JP3018211B2 - Lead frame - Google Patents
Lead frameInfo
- Publication number
- JP3018211B2 JP3018211B2 JP4033637A JP3363792A JP3018211B2 JP 3018211 B2 JP3018211 B2 JP 3018211B2 JP 4033637 A JP4033637 A JP 4033637A JP 3363792 A JP3363792 A JP 3363792A JP 3018211 B2 JP3018211 B2 JP 3018211B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die pad
- lead frame
- support bar
- semiconductor chip
- extension
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームに係
り、特に、ダイパッドの構造に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame, and more particularly, to a structure of a die pad.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置においては
高集積化に伴いチップサイズが大型化しており、この結
果パッケージ寸法に対するパッドサイズの占有面積が大
きくなってきている。このため、パッケージを構成する
モールド樹脂（封止樹脂）と、ダイパッドとの密着性の
低下が問題となっている。2. Description of the Related Art In semiconductor devices such as ICs and LSIs, the chip size is increasing with the increase in the degree of integration, and as a result, the area occupied by the pad size with respect to the package size is increasing. For this reason, there is a problem that the adhesion between the mold resin (sealing resin) constituting the package and the die pad is reduced.
【０００３】そこで、ダイパッドがモールド樹脂と接触
するダイパッドの裏面、すなわち、半導体チップ非搭載
面に凹部を設け、モールド樹脂とダイパッドとの密着性
を高める方法が提案されている。Therefore, a method has been proposed in which a concave portion is provided on the back surface of the die pad where the die pad comes into contact with the mold resin, that is, on the surface on which the semiconductor chip is not mounted, to improve the adhesion between the mold resin and the die pad.
【０００４】ところで、通常、リードフレーム１は、図
４に示す如く、半導体集積回路チップ( 以下、半導体チ
ップ) ２を搭載するダイパッド１１と、ダイパッド１１
を取り囲むように配設されてた複数のインナーリード１
２と、インナーリード１２を一体的に連結するタイバー
１３と、各インナーリード１２に連結されたタイバー１
３の外側に伸張するアウターリード１４と、タイバー１
３を両サイドから支持するサイドバー１５、１６と、ダ
イパッド１１を支持するサポートバー１７とから構成さ
れている。Generally, as shown in FIG. 4, a lead frame 1 includes a die pad 11 on which a semiconductor integrated circuit chip (hereinafter, referred to as a semiconductor chip) 2 is mounted, and a die pad 11.
Inner leads 1 arranged so as to surround the
2, tie bars 13 integrally connecting the inner leads 12, and tie bars 1 connected to the respective inner leads 12.
3 and an outer lead 14 extending outside the tie bar 1
3 comprises side bars 15 and 16 for supporting the die 3 from both sides, and a support bar 17 for supporting the die pad 11.
【０００５】このうち、ダイパッド１１には、半導体チ
ップ非搭載面の面全体に、ディンプル加工によって、凹
部ｈ、即ちディンプルが多数形成されている。The die pad 11 has a large number of concave portions h, that is, a large number of dimples, formed by dimple processing on the entire surface on which the semiconductor chip is not mounted.
【０００６】このような従来のリードフレームを用いて
実装される半導体装置は、図５に示す如くであり、リー
ドフレーム１のダイパッド１１上に半導体チップ２を搭
載し、該半導体チップ２のボンディングパッドとリード
フレームのインナーリード１２とを金線あるいはアルミ
線のボンディングワイヤ３によって結線し、更にこれら
をモールド樹脂４で封止した後、タイバー１３やサイド
バー１５、１６を切断し、アウターリード１４を所望の
形状に折り曲げて完成される。A semiconductor device mounted using such a conventional lead frame is as shown in FIG. 5, in which a semiconductor chip 2 is mounted on a die pad 11 of a lead frame 1 and a bonding pad of the semiconductor chip 2 is mounted. And the inner lead 12 of the lead frame are connected by a bonding wire 3 of a gold wire or an aluminum wire, and these are further sealed with a mold resin 4, and then the tie bar 13 and the side bars 15 and 16 are cut, and the outer lead 14 is cut. It is completed by bending it into a desired shape.
【０００７】このように、ダイパッド１１の半導体チッ
プ非搭載面の面全体に、ディンプルからなる凹部ｈを形
成すると、モールド樹脂４がこの凹部ｈの中に充填さ
れ、モールド樹脂４とダイパッド１１との接触面積が、
凹部ｈを形成しない場合に比し増大するので、これによ
り、ダイパッド１１とモールド樹脂４との密着性は向上
する。As described above, when the concave portion h composed of dimples is formed on the entire surface of the die pad 11 on which the semiconductor chip is not mounted, the mold resin 4 is filled in the concave portion h, and the mold resin 4 and the die pad 11 The contact area is
Since this increases compared to the case where the concave portion h is not formed, the adhesion between the die pad 11 and the mold resin 4 is improved.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たようにスタンピングによってリードフレームの形状加
工を行う場合に、ダイパッド１１の半導体チップ非搭載
面の全面にディンプルからなる凹部ｈを加工形成する
と、ダイパッド１１に伸びが生じ、この伸びによってサ
ポートバー１７が押されて変形し、このためダイパッド
１１の水平位置が変位して、当該ダイパッド１１に搭載
する半導体チップ２の搭載位置がずれ、半導体チップ２
のボンディングパッドとリードフレームのインナーリー
ド１２との間の結線を正確に行うことができず、リード
フレームの信頼性が低下する難点があった。However, when the lead frame is shaped by stamping as described above, if the concave portion h made of dimples is formed on the entire surface of the die pad 11 on which the semiconductor chip is not mounted, the die pad 11 The support bar 17 is pushed and deformed by the elongation, so that the horizontal position of the die pad 11 is displaced, and the mounting position of the semiconductor chip 2 mounted on the die pad 11 shifts, and the semiconductor chip 2
However, the connection between the bonding pad and the inner lead 12 of the lead frame cannot be accurately performed, and the reliability of the lead frame is reduced.
【０００９】この問題を解決するため、ディンプルから
なる凹部ｈの形成を、エッチングによって行う等の方法
も提案されているが、工程が複雑となり、製造コストの
高騰を招く結果となり、実用的でないという問題があ
る。In order to solve this problem, there has been proposed a method of forming the concave portion h composed of dimples by etching or the like, but the process becomes complicated, resulting in an increase in manufacturing cost, which is not practical. There's a problem.
【００１０】この発明は、上述した事情に鑑みてなされ
たもので、高密度化に際し、ダイパッドと封止樹脂との
密着性が高く、信頼性の高いリードフレームを提供する
ことを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a highly reliable lead frame having high adhesion between a die pad and a sealing resin when the density is increased.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、この発明の第１のリードフレームでは、２本のサ
イドレールと、前記サイドレールにそれぞれサポートバ
ーを介して取り付けられ、半導体チップを搭載するダイ
パッドと、前記ダイパッドを取り囲むように形成された
複数のリードとを具備したリードフレームにおいて、前
記ダイパッドのサポートバー延長線上に位置する領域
に、ディンプル等の機械加工処理を施さず、前記ダイパ
ッドの前記サポートバー延長線上を除く領域であって、
前記半導体チップの非搭載面であるダイパッド封止用の
封止樹脂が接触する接触面に、複数のディンプルを形成
するようにしている。In order to solve the above-mentioned problems, in a first lead frame of the present invention, two side rails are attached to the side rails via support bars, respectively. In a lead frame including a die pad to be mounted and a plurality of leads formed so as to surround the die pad, a region located on a support bar extension of the die pad is not subjected to machining such as dimples, and the die pad Area except on the extension of the support bar,
A plurality of dimples are formed on a contact surface which is a non-mounting surface of the semiconductor chip and is in contact with a sealing resin for die pad sealing.
【００１２】また、この発明の第２のリードフレームで
は、２本のサイドレールと、前記サイドレールにそれぞ
れサポートバーを介して取り付けられ、半導体チップを
搭載するダイパッドと、前記ダイパッドを取り囲むよう
に形成された複数のリードとを具備したリードフレーム
において、前記ダイパッドのサポートバー延長線上に位
置する領域の少なくとも一部のみに貫通孔を形成すると
ともに、前記ダイパッドの前記サポートバー延長線上を
除く領域であって、前記半導体チップの非搭載面である
ダイパッド封止用の封止樹脂が接触する接触面に、複数
のディンプルを形成するようにしている。Further, in the second lead frame of the present invention, two side rails, a die pad mounted on each of the side rails via a support bar and mounting a semiconductor chip, and formed so as to surround the die pad. In the lead frame provided with the plurality of leads, a through hole is formed only in at least a part of a region located on the support bar extension of the die pad, and a region excluding the die pad on the support bar extension. Thus, a plurality of dimples are formed on a contact surface where the sealing resin for sealing the die pad, which is a non-mounting surface of the semiconductor chip, contacts.
【００１３】[0013]
【作用】上記第１のリードフレームによれば、ダイパッ
ドのサポートバー延長線上に位置する領域に、ディンプ
ル等の機械加工処理を施さず、ダイパッドのサポートバ
ー延長線上を除く領域の半導体チップ非搭載面であって
ダイパッドを封止する封止樹脂が接触する接触面に、複
数のディンプルを形成する機械加工処理を施すようにし
たから、モールド樹脂とダイパッドとの密着性を良好に
維持でき、かつスタンピングによってディンプルを形成
する機械加工処理を行っても、直接的にダイパッドのサ
ポートバー方向の伸びの発生を避けることができ、これ
によるダイパッドの水平位置のずれを可及的に防止し
て、半導体チップのボンディングパッドとリードフレー
ムのインナーリードとの間の結線を正確に行い、これに
より信頼性の高いリードフレームを提供することができ
る。According to the first lead frame, the area located on the extension of the support bar of the die pad is not subjected to machining such as dimples, and the semiconductor chip non-mounting surface in the area excluding the extension of the support bar of the die pad. Since the machining process for forming a plurality of dimples is performed on the contact surface where the sealing resin for sealing the die pad comes into contact, it is possible to maintain good adhesion between the mold resin and the die pad, and to perform stamping. Even when a machining process for forming dimples is performed, it is possible to directly avoid the occurrence of elongation of the die pad in the support bar direction, thereby preventing the horizontal displacement of the die pad as much as possible. The connection between the bonding pad of the lead frame and the inner lead of the lead frame is made accurately, thereby providing a reliable It is possible to provide a lead frame.
【００１４】また、本発明の第２のリードフレームによ
れば、ダイパッドのサポートバー延長線上に位置する領
域の少なくとも一部のみに貫通孔を形成するとともに、
ダイパッドのサポートバー延長線上を除く領域の半導体
チップ非搭載面であってダイパッドを封止する封止樹脂
が接触する接触面に、ディンプルを多数形成しているか
ら、モールド樹脂とダイパッドとの密着性を良好に維持
し、かつ、半導体チップ非搭載面にディンプル加工によ
る凹部を形成する場合であっても、ダイパッドの機械的
強度を可及的に維持するとともに、ダイパッドのサポー
トバー方向の伸びを貫通孔内で吸収し、残留歪もなく位
置ずれを生じたりすることもないので、そのため信頼性
の高いリードフレームを提供することができる。According to the second lead frame of the present invention, a through hole is formed in at least a part of a region of the die pad which is located on an extension of the support bar.
Since a large number of dimples are formed on the contact surface where the sealing resin that seals the die pad is in contact with the sealing resin that seals the die pad in the area other than the extension of the support bar of the die pad, the adhesion between the mold resin and the die pad In addition to maintaining the mechanical strength of the die pad as much as possible and penetrating the extension of the die pad in the direction of the support bar, even if a concave portion is formed by dimple processing on the surface on which the semiconductor chip is not mounted, Since it is absorbed in the hole and there is no residual distortion and no displacement, a highly reliable lead frame can be provided.
【００１５】望ましくは、上述した貫通孔は輪郭が波型
またはジグザグ形状をなすように構成したり、貫通孔の
断面に段差を設けることにより、さらに表面積を大きく
することができ、これにより、ダイパッドと封止樹脂と
の密着性を良好にすることが可能となる。Preferably, the above-mentioned through-hole is formed so as to have a wavy or zigzag contour or a step is provided in the cross-section of the through-hole, so that the surface area can be further increased. It is possible to improve the adhesion between the resin and the sealing resin.
【００１６】[0016]
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しつつ詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１７】この第１のリードフレームは、１ユニット
を示す図１（ａ）の平面図、図１（ｂ）の要部拡大図を
示すように、ダイパッド１１の半導体チップ非搭載面で
あって、サポートバー１７の延長線上を除く領域に、デ
ィンプルからなる凹部ｈが多数形成されている。また、
ダイパッドのサポートバー延長線上に位置する領域に
は、凹部や貫通孔等の機械加工処理は施されていない。As shown in the plan view of FIG. 1 (a) showing one unit and the enlarged view of the main part of FIG. 1 (b), the first lead frame is a surface of the die pad 11 on which the semiconductor chip is not mounted. A large number of concave portions h formed of dimples are formed in a region excluding the extension of the support bar 17. Also,
A region located on the support bar extension of the die pad is not subjected to machining processing such as a concave portion or a through hole.
【００１８】なお他の部分については、図３に示した従
来のリードフレームと同様に形成されている。The other parts are formed similarly to the conventional lead frame shown in FIG.
【００１９】すなわち、この第１のリ一ドフレームは、
半導体チップ２を搭載するダイパッド１１と、ダイパッ
ド１１を取り囲むように配設された複数のインナーリー
ド１２と、インナーリード１２を一体的に連結するタイ
バー１３と、各インナーリード１２に連結されたタイバ
ー１３の外側に伸長するアウターリード１４と、タイバ
ー１３を両サイドから支持するサイドバー１５、１６
と、ダイパッド１１を支持するサポートバー１７とから
構成されている。That is, the first read frame is:
A die pad 11 on which the semiconductor chip 2 is mounted; a plurality of inner leads 12 disposed so as to surround the die pad 11; tie bars 13 for integrally connecting the inner leads 12; Outer leads 14 extending to the outside of the side, and side bars 15 and 16 for supporting the tie bars 13 from both sides.
And a support bar 17 for supporting the die pad 11.
【００２０】次に、この第１のリードフレームの製造工
程について説明する。Next, a process of manufacturing the first lead frame will be described.
【００２１】まず、通常の方法で、帯状材料を順送り金
型に設置し、リード間領域の打ち抜きを行い、インナー
リード１２およびアウターリード１４の側縁をパターニ
ングする。First, a strip material is placed in a progressive die in a usual manner, a region between the leads is punched, and the side edges of the inner lead 12 and the outer lead 14 are patterned.
【００２２】続いて、インナーリード先端に連結片を残
して、インナーリード先端とダイパッドの間のキャビテ
ィ領域の打ち抜きを行う。Subsequently, the cavity area between the tip of the inner lead and the die pad is punched, leaving the connecting piece at the tip of the inner lead.
【００２３】そして、連結片を除去し、最後にスタンピ
ングによって半導体チップの非搭載面側のうち、サポー
トバーの延長線上を除く領域にディンプルである凹部ｈ
を多数形成する。Then, the connecting piece is removed, and finally, by a stamping, a concave portion h which is a dimple is formed on a non-mounting surface side of the semiconductor chip except an extension line of the support bar.
Are formed in large numbers.
【００２４】このようにして、ディンプルを形成するス
タンピング加工が完了すると、順送り金型から取り出
し、さらに必要に応じてメッキ工程等を経て、図１に示
したようなリードフレームが形成される。When the stamping process for forming dimples is completed in this way, the lead frame as shown in FIG. 1 is formed by taking it out of the progressive die and, if necessary, through a plating step or the like.
【００２５】このようにして形成された第１のリードフ
レームは、図５に示した従来の半導体装置と同様にリー
ドフレーム１のダイパッド１１上に、半導体チップ２を
搭載し、この半導体チップ２のボンディングパッドとリ
ードフレームのインナーリード１２とを金線あるいはア
ルミ線のボンディングワイヤ３によって結線し、更にこ
れらをモールド樹脂４で封止した後、タイバー１３やサ
イドバー１５、１６を切断し、アウターリード１４を所
望の形状に折り曲げて完成される。In the first lead frame thus formed, the semiconductor chip 2 is mounted on the die pad 11 of the lead frame 1 as in the conventional semiconductor device shown in FIG. The bonding pad and the inner lead 12 of the lead frame are connected by a bonding wire 3 of a gold wire or an aluminum wire, and these are sealed with a mold resin 4, and then the tie bar 13 and the side bars 15, 16 are cut to form an outer lead. 14 is bent into a desired shape and completed.
【００２６】その際、この第１のリードフレームでは、
ダイパッド１１のサポートバー延長線上に位置する領域
に、凹部や貫通孔等の機械加工処理が施されておらず、
またダイパッド１１のサポートバー延長線上を除く領域
であって、半導体チップ非搭載面に複数のディンプルを
形成するようしているから、モールド樹脂４で封止する
際に、ダイパッド１１とモールド樹脂４とが直接接触す
る接触面、即ち半導体チップ非搭載面の接触面積が大き
く確保され、これによりモールド樹脂４とダイパッド１
１との密着性を可及的に高く維持することができる。At this time, in this first lead frame,
The region located on the support bar extension of the die pad 11 is not subjected to machining processing such as a concave portion or a through hole,
Also, since a plurality of dimples are formed on the non-mounting surface of the semiconductor chip in a region excluding the extension line of the support bar of the die pad 11, when the die pad 11 is sealed with the mold resin 4, A large contact area of the contact surface with which the semiconductor chip directly contacts, that is, the contact surface on which the semiconductor chip is not mounted, is secured.
1 can be maintained as high as possible.
【００２７】また、ダイパッド１１のサポートバー延長
線上に位置する領域に凹部や貫通孔等の機械加工処理を
施さないようにしたから、サポートバー延長線上の領域
に凹部ｈを形成する際に生じていたダイパッド１１の水
平位置の変位を可及的に防止して、半導体チップ２のボ
ンディングパッドとリードフレームのインナーリード１
２との結線を正確に行い、これにより信頼性の高いリー
ドフレームを提供することができる。Further, since machining processing such as a concave portion and a through hole is not performed on a region of the die pad 11 located on the extended line of the support bar, this is caused when the concave portion h is formed in a region of the extended line of the support bar. The displacement of the horizontal position of the die pad 11 is prevented as much as possible, so that the bonding pads of the semiconductor chip 2 and the inner leads 1 of the lead frame are removed.
2 can be accurately connected, whereby a highly reliable lead frame can be provided.
【００２８】すなわち、第１のリードフレームでは、デ
ィンプルからなる凹部ｈを有していながら、サポートバ
ーの位置ずれがなく、寸法精度が高く維持され、そのた
め、樹脂封止に際し、ダイパッド１１とモールド樹脂
（封止樹脂）４との密着性が良好で、信頼性の高いリー
ドフレームを提供することができる。That is, although the first lead frame has the concave portion h formed of the dimple, there is no displacement of the support bar, and the dimensional accuracy is maintained at a high level. It is possible to provide a highly reliable lead frame which has good adhesion to the (sealing resin) 4.
【００２９】なお、この第１のリードフレームでは、上
述したようにダイパッド１１のサポートバー１７の延長
線上の領域には、凹部や貫通孔を形成する機械加工処理
を施さないから、その機械加工処理を行わない分、従来
に比し、製造工程が少なく、このためリードフレームの
製造コストを可及的に低くすることができる。In this first lead frame, as described above, the region on the extension of the support bar 17 of the die pad 11 is not subjected to the machining process for forming the concave portion and the through hole. Since the process is not performed, the number of manufacturing steps is smaller than that in the related art, so that the manufacturing cost of the lead frame can be reduced as much as possible.
【００３０】なお、この実施例では、順送り金型を用い
て、プレスを行ったが、1 つの金型で一度に全体の形状
を形成するようにしてもよい。In this embodiment, the pressing is performed using the progressive die, but the entire shape may be formed at once by one die.
【００３１】なお、成形順序については、上記実施例に
限定されることなく、適宜変更可能である。The molding order is not limited to the above embodiment, but can be changed as appropriate.
【００３２】次に、ダイパッドのサポートバーの延長線
上に貫通孔１０を形成した本願発明の第２のリードフレ
ームについて説明する。.この第２のリードフレームで
は、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、ダイパ
ッド１１のサポートバー延長線上に位置する領域の少な
くとも一部のみに、貫通孔１０を形成し、またダイパッ
ド１１のサポートバー延長線上を除く領域であって、半
導体チップ非搭載面側にディンプルからなる凹部ｈを多
数形成したものである。他の部分については、実施例１
で説明した第１のリードフレーム（図１）と、まったく
同様である。Next, a description will be given of a second lead frame of the present invention in which the through-hole 10 is formed on an extension of the support bar of the die pad. In the second lead frame, as shown in FIGS. 2A and 2B, a through-hole 10 is formed in at least a part of a region of the die pad 11 located on an extension of the support bar. Also, a large number of dimple recesses h are formed on the side of the die pad 11 other than the extension of the support bar and on the side where the semiconductor chip is not mounted. For other parts, the first embodiment
It is completely the same as the first lead frame (FIG. 1) described in (1).
【００３３】また、この第２のリードフレームは、その
製造に際し、ディンプル加工による凹部ｈの形成に先立
ち、貫通孔１０を形成するほかは、第１のリードフレー
ムと同様である。The second lead frame is the same as the first lead frame except that the second lead frame is formed with a through hole 10 prior to the formation of the concave portion h by dimple processing.
【００３４】このように、第２のリードフレームでは、
ダイパッド１１のサポートバー延長線上に位置する領域
の少なくとも一部のみに貫通孔１０を形成するととも
に、ダイパッド１１のサポートバー延長線上を除く領域
であって半導体チップ非搭載面側に、ディンプルからな
る凹部ｈを多数形成しているから、モールド樹脂４で封
止する際に、ダイパッド１１とモールド樹脂４とが直接
接触する接触面、即ち半導体チップ非搭載面の接触面積
が大きく確保され、これによりモールド樹脂４とダイパ
ッド１１との密着性を可及的に高く維持することができ
る。As described above, in the second lead frame,
A through-hole 10 is formed only in at least a part of a region of the die pad 11 on the support bar extension, and a dimple recess is formed in a region excluding the support bar extension of the die pad 11 on the semiconductor chip non-mounting surface side. Since a large number of h are formed, a large contact area between the die pad 11 and the mold resin 4, that is, the non-mounting surface of the semiconductor chip, is ensured when sealing with the mold resin 4. Adhesion between the resin 4 and the die pad 11 can be kept as high as possible.
【００３５】またダイパッド１１のサポートバーの延長
線上の少なくとも一部のみに貫通孔１０を形成すること
により、半導体チップ非搭載面にディンプル加工を行う
場合に発生するダイパッド１１のサポートバー方向への
伸びを、この貫通孔１０内で吸収することができ、ま
た、貫通孔１０をダイパッド１１のサポートバー延長線
上に位置する領域以外に形成しない分、ダイパッド１１
の機械的強度が可及的に高く維持できる。このため、ダ
イパッド１１の残留歪や、位置ずれを防止して、サポー
トバー方向の寸法精度の低下を可及的に防止し、半導体
チップ２のボンディングパッドとリードフレームのイン
ナーリード１２との結線を正確に行って、信頼性の高い
リードフレームを提供することができる。By forming the through holes 10 only in at least a part of the extension of the support bar of the die pad 11, the extension of the die pad 11 in the direction of the support bar, which occurs when dimple processing is performed on the surface on which the semiconductor chip is not mounted. Can be absorbed in the through-holes 10 and the through-holes 10 are not formed in areas other than the areas on the support bar extensions of the die pad 11.
Can maintain the mechanical strength as high as possible. For this reason, the residual distortion and displacement of the die pad 11 are prevented, the dimensional accuracy in the support bar direction is prevented from lowering as much as possible, and the connection between the bonding pad of the semiconductor chip 2 and the inner lead 12 of the lead frame is reduced. It can be performed accurately to provide a highly reliable lead frame.
【００３６】すなわち、この第２のリードフレームによ
れば、第１のリードフレームと同様、ディンプルからな
る凹部ｈを有していながら、サポートバーの位置ずれが
なく寸法精度が高く維持され、樹脂封止に際し、密着性
が良好で、信頼性の高いリードフレームを提供すること
ができる。That is, according to the second lead frame, like the first lead frame, while having the dimple recessed portion h, the support bar is not displaced and the dimensional accuracy is maintained at a high level. When stopping, it is possible to provide a highly reliable lead frame having good adhesion.
【００３７】なお、この貫通孔の形状および個数につい
ては、この実施例に限定されることなく、必要に応じて
適宜変更可能である。The shape and the number of the through holes are not limited to this embodiment, but can be changed as needed.
【００３８】なお、本発明の他の実施例として、図３
（ａ）乃至（ｃ）に示すように、４方向からサポートバ
ーが形成されているものにも適用可能である。As another embodiment of the present invention, FIG.
As shown in (a) to (c), the present invention is also applicable to those in which support bars are formed from four directions.
【００３９】[0039]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の第１
のリードフレームによると、ダイパッドのサポートバー
延長線上に位置する領域に、ディンプル等の機械加工処
理を施さず、ダイパッドのサポートバー延長線上を除く
領域であって、半導体チップの非搭載面であるダイパッ
ド封止用の封止樹脂が接触する接触面に、複数のディン
プルを形成するようにしたから、モールド樹脂とダイパ
ッドとの密着性を良好に維持し、かつダイパッドの水平
位置の変位を可及的に防止し、これにより半導体チップ
のボンディングパッドとリードフレームのインナーリー
ドとの結線を正確に行って、信頼性の高いリードフレー
ムを提供することができる。As described above, the first aspect of the present invention is as follows.
According to the lead frame of the present invention, the area located on the support bar extension of the die pad is not subjected to machining such as dimples, and the area excluding the support bar extension of the die pad is the die pad on which the semiconductor chip is not mounted. Since a plurality of dimples are formed on the contact surface where the sealing resin for sealing contacts, good adhesion between the mold resin and the die pad is maintained, and displacement of the horizontal position of the die pad is possible. Thus, the connection between the bonding pads of the semiconductor chip and the inner leads of the lead frame can be accurately performed, and a highly reliable lead frame can be provided.
【００４０】また、本発明の第２のリードフレームによ
ると、ダイパッドのサポートバー延長線上に位置する領
域の少なくとも一部のみに貫通孔を形成するとともに、
ダイパッドのサポートバー延長線上を除く領域であっ
て、半導体チップの非搭載面であるダイパッド封止用の
封止樹脂が接触する接触面に、複数のディンプルを形成
するようにしたから、モールド樹脂とダイパッドとの密
着性を良好に維持し、かつ、半導体チップ非搭載面にデ
ィンプル加工を施す場合であっても、ダイパッドの機械
的強度を可及的に維持するとともにダイパッドのサポー
トバー方向の伸びを貫通孔内で吸収し、ダイパッドに残
留歪や位置ずれを生じさせないから、サポートバー方向
におけるダイパッドの寸法精度の低下を可及的に防止
し、これにより半導体チップのボンディングパッドとリ
ードフレームのインナーリードとの結線を正確に行っ
て、信頼性の高いリードフレームを提供することができ
る。According to the second lead frame of the present invention, the through hole is formed only in at least a part of the region located on the extension of the support bar of the die pad.
A plurality of dimples are formed on a contact surface where a sealing resin for die pad sealing, which is a non-mounting surface of the semiconductor chip, is formed in a region except on an extended line of the support bar of the die pad. Even when maintaining good adhesiveness with the die pad and performing dimple processing on the surface on which the semiconductor chip is not mounted, the mechanical strength of the die pad is maintained as much as possible and the elongation of the die pad in the support bar direction is reduced. Absorption in the through-holes does not cause residual strain or misalignment of the die pad, so that the dimensional accuracy of the die pad in the support bar direction is prevented as much as possible. And a highly reliable lead frame can be provided.
【図１】本発明の第１の実施例のリードフレームを示す
図。FIG. 1 is a view showing a lead frame according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施例のリードフレームを示す
図。FIG. 2 is a view showing a lead frame according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の他の実施例のリードフレームを示す
図。FIG. 3 is a view showing a lead frame according to another embodiment of the present invention.
【図４】従来例のリードフレームを示す図。FIG. 4 is a view showing a conventional lead frame.
【図５】従来例のリードフレームを用いた半導体装置を
示す図。FIG. 5 is a diagram showing a semiconductor device using a conventional lead frame.
１…リードフレーム ２…半導体チップ ３…ワイヤ ４…モールド樹脂（封止樹脂） ｈ…凹部 １０…貫通孔 １２…インナーリード １３…タイバー １４…アウターリード １５…サイドバー １６…サイドバー １７…サポートバー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Lead frame 2 ... Semiconductor chip 3 ... Wire 4 ... Mold resin (sealing resin) h ... Concave part 10 ... Through-hole 12 ... Inner lead 13 ... Tie bar 14 ... Outer lead 15 ... Sidebar 16 ... Sidebar 17 ... Support bar
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 21/52 H01L 23/28 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 23/50 H01L 21/52 H01L 23/28
Claims (2)
にそれぞれサポートバーを介して取り付けられ、半導体
チップを搭載するダイパッドと、前記ダイパッドを取り
囲むように形成された複数のリードとを具備したリード
フレームにおいて、 前記ダイパッドの
サポートバー延長線上に位置する領域に、ディンプル等
の機械加工処理を施さず、前記ダイパッドの前記サポー
トバー延長線上を除く領域であって、前記半導体チップ
の非搭載面であるダイパッド封止用の封止樹脂が接触す
る接触面に、複数のディンプルを形成するようにしたこ
とを特徴とするリードフレーム。1. A lead comprising: two side rails; a die pad mounted on each of the side rails via a support bar for mounting a semiconductor chip; and a plurality of leads formed to surround the die pad. In the frame, the region located on the support bar extension of the die pad is not subjected to machining such as dimples, and is a region excluding the support bar extension of the die pad, and is the non-mounting surface of the semiconductor chip. A lead frame, wherein a plurality of dimples are formed on a contact surface with which a sealing resin for sealing a die pad contacts.
にそれぞれサポートバーを介して取り付けられ、半導体
チップを搭載するダイパッドと、前記ダイパッドを取り
囲むように形成された複数のリードとを具備したリード
フレームにおいて、 前記ダイパッドの
サポートバー延長線上に位置する領域の少なくとも一部
のみに、貫通孔を形成するとともに、前記ダイパッドの
前記サポートバー延長線上を除く領域であって、前記半
導体チップの非搭載面であるダイパッド封止用の封止樹
脂が接触する接触面に、複数のディンプルを形成するよ
うにしたことを特徴とするリードフレーム。2. A lead comprising: two side rails; a die pad mounted on each of the side rails via a support bar for mounting a semiconductor chip; and a plurality of leads formed to surround the die pad. In the frame, a through hole is formed in at least a part of a region of the die pad on the support bar extension, and a region excluding the support pad of the die pad on the support bar extension is a non-mounting surface of the semiconductor chip. A lead frame, wherein a plurality of dimples are formed on a contact surface with which a sealing resin for sealing a die pad contacts.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4033637A JP3018211B2 (en) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | Lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4033637A JP3018211B2 (en) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | Lead frame |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235248A JPH05235248A (en) | 1993-09-10 |
| JP3018211B2 true JP3018211B2 (en) | 2000-03-13 |
Family
ID=12391971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4033637A Expired - Fee Related JP3018211B2 (en) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | Lead frame |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3018211B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4055158B2 (en) | 2003-05-28 | 2008-03-05 | ヤマハ株式会社 | Lead frame and semiconductor device provided with lead frame |
-
1992
- 1992-02-20 JP JP4033637A patent/JP3018211B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05235248A (en) | 1993-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5834691A (en) | Lead frame, its use in the fabrication of resin-encapsulated semiconductor device | |
| JP2875139B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| US5708294A (en) | Lead frame having oblique slits on a die pad | |
| US4801997A (en) | High packing density lead frame and integrated circuit | |
| KR100568225B1 (en) | Lead Frame and method for fabricating semiconductor package using the same | |
| JP2852178B2 (en) | Film carrier tape | |
| JP2936769B2 (en) | Lead frame for semiconductor device | |
| US6633077B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| JP3403699B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP3018211B2 (en) | Lead frame | |
| JP4455208B2 (en) | Lead frame and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2890621B2 (en) | Hybrid integrated circuit device | |
| JP3305981B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPS63308358A (en) | Lead frame | |
| JP2527503B2 (en) | Lead frame and manufacturing method thereof | |
| JP3062671B2 (en) | Lead frame and method of manufacturing lead frame | |
| JP3111759B2 (en) | Lead frame and method of manufacturing lead frame | |
| JPS62144349A (en) | Lead frame for semiconductor device and manufacture thereof | |
| JP2515882B2 (en) | Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP3227953B2 (en) | Lead frame and semiconductor device using the same | |
| JPH0650989Y2 (en) | Lead frame | |
| JPH0738036A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0766350A (en) | Lead frame for semiconductor device | |
| JP2635722B2 (en) | Lead frame and manufacturing method thereof | |
| JPH01133340A (en) | Lead frame and manufacture thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090107 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090107 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100107 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110107 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |