JP3030851B2 - Waveguide type filter - Google Patents

Waveguide type filter

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JP3030851B2
JP3030851B2 JP10270219A JP27021998A JP3030851B2 JP 3030851 B2 JP3030851 B2 JP 3030851B2 JP 10270219 A JP10270219 A JP 10270219A JP 27021998 A JP27021998 A JP 27021998A JP 3030851 B2 JP3030851 B2 JP 3030851B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電気的特性の調整
を行う調整機構を有する導波管型フィルタに関し、特
に、ミリ波帯での使用に適した導波管フィルタに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a waveguide filter having an adjustment mechanism for adjusting electric characteristics, and more particularly to a waveguide filter suitable for use in a millimeter wave band.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種の導波管型フィルタにおけ
る調整機構の構造例を図12及び図13に示す。これら
の調整機構は、例えばミリ波帯における導波管の電気的
特性、例えばVSWR、帯域幅、減衰特性、挿入損失等
の調整を行うもので、導波管の特定部位の内壁面と外壁
面とを結ぶ軸線方向に変位し、その先端部が内壁面から
管内空間に露出するネジを含んで構成される。
2. Description of the Related Art FIGS. 12 and 13 show examples of the structure of an adjusting mechanism in a conventional waveguide filter of this kind. These adjustment mechanisms adjust, for example, electrical characteristics of the waveguide in the millimeter wave band, such as VSWR, bandwidth, attenuation characteristics, insertion loss, and the like. And a screw which is displaced in the axial direction connecting the inner surface of the tube and whose distal end is exposed from the inner wall surface to the space in the pipe.

【0003】図12は金属製のネジを使用した調整機
構、図13は金属製のネジと誘電体とを併用した調整機
構の例である。図13の調整機構は、図12のものより
も調整量を小さくできるものである。
FIG. 12 shows an example of an adjusting mechanism using a metal screw, and FIG. 13 shows an example of an adjusting mechanism using both a metal screw and a dielectric. The adjustment mechanism of FIG. 13 can reduce the amount of adjustment more than that of FIG.

【0004】図12に示した調整機構80は、対向する
一対のサセプタンス素子(窓部)2の間の管内空間7
に、ネジ85の先端部が突出する構造を有している。サ
セプタンス素子2は、管内空間7のアドミタンスを誘導
性にするもので、管軸方向に所定間隔で複数設けられて
いる。ネジ85は、その挿入位置によって、誘導性サセ
プタンスを低減させ、VSWRやバンド幅等を調整でき
るようするために設けられる。このような構造の調整機
構80は、周波数調整用に、管軸方向の別のサセプタン
ス素子2間の電界最大部位にも同様に設けられる。な
お、サセプタンス素子2によって区切られる管軸方向の
管内空間7によって一種の共振器が形成されるようにな
っている。
[0006] The adjusting mechanism 80 shown in FIG. 12 is configured such that a space 7 in a pipe between a pair of susceptance elements (windows) 2 opposed to each other.
In addition, a structure is provided in which the tip of the screw 85 protrudes. The susceptance elements 2 make the admittance of the tube space 7 inductive, and a plurality of the susceptance elements 2 are provided at predetermined intervals in the tube axis direction. The screw 85 is provided to reduce the inductive susceptance and adjust the VSWR, the bandwidth and the like depending on the insertion position. The adjusting mechanism 80 having such a structure is similarly provided at the maximum electric field between the other susceptance elements 2 in the tube axis direction for frequency adjustment. It is to be noted that a kind of resonator is formed by the tube space 7 in the tube axis direction divided by the susceptance element 2.

【0005】一方、誘電体を使用した調整機構90は、
図13に示すように、ネジ95の先端部に誘電体94を
接着剤などで止着し、この誘電体94の先端部が、タッ
プ逃げ部97及び統合孔98を通じて、対向する一対の
サセプタンス素子2の間の管内空間7に突出する構造を
有している。なお、この調整機構90は、図12のもの
と同様、周波数調整用に、管軸方向の別のサセプタンス
素子2間の電界最大部位にも設けられる。参照符号85
1,951はネジ溝、6は調整後のネジ85,95を固
定させるためのナットである。
On the other hand, an adjusting mechanism 90 using a dielectric is
As shown in FIG. 13, a dielectric 94 is fixed to the tip of the screw 95 with an adhesive or the like, and the tip of the dielectric 94 is opposed to the pair of susceptance elements through the tap relief 97 and the integrated hole 98. It has a structure that protrudes into the pipe space 7 between the two. The adjusting mechanism 90 is also provided at the maximum electric field between the other susceptance elements 2 in the tube axis direction for frequency adjustment, as in the case of FIG. Reference 85
1, 951 is a screw groove, and 6 is a nut for fixing the screws 85, 95 after adjustment.

【0006】いずれの導波管型バンドパスフィルタも、
導波管部分は、主として加工の便宜のために一対の導波
管要素1A,1Bを接合して構成される。例えば、図1
4は、図12に示した調整機構80を有する導波管型バ
ンドパスフィルタの導波管部分の分解組立図である。図
14の例では、Y1−Y2、Y3−Y4の線を含む平面
で分割された一対の導波管要素1A,1Bのうち、下部
の導波管要素1Bに、ザグリ加工等によって一対のサセ
プタンス素子2の組が複数組形成され、さらに、この下
部の導波管1Bに、上部の導波管1Aがネジ86によっ
て接合されるようになっている。各サセプタンス素子2
の組によって形成される共振器部分には、上述の電気的
特性の調整用ネジ85a,85bが挿入されるようにな
っている。図13の調整機構90を有する導波管型バン
ドパスフィルタも、概ね同様の構造になっている。
[0006] Each of the waveguide band pass filters has
The waveguide portion is formed by joining a pair of waveguide elements 1A and 1B mainly for convenience of processing. For example, FIG.
FIG. 4 is an exploded view of the waveguide portion of the waveguide band-pass filter having the adjusting mechanism 80 shown in FIG. In the example of FIG. 14, of the pair of waveguide elements 1A and 1B divided by a plane including the lines Y1-Y2 and Y3-Y4, a pair of susceptances are formed on the lower waveguide element 1B by counterboring or the like. A plurality of sets of the elements 2 are formed, and the upper waveguide 1A is joined to the lower waveguide 1B by screws 86. Each susceptance element 2
The adjustment screws 85a and 85b for the above-described electrical characteristics are inserted into the resonator portion formed by the pair of. The waveguide-type bandpass filter having the adjusting mechanism 90 shown in FIG. 13 has substantially the same structure.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従来の導波管型バンド
パスフィルタでは、調整時にネジ85,95を回転させ
るため、ネジ85,95の根元で接触不良が生じ易くな
る。接触不良が生じた場合、ミリ波帯では、その影響が
電気的特性、例えばVSWR、挿入損失、減衰量等の変
化として顕著に現れる。また、サセプタンス素子2の調
整によって電気的特性を変える場合、ネジ回転時にそれ
らが急激に変化しやすく、調整が非常に難しくなってい
る。ミリ波帯の中でも周波数が高くなるにつれてそれが
顕著になる。特に、図13の構造の調整機構90をもつ
導波管型バンドパスフィルタでは、図17の(イ)のよ
うな異常吸収現象や、(ロ)、(ハ)のような異常共振
現象が現れて電気的特性が良好にならない。図17は中
心周波数を89GHzとしたミリ波帯の導波管バンドパ
スフィルタの例であり、上段はリターンロス特性、下段
は減衰特性であり、横軸が周波数、縦軸が電力レベル
(dB)を表している。なお、バンドパスフィルタ以外
の他の導波管型フィルタでVSWRを調整する際にも同
様の問題が生じる。
In the conventional waveguide band-pass filter, the screws 85 and 95 are rotated at the time of adjustment, so that poor contact is likely to occur at the roots of the screws 85 and 95. When a contact failure occurs, the effect is remarkably manifested in the millimeter wave band as a change in electrical characteristics such as VSWR, insertion loss, and attenuation. Further, when the electric characteristics are changed by adjusting the susceptance element 2, they are easily changed rapidly when the screw is rotated, and the adjustment is very difficult. It becomes remarkable as the frequency becomes higher even in the millimeter wave band. In particular, in the waveguide band-pass filter having the adjusting mechanism 90 having the structure shown in FIG. 13, an abnormal absorption phenomenon as shown in FIG. 17A and an abnormal resonance phenomenon as shown in FIGS. Electrical characteristics are not improved. FIG. 17 shows an example of a waveguide bandpass filter in the millimeter wave band with a center frequency of 89 GHz. The upper part shows return loss characteristics, the lower part shows attenuation characteristics, the horizontal axis represents frequency, and the vertical axis represents power level (dB). Is represented. A similar problem occurs when the VSWR is adjusted with another waveguide filter other than the bandpass filter.

【0008】また、バンドパスフィルタ等の従来の導波
管型フィルタは、一対の導波管要素を接合して構成され
るため、電流の流れが接合部付近で悪くなり、無負荷Q
oが小さくなって、挿入損失が大きくなってしまうとい
う欠点があった。すなわち、導波管内の個々の共振器内
の電流は、図15の実線で示すように管壁に沿って流れ
るが、図14のように、Y1−Y2、Y3−Y4を含む
面で導波管要素1A,1Bが接合されているので、接合
部位で電流の流れが一部切られる(遮断される)。この
場合の無負荷Qoは著しく低下してしまう。さらに、図
13に示した調整機構90では、通過するバンド幅の調
整幅が小さいため、調整にかなりの熟練を要するという
問題もあった。
Further, since a conventional waveguide type filter such as a band-pass filter is formed by joining a pair of waveguide elements, the current flow becomes poor near the junction, and the no-load Q
There is a disadvantage that o becomes small and insertion loss becomes large. That is, the current in each resonator in the waveguide flows along the tube wall as shown by the solid line in FIG. 15, but is guided on the plane including Y1-Y2 and Y3-Y4 as shown in FIG. Since the tube elements 1A and 1B are joined, a part of the current flow is cut off (cut off) at the joint. In this case, the no-load Qo is significantly reduced. Further, the adjusting mechanism 90 shown in FIG. 13 has a problem that the adjustment requires a considerable skill because the width of adjustment of the passing band width is small.

【0009】そこで本発明の課題は、電気的特性の調整
を容易且つ安定的に行うことができる、改良された調整
機構を有する導波管型フィルタを提供することにある。
An object of the present invention is to provide a waveguide type filter having an improved adjustment mechanism which can easily and stably adjust electric characteristics.

【0010】[0010]

【0011】上記課題を解決する本発明の導波管型フィ
ルタは、導波管の電気的特性の調整を行う調整機構を有
し、該調整機構は前記導波管の特定部位の内壁面と外壁
面とを結ぶ軸線方向に変位しその先端部が前記内壁面か
ら管内空間に露出する可動導体を含んで成る導波管型フ
ィルタであって、前記可動導体の側面部と前記導波管の
管壁との間に、それぞれ前記内壁面から外壁面の方向に
始終端をもつ第1空洞部及び第2空洞部が形成されてお
り、前記第1空洞部はその始端において短絡状態をな
し、該第1空洞部の終端を始端とする前記第2空洞部は
その始端において開放状態をなし、同一径の筒状空間
に、部位によってその径が段階的に異なる前記可動導体
が挿入されており、前記筒状空間の径と前記可動導体の
径との差分により前記第1空洞部及び第2空洞部が形成
されることを特徴とする。
[0011] The onset light waveguide filter which solves the above described problems has an adjustment mechanism for adjusting the electrical characteristics of the waveguide, the adjustment mechanism the inner wall surface of the specific portion of the waveguide A waveguide filter comprising a movable conductor whose axial end is displaced in the axial direction connecting the inner wall surface and the outer wall surface, and a tip end of which is exposed from the inner wall surface to the inner space of the tube, wherein a side surface portion of the movable conductor and the waveguide A first cavity portion and a second cavity portion each having a start and end in the direction from the inner wall surface to the outer wall surface, and the first cavity portion is in a short-circuit state at the start end. The second hollow portion starting from the terminal end of the first hollow portion is open at the starting end, and the movable conductor whose diameter varies stepwise according to portions is inserted into a cylindrical space having the same diameter. And the difference between the diameter of the cylindrical space and the diameter of the movable conductor Wherein the first cavity portion and a second cavity is formed.

【0012】前記第1空洞部の始終端間及び第2空洞部
の始終端間は、それぞれ自由空間波長のn/4(nは奇
数の自然数:通常は“1”)の長さであり、且つ、前記
第2空洞部の始端から終端方向をみたインピーダンス
が、前記第1空洞部の始端から終端方向をみたインピー
ダンスよりも大きくなっている。
The distance between the beginning and the end of the first cavity and the beginning and the end of the second cavity are each n / 4 (n is an odd natural number: usually "1") of the free space wavelength. In addition, the impedance of the second cavity from the beginning to the end is greater than the impedance of the first cavity from the beginning to the end.

【0013】本発明の他の導波管型フィルタは、少なく
とも前記可動導体と前記第1及び第2空洞部との接触面
に誘電体膜が形成された調整機構を有するものである。
これにより、可動導体と導波管壁との間の接触を確実に
防止することができ、しかも第1空洞部の特性インピー
ダンスを小さくすることができる。
Another waveguide type filter according to the present invention has an adjusting mechanism in which a dielectric film is formed on at least a contact surface between the movable conductor and the first and second cavities.
Thereby, the contact between the movable conductor and the waveguide wall can be reliably prevented, and the characteristic impedance of the first cavity can be reduced.

【0014】本発明の他の導波管型フィルタは、前記第
1空洞部と第2空洞部との組が前記内壁面から外壁面方
向に2組以上連続して形成され、最初の組の前記第1空
洞部が前記内壁面を始端とする調整機構を有することを
特徴とする。
In another waveguide type filter according to the present invention, two or more pairs of the first cavity portion and the second cavity portion are formed continuously from the inner wall surface to the outer wall surface. The first cavity has an adjustment mechanism starting from the inner wall surface.

【0015】上述の各導波管型フィルタにおいて、個々
の調整対象部位に複数の調整機構を設けても良い。共振
周波数の調整に用いるものは、少なくとも一つの調整機
構の可動導体の先端部が前記導波管内の電界最大位置を
指向するように設ける。一方、VSWR等の調整に用い
るものは、少なくとも一つの調整機構の可動導体の先端
部が電界最小位置、具体的には、サセプタンス素子と並
列に設ける。
[0015] In the waveguide type filter described above, the individual
A plurality of adjustment mechanisms may be provided in the adjustment target portion . Use at least one adjuster to adjust the resonance frequency.
A movable end of the structure is provided so as to point to a maximum electric field position in the waveguide. On the other hand, in a device used for adjusting the VSWR or the like, the tip of the movable conductor of at least one adjusting mechanism is provided at the minimum electric field position, specifically, in parallel with the susceptance element.

【0016】前記導波管は、例えば成形の便宜のため、
前記第1空洞部の形成部位で一対の導波管要素を接合し
たものである。各導波管要素の対向端の少なくとも一方
の狭面側の所定位置にサセプタンス素子を形成する。前
記可動導体は、前記サセプタンス素子によって形成され
る誘導性サセプタンスを弱めるものである。
The waveguide is formed, for example, for convenience of molding.
A pair of waveguide elements are joined at a formation site of the first cavity. A susceptance element is formed at a predetermined position on at least one narrow surface of the facing end of each waveguide element. The movable conductor weakens an inductive susceptance formed by the susceptance element.

【0017】前記各導波管要素の対向端には支持板が介
在し、各導波管要素が前記支持板によって挟持される
うにして電流の不連続性を抑制させる。また、前記導波
管が内部に共振器、端部にフランジが形成されたもので
ある場合、各導波管要素は、好ましくは、前記共振器の
部分で分割されるようにする。
A support plate is provided at the opposite end of each waveguide element.
Each waveguide element is sandwiched by the support plate .
Unishi Ru by suppressing discontinuities current Te. When the waveguide has a resonator formed inside and a flange formed at an end, each waveguide element is preferably divided at the portion of the resonator.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明をバンドパスフィル
タの調整機構に適用した場合の実施の形態を図面を参照
して詳細に説明する。 (第1実施形態)図1は、第1実施形態による調整機構
10の断面構造図であり、従来例を示した図12及び図
13に対応した部分である。図12と同一要素について
は同一符号を付してある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to a bandpass filter adjusting mechanism will be described below in detail with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 1 is a sectional structural view of an adjusting mechanism 10 according to a first embodiment, and corresponds to FIGS. 12 and 13 showing a conventional example. The same elements as those in FIG. 12 are denoted by the same reference numerals.

【0019】この調整機構10では、導波管1の所定部
位にザグリ加工等によって、互いに対向する一対又は複
数対のサセプタンス素子(窓)2が形成され、さらに、
これらのサセプタンス素子2によって管内空間7が形成
されている。管内空間7には、電気的特性を調整するた
めのネジ51の先端部が露出している。参照符号511
は、このネジ51のネジ溝である。
In this adjusting mechanism 10, a pair or a plurality of pairs of susceptance elements (windows) 2 facing each other are formed in a predetermined portion of the waveguide 1 by counterboring or the like.
A tube space 7 is formed by these susceptance elements 2. The distal end of a screw 51 for adjusting electrical characteristics is exposed in the tube space 7. Reference numeral 511
Is a thread groove of the screw 51.

【0020】ネジ51の先端部は、共振周波数を調整す
る場合は電界最大部位におかれ、VSWR等を調整する
場合は、電界最小部位、具体的には各サセプタンス2と
並べておかれる。通常は、両者が併設され、いずれか一
方の先端部が管内空間7の上部より露出し、他方が管内
空間7の下部より露出するようになっている。いずれの
場合も、ネジ51は、導波管1の特定部位の内壁面と外
壁面とを結ぶ軸線方向に変位するようになっている。通
常、ネジ51の先端部は、内壁面と同一面か、あるいは
内壁面から管内空間7の方向へある長さαだけ突出する
位置でナット6によって固定される。共振周波数調整用
の場合、ネジ51の先端部は、例えばTE101モード
(共振時に電界最大部位が一つになるモード)ではサセ
プタンス素子2間のほぼ中央、TE102モード(共振
時に電界最大部位が二つになるモード)ではサセプタン
ス素子2から約λgo(λgoは管内波長)/4の位置と
なる。ネジ51の側面部と導波管1の管壁との間には、
それぞれ導波管1の内壁面から外壁面の方向に始終端を
もつ第1空洞部3及び第2空洞部4が形成されている。
図示の例の場合、各空洞部3はそれぞれ同軸の断面円環
状をなしているが、この形状は任意であってよい。
The tip of the screw 51 is located at the maximum electric field when adjusting the resonance frequency, and is aligned with the minimum electric field, specifically, each susceptance 2 when adjusting the VSWR and the like. Usually, both are provided side by side, and one end is exposed from the upper part of the pipe space 7 and the other is exposed from the lower part of the pipe space 7. In any case, the screw 51 is displaced in the axial direction connecting the inner wall surface and the outer wall surface of the specific portion of the waveguide 1. Normally, the tip of the screw 51 is fixed by the nut 6 at the position flush with the inner wall surface or at a position protruding from the inner wall surface toward the pipe space 7 by a certain length α. In the case of adjusting the resonance frequency, the tip of the screw 51 may be located substantially at the center between the susceptance elements 2 in the TE101 mode (mode where the maximum electric field is one at resonance), and in the TE102 mode (two electric field maximum at resonance). In this mode, the position is about λgo (λgo is the guide wavelength) / 4 from the susceptance element 2. Between the side surface of the screw 51 and the tube wall of the waveguide 1,
A first cavity portion 3 and a second cavity portion 4 each having a start and end in the direction from the inner wall surface to the outer wall surface of the waveguide 1 are formed.
In the case of the illustrated example, each cavity 3 has a coaxial annular cross section, but this shape may be arbitrary.

【0021】第1空洞部3の始端は導波管1の内壁面X
0であり、その終端まではl1の長さになっている。こ
の第1空洞部3の終端は、第2空洞部4のネジ軸方向の
始端にもなっており、第2空洞部4のネジ軸方向の終端
まではl1の長さになっている。これらの長さl1は、
共に電気長で約90度となる長さ、例えば約λo(自由
空間波長)/4である。第1空洞部3の特性インピーダ
ンスをZ1、第2空洞部4の特性インピーダンスをZ2
とする。Z2はZ1よりもできるだけ大きくする。本実
施形態では、約“2”以上となるように各空洞部3,4
のサイズを設計している。
The starting end of the first cavity 3 is the inner wall surface X of the waveguide 1.
It is 0, and the length is 11 until the end. The end of the first cavity 3 is also the start of the second cavity 4 in the screw axis direction, and the length of the second cavity 4 is 11 until the end of the second cavity 4 in the screw axis direction. These lengths l1 are
Both have an electrical length of about 90 degrees, for example, about λo (free space wavelength) / 4. The characteristic impedance of the first cavity 3 is Z1, and the characteristic impedance of the second cavity 4 is Z2.
And Z2 is made as large as possible than Z1. In the present embodiment, each of the cavities 3, 4 is set so as to be about "2" or more.
The size is designed.

【0022】上記構造の調整機構10の作用は、下記の
とおりである。図6(a)は、ネジ51付近の部分拡大
図、(b)はその部分の等価回路である。電気長でみた
場合、第1空洞部3はθ1の電気長をもち、第2空洞部
4はθ2の電気長をもつ。これらの電気長θ2,θ1は
上述のように、約90度である。図示のB点からC点を
見たインピーダンスZBはjZ2tanθ2、図示のA点よ
りB点を見たインピーダンスZAはjZ1{(Z2tanθ
2+Z1tanθ1)/(Z1−Z2tanθ2・tanθ
1)}で表され、特性インピーダンスの比“Z2/Z
1”は約“2”以上なので、C端を約0Ωとすれば、イ
ンピーダンスZBは非常に大きくなり、一方、インピー
ダンスZAは非常に小さい値となる。
The operation of the adjusting mechanism 10 having the above structure is as follows. FIG. 6A is a partially enlarged view near the screw 51, and FIG. 6B is an equivalent circuit of the portion. In terms of electrical length, the first hollow portion 3 has an electrical length of θ1, and the second hollow portion 4 has an electrical length of θ2. These electric lengths θ2 and θ1 are about 90 degrees as described above. The impedance ZB when viewing the point C from the illustrated point B is jZ2tanθ2, and the impedance ZA when viewing the point B from the illustrated point A is jZ1 {(Z2tanθ).
2 + Z1 tan θ1) / (Z1−Z2 tan θ2 · tan θ)
1) The characteristic impedance ratio “Z2 / Z” represented by}
Since “1” is about “2” or more, if the C end is set to about 0Ω, the impedance ZB becomes very large, while the impedance ZA becomes a very small value.

【0023】つまり、図1のX0点よりネジ51側を見
たインピーダンスZAはほぼ短絡状態、X1点よりX2点
側を見たインピーダンスZBはほぼ開放状態となるの
で、共振器内の電磁波がネジ51側に入り込みにくくな
り、また、ネジ51の根元付近での接触不良の影響もな
くなる。従って、電気的特性の調整が従来型の調整機構
に比べて容易となる。特に、この実施形態の構造を採用
することにより、周波数が非常に高いミリ波帯導波管の
実用レベルでのバンドパスフィルタの実現が可能とな
る。
That is, the impedance ZA when the screw 51 is viewed from the point X0 in FIG. 1 is substantially short-circuited, and the impedance ZB when the X2 point is viewed from the point X1 is substantially open. It becomes difficult to enter the screw 51 side, and the influence of poor contact near the root of the screw 51 is eliminated. Therefore, the adjustment of the electrical characteristics becomes easier as compared with the conventional adjustment mechanism. In particular, by employing the structure of this embodiment, it becomes possible to realize a bandpass filter at a practical level of a millimeter-wave band waveguide having a very high frequency.

【0024】なお、以上の作用説明は、便宜上、ネジ5
1が一つの場合の例であるが、共振器内の電界最大部位
及びサセプタンス素子2間に並設したものについても同
様の説明が成り立つものである。
The above operation is described for convenience only with the screw 5
Although 1 is an example of one case, the same description holds true for the case where the electric field maximum portion in the resonator and the susceptance element 2 are arranged in parallel.

【0025】(第2実施形態)図2は、第2実施形態に
よる調整機構20の断面構造図であり、第1実施形態の
ものと同一の要素については、同一符号を付してある。
この調整機構20が第1実施形態の調整機構10と異な
るのは、端部導体部分522が導波管外壁部付近の導体
部分よりも細いネジ52を用いる点、このネジ52の導
波管外壁部付近と同じ径の第2空洞部41を設けた点で
ある。第1空洞部3の径は、ネジ52の端部導体部分5
22の径よりも若干大きめとする。参照符号521は、
ネジ52の導波管外壁部付近の導体部分に形成されたネ
ジ溝である。
(Second Embodiment) FIG. 2 is a sectional structural view of an adjusting mechanism 20 according to a second embodiment, and the same elements as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.
The adjusting mechanism 20 differs from the adjusting mechanism 10 of the first embodiment in that the end conductor portion 522 uses a thinner screw 52 than the conductor portion near the outer wall of the waveguide. This is the point that a second hollow portion 41 having the same diameter as the vicinity of the portion is provided. The diameter of the first hollow portion 3 is the end conductor portion 5 of the screw 52.
Slightly larger than the diameter of 22. Reference numeral 521 is
This is a screw groove formed in a conductor portion of the screw 52 near the waveguide outer wall.

【0026】図7(a)は、このネジ52付近の部分拡
大図、(b)はその部分の等価回路である。第1空洞部
3がθ1の電気長をもち、その特性インピーダンスがZ
1で表されること、第2空洞部41がθ2の電気長をも
ち、その特性インピーダンスがZ2で表されること、B
点からC点を見たインピーダンスZBがjZ2tanθ2、
A点よりB点を見たインピーダンスZAがjZ1{(Z
2tanθ2+Z1tanθ1)/(Z1−Z2tanθ2・tan
θ1)}で表されること、C端が約0Ω、電気長θ2,
θ1が約90゜、インピーダンス比Z2/Z1が約“2”
以上であることは、それぞれ第1実施形態の場合と同様
である。
FIG. 7A is an enlarged view of a part near the screw 52, and FIG. 7B is an equivalent circuit of the part. The first cavity 3 has an electrical length of θ1, and its characteristic impedance is Z
1, the second cavity 41 has an electrical length of θ2, and its characteristic impedance is represented by Z2.
The impedance ZB when the point C is viewed from the point is jZ2tanθ2,
The impedance ZA when the point B is viewed from the point A is jZ1Z (Z
2tanθ2 + Z1tanθ1) / (Z1−Z2tanθ2 · tan)
θ1)}, C end is about 0Ω, electrical length θ2
θ1 is about 90 °, and the impedance ratio Z2 / Z1 is about “2”.
The above is the same as in the first embodiment.

【0027】このような構造の調整機構20を採用する
ことにより、インピーダンスZAは、限りなく0Ωに近
くなり、インピーダンスZBは、ほぼ無限大となる。従
って、第1実施形態の調整機構10と同様の効果が得ら
れる。なお、第1空洞部3及び第2空洞部42の形状が
図示のものに限定されないのは、第1実施形態の場合と
同様である。
By employing the adjusting mechanism 20 having such a structure, the impedance ZA becomes as close to 0Ω as possible and the impedance ZB becomes almost infinite. Therefore, the same effect as the adjusting mechanism 10 of the first embodiment can be obtained. Note that the shapes of the first hollow portion 3 and the second hollow portion 42 are not limited to those shown in the drawing, as in the case of the first embodiment.

【0028】(第3実施形態)図3は、第3実施形態に
よる調整機構30の断面構造図である。この調整機構3
0が上述の各調整機構10,20と異なるのは、端部導
体部分533と導波管外壁部付近の導体部分とが同一径
で、その中間部分532が局部的に細くなっているネジ
53を用いる点、第1空洞部32及び第2空洞部42を
形成するための空間が略同一径となっており、各空洞部
32,42がネジ53の相対位置によって形成されるよ
うになっている点である。すなわち、ネジ53の端部導
体部分533の径が、空間部の径532よりも若干大き
くなっており、これによって第1空洞部32が形成され
るようになっている。参照符号521は導波管外壁部付
近の導体部分に形成されたネジ溝である。
(Third Embodiment) FIG. 3 is a sectional structural view of an adjusting mechanism 30 according to a third embodiment. This adjustment mechanism 3
0 is different from the above-described adjusting mechanisms 10 and 20 in that the screw 53 in which the end conductor portion 533 and the conductor portion near the waveguide outer wall portion have the same diameter and the intermediate portion 532 is locally thin. In that, the spaces for forming the first cavity 32 and the second cavity 42 have substantially the same diameter, and the respective cavities 32 and 42 are formed by the relative positions of the screws 53. It is a point. That is, the diameter of the end conductor portion 533 of the screw 53 is slightly larger than the diameter 532 of the space portion, whereby the first hollow portion 32 is formed. Reference numeral 521 is a thread groove formed in a conductor portion near the outer wall of the waveguide.

【0029】第1空洞部32がθ1の電気長をもち、そ
の特性インピーダンスがZ1で表されること、第2空洞
部42がθ2の電気長をもち、その特性インピーダンス
がZ2で表されること、第2空洞部42の始端からから
終端方向を見たインピーダンスZBがjZ2tanθ2、A
点よりB点を見たインピーダンスZAがjZ1{(Z2t
anθ2+Z1tanθ1)/(Z1−Z2tanθ2・tanθ
1)}で表されること、第2空洞部42の端部が約0
Ω、電気長θ2,θ1が約90゜、特性インピーダンス
比Z2/Z1が約“2”以上であることは、第1実施形態
の場合と同様である。
The first cavity 32 has an electrical length of θ1 and its characteristic impedance is represented by Z1. The second cavity 42 has an electrical length of θ2 and its characteristic impedance is represented by Z2. , The impedance ZB when viewed from the beginning to the end of the second cavity 42 is jZ2tanθ2, A
The impedance ZA when the point B is viewed from the point is jZ1 {(Z2t
anθ2 + Z1tanθ1) / (Z1-Z2tanθ2 · tanθ)
1) The end of the second hollow portion 42 is approximately 0
As in the first embodiment, Ω, the electrical lengths θ2, θ1 are about 90 °, and the characteristic impedance ratio Z2 / Z1 is about “2” or more.

【0030】このような構造の調整機構30では、イン
ピーダンスZAは、限りなく0Ωに近くなり、インピー
ダンスZBは、ほぼ無限大となる。従って、第1実施形
態の調整機構10と同様の効果が得られる。また、各空
洞部32,42を形成するための導波管1の加工が、各
実施形態の調整機構10,20を採用する場合よりも容
易になるという利点もある。
In the adjusting mechanism 30 having such a structure, the impedance ZA is as close as possible to 0Ω, and the impedance ZB is almost infinite. Therefore, the same effect as the adjusting mechanism 10 of the first embodiment can be obtained. Further, there is an advantage that the processing of the waveguide 1 for forming the hollow portions 32 and 42 is easier than the case where the adjusting mechanisms 10 and 20 of each embodiment are employed.

【0031】(第4実施形態)図4は、第4実施形態に
よる調整機構40の断面構造図である。この調整機構4
0は、第2実施形態の調整機構20の構成の一部を変形
させたものである。第2実施形態の調整機構20と異な
るのは、端部導体部分542をより長くしたネジ54を
用いる点、第1空洞部及び第2空洞部の組を2組有する
点である。参照符号541は導波管外壁部付近の導体部
分に形成されたネジ溝である。
(Fourth Embodiment) FIG. 4 is a sectional structural view of an adjusting mechanism 40 according to a fourth embodiment. This adjustment mechanism 4
Reference numeral 0 denotes a partially modified configuration of the adjustment mechanism 20 according to the second embodiment. The difference from the adjusting mechanism 20 of the second embodiment is that a screw 54 having a longer end conductor portion 542 is used, and two sets of a first hollow portion and a second hollow portion are provided. Reference numeral 541 is a thread groove formed in the conductor near the outer wall of the waveguide.

【0032】第1空洞部3A,3Bはl1の長さ(電気
長ではθ1)であり、それぞれ特性インピーダンスはZ
1で表される。第2空洞部4Bもl1の長さ(電気長で
はθ2)、他の第2空洞部4Aもほぼl1の電気長をも
ち、特性インピーダンスはZ2で表される。第2空洞部
4A,4Bの始端から終端方向を見たインピーダンスZ
BはjZ2tanθ2、第1空洞部3A,3Bの始端から終
端方向を見たインピーダンスZAはjZ1{(Z2tanθ
2+Z1tanθ1)/(Z1−Z2tanθ2・tanθ
1)}で表されること、第2空洞部4A,4Bの端部は
約0Ω、電気長θ2,θ1が約90゜であること、特性
インピーダンス比Z2/Z1が約“2”以上であること
は、第2実施形態の場合と同様である。
The first cavities 3A and 3B have a length of 11 (electrical length is θ1), and their characteristic impedances are Z.
It is represented by 1. The second cavity 4B also has a length of 11 (electrical length θ2), the other second cavity 4A also has an electric length of approximately 11 and the characteristic impedance is represented by Z2. Impedance Z as viewed from the beginning to the end of the second cavities 4A, 4B
B is jZ2tanθ2, and the impedance ZA as viewed from the beginning to the end of the first cavities 3A and 3B is jZ1 {(Z2tanθ).
2 + Z1 tan θ1) / (Z1−Z2 tan θ2 · tan θ)
1) The end portions of the second hollow portions 4A and 4B are approximately 0Ω, the electrical lengths θ2 and θ1 are approximately 90 °, and the characteristic impedance ratio Z2 / Z1 is approximately “2” or more. This is the same as in the second embodiment.

【0033】このような構造の調整機構40では、第1
空洞部3A,3BでのインピーダンスZAは、限りなく
0Ωに近くなり、第2空洞部4A,4Bでのインピーダ
ンスZBは、それぞれほぼ無限大となる。従って、第2
実施形態の調整機構20と同様の効果が得られ、さら
に、このように第1空洞部3A,3B、第2空洞部4
A,4Bを2組設けることで、その効果がより顕著にな
る。
In the adjusting mechanism 40 having such a structure, the first
The impedance ZA in the cavities 3A and 3B is as close to 0Ω as possible, and the impedance ZB in the second cavities 4A and 4B is almost infinite. Therefore, the second
The same effect as that of the adjusting mechanism 20 of the embodiment can be obtained, and further, as described above, the first hollow portions 3A and 3B and the second hollow portion 4
By providing two sets of A and 4B, the effect becomes more remarkable.

【0034】各空洞部3A,3B,4A,4Bを形成す
るための加工の便宜を図るため、二つの導波管要素1
A,1Bを接合して一つの導波管1を構成する場合は、
各々の導波管要素1A,1Bに空洞部用の空間を形成
し、接合部位を第2空洞部4Bの終端とする。このよう
にすることで、電流の流れが一部遮断されることによる
無負荷Qoへの影響を緩和できるようになる。
In order to facilitate the processing for forming the cavities 3A, 3B, 4A, 4B, two waveguide elements 1
When A and 1B are joined to form one waveguide 1,
A space for the cavity is formed in each of the waveguide elements 1A and 1B, and the joint is defined as the end of the second cavity 4B. By doing so, the influence on the no-load Qo due to the partial interruption of the current flow can be reduced.

【0035】なお、この実施形態では、第1及び第2空
洞部の組を2組形成した場合の例であるが、同様の原理
で2組以上形成したものも本発明の範囲である。
Although this embodiment is an example in which two sets of the first and second cavities are formed, two or more sets formed by the same principle are also within the scope of the present invention.

【0036】(第5実施形態)図5は、第5実施形態に
よる調整機構50の断面構造図であり、第2実施形態の
調整機構20の構成の一部を変形させたものである。第
2実施形態の調整機構20と異なるのは、ネジ55の端
部553を導波管要素1Aの狭面方向からトガリネジ5
51などで固定できるようにした点である。参照符号5
52はトガリネジ551のネジ溝である。
(Fifth Embodiment) FIG. 5 is a sectional structural view of an adjusting mechanism 50 according to a fifth embodiment, in which a part of the configuration of the adjusting mechanism 20 of the second embodiment is modified. The difference from the adjusting mechanism 20 of the second embodiment is that the end portion 553 of the screw 55 is set in the direction of the narrow surface of the waveguide element 1A.
This is a point which can be fixed at 51 or the like. Reference numeral 5
Reference numeral 52 denotes a thread groove of the set screw 551.

【0037】調整時には、トガリネジ551を緩めてネ
ジ55の端部553の位置を調整し、位置が決まった場
合は、トガリネジ551を締め付ける。第1空洞部3の
特性インピーダンスZ1、第2空洞部4の特性インピー
ダンスZ2、作用等については、第2実施形態の導波管
型バンドパスフィルタ20と同様である。この実施形態
による調整機構50は、フィルタとしての段数が少ない
場合等に特に有効な機構となる。
At the time of adjustment, the torsion screw 551 is loosened to adjust the position of the end portion 553 of the screw 55, and when the position is determined, the torsion screw 551 is tightened. The characteristic impedance Z1 of the first cavity 3 and the characteristic impedance Z2 of the second cavity 4 are similar to those of the waveguide bandpass filter 20 of the second embodiment. The adjustment mechanism 50 according to this embodiment is particularly effective when the number of stages as a filter is small.

【0038】(第6実施形態)図8は、第2実施形態の
調整機構20において、ネジの端部導体部分522の表
面のうち第1空洞部3と接触する部分に誘電体膜523
を形成した調整機構60の断面構造図である。また、図
9は、第3実施形態の調整機構30において、端部導体
部分533の表面のうち第1空洞部32及び第2空洞部
42と接触する部分に誘電体膜534を形成した調整機
構70の断面構造図である。誘電体膜523,534に
は、例えば、比誘電率εrが2.3程度のテフロンを用
いることができる。
(Sixth Embodiment) FIG. 8 shows that in the adjusting mechanism 20 of the second embodiment, a dielectric film 523 is provided on a portion of the surface of the end portion 522 of the screw which comes into contact with the first hollow portion 3.
FIG. 4 is a sectional structural view of an adjustment mechanism 60 in which is formed. FIG. 9 shows an adjustment mechanism in which a dielectric film 534 is formed on a part of the surface of the end conductor portion 533 that contacts the first cavity 32 and the second cavity 42 in the adjustment mechanism 30 of the third embodiment. 70 is a sectional structural view of FIG. For the dielectric films 523 and 534, for example, Teflon having a relative dielectric constant εr of about 2.3 can be used.

【0039】誘電体膜523,534を図示のように形
成することにより、端部導体部分522,533と導波
管壁との接触を確実に防止できるほか、第1空洞部3,
32における特性インピーダンスZ1を更に小さくする
ことができ、本発明の効果をより顕著にすることができ
る。
By forming the dielectric films 523 and 534 as shown, the end conductor portions 522 and 533 can be reliably prevented from contacting the waveguide wall, and the first hollow portions 3 and 534 can be prevented.
32, the characteristic impedance Z1 can be further reduced, and the effect of the present invention can be made more remarkable.

【0040】以下、このことを具体的に説明する。例え
ば、図9の例において、誘電体膜534を形成しない場
合の第1空洞部32の特性インピーダンスZ1は、60
・ln(φb/φa)で表される。但し、φaは端部導
体部分533の直径、φbは空間部の内径(第2空洞部
42の内径)である。これに対し、比誘電率εrが2.
3のテフロンを形成した場合の特性インピーダンスZ
1’は、60・ln(φb/φa)/√(εr)(Ω)
となり、Z1よりも小さくなる。
Hereinafter, this will be described in detail. For example, in the example of FIG. 9, when the dielectric film 534 is not formed, the characteristic impedance Z1 of the first cavity 32 is 60
· It is expressed by ln (φb / φa). Here, φa is the diameter of the end conductor portion 533, and φb is the inner diameter of the space (the inner diameter of the second hollow portion 42). On the other hand, the relative permittivity εr is 2.
Characteristic impedance Z when 3 Teflon is formed
1 ′ is 60 · ln (φb / φa) / √ (εr) (Ω)
And becomes smaller than Z1.

【0041】なお、誘電体膜534を形成すると、高次
モード遮断周波数fcが下がるので、端部導体部分53
3の外径φa、空間部の内径φbをある程度細くする必
要がある。例えば図9の例において、誘電体膜534を
形成しない場合の高次モード遮断周波数fc(GHz)
は、190.8/(φa+φb)で表される。φaが1
mm、φbが1.2mmの場合の高次モード遮断周波数
fcは約86(GHz)であるが、比誘電率εrが2.
3のテフロンを形成した場合の高次モード遮断周波数f
c’は、190.8/((φa+φb)・√(εr))
となり、高次モード遮断周波数fc’は、約57(GH
z)に下がる。約83(GHz)の高次モード遮断周波数
fc''を得るためにはφaを0.6mm、φbを0.9
mmとし、約104(GHz)の高次モード遮断周波数
fc''を得るためにはφaを0.5mm、φbを0.7
mmとする必要がある。
When the dielectric film 534 is formed, the higher-order mode cutoff frequency fc is lowered, so that the end conductor portion 53
It is necessary to reduce the outer diameter φa and the inner diameter φb of the space to some extent. For example, in the example of FIG. 9, the higher mode cutoff frequency fc (GHz) when the dielectric film 534 is not formed.
Is represented by 190.8 / (φa + φb). φa is 1
mm and φb are 1.2 mm, the high-order mode cutoff frequency fc is about 86 (GHz), but the relative dielectric constant εr is 2.
High-order mode cutoff frequency f when Teflon No. 3 is formed
c ′ is 190.8 / ((φa + φb) · √ (εr))
And the higher-order mode cutoff frequency fc ′ is about 57 (GH
z). To obtain a higher-order mode cutoff frequency fc ″ of about 83 (GHz), φa is set to 0.6 mm and φb is set to 0.9.
mm, φa is 0.5 mm and φb is 0.7 mm in order to obtain a higher-order mode cutoff frequency fc ″ of about 104 (GHz).
mm.

【0042】(全体構造)次に、上述の各実施形態の調
整機構10〜70を有する導波管型バンドパスフィルタ
の全体構造の例を説明する。導波管型バンドパスフィル
タは、種々の構造のものに適用することが可能である。
図10は、その一例を示した分解斜視図である。図示の
例では、フランジ半面と一体に形成された一対の導波管
要素1C、1Dを接合して導波管バンドパスフィルタを
構成している。いずれか一方又は双方の導波管要素1
C,1Dの内部の狭面側には、管軸方向に複数のサセプ
タンス素子2をザグリ加工によって形成し、さらに、導
波管要素1C,1Dの内部の広面側には、電気的特性調
整用の複数のネジ51a,51bを挿入するためのネジ
溝511a,511bを形成している。組立時には、導
波管要素1C,1Dを左右外側から補強板SC,SDで
抑え、ネジ止めする。これにより、それぞれサセプタン
ス素子2で区切られた管内空間に複数の共振器とネジ5
1a,51bを含む調整機構とが形成される。なお、ネ
ジ51a,51bは、それぞれ共振周波数調整用のもの
と、VSWR等の調整用のものである。
(Overall Structure) Next, an example of the overall structure of a waveguide band-pass filter having the adjusting mechanisms 10 to 70 of the above embodiments will be described. The waveguide band-pass filter can be applied to various structures.
FIG. 10 is an exploded perspective view showing one example. In the illustrated example, a pair of waveguide elements 1C and 1D formed integrally with the half surface of the flange are joined to form a waveguide bandpass filter. Either or both waveguide elements 1
A plurality of susceptance elements 2 are formed in the tube axis direction on the narrow surface side inside C and 1D by counterbore processing. Further, on the wide surface side inside the waveguide elements 1C and 1D, there are electric characteristics adjusting devices. Screw grooves 511a and 511b for inserting the plurality of screws 51a and 51b. At the time of assembling, the waveguide elements 1C and 1D are held down from the left and right outer sides by the reinforcing plates SC and SD and screwed. As a result, a plurality of resonators and screws 5 are provided in the tube space separated by the susceptance element 2 respectively.
An adjustment mechanism including 1a and 51b is formed. The screws 51a and 51b are for adjusting the resonance frequency and for adjusting the VSWR and the like, respectively.

【0043】このような構造の導波管型バンドパスフィ
ルタでは、導波管要素1C,1Dの寸法精度を一定以上
に維持することができ、特性ばらつきが少なく、しかも
所定のサセプタンス量を得やすくなるので、電気的特性
の調整が楽な導波管型バンドパスフィルタが得られる。
また、図示のような構造にすることで、接合面での電流
を切る量が非常に少なくなるので、無負荷Qoの低下が
抑制される。実測によれば、挿入損失、振幅偏差等が、
単に導波管要素を接合した従来型のものよりも少なくと
も約20%向上することが確認されている。図16は、
この導波管型バンドパスフィルタによる電気的特性の実
測図であり、同一条件で実測した従来の導波管型バンド
パスフィルタの電気的特性(図17)に比べて、異常吸
収現象や異常共振現象が無くなっている。
In the waveguide type bandpass filter having such a structure, the dimensional accuracy of the waveguide elements 1C and 1D can be maintained at a certain level or more, the characteristic variation is small, and a predetermined susceptance amount can be easily obtained. As a result, a waveguide-type bandpass filter whose electric characteristics can be easily adjusted can be obtained.
In addition, by adopting the structure as shown in the figure, the amount of cutting off the current at the joint surface becomes very small, so that the reduction of the no-load Qo is suppressed. According to actual measurements, insertion loss, amplitude deviation, etc.
It has been found that the improvement is at least about 20% over that of the conventional type in which the waveguide elements are simply joined. FIG.
FIG. 17 is a graph showing actual measurements of electrical characteristics of the waveguide bandpass filter. Compared to the electrical characteristics of a conventional waveguide bandpass filter measured under the same conditions (FIG. 17), abnormal absorption phenomena and abnormal resonance occur. The phenomenon is gone.

【0044】図11は、一対の導波管要素を補強板で抑
えて接合する場合に、フランジ部分を含まずに共振器本
体のみが接合されるようにした導波管型バンドパスフィ
ルタの構造を示した図であり、(a)は上面図、(b)
は側面図、(c)は背面図、(d),(e)は側面図で
ある。参照符号1E,1Fは導波管要素、SC1,SD
1は補強板、SC2は補強板押さえネジ、SC3は導波
管押さえネジである。
FIG. 11 shows a structure of a waveguide type bandpass filter in which only a resonator body is joined without including a flange portion when joining a pair of waveguide elements with a reinforcing plate. (A) is a top view, (b)
Is a side view, (c) is a rear view, and (d) and (e) are side views. Reference numerals 1E, 1F are waveguide elements, SC1, SD
Reference numeral 1 denotes a reinforcing plate, SC2 denotes a reinforcing plate holding screw, and SC3 denotes a waveguide holding screw.

【0045】図示の導波管型バンドパスフィルタは、一
方の導波管要素1EにフランジF1,F2を一体に形成
し、他方の導波管要素1Fには共振器の構成要素のみを
形成するとともに、これらを補強板SC1,SD1で外
部方向から押さえて構成される。一方の導波管要素1E
にフランジF1、他方の導波管要素1FにフランジF2
をそれぞれ一体に形成し、これらを接合及び押さえつけ
るようにしてもよい。
In the illustrated waveguide band-pass filter, flanges F1 and F2 are integrally formed on one waveguide element 1E, and only a resonator component is formed on the other waveguide element 1F. At the same time, these are configured to be pressed from outside by the reinforcing plates SC1 and SD1. One waveguide element 1E
F1 to the other waveguide element 1F
May be formed integrally, and these may be joined and pressed.

【0046】このような構造の導波管バンドパスフィル
タでは、フランジF1,F2のタップ強度を高めること
ができる。実測によれば、約1000G程度の衝撃に充
分耐えられることが判明している。また、熱衝撃サイク
ル、振動試験にも充分な耐性が得られるようになる。
In the waveguide bandpass filter having such a structure, the tap strength of the flanges F1 and F2 can be increased. According to actual measurements, it has been found that it can sufficiently withstand an impact of about 1000 G. Also, sufficient resistance to thermal shock cycle and vibration test can be obtained.

【0047】本発明は、以上のとおりであるが、同様の
原理で、バンドパスフィルタ以外の導波管型フィルタ、
例えばローパスフィルタやハイパスフィルタにも同様に
本発明を適用することができる。また、ミリ波帯以外の
周波数帯でも同様に本発明を適用できるものである。な
お、フィルタの段数については、図10では、3段のフ
ィルタの例を示し、図11では、8段のフィルタの例を
示したが、本発明を実施するうえで、これらの段数は任
意であってよいものである。
The present invention is as described above, but based on the same principle, a waveguide type filter other than a band-pass filter,
For example, the present invention can be similarly applied to a low-pass filter and a high-pass filter. The present invention can be similarly applied to frequency bands other than the millimeter wave band. As for the number of filter stages, FIG. 10 shows an example of a three-stage filter, and FIG. 11 shows an example of an eight-stage filter. It is a good thing.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、調整時の電気的特性が安定化するという特有
の効果がある。従って、熟練者でなくとも電気的特性の
調整が容易となり、VSWRが良好で挿入損失も小さく
なり、異常吸収現象や異常共振現象もなくなるので、製
品としての価値を高めることができる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, there is a specific effect that the electrical characteristics at the time of adjustment are stabilized. Therefore, the electric characteristics can be easily adjusted even by non-experts, the VSWR is good, the insertion loss is small, and the abnormal absorption phenomenon and the abnormal resonance phenomenon are eliminated, so that the value as a product can be enhanced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1実施形態に係る導波管型バンドパスフィル
タの調整機構の断面構造図。
FIG. 1 is a sectional structural view of an adjustment mechanism of a waveguide band-pass filter according to a first embodiment.

【図2】第2実施形態に係る導波管型バンドパスフィル
タの調整機構の断面構造図。
FIG. 2 is a sectional structural view of an adjustment mechanism of a waveguide band-pass filter according to a second embodiment.

【図3】第3実施形態に係る導波管型バンドパスフィル
タの調整機構の断面構造図。
FIG. 3 is a sectional structural view of an adjustment mechanism of a waveguide band-pass filter according to a third embodiment.

【図4】第4実施形態に係る導波管型バンドパスフィル
タの調整機構の断面構造図。
FIG. 4 is a sectional structural view of an adjustment mechanism of a waveguide band-pass filter according to a fourth embodiment.

【図5】第5実施形態に係る導波管型バンドパスフィル
タの調整機構の断面構造図。
FIG. 5 is a sectional structural view of an adjustment mechanism of a waveguide band-pass filter according to a fifth embodiment.

【図6】(a)は調整機構の部分拡大図、(b)はその
等価回路。
6A is a partially enlarged view of an adjusting mechanism, and FIG. 6B is an equivalent circuit thereof.

【図7】(a)は他の調整機構の部分拡大図、(b)は
その等価回路。
7A is a partially enlarged view of another adjustment mechanism, and FIG. 7B is an equivalent circuit thereof.

【図8】第6実施形態に係る導波管型バンドパスフィル
タの調整機構の断面構造図。
FIG. 8 is a sectional structural view of an adjustment mechanism of a waveguide band-pass filter according to a sixth embodiment.

【図9】第6実施形態に係る他の導波管型バンドパスフ
ィルタの調整機構の断面構造図。
FIG. 9 is a sectional structural view of an adjustment mechanism of another waveguide-type bandpass filter according to the sixth embodiment.

【図10】本発明を適用した導波管型バンドパスフィル
タの分解斜視図。
FIG. 10 is an exploded perspective view of a waveguide bandpass filter to which the present invention is applied.

【図11】(a)〜(e)は補強板を用いた他の導波管
型バンドパスフィルタの外観図。
FIGS. 11A to 11E are external views of another waveguide type bandpass filter using a reinforcing plate.

【図12】従来の導波管型バンドパスフィルタの調整機
構の断面構造図。
FIG. 12 is a sectional structural view of an adjustment mechanism of a conventional waveguide band-pass filter.

【図13】従来の導波管型バンドパスフィルタの他の調
整機構の断面構造図。
FIG. 13 is a sectional structural view of another adjusting mechanism of the conventional waveguide band-pass filter.

【図14】従来の導波管型バンドパスフィルタの分解斜
視図。
FIG. 14 is an exploded perspective view of a conventional waveguide band-pass filter.

【図15】共振器におけるTE101モード時の電流の
流れを示した説明図。
FIG. 15 is an explanatory diagram showing a current flow in the TE101 mode in the resonator.

【図16】本発明を適用した導波管型バンドパスフィル
タによる電気的特性の実測図。
FIG. 16 is an actual measurement diagram of electrical characteristics of a waveguide band-pass filter to which the present invention is applied.

【図17】従来の導波管型バンドパスフィルタによる電
気的特性の実測図。
FIG. 17 is an actual measurement diagram of electrical characteristics of a conventional waveguide band-pass filter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 導波管 1A,1B,1C,1D,1E,1F 導波管要素 2 サセプタンス素子(窓) 3、3A,3B、31,32 第1空洞部 4、4A,4B、41,42 第2空洞部 51,51a,51b,52,53,54,55,85,95 調整用のネジ (可動
導体) 6 ナット 7 管内空間 10,20,30,40,50,60,70,80,90 調整機構 523,534 誘電体膜 SC,SD,SC1,SD1 補強板 F1,F2 フランジ
REFERENCE SIGNS LIST 1 waveguide 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F waveguide element 2 susceptance element (window) 3, 3A, 3B, 31, 32 first cavity 4, 4A, 4B, 41, 42 second cavity Part 51,51a, 51b, 52,53,54,55,85,95 Adjustment screw (movable conductor) 6 Nut 7 Tube space 10,20,30,40,50,60,70,80,90 Adjustment mechanism 523,534 Dielectric film SC, SD, SC1, SD1 Reinforcement plate F1, F2 Flange

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01P 1/207 H01P 7/06 H01P 5/04 H01P 3/12 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01P 1/207 H01P 7/06 H01P 5/04 H01P 3/12

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 導波管の電気的特性の調整を行う調整機
構を有し、該調整機構は前記導波管の特定部位の内壁面
と外壁面とを結ぶ軸線方向に変位しその先端部が前記内
壁面から管内空間に露出する可動導体を含んで成る導波
管型フィルタであって、 前記可動導体の側面部と前記導波管の管壁との間に、そ
れぞれ前記内壁面から外壁面の方向に始終端をもつ第1
空洞部及び第2空洞部が形成されており、 前記第1空洞部はその始端において短絡状態をなし、該
第1空洞部の終端を始端とする前記第2空洞部はその始
端において開放状態をなし、 同一径の筒状空間に、部位によってその径が段階的に異
なる前記可動導体が挿入されており、前記筒状空間の径
と前記可動導体の径との差分により前記第1空洞部及び
第2空洞部が形成されることを特徴とする、 導波管型フィルタ。
An adjusting mechanism for adjusting electrical characteristics of a waveguide, the adjusting mechanism being displaced in an axial direction connecting an inner wall surface and an outer wall surface of a specific portion of the waveguide, and having a tip portion thereof. Is a waveguide-type filter comprising a movable conductor exposed from the inner wall surface to the space in the tube, wherein between the side surface portion of the movable conductor and the tube wall of the waveguide, First with start and end in the direction of the wall
A cavity portion and a second cavity portion are formed, wherein the first cavity portion is in a short-circuit state at a start end thereof, and the second cavity portion having a start end of the first cavity portion is in an open state at a start end thereof. None, In the cylindrical space of the same diameter, the movable conductor whose diameter varies stepwise according to the part is inserted, and the first cavity portion and the movable member are determined by the difference between the diameter of the cylindrical space and the diameter of the movable conductor. A waveguide type filter, wherein a second cavity is formed.
【請求項2】 前記第1空洞部の始終端間及び第2空洞
部の始終端間がそれぞれ中心周波数の自由空間波長のn
/4(nは奇数の自然数)の長さであり、且つ、前記第
2空洞部の始端から終端方向をみたインピーダンスが、
前記第1空洞部の始端から終端方向をみたインピーダン
スよりも大きいことを特徴とする、 請求項1記載の導波管型フィルタ。
2. A free space wavelength having a center frequency of n between a start end of the first cavity and a start end of the second cavity.
/ 4 (n is an odd natural number) and the impedance of the second cavity from the beginning to the end is:
Characterized in that said from the beginning of the first cavity greater than the impedance seen an end direction, claim 1 Symbol placement waveguide type filter.
【請求項3】 少なくとも前記可動導体と前記第1及び
第2空洞部との接触面に誘電体膜が形成されていること
を特徴とする、 請求項記載の導波管型フィルタ。
3. The waveguide filter according to claim 2 , wherein a dielectric film is formed at least on a contact surface between said movable conductor and said first and second cavities.
【請求項4】 前記第1空洞部と第2空洞部との組が前
記内壁面から外壁面方向に2組以上連続して形成され、
最初の組の前記第1空洞部が前記内壁面を始端とするこ
とを特徴とする、 請求項記載の導波管型フィルタ。
4. A combination of the first cavity portion and the second cavity portion is formed continuously from the inner wall surface toward the outer wall surface in two or more sets.
The waveguide type filter according to claim 2 , wherein the first set of the first hollow portions starts from the inner wall surface.
【請求項5】 個々の調整対象部位に複数の前記調整機
構が設けられ、少なくとも一つの調整機構の前記可動導
体の先端部が前記導波管内の電界最大位置を指向するこ
とを特徴とする、 請求項1乃至のいずれかの項記載の導波管型フィル
タ。
5. A plurality of said adjusting machines for each adjustment target part
The waveguide according to any one of claims 1 to 4 , wherein a structure is provided , and a tip of the movable conductor of at least one adjustment mechanism is directed to a maximum electric field position in the waveguide. Type filter.
【請求項6】 個々の調整対象部位に複数の前記調整機
構が設けられ、少なくとも一つの調整機構の前記可動導
体の先端部が、前記導波管内の電界最小位置を指向し且
つサセプタンス素子と並設されていることを特徴とす
る、 請求項1乃至のいずれかの項記載の導波管型フィル
タ。
6. A plurality of adjusting machines are provided for each adjustment target portion.
Configuration is provided, the tip portion of the movable conductor at least one adjustment mechanism, characterized in that it is directed to and susceptance elements juxtaposed an electric field minimum position of the waveguide, according to claim 1 to 4 13. The waveguide type filter according to any one of the above items.
【請求項7】 前記導波管は前記第1空洞部の形成部位
で一対の導波管要素を接合したものであり、各導波管要
素の対向端の少なくとも一方の狭面側の所定位置に前記
サセプタンス素子が存在し、前記可動導体は前記導波管
内への挿入量によって前記サセプタンス素子によって形
成されるサセプタンスを弱めるものであることを特徴と
する、 請求項記載の導波管型フィルタ。
7. The waveguide is formed by joining a pair of waveguide elements at a position where the first cavity is formed, and a predetermined position on at least one narrow surface side of the opposing ends of each waveguide element. 7. The waveguide type filter according to claim 6 , wherein the susceptance element is provided, and the movable conductor weakens a susceptance formed by the susceptance element by an insertion amount into the waveguide. .
【請求項8】 前記各導波管要素の対向端に支持板が介
在し、前記各導波管要素が前記支持板によって挟持され
ていることを特徴とする、 請求項記載の導波管型フィルタ。
8. A support plate interposed the opposite ends of each waveguide element, characterized in that said each waveguide element is sandwiched by the support plate, the waveguide according to claim 7, wherein Type filter.
【請求項9】 前記導波管が内部に共振器、端部にフラ
ンジが形成されたものである場合、各導波管要素は、前
記共振器の部分で接合されるものであることを特徴とす
る、 請求項記載の導波管型フィルタ。
9. When the waveguide has a resonator formed inside and a flange formed at an end, each waveguide element is joined at a portion of the resonator. The waveguide type filter according to claim 7, wherein
【請求項10】 ミリ波帯のバンドパスフィルタとして
機能する、 請求項1乃至のいずれかの項記載の導波管型フィル
タ。
10. A functions as a band-pass filter in the millimeter wave band, according to claim 1 to 9 or a waveguide filter according section.
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