JP3062210B2 - Piezoelectric strain material - Google Patents

Piezoelectric strain material

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JP3062210B2 JP2039138A JP3913890A JP3062210B2 JP 3062210 B2 JP3062210 B2 JP 3062210B2 JP 2039138 A JP2039138 A JP 2039138A JP 3913890 A JP3913890 A JP 3913890A JP 3062210 B2 JP3062210 B2 JP 3062210B2
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、精密工作機械における位置決め、流量制御
バルブ、自動車のブレーキ装置等に使用し得るアクチュ
エータ用の圧電電歪材料に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a piezoelectric electrostrictive material for an actuator that can be used for positioning in a precision machine tool, a flow control valve, a brake device of an automobile, and the like.

〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by conventional technology and invention]

電界を加えると機械的な歪みを生じる性質を有する物
質は、一般に圧電材料又は圧電電歪材料と呼ばれ、電気
機械変換素子として、バイモルフ、圧電着火素子、超音
波振動子、圧電ブザー、セラミックフィルター等に広く
利用されている。
Substances that have the property of causing mechanical strain when an electric field is applied are generally called piezoelectric materials or piezoelectric electrostrictive materials, and as electromechanical transducers, bimorphs, piezoelectric ignition elements, ultrasonic vibrators, piezoelectric buzzers, ceramic filters Widely used for etc.

一般に圧電材料に電界をかけるとその結晶構造が変化
し、その結晶変態点において極大の歪量(電気機械結合
定数)を示す。結晶変態点は各圧電材料により異なるの
で、目的の作動温度に応じ、適当な圧電材料を選択して
用いている。
In general, when an electric field is applied to a piezoelectric material, its crystal structure changes, and the crystal transformation point exhibits a maximum amount of strain (electromechanical coupling constant). Since the crystal transformation point is different for each piezoelectric material, an appropriate piezoelectric material is selected and used according to the target operating temperature.

このような圧電材料としては、BaTiO3、Pb(Zr,Ti)O
3(PZT)、LiNbO3、LiTaO3等が知られている。また上記
した材料に他の酸化物等を添加して、圧電材料の各種特
性を向上させたものも用いられている。
Such piezoelectric materials include BaTiO 3 , Pb (Zr, Ti) O
3 (PZT), LiNbO 3 , LiTaO 3 and the like are known. Further, a material obtained by adding other oxides or the like to the above-described materials to improve various characteristics of the piezoelectric material is also used.

ところで圧電材料として広く使用されているPZTは、
約1.5×10-3の歪量(Δl/)を有するが、より大きな
歪量、例えば約3.0×10-3以上の歪量を得ようとする
と、電界を印加したときに生ずる歪が異方性を持つよう
になるために、PZT内の粒界に応力が集中して破壊に到
るという問題がある。
By the way, PZT, which is widely used as a piezoelectric material,
Although it has a strain amount of about 1.5 × 10 -3 (Δl /), if a larger strain amount, for example, a strain amount of about 3.0 × 10 -3 or more is to be obtained, the distortion generated when an electric field is applied becomes anisotropic. Therefore, there is a problem that stress is concentrated on the grain boundaries in the PZT, leading to fracture.

一方PZTにおいて、Zrの一部をNb及びSnで置換したPNZ
ST材(たとえばPb0.99Nb0.02〔(Zr0.6Sn0.40.94Ti
0.060.98O3)は、破壊を起こすことなく大きな歪みを
生ずることが報告されている(「応用物理」、第54巻第
6号(1985年)、591−595頁)。これは第4図に模式的
に示すように、PNZST材が電界強度30KV/cm程度の電界の
印加を受けると、まず反強誘電相(a)から強誘電相
(b)への相転移により大きく等方的に膨張し、さらに
相転移後に圧電現象が起こり、電界印加方向に伸びる
(歪む)ためである。この相転移による膨張((a)→
(b))と、電圧印加による歪みとの両方によって得ら
れる電界印加方向の歪みは、通常のPZT圧電電歪材料の
歪みの約2倍の大きさである。この点で上記した組成の
PNZST材はアクチュエータ用圧電電歪材料としてたいへ
ん有望である。しかしながら、大きな電界ヒステリシス
を有するために、アクチュエータ材としては実用化され
ていない。
On the other hand, in PZT, PNZ in which part of Zr was substituted with Nb and Sn
ST material (for example, Pb 0.99 Nb 0.02 [(Zr 0.6 Sn 0.4 ) 0.94 Ti
0.06 ] 0.98 O 3 ) has been reported to produce large strain without fracture ("Applied Physics", Vol. 54, No. 6, (1985), pp. 591-595). As shown schematically in FIG. 4, when a PNZST material is applied with an electric field having an electric field strength of about 30 KV / cm, first, a phase transition from the antiferroelectric phase (a) to the ferroelectric phase (b) occurs. This is because the material expands greatly isotropically, and further, a piezoelectric phenomenon occurs after the phase transition, and the material expands (distorts) in the direction in which the electric field is applied. Expansion due to this phase transition ((a) →
The distortion in the electric field application direction obtained by both (b)) and the distortion due to the voltage application is about twice as large as the distortion of a normal PZT piezoelectric electrostrictive material. In this regard, the composition described above
PNZST material is very promising as a piezoelectric electrostrictive material for actuators. However, since it has a large electric field hysteresis, it has not been practically used as an actuator material.

したがって本発明の目的は、上記欠点をなくし、大き
な歪量を与えるとともに、ヒステリシス/歪みの小さな
圧電電歪材料を提供することである。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a piezoelectric electrostrictive material which eliminates the above-mentioned disadvantages, gives a large amount of strain, and has a small hysteresis / strain.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

上記目的を達成すべく鋭意研究の結果、本発明者は以
下のことを発見した。
As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found the following.

(a)PNZST材において、Pb2+の一部をBa2+で置換する
ことにより結晶の格子定数が増大し、歪量が大きくなる
とともにヒステリシス/歪みが減少する。
(A) In the PNZST material, by substituting a part of Pb 2+ with Ba 2+ , the lattice constant of the crystal increases, the strain amount increases, and the hysteresis / strain decreases.

(b)Ba2+によるPb2+の置換量が多すぎると反強誘電相
が不安定となり、電界を除去しても強誘電相から反強誘
電相に戻らなくなる。
(B) If the substitution amount of Pb 2+ by Ba 2+ is too large, the antiferroelectric phase becomes unstable, and the ferroelectric phase does not return to the antiferroelectric phase even when the electric field is removed.

(c)PNZST材において、Ti4+の量を減らすと電界ヒス
テリシス/歪みが小さくなるが、強誘電相が不安定とな
り、小さな電界では相転移しなくなる。
(C) In the PNZST material, when the amount of Ti 4+ is reduced, the electric field hysteresis / strain is reduced, but the ferroelectric phase becomes unstable, and no phase transition occurs in a small electric field.

(d)PNZST材において、Zrの量を多くすると、Ba2+
置換と同様に、結晶の格子定数が増大し、歪量が増大す
るとともに、ヒステリシス/歪みが減少する。
(D) When the amount of Zr is increased in the PNZST material, the lattice constant of the crystal increases, the amount of strain increases, and the hysteresis / strain decreases, similarly to the substitution with Ba 2+ .

(e)PNZST材において、Zrの量を多くするとともに、P
b2+の一部をBa2+で置換すると、上記(d)に記載の効
果は一層増大する。
(E) In PNZST material, while increasing the amount of Zr,
When a part of b 2+ is replaced with Ba 2+ , the effect described in (d) above is further increased.

したがって、PNZST材においてPb2+の一部をBa2+で置
換するとともに、Ti4+の量をBa2+の添加量に相応して減
らしてやれば、ヒステリシス/歪みが小さくまた大きな
歪量を与え、かつ電界を除去したときに必ず強誘電相か
ら反強誘電相へ相転移する圧電電歪材料を得ることがで
きる。
Therefore, if a part of Pb 2+ is replaced with Ba 2+ in the PNZST material and the amount of Ti 4+ is reduced in accordance with the amount of Ba 2+ added, the hysteresis / strain is small and the large strain is reduced. It is possible to obtain a piezoelectric electrostrictive material which always undergoes a phase transition from a ferroelectric phase to an antiferroelectric phase when applied and when an electric field is removed.

またPNZST材中のZrの量を増してやれば、Ba2+の置換
がなくてもヒステリシス/歪みが小さく、また大きな歪
量を与え、かつ電界を除去したときに必ず強誘電相から
反強誘電相へ相転移する圧電電歪材料を得ることができ
る。さらにBa2+の置換をすれば、歪量は一層増大する。
Also, if the amount of Zr in the PNZST material is increased, the hysteresis / strain is small even without Ba 2+ substitution, a large amount of strain is given, and when the electric field is removed, the ferroelectric phase must be changed to antiferroelectric. A piezoelectric electrostrictive material that changes into a phase can be obtained. Further substitution of Ba 2+ further increases the amount of strain.

本発明は以上の発見に基づき完成したものである。す
なわち本発明の第1の圧電電歪材料は、下記一般式: Pb1−x−0.5αBaxNbα[(Zr1−βSnβ1-yTiy
1−αO3 (ただし、0.01≦α≦0.03、0.2≦β≦0.6、及び0.01≦
x、かつ004≦(2/3)x+y≦0.075)により表わされ
る組成を有することを特徴とする。
The present invention has been completed based on the above findings. That is, the first piezoelectric electrostrictive material of the present invention has the following general formula: Pb 1−x−0.5α Ba x Nb α [(Zr 1−β Sn β ) 1-y Ti y ]
1-α O 3 (However, 0.01 ≦ α ≦ 0.03, 0.2 ≦ β ≦ 0.6, and 0.01 ≦
x and 004 ≦ (2/3) x + y ≦ 0.075).

また、本発明の第2の圧電電歪材料は、下記一般式: Pb1−x−0.5αBaXNbα(Zr1−βSnβ1−αO3 (ただし0.01≦α≦0.03、0.2≦β≦0.6、及び0.06≦x
≦0.12)により表される組成を有することを特徴とす
る。
Further, the second piezoelectric electrostrictive material of the present invention has the following general formula: Pb 1-x-0.5α Ba X Nb α (Zr 1-β Sn β ) 1-α O 3 (where 0.01 ≦ α ≦ 0.03, 0.2 ≦ β ≦ 0.6 and 0.06 ≦ x
≦ 0.12).

本発明を以下詳細に説明する。 The present invention will be described in detail below.

本発明の第1の圧電電歪材料の組成は一般式: Pb1−x−0.5αBaxNbα[(Zr1−βSnβ1-yTiy
1−αO3 (ただし0.01≦α≦0.03、0.2≦β≦0.6、及び0.01≦
x、かつ0.04≦(2/3)x+y≦0.075)で表わされる。
The composition of the first piezoelectric electrostrictive material of the present invention is represented by a general formula: Pb 1−x−0.5α Ba x Nb α [(Zr 1−β Sn β ) 1-y Ti y ]
1-α O 3 (However, 0.01 ≦ α ≦ 0.03, 0.2 ≦ β ≦ 0.6, and 0.01 ≦
x and 0.04 ≦ (2/3) x + y ≦ 0.075).

まずNbの含有量αは0.01〜0.03の範囲とする。Nbが0.
01未満であると、圧電電歪材料に高電界を印加しなけれ
ば相転移を起こさないので好ましくない。また0.03を起
す量であると、電界を除去しても強誘電相から反強誘電
相への相転移が起こらず、不良となる。好ましいNb含有
量αは0.015〜0.025である。
First, the Nb content α is in the range of 0.01 to 0.03. Nb is 0.
If it is less than 01, phase transition will not occur unless a high electric field is applied to the piezoelectric electrostrictive material, which is not preferable. If the amount is 0.03, the phase transition from the ferroelectric phase to the antiferroelectric phase does not occur even when the electric field is removed, and the device becomes defective. The preferred Nb content α is 0.015 to 0.025.

次にSnな含有量βは0.2〜0.6の範囲とする。これに伴
ってZrの含有量(1−β)は0.4〜0.8の範囲となる。Sn
が0.2未満(Zrが0.8を起す量)であれば、電界を除去し
ても強誘電相から反強誘電相への相転移が起こらず不良
となる。またSnが0.6を超す量(Zrが0.4未満)である
と、高電界を印加しなければ相転移を起こさないので好
ましくない。好ましいSn含有量βは0.25〜0.45であり、
好ましいZr含有量(1−β)は0.55〜0.75である。Pbの
一部をBaによって置換すると、ヒステリシス/歪みは小
さくなる。これは以下の3つの理由によるものと考えら
れる。すなわち、 (a)Baの置換により結晶の格子定数が拡大し、それに
応じて歪量も増大する。特にa軸の格子定数が4.120Å
以上になると、歪量は3×10-3以上となる。
Next, the Sn content β is in the range of 0.2 to 0.6. Accordingly, the Zr content (1-β) is in the range of 0.4 to 0.8. Sn
Is less than 0.2 (the amount of Zr causing 0.8), the phase transition from the ferroelectric phase to the antiferroelectric phase does not occur even when the electric field is removed, resulting in failure. If Sn exceeds 0.6 (Zr is less than 0.4), phase transition will not occur unless a high electric field is applied, which is not preferable. Preferred Sn content β is 0.25-0.45,
The preferred Zr content (1-β) is from 0.55 to 0.75. If part of Pb is replaced by Ba, the hysteresis / strain is reduced. This is considered to be due to the following three reasons. That is, (a) the substitution of Ba increases the lattice constant of the crystal, and the strain increases accordingly. In particular, the lattice constant of the a-axis is 4.120Å
Above this, the distortion amount becomes 3 × 10 −3 or more.

(b)Baの導入により非強誘電組成のBaZrO3が部分的に
形成される。このときBaは圧電電歪材料内にランダムに
入るので、BaZrO3は圧電電歪材料中に局所的に不均一に
形成される。
(B) BaZrO 3 having a non-ferroelectric composition is partially formed by the introduction of Ba. At this time, Ba enters randomly into the piezoelectric electrostrictive material, so that BaZrO 3 is locally non-uniformly formed in the piezoelectric electrostrictive material.

(c)非強誘電組成のBaZrO3の生成により、反強誘電相
と強誘電相間の相転移が局所的に妨げられる。
(C) Due to the generation of BaZrO 3 having a non-ferroelectric composition, the phase transition between the antiferroelectric phase and the ferroelectric phase is locally prevented.

このようにBaZrO3の形成部位がランダムに配置される
ので、相転移を起こす電界の強さは一定とはならない。
すなわち形成されたBaZrO3の割合によって異なり、BaZr
O3の少ない部分では弱い電界でも相転移を起こすが、Ba
ZrO3の多い部分では、比較的大きな電界を印加しないと
相転移が起きない。したがって圧電電歪材料全体として
みると相転移はいわば散漫化され、ある範囲の電界の強
さの中で相転移が連続して起こる。その結果、第1図
(a)に模式的に示すように圧電電歪材料の歪量は電界
の強さに対してなだらかに変化する(曲線P)。
Since the BaZrO 3 formation sites are randomly arranged in this manner, the strength of the electric field causing the phase transition is not constant.
That is, depending on the proportion of BaZrO 3 formed, BaZr
Phase transition occurs even in a weak electric field in a portion where O 3 is small.
In a portion containing a large amount of ZrO 3 , phase transition does not occur unless a relatively large electric field is applied. Therefore, the phase transition of the piezoelectric electrostrictive material as a whole is diffused, so that the phase transition occurs continuously within a certain range of electric field strength. As a result, as schematically shown in FIG. 1 (a), the strain amount of the piezoelectric electrostrictive material smoothly changes with respect to the intensity of the electric field (curve P).

一方圧電電歪材料内にBaZrO3が形成されていないもの
は、第1図(b)に模式的に示すように、ある特定の電
界(Eq)で大きく歪む(相転移が散漫化されない)。
On the other hand, those in which BaZrO 3 is not formed in the piezoelectric electrostrictive material are greatly distorted by a specific electric field (Eq) (phase transition is not diffused), as schematically shown in FIG. 1 (b).

第1図(a)及び(b)から明らかなように、Pbの一
部をBaで置換することにより圧電電歪材料のヒステリシ
ス/歪みは小さくなる。この効果を得るためには、0.01
以上の量のBaをPbに代わって圧電電歪材料内に導入する
必要がある。しかしながら、Baの添加は反強誘電相を不
安定にする効果があるので、ある量を超える量のBaを添
加すると、電界を除去しても強誘電相から反強誘電相へ
相転移しなくなる。Baの量は後述するようにTiの量yと
相関しているので、その上限もyとの関係により定ま
る。
As is clear from FIGS. 1A and 1B, the hysteresis / strain of the piezoelectric electrostrictive material is reduced by partially replacing Pb with Ba. To achieve this effect, 0.01
It is necessary to introduce the above amount of Ba into the piezoelectric electrostrictive material instead of Pb. However, the addition of Ba has the effect of destabilizing the antiferroelectric phase, so if adding an amount of Ba exceeding a certain amount, the phase transition from the ferroelectric phase to the antiferroelectric phase will not occur even if the electric field is removed . Since the amount of Ba is correlated with the amount y of Ti as described later, the upper limit is also determined by the relationship with y.

本発明の圧電電歪材料において、Tiを減少させるとヒ
ステリシスが小さくなる。しかしながらTiの量が減少す
るのに応じて強誘電相が不安定となり、高電界をかけな
いと反強誘電相から強誘電相へ相転移しなくなる場合が
生じるので、それと反対の作用を有するBaの量xを増加
させる必要が生じる。一方Tiの量を多くするのに応じて
逆に反強誘電相が不安定となり、電界を除去しても反強
誘電相へ戻らなくなるので、今度は、Baの量xを減少さ
せる必要がある。このように、Ti量yはBa量xと相関し
ている。
In the piezoelectric electrostrictive material of the present invention, when Ti is reduced, the hysteresis is reduced. However, as the amount of Ti decreases, the ferroelectric phase becomes unstable, and the phase transition from the antiferroelectric phase to the ferroelectric phase may occur unless a high electric field is applied. Needs to be increased. On the other hand, as the amount of Ti increases, the antiferroelectric phase becomes unstable and does not return to the antiferroelectric phase even when the electric field is removed, so it is necessary to reduce the amount x of Ba. . Thus, the Ti amount y correlates with the Ba amount x.

Ba量xとTi量yとの関係は、本発明の第1の圧電電歪
材料においては、以下の式により表される。
The relationship between the Ba amount x and the Ti amount y is represented by the following equation in the first piezoelectric electrostrictive material of the present invention.

0.04≦(2/3)x+y≦0.075 第2図は、本発明の第1の圧電電歪材料におけるBa量
xとTi量yの取りうる範囲を示すグラフである。本発明
の第1の圧電電歪材料のBa量xとTi量yはそれぞれのこ
のグラフの直接l1、l2、l3及びx軸で囲まれた領域(た
だしx軸は含まない)内にある。以下この領域の限定理
由について述べる。
0.04 ≦ (2/3) x + y ≦ 0.075 FIG. 2 is a graph showing a possible range of the amount x of Ba and the amount y of Ti in the first piezoelectric electrostrictive material of the present invention. The Ba amount x and the Ti amount y of the first piezoelectric electrostrictive material of the present invention are directly within l 1 , l 2 , l 3 and the area (not including the x-axis) surrounded by the x-axis in this graph. It is in. The reason for limiting this area will be described below.

(イ)直線l1(x=0.01): ヒステリシス/歪みを小さくするためには、Ba量xが
0.01以上必要である。
(B) Straight line l 1 (x = 0.01): In order to reduce the hysteresis / distortion, the Ba amount x
0.01 or more is required.

(ロ)x軸より(y>0): 本発明の第1の圧電電歪材料はTiを含む。(B) From the x-axis (y> 0): The first piezoelectric electrostrictive material of the present invention contains Ti.

(ハ)直線l2: これはy=−(2/3)x+0.075を示す直線である。こ
れより上の領域では、Ba量及びTi量の過多により反強誘
電相が不安定となり、電界を除去しても強誘電相から反
強誘電相へ戻らなくなる。したがって領域は直線l2以下
とする。
(C) Straight line l 2 : This is a straight line indicating y = − (2/3) x + 0.075. In the region above this, the antiferroelectric phase becomes unstable due to excessive amounts of Ba and Ti, and does not return from the ferroelectric phase to the antiferroelectric phase even when the electric field is removed. Accordingly region is a straight line l 2 or less.

(ニ)直線l3: これはy=−(2/3)x+0.04を示す直線である。こ
れより下の領域では、Ba量及びTi量の過少により強誘電
相が不安定となり、高電界を印加しないと相転移を起こ
さず好ましくない。したがって領域は直線l2以上とす
る。
(D) Straight line l 3 : This is a straight line indicating y = − (2/3) x + 0.04. In the region below this, the ferroelectric phase becomes unstable due to too small amounts of Ba and Ti, and no phase transition occurs unless a high electric field is applied, which is not preferable. Accordingly region is a straight line l 2 or more.

以上の理由により、本発明の第1の圧電電歪材料にお
けるBa量及びTi量は、第2図に示す領域すなわちx=0.
01、(2/3)x+y=0.04、(2/3)x+y=0.075及び
x軸(ただしx軸は含まない)によって囲まれる領域内
にある。好ましい範囲としては、0.03≦x≦0.05、y>
0、0.045≦(2/3)x+y≦0.07である。
For the above reasons, the amount of Ba and the amount of Ti in the first piezoelectric electrostrictive material of the present invention are in the region shown in FIG. 2, that is, x = 0.
01, (2/3) x + y = 0.04, (2/3) x + y = 0.0075, and within the area enclosed by the x-axis (but not including the x-axis). Preferred ranges are 0.03 ≦ x ≦ 0.05, y>
0, 0.045 ≦ (2/3) x + y ≦ 0.07.

次に本発明の第2の圧電電歪材料について説明する。 Next, the second piezoelectric electrostrictive material of the present invention will be described.

本発明の第2の圧電電歪材料の組成は一般式: Pb1−x−0.5αBaXNbα(Zr1−βSnβ1−αO3 (ただし0.01≦α≦0.03、0.2≦β≦0.6、及び0.06≦x
≦0.12)により表わされる。
The composition of the second piezoelectric electrostrictive material of the present invention is represented by a general formula: Pb 1−x−0.5α Ba X Nb α (Zr 1−β Sn β ) 1−α O 3 (where 0.01 ≦ α ≦ 0.03, 0.2 ≦ β ≦ 0.6 and 0.06 ≦ x
≤ 0.12).

Nbの含有量αとSnの含有量βの範囲はそれぞれ上記の
通りであるが、この限定理由は前述した本発明の第1の
圧電電歪材料におけるNb及びSnの含有量の限定理由と同
じである。なおZnの含有量(1−β)も第1の圧電電歪
材料と同様に0.4〜0.8となる。
The ranges of the content α of Nb and the content β of Sn are as described above, and the reason for this limitation is the same as the reason for limiting the content of Nb and Sn in the first piezoelectric electrostrictive material of the present invention described above. It is. Note that the Zn content (1-β) is also 0.4 to 0.8 similarly to the first piezoelectric electrostrictive material.

Baの量xは0.06≦x≦0.12の範囲内にある。第2の圧
電電歪材料ではTiは含まれていないが(y=0)、Ba量
xが0.06〜0.12の範囲にあるときには、圧電電歪材料の
ヒステリシス/歪みは小さく、大きな歪量を与えるとと
もに、強誘電相と反強誘電相間の相転移も可逆的に起こ
る。xが0.12を超す量となると反強誘電相が不安定とな
り、電界を除去しても強誘電相から反強誘電相へ戻らな
くなる。またxが0.06未満のときには強誘電相が不安定
となり、高電界を印加しないと相転移を起こさず好まし
くない。より好ましい範囲は0.0675≦x≦0.105であ
る。
The amount x of Ba is in the range of 0.06 ≦ x ≦ 0.12. Although the second piezoelectric electrostrictive material does not contain Ti (y = 0), when the Ba amount x is in the range of 0.06 to 0.12, the hysteresis / strain of the piezoelectric electrostrictive material is small, and a large amount of strain is given. At the same time, a phase transition between the ferroelectric phase and the antiferroelectric phase also occurs reversibly. When x exceeds 0.12, the antiferroelectric phase becomes unstable, and the ferroelectric phase does not return to the antiferroelectric phase even when the electric field is removed. When x is less than 0.06, the ferroelectric phase becomes unstable, and unless a high electric field is applied, no phase transition occurs, which is not preferable. A more preferred range is 0.0675 ≦ x ≦ 0.105.

以上に説明したα、β、x及びyの範囲となるように
各元素の量を規定すると、ヒステリシス/歪みが小さく
かつ歪量の大きな圧電電歪材料とすることかでき、また
そのような圧電電歪材料は電界の印加及び除去により反
強誘電相と強誘電相との間の相転移を可逆的に行なうこ
とができる。
When the amounts of the respective elements are defined so as to fall within the ranges of α, β, x, and y described above, a piezoelectric electrostrictive material having a small hysteresis / strain and a large strain can be obtained. An electrostrictive material can reversibly perform a phase transition between an antiferroelectric phase and a ferroelectric phase by application and removal of an electric field.

第1又は第2の圧電電歪材料はいずれもペロブスカイ
ト型結晶構造を有し、Pb2+(一部Ba2+により置換されて
いてもよい)はAサイトを形成しNbα[(Zr1−βS
nβ1-yTiy1−αはBサイトを形成する。ここで、
(a)Aサイトを形成するPb2+の一部をY3+及び/又はL
a3+で置換するかあるいはY3+及び/又はLa3+をドープす
るか、又は(b)Bサイトを形成するSn4+の一部をW6+
及び/又はTa3+で置換するかあるいはW6+及び/又はTa
3+をドープすると、ヒステリシス/歪みが小さくなる傾
向が認められる。いずれの場合も置換量又はドープ量は
Aサイト(又はBサイト)全体を100atm%としたときに
5atm%以下である。以上の効果は、Y3+、La3+、W6+、Ta
3+のドナー性質の発揮によるものと考えられる。すなわ
ち、Pb2+のところにLa3+、Y3+という原子価の大きな元
素を入れたり、Sn4+のところにW6+、Ta3+という原子価
の大きな元素を入れると、ドナー効果が現れて、若干ヒ
ステリシス/歪みが小さくなる。
Each of the first and second piezoelectric electrostrictive materials has a perovskite-type crystal structure, and Pb 2+ (which may be partially substituted by Ba 2+ ) forms an A site to form Nb α [(Zr 1 −β S
n β ) 1-y Ti y ] 1-α forms a B site. here,
(A) Part of Pb 2+ forming A site is converted to Y 3+ and / or L
a 3+ is substituted or doped with Y 3+ and / or La 3+ , or (b) a part of Sn 4+ forming a B site is replaced with W 6+
And / or Ta 3+ or W 6+ and / or Ta
Doping with 3+ tends to reduce hysteresis / strain. In any case, the substitution amount or the doping amount is based on 100 atm% of the entire A site (or B site).
5 atm% or less. The above effects are due to Y 3+ , La 3+ , W 6+ , Ta
This is probably due to the 3+ donor properties. In other words, if a high-valent element such as La 3+ or Y 3+ is put in place of Pb 2+ , or a high-valent element such as W 6+ or Ta 3+ is put in place of Sn 4+ , the donor effect is obtained. Appears, and the hysteresis / distortion is slightly reduced.

〔実施例〕〔Example〕

本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明する。 The present invention is described in more detail by the following examples.

実施例1、比較例1〜3 出発原料としてPbO、BaCO3、Nb2O5、ZrO2、SnO2、TiO
2を用い、これらの原料粉末を下記組成: Pb0.99−xBaxNb0.02[(Zr0.6Sn0.4)0.94Ti0.06]0.098
O3 となるように秤量し、ボールミルで24時間混合した。得
られた混合物を850〜950℃で10時間予備焼成し、再びボ
ールミルで24時間混合した。得られた混合物を1000kg/c
m2の圧力で金型成形し、1300℃で2時間焼結し、厚さ0.
3mmの焼結体を得た。この焼結体の両面に金からなる電
極板を形成した。
Example 1, PbO as Comparative Examples 1 to 3 The starting material, BaCO 3, Nb 2 O 5 , ZrO 2, SnO 2, TiO
2 , these raw material powders were composed as follows : Pb 0.99−x Ba x Nb 0.02 [(Zr 0.6 Sn 0.4 ) 0.94 Ti 0.06 ] 0.098
O 3 was weighed and mixed in a ball mill for 24 hours. The obtained mixture was pre-baked at 850 to 950 ° C. for 10 hours and mixed again in a ball mill for 24 hours. 1000 kg / c of the resulting mixture
and molding at a pressure of m 2, sintered for 2 hours at 1300 ° C., the thickness of 0.
A 3 mm sintered body was obtained. Electrode plates made of gold were formed on both surfaces of the sintered body.

電極間に電圧を印加し、その歪量を測定した。結果を
第3図に示す。
A voltage was applied between the electrodes, and the amount of distortion was measured. The results are shown in FIG.

第3図からわかるように、Ba量xが0.01の圧電電歪材
料(実施例1)は、Baを含まない圧電電歪材料(比較例
1)に比べて、明らかにヒステリシス/歪みが小さく
(また歪量も大きなものと)なっている。
As can be seen from FIG. 3, the piezoelectric electrostrictive material having a Ba content x of 0.01 (Example 1) has clearly smaller hysteresis / strain than the piezoelectric electrostrictive material containing no Ba (Comparative Example 1) ( The amount of distortion is also large).

また、Ba量xが0.03(比較例2)及び0.05(比較例
3)のものは、いずれも(2/3)x+yが0.075より大き
い。そのため電界除去後も歪が残留し、圧電電歪材料と
して利用できないものであった。
In the case of the Ba content x of 0.03 (Comparative Example 2) and 0.05 (Comparative Example 3), (2/3) x + y is larger than 0.075. Therefore, the strain remains even after the removal of the electric field, and cannot be used as a piezoelectric electrostrictive material.

実施例2 出発原料としてPbO、BaCO3、Nb2O5、ZrO2、SnO2、及
びTiO2を用い、これらの原料粉末を下記組成: Pb0.96Ba0.03Nb0.02[(Zr0.65Sn0.35)0.96Ti0.04]0.98O3 となるように秤量し、ボールミルで24時間混合した。得
られた混合物を850〜950℃で10時間予備焼成し、再びボ
ールミルで24時間混合した。得られた混合物を1000kg/c
m2の圧力で金型成形し、1260〜1290℃で2時間焼結し、
厚さ0.3mmの焼結体を得た。この焼結体の両面に金から
なる電極板を形成した。
Example 2 PbO, BaCO 3 , Nb 2 O 5 , ZrO 2 , SnO 2 , and TiO 2 were used as starting materials, and these raw material powders had the following composition: Pb 0.96 Ba 0.03 Nb 0.02 [(Zr 0.65 Sn 0.35 ) 0.96 Ti 0.04 ] 0.98 O 3 was weighed and mixed in a ball mill for 24 hours. The obtained mixture was pre-baked at 850 to 950 ° C. for 10 hours and mixed again in a ball mill for 24 hours. 1000 kg / c of the resulting mixture
and molding at a pressure of m 2, sintered for 2 hours at from 1,260 to 1,290 ° C.,
A sintered body having a thickness of 0.3 mm was obtained. Electrode plates made of gold were formed on both surfaces of the sintered body.

電極間に電圧を印加し、その歪量及びヒステリシスを
測定した。さらに各試料のa軸及びc軸の格子定数を測
定した。結果を第1表に示す。
A voltage was applied between the electrodes, and the strain amount and hysteresis were measured. Further, the lattice constants of the a-axis and c-axis of each sample were measured. The results are shown in Table 1.

第1表からわかるように、1260〜1290℃の焼成温度に
おいて、明らかに歪量(Δl/)は3×10-3以上と大き
く、またヒステリシスは小さい。これらの場合、a軸の
格子定数はいずれも4.120Å以上である。
As can be seen from Table 1, at the sintering temperature of 1260 to 1290 ° C., the strain amount (Δl /) is clearly as large as 3 × 10 −3 or more, and the hysteresis is small. In these cases, the lattice constant of the a-axis is 4.120 ° or more.

実施例3 出発原料としてPbO、BaCO3、Nb2O5、ZrO2、SnO2、及
びTiO2を用い、これらの原料粉末を下記組成: Pb0.99−xBaxNb0.02[(Zr0.65Sn0.351-yTiy
0.98O3 となるように秤量し、ボールミルで24時間混合した。得
られた混合物を850〜950℃で10時間予備焼成し、再びボ
ールミルで24時間混合した。得られた混合物を1000kg/c
m2の圧力で金型成形し、1260〜1290℃で2時間焼結し、
厚さ0.3mmの焼結体を得た。この焼結体の両面に金から
なる電極板を形成した。
Example 3 PbO, BaCO 3 , Nb 2 O 5 , ZrO 2 , SnO 2 , and TiO 2 were used as starting materials, and these raw material powders had the following composition: Pb 0.99−x Ba x Nb 0.02 [(Zr 0.65 Sn 0.35 1-y Ti y ]
It was weighed to 0.98 O 3 and mixed in a ball mill for 24 hours. The obtained mixture was pre-baked at 850 to 950 ° C. for 10 hours and mixed again in a ball mill for 24 hours. 1000 kg / c of the resulting mixture
and molding at a pressure of m 2, sintered for 2 hours at from 1,260 to 1,290 ° C.,
A sintered body having a thickness of 0.3 mm was obtained. Electrode plates made of gold were formed on both surfaces of the sintered body.

電極間に電圧を印加し、その歪量及びヒステリシスを
測定した。さらに各試料のa軸及びc軸の格子定数を測
定した。結果を第2表に示す。
A voltage was applied between the electrodes, and the strain amount and hysteresis were measured. Further, the lattice constants of the a-axis and c-axis of each sample were measured. The results are shown in Table 2.

第2表から明らかなように、Zr量を増加させると、歪
量も大きくなり、さらにBa量が増加すると歪量は一層大
きくなる。
As is evident from Table 2, the strain amount increases as the Zr amount increases, and the strain amount further increases as the Ba amount increases.

実施例4 出発原料としてPbO、BaCO3、Nb2O5、ZrO2、SnO2、及
びTiO2を用い、これらの原料粉末を下記組成: Pb0.99−xBaxNb0.02[(Zr0.7Sn0.31-yTiy0.98O
3 となるように秤量し、ボールミルで24時間混合した。得
られた混合物を850〜950℃で10時間予備焼成し、再びボ
ールミルで24時間混合した。得られた混合物を1000kg/c
m2の圧力で金型成形し、1260〜1290℃で2時間焼結し、
厚さ0.3mmの焼結体を得た。この焼結体の両面に金から
なる電極板を形成した。
Example 4 PbO, BaCO 3 , Nb 2 O 5 , ZrO 2 , SnO 2 , and TiO 2 were used as starting materials, and these raw material powders had the following composition: Pb 0.99−x Ba x Nb 0.02 [(Zr 0.7 Sn 0.3 ) 1-y Ti y ] 0.98 O
The mixture was weighed to 3 and mixed in a ball mill for 24 hours. The obtained mixture was pre-baked at 850 to 950 ° C. for 10 hours and mixed again in a ball mill for 24 hours. 1000 kg / c of the resulting mixture
and molding at a pressure of m 2, sintered for 2 hours at from 1,260 to 1,290 ° C.,
A sintered body having a thickness of 0.3 mm was obtained. Electrode plates made of gold were formed on both surfaces of the sintered body.

電極間に電圧を印加し、その歪量及びヒステリシスを
測定した。さらに各試料のa軸及びc軸の格子定数を測
定した。結果を第3表及び第5図並びに第6図に示す。
A voltage was applied between the electrodes, and the strain amount and hysteresis were measured. Further, the lattice constants of the a-axis and c-axis of each sample were measured. The results are shown in Table 3, FIG. 5, and FIG.

第3表から明らかなように、Zr量を0.7と増大する
と、Ba量が0のときでも歪量は大きくなる。また、Ba量
の増大により、歪量が一層大きくなることが認められ
る。
As is clear from Table 3, when the Zr amount is increased to 0.7, the distortion amount is increased even when the Ba amount is 0. Further, it is recognized that the strain amount is further increased by increasing the Ba amount.

また第5図から明らかなように、Ba量が増加すると、
歪量のヒステリシスの幅が減少する。さらに第6図から
明らかなように、Zr量が0.65と多いと、a軸の格子定数
は4.12Å以上であり、さらにBa量の増加とともに増大し
ている。
As is clear from FIG. 5, when the amount of Ba increases,
The width of the hysteresis of the distortion amount decreases. Further, as is clear from FIG. 6, when the Zr content is as large as 0.65, the lattice constant of the a-axis is 4.12 ° or more, and further increases as the Ba content increases.

参考例 出発原料としてPbO、Nb2O5、ZrO2、SnO2、及びTiO2
用い、これらの原料粉末を下記組成: Pb0.99Nb0.02[(Zr1−βSnβ1-yTiy0.98O3 となるように秤量し、ボールミルで24時間混合した。得
られた混合物を850〜950℃で10時間予備焼成し、再びボ
ールミルで24時間混合した。得られた混合物を1000kg/c
m2の圧力で金型成形し、1260〜1290℃で2時間焼結し、
厚さ0.3mmの焼結体を得た。
Reference Example PbO, Nb 2 O 5 , ZrO 2 , SnO 2 , and TiO 2 were used as starting materials, and these raw material powders had the following composition: Pb 0.99 Nb 0.02 [(Zr 1−β Sn β ) 1-y Ti y ] 0.98 O 3 were weighed so that, by mixing in a ball mill for 24 hours. The obtained mixture was pre-baked at 850 to 950 ° C. for 10 hours and mixed again in a ball mill for 24 hours. 1000 kg / c of the resulting mixture
and molding at a pressure of m 2, sintered for 2 hours at from 1,260 to 1,290 ° C.,
A sintered body having a thickness of 0.3 mm was obtained.

各試料のZr、Tiの含有量及び焼成温度は以下の通りで
ある。
The content of Zr and Ti and the firing temperature of each sample are as follows.

試料No Zr Ti 焼成温度 1 0.55 0.065 1300℃ 2 0.55 0.07 1300℃ 3 0.6 0.06 1300℃ 4 0.65 0.05 1290℃ 5 0.7 0.04 1290℃ 6 0.75 0.04 1280℃ これらの焼結体の両面に金からなる電極板を形成し
た。電極間に電圧を印加し、その歪量及びヒステリシス
を測定した。さらに各試料のa軸及びc軸の格子定数を
測定した。
Sample No. Zr Ti firing temperature 1 0.55 0.065 1300 ° C 2 0.55 0.07 1300 ° C 3 0.6 0.06 1300 ° C 4 0.65 0.05 1290 ° C 5 0.7 0.04 1290 ° C 6 0.75 0.04 1280 ° C Formed. A voltage was applied between the electrodes, and the strain amount and hysteresis were measured. Further, the lattice constants of the a-axis and c-axis of each sample were measured.

第7図に各試料の格子定数(a軸)及び歪量(Δl/
)の関係を示す。第7図から明らかなように、Zr量が
0.6を超えると歪量は急激に増大している。検討の結
果、Zr量が0.63以上になると歪量の増大が確実に得られ
ることがわかった。また、Zr量が多くなるにつれて、焼
成温度を幾分低下させる必要があることもわかった。例
えば、Zr量が0.65以上だと、1290℃が適当であり、さら
にZr量が0.75に達すると1280℃と低く抑えるのが適当で
ある。
FIG. 7 shows the lattice constant (a-axis) and strain (Δl /
). As is clear from FIG.
When it exceeds 0.6, the amount of strain increases rapidly. As a result of the study, it was found that when the Zr amount was 0.63 or more, the strain amount was surely increased. It was also found that the firing temperature had to be lowered somewhat as the amount of Zr increased. For example, when the amount of Zr is 0.65 or more, 1290 ° C. is appropriate, and when the amount of Zr reaches 0.75, it is appropriate to keep the temperature as low as 1280 ° C.

第8図は、上記試料No4〜6の歪量のヒステリシスを
示す。歪量が多くなっても、ヒステリシスの幅は相対的
にそれほど大きくならないことがわかる。
FIG. 8 shows the hysteresis of the strain amount of the samples Nos. 4 to 6. It can be seen that even if the amount of distortion increases, the width of the hysteresis does not become relatively large.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上詳述したように、本発明の圧電電歪材料は、大き
な歪量を与えるとともに、ヒステリシスの幅が小さくな
っており、大きな変位量を必要とする各種のアクチュエ
ータ用材料として好適である。
As described in detail above, the piezoelectric electrostrictive material of the present invention gives a large amount of strain and has a small hysteresis width, and is suitable as a material for various actuators requiring a large amount of displacement.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図(a)及び(b)は圧電電歪材料に電界を印加し
た時の圧電電歪材料の歪量を概略的に示すグラフであ
り、(a)は本発明の圧電電歪材料の場合を示し、
(b)は従来のPNZST材の場合を示しており、 第2図は本発明の第1の圧電電歪材料の組成におけるBa
量(x)とTi量(y)の取りうる領域を示すグラフであ
り、 第3図は実施例1及び比較例1〜3の圧電電歪材料に電
界を印加した時の歪量を示すグラフであり、 第4図は電界印加によるPNZST材の二段階の歪の発生を
示す模式図であり、 第5図は実施例4の圧電電歪材料に電界を印加した時の
圧電電歪材料の歪量を示すグラフであり、 第6図は実施例4の圧電電歪材料のBa2+量と格子定数
(a軸)との関係を示すグラフであり、 第7図は参考例の圧電電歪材料の格子定数(a軸)と歪
量との関係を示すグラフであり、 第8図は参考例の圧電電歪材料に電界を印加した時の圧
電電歪材料の歪量を示すグラフである。
FIGS. 1A and 1B are graphs schematically showing the amount of strain of a piezoelectric electrostrictive material when an electric field is applied to the piezoelectric electrostrictive material, and FIG. Indicates the case,
(B) shows the case of the conventional PNZST material, and FIG. 2 shows the Ba composition in the composition of the first piezoelectric electrostrictive material of the present invention.
FIG. 3 is a graph showing a region where the amount (x) and the amount of Ti (y) can be taken; FIG. 3 is a graph showing the amount of strain when an electric field is applied to the piezoelectric electrostrictive materials of Example 1 and Comparative Examples 1 to 3; FIG. 4 is a schematic view showing the two-stage distortion of the PNZST material caused by the application of an electric field. FIG. 5 is a diagram showing the piezoelectric electrostrictive material when an electric field is applied to the piezoelectric electrostrictive material of Example 4. 6 is a graph showing the amount of strain, FIG. 6 is a graph showing the relationship between the amount of Ba 2+ and the lattice constant (a-axis) of the piezoelectric electrostrictive material of Example 4, and FIG. FIG. 8 is a graph showing the relationship between the lattice constant (a-axis) of the strained material and the strain amount. FIG. 8 is a graph showing the strain amount of the piezoelectric electrostrictive material when an electric field is applied to the piezoelectric electrostrictive material of the reference example. is there.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野口 実 埼玉県和光市中央1丁目4番1号 株式 会社本田技術研究所内 (72)発明者 内野 研二 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町4200番2 藤和戸塚コープ103号室 (56)参考文献 Э.Х.Бцрке et al. 「ЭЛЕКТРОКАЛОРИЙ ЭФ ФЕКТВ ТВЕРДЫХ РАСТ ВОРАХ Pb(Zr,Sn,Ti) 03 п Pb(Hf,Sn,Ti)03, ФИЗИКА ТВЕРЛОГО ТЕ ЛА,(1987)第29巻,第8号,第2284 〜2289頁」 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C04B 35/42 - 35/49 H01L 41/18 - 41/187 CA(STN) REGISTRY(STN)──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Minoru Noguchi 1-4-1 Chuo, Wako-shi, Saitama Prefecture Inside Honda R & D Co., Ltd. (72) Kenji Uchino 4200-2 Totsuka-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Fujiwa Totsuka Corp. Room 103 (56) References Э. Х. Бцрке et al. “ЭЛЕКТРОКАЛОРИЙ ЭФ ФЕКТВ ТВЕРДЫХ РАСТ ВОРАХ Pb (Zr, Sn, Ti) 03 P Pb (Hf, Sn, Ti) 03, ФИЗИКА ТВЕРЛОГО ТЕ ЛА, (1987) Vol. 29, No. 8, No. 2284- 2289 "(58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) C04B 35/42-35/49 H01L 41/18-41/187 CA (STN) REGISTRY (STN)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】下記一般式: Pb1−x−0.5αBaxNbα[(Zr1−βSnβ1-yTiy
1−αO3 (ただし0.01≦α≦0.03、0.2≦β≦0.6、0.01≦x、か
つ0.04≦(2/3)x+y≦0.075)により表わされる組成
を有することを特徴とする圧電電歪材料。
1. The following general formula: Pb 1-x-0.5α Ba x Nb α [(Zr 1-β Sn β ) 1-y Ti y ]
A piezoelectric electrostrictive material having a composition represented by 1-α O 3 (where 0.01 ≦ α ≦ 0.03, 0.2 ≦ β ≦ 0.6, 0.01 ≦ x, and 0.04 ≦ (2/3) x + y ≦ 0.075) .
【請求項2】下記一般式: Pb1−x−0.5αBaXNbα(Zr1−βSnβ1−αO3 (ただし0.01≦α≦0.03、0.2≦β≦0.6、及び0.06≦x
≦0.12)により表わされる組成を有することを特徴とす
る圧電電歪材料。
2. The following general formula: Pb 1-x-0.5α Ba X Nb α (Zr 1-β Sn β ) 1-α O 3 (where 0.01 ≦ α ≦ 0.03, 0.2 ≦ β ≦ 0.6 and 0.06 ≦ x
≦ 0.12) A piezoelectric electrostrictive material having a composition represented by the formula:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Э.Х.Бцрке et al.「ЭЛЕКТРОКАЛОРИЙ ЭФФЕКТВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ Pb(Zr,Sn,Ti)03 п Pb(Hf,Sn,Ti)03,ФИЗИКА ТВЕРЛОГО ТЕЛА,(1987)第29巻,第8号,第2284〜2289頁」

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