視して定期点検
の周期を長くした際には使用中の異常発生確率が高くな
り、また、用心して定期点検の周期を短くした際には稼
働率が低下するといった問題がある。According to such a repairing method for the vacuum processing apparatus, when the period of the periodic inspection is lengthened with an emphasis on the operation rate, the probability of occurrence of an abnormality during use increases, and When the period of the periodic inspection is shortened with caution, there is a problem that the operation rate decreases.
【０００８】このことは、真空処理装置が異常を起こす
迄の期間が一定しないことによるものであり、処理条件
の異常が発生する前の使用中に装置の異常が発見できる
ような監視を行わない限り回避が困難である。This is due to the fact that the period until the vacuum processing apparatus causes an abnormality is not constant, and monitoring is not performed so that an abnormality of the apparatus can be found during use before the abnormality of the processing conditions occurs. As long as it is difficult to avoid.
【０００９】そこで本発明は、上述の真空処理装置にお
いて、使用中に装置異常の発見を可能させる監視方法の
提供を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of monitoring the above-mentioned vacuum processing apparatus, which enables an abnormality of the apparatus to be detected during use.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明の監視方法は、処理チャンバに連なるガス
供給系と真空排気系とを有する真空処理装置の監視方法
であって、該真空排気系の真空ポンプ部分におけるガス
温度のモニターによって、該真空処理装置が正常に動作
しているときの該モニターの経時的温度変化を基準デー
タとし、かつ、該真空ポンプの始動から処理の繰り返し
にわたる該モニターの経時的温度変化を該真空処理装置
を使用しているときの評価データとし、処理の繰り返し
中において、該処理の繰り返しによって生ずる該評価デ
ータを該基準データと比較し、温度差が該基準データよ
りも大であるときは、該真空ポンプに異常があると判断
し、または、温度差が該基準データよりも小であるとき
は、該ガス供給系にガス供給量低下の異常があると判断
し、または、温度差が該基準データの温度よりも常に大
であるときは、該真空処理装置に外気の侵入リークがあ
ると判断し、または、該評価データの温度ピーク値が上
昇し続けるときは、該真空ポンプに至る真空排気管の詰
まりが進行中であると判断することにより前記監視を行
うことを特徴としている。To achieve SUMMARY OF to the above objects, the monitoring method of the present gun invention, gas connected to the processing chamber
Monitoring method for vacuum processing apparatus having supply system and evacuation system
Gas in the vacuum pump portion of the vacuum pumping system
The vacuum processing device operates normally by monitoring the temperature.
Changes in the temperature of the monitor over time
And repeat the process from the start of the vacuum pump.
The temperature change over time of the monitor over the vacuum processing apparatus
Is used as evaluation data when using
The evaluation data generated by the repetition of the processing.
Data is compared with the reference data, and the temperature difference is compared with the reference data.
Is too large, it is determined that the vacuum pump is abnormal.
Or when the temperature difference is smaller than the reference data
Determines that there is an abnormality in the gas supply
Or the temperature difference is always greater than the temperature of the reference data.
If there is a leak of outside air in the vacuum processing device,
Or the temperature peak value of the evaluation data is
If it continues to rise, clog the vacuum exhaust pipe to the vacuum pump.
The monitoring is performed by determining that a ball is in progress .
【００１１】それによって監視できる内容は次のようで
ある。 前記評価データが前記基準データとほぼ一致する際
は、前記真空処理装置が正常な状態にあると判断する。The contents that can be monitored thereby are as follows. When the evaluation data substantially matches the reference data, it is determined that the vacuum processing apparatus is in a normal state.
【００１２】 前記真空処理装置の使用開始時におい
て、前記評価データの温度の上昇が前記基準データの上
昇した温度と一致して終了した時点を、正常な処理の開
始可能時点と判断する。When the use of the vacuum processing apparatus is started, a point in time when the rise in the temperature of the evaluation data coincides with the rise in the reference data and ends is determined as a time at which normal processing can be started.
【００１３】 処理の繰り返し中において、該処理の
繰り返しで生ずる前記評価データの温度上下差が前記基
準データのそれよりも大である際は、前記真空ポンプに
異常があると判断する。During the repetition of the process, if the temperature difference in the evaluation data caused by the repetition of the process is larger than that of the reference data, it is determined that the vacuum pump is abnormal.
【００１４】 処理の繰り返し中において、該処理の
度毎に生ずる前記評価データの温度ピーク値が前記基準
データのそれよりも小である際は、前記ガス供給系にガ
ス供給量低下の異常があると判断する。During the repetition of the process, when the temperature peak value of the evaluation data generated each time the process is smaller than that of the reference data, there is an abnormality in the gas supply system in the gas supply system. Judge.
【００１５】 処理の繰り返し中において、前記評価
データの温度が前記基準データの温度よりほぼ一定して
大である際は、前記真空処理装置に外気の侵入リークが
あると判断する。During the repetition of the processing, when the temperature of the evaluation data is substantially constant and higher than the temperature of the reference data, it is determined that there is an intrusion leak of outside air in the vacuum processing apparatus.
【００１６】 処理の繰り返し中において、該処理の
度毎に生ずる前記評価データの温度ピーク値が該処理の
繰り返しと共に上昇し続ける際は、前記真空ポンプに至
る真空排気管の詰まりが進行中であると判断する。During the repetition of the process, when the temperature peak value of the evaluation data generated each time the process continues to increase with the repetition of the process, clogging of the vacuum exhaust pipe to the vacuum pump is in progress. Judge.
【００１７】 任意回数の処理を繰り返す期間におい
て、一回の処理に供給されるべきガス量と該処理の度毎
に生ずる前記評価データの温度ピークの回数との積が、
前記ガス供給系のガスボンベで減少したガス量の値と一
致する際は、前記真空処理装置のガス放出リークによる
環境汚染が防止されていると判断する。In a period in which the process is repeated an arbitrary number of times, the product of the gas amount to be supplied to one process and the number of temperature peaks of the evaluation data generated each time the process is performed is as follows:
When the value of the gas amount coincides with the value of the gas amount reduced in the gas cylinder of the gas supply system, it is determined that environmental pollution due to a gas release leak of the vacuum processing apparatus is prevented.
【００１８】そして、前記ガス温度のモニターは、前記
真空ポンプのガス出口部分に温度センサーを挿入して行
うか、または、前記真空ポンプのガス出口部分またはガ
ス圧縮部分の外壁に温度センサーを装着して行うのが望
ましい。The gas temperature is monitored by inserting a temperature sensor into the gas outlet of the vacuum pump, or by attaching a temperature sensor to the outer wall of the gas outlet or the gas compression part of the vacuum pump. It is desirable to do it.
【００１９】[0019]
【作用】一般に、上記真空処理装置は、処理の繰り返し
中において、処理時と非処理時（被処理基板交換時）と
で処理チャンバへのガス供給を異ならせている。In general, in the above vacuum processing apparatus, during the repetition of processing, the gas supply to the processing chamber is made different between during processing and during non-processing (when replacing a substrate to be processed).
【００２０】本発明者は、そのガス供給の変化と共に上
記真空ポンプ部分のガス温度が変化し、然も、その変化
の形態と装置の正常や種々の異常との間に相関があるこ
とを見出した。それは、温度変化を見る箇所が装置の下
流部分であって、処理チャンバに流入するガスの種類と
流量、基板温度、ガスに対する配管のコンダクタンス、
希釈ガスの流量、ポンプのガス流量とガス圧縮状態、ポ
ンプ冷却水の温度と流量、などによりガスに与えられる
エネルギーが微妙に変化する結果と考えられる。The inventor of the present invention has found that the gas temperature of the vacuum pump section changes with the change of the gas supply, and there is a correlation between the form of the change and the normal or various abnormalities of the apparatus. Was. That is, the point where the temperature change is observed is the downstream portion of the apparatus, and the type and flow rate of the gas flowing into the processing chamber, the substrate temperature, the conductance of the pipe to the gas,
It is considered that the energy given to the gas is slightly changed depending on the flow rate of the dilution gas, the gas flow rate and the gas compression state of the pump, the temperature and the flow rate of the pump cooling water, and the like.
【００２１】本発明は、この現象に着目して上記ガス温
度のモニターを行い、その経時的温度変化により装置の
使用中に装置が正常であるかまたは異常を起こしていな
いかを監視できるようにしたものである。即ち、このモ
ニターで得られる上記評価データ及び基準データの温度
比較により上記 〜の監視が可能となり、また、評価
データ単独の温度変化で上記の監視が可能となり、更
に、評価データと装置の上流部分にあるガスボンベから
のデータとの比較により上記の監視が可能となってい
る。このは、評価データから処理回数を知ることがで
きることを利用したものてあり、特に有毒ガスを使用す
る際の環境対策として有効である。The present invention focuses on this phenomenon, and
Monitoring of the temperature, and the temperature change over time
The device is normal or abnormal during use.
It is designed to monitor squid. That is, this mode
Temperature of the above evaluation data and reference data obtained by
By comparison above Can be monitored and evaluated
The above monitoring becomes possible with temperature change of data alone,
Then, the evaluation data and the gas cylinder in the upstream
The above monitoring is possible by comparing with the data of
You. This is because the number of processing can be known from the evaluation data.
Use toxic gas.
It is effective as an environmental measure when it is used.
【００２２】そして上記ガス温度のモニターは、真空ポ
ンプのガス出口部分に温度センサーを挿入するのが直接
的であるが、温度センサーを真空ポンプのガス出口部分
またはガス圧縮部分の外壁に装着する間接的なものにし
ても、即ちガス温度変化の検出波形に崩れが生じても上
記監視に必要な温度変化を検出できる。In monitoring the gas temperature, it is straightforward to insert a temperature sensor into the gas outlet of the vacuum pump, but indirectly by mounting the temperature sensor on the outer wall of the gas outlet or the gas compressor of the vacuum pump. In other words, even if the detection waveform of the gas temperature change collapses, the temperature change required for the monitoring can be detected.
【００２３】[0023]
【実施例】以下本発明の実施例について図１及び図２を
用いて説明する。図１の(a) は実施例における装置構成
図であり、(b) 〜(f)は評価データによる装置状態の判
断例である。また、図２は温度センサーの位置による評
価データＢの波形の差を示し、(a) は真空ポンプのガス
圧縮部分の外壁に装着した場合、(b) は真空ポンプのガ
ス出口部分に挿入した場合である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1A is a diagram of the device configuration in the embodiment, and FIGS. 1B to 1F are examples of the determination of the device state based on the evaluation data. FIG. 2 shows the difference between the waveforms of the evaluation data B depending on the position of the temperature sensor. FIG. 2 (a) shows a case where the pressure sensor is mounted on the outer wall of the gas compression part of the vacuum pump, and FIG. Is the case.
【００２４】図１(a) において、10は処理チャンバ、20
はガス供給系、30は真空排気系、40は監視系、である。
ガス供給系20は、処理時に処理チャンバ10へ所要のガス
を供給するものであり、ガスボンベ21と、ガスボンベ21
から処理チャンバ10へのガス供給量を制御するＭＦＣ22
を有する。通常は、供給するガスが複数なので、ガスボ
ンベ21とＭＦＣ22が複数になるが、ここでは説明の複雑
化を避けてそれぞれを一個で示してある。In FIG. 1A, reference numeral 10 denotes a processing chamber;
Is a gas supply system, 30 is a vacuum exhaust system, and 40 is a monitoring system.
The gas supply system 20 supplies a required gas to the processing chamber 10 during processing, and includes a gas cylinder 21 and a gas cylinder 21.
MFC22 that controls the gas supply amount from the processing chamber 10 to the processing chamber 10
Having. Usually, since a plurality of gases are supplied, a plurality of gas cylinders 21 and a plurality of MFCs 22 are provided.
【００２５】真空排気系30は、処理チャンバ10を所望の
圧力に真空排気するためのものであり、メカニカルブー
スターポンプである真空ポンプ31と、真空ポンプ31への
真空排気管32を有する。通常は、処理チャンバ10の真空
度を得やすくするため真空ポンプ31を２段以上の構成に
してあるが、ここでは説明の複雑化を避けて１段で示し
てある。The vacuum evacuation system 30 is for evacuating the processing chamber 10 to a desired pressure, and has a vacuum pump 31 which is a mechanical booster pump and a vacuum evacuation pipe 32 to the vacuum pump 31. Usually, the vacuum pump 31 has two or more stages in order to easily obtain the degree of vacuum of the processing chamber 10, but here, it is shown in one stage to avoid complication of the description.
【００２６】監視系40は、熱電対からなり真空ポンプ31
のガス圧縮部分の外壁に装着した温度センサー41と、パ
ソコン程度の電子計算機42を有し、電子計算機42は、温
度センサー41の温度信号43とＭＦＣ22の指示流量信号44
とガスボンベ21内ガス量の信号45が入力して、上記の温
度、指示流量、ガス量を常時モニターする。The monitoring system 40 comprises a thermocouple and the vacuum pump 31
A temperature sensor 41 attached to the outer wall of the gas compression part, and an electronic computer 42 similar to a personal computer. The electronic computer 42 has a temperature signal 43 of the temperature sensor 41 and an indicated flow signal 44 of the MFC 22.
And the signal 45 of the gas amount in the gas cylinder 21 are inputted, and the above-mentioned temperature, indicated flow rate and gas amount are constantly monitored.
【００２７】ここで温度センサー41による温度のモニタ
ーは、本発明の最も特徴とするところであり、真空ポン
プ31部分におけるガス温度の経時的温度変化を示し、以
下に述べるように、装置の使用中に装置が正常であるか
または異常を起こしていないかを監視するための基幹を
なすものである。Here, the temperature monitoring by the temperature sensor 41 is the most characteristic of the present invention, and indicates the time-dependent temperature change of the gas temperature in the vacuum pump 31 and, as described below, during use of the apparatus. It is the backbone for monitoring whether the device is normal or not abnormal.
【００２８】即ち、真空ポンプ31の始動から処理の繰り
返しに渡る上記経時的温度変化を装置の使用時に評価デ
ータとして求め、そのデータを利用して装置の状態を監
視するのである。その際、装置が正常に動作する状態の
時に上記経時的温度変化を基準データとして予め求めて
おく。That is, the temperature change over time from the start of the vacuum pump 31 to the repetition of the process is obtained as evaluation data when the apparatus is used , and the state of the apparatus is monitored using the data. At this time, when the apparatus is in a normal operation state, the above-mentioned temporal temperature change is obtained in advance as reference data.
【００２９】そしてその監視によれば、図１(b) 〜(f)
に評価データＢ〜Ｆで示すような上記評価データの波形
の形態により装置の状態を判断することができる。図中
のＡは基準データである。この判断は、発明者が装置の
状態と評価データの波形形態との間に相関があることを
経験的に見出して可能となったものである。According to the monitoring, FIG. 1 (b)-(f)
The state of the apparatus can be determined based on the waveform of the evaluation data as shown by the evaluation data BF. A in the figure is reference data. This judgment has been made possible by the inventor's empirical finding that there is a correlation between the state of the apparatus and the waveform form of the evaluation data.
【００３０】即ち、図１(b) は、評価データＢが基準デ
ータＡとほぼ一致する際であり、装置が正常な状態にあ
ると判断する。また、使用開始時において、評価データ
Ｂの温度の上昇が基準データＡの上昇した温度と一致し
て終了した時点を、正常な処理の開始可能時点と判断す
ることができる。That is, FIG. 1B shows when the evaluation data B substantially matches the reference data A, and it is determined that the apparatus is in a normal state. Further, at the start of use, a point in time at which the rise in the temperature of the evaluation data B coincides with the rise in the temperature of the reference data A and ends can be determined as a time at which normal processing can be started.
【００３１】図１(c) は、処理の繰り返し中において、
その処理の繰り返しで生ずる評価データＣの温度上下差
が基準データＡのそれよりも大である際であり、真空ポ
ンプ31に異常があると判断する。FIG. 1C shows that during the repetition of the processing,
This is when the temperature difference between the evaluation data C and the temperature difference caused by the repetition of the process is larger than that of the reference data A, and it is determined that the vacuum pump 31 is abnormal.
【００３２】図１(d) は、処理の繰り返し中において、
処理の度毎に生ずる前記評価データＤの温度ピーク値が
基準データＡのそれよりも小である際であり、ガス供給
系20にガス供給量低下の異常があると判断する。この異
常はＭＦＣ22の指示流量と実流量が異なるトラブルであ
ることがある。FIG. 1D shows that during the repetition of the processing,
It is when the temperature peak value of the evaluation data D generated every time the processing is smaller than that of the reference data A, and it is determined that the gas supply system 20 has an abnormality in the gas supply amount decrease. This abnormality may be a trouble in which the indicated flow rate of the MFC 22 differs from the actual flow rate.
【００３３】図１(e) は、処理の繰り返し中において、
評価データＥの温度が基準データＡの温度よりほぼ一定
して大である際であり、装置に外気の侵入リークがある
と判断する。FIG. 1E shows that during the repetition of the processing,
It is when the temperature of the evaluation data E is substantially constant and higher than the temperature of the reference data A, and it is determined that there is an intrusion leak of outside air in the apparatus.
【００３４】図１(f) は、処理の繰り返し中において、
その処理の度毎に生ずる評価データＦの温度ピーク値が
処理の繰り返しと共に上昇し続ける際は、真空ポンプ31
に至る真空排気管32の詰まりが進行中であると判断す
る。FIG. 1 (f) shows that during the repetition of the processing,
When the temperature peak value of the evaluation data F generated every time the process continues to increase with the repetition of the process, the vacuum pump 31
It is determined that the clogging of the vacuum exhaust pipe 32 leading to is in progress.
【００３５】ところで、基準データＡも同様であるが、
評価データＢ〜Ｅでは処理の度毎に温度ピークが生じて
いる。この点に着目すれば、先に述べたガスボンベ21内
ガス量のモニターと組み合わせて以下のような監視を行
うことができる。By the way, the same applies to the reference data A,
In the evaluation data B to E, a temperature peak occurs every time the processing is performed. Focusing on this point, the following monitoring can be performed in combination with the monitoring of the gas amount in the gas cylinder 21 described above.
【００３６】即ち、任意回数の処理を繰り返す期間にお
いて、一回の処理に供給されるべきガス量と評価データ
の温度ピークの回数との積が、ガスボンベ21で減少した
ガス量の値と一致する際は、装置のガス放出リークによ
る環境汚染が防止されていると判断する。この監視は、
処理に有毒ガスを使用する際の環境対策として有効であ
る。That is, in the period in which the process is repeated an arbitrary number of times, the product of the gas amount to be supplied to one process and the number of temperature peaks of the evaluation data coincides with the value of the gas amount reduced in the gas cylinder 21. At this time, it is determined that environmental pollution due to gas release leak of the apparatus is prevented. This monitoring is
It is effective as an environmental measure when using toxic gases for treatment.
【００３７】上記の実施例では、基準データＡ及び評価
データＢ〜Ｆを求めるための温度センサー41を真空ポン
プ31のガス圧縮部分の外壁に装着したので、ガス温度変
化の検出が間接的となり例えば評価データＢの波形が図
２(a) にも示すように鋸歯状となっているが、温度セン
サー41を真空ポンプ31のガス出口部分に挿入すれば、ガ
ス温度変化の検出が直接的となって上記波形が図２(b)
のように角形に近くなり、より精度の良い評価データＢ
が得られる。また、温度センサー41を真空ポンプ31の出
口部分の外壁に装着すれば、両者の中間の波形をもつ評
価データＢが得られる。上述した監視のためには図２
(b) の方がより望ましいが図２(a)の方であっても十分
に足りる。In the above embodiment, since the temperature sensor 41 for obtaining the reference data A and the evaluation data BF is mounted on the outer wall of the gas compression portion of the vacuum pump 31, the detection of the gas temperature change becomes indirect, for example, The waveform of the evaluation data B has a saw-tooth shape as shown in FIG. 2 (a). However, if the temperature sensor 41 is inserted into the gas outlet of the vacuum pump 31, the detection of the gas temperature change becomes direct. Fig. 2 (b)
And the evaluation data B is more accurate.
Is obtained. If the temperature sensor 41 is mounted on the outer wall of the outlet of the vacuum pump 31, evaluation data B having a waveform intermediate between the two can be obtained. Fig. 2
2 (b) is more desirable, but even FIG. 2 (a) is sufficient.
【００３８】そして装置の使用中に行うこの監視によ
り、処理条件の異常が発生する前に装置の異常を発見す
ることができて、補繕を従来の定期点検に依存する場合
より装置の稼働率を向上させ且つ処理不良の発生率を低
減させることが可能となる。This monitoring performed during use of the apparatus makes it possible to detect an abnormality in the apparatus before an abnormality in the processing conditions occurs, and to improve the operation rate of the apparatus as compared with a case where the repair depends on the conventional periodic inspection. And the occurrence rate of processing defects can be reduced.
【００３９】上述の実施例は、ガスボンベ21、ＭＦＣ2
2、真空ポンプ31をそれぞれ一個にして説明したが、そ
れらが所要に応じて複数になる場合にも同様の監視を行
うことができることは容易に理解されよう。In the above-described embodiment, the gas cylinder 21, MFC2
2. Although a single vacuum pump 31 has been described, it will be easily understood that the same monitoring can be performed when a plurality of vacuum pumps 31 are provided as necessary.
【００４０】特に、真空ポンプ31が２段以上の構成をな
す場合は、大気に近い側の真空ポンプを処理チャンバ10
に近い側の真空ポンプよりも小容積にしてあり、両者に
おけるガスの温度上昇が異なるので、それぞれの真空ポ
ンプに温度センサー41を装着して評価データを複数にす
ることにより、木目細やかな判断が可能となって監視の
信頼性を向上させることができる。In particular, when the vacuum pump 31 has two or more stages, the vacuum pump closer to the atmosphere is connected to the processing chamber 10.
Since the volume of the gas is smaller than that of the vacuum pump on the side closer to, and the temperature rise of the gas is different between the two, by attaching the temperature sensor 41 to each vacuum pump and using multiple evaluation data, it is It is possible to improve the reliability of monitoring.
【００４１】[0041]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、処
理チャンバとガス供給系と真空排気系を有して所定の処
理を行う真空処理装置において、装置の使用中に行う本
発明の監視により、処理条件の異常が発生する前に装置
の異常を発見することができて、補繕を従来の定期点検
に依存する場合よりも、装置の稼働率向上と処理不良の
発生率低減を可能にさせる効果がある。As described above, according to the present invention, in a vacuum processing apparatus having a processing chamber, a gas supply system, and a vacuum exhaust system and performing a predetermined processing, the monitoring of the present invention performed during use of the apparatus. The system can detect abnormalities in the equipment before abnormalities in the processing conditions occur, and can improve the operating rate of the equipment and reduce the occurrence rate of processing defects compared to the case where the repair depends on the conventional periodic inspection. This has the effect of causing
【図１】 実施例を説明するための図で、(a) は実施例
における装置構成図であり、(b) 〜(f) は評価データに
よる装置状態の判断例である。FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment, in which (a) is an apparatus configuration diagram in the embodiment, and (b) to (f) are examples of determination of an apparatus state based on evaluation data.
【図２】 温度センサーの位置による評価データＢの波
形の差を示し、(a)は真空ポンプのガス圧縮部分の外壁
に装着した場合、(b) は真空ポンプのガス出口部分に挿
入した場合である。FIG. 2 shows a difference between waveforms of evaluation data B depending on a position of a temperature sensor. FIG. 2A shows a case where the pressure sensor is attached to an outer wall of a gas compression part of a vacuum pump, and FIG. It is.
10 処理チャンバ 20 ガス供給系 21 ガスボンベ 22 ＭＦＣ 30 真空排気系 31 真空ポンプ 32 真空排気管 40 監視系 41 温度センサー 42 電子計算機 43 温度センサーの温度信号 44 ＭＦＣの指示流量信号 45 ガスボンベ内ガス量の信号 Ａ 基準データ Ｂ 装置正常の場合の評価データ Ｃ 真空ポンプ異常の場合の評価データ Ｄ ガス供給系異常の場合の評価データ Ｅ 外気侵入リークの場合の評価データ Ｆ 真空排気管詰まりの場合の評価データ 10 Processing chamber 20 Gas supply system 21 Gas cylinder 22 MFC 30 Vacuum exhaust system 31 Vacuum pump 32 Vacuum exhaust pipe 40 Monitoring system 41 Temperature sensor 42 Computer 43 Temperature signal of temperature sensor 44 MFC instruction flow signal 45 Signal of gas in gas cylinder A Reference data B Evaluation data when the device is normal C Evaluation data when the vacuum pump is abnormal D Evaluation data when the gas supply system is abnormal E Evaluation data when the ambient air leaks F Evaluation data when the vacuum exhaust pipe is clogged
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｚ 21/66 21/302 Ｅ (72)発明者 藤江 信夫 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−258427（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−30525（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−198472（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23F 4/00 C23C 14/54 C23C 16/52 H01L 21/205 H01L 21/3065 H01L 21/31 H01L 21/66 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI H01L 21/31 H01L 21/66 Z 21/66 21/302 E (72) Inventor Nobuo Fujie 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Address Fujitsu Limited (56) References JP-A-1-258427 (JP, A) JP-A-62-230525 (JP, A) JP-A-4-198472 (JP, A) (58) Fields investigated Int.Cl. 7 , DB name) C23F 4/00 C23C 14/54 C23C 16/52 H01L 21/205 H01L 21/3065 H01L 21/31 H01L 21/66
Claims (2)
排気系とを有する真空処理装置の監視方法であって、 該真空排気系の真空ポンプ部分におけるガス温度のモニ
ターによって、該真空処理装置が正常に動作していると
きの該モニターの経時的温度変化を基準データとし、か
つ、該真空ポンプの始動から処理の繰り返しにわたる該
モニターの経時的温度変化を該真空処理装置を使用して
いるときの評価データとし、 処理の繰り返し中において、該処理の繰り返しによって
生ずる該評価データを該基準データと比較し、 温度差が該基準データよりも大であるときは、該真空ポ
ンプに異常があると判断し、 または、温度差が該基準データよりも小であるときは、
該ガス供給系にガス供給量低下の異常があると判断し、 または、温度差が該基準データの温度よりも常に大であ
るときは、該真空処理装置に外気の侵入リークがあると
判断し、 または、該評価データの温度ピーク値が上昇し続けると
きは、該真空ポンプに至る真空排気管の詰まりが進行中
であると判断する ことを特徴とする真空処理装置の監視
方法。1. A gas supply system connected to a processing chamber and a vacuum
A method for monitoring a vacuum processing apparatus having an exhaust system, comprising monitoring a gas temperature at a vacuum pump portion of the vacuum exhaust system.
The vacuum processing device is operating normally
The temperature change of the monitor over time as reference data,
First, the operation from the start of the vacuum pump to the repetition of the process.
The temperature change over time of the monitor can be measured using the vacuum processing device.
Is used as the evaluation data, and during the repetition of the process,
The generated evaluation data is compared with the reference data, and when the temperature difference is larger than the reference data, the vacuum pump is used.
If it is determined that the pump is abnormal, or if the temperature difference is smaller than the reference data,
It is determined that there is an abnormality in the gas supply amount in the gas supply system, or the temperature difference is always larger than the temperature of the reference data.
When there is a leak of outside air in the vacuum processing device,
Judgment, or if the temperature peak value of the evaluation data continues to rise
Clogging of the vacuum exhaust pipe leading to the vacuum pump is in progress
A method for monitoring a vacuum processing apparatus, comprising:
て、一回の処理に供給されるべきガス量と該処理の度毎
に生ずる該評価データの温度ピークの回数との積が、該
ガス供給系のガスボンベで減少したガス量の値と一致し
たときは、該真空処理装置のガス放出リークによる環境
汚染が防止されていると判断することを特徴とする請求
項１記載の真空処理装置の監視方法。2. In a period in which processing is repeated an arbitrary number of times.
The amount of gas to be supplied to one process and the time of each process
The product of the evaluation data and the number of temperature peaks occurring in
In accordance with the value of the gas amount reduced in the gas cylinder of the gas supply system,
Environment caused by gas release leak of the vacuum processing equipment
Claiming that pollution is prevented
Item 4. The method for monitoring a vacuum processing apparatus according to Item 1 .
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| JP03026530A JP3079589B2 (en) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | Monitoring method of vacuum processing equipment |
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| JPH059759A JPH059759A (en) | 1993-01-19 |
| JP3079589B2 true JP3079589B2 (en) | 2000-08-21 |
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| JP (1) | JP3079589B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| CN108414016A (en) * | 2018-03-01 | 2018-08-17 | 深圳市晟达机械设计有限公司 | A kind of sewage network monitoring system based on big data technology |
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1991
- 1991-02-20 JP JP03026530A patent/JP3079589B2/en not_active Expired - Fee Related
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