JP2995638B2 - インピーダンス装荷型電界センサ - Google Patents
インピーダンス装荷型電界センサInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、空間のある一点の電界
強度を正確に測定するため、周囲の電磁界分布を乱さな
い、電界を検出するセンサロッド以外は全て非金属で構
成された電界強度測定用のセンサに関するものである。
強度を正確に測定するため、周囲の電磁界分布を乱さな
い、電界を検出するセンサロッド以外は全て非金属で構
成された電界強度測定用のセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＮＣ工作機械の暴走問題に代表さ
れるように、外部から侵入した電磁妨害波により装置が
誤動作を起こす現象が問題になっている。この問題に対
処するためには、装置に印加される電磁妨害波を正確に
測定する必要があり、微小ダイポールアンテナ、円錐ア
ンテナ、ホーンアンテナ等が使用されている。しかしな
がら、これらのアンテナはアンテナと信号の受信機関の
接続に同軸ケーブルを用いているため、自ら周囲の電磁
界を乱し、測定レベルが接続ケーブルの状態に影響され
るという問題点を持っている。
れるように、外部から侵入した電磁妨害波により装置が
誤動作を起こす現象が問題になっている。この問題に対
処するためには、装置に印加される電磁妨害波を正確に
測定する必要があり、微小ダイポールアンテナ、円錐ア
ンテナ、ホーンアンテナ等が使用されている。しかしな
がら、これらのアンテナはアンテナと信号の受信機関の
接続に同軸ケーブルを用いているため、自ら周囲の電磁
界を乱し、測定レベルが接続ケーブルの状態に影響され
るという問題点を持っている。
【０００３】そのため、近年、検出器（プローブ）とレ
ベル測定器間を光ファイバで結ぶ電界センサが検討され
ている。それらは、構成により大きく二つに分けられ
る。すなわち、センサロッドで検出した電界レベルでセ
ンサ本体内部に設けられたレーザダイオード等を変調し
て、その光信号を光ファイバによりレベル測定器に伝送
するものと、センサ本体外部から光信号を入力し、それ
をセンサ内部の光変調器によりセンサロッドで検出した
電界レベルで変調して光ファイバによりレベル測定器に
伝送するものである。
ベル測定器間を光ファイバで結ぶ電界センサが検討され
ている。それらは、構成により大きく二つに分けられ
る。すなわち、センサロッドで検出した電界レベルでセ
ンサ本体内部に設けられたレーザダイオード等を変調し
て、その光信号を光ファイバによりレベル測定器に伝送
するものと、センサ本体外部から光信号を入力し、それ
をセンサ内部の光変調器によりセンサロッドで検出した
電界レベルで変調して光ファイバによりレベル測定器に
伝送するものである。
【０００４】これら２種類のセンサのうち後者のセンサ
は、周囲の電磁界を乱さないことの他に、電源を内蔵す
る必要がないので長時間の測定に有効であり、これまで
に光変調器にLiNbO3を用いたアンテナ（特開平２−1847
72号公報）及び電界アンテナ（特願平２−55223 号）が
提案されている。
は、周囲の電磁界を乱さないことの他に、電源を内蔵す
る必要がないので長時間の測定に有効であり、これまで
に光変調器にLiNbO3を用いたアンテナ（特開平２−1847
72号公報）及び電界アンテナ（特願平２−55223 号）が
提案されている。
【０００５】図６は従来のセンサの基本的構成を示す図
である。同図において、１は光源、２はレンズ、３は光
ファイバケーブル、４はグレーデッドインデックスレン
ズ、５は偏光子、６は電気光学効果をもつ光学結晶、７
はセンサロッド、８は位相補償器、９は検光子、10はレ
ンズ、11は光検出器、12はレベル測定器を示し、４から
10まで破線に囲まれた部分が、光変調器13を構成してい
る。また16は変調器電極である。
である。同図において、１は光源、２はレンズ、３は光
ファイバケーブル、４はグレーデッドインデックスレン
ズ、５は偏光子、６は電気光学効果をもつ光学結晶、７
はセンサロッド、８は位相補償器、９は検光子、10はレ
ンズ、11は光検出器、12はレベル測定器を示し、４から
10まで破線に囲まれた部分が、光変調器13を構成してい
る。また16は変調器電極である。
【０００６】この従来のセンサでは、センサ外部の光源
１から光信号を光ファイバケーブル３により光変調器13
に入力し、この光信号を光変調器13内において変調器電
極16に印加されるセンサロッド７で検出した電界レベル
で光学結晶６により変調し、再び光ファイバケーブル３
を通してレベル測定器12側の光検出器11へ伝送してい
た。
１から光信号を光ファイバケーブル３により光変調器13
に入力し、この光信号を光変調器13内において変調器電
極16に印加されるセンサロッド７で検出した電界レベル
で光学結晶６により変調し、再び光ファイバケーブル３
を通してレベル測定器12側の光検出器11へ伝送してい
た。
【０００７】上記の光変調器13の動作において、偏光子
５は光ファイバケーブルから出射した光から光学結晶６
の光軸に対して45°傾いた直線偏波のみを取り出し、光
学結晶６に入射させる。光学結晶６に入射した光は、セ
ンサロッド７から印加される電圧により位相変調され、
楕円偏波となる。この楕円偏波成分から特定の偏波成分
を検光子９により取り出すことにより強度変調された光
信号が得られる。
５は光ファイバケーブルから出射した光から光学結晶６
の光軸に対して45°傾いた直線偏波のみを取り出し、光
学結晶６に入射させる。光学結晶６に入射した光は、セ
ンサロッド７から印加される電圧により位相変調され、
楕円偏波となる。この楕円偏波成分から特定の偏波成分
を検光子９により取り出すことにより強度変調された光
信号が得られる。
【０００８】このような従来の電界センサの構造を図７
に示す。同図において、４はレンズ、５は偏光子、６は
光学結晶、７，７’はセンサロッド、８は位相補償器、
９は検光子、10はレンズ、14は図示していない光源との
間を結ぶ偏波面保持光ファイバ、15は図示していない光
検出器との間を結ぶシングルモード光ファイバ、16は光
変調器電極、18はセンサ外部筐体である。光学結晶６と
してLiNbO3を用い、センサロッドを構成する直列の２本
の金属棒（長さ14cm）の隙間にこの光学結晶６を集積さ
せて上記の電界センサを構成させた場合には、最小電界
強度約１Ｖ／ｍ、周波数帯域100Hz 〜300MHzの測定が可
能である。
に示す。同図において、４はレンズ、５は偏光子、６は
光学結晶、７，７’はセンサロッド、８は位相補償器、
９は検光子、10はレンズ、14は図示していない光源との
間を結ぶ偏波面保持光ファイバ、15は図示していない光
検出器との間を結ぶシングルモード光ファイバ、16は光
変調器電極、18はセンサ外部筐体である。光学結晶６と
してLiNbO3を用い、センサロッドを構成する直列の２本
の金属棒（長さ14cm）の隙間にこの光学結晶６を集積さ
せて上記の電界センサを構成させた場合には、最小電界
強度約１Ｖ／ｍ、周波数帯域100Hz 〜300MHzの測定が可
能である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のセンサでは、この従来の電界センサの感度特性を示
す図８および周波数特性を示す図９からわかるように、
この電界センサの最小検出感度約１Ｖ／ｍ、周波数帯域
は100Hz 〜300MhZであり、電磁妨害波測定のためには更
に高感度な電界センサが必要である。
来のセンサでは、この従来の電界センサの感度特性を示
す図８および周波数特性を示す図９からわかるように、
この電界センサの最小検出感度約１Ｖ／ｍ、周波数帯域
は100Hz 〜300MhZであり、電磁妨害波測定のためには更
に高感度な電界センサが必要である。
【００１０】本発明はセンサロッドと光変調器の間に、
値を変化させることができる装荷インピーダンスを挿入
することにより、感度を向上させることができると共
に、被測定電界の周波数に応じた周波数を選択できる電
界センサを提供することを目的とする。
値を変化させることができる装荷インピーダンスを挿入
することにより、感度を向上させることができると共
に、被測定電界の周波数に応じた周波数を選択できる電
界センサを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、本発明では電界センサのセンサロッドを構
成する２つの金属棒と、印加電圧により光強度が変化す
る光変調器の間にインピーダンスを挿入することによっ
て、周波数帯域の全体的な感度向上を図り、さらに、イ
ンピーダンスの値を変化させることにより、目的とする
帯域の感度向上を図ろうとするものである。
成するため、本発明では電界センサのセンサロッドを構
成する２つの金属棒と、印加電圧により光強度が変化す
る光変調器の間にインピーダンスを挿入することによっ
て、周波数帯域の全体的な感度向上を図り、さらに、イ
ンピーダンスの値を変化させることにより、目的とする
帯域の感度向上を図ろうとするものである。
【００１２】
【作用】本発明は、センサロッドと光変調器の電極間
に、インピーダンス素子を挿入することにより、センサ
ロッドの共振周波数を変化させている。センサロッドは
共振状態でもっとも効率よく電界を検出することができ
るので、従来の共振を起こさない領域で使用していた場
合に比べ感度向上を図ることができる。また、センサロ
ッドの共振周波数は挿入するインピーダンスの値を変え
ることにより制御できるので、感度向上を図る周波数を
希望する値に設定することもできる。
に、インピーダンス素子を挿入することにより、センサ
ロッドの共振周波数を変化させている。センサロッドは
共振状態でもっとも効率よく電界を検出することができ
るので、従来の共振を起こさない領域で使用していた場
合に比べ感度向上を図ることができる。また、センサロ
ッドの共振周波数は挿入するインピーダンスの値を変え
ることにより制御できるので、感度向上を図る周波数を
希望する値に設定することもできる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は本発明の第１の実施例の構成を示す
斜視図である。同図において、１は光源、13は光変調手
段である光変調であり、11は変調された光信号を電気信
号に変換する光検出手段である光検出器、12は変換され
た電気信号を出力電圧として表示するレベル測定器であ
る。14は光源１と光変調器13と光結合する光ファイバで
あり、シングルモードでかつ偏波面を保持できる偏波面
保持光ファイバを用いている。15は光変調器13と光検出
器11とを光結合する光ファイバであり、シングルモード
光ファイバを用いている。光変調器13は、光源１側から
順にレンズ４、偏光子５、光学結晶６、位相補償器８、
検光子９、レンズ10が配置されてなる。光学結晶６は電
気光学効果を有し、17は２本１組のセンサロッドと光変
調器の隙間に挿入された装荷インピーダンスで本実施例
ではインダクタンスを使用している。
に説明する。図１は本発明の第１の実施例の構成を示す
斜視図である。同図において、１は光源、13は光変調手
段である光変調であり、11は変調された光信号を電気信
号に変換する光検出手段である光検出器、12は変換され
た電気信号を出力電圧として表示するレベル測定器であ
る。14は光源１と光変調器13と光結合する光ファイバで
あり、シングルモードでかつ偏波面を保持できる偏波面
保持光ファイバを用いている。15は光変調器13と光検出
器11とを光結合する光ファイバであり、シングルモード
光ファイバを用いている。光変調器13は、光源１側から
順にレンズ４、偏光子５、光学結晶６、位相補償器８、
検光子９、レンズ10が配置されてなる。光学結晶６は電
気光学効果を有し、17は２本１組のセンサロッドと光変
調器の隙間に挿入された装荷インピーダンスで本実施例
ではインダクタンスを使用している。
【００１４】以上のように構成した第１の実施例の動作
および作用を述べる。光源１は、無変調の光信号を偏波
面保持光ファイバ14を通して、光変調器13に入射する。
この光信号の伝送において、光ファイバ14はシングルモ
ードで光伝送を行い、かつ光信号の光波の偏波面を保持
する。光変調器13に入射された光信号は、レンズ４を通
り、偏光子５を通って光学結晶６内を通る。ここで。偏
光子５は光学結晶６の光軸に対し45°傾いた直線偏波の
光信号のみを通して光学結晶６に入射させる。入射され
た光信号は、光変調電極16, 16’に印加される電圧によ
り位相変調され、楕円偏波成分から特定の偏波成分が取
り出され、強度変調された光信号として、レンズ10を通
り、シングルモード光ファイバ15を通って光検出器11へ
伝送される。フォトダイオードで電気信号に変換された
信号はレベル測定器で出力電圧として測定される。
および作用を述べる。光源１は、無変調の光信号を偏波
面保持光ファイバ14を通して、光変調器13に入射する。
この光信号の伝送において、光ファイバ14はシングルモ
ードで光伝送を行い、かつ光信号の光波の偏波面を保持
する。光変調器13に入射された光信号は、レンズ４を通
り、偏光子５を通って光学結晶６内を通る。ここで。偏
光子５は光学結晶６の光軸に対し45°傾いた直線偏波の
光信号のみを通して光学結晶６に入射させる。入射され
た光信号は、光変調電極16, 16’に印加される電圧によ
り位相変調され、楕円偏波成分から特定の偏波成分が取
り出され、強度変調された光信号として、レンズ10を通
り、シングルモード光ファイバ15を通って光検出器11へ
伝送される。フォトダイオードで電気信号に変換された
信号はレベル測定器で出力電圧として測定される。
【００１５】電界センサの周波数特性を理論解析するた
めに、図２に示すような等価回路を考える。Cmを光変調
器の入力インピーダンスで、変調器に使用される結晶の
抵抗は非常に大きいためキャパシタンスで表わすことが
できる。Lmは装荷インピーダンスで本実施例の場合はイ
ンダクタンス、Zaはセンサロッドの駆動点インピーダン
ス、heはセンサロッドの実効長、Ｅは測定電界強度であ
る。
めに、図２に示すような等価回路を考える。Cmを光変調
器の入力インピーダンスで、変調器に使用される結晶の
抵抗は非常に大きいためキャパシタンスで表わすことが
できる。Lmは装荷インピーダンスで本実施例の場合はイ
ンダクタンス、Zaはセンサロッドの駆動点インピーダン
ス、heはセンサロッドの実効長、Ｅは測定電界強度であ
る。
【００１６】いま、光変調器の電極間に印加される電圧
をVcとするとセンサの感度Ａ［dB］は次式で定義され
る。
をVcとするとセンサの感度Ａ［dB］は次式で定義され
る。
【数１】 但し、
【数２】
【００１７】更に、100Hz における感度Ａ(100) に対す
る相対感度As［dB］は次式になる。 ＡS(f)＝Ａ(f) −Ａ(100) （３）
る相対感度As［dB］は次式になる。 ＡS(f)＝Ａ(f) −Ａ(100) （３）
【００１８】ここで、Za, heはモーメント法を用いて求
め、Cmは低周波での実測値を用いた。解析結果を図３の
実線で示す。同図に示すように、挿入するインダクタン
スＬの値を変化させることにより、感度を10dB〜30dB程
度増加させることができることがわかる。
め、Cmは低周波での実測値を用いた。解析結果を図３の
実線で示す。同図に示すように、挿入するインダクタン
スＬの値を変化させることにより、感度を10dB〜30dB程
度増加させることができることがわかる。
【００１９】本実施例の特性例を図４に示す。本実施例
では、エレメント長140mm 、光変調器の入力容量14.8p
F、挿入したインダクタンス200nH である。また、黒点
は測定値（測定条件：光入力電力：11dBm, ＡＰＤバイ
アス：38Ｖ）、実線は理論値である。
では、エレメント長140mm 、光変調器の入力容量14.8p
F、挿入したインダクタンス200nH である。また、黒点
は測定値（測定条件：光入力電力：11dBm, ＡＰＤバイ
アス：38Ｖ）、実線は理論値である。
【００２０】図４より、この電界センサの場合、インダ
クタンスを挿入することにより、感度を30dB程度向上で
きること、その結果は理論解析の結果とほぼ一致してい
る。図より、この電界センサの場合、インダクタンスを
挿入することにより、感度を30dB程度向上できること、
その結果は理論解析の結果とほぼ一致していることがわ
かる。
クタンスを挿入することにより、感度を30dB程度向上で
きること、その結果は理論解析の結果とほぼ一致してい
る。図より、この電界センサの場合、インダクタンスを
挿入することにより、感度を30dB程度向上できること、
その結果は理論解析の結果とほぼ一致していることがわ
かる。
【００２１】また、センサロッド長がλ／２より長くな
ると、図２の等価回路に示す駆動点インピーダンスは誘
導性になる（例えばKraus"Antenna", マグロウヒルブッ
ク（株）発行，1950年，pp.239-246）。従って、その場
合は、インピーダンスとしてキャパシタンスを使用する
ことにより、同様に、電界センサの感度特性を改善でき
る。
ると、図２の等価回路に示す駆動点インピーダンスは誘
導性になる（例えばKraus"Antenna", マグロウヒルブッ
ク（株）発行，1950年，pp.239-246）。従って、その場
合は、インピーダンスとしてキャパシタンスを使用する
ことにより、同様に、電界センサの感度特性を改善でき
る。
【００２２】次に、本発明の別の実施例を図５に示す。
同図において、１は光源、11は光検出器、12はレベル測
定器、13は光変調器（マッハ・ツェンダ型変調器）、14
は光源との間を結ぶ偏波面保持光ファイバ、15は光検出
器との間を結ぶシングルモード光ファイバ、16は変調器
電極、17は装荷された可変インピーダンス、18はセンサ
外部筐体である。
同図において、１は光源、11は光検出器、12はレベル測
定器、13は光変調器（マッハ・ツェンダ型変調器）、14
は光源との間を結ぶ偏波面保持光ファイバ、15は光検出
器との間を結ぶシングルモード光ファイバ、16は変調器
電極、17は装荷された可変インピーダンス、18はセンサ
外部筐体である。
【００２３】本実施例の場合、第１の実施例のように、
光変調器13として、光学結晶でなく導波路型にＩＣ化
（Ti拡散LiNbO3基盤）されたマッハツェンダ型干渉計を
用いているため、レンズ、偏光子、検光子を必要としな
い。光変調器13は、ロッド７の隙間に、装荷された可変
インピーダンス素子17を介し、センサ外部筐体18の内部
に配置される。さらに、センサ外部筐体18を貫通して光
信号の入出力用の光ファイバ14,15が取り付けられる。
センサ外部筐体は、その外側に２本の金属棒からなるセ
ンサロッド７，７’を互いに反対方向に延びるように固
定すると同時に、それらのセンサロッド７，７’の間に
隙間を確保するためのものである。光源としては例えば
波長1.3 μｍのＬＤ励起のＹＡＧレーザ光源等を用い
る。
光変調器13として、光学結晶でなく導波路型にＩＣ化
（Ti拡散LiNbO3基盤）されたマッハツェンダ型干渉計を
用いているため、レンズ、偏光子、検光子を必要としな
い。光変調器13は、ロッド７の隙間に、装荷された可変
インピーダンス素子17を介し、センサ外部筐体18の内部
に配置される。さらに、センサ外部筐体18を貫通して光
信号の入出力用の光ファイバ14,15が取り付けられる。
センサ外部筐体は、その外側に２本の金属棒からなるセ
ンサロッド７，７’を互いに反対方向に延びるように固
定すると同時に、それらのセンサロッド７，７’の間に
隙間を確保するためのものである。光源としては例えば
波長1.3 μｍのＬＤ励起のＹＡＧレーザ光源等を用い
る。
【００２４】以上のように構成した第２の実施例の動作
および作用を述べる。光源より出射された無変調の光信
号は、例えば偏波面保持光ファイバ14に入射される。こ
の光ファイバ14を伝送した光信号は電気光学効果を持つ
光変調器１３の中を通る。ここで、第１の実施例と同様
に、外部電界によって変調器電極16，16’間に生じる電
圧により強度変調を受ける。すなわち、アンテナロッド
７，７’に外部電界より高周波電流が流れると、変調器
電極16，16’間に電圧が生じる。この電圧により、変調
器電極16，16’間に強い電界が生じ、光変調器13を構成
しているTi拡散LiNbO3光導波路の誘電率が変化する。こ
のため、導波路Ｐ１，Ｐ２を通る光波に時間差が生じ、
それらの交点で光波の干渉が起きる。光波の干渉は印加
電圧に応じ変化するので、その結果、光波は外部電界に
比例した光強度変調を受けることになる。このように変
調された光信号は、今度はシングルモード光ファイバ15
に入射され伝送され、センサより離れたところにある光
検出器により電気信号に変換された後、レベル測定器に
よりレベルが測定される。
および作用を述べる。光源より出射された無変調の光信
号は、例えば偏波面保持光ファイバ14に入射される。こ
の光ファイバ14を伝送した光信号は電気光学効果を持つ
光変調器１３の中を通る。ここで、第１の実施例と同様
に、外部電界によって変調器電極16，16’間に生じる電
圧により強度変調を受ける。すなわち、アンテナロッド
７，７’に外部電界より高周波電流が流れると、変調器
電極16，16’間に電圧が生じる。この電圧により、変調
器電極16，16’間に強い電界が生じ、光変調器13を構成
しているTi拡散LiNbO3光導波路の誘電率が変化する。こ
のため、導波路Ｐ１，Ｐ２を通る光波に時間差が生じ、
それらの交点で光波の干渉が起きる。光波の干渉は印加
電圧に応じ変化するので、その結果、光波は外部電界に
比例した光強度変調を受けることになる。このように変
調された光信号は、今度はシングルモード光ファイバ15
に入射され伝送され、センサより離れたところにある光
検出器により電気信号に変換された後、レベル測定器に
よりレベルが測定される。
【００２５】以上のように、光源からの光信号が受ける
変調の強度は外部電界の強さに依存するので本実施例は
電界センサとして動作することができる。上記実施例で
は、ダイポール状のロッドを持つ電界センサを例に説明
したが、本発明は、他の種々の形状のロッドを持つ電界
センサの場合にも当然に適用可能である。
変調の強度は外部電界の強さに依存するので本実施例は
電界センサとして動作することができる。上記実施例で
は、ダイポール状のロッドを持つ電界センサを例に説明
したが、本発明は、他の種々の形状のロッドを持つ電界
センサの場合にも当然に適用可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
センサロッドと光変調器の間に、値を変化させることが
できる装荷インピーダンスを挿入することにより、感度
を向上させることができると共に、被測定電界の周波数
に応じた周波数を選択できる。
センサロッドと光変調器の間に、値を変化させることが
できる装荷インピーダンスを挿入することにより、感度
を向上させることができると共に、被測定電界の周波数
に応じた周波数を選択できる。
【図１】本発明の第１の実施例の構成を示す斜視図であ
る。
る。
【図２】第１の実施例の等価回路を示す図である。
【図３】第１の実施例の周波数特性の理論解析結果を示
す特性図である。
す特性図である。
【図４】第１の実施例の周波数特性の測定結果を示す特
性図である。
性図である。
【図５】本発明の第２の実施例の構成を示す構成図であ
る。
る。
【図６】従来例の基本的構成を示すブロック図である。
【図７】従来例の具体的構造を示す図である。
【図８】従来例の感度特性を示す特性図である。
【図９】従来例の周波数特性を示す特性図である。
１ 光源 ２ レンズ ３ 光ファイバケーブル ４ レンズ ５ 偏光子 ６ 光学結晶 ７ センサロッド ８ 位相補償器 ９ 検光子 10 レンズ 11 光検出器 12 レベル測定器 13 光変調器 14 偏波面保持光ファイバ 15 シングルモード光ファイバ 16 光変調器電極 17 可変インピーダンス 18 センサ外部筐体
フロントページの続き (72)発明者 小 林 隆 一 茨城県那珂郡東海村白方字白塚原1722ー １ (56)参考文献 特開 平２−184772（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01R 29/08
Claims (4)
- 【請求項１】 センサロッドを構成する２つの金属棒を
狭い隙間を介して直列に配置し、その隙間に印加電圧に
より光強度が変化する光変調器を挿入し、この２つの金
属棒と光変調器より離れた位置に置かれた光源より無変
調の光信号を光ファイバを用いて伝送し、これを外部電
界によって金属棒の隙間に生じる電圧により光変調器で
変調し、変調された光信号成分をセンサ外部の光検出器
に光ファイバを用いて伝送して検出することにより、セ
ンサ本体が置かれた地点の電界強度を測定する電界セン
サにおいて、光変調器の各電極とセンサロッドを構成す
る各金属棒の間にインピーダンスを各々装荷することを
特徴とするインピーダンス装荷型電界センサ。 - 【請求項２】 前記装荷したインピーダンスとしてイン
ダクタンスを用いる請求項１記載のインピーダンス装荷
型電界センサ。 - 【請求項３】 前記装荷したインピーダンスとしてキャ
パシタンスを用いる請求項１記載のインピーダンス装荷
型電界センサ。 - 【請求項４】 前記光変調器としてマッハ・ツェンダ型
干渉計を用いる請求項１記載のインピーダンス装荷型電
界センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3072187A JP2995638B2 (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | インピーダンス装荷型電界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3072187A JP2995638B2 (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | インピーダンス装荷型電界センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04285866A JPH04285866A (ja) | 1992-10-09 |
| JP2995638B2 true JP2995638B2 (ja) | 1999-12-27 |
Family
ID=13481961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3072187A Expired - Lifetime JP2995638B2 (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | インピーダンス装荷型電界センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2995638B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103134997B (zh) * | 2013-01-30 | 2015-11-25 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种基于光学原理的雷电探测装置 |
-
1991
- 1991-03-13 JP JP3072187A patent/JP2995638B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04285866A (ja) | 1992-10-09 |
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