JP2997496B2 - Multiple processing type vacuum processing equipment - Google Patents

Multiple processing type vacuum processing equipment

Info

Publication number
JP2997496B2
JP2997496B2 JP2067142A JP6714290A JP2997496B2 JP 2997496 B2 JP2997496 B2 JP 2997496B2 JP 2067142 A JP2067142 A JP 2067142A JP 6714290 A JP6714290 A JP 6714290A JP 2997496 B2 JP2997496 B2 JP 2997496B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
sample
information
type vacuum
vacuum processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2067142A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH03270728A (en
Inventor
廣治 西畑
重和 加藤
温司 伊藤
恒彦 坪根
直行 田村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2067142A priority Critical patent/JP2997496B2/en
Publication of JPH03270728A publication Critical patent/JPH03270728A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2997496B2 publication Critical patent/JP2997496B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、複数処理型真空処理装置に係り、特に複数
の処理を行なう試料につきその試料に必要な処理を装置
自身が自動的に選択し、実施する複数処理型真空処理装
置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a multi-processing type vacuum processing apparatus, and particularly for a sample to be subjected to a plurality of processings, the apparatus itself automatically selects processing required for the sample. , A multiple processing type vacuum processing apparatus to be implemented.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の真空処理装置は、例えば特開昭63−133532号公
報、特開昭59−76876号公報等に記載のように装置内の
処理は、装置自身が独自に認識するものではなく、例え
ば、処理開始の前に処理内容をオペレータが設定し、そ
の設定内容に従って装置が順次実施するというものであ
った。
Conventional vacuum processing apparatus, for example, JP-A-63-133532, JP-A-59-76876, as described in the processing in the apparatus, the apparatus itself is not something that is recognized independently, for example, Prior to the start of the processing, the operator sets the processing contents, and the apparatus sequentially executes the processing in accordance with the set contents.

また、例えば特願昭62−324103号に記載のように、多
層配線膜のドライエッチングを目的とした装置におい
て、多層金属配線膜のドライエッチング方法は、開示さ
れているが、そのエッチング処理の前後に必要な前処
理、及び後処理を実施することについては、考慮されて
おらず試料表面の汚染腐食防止及び試料の生産性向上に
ついては考慮されていなかった。
Further, for example, as described in Japanese Patent Application No. 62-324103, a dry etching method for a multilayer metal wiring film in an apparatus intended for dry etching of a multilayer wiring film is disclosed, but before and after the etching process. The pre-treatment and post-treatment necessary for the above were not considered, and no consideration was given to preventing contamination and corrosion of the sample surface and improving the productivity of the sample.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

しかしながら、最近の微細加工を必要とする製造ライ
ンでは、特にオペレータが製造ラインに入ることを極力
抑え、人等から発生するパーティクルを減少させること
が望まれている。また、真空処理された試料は、大気に
触れることなく真空環境のもとで連続して次の工程の処
理を行なうことが望まれている。
However, in a recent production line that requires fine processing, it is desired that an operator, as much as possible, enter the production line as much as possible and reduce particles generated by humans and the like. Further, it is desired that the sample subjected to the vacuum processing be continuously processed in the next step under a vacuum environment without being exposed to the atmosphere.

前記従来技術では、複数の処理室を選択して実施する
につき、装置自身が自動的に必要な処理を選択し実施す
る手段については考慮されておらず、特にパーティクル
抑制を目的とした無人化への装置としての対応について
も考慮されていなかった。また多層金属配線膜をエッチ
ングする技術においても、被エッチング材を真空環境に
保ったままで連続して処理することは考慮されていなか
った。これは今後益々増えてくる多層膜の試料におい
て、異種材料(例えば金属膜)が多層構造となっている
試料のエッチングにおいては、被エッチング材によって
エッチングに最適なウェハ温度が異なる為、2つ以上の
工程間を大気を介さずに、エッチング処理のみならずそ
の前処理と後処理も含め連続して処理することにより、
試料の汚染、腐食を防止し、かつ生産性を向上させると
いうことについて考慮されていなかった。
In the above-mentioned conventional technology, in selecting and performing a plurality of processing chambers, the apparatus itself does not consider means for automatically selecting and performing necessary processing. No consideration was given to the device's response. Also, in the technique of etching a multilayer metal wiring film, no consideration has been given to continuous processing while the material to be etched is kept in a vacuum environment. This is because the optimum wafer temperature for etching differs depending on the material to be etched when etching a sample having a multilayer structure in which a heterogeneous material (for example, a metal film) has a multilayer structure, which will increase more and more in the future. Between the steps without passing through the atmosphere, by performing not only the etching process but also the pre-processing and post-processing continuously,
No consideration was given to preventing contamination and corrosion of the sample and improving the productivity.

また、特開昭59−76867号公報においては、異なる電
極温度を有する装置は開示されているが、一方の電極上
での処理物(例えば反応生成物)が、他の電極上又は、
電極上で処理中の試料に影響を与えることを防止するこ
とについては、考慮されていなかった。
Also, Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-76867 discloses an apparatus having different electrode temperatures. However, a treatment product (for example, a reaction product) on one electrode is changed on another electrode or
No consideration was given to preventing affecting the sample being processed on the electrode.

本発明の目的は、複数の処理を行なう試料につき、そ
の試料に必要な処理を装置自身が自動的に選択し実施す
ることにより、連続的に処理を行ない試料表面等の汚
染、腐食を防止し、また該試料のエッチングに最適な温
度に試料台を調節して、高精度な加工(高選択性、高異
方性)で高速にエッチングを行ない、試料の生産性を向
上させるとともに故障情報の蓄積、故障部位の診断を行
ない装置の保守性を向上することにある。
An object of the present invention is to continuously perform processing and prevent contamination and corrosion of the sample surface, etc., by automatically selecting and executing the processing required for the sample for a plurality of processings. In addition, the sample stage is adjusted to the optimal temperature for etching the sample to perform high-speed etching with high-precision processing (high selectivity and high anisotropy), thereby improving the productivity of the sample and obtaining the fault information. An object of the present invention is to improve the maintainability of a device by performing storage and diagnosis of a failed part.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

上記の複数の処理を行なう試料につき、必要な処理を
装置自身が自動的に選択し、実施するため、処理の異な
る複数の処理室と、前・後処理室を設け、処理前に試料
の処理情報を読み取り、その情報に基づき必要な処理を
選択し、実施するようにしたものである。
In order to automatically select and execute the necessary processing for the sample to be subjected to the above-mentioned multiple processing, the equipment itself is provided with a plurality of processing chambers with different processing and pre- and post-processing chambers. Information is read, and necessary processing is selected and executed based on the information.

上記必要な処理を選択実施する方法として、読み取っ
た情報を分析し、処理すべき膜の種類を判別し、それに
適した処理室に試料を自動的に投入し処理するようにし
たものである。
As a method of selecting and executing the necessary processing, the read information is analyzed, the type of the film to be processed is determined, and the sample is automatically placed in a processing chamber suitable for the processing and processed.

また複数の処理が相互に影響をすることを防止するた
めに、処理内容毎に独立な処理室を設け、より効果的に
処理を行なうためには、処理室と処理室との間にバッフ
ァ室を設けるようにしたものである。
In order to prevent multiple processes from affecting each other, an independent processing chamber is provided for each processing content, and in order to perform processing more effectively, a buffer chamber is provided between the processing chambers. Is provided.

また該試料を高精度(高選択性・高異方性)にかつ高
速に加工するために、処理室内にあって試料を設置する
試料台の温度を試料の処理に適した温度に制御するよう
にしたものである。
In order to process the sample with high precision (high selectivity and high anisotropy) and at high speed, the temperature of the sample table in the processing chamber where the sample is placed is controlled to a temperature suitable for processing the sample. It was made.

〔作用〕[Action]

上記処理情報を読み取る処理は、半導体製造装置にお
ける通信の標準として、その物理インタフエース(SECS
I)と通信プロトコル(SECS II)が定められており、上
記通信手段を装置することで達成できる。また上記通信
の標準は、業界の標準となっているため、種々の製造ラ
インにおいても流用可能である。また上記処理情報は、
真空処理開始の前に予め入力し、該装置内に蓄積してお
くことでさらに生産性の向上が図れる。
The process of reading the above processing information is based on the physical interface (SECS) as a communication standard in semiconductor manufacturing equipment.
I) and the communication protocol (SECS II) are defined, and can be achieved by installing the above communication means. Further, since the communication standard has become an industry standard, it can be used in various production lines. In addition, the processing information
By inputting the information before the start of the vacuum processing and accumulating the information in the apparatus, the productivity can be further improved.

上記処理情報を読み取る方法として、試料もしくはカ
セットに付加されている情報を読み取る場合には、バー
コードリーダもしくは画像認識装置を用いると非接触で
読み取り可能であり非汚染に有用である。
When reading information added to a sample or a cassette as a method for reading the processing information, a bar code reader or an image recognition device can be used to read in a non-contact manner, which is useful for non-contamination.

本発明による複数の処理を行なう試料につき、その試
料に必要な処理を装置自身が自動的に選択し、実施する
ことにより真空容器雰囲気の中で複数の処理を連続して
処理でき、非汚染、防食の効果があり、試料の生産性を
向上できる。また、複数の処理として、異なるプロセス
(例えば、エッチングとアッシング、エッチングとCV
D)を持つ処理室で構成することにより、装置の機能の
向上が図れる。さらに複数の処理のうちに試料温度を制
御する処理室で構成することにより、高選択性、高速、
高異方性を達成できる。
With respect to a sample to be subjected to a plurality of processes according to the present invention, the device itself automatically selects a process required for the sample, and by performing the process, a plurality of processes can be continuously processed in a vacuum vessel atmosphere. It has an anticorrosion effect and can improve sample productivity. In addition, as a plurality of processes, different processes (for example, etching and ashing, etching and CV
By configuring the processing chamber having D), the function of the apparatus can be improved. Furthermore, by configuring a processing chamber that controls the sample temperature among multiple processes, high selectivity, high speed,
High anisotropy can be achieved.

〔実 施 例〕〔Example〕

以下、本発明の一実施例を第1図〜第7図により説明
する。本実施例は、真空処理室を2室に配置したもので
あるが、該真空処理室は1室でも3室以上あっても良
い。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. In this embodiment, two vacuum processing chambers are arranged. However, the number of the vacuum processing chambers may be one or three or more.

第1図で、1、6はロードロック室、2は前処理室、
5は後処理室、3、4は真空処理室である。ロードロッ
ク室1、6は試料を大気中から装置内雰囲気にもってい
き、また装置内雰囲気から大気にもっていくためのもの
である。各々のロードロック室1、6、前後処理室2、
5、真空処理室3、4には、各々独立した排気装置11
a、1b、12a、12b、13a,13bが設けられており、各々の室
はゲートバルブ19で仕切られており、各室間は図示しな
い搬送装置で試料が搬送される。前処理室2は、試料を
真空処理室3に搬送する前に予め試料を冷却しておくた
めの室で、カセット17からの試料は、冷却装置22aで冷
却された試料台24に設置された状態で冷却される。
In FIG. 1, 1 and 6 are load lock chambers, 2 is a pretreatment chamber,
5 is a post-processing chamber, and 3 and 4 are vacuum processing chambers. The load lock chambers 1 and 6 are for bringing the sample from the atmosphere to the atmosphere in the apparatus and from the atmosphere in the apparatus to the atmosphere. Each of the load lock chambers 1 and 6, the front and rear processing chambers 2,
5. The vacuum processing chambers 3 and 4 each have an independent exhaust device 11
a, 1b, 12a, 12b, 13a, 13b are provided, each chamber is partitioned by a gate valve 19, and a sample is transported between the chambers by a transport device (not shown). The pre-processing chamber 2 is a chamber for pre-cooling the sample before transporting the sample to the vacuum processing chamber 3, and the sample from the cassette 17 is set on a sample stage 24 cooled by the cooling device 22a. It is cooled in a state.

真空処理室3内に設けられた試料台25aは、冷媒とヒ
ータにより温度調節される。この目的のため、冷却装置
22b、加熱装置23aがそれぞれ設けられている。試料台25
aには、高周波電源26aが接続されており、その上部に
は、この場合、マイクロ波電界と磁界との相乗作用によ
りプラズマを発生するプラズマ発生部が設けられてい
る。ここで試料台25aに図示しない搬送装置により試料
がのせられると試料温度を検出し、所定温度に達したの
ち図示しないガス供給装置からエッチングガスが真空処
理室3に導入されプラズマを利用してエッチング処理さ
れる。真空処理室3で処理が終了した試料は、真空処理
室4に搬送され、真空処理室4で引続きエッチング処理
される。尚、真空処理室4でのエッチング処理プロセス
は、真空処理室3でのそれと同一又は異なるプロセスで
ある。処理順序としては、上記以外に真空処理室3→真
空処理室4の2回以上の繰り返し、真空処理室4→真空
処理室3、真空処理室3→真空処理室4→真空処理室
3、真空処理室4→真空処理室3、真空処理室4→真空
処理室3→真空処理室4、真空処理室3のみ、真空処理
室4のみといった処理が行なわれる。後処理室5は、真
空処理室3又は4で処理済の試料は低温に保持されてい
るため、加熱装置23cが設けられた試料台26に設置され
て大気雰囲気まで復温される。その後、ロードロック室
6のカセット18に回収、収納される。
The temperature of the sample stage 25a provided in the vacuum processing chamber 3 is adjusted by a refrigerant and a heater. For this purpose, a cooling device
22b and a heating device 23a are provided. Sample table 25
A high-frequency power supply 26a is connected to a, and a plasma generator for generating plasma by a synergistic action of a microwave electric field and a magnetic field is provided above the high-frequency power supply 26a. Here, when a sample is placed on the sample table 25a by a transfer device (not shown), the sample temperature is detected, and after reaching a predetermined temperature, an etching gas is introduced from a gas supply device (not shown) into the vacuum processing chamber 3 and the plasma is used for etching. It is processed. The sample that has been processed in the vacuum processing chamber 3 is conveyed to the vacuum processing chamber 4 and is subsequently etched in the vacuum processing chamber 4. The etching process in the vacuum processing chamber 4 is the same as or different from that in the vacuum processing chamber 3. In addition to the above, the processing order is the vacuum processing chamber 3 → the vacuum processing chamber 4 repeated twice or more, the vacuum processing chamber 4 → the vacuum processing chamber 3, the vacuum processing chamber 3 → the vacuum processing chamber 4 → the vacuum processing chamber 3, and the vacuum Processing such as processing chamber 4 → vacuum processing chamber 3, vacuum processing chamber 4 → vacuum processing chamber 3 → vacuum processing chamber 4, only vacuum processing chamber 3, and only vacuum processing chamber 4 is performed. Since the sample processed in the vacuum processing chamber 3 or 4 is kept at a low temperature in the post-processing chamber 5, the post-processing chamber 5 is set on the sample table 26 provided with the heating device 23c and is returned to the atmosphere. After that, it is collected and stored in the cassette 18 in the load lock chamber 6.

第2図は、例えば、試料に付加されている処理情報を
読み取り、試料の処理を選択・実施する制御装置60のブ
ロック図の1例である。第2図で、コード入力手段35
は、試料に付加されている処理情報を検出する装置であ
り、例えばバーコード読取器である。コード入力手段35
は第1図の複数処理型真空処理装置に取付けられている
が、第1図には図示していない。コード処理手段34は、
入力した処理情報を数値データに変換するものであり、
変換後のデータは、試料の処理情報として、入力データ
格納手段33に格納される。例えばRAMである。通常、以
上の情報処理は、第1図で、試料がロードロック室1に
ある時に行なわれるが、しかし、情報処理する場所はど
こであっても良い。処理ルート蓄積手段32は、試料の処
理情報に対して、装置内で実施する処理室の順序を対比
させたデータを格納しているもので例えば、ROMであ
る。試料処理手段31は、装置において試料の処理を制御
する手順を記憶すると共に、実際に試料の動きと共に排
気、プロセスの制御を行なうものである。
FIG. 2 is an example of a block diagram of a control device 60 which reads processing information added to a sample and selects and executes processing of the sample, for example. In FIG. 2, the code input means 35
Is a device that detects processing information added to the sample, and is, for example, a barcode reader. Code input means 35
Is attached to the multiple processing type vacuum processing apparatus shown in FIG. 1, but is not shown in FIG. The code processing means 34
It converts the input processing information into numerical data,
The converted data is stored in the input data storage unit 33 as sample processing information. For example, RAM. Usually, the above information processing is performed when the sample is in the load lock chamber 1 in FIG. 1, but the information processing may be performed at any place. The processing route storage means 32 stores data in which the order of processing chambers performed in the apparatus is compared with the processing information of the sample, and is, for example, a ROM. The sample processing means 31 stores a procedure for controlling the processing of the sample in the apparatus, and actually controls the exhaust and the process together with the movement of the sample.

中央処理手段30は、以上の手段31〜34を全体的に制御
するものであり、例えばMPUである。
The central processing unit 30 controls the above units 31 to 34 as a whole, and is, for example, an MPU.

第3図は、処理情報を上位制御機から入力し、その情
報を用いて試料の処理を選択、実施する制御装置61のブ
ロック図の例である。第3図で、信号処理手段36は、上
位制御機と通信を行ない、上位制御機から試料の処理情
報を入力し、入力データ格納手段33に格納する。信号処
理手段36には、送信処理部と受信処理部があり、通常は
シリアル伝送を行なうもので例えば、RS−232cボードで
ある。他の制御手段は、第2図と同一である。
FIG. 3 is an example of a block diagram of a control device 61 that inputs processing information from a higher-level controller and uses the information to select and execute processing of a sample. In FIG. 3, the signal processing means 36 communicates with the host controller, inputs processing information of the sample from the host controller, and stores it in the input data storage means 33. The signal processing means 36 includes a transmission processing unit and a reception processing unit, and usually performs serial transmission, and is, for example, an RS-232c board. Other control means are the same as in FIG.

第4図は、処理情報を手動入力手段37から入力し、そ
のデータを用いて試料の処理を選択、実施する制御装置
62のブロック図である。第4図で、手動入力手段37(例
えばキーボード)より入力されたデータは、入力処理手
段38で読み取り、入力データ格納手段33に格納する。他
の制御手段は、第2図と同一である。
FIG. 4 shows a control device for inputting processing information from the manual input means 37 and selecting and executing sample processing using the data.
FIG. 62 is a block diagram of 62. In FIG. 4, data input from manual input means 37 (for example, a keyboard) is read by input processing means 38 and stored in input data storage means 33. Other control means are the same as in FIG.

第5図は、本実施例での処理の一例を示す。 FIG. 5 shows an example of the processing in this embodiment.

第5図で、処理Aは第1図の真空処理室3、4両方
で、試料の処理を行なう場合のフロー図であり、処理B
は真空処理室4のみで試料の処理を行なう場合のフロー
図である。以上のフロー図は、複数の処理のうちの一例
であり、前述した前処理室2、真空処理室3、4、後処
理室5での処理を取捨選択した処理順序及びそれらを複
数回数実施する処理についてのフローがある。
In FIG. 5, a process A is a flow chart in the case where a sample is processed in both of the vacuum processing chambers 3 and 4 in FIG.
FIG. 4 is a flowchart in a case where a sample is processed only in the vacuum processing chamber 4. The above flow chart is an example of a plurality of processes, and the process sequence in which the processes in the pre-processing chamber 2, the vacuum processing chambers 3, 4, and the post-processing chamber 5 are discarded, and the processes are performed a plurality of times. There is a flow for processing.

また本実施例の説明では、冷却・加熱装置を使用した
場合について述べたが、常温で処理する場合は、冷却・
加熱装置を未使用の状態で試料を処理すれば良い。ま
た、逆に試料を加温して処理する場合には、加熱装置の
みを使用し加熱すると共に温度制御するようにすれば良
い。
In the description of the present embodiment, the case where the cooling / heating device is used has been described.
The sample may be processed in a state where the heating device is not used. Conversely, when the sample is heated and processed, only the heating device may be used to heat and control the temperature.

第6図は、第2図〜第4図に示した試料の処理を選択
・実施する制御装置に検出手段から入力した入力信号に
基づいてエッチング処理の可否を判断する自己診断機能
を付加した装置63のブロック図である。第6図で、検出
手段43は、第1図に図示していない搬送、排気を制御す
る機器のON−OFFを検出するためのものであり、例えば
リミットスイッチ、光電式スイッチである。
FIG. 6 shows an apparatus in which a self-diagnosis function for judging whether or not to perform an etching process based on an input signal input from a detecting means is added to a control device for selecting and executing a sample process shown in FIGS. 2 to 4. FIG. 63 is a block diagram of 63. In FIG. 6, the detecting means 43 is for detecting ON-OFF of a device for controlling conveyance and exhaust not shown in FIG. 1, and is, for example, a limit switch or a photoelectric switch.

検出信号入力手段42は、検出手段43からのON−OFF信
号を入力するためのものであり、装置に取付けた機器の
動作状態を認知することができる。例えばDi基板であ
る。基準値記憶手段39は、エッチング処理を実施する上
で、必要な装置内の機器の正常動作状態を信号の組み合
わせを記憶しておくもので、一例としてメインバルブO
N、アーム原点ON……等いったもので、例えば、ROMに記
憶される。異常検出処理手段40は、装置の電源投入後、
装置の初期化を行なった後、検出信号入力手段42の入力
信号が基準値記憶手段39に蓄積されてある信号の組合せ
と比較し、エッチング処理が可能か否かを判断する手順
を記憶し処理するものであり、例えば、ROMに記憶され
ている。異常出力手段41は、前記エッチング処理が可能
か否かを判断した結果を出力する手段である。例えば、
画面表示基板である。異常表示手段44は異常出力手段41
によって出力された情報を表示するもので、例えば、CR
Tである。以上の構成により、装置の電源投入後初期化
を行なった後、装置内の機器がエッチング処理を実施す
るに充分な状態にあるかを認識できる。これにより、装
置が不充分な状態でエッチング処理を行ない、その結
果、エッチング処理中に装置が停止するといった状態と
なり試料が使えなくなるという不具合を未然に防止する
ことができる。
The detection signal input means 42 is for inputting the ON-OFF signal from the detection means 43, and can recognize the operation state of the device attached to the device. For example, a Di substrate. The reference value storage means 39 stores a combination of signals indicating a normal operation state of equipment in the apparatus necessary for performing the etching process. As an example, the main valve O
N, arm origin ON, etc., for example, stored in ROM. The abnormality detection processing means 40, after turning on the power of the device,
After the apparatus is initialized, the input signal of the detection signal input means 42 is compared with a combination of signals stored in the reference value storage means 39, and a procedure for determining whether or not the etching processing is possible is stored and processed. For example, it is stored in a ROM. The abnormality output unit 41 is a unit that outputs a result of determining whether the etching process is possible. For example,
It is a screen display substrate. The abnormality display means 44 is the abnormality output means 41
Displays information output by, for example, CR
T. With the above configuration, it is possible to recognize whether the devices in the device are in a state sufficient for performing the etching process after the device is initialized after the power is turned on. Accordingly, it is possible to prevent a problem that the etching process is performed in a state where the apparatus is insufficient, and as a result, the apparatus is stopped during the etching processing and the sample cannot be used.

第7図は、第2図〜第4図に示した試料の処理を選択
・実施する制御装置60〜62に、装置内で発生した故障情
報を蓄積し、必要に応じて読み出せる手段を付加した装
置64のブロック図である。第7図で、情報記憶手段47
は、装置内で発生した故障情報と同付を記憶する処理を
行なうものであり、例えば、FDD(Floppy Disk Drive
r)である。情報出力手段49は、情報記憶手段47で処理
された情報を格納し蓄積しておくもので、例えばFD(Fl
oppy Disk)である。前記情報を可搬型のメディア(例:
FD)に記憶しておけば、そのメディアを本体装置から抜
き出し、本体と別に設けた読取装置でその情報を読み出
させることができるので、更に装置の保守性が向上す
る。表示手段45は、情報出力手段49に蓄積された情報を
表示するもので、例えば、CRTである。操作手段48は、
情報出力手段49に蓄積されている情報を表示手段45に表
示要求するため、コマンドを入力するためのものであ
り、例えばキーボードである。操作入力手段46は、操作
手段48からの表示要求を受け、表示手段45に故障情報を
表示する処理を行なうものである。以上の構成により、
装置内で発生した故障情報を必要に応じて、表示手段45
又は情報出力手段49に利用して他の読み取り装置にて読
み出せることができる。
FIG. 7 shows a control device 60 to 62 for selecting / executing the processing of the sample shown in FIGS. 2 to 4, and adding a means for accumulating the failure information generated in the device and reading it out as necessary. FIG. 6 is a block diagram of the device 64 shown in FIG. In FIG. 7, the information storage means 47
Performs processing for storing information on failures occurring in the device and the attachments. For example, FDD (Floppy Disk Drive)
r). The information output unit 49 stores and accumulates information processed by the information storage unit 47. For example, an FD (Fl
oppy Disk). Transfer the information to portable media (e.g.,
If the information is stored in the FD, the medium can be extracted from the main unit and the information can be read by a reading device provided separately from the main unit, so that the maintainability of the device is further improved. The display means 45 displays information accumulated in the information output means 49, and is, for example, a CRT. The operating means 48
This is for inputting a command to request the display means 45 to display the information stored in the information output means 49, and is, for example, a keyboard. The operation input means 46 receives a display request from the operation means 48 and performs processing for displaying failure information on the display means 45. With the above configuration,
The display unit 45 displays the failure information generated in the device as necessary.
Alternatively, the information can be read by another reading device using the information output means 49.

また、故障部位診断手段50は、情報記憶手段478に入
力された故障情報を用いて、装置内の故障箇所や故障部
位を診断し、必要に応じて表示手段45に表示するもので
ある。該手段50を第7図の中央処理手段30、表示手段4
5、操作入力手段46、情報記憶手段47に追加することに
より、装置内の故障診断を行なうことができ、故障発生
後の早期原因追求を行なえ、不稼動時間の縮減を行なう
ことができる。
Further, the failure part diagnosis means 50 diagnoses a failure part or a failure part in the apparatus using the failure information input to the information storage means 478, and displays it on the display means 45 as necessary. The means 50 is connected to the central processing means 30 and the display means 4 in FIG.
5. By adding to the operation input means 46 and the information storage means 47, it is possible to diagnose a failure in the apparatus, to pursue the cause early after the failure occurs, and to reduce the downtime.

尚、次のことを満足するものは、本発明範囲に当然に
含まれる。
What satisfies the following is naturally included in the scope of the present invention.

(1)グロー放電、マグネトロン放電、マイクロ波放電
及び光励起等の他のエネルギでガスがプラズマ化され、
該ガスプラズマを利用して試料をエッチング処理、成膜
(CVD、スパッタ)処理等処理するもの。
(1) The gas is turned into plasma with other energies such as glow discharge, magnetron discharge, microwave discharge, and photoexcitation,
A sample that uses the gas plasma to perform processing such as etching and film formation (CVD, sputtering).

(2)例えば、プラズマエッチング処理、プラズマCVD
処理、スパッタ処理等を組み合せて実施するようにした
もの。
(2) For example, plasma etching processing, plasma CVD
A combination of processing, sputtering, etc.

(3)分子線エピタキシー技術等のプラズマを使用せず
に試料を真空処理するようにしたもの。
(3) Vacuum processing of a sample without using plasma such as molecular beam epitaxy technology.

(4)試料が収納されるカセットに付与されている情報
を読み取り、試料の処理を選択、実施するようにするも
の。
(4) A device that reads information given to a cassette in which a sample is stored, and selects and executes processing of the sample.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明によれば、試料処理の種類、試料処理の順番な
どを自由に選択できる上に、試料を複類の工程にまたが
る場合も大気に介さずに本装置の中で処理が可能である
ため汚染物質の付着を最小限に抑えることができ、また
処理工数の短縮を提供できる効果がある。
According to the present invention, the type of sample processing, the order of sample processing, and the like can be freely selected, and the sample can be processed in the present apparatus without intervening in the atmosphere even when the sample extends over multiple steps. There is an effect that adhesion of contaminants can be minimized and the number of processing steps can be reduced.

試料を真空処理する上で、装置が不充分な状態で試料
の真空処理を開始し、該処理中に装置が停止する等の不
具合により試料を使えなくなるという不具合を未然に防
げるため、装置の信頼性を向上させることができる。
In vacuum processing the sample, vacuum processing of the sample is started when the device is inadequate, and the problem that the sample cannot be used due to a problem such as a stop of the device during the processing can be prevented beforehand. Performance can be improved.

また故障情報を装置内に蓄積しておき、その情報を外
部に取り出せることにより、装置の保守時期を事前に把
握でき装置の稼動率向上、保守性向上を図ることができ
る。
In addition, since the failure information is stored in the apparatus and the information can be taken out to the outside, the maintenance time of the apparatus can be grasped in advance, and the operation rate of the apparatus and the maintainability can be improved.

また故障診断を行なうことにより、装置の不稼動時間
の縮減を図ることができる。
Further, by performing the failure diagnosis, it is possible to reduce the downtime of the apparatus.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は、本発明の一実施例の複数処理型真空処理装置
の装置構成図、第2図〜第4図、第6図、第7図は、各
種制御装置のブロック構成図、第5図は、第1図の装置
での試料の処理フロー図である。 1,6……ロードロック室、2……前処理室、3,4……真空
処理室、5……後処理室、11aないし13a、11bないし13b
……排気装置、17,18……カセット、22aないし22c……
冷却装置、23aないし23c……加熱装置、24,25a,25b,26
……試料台、30……中央処理手段、31……試料処理手
段、32……処理ルート蓄積手段、33……入力データ格納
手段、34……コード処理手段、35……コード入力手段、
36……信号処理手段、37……手動入力手段、38……入力
処理手段、39……基準値記憶手段、40……異常検出処理
手段、41……異常出力手段、42……検出信号入力手段、
43……検出手段、44……異常表示手段、45……表示手
段、46……操作入力手段、47……情報記憶手段、48……
操作手段、49……情報出力手段、50……故障部位診断手
段、60ないし64……制御装置
FIG. 1 is an apparatus configuration diagram of a multiple processing type vacuum processing apparatus according to one embodiment of the present invention, FIGS. 2 to 4, FIG. 6, and FIG. The figure is a flow chart of processing a sample in the apparatus of FIG. 1,6 ... Load lock chamber, 2 ... Pre-processing chamber, 3,4 ... Vacuum processing chamber, 5 ... Post-processing chamber, 11a to 13a, 11b to 13b
…… Exhaust device, 17,18 …… Cassette, 22a to 22c ……
Cooling devices, 23a to 23c ... Heating devices, 24, 25a, 25b, 26
... sample stage, 30 ... central processing means, 31 ... sample processing means, 32 ... processing route storage means, 33 ... input data storage means, 34 ... code processing means, 35 ... code input means,
36 ... signal processing means, 37 ... manual input means, 38 ... input processing means, 39 ... reference value storage means, 40 ... abnormality detection processing means, 41 ... abnormality output means, 42 ... detection signal input means,
43 detection means 44 abnormality display means 45 display means 46 operation input means 47 information storage means 48
Operating means, 49 ... Information output means, 50 ... Failure site diagnosis means, 60 to 64 ... Control device

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 21/3065 H01L 21/302 B 21/68 G06F 15/21 R (72)発明者 伊藤 温司 山口県下松市大字東豊井794番地 株式 会社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 坪根 恒彦 山口県下松市大字東豊井794番地 株式 会社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 田村 直行 山口県下松市大字東豊井794番地 日立 笠戸エンジニアリング株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−21926(JP,A) 特開 昭63−28047(JP,A) 特開 昭62−162450(JP,A) 特開 平1−183345(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B01J 3/00 H01L 21/302 H01L 21/68 C23C 14/56 C23C 14/54 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI H01L 21/3065 H01L 21/302 B 21/68 G06F 15/21 R (72) Inventor Atsushi Ito 794, Higashi-Toyoi, Kazamatsu-shi, Yamaguchi Pref. Inside Hitachi Kasado Factory (72) Inventor Tsunehiko Tsune 794 Kazato Higashi Toyoi, Kudamatsu City, Yamaguchi Prefecture Inside Hitachi Kasaido Factory (72) Inventor Naoyuki Tamura 794 Higashi Toyoi, Kudamatsu City, Yamaguchi Prefecture Hitachi Kasado Engineering (56) References JP-A-64-21926 (JP, A) JP-A-63-28047 (JP, A) JP-A-62-162450 (JP, A) JP-A-1-183345 (JP, A A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) B01J 3/00 H01L 21/302 H01L 21/68 C23C 14/56 C23C 14/54

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】真空下で試料に処理を施す装置において、
前記試料を処理する複数の処理室と、前記試料の処理内
容を認識する手段とを有し、該認識に基づいて前記処理
室の処理順序を自動的に選択し前記試料の処理を実施す
ることを特徴とする複数処理型真空処理装置。
An apparatus for processing a sample under vacuum,
A plurality of processing chambers for processing the sample, and means for recognizing the processing content of the sample, and automatically selecting a processing order of the processing chamber based on the recognition and performing the processing of the sample. A multi-processing type vacuum processing apparatus characterized by the above-mentioned.
【請求項2】請求項1記載の前記試料に処理を施す前
に、前記試料に前処理を施す手段を設けた複数処理型真
空処理装置。
2. A multiple processing type vacuum processing apparatus, comprising: means for pre-processing the sample before processing the sample according to claim 1.
【請求項3】請求項1記載の前記試料に処理を施した後
に、前記試料に後処理を施す手段を設けた複数処理型真
空処理装置。
3. A multiple processing type vacuum processing apparatus comprising: means for performing post-processing on the sample after processing the sample according to claim 1.
【請求項4】請求項1記載の前記試料の処理内容を認識
する手段が、前記試料に付加されている処理情報を読む
手段を有する複数処理型真空処理装置。
4. A multiple processing type vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein said means for recognizing the processing content of said sample has means for reading processing information added to said sample.
【請求項5】請求項1記載の前記試料の処理内容を認識
する手段が、前記試料を収納するカセットに付加されて
いる処理情報を読む手段を有する複数処理型真空処理装
置。
5. A multiple processing type vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein said means for recognizing the processing content of said sample has means for reading processing information added to a cassette containing said sample.
【請求項6】請求項1記載の前記試料の処理内容を認識
する手段が、装置外の情報処理装置から入力された処理
情報を読む手段を有する複数処理型真空処理装置。
6. A multiple processing type vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the means for recognizing the processing content of the sample has means for reading processing information input from an information processing apparatus outside the apparatus.
【請求項7】請求項6記載の前記情報処理装置は、搬送
装置および上位制御機の少なくとも1つであり、前記処
理情報は前記搬送装置および上位制御機の少なくとも1
つから入力される複数処理型真空処理装置。
7. The information processing apparatus according to claim 6, wherein the information is at least one of a transport device and a host controller, and the processing information is at least one of the transport device and the host controller.
Multiple processing type vacuum processing equipment input from one.
【請求項8】請求項4ないし6いずれかの請求項に記載
の装置において、前記処理情報がレシピデータ,プロセ
スデータ,ロット認識符号の少なくとも1つである複数
処理型真空処理装置。
8. An apparatus according to claim 4, wherein said processing information is at least one of recipe data, process data, and a lot recognition code.
【請求項9】請求項1ないし8いずれかの請求項に記載
の装置おいて、プラズマを利用して前記試料にエッチン
グ処理を施すエッチング処理室と、前記試料を設置する
試料台と、前記エッチング室にエッチングガスを導入す
る手段と、前記エッチング室を真空排気する手段と、導
入した前記ガスをプラズマ化する手段と、各部の動作状
態を検出する検出手段とを有した複数処理型真空処理装
置。
9. The apparatus according to claim 1, wherein an etching processing chamber for performing an etching process on the sample using plasma, a sample stage on which the sample is installed, and the etching process. A multi-processing vacuum processing apparatus comprising: means for introducing an etching gas into a chamber; means for evacuating the etching chamber; means for converting the introduced gas into plasma; and detection means for detecting an operation state of each part. .
【請求項10】請求項1記載の装置が、各部の動作状態
を検出する検出手段と、前記検出手段からの信号を入力
する検出信号入力手段と、前記試料の処理の処理を行う
上で必要な入力信号の組み合わせを記憶しておく基準値
記憶手段と、前記入力信号と前記基準値記憶手段に記憶
してある入力信号の組み合わせとを比較し異常の有無を
検出する異常検出処理手段と、装置の異常を出力する異
常出力手段と、異常表示手段とを有し、前記装置の電源
立上げ後、前記装置の初期化を行った後、前記検出手段
からの入力信号が前記基準値記憶手段に記憶してある入
力信号の組み合わせと比較し、その結果に基づき処理が
可能か否かを判断する自己診断機能を有した複数処理型
真空処理装置。
10. The apparatus according to claim 1, which is required for detecting the operation state of each section, detecting signal inputting means for inputting a signal from the detecting means, and performing processing of the sample. Reference value storage means for storing a combination of various input signals, and abnormality detection processing means for comparing the input signal and the combination of input signals stored in the reference value storage means to detect the presence or absence of an abnormality, An abnormality output unit that outputs an abnormality of the device; and an abnormality display unit. After power-on of the device, initialization of the device is performed, and an input signal from the detection unit stores the reference value storage unit. A multi-processing type vacuum processing apparatus having a self-diagnosis function of comparing with a combination of input signals stored in the apparatus and determining whether or not processing is possible based on the result.
JP2067142A 1990-03-19 1990-03-19 Multiple processing type vacuum processing equipment Expired - Lifetime JP2997496B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2067142A JP2997496B2 (en) 1990-03-19 1990-03-19 Multiple processing type vacuum processing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2067142A JP2997496B2 (en) 1990-03-19 1990-03-19 Multiple processing type vacuum processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03270728A JPH03270728A (en) 1991-12-02
JP2997496B2 true JP2997496B2 (en) 2000-01-11

Family

ID=13336361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2067142A Expired - Lifetime JP2997496B2 (en) 1990-03-19 1990-03-19 Multiple processing type vacuum processing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2997496B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170047894A (en) * 2015-10-26 2017-05-08 한국식품연구원 Module device capable of particle synthesis and surface modification

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4407909C3 (en) * 1994-03-09 2003-05-15 Unaxis Deutschland Holding Method and device for the continuous or quasi-continuous coating of spectacle lenses
JP2701775B2 (en) * 1995-03-17 1998-01-21 日本電気株式会社 Plasma processing equipment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170047894A (en) * 2015-10-26 2017-05-08 한국식품연구원 Module device capable of particle synthesis and surface modification

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03270728A (en) 1991-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6795745B1 (en) Methods of operating vacuum processing equipment and methods of processing wafers
EP1412827B1 (en) Integration of fault detection with run-to-run control
KR100845990B1 (en) Substrate processing apparatus, history information recording method, history information recording program, and history information recording system
US7477956B2 (en) Methods and apparatus for enhancing electronic device manufacturing throughput
KR100201794B1 (en) Semiconductor wafer producing method
WO2006070689A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus, abnormality detection in such semiconductor manufacturing apparatus, method for specifying abnormality cause or predicting abnormality, and recording medium wherein computer program for executing such method is recorded
KR19980024479A (en) Operation method of vacuum processing apparatus and vacuum processing apparatus
JP4887628B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus, computer program, and storage medium
JP2006228911A (en) Equipment for producing semiconductor, computer program and storage medium
JP2003045847A (en) Maintenance method and system of plasma treatment apparatus
JP2997496B2 (en) Multiple processing type vacuum processing equipment
JP2006186280A (en) Semiconductor manufacturing apparatus and storage medium
US6621412B1 (en) Troubleshooting method involving image-based fault detection and classification (FDC) and troubleshooting guide (TSG), and systems embodying the method
WO2019058893A1 (en) Anomaly detection device and anomaly detection method
JP5363766B2 (en) Control device for plasma processing apparatus system, control method for plasma processing system, and storage medium storing control program
US7166480B2 (en) Particle control device and particle control method for vacuum processing apparatus
JP2004319961A (en) Substrate processing equipment, substrate processing method, and program for carrying out its method
WO2021065295A1 (en) Abnormality determination system and abnormality determination method for plasma treatment
JPWO2020059011A1 (en) Substrate processing equipment, semiconductor equipment manufacturing methods and programs
JP2009164646A (en) Vacuum processing apparatus and method for vacuum processing
JP2006313934A (en) Semiconductor manufacturing equipment and film formation method therefor
US20240027295A1 (en) Method and apparatus for lamp housing crack detection
JP5314789B2 (en) Vacuum processing apparatus and vacuum processing method
EP1096548A2 (en) Semiconductor wafer processing apparatus comprising a wafer presence detector and method
JP4252103B2 (en) Vacuum processing method and vacuum processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071029

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081029

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091029

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091029

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101029

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101029

Year of fee payment: 11