JP3061715B2 - Resin-sealed semiconductor device - Google Patents

Resin-sealed semiconductor device

Info

Publication number
JP3061715B2
JP3061715B2 JP32738493A JP32738493A JP3061715B2 JP 3061715 B2 JP3061715 B2 JP 3061715B2 JP 32738493 A JP32738493 A JP 32738493A JP 32738493 A JP32738493 A JP 32738493A JP 3061715 B2 JP3061715 B2 JP 3061715B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
resin sealing
sealing body
semiconductor device
external lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP32738493A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH07183445A (en
Inventor
義樹 曽田
和弥 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP32738493A priority Critical patent/JP3061715B2/en
Publication of JPH07183445A publication Critical patent/JPH07183445A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3061715B2 publication Critical patent/JP3061715B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止型半導体装
置に関し、特に、外部リードの狭端子ピッチ化,多端子
化およびパッケージの薄型化に適した面実装型の樹脂封
止型半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device, and more particularly, to a surface-mount type resin-encapsulated semiconductor device suitable for narrowing external lead terminals, increasing the number of terminals, and thinning a package. About.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体装置が高機能化・多機能化するに
つれて、半導体装置の出力端子数は増加傾向にある。ま
た、半導体装置の外形寸法を小さくして半導体装置を基
板へ高密度に実装するために、半導体装置の外部リード
端子ピッチを縮小させる傾向にある。2. Description of the Related Art The number of output terminals of a semiconductor device tends to increase as the functions of the semiconductor device become higher and more multifunctional. Further, in order to reduce the outer dimensions of the semiconductor device and mount the semiconductor device on a substrate at a high density, the pitch of the external lead terminals of the semiconductor device tends to be reduced.

【０００３】最近では、リード端子ピッチは、０．５mm
から０．４mm、０．４mmから０．３mmへと縮小してきて
いる。リード端子ピッチが０．３mmである場合には、樹
脂封止外形が２８mm×２８mmであるＱＦＰ(クワッド・
フラット・パッケージ)は、３４４ピンのリード端子を
有することができ、樹脂封止外形が１４mm×１４mmであ
るＱＦＰは、１６８ピンのリード端子を有することがで
きる。なお、この狭端子ピッチで多端子の樹脂封止型半
導体装置を実現するため、外部リード端子のピッチが
０．３mmであるときには、リード端子の幅を０．１mm前
後にするようにしている。このように、リード端子ピッ
チを縮小することによって、高密度実装に大きく貢献で
きる面実装型の樹脂封止型半導体装置が提供され始めて
いる。Recently, lead terminal pitch is 0.5 mm.
From 0.4mm to 0.3mm from 0.4mm. If the lead terminal pitch is 0.3 mm, the QFP (quad
The flat package can have 344-pin lead terminals, and a QFP having a resin-encapsulated outer shape of 14 mm × 14 mm can have 168-pin lead terminals. In order to realize a multi-terminal resin-sealed semiconductor device with this narrow terminal pitch, when the pitch of the external lead terminals is 0.3 mm, the width of the lead terminals is set to about 0.1 mm. As described above, a surface-mounted resin-sealed semiconductor device that can greatly contribute to high-density mounting by reducing the lead terminal pitch has begun to be provided.

【０００４】図７に、従来、一般的に利用されている狭
端子ピッチ・多端子の樹脂封止型半導体装置の断面を示
す。この半導体装置の外部リード端子６３は、樹脂封止
体６１のほぼ中央部から水平方向に導出されており、曲
げ加工によって折り曲げられた折り曲げ部６３ａと、図
示しない基板への取り付け面６３ｃに対して水平な半田
付け部であるリード平坦部６３ｂとを有している。な
お、シリコンチップ６７はアイランド６８に搭載されて
おり、シリコンチップ６７はリード端子６３にワイヤ６
５でボンディングされている。図８に上記外部リード端
子６３を斜め下方から見た様子を示す。各外部リード端
子６３は、それぞれ、リード平坦部６３ｂが基板に対し
て水平になるように水平方向に均一のレベルに配列され
ている。FIG. 7 shows a cross section of a resin-sealed semiconductor device having a narrow terminal pitch and multiple terminals, which is generally used in the past. The external lead terminals 63 of this semiconductor device are led out in a horizontal direction from a substantially central portion of the resin sealing body 61, and are bent with respect to a bent portion 63a bent by bending and a mounting surface 63c to a substrate (not shown). It has a lead flat portion 63b which is a horizontal soldering portion. The silicon chip 67 is mounted on the island 68, and the silicon chip 67 is connected to the lead terminals 63 by wires 6.
5 is bonded. FIG. 8 shows the external lead terminal 63 as viewed from obliquely below. Each external lead terminal 63 is arranged at a uniform level in the horizontal direction such that the lead flat portion 63b is horizontal to the substrate.

【０００５】基板への実装面である上記樹脂封止体６１
のベース面６１ａと上記取り付け面６３ｃとの間にはス
タンドオフと呼ばれる間隙Ｋが設けられている。この間
隙Ｋは、上記リード平坦部６３ｂの半田付けの信頼性を
確保するために設けられている。The above-mentioned resin sealing body 61 which is a mounting surface on a substrate
A gap K called a standoff is provided between the base surface 61a and the mounting surface 63c. The gap K is provided to secure the reliability of the soldering of the lead flat portion 63b.

【０００６】つまり、パッケージ本体（樹脂封止体６１
でパッケージされた半導体装置）の反り、あるいは基板
への実装時に発生する樹脂部の反り、あるいは実装後の
基板自身への負荷による基板の反り等が発生したとき
に、これらの反りを、上記間隙Ｋに吸収することができ
るから、上記反りが上記半田付け部であるリード平坦部
６３ｂを歪ませることを防止できるのである。That is, the package body (resin sealing body 61)
When the warpage of the semiconductor device packaged in the above), the warpage of the resin part generated at the time of mounting on the board, or the warping of the board due to the load on the board itself after mounting, etc., these warpages are caused by the above gap. Since it can be absorbed by K, it is possible to prevent the warp from distorting the lead flat portion 63b as the soldering portion.

【０００７】また、近年の高密度実装化の流れの中では
樹脂封止体６１下の基板へも配線等の回路要素が設けら
れる。したがって、樹脂封止体６１下の部分の基板への
ソルダレジスト等により基板表面に凹凸が発生する。し
たがって、回路要素が設けられた基板上に半導体装置を
実装するには、基板表面と封止樹脂体６１のベース面ａ
との間に間隙Ｋを形成するスタンドオフは必要である。[0007] In the flow of high-density mounting in recent years, circuit elements such as wiring are also provided on the substrate below the resin sealing body 61. Therefore, irregularities are generated on the substrate surface due to the solder resist or the like on the substrate below the resin sealing body 61. Therefore, in order to mount the semiconductor device on the substrate provided with the circuit elements, the substrate surface and the base surface a of the sealing resin body 61 are required.
Is required to form a gap K between them.

【０００８】また、図には示さないが、上記外部リード
端子６３を含む組み立て時のリードフレームには、隣接
する外部リード端子をつなぐ樹脂止め用のタイバー部が
形成されている。このタイバー部は、上記封止樹脂体６
１から所定の寸法だけ外側に位置している。Although not shown in the drawings, a tie bar portion for connecting the adjacent external lead terminals is formed on the lead frame including the external lead terminals 63 at the time of assembly. The tie bar portion is provided with the sealing resin body 6.
It is located outside a predetermined dimension from 1.

【０００９】上記タイバー部は、樹脂封止時の型締領域
を小さくし、金型締めの面圧を高くし、樹脂成型に必要
な面圧を確保する役割を有している。また、上記タイバ
ー部は、外部リード端子間への樹脂流出を最小限度に抑
え、その後のリード加工等を容易にする役割を有してい
る。The tie-bar portion has a role of reducing a mold clamping area at the time of resin sealing, increasing a surface pressure of mold clamping, and securing a surface pressure necessary for resin molding. Further, the tie bar portion has a role of minimizing resin outflow between the external lead terminals and facilitating subsequent lead processing and the like.

【００１０】ところで、外部リード端子が、基板実装面
側の樹脂封止体の表面と同一面に一部露出させられた構
造を有する樹脂封止型半導体装置が、例えば、実用新案
公報昭６１−１６７０２号、あるいは公開特許公報昭６
０−８８４４７に記載されている。この構造を有する樹
脂封止型半導体装置は、外部リード端子もしくはリード
パッドの基板接続面が基板実装面側の樹脂封止体の表面
と同一面に存在しているから、スタンドオフがない。こ
のため、現在の高密度実装では、実装不良の原因になり
易く、また半田付け検査等の実施が困難である欠点があ
る。Incidentally, a resin-sealed semiconductor device having a structure in which the external lead terminals are partially exposed on the same surface as the surface of the resin-sealed body on the substrate mounting surface side is disclosed in, for example, Japanese Utility Model Publication No. Sho 61-61. No. 16702, or Published Patent Application Showa 6
0-8847. The resin-encapsulated semiconductor device having this structure has no stand-off because the substrate connection surface of the external lead terminal or lead pad is on the same surface as the surface of the resin-encapsulation body on the substrate mounting surface side. For this reason, the current high-density mounting has disadvantages that it is easy to cause a mounting defect and that it is difficult to perform a soldering inspection or the like.

【００１１】[0011]

【発明が解決しようとする課題】狭端子ピッチかつ多端
子である樹脂封止型半導体装置を基板へ実装する場合に
は、基板のマウントパッドも狭ピッチになる。そして、
印刷でマウントパッド上に形成するクリーム半田厚も薄
くなる。When a resin-encapsulated semiconductor device having a narrow terminal pitch and multiple terminals is mounted on a substrate, the mounting pads on the substrate also have a narrow pitch. And
The thickness of the cream solder formed on the mount pad by printing is also reduced.

【００１２】従って、半導体装置が、狭端子ピッチかつ
多端子である場合には、特に、リード端子曲がりやリー
ド端子浮き(リード端子最下面の均一性)を厳しく管理し
て、半田ブリッジやリード端子浮きを防止することが必
要である。具体的には、外部リード端子のピッチが０．
５mmのときには、リード端子曲がり寸法を０．０７mm以
下にし、コープラナリティ寸法を０．０５mm以下にする
ことが必要になる。上記コープラナリティ寸法とは、外
部リード端子が配列されるべき基準平面からの各外部リ
ード端子のズレ寸法である。さらに、外部リード端子の
ピッチが０．３mmのときには、リード端子曲がり寸法と
コープラナリティ寸法はそれぞれ０．０３mm以下にする
ことが必要になると推定される。Therefore, when the semiconductor device has a narrow terminal pitch and multiple terminals, the bending of the lead terminals and the floating of the lead terminals (uniformity of the lowermost surface of the lead terminals) are strictly controlled, and the solder bridge and the lead terminals are particularly controlled. It is necessary to prevent floating. Specifically, the pitch of the external lead terminals is 0.
In the case of 5 mm, it is necessary to reduce the lead terminal bending dimension to 0.07 mm or less and the coplanarity dimension to 0.05 mm or less. The coplanarity dimension is a deviation dimension of each external lead terminal from a reference plane on which the external lead terminals are to be arranged. Further, when the pitch of the external lead terminals is 0.3 mm, it is presumed that each of the lead terminal bending dimension and the coplanarity dimension needs to be 0.03 mm or less.

【００１３】ところが、リード端子曲がりやリード端子
浮きは、樹脂封止工程および外部リード端子のメッキ処
理後のリード切断工程およびリード曲げ加工工程や、ソ
ケット等を用いた電気テスト工程や、製品取り扱い時
や、トレイでの輸送時やテーピング梱包での輸送時に容
易に発生する。However, the bending of the lead terminals and the lifting of the lead terminals are caused by a resin cutting step, a lead cutting step and a lead bending step after plating of the external lead terminals, an electrical test step using a socket, etc. Also, it easily occurs when transporting in a tray or in a taping package.

【００１４】しかも、端子ピッチが狭くなるにしたがっ
て、リード端子１本の幅を狭くする必要があり、ピッチ
０．３mmでは、幅を０．１mm前後にすることが必要にな
る。また、端子ピッチが狭くなるにしたがってより微細
な加工が要求されるから、加工上の要請により、リード
フレーム厚みを薄くする傾向にある。これら寸法減少に
ともなって、リード端子１本当たりの強度が弱くなるか
ら、リード端子変形に対し不利になって行くと推定され
る。In addition, as the terminal pitch becomes narrower, the width of one lead terminal must be narrowed. When the pitch is 0.3 mm, the width needs to be about 0.1 mm. In addition, finer processing is required as the terminal pitch becomes narrower. Therefore, there is a tendency that the lead frame thickness is reduced according to processing requirements. As these dimensions decrease, the strength per lead terminal decreases, and it is presumed that disadvantages to deformation of the lead terminal arise.

【００１５】このため、狭端子ピッチかつ多端子になる
と、上記従来の樹脂封止半導体装置では、樹脂封止後の
組み立て工程や輸送時におけるリード端子曲がりとリー
ド端子浮きを、上述した厳しい基準で管理することは困
難であり、かつ、歩留まりの低下や検査等の管理費用の
拡大を招くことなる問題がある。For this reason, when the terminal pitch becomes narrow and the number of terminals becomes large, the conventional resin-encapsulated semiconductor device can prevent the bending of the lead terminals and the floating of the lead terminals during the assembling process after the resin encapsulation or during the transportation according to the above-mentioned strict standards. It is difficult to manage, and there is a problem that a decrease in yield and an increase in management costs for inspection and the like are caused.

【００１６】また、もう一つの問題として、狭端子ピッ
チかつ多端子になると、外部リード端子間の所定の位置
に樹脂止め用として設けているタイバー部の切断の難易
度が高くなることが挙げられる。Another problem is that if the terminal pitch is narrow and the number of terminals is increased, the difficulty of cutting the tie bar provided at a predetermined position between the external lead terminals for fixing the resin increases. .

【００１７】すなわち、タイバー部の切断幅は、ピッチ
０．５mmではタイバー部の幅が０．２〜０．２５mmにな
り、ピッチ０．３mmではタイバー部の幅が０．１〜０．
１４mm程度になるから、タイバー部を金型切断する場合
に、切断の加工精度および切断装置の耐摩耗性および切
断装置の管理方法等に大きな問題が生じる。また、リー
ド端子数が増加するのにしたがって、樹脂封止後のタイ
バー部の位置精度が悪くなるから、タイバー切断におけ
る精度を確保することがさらに厳しくなってくる。その
結果、ダイバー切断の歩留まり低下および金型切断装置
の交換頻度の上昇および管理費用の拡大等の問題を招く
問題がある。That is, the width of the tie bar is 0.2 to 0.25 mm at a pitch of 0.5 mm, and the width of the tie bar is 0.1 to 0.2 mm at a pitch of 0.3 mm.
Since the diameter is about 14 mm, when the tie bar portion is cut by a die, a serious problem arises in the processing accuracy of the cutting, the wear resistance of the cutting device, the method of managing the cutting device, and the like. Further, as the number of lead terminals increases, the positional accuracy of the tie bar portion after resin sealing deteriorates, so that it becomes more severe to secure the accuracy in cutting the tie bar. As a result, there are problems such as a decrease in the yield of diver cutting, an increase in replacement frequency of the die cutting device, an increase in management cost, and the like.

【００１８】そこで、本発明の目的は、リード端子が狭
ピッチ化して多端子化しても、リード端子曲がりおよび
リード端子浮きを容易に防止でき、かつ、ダイバー部切
断に伴う困難を解消できる樹脂封止型半導体装置を提供
することにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a resin sealing device that can easily prevent bending of a lead terminal and floating of the lead terminal and can eliminate difficulties associated with cutting a diver even if the lead terminals are narrowed and the number of terminals is reduced. An object of the present invention is to provide a stop semiconductor device.

【００１９】[0019]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明は、リードフレームに半導体素子が
搭載され、樹脂封止体で樹脂封止されており、上記樹脂
封止体の外に露出したリードフレームの外部リード端子
が外部に電気的に接続されるようになっている樹脂封止
型半導体装置において、上記リードフレームは、基板へ
の実装面側となる樹脂封止体の底面に露出させられた露
出部を有し、上記外部リード端子は、樹脂封止時の樹脂
をせき止めるタイバー部よりも樹脂封止体に近い位置で
リードフレームの他の部分から切り離されており、上記
露出部から延びて上記樹脂封止体の側面から突出して上
記底面よりも下方に屈曲させられた屈曲部と、上記屈曲
部から上記底面と平行に延在している平坦部とを有して
いることを特徴としている。According to a first aspect of the present invention, a semiconductor device is mounted on a lead frame and sealed with a resin sealing body. In a resin-encapsulated semiconductor device in which external lead terminals of a lead frame exposed outside are electrically connected to the outside, the lead frame is a resin-encapsulated body on the mounting surface side of the substrate. The external lead terminal is separated from the other part of the lead frame at a position closer to the resin sealing body than the tie bar part which dams the resin at the time of resin sealing. A bent portion extending from the exposed portion and projecting from a side surface of the resin sealing body and bent below the bottom surface; and a flat portion extending from the bent portion and parallel to the bottom surface. Is characterized by To have.

【００２０】[0020]

【作用】請求項１の発明によれば、上記屈曲部は、上記
露出部から延びて上記樹脂封止体の側面から突出して上
記底面よりも下方に屈曲させられているから、上記屈曲
部が下方へ屈曲している寸法が、そのまま、樹脂封止体
の底面と屈曲部から延在している平坦部の底面とのレベ
ル差（スタンドオフ寸法)になる。このスタンドオフ寸
法は、樹脂封止体や基板の反り，変形量を吸収するため
に、少なくとも予測される樹脂封止体や基板の反り，変
形量程度に設定することが必要である。請求項２の発明
によれば、屈曲部の最小限度の屈曲寸法で、所定のスタ
ンドオフ寸法を得ることができるから、屈曲部の寸法縮
小が図れ、外部リード端子の変形防止が図れる。According to the first aspect of the present invention, the bent portion extends from the exposed portion, protrudes from the side surface of the resin sealing body, and is bent below the bottom surface. The dimension bent downward is the level difference (standoff dimension) between the bottom surface of the resin sealing body and the bottom surface of the flat portion extending from the bent portion. The stand-off dimension needs to be set to at least the expected warpage and deformation of the resin sealing body and the substrate in order to absorb the amount of warping and deformation of the resin sealing body and the substrate. According to the second aspect of the present invention, the predetermined stand-off dimension can be obtained with the minimum bending dimension of the bending section, so that the dimension of the bending section can be reduced, and the deformation of the external lead terminal can be prevented.

【００２１】[0021]

【実施例】以下、本発明の樹脂封止型半導体を図示の実
施例を図に基づいて詳細に説明する。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view of a resin-sealed semiconductor device according to the present invention.

【００２２】図１に、本発明の実施例の断面を示す。こ
の実施例は、半導体素子としてのシリコンチップ７がア
イランド８上に搭載されており、シリコンチップ７と外
部リード端子３とがワイヤＷで電気的に接続されてい
る。上記アイランド８と外部リード端子３がリードフレ
ームＲ１を構成している。上記シリコンチップ７および
上記リードフレームＲは樹脂封止体１で封止されてい
る。FIG. 1 shows a cross section of an embodiment of the present invention. In this embodiment, a silicon chip 7 as a semiconductor element is mounted on an island 8, and the silicon chip 7 and the external lead terminals 3 are electrically connected by wires W. The island 8 and the external lead terminals 3 constitute a lead frame R1. The silicon chip 7 and the lead frame R are sealed with the resin sealing body 1.

【００２３】上記外部リード端子３は、図３に示すよう
に、樹脂封止時の樹脂をせき止めるタイバー部４よりも
樹脂封止体１に近い位置でリードフレームＲの他の部分
から切り離されて形成されている。As shown in FIG. 3, the external lead terminal 3 is cut off from the other part of the lead frame R at a position closer to the resin sealing body 1 than the tie bar portion 4 for damping the resin during resin sealing. Is formed.

【００２４】上記実施例を製造する工程を以下に説明す
る。まず、リードフレームＲ１にシリコンチップ７を電
気的に接続した後に樹脂封止工程を実施する。その後、
上記切断の前工程として、まず、上記リード端子３とタ
イバー部４とが囲む領域に残存した樹脂を、金型，ウォ
ータージェット，液体ホーニング，もしくはレーザー等
を用いて除去しておく。上記残存樹脂は樹脂封止時に残
存した樹脂である。そして、リード端子３のメッキ工程
を経てから、図３(Ｂ)に示すように、切断金型５を、リ
ードフレームＲ１に平行に配置し、この切断金型５を垂
直下方に移動させて、樹脂封止体１とタイバー部４との
間の位置でリードフレームＲ１を切断する。例えば、樹
脂封止体１からタイバー切断位置までの距離を０．７mm
程度とする。この切断によって、リードフレームＲ１か
ら、上記タイバー部４およびタイバー部４よりも外側の
部分が除去される。そして、この切断の後、上記外部リ
ード端子３を下方に屈曲させて、屈曲部３ａを形成す
る。The steps of manufacturing the above embodiment will be described below. First, a resin sealing step is performed after the silicon chip 7 is electrically connected to the lead frame R1. afterwards,
As a pre-process of the cutting, first, the resin remaining in the region surrounded by the lead terminal 3 and the tie bar portion 4 is removed using a mold, a water jet, a liquid honing, a laser, or the like. The remaining resin is a resin remaining during resin sealing. Then, after the plating process of the lead terminal 3, as shown in FIG. 3B, the cutting die 5 is arranged in parallel with the lead frame R1, and the cutting die 5 is moved vertically downward. The lead frame R1 is cut at a position between the resin sealing body 1 and the tie bar portion 4. For example, the distance from the resin sealing body 1 to the tie bar cutting position is 0.7 mm.
Degree. By this cutting, the tie bar portion 4 and the portion outside the tie bar portion 4 are removed from the lead frame R1. After this cutting, the external lead terminal 3 is bent downward to form a bent portion 3a.

【００２５】この屈曲部３ａは、図１および図２に示す
ように、上記露出部１０から延びて上記樹脂封止体１の
側面１ｂから突出して上記底面１ａよりも下方に屈曲さ
せられている。この屈曲の位置は、例えば、樹脂封止体
１の側面１ｂから底面１ａと平行な方向に０．１mm程度
離れた位置に設定する。屈曲部３ａから、平坦部３ｂが
上記底面１ａと平行に延在している。上記底面１ａと上
記平坦部３ｂの底面３ｂ‐１とのレベル差Ｌ１がスタン
ドオフ寸法となる。この第１実施例では、上記スタンド
オフ寸法を、約０．０５〜０．１mm程度とした。As shown in FIGS. 1 and 2, the bent portion 3a extends from the exposed portion 10, protrudes from the side surface 1b of the resin sealing body 1, and is bent below the bottom surface 1a. . The bending position is set, for example, at a position separated from the side surface 1b of the resin sealing body 1 by about 0.1 mm in a direction parallel to the bottom surface 1a. From the bent portion 3a, a flat portion 3b extends in parallel with the bottom surface 1a. The level difference L1 between the bottom surface 1a and the bottom surface 3b-1 of the flat portion 3b is a standoff dimension. In the first embodiment, the stand-off dimension is set to about 0.05 to 0.1 mm.

【００２６】さらに、上記リードフレームＲ１は、上記
底面１ａに露出しており上記底面１ａと同一面にある露
出部１０を有している。この露出部１０の長さは、０．
６mm程度とした。なお、上記リードフレームＲ１は、上
記露出部１０から樹脂封止体１の内部に向かって上方へ
屈曲した内部屈曲部１１を有している。この内部屈曲部
１１は、いわゆるインナーリードの一部を構成してい
る。Further, the lead frame R1 has an exposed portion 10 which is exposed on the bottom surface 1a and is flush with the bottom surface 1a. The length of the exposed portion 10 is set at 0.
It was about 6 mm. The lead frame R1 has an internal bent portion 11 bent upward from the exposed portion 10 toward the inside of the resin sealing body 1. The inner bent portion 11 forms a part of a so-called inner lead.

【００２７】上記構成によれば、上記外部リード端子３
は、樹脂封止時の樹脂をせき止めるタイバー部４よりも
樹脂封止体１に近い位置でリードフレームＲ１を切断す
ることによって形成されているから、上記外部リード端
子３を少なくとも樹脂封止体１と上記タイバー部４との
間の寸法よりも短くできる。この外部リード端子３の寸
法短縮により、外部リード端子３を変形し難くすること
ができる。According to the above configuration, the external lead terminal 3
Is formed by cutting the lead frame R1 at a position closer to the resin sealing body 1 than the tie bar portion 4 for damping the resin at the time of resin sealing. And the size between the tie bar portion 4 and the tie bar portion 4. By reducing the dimensions of the external lead terminals 3, the external lead terminals 3 can be made difficult to deform.

【００２８】また、上記タイバー部４よりも樹脂封止体
１に近い位置でリードフレームＲ１を切断することによ
って外部リード端子３が形成されているから、タイバー
部４自体を切断することなく外部リード端子３を形成で
きる。したがって、タイバー部４自体を切断する工程が
不要になる。したがって、リード端子３の数が増加して
リード端子３間のピッチが狭くなっても、ダイバー部を
切除する工程の困難が増大することがない。したがっ
て、外部リード端子が狭ピッチ化，多端子化しても、外
部リード端子３を簡単に形成できる。Further, since the external lead terminals 3 are formed by cutting the lead frame R1 at a position closer to the resin sealing body 1 than the tie bar portion 4, the external leads can be formed without cutting the tie bar portion 4 itself. The terminal 3 can be formed. Therefore, the step of cutting the tie bar portion 4 itself becomes unnecessary. Therefore, even if the number of the lead terminals 3 is increased and the pitch between the lead terminals 3 is reduced, the difficulty in the step of cutting off the diver portion does not increase. Therefore, the external lead terminals 3 can be easily formed even if the external lead terminals have a narrow pitch and multiple terminals.

【００２９】また、上記リードフレームＲ１は、基板へ
の実装面となる樹脂封止体１の底面１ａに露出させられ
た露出部１０を有しているので、たとえば、図４に示す
ように、製品検査の段階において、この露出部１０にテ
スト用ソケット９のテスト用プローブ１２を当てて検査
を実施できる。上記露出部１０は、樹脂封止体１の底面
１ａに露出させられて上記底面１ａと面一になっている
ので、上記露出部１０に加わる外力は樹脂封止体１ａで
支えることができる。したがって、上記露出部１０は、
プローブ１２に押圧されても変形しない。Further, since the lead frame R1 has the exposed portion 10 exposed on the bottom surface 1a of the resin sealing body 1 to be a mounting surface on a substrate, for example, as shown in FIG. In the stage of product inspection, the inspection can be performed by applying the test probe 12 of the test socket 9 to the exposed portion 10. Since the exposed portion 10 is exposed to the bottom surface 1a of the resin sealing body 1 and is flush with the bottom surface 1a, the external force applied to the exposed portion 10 can be supported by the resin sealing body 1a. Therefore, the exposed portion 10
Even if pressed by the probe 12, it does not deform.

【００３０】このように、外部リード端子３に替えて、
露出部１０を使用して製品検査できるから、製品検査段
階での外部リード端子３の変形を確実に防止できる。Thus, instead of the external lead terminal 3,
Since the product inspection can be performed using the exposed portion 10, the deformation of the external lead terminal 3 at the product inspection stage can be reliably prevented.

【００３１】また、上記屈曲部３ａは、上記露出部１０
から延びて上記樹脂封止体１の側面１ｂから突出して上
記底面１ａよりも下方に屈曲させられている。すなわ
ち、上記屈曲部３ａの突出始端は底面１ａと同じレベル
であるから、上記屈曲部３ａが下方へ屈曲している寸法
のすべてを、樹脂封止体１の底面１ａと平坦部３ｂの底
面３ｂ‐１とのレベル差Ｌ１(スタンドオフ寸法)にする
ことができる。The bent portion 3a is connected to the exposed portion 10
And protrudes from the side surface 1b of the resin sealing body 1 and is bent below the bottom surface 1a. That is, since the projecting start end of the bent portion 3a is at the same level as the bottom surface 1a, all of the dimensions where the bent portion 3a is bent downward are changed to the bottom surface 1a of the resin sealing body 1 and the bottom surface 3b of the flat portion 3b. -1 (stand-off dimension).

【００３２】したがって、上記実施例によれば、屈曲部
３ａの最小限度の屈曲寸法で、必要なスタンドオフ寸法
を得ることができるから、屈曲部３ａの寸法縮小を図る
ことができる。したがって、外部リード端子３の変形防
止を図ることができる。Therefore, according to the above embodiment, the required stand-off dimension can be obtained with the minimum bending dimension of the bending section 3a, so that the dimension of the bending section 3a can be reduced. Therefore, deformation of the external lead terminal 3 can be prevented.

【００３３】上記スタンドオフ寸法は、樹脂封止体１や
基板の反りや変形量を吸収するために、少なくとも図５
に示すような予測される樹脂封止体１や基板１３の反
り，変形量程度に設定することが必要である。In order to absorb the amount of warpage and deformation of the resin sealing body 1 and the substrate, the stand-off dimension should be at least as shown in FIG.
It is necessary to set the amount of warpage and deformation of the resin sealing body 1 and the substrate 13 as shown in FIG.

【００３４】上記スタンドオフ寸法が存在するから、上
記樹脂封止体１を含むパッケージ本体の反りや、基板へ
の実装時に発生する樹脂封止体１の反りや、実装後の基
板自身へ加わる負荷によって生じる反り等が発生して
も、これらの反りが、半田接合部である平坦部３ｂに応
力を発生させることを防止できるか、あるいは、応力の
大きさを減少させることができる。また、上記スタンド
オフ寸法が存在するから、樹脂封止体１の底面１ａを配
線が高密度化した基板の凹凸表面上に配置しなければな
らない場合にも、底面１ａを上記凹凸表面の上に離隔さ
せて上記凹凸表面から底面１ａに力が加わらないように
することができるか、もしくは、少なくとも上記凹凸表
面から底面１ａに加わる力を低減させることができる。
従って、上記スタンドオフ寸法の存在によって、平坦部
３ｂを基板に半田付けした後の平坦部３ｂの半田付け強
度を十分に確保することができる。Since the stand-off dimension exists, the package body including the resin sealing body 1 warps, the resin sealing body 1 warps when mounted on the board, and the load applied to the board itself after mounting. Even if warpage or the like caused by the warpage occurs, it is possible to prevent the warp from generating a stress on the flat portion 3b, which is the solder joint, or to reduce the magnitude of the stress. In addition, since the stand-off dimension exists, even when the bottom surface 1a of the resin sealing body 1 has to be arranged on the uneven surface of the substrate having high-density wiring, the bottom surface 1a is placed on the uneven surface. It can be separated so that no force is applied to the bottom surface 1a from the uneven surface, or at least the force applied to the bottom surface 1a from the uneven surface can be reduced.
Therefore, due to the existence of the stand-off dimension, it is possible to sufficiently secure the soldering strength of the flat portion 3b after the flat portion 3b is soldered to the substrate.

【００３５】また、この実施例は、外部リード端子３の
屈曲部３ａの突出始端を樹脂封止体１の底面１ａと同じ
レベルに位置させているから、リードフレームＲ１が樹
脂封止体１内の下方に位置させられることになる。従っ
て、従来例に比べて、樹脂封止体１の内部領域のうちリ
ードフレームＲ１の上方の領域を増大させることができ
る。樹脂封止体１の内部領域のうちリードフレームＲ１
の上方の領域は、シリコンチップ７を配置するための有
効な領域である。したがって、この第２実施例によれ
ば、樹脂封止体１の内部領域を有効に利用できるから、
樹脂封止体１の厚さの減少を図ることができ、薄型化を
図ることができる。Further, in this embodiment, since the projecting start end of the bent portion 3a of the external lead terminal 3 is located at the same level as the bottom surface 1a of the resin sealing body 1, the lead frame R1 is Will be located below. Therefore, the area above the lead frame R1 in the internal area of the resin sealing body 1 can be increased as compared with the conventional example. The lead frame R1 in the internal region of the resin sealing body 1
The region above is an effective region for disposing the silicon chip 7. Therefore, according to the second embodiment, since the internal region of the resin sealing body 1 can be effectively used,
The thickness of the resin sealing body 1 can be reduced, and the thickness can be reduced.

【００３６】また、この実施例では、樹脂封止体１内で
アイランド８から下方へ屈曲している内部屈曲部１１を
有しているから、アイランド８と内部屈曲部１１との間
に充填されている樹脂封止体１によって、アイランド８
の絶縁性を十分に確保できる。Further, in this embodiment, since the internal bent portion 11 bent downward from the island 8 in the resin sealing body 1 is provided, the space between the island 8 and the internal bent portion 11 is filled. Island 8 due to resin sealing body 1
Can ensure sufficient insulation.

【００３７】次に、図６に参考例を示す。この参考例
は、リードフレームＲ２の外部リード端子２３が、樹脂
封止体２１の底面２１ａよりもわずかな寸法Ｘだけ上に
位置する側面２１ｂから突き出されている点と、図１に
示した露出部３ｃが存在しない点だけが、図１に示した
実施例と異なる。したがって、上記参考例は、上記実施
例と異なる点を重点的に説明する。Next, a reference example is shown in FIG. In this reference example, the point that the external lead terminal 23 of the lead frame R2 protrudes from the side surface 21b located above the bottom surface 21a of the resin sealing body 21 by a small dimension X and the exposed portion shown in FIG. Only the point that the part 3c does not exist is different from the embodiment shown in FIG. Therefore, the above-described reference example will be described focusing on the differences from the above-described embodiment.

【００３８】この参考例は、外部リード端子２３の屈曲
部２３ａが樹脂封止体２１の底面２１ａ近傍の上記樹脂
封止体２１の側面２１ｂから突き出しているから、上記
屈曲部２３ａが上記樹脂封止体２１の底面２１ａ近傍よ
りも上方の側面２１ｂから突き出している場合に比べて
少ない屈曲寸法で、所定のスタンドオフ寸法を得ること
ができる。したがって、屈曲部２３ａの寸法縮小を図る
ことができ、外部リード端子２３の変形防止を図ること
ができる。In this embodiment, the bent portion 23a of the external lead terminal 23 projects from the side surface 21b of the resin sealing body 21 near the bottom surface 21a of the resin sealing body 21. A predetermined standoff dimension can be obtained with a smaller bending dimension than when projecting from a side surface 21b above the vicinity of the bottom surface 21a of the stop 21. Therefore, the dimension of the bent portion 23a can be reduced, and the deformation of the external lead terminal 23 can be prevented.

【００３９】この参考例は、上記実施例と異なり露出部
がないから、樹脂封止体１内部でのリードフレームＲ２
の引き回しの自由領域を第１実施例に比べて拡大でき、
多端子化に適している。Since this reference example has no exposed portion unlike the above embodiment, the lead frame R2 inside the resin sealing body 1
The free area for routing can be expanded as compared with the first embodiment,
Suitable for multiple terminals.

【００４０】また、この参考例は、外部リード端子２３
を樹脂封止体２１の底面２１ａの近くに位置させている
から、リードフレームＲ２が樹脂封止体２１内の下方に
位置させられることになる。したがって、従来例に比べ
て、樹脂封止体２１の内部領域のうちリードフレームＲ
２の上方の領域を増大させることができる。樹脂封止体
２１の内部領域のうちリードフレームＲ２の上方の領域
は、シリコンチップ２７を配置するための有効な領域で
ある。したがって、この参考例によれば、樹脂封止体２
１の内部領域を有効に利用できるから、樹脂封止体２１
の厚さの減少を図ることができ、薄型化を図ることがで
きる。In this reference example, the external lead terminals 23
Is located near the bottom surface 21 a of the resin sealing body 21, the lead frame R <b> 2 is positioned below the resin sealing body 21. Therefore, compared to the conventional example, the lead frame R
The area above 2 can be increased. The area above the lead frame R2 in the internal area of the resin sealing body 21 is an effective area for disposing the silicon chip 27. Therefore, according to this reference example, the resin sealing body 2
1 can be effectively used, so that the resin sealing body 21
Can be reduced, and the thickness can be reduced.

【００４１】[0041]

【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１の発
明の樹脂封止型半導体装置では、外部リード端子の屈曲
部が、底面の露出部から延びて樹脂封止体の側面から突
出して底面よりも下方に屈曲させられている。このた
め、上記屈曲部が下方へ屈曲している寸法が、そのま
ま、樹脂封止体の底面と屈曲部から延在している平坦部
の底面とのレベル差(スタンドオフ寸法）になる。この
スタンドオフ寸法は、樹脂封止体や基板の反り，変形量
を吸収するために、少なくとも予測される樹脂封止体や
基板の反り，変形量程度に設定することが必要である。
この発明によれば、屈曲部の最小限度の屈曲寸法で、必
要なスタンドオフ寸法を得ることができるから、屈曲部
の寸法縮小を図ることができ、外部リード端子の変形防
止と外部リード端子の半田付け部分の密着不良防止を図
ることができる。As is clear from the above, in the resin-sealed semiconductor device according to the first aspect of the present invention, the bent portion of the external lead terminal extends from the exposed portion of the bottom surface and projects from the side surface of the resin-sealed body. It is bent below the bottom. Therefore, the dimension where the bent portion is bent downward is the level difference (stand-off dimension) between the bottom surface of the resin sealing body and the bottom surface of the flat portion extending from the bent portion. The stand-off dimension needs to be set to at least the expected warpage and deformation of the resin sealing body and the substrate in order to absorb the amount of warping and deformation of the resin sealing body and the substrate.
According to the present invention, the required stand-off dimension can be obtained with the minimum bending dimension of the bent portion, so that the size of the bent portion can be reduced, the deformation of the external lead terminal can be prevented, and the external lead terminal can be prevented from deforming. Adhesion failure of the soldered portion can be prevented.

【００４２】以上に述べたように本発明による樹脂封止
型半導体装置によれば、今後の狭端子ピッチ化と多端子
化に対して、タイバー自体の切断工程をなくすることが
でき、タイバー自体を切断する場合に必要であった加工
精度向上と切断装置の耐摩耗性向上が不必要になるの
で、タイバー切除に関連する加工上の問題自体が解消で
きる。また、本発明の構造を持つ樹脂封止型半導体装置
では、リード端子長さが短縮されるので、リード曲がり
およびリード浮き等の外部リード端子の変形の発生頻度
を低減でき、歩留まり向上を図ることができる。As described above, according to the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, it is possible to eliminate the step of cutting the tie bar itself in order to reduce the pitch of terminals and increase the number of terminals in the future. Since it is not necessary to improve the processing accuracy and the wear resistance of the cutting device, which are necessary when cutting the dies, the processing problem itself related to the tie bar cutting can be solved. Further, in the resin-encapsulated semiconductor device having the structure of the present invention, since the length of the lead terminal is reduced, the frequency of occurrence of deformation of the external lead terminal such as bending of the lead and floating of the lead can be reduced, and the yield can be improved. Can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 本発明の樹脂封止型半導体装置の実施例の断
面図である。FIG. 1 is a sectional view of an embodiment of a resin-sealed semiconductor device of the present invention.

【図２】 上記実施例の外部リード端子付近を斜め下方
から見た様子を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a state in which the vicinity of an external lead terminal of the embodiment is viewed obliquely from below.

【図３】 図３(Ａ)および図３(Ｂ)は上記実施例のリー
ドフレームのタイバー部を切除する様子を説明する上面
図および側面図である。3 (A) and 3 (B) are a top view and a side view for explaining how to cut off a tie bar portion of the lead frame of the above embodiment.

【図４】 上記実施例の出荷前検査の様子を示す断面図
である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state of a pre-shipment inspection of the embodiment.

【図５】 上記実施例が基板へ実装した時に反っている
様子を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state in which the above-described embodiment is warped when mounted on a substrate.

【図６】 本発明の参考例の断面図である。FIG. 6 is a sectional view of a reference example of the present invention.

【図７】 従来例の断面図である。FIG. 7 is a sectional view of a conventional example.

【図８】 上記従来例の外部リード端子付近を斜め下方
から見た様子を示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing a state in which the vicinity of the external lead terminal of the conventional example is viewed obliquely from below.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１，２１…樹脂封止体、Ｒ１，Ｒ２…リードフレーム、
３，２３…外部リード端子、３ａ，２３ａ…屈曲部、３
ｂ…平坦部、３ｂ‐１…底面、Ｌ１，Ｌ２…レベル差
(スタンドオフ寸法)、１０…外部リード端子の露出部、
４…タイバー部、５…切断金型、７，２７…シリコンチ
ップ、８，２８…アイランド。1,21 ... resin sealing body, R1, R2 ... lead frame,
3, 23 ... external lead terminal, 3a, 23a ... bent portion, 3
b: flat portion, 3b-1: bottom surface, L1, L2: level difference
(Stand-off dimension), 10 ... Exposed part of external lead terminal,
4 ... Tie bar part, 5 ... Cutting die, 7,27 ... Silicon chip, 8,28 ... Island.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 23/28 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 23/50 H01L 23/28

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 リードフレームに半導体素子が搭載さ
れ、樹脂封止体で樹脂封止されており、上記樹脂封止体
の外に露出したリードフレームの外部リード端子が外部
に電気的に接続されるようになっている樹脂封止型半導
体装置において、 上記リードフレームは、基板への実装面側となる樹脂封
止体の底面に露出させられた露出部を有し、 上記外部リード端子は、 樹脂封止時の樹脂をせき止めるタイバー部よりも樹脂封
止体に近い位置でリードフレームの他の部分から切り離
されており、 上記露出部から延びて上記樹脂封止体の側面から突出し
て上記底面よりも下方に屈曲させられた屈曲部と、 上記屈曲部から上記底面と平行に延在している平坦部と
を有していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。1. A semiconductor device is mounted on a lead frame and sealed with a resin sealing body. An external lead terminal of the lead frame exposed outside the resin sealing body is electrically connected to the outside. In the resin-encapsulated semiconductor device, the lead frame has an exposed portion exposed on the bottom surface of the resin-encapsulated body on the mounting surface side to the substrate, and the external lead terminal is It is separated from the other part of the lead frame at a position closer to the resin sealing body than the tie bar part for damping the resin at the time of resin sealing, extends from the exposed part, protrudes from the side surface of the resin sealing body, and the bottom surface A resin-encapsulated semiconductor device, comprising: a bent portion bent downwardly; and a flat portion extending from the bent portion in parallel with the bottom surface.
JP32738493A 1993-12-24 1993-12-24 Resin-sealed semiconductor device Expired - Fee Related JP3061715B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32738493A JP3061715B2 (en) 1993-12-24 1993-12-24 Resin-sealed semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32738493A JP3061715B2 (en) 1993-12-24 1993-12-24 Resin-sealed semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07183445A JPH07183445A (en) 1995-07-21
JP3061715B2 true JP3061715B2 (en) 2000-07-10

Family

ID=18198550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32738493A Expired - Fee Related JP3061715B2 (en) 1993-12-24 1993-12-24 Resin-sealed semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3061715B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4561670B2 (en) * 2006-03-29 2010-10-13 株式会社デンソー Electronic device mounting structure and electronic device mounting method
JP6641079B2 (en) * 2014-10-29 2020-02-05 タツタ電線株式会社 Printed circuit board manufacturing method and conductive member joining method

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07183445A (en) 1995-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100350759B1 (en) Ball-grid-array semiconductor device and manufacturing method therefor
US7268414B2 (en) Semiconductor package having solder joint of improved reliability
KR900002908B1 (en) Resin-sealed simiconductor device
US5291375A (en) Printed circuit board and electric device configured to facilitate bonding
JPH07288309A (en) Semiconductor device, manufacture thereof and semiconductor module
US6753599B2 (en) Semiconductor package and mounting structure on substrate thereof and stack structure thereof
US6340837B1 (en) Semiconductor device and method of fabricating the same
KR20000048011A (en) A semiconductor device
US6078099A (en) Lead frame structure for preventing the warping of semiconductor package body
KR20040037575A (en) Micro leadless package having oblique etching line
KR20020001521A (en) Planarized plastic package modules for integrated circuits
KR0157857B1 (en) Semiconductor package
JP3061715B2 (en) Resin-sealed semiconductor device
US4963975A (en) Semiconductor device
JP3232698B2 (en) Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2768056B2 (en) Electronic equipment
US7498679B2 (en) Package substrate and semiconductor package using the same
CN1192048A (en) Semiconductor chip package having combined structure of lead-on-chip leads and standard normal leads
JPS6215844A (en) Semiconductor lead frame
KR100296845B1 (en) Semiconductor package and manufacturing method thereof
JP3271500B2 (en) Semiconductor device
JP2503360Y2 (en) Resin-sealed semiconductor integrated circuit device
KR20020093250A (en) ELP type leadframe and ELP using the same
JPH0738051A (en) Resin mold electric device and its manufacture
KR100321149B1 (en) chip size package

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 8

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080428

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090428

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees