JP2991994B2 - Semiconductor circuit system, inspection method of semiconductor integrated circuit, and method of generating inspection sequence - Google Patents

Semiconductor circuit system, inspection method of semiconductor integrated circuit, and method of generating inspection sequence

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、相異なるしきい値
を有するMOSトランジスタを搭載した半導体集積回路
を含むMT−CMOS半導体回路システム,半導体集積
回路の検査方法及びその検査系列の生成方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an MT-CMOS semiconductor circuit system including a semiconductor integrated circuit on which MOS transistors having different thresholds are mounted, an inspection method of the semiconductor integrated circuit, and a method of generating the inspection sequence.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体装置の小型化や高集積化の
ために、半導体集積回路の低電力化が要請されている。
この低電力化のためには、電源電圧の低減が効果的な手
段である。しかしながら、電源電圧を下げるとトランジ
スタの動作速度が遅くなるという問題がある。そこで、
CMOS半導体装置で構成される半導体集積回路の1つ
として、搭載されるMOSトランジスタを低しきい値電
圧を有するMOSトランジスタ(低しきい値MOSトラ
ンジスタ)と、高いしきい値電圧を有するMOSトラン
ジスタ(高しきい値MOSトランジスタ)とを配置した
MT−CMOS(マルチスレッシュホルド(Multi-Thre
shold )CMOS)半導体集積回路が提案されている。
2. Description of the Related Art In recent years, in order to reduce the size and increase the degree of integration of semiconductor devices, there has been a demand for lower power semiconductor integrated circuits.
To reduce the power, it is effective to reduce the power supply voltage. However, there is a problem that when the power supply voltage is reduced, the operation speed of the transistor is reduced. Therefore,
As one of the semiconductor integrated circuits constituted by the CMOS semiconductor devices, the MOS transistors mounted are a MOS transistor having a low threshold voltage (low threshold MOS transistor) and a MOS transistor having a high threshold voltage ( MT-CMOS (Multi-Threshold (Multi-Thre
Shold) CMOS) semiconductor integrated circuits have been proposed.

【0003】従来提案されているMT−CMOS半導体
集積回路の例として、例えば電子情報通信学会:信学技
報 ICD93-107 (1993-10)に示される技術がある。以下、
図13を参照しながら、従来のMT−CMOS半導体集
積回路について説明する。
As an example of a conventionally proposed MT-CMOS semiconductor integrated circuit, there is a technique disclosed in, for example, IEICE: IEICE Technical Report ICD93-107 (1993-10). Less than,
A conventional MT-CMOS semiconductor integrated circuit will be described with reference to FIG.

【0004】図13は、このMT−CMOS半導体集積
回路の構成を概略的にかつ一部を抜き出して示す電気回
路図である。同図に示すように、作動用電圧VDDを供給
する電源端子100と、接地電位VGNを供給する接地端
子101との間には、多数の低しきい値トランジスタ
(以下、LVth−Tr と略記する)が配置された論理ゲ
ート99が介設されている。そして、電源端子100と
論理ゲート99との間にはpチャネル高しきい値トラン
ジスタ91(以下、HVth−Tr と略記する)が、論理
ゲート99と接地端子101との間にはnチャネルHV
th−Tr 92がそれぞれ介設されている。すなわち、論
理ゲート99内の各トランジスタ93〜96は低しきい
値を有しているので、動作速度が速く高速演算が可能で
ある。反面、リーク電流が大きいので、無駄な消費電力
が増大する虞れがある。そこで、論理ゲート99と電源
端子100,接地端子101との間にHVth−Tr 9
1,92を介設している。
FIG. 13 is an electric circuit diagram schematically showing a configuration of the MT-CMOS semiconductor integrated circuit, and a part of the configuration is extracted. As shown in the figure, a large number of low threshold transistors (hereinafter abbreviated as LVth-Tr) are provided between a power supply terminal 100 for supplying the operating voltage VDD and a ground terminal 101 for supplying the ground potential VGN. ) Are interposed. A p-channel high threshold transistor 91 (hereinafter abbreviated as HVth-Tr) is provided between the power supply terminal 100 and the logic gate 99, and an n-channel HV is provided between the logic gate 99 and the ground terminal 101.
th-Tr 92 is interposed. That is, since each of the transistors 93 to 96 in the logic gate 99 has a low threshold value, the operation speed is high and high-speed operation is possible. On the other hand, since the leakage current is large, there is a possibility that wasteful power consumption increases. Therefore, HVth-Tr 9 is applied between the logic gate 99 and the power supply terminal 100 and the ground terminal 101.
1, 92 are interposed.

【0005】以下、同図の回路における動作を具体的に
説明する。論理ゲート99とpチャネルHVth−Tr 9
1との間のノード97の電位は仮想電源電位VDDVであ
り、論理ゲート99とnチャネルHVth−Tr 92との
間のノード98の電位は、仮想接地電位VGNVである。
論理ゲート99の動作時にはHVth−Tr 91,92を
ONとすることで、仮想電源端子となるノード97と、
仮想接地端子となるノード98とに電荷が供給され、L
Vth−Tr 93〜96で構成された論理ゲート99は、
高速に動作するようになる。逆に、スタンバイ時にはH
Vth−Tr 91をOFFとすることで電源端子100か
ら論理ゲート99への電圧の供給が断たれるとともに、
HVth−Tr 92がOFFとなることで論理ゲート99
から接地端子101へのリーク電流は抑制される。した
がって、電源端子100から接地端子101へのリーク
は非常に小さく押えられる。
The operation of the circuit shown in FIG. 1 will be specifically described below. Logic gate 99 and p-channel HVth-Tr 9
1 is a virtual power supply potential VDDV, and the potential of a node 98 between the logic gate 99 and the n-channel HVth-Tr 92 is a virtual ground potential VGNV.
By turning on the HVth-Tr 91 and 92 during the operation of the logic gate 99, a node 97 serving as a virtual power supply terminal is provided.
Charge is supplied to a node 98 serving as a virtual ground terminal, and L
The logic gate 99 composed of Vth-Tr 93 to 96
It operates at high speed. Conversely, H during standby
By turning off Vth-Tr 91, supply of voltage from the power supply terminal 100 to the logic gate 99 is cut off.
When the HVth-Tr 92 is turned off, the logic gate 99 is turned off.
Leakage current from the ground terminal 101 to the ground terminal 101 is suppressed. Therefore, the leakage from the power supply terminal 100 to the ground terminal 101 is kept very small.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
MT−CMOS半導体集積回路においては、各トランジ
スタの故障が生じた場合には、以下のような不具合が生
じる虞れがあった。例えば、HVth−Tr 91,92が
故障のためにOFF状態にならない場合を想定する。そ
の場合、論理ゲート99の作動指令があるときには、H
Vth−Tr 91,92はON状態であるので、論理ゲー
ト99は正常に動作する。一方、論理ゲート99のスタ
ンバイ指令があるときには、HVth−Tr 91,92が
ONのままである。すなわち、HVth−Tr 91,92
が故障のためにOFFにならない場合でも、論理ゲート
99内の各素子は正しく動作するので、論理ゲート99
の動作に悪影響を及ぼすことはない。ところが、スタン
バイ時にHVth−Tr 91,92がOFFにならない
と、論理ゲート99を介して電源端子100から接地端
子101に流れるリーク電流が増大する。このように、
スタンバイ時におけるリーク電流が増大するのでは、H
Vth−Tr を設けた意味がなくなり、高速動作が可能で
消費電力が小さいというMT−CMOS半導体集積回路
の有利性が発揮できないことになる。
However, in the conventional MT-CMOS semiconductor integrated circuit, when each transistor fails, the following problems may occur. For example, it is assumed that the HVth-Trs 91 and 92 are not turned off due to a failure. In this case, when there is an operation command for the logic gate 99, H
Since Vth-Tr 91 and 92 are ON, the logic gate 99 operates normally. On the other hand, when there is a standby command for the logic gate 99, the HVth-Tr 91, 92 remain ON. That is, HVth-Tr 91, 92
Even if is not turned off due to a failure, each element in the logic gate 99 operates correctly,
It does not adversely affect the operation of. However, if the HVth-Trs 91 and 92 are not turned off during standby, the leakage current flowing from the power supply terminal 100 to the ground terminal 101 via the logic gate 99 increases. in this way,
If the leakage current during standby increases,
There is no point in providing Vth-Tr, and the advantage of the MT-CMOS semiconductor integrated circuit that high-speed operation is possible and power consumption is small cannot be exhibited.

【0007】しかるに、従来のMT−CMOS半導体集
積回路においては、このようなHVth−Tr 91,92
がスタンバイ指令に応じてOFFにならない故障を検知
することができないので、リークオフ電流の増大を有効
に防止することができなかった。
However, in the conventional MT-CMOS semiconductor integrated circuit, such HVth-Tr 91, 92
Cannot detect a failure that does not turn off in response to a standby command, and thus cannot effectively prevent an increase in leakage off current.

【0008】以上のような問題は、HVth−Tr の動作
だけでなく、電源端子−論理ゲート間の配線,素子等の
部材と、論理ゲート−接地端子間の配線,素子等の部材
との間でショートを生じている場合にも同様に生じる。
[0008] The above problems are caused not only by the operation of the HVth-Tr, but also by the wiring and elements between the power supply terminal and the logic gate and the wiring and elements between the logic gate and the ground terminal and the members such as the elements. Also occurs when a short circuit occurs at

【0009】本発明の第1の目的は、従来のMT−CM
OS半導体集積回路においては、MT−CMOS半導体
集積回路の論理回路内の故障と、論理回路外の故障つま
りHVth−Tr の動作不良や配線のショートによる故障
とを区別して検出しうる手段がなかったために上述のよ
うな問題が内在していた点に着目し、論理回路内の故障
と論理回路外の故障とを区別して検出する手段を講ずる
ことにより、高速動作が可能で消費電力が小さいという
機能を確実に発揮しうるMT−CMOS半導体集積回路
を含む半導体回路システム及び半導体集積回路の検査方
法を提供することにある。
A first object of the present invention is to provide a conventional MT-CM
In the OS semiconductor integrated circuit, there is no means for distinguishing and detecting a fault in the logic circuit of the MT-CMOS semiconductor integrated circuit and a fault outside the logic circuit, that is, a fault due to an HVth-Tr operation failure or a wiring short. Focusing on the fact that the above-mentioned problems were inherent, and taking measures to distinguish and detect faults in the logic circuit and faults outside the logic circuit, a function capable of high-speed operation and low power consumption It is an object of the present invention to provide a semiconductor circuit system including an MT-CMOS semiconductor integrated circuit and a method for inspecting a semiconductor integrated circuit, which can surely exhibit the above.

【0010】また、現在の信号線の論理的な故障を検査
する系列を自動的に生成するシステムは、通常のCMO
S半導体集積回路中の論理ゲートの出力信号線または入
力信号線だけの故障を対象としている。したがって、現
在の検査系列の生成システムを使用して論理回路の正常
・非正常を検査しようとしても、HVth−Tr が動作す
べき状態と動作すべきでない状態とを区別することがで
きないので、現在の検査系列の生成システムをそのまま
使用しても論理回路内の検査系列を自動的に生成するこ
とができない。
A system for automatically generating a sequence for checking a logical fault of a current signal line is a conventional CMO.
It is intended for failure of only the output signal line or input signal line of the logic gate in the S semiconductor integrated circuit. Therefore, even if an attempt is made to check whether the logic circuit is normal or abnormal using the current test sequence generation system, it is not possible to distinguish between a state in which HVth-Tr should operate and a state in which HVth-Tr should not operate. Even if the test sequence generation system described above is used as it is, the test sequence in the logic circuit cannot be automatically generated.

【0011】本発明の第2の目的は、現在使用されてい
るCMOS半導体集積回路の検査の方式を利用しなが
ら、論理回路内の検査系列を自動的に生成しうるMT−
CMOS半導体集積回路の検査系列生成方法を提供する
ことにある。
A second object of the present invention is to provide a method for automatically generating a test sequence in a logic circuit while utilizing a currently used test method of a CMOS semiconductor integrated circuit.
An object of the present invention is to provide a method of generating a test sequence for a CMOS semiconductor integrated circuit.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記第1の目的を達成す
るために、本発明の講じた手段は、検査信号の種類に応
じてHVth−Tr のオン・オフを制御する機能を設ける
ことにある。具体的には、請求項1〜8に記載されてい
る半導体回路システムに関する手段と、請求項請求項9
〜11に記載される半導体集積回路の検査方法に関する
手段とを講じている。
Means for Solving the Problems In order to achieve the first object, the means taken by the present invention is to provide a function for controlling the on / off of HVth-Tr in accordance with the type of a test signal. is there. Specifically, means relating to the semiconductor circuit system described in claims 1 to 8, and claim 9
To 11 relating to the method of inspecting a semiconductor integrated circuit.

【0013】請求項1に係る半導体回路システムは、半
導体集積回路の内部又は外部に、上記半導体集積回路の
正常・非正常を検査するよう指令する検査指令手段を有
する半導体回路システムであって、上記半導体集積回路
は、高電位側電圧を供給するための第1の端子と、低電
位側電圧を供給するための第2の端子と、上記第1の端
子と上記第2の端子との間に介設され、複数の低しきい
値トランジスタを配置して構成された少なくとも1つの
論理回路と、上記第1の端子及び上記第2の端子のうち
少なくともいずれか一方と上記論理回路との間に介設さ
れ、オン・オフの切換わりにより上記論理回路を動作状
態とスタンバイ状態とに切換えるための高しきい値トラ
ンジスタと、上記第1の端子,第2の端子,論理回路及
び高しきい値トランジスタ間を接続する論理回路外配線
と、上記検査指令手段からの検査指令を受けたときに、
検査指令の種類に応じて上記高しきい値トランジスタの
オン・オフを制御する状態制御部とを備えている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor circuit system having inspection instruction means for issuing an instruction to inspect whether the semiconductor integrated circuit is normal or abnormal inside or outside the semiconductor integrated circuit. The semiconductor integrated circuit includes a first terminal for supplying a high-potential-side voltage, a second terminal for supplying a low-potential-side voltage, and a circuit between the first terminal and the second terminal. An intervening at least one logic circuit configured by arranging a plurality of low-threshold transistors, between at least one of the first terminal and the second terminal and the logic circuit; A high-threshold transistor for switching the logic circuit between an operating state and a standby state by switching on and off; a first terminal, a second terminal, a logic circuit, and a high-threshold transistor Tiger A logic circuit outside the wiring for connecting the register, upon receiving a test command from the test command means,
A state control unit that controls on / off of the high threshold transistor in accordance with the type of the inspection command.

【0014】これにより、MT−CMOS半導体回路シ
ステム内における高しきい値トランジスタがオン・オフ
したときの電流や論理回路の動作状態を調べることが可
能となり、論理回路内の故障と、論理回路外の故障つま
り論理回路外配線のショートや高しきい値トランジスタ
の動作不良による故障とを区別して検査することが可能
になる。
This makes it possible to check the current when the high threshold transistor in the MT-CMOS semiconductor circuit system is turned on and off and the operating state of the logic circuit, and to determine whether a fault has occurred in the logic circuit and whether the logic circuit has been damaged. , That is, a failure due to a short circuit of the wiring outside the logic circuit or a malfunction of the high-threshold transistor can be distinguished and inspected.

【0015】請求項2に係る半導体回路システムは、請
求項1において、上記状態制御部により、上記検査指令
手段から上記論理回路外配線及び上記高しきい値トラン
ジスタの検査指令を受けたときには、上記高しきい値ト
ランジスタをオフ状態にするように制御するようにした
ものである。
According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor circuit system according to the first aspect, when the state control unit receives a test command for the external logic circuit wiring and the high threshold transistor from the test command means, The high threshold transistor is controlled to be turned off.

【0016】これにより、上記論理回路外配線及び高し
きい値トランジスタの検査時に、上記第1の端子と上記
第2の端子間のパスにおける電流を調べると、論理回路
外配線のショートや高しきい値トランジスタの動作不良
によって無駄な電力が消費されていないかどうかの判断
が可能となる。したがって、無駄な電力が消費されてい
る半導体集積回路を除外することで、低しきい値トラン
ジスタで構成される論理回路内の動作の高速性を確保し
ながら、オフ状態におけるリーク電流が大きいという低
しきい値トランジスタの欠点を確実にカバーすることが
できる。すなわち、低しきい値トランジスタと高しきい
値トランジスタとを配設したMT−CMOS半導体集積
回路の機能を確保することができる。
Thus, when the current in the path between the first terminal and the second terminal is examined at the time of inspecting the wiring outside the logic circuit and the high-threshold transistor, it is possible to determine whether the wiring outside the logic circuit is short-circuited or high. It is possible to determine whether or not useless power is consumed due to a malfunction of the threshold value transistor. Therefore, by excluding a semiconductor integrated circuit in which wasteful power is consumed, a high leakage current in an off state can be obtained while a high speed operation in a logic circuit including low threshold transistors is ensured. The disadvantage of the threshold transistor can be reliably covered. That is, the function of the MT-CMOS semiconductor integrated circuit in which the low threshold transistor and the high threshold transistor are provided can be secured.

【0017】請求項3に係る半導体回路システムは、請
求項2において、上記論理回路を複数個設け、上記第1
の端子及び第2の端子を上記すべての論理回路に対して
共通化しておき、上記状態制御部により上記すべての論
理回路に接続される上記高しきい値トランジスタをオフ
状態にするように制御するものである。
According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor circuit system according to the second aspect, a plurality of the logic circuits are provided.
And the second terminal are shared by all of the logic circuits, and the state control unit controls the high threshold transistors connected to all of the logic circuits to be turned off. Things.

【0018】請求項4に係る半導体回路システムは、請
求項2において、上記論理回路を複数個設け、上記第1
の端子及び第2の端子を上記すべての論理回路のうちの
1つ又は複数の論理回路ごとに共通化しておき、上記状
態制御部により、上記検査指令手段から上記論理回路外
配線及び上記高しきい値トランジスタの検査指令を受け
たときには、上記共通の第1の端子−第2の端子間の論
理回路に接続される上記高しきい値トランジスタをオフ
状態にするように制御するものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor circuit system according to the second aspect, a plurality of the logic circuits are provided.
Terminal and the second terminal are shared by one or a plurality of logic circuits of all the logic circuits, and the state control unit causes the inspection command means to output the wiring outside the logic circuit and the height. When a test command for the threshold transistor is received, the high threshold transistor connected to the logic circuit between the common first terminal and the second terminal is controlled to be turned off.

【0019】請求項3又は4により、第1及び第2の端
子と論理回路との配置関係が電圧の種類や論理回路の種
類等によって変化する場合にも、上記請求項1の作用が
確実に得られることになる。
According to the third or fourth aspect, even when the arrangement relationship between the first and second terminals and the logic circuit changes depending on the type of voltage, the type of logic circuit, and the like, the operation of the first aspect can be ensured. Will be obtained.

【0020】請求項5に係る半導体回路システムは、請
求項1において、上記高しきい値トランジスタを、上記
第1の端子と上記論理回路の間及び上記第2の端子と上
記論理回路との間にそれぞれ介設したものである。
According to a fifth aspect of the present invention, in the semiconductor circuit system according to the first aspect, the high-threshold transistor is connected between the first terminal and the logic circuit and between the second terminal and the logic circuit. Respectively.

【0021】これにより、検査時には高電位側電圧と低
電位側電圧との双方から論理回路が切断されているかど
うかを調べることが可能となる。したがって、無駄な消
費電力の発生をより確実に回避することができる。
Thus, at the time of inspection, it is possible to check whether the logic circuit is disconnected from both the high-potential-side voltage and the low-potential-side voltage. Therefore, wasteful power consumption can be more reliably avoided.

【0022】請求項6に係る半導体回路システムは、請
求項2,3,4又は5において、上記第1の端子−第2
の端子間に流れる電流を検知するための電流検知手段
と、上記電流検知手段の検出値について合否判定のため
の設定値を予め記憶しておく記憶手段と、上記電流検知
手段及び上記記憶手段に接続され、上記検査時に、上記
電流検知手段の検出値が上記設定値以上のときには不合
格と判定する一方、上記電流検知手段の検出値が上記設
定値未満のときには合格と判定する判定手段と、該判定
手段の判定結果を表示する表示手段とをさらに備えてい
る。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor circuit system according to the second, third, fourth or fifth aspect, wherein the first terminal and the second terminal are connected to each other.
A current detecting means for detecting a current flowing between the terminals of the current detecting means, a storage means for storing in advance a set value for a pass / fail judgment with respect to a detection value of the current detecting means, Connected, at the time of the inspection, while the detection value of the current detection means is determined to be rejected when the detection value is equal to or more than the set value, while the detection value of the current detection means is determined to be passed when the detection value is less than the set value, Display means for displaying the result of the determination by the determination means.

【0023】これにより、MT−CMOS型半導体集積
回路中の高しきい値トランジスタの動作不良や又は論理
回路外配線のショートを容易かつ迅速に検出できる検査
装置が得られる。
As a result, it is possible to obtain an inspection apparatus capable of easily and quickly detecting a malfunction of the high threshold transistor in the MT-CMOS type semiconductor integrated circuit or a short circuit of the wiring outside the logic circuit.

【0024】請求項7に係る半導体回路システムは、請
求項1において、上記状態制御部により、上記検査指令
手段から上記論理回路内の検査指令を受けたときには、
上記論理回路のうち検査対象となっている論理回路に接
続される上記高しきい値トランジスタをオン状態にする
ようにしたものである。
According to a seventh aspect of the present invention, in the semiconductor circuit system according to the first aspect, when the state control unit receives a test command in the logic circuit from the test command means,
The high threshold transistor connected to the logic circuit to be inspected among the logic circuits is turned on.

【0025】これにより、高しきい値トランジスタをオ
ン状態にした状態で、論理回路の動作が適正か否かを検
査することが可能になる。
This makes it possible to check whether the operation of the logic circuit is proper or not with the high threshold transistor turned on.

【0026】請求項8に係る半導体回路システムは、請
求項7において、上記論理回路に検査信号を入力する手
段と、上記検査信号に対して上記論理回路が正常な場合
に出力される論理値の期待値を予め記憶する期待値記憶
手段と、上記期待値記憶手段に接続され、上記論理回路
からの出力信号の論理値と上記期待値とを比較して、上
記検査時に、上記出力信号の論理値と上記期待値とが一
致するときには合格と判定する一方、上記出力信号の論
理値と上記期待値とが一致しないときには不合格と判定
する判定手段と、該判定手段の判定結果を表示する表示
手段とをさらに備えている。
In a semiconductor circuit system according to an eighth aspect of the present invention, there is provided the semiconductor circuit system according to the seventh aspect, wherein: a means for inputting a test signal to the logic circuit; An expected value storage means for storing an expected value in advance; and a logic value of the output signal, which is connected to the expected value storage means, compares the logic value of the output signal from the logic circuit with the expected value, and performs the logic of the output signal at the time of the inspection. A determination unit that determines that the value is acceptable when the logical value of the output signal does not match the expected value when the value matches the expected value, and a display that displays a determination result of the determination unit when the logical value of the output signal does not match the expected value. Means.

【0027】これにより、MT−CMOS型半導体集積
回路中の論理回路内の動作不良を容易かつ迅速に検査で
きる検査装置が得られる。
Thus, an inspection apparatus capable of easily and quickly inspecting a malfunction in a logic circuit in an MT-CMOS semiconductor integrated circuit can be obtained.

【0028】請求項9に係る半導体集積回路の検査方法
は、高電位側電圧を供給するための第1の端子と、低電
位側電圧を供給するための第2の端子と、上記第1の端
子と第2の端子との間に介設され、複数の低しきい値ト
ランジスタを配置して構成された少なくとも1つの論理
回路と、上記第1の端子及び上記第2の端子のうち少な
くともいずれか一方と上記論理回路との間に介設され、
オン・オフの切換わりにより上記論理回路を動作状態と
スタンバイ状態とに切換えるための高しきい値トランジ
スタと、上記第1の端子,第2の端子,論理回路及び高
しきい値トランジスタ間を接続する論理回路外配線とを
備えた半導体集積回路の検査方法であって、上記高しき
い値トランジスタをオフ状態にする第1のステップと、
上記第1の端子−第2の端子間に流れる電流を検出する
第2のステップと、上記電流の検出値が設定値以上のと
きには不合格と判定する一方、上記電流の検出値が設定
値未満のときには合格と判定する第3のステップとを備
えている。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a method for testing a semiconductor integrated circuit, comprising: a first terminal for supplying a high-potential-side voltage; a second terminal for supplying a low-potential-side voltage; At least one logic circuit interposed between the terminal and the second terminal and configured by arranging a plurality of low-threshold transistors; and at least one of the first terminal and the second terminal. One of which is interposed between the logic circuit and
A high-threshold transistor for switching the logic circuit between an operation state and a standby state by switching on and off, and connection between the first terminal, the second terminal, the logic circuit, and the high-threshold transistor A method for inspecting a semiconductor integrated circuit, comprising: a wiring outside the logic circuit;
A second step of detecting a current flowing between the first terminal and the second terminal, and determining that the current value is a failure when the detected value is equal to or greater than a set value, while determining that the current value is less than the set value. A third step of determining a pass when

【0029】この方法により、MT−CMOS半導体集
積回路内の論理回路のスタンバイ時に、高しきい値トラ
ンジスタの動作不良又は論理回路外配線のショートによ
って無駄な電流が生じる半導体集積回路を確実に不合格
として排除することができる。すなわち、特性の良好な
MT−CMOS半導体集積回路のみを選別することがで
きる。
According to this method, when the logic circuit in the MT-CMOS semiconductor integrated circuit is on standby, a semiconductor integrated circuit in which useless current is generated due to a malfunction of the high-threshold transistor or a short circuit of wiring outside the logic circuit is surely rejected. Can be excluded. That is, only MT-CMOS semiconductor integrated circuits having good characteristics can be selected.

【0030】請求項10に係る半導体集積回路の検査方
法は、請求項9において、上記論理回路を複数個設け、
上記第1の端子及び第2の端子を上記すべての論理回路
に対して共通化しておき、上記第2のステップでは、上
記すべての論理回路に接続される上記高しきい値トラン
ジスタをオフ状態にする方法である。
According to a tenth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit inspection method according to the ninth aspect, a plurality of the logic circuits are provided.
The first terminal and the second terminal are shared by all the logic circuits, and in the second step, the high threshold transistors connected to all the logic circuits are turned off. How to

【0031】請求項11に係る半導体集積回路の検査方
法は、請求項9において、上記論理回路を複数個設け、
上記第1の端子及び第2の端子を、上記すべての論理回
路のうちの1つ又は複数の論理回路ごとに共通化してお
き、上記第2のステップでは、上記共通の第1の端子−
第2の端子間の論理回路に接続される上記高しきい値ト
ランジスタをオフ状態にする方法である。
According to an eleventh aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit inspection method according to the ninth aspect, a plurality of the logic circuits are provided.
The first terminal and the second terminal are shared by one or a plurality of logic circuits of all the logic circuits, and in the second step, the common first terminal-
This is a method of turning off the high threshold transistor connected to the logic circuit between the second terminals.

【0032】請求項10又は11の方法により、MT−
CMOS半導体集積回路において、第1及び第2の端子
と論理回路との配置関係が電圧の種類や論理回路の種類
等によって変化する場合にも、故障のある半導体集積回
路を確実に検出して排除することが可能となる。
According to the method of claim 10 or 11, the MT-
In a CMOS semiconductor integrated circuit, even when the arrangement relationship between the first and second terminals and the logic circuit changes depending on the type of voltage, the type of logic circuit, and the like, a faulty semiconductor integrated circuit is reliably detected and eliminated. It is possible to do.

【0033】また、上記第2の目的を達成するために、
本発明の講じた手段は、従来の検査系列に加えて電源電
圧を供給する配線の状態に関する記述を追加することに
ある。具体的には、請求項12〜14に記載される半導
体集積回路の検査系列の生成方法に関する手段を講じて
いる。
In order to achieve the second object,
Means taken by the present invention is to add a description relating to the state of the wiring supplying the power supply voltage in addition to the conventional test sequence. Specifically, means for generating a test sequence for a semiconductor integrated circuit according to the twelfth to fourteenth aspects is provided.

【0034】請求項12に係る半導体集積回路の検査系
列の生成方法は、高電位側電圧を供給するための第1の
端子と、低電位側電圧を供給するための第2の端子と、
上記第1の端子と第2の端子との間に介設され、複数の
低しきい値トランジスタを含む多数の素子を配置して構
成された少なくとも1つの論理回路と、上記第1の端子
及び上記第2の端子のうち少なくともいずれか一方と上
記論理回路との間に介設され、オン・オフの切換わりに
より上記論理回路を動作状態とスタンバイ状態とに切換
えるための高しきい値トランジスタと、上記第1の端
子,第2の端子,論理回路及び高しきい値トランジスタ
間を接続する論理回路外配線と、上記高しきい値トラン
ジスタのオン・オフを制御する制御信号を出力する状態
制御部とを有する半導体集積回路の検査系列を生成する
方法であって、上記少なくとも1つの論理回路のうち検
査対象となっている論理回路内の上記各素子間の接続状
態に関する部分回路記述を作成する第1のステップと、
上記第1のステップで作成された部分回路記述に基づ
き、上記検査対象となっている論理回路内における動作
の適正状態を判定するための入出力関係の記述からなる
検査系列を作成する第2のステップと、上記検査系列
に、上記状態制御部から出力される制御信号が、上記検
査対象となっている論理回路に接続される上記高しきい
値トランジスタをオン状態にするモードとなるような新
たな系列を作成して上記第2のステップで作成した検査
系列に付加する第3のステップとを備えている。
According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a method for generating a test sequence for a semiconductor integrated circuit, comprising: a first terminal for supplying a high potential side voltage; a second terminal for supplying a low potential side voltage;
At least one logic circuit interposed between the first terminal and the second terminal and configured by arranging a number of elements including a plurality of low threshold transistors; A high threshold transistor interposed between at least one of the second terminals and the logic circuit for switching the logic circuit between an operating state and a standby state by switching on and off; An external logic circuit wiring connecting the first terminal, the second terminal, the logic circuit and the high threshold transistor, and a state control for outputting a control signal for controlling on / off of the high threshold transistor Generating a test sequence of a semiconductor integrated circuit having a portion, wherein a partial circuit relating to a connection state between the respective elements in a logic circuit to be tested out of the at least one logic circuit. And the first step in creating a predicate,
On the basis of the partial circuit description created in the first step, a second test sequence is created which includes a description of an input / output relationship for determining an appropriate state of operation in the logic circuit to be inspected. A step, in which the control signal output from the state control unit is in a mode in which the high threshold transistor connected to the logic circuit to be tested is turned on in the test sequence. And a third step of creating a new series and adding it to the test series created in the second step.

【0035】この方法により、従来のCMOS半導体集
積回路の検査の方式で生成される検査系列に新たな系列
を追加するだけで、MT−CMOS半導体集積回路内の
論理回路の動作をチェックするための検査に使用できる
検査系列を生成することが可能となる。
According to this method, the operation of the logic circuit in the MT-CMOS semiconductor integrated circuit can be checked only by adding a new sequence to the test sequence generated by the conventional CMOS semiconductor integrated circuit test method. It is possible to generate a test sequence that can be used for a test.

【0036】請求項13に係る半導体集積回路の検査系
列の生成方法は、請求項12において、上記高しきい値
トランジスタが上記第1の端子及び上記第2の端子のう
ち少なくともいずれか一方と上記論理回路との間に複数
個互いに並列に介設されており、上記並列に接続された
複数の高しきい値トランジスタのうち一部が検査専用の
高しきい値トランジスタとして構成されている場合に
は、上記第3のステップでは、上記状態制御部から出力
される制御信号が、上記並列に接続された複数の高しき
い値トランジスタのうち検査専用の高しきい値トランジ
スタのみをオン状態にするモードとなるような新たな系
列を作成する方法である。
According to a thirteenth aspect of the present invention, in the method of generating a test sequence for a semiconductor integrated circuit according to the twelfth aspect, the high threshold transistor is connected to at least one of the first terminal and the second terminal. In the case where a plurality of high threshold transistors connected in parallel with each other between the logic circuit and a plurality of high threshold transistors connected in parallel are configured as high threshold transistors dedicated for inspection. In the third step, the control signal output from the state control unit turns on only the high-threshold transistor dedicated to inspection out of the plurality of high-threshold transistors connected in parallel. This is a method of creating a new series that becomes a mode.

【0037】請求項14に係る半導体集積回路の検査系
列の生成方法は、請求項12において、上記検査対象と
なっている論理回路に接続される上記高しきい値トラン
ジスタは、上記論理回路の検査時に外部から入力される
制御信号に応じてオン状態になるように構成されてお
り、上記第3のステップでは、上記外部から入力される
制御信号が、上記検査対象となっている論理回路を動作
可能状態にするモードとなるような新たな系列を作成し
て、上記第2のステップで作成された検査系列に付加す
る方法である。
According to a fourteenth aspect of the present invention, in the method for generating a test sequence for a semiconductor integrated circuit according to the twelfth aspect, the high-threshold transistor connected to the logic circuit to be tested includes a logic circuit test. The third step is such that the control signal input from the outside activates the logic circuit to be inspected in the third step. This is a method of creating a new series in a mode enabling the state and adding it to the test series created in the second step.

【0038】この方法により、外部から入力される制御
信号によって直接制御される構成を有するMT−CMO
S半導体集積回路についても、論理回路の動作をチェッ
クするための検査系列を生成することができる。
According to this method, an MT-CMO having a structure directly controlled by a control signal input from the outside.
Also for the S semiconductor integrated circuit, a test sequence for checking the operation of the logic circuit can be generated.

【0039】[0039]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

(第1の実施形態)まず、第1の実施形態について説明
する。図1は、第1の実施形態におけるMT−CMOS
半導体回路システムの電気回路図である。
(First Embodiment) First, a first embodiment will be described. FIG. 1 shows an MT-CMOS according to the first embodiment.
It is an electric circuit diagram of a semiconductor circuit system.

【0040】図1に示す半導体集積回路8には、MT−
CMOS半導体装置で構成された複数の論理ブロック7
a〜7xが配設されている。この論理ブロック7a〜7
x内には、作動用電位VDDを供給するための電源端子1
0と接地電位VGNを供給するための接地端子11と間
に、低しきい値トランジスタ(LVth−Tr )を多数配
置して構成される論理回路5a〜5xが介設されてい
る。そして、各論理回路5a〜5xと電源端子10との
間にはpチャネル型高しきい値トランジスタであるpH
Vth−Tr 1a〜1xが、各論理回路5a〜5xと接地
端子11との間にはnチャネル型高しきい値トランジス
タであるnHVth−Tr 2a〜2xがそれぞれ介設され
ている。各pHVth−Tr 1a〜1xと各論理回路5a
〜5xとの間の第1ノード3a〜3xの電位は仮想電源
電位VDDVであり、各nHVth−Tr2a〜2xと各論
理回路5a〜5xとの間の第2ノード4a〜4xの電位
は仮想接地電位VGNVである。また、半導体集積回路8
には、論理回路5a〜5x外の部材つまり各HVth−T
r や配線を検査するための検査信号Sdtを受けると、検
査の対象とする論理ブロック7a〜7x内の各論理回路
5a〜5xを電源端子10及び接地端子11から切断し
てスタンバイ状態にするテスト制御部6aを内蔵する状
態制御部6が設けられている。なお、この状態制御部6
内には、半導体集積回路8の内部から入力される通常制
御信号に応じて論理ブロック7a内のLVth−Tr の動
作を制御する通常制御部6bが配設されている。すなわ
ち、本実施形態では、各論理ブロック7a〜7xに対し
て共通の電源端子10と接地端子11とが設けられてお
り、状態制御部6内のテスト制御部6aにより、検査時
には各論理ブロック7a〜7x内のすべてのpHVth−
Tr 1a〜1x,及びnHVth−Tr 2a〜2xを同時
にオフ状態にするよう制御する構成となっている。な
お、通常制御部6bにより、通常制御信号に応じて、各
論理ブロック7a〜7xの作動時には各HVth−Trが
オンになり、スタンバイ時には各HVth−Trがオフに
なるように制御される。
The semiconductor integrated circuit 8 shown in FIG.
A plurality of logic blocks 7 constituted by CMOS semiconductor devices
a to 7x are provided. These logical blocks 7a to 7
x has a power supply terminal 1 for supplying the operating potential VDD.
Between 0 and the ground terminal 11 for supplying the ground potential VGN, logic circuits 5a to 5x each including a large number of low threshold transistors (LVth-Tr) are provided. A p-channel high-threshold transistor, pH, is provided between each of the logic circuits 5a to 5x and the power supply terminal 10.
Vth-Tr 1a to 1x, and nHVth-Tr 2a to 2x which are n-channel type high threshold transistors are interposed between the logic circuits 5a to 5x and the ground terminal 11, respectively. Each pHVth-Tr 1a to 1x and each logic circuit 5a
The potential of the first nodes 3a to 3x between the logic nodes 5a to 5x is the virtual power supply potential VDDV, and the potential of the second nodes 4a to 4x between the nHVth-Tr 2a to 2x and the logic circuits 5a to 5x is the virtual ground. This is the potential VGNV. In addition, the semiconductor integrated circuit 8
Are members outside the logic circuits 5a to 5x, that is, each HVth-T
When a test signal Sdt for testing r and wiring is received, each of the logic circuits 5a to 5x in the logic blocks 7a to 7x to be tested is disconnected from the power supply terminal 10 and the ground terminal 11 to make a test. A state control unit 6 incorporating a control unit 6a is provided. The state control unit 6
A normal control unit 6b for controlling the operation of the LVth-Tr in the logic block 7a according to a normal control signal input from inside the semiconductor integrated circuit 8 is provided therein. That is, in the present embodiment, a common power supply terminal 10 and a common ground terminal 11 are provided for each of the logic blocks 7a to 7x, and the test control unit 6a in the state control unit 6 controls each of the logic blocks 7a during inspection. All pHVth within ~ 7x
Tr 1a to 1x and nHVth-Tr 2a to 2x are controlled to be simultaneously turned off. The normal control unit 6b controls the HVth-Trs to be turned on when the respective logic blocks 7a to 7x are operating, and to be turned off during the standby mode, according to the normal control signal.

【0041】以上のように構成された半導体集積回路8
の検査方法について、図2及び図3を参照しながら説明
する。
The semiconductor integrated circuit 8 configured as described above
Will be described with reference to FIGS. 2 and 3. FIG.

【0042】図2は、本発明の各実施形態で使用する半
導体集積回路の検査装置であるテスター13の構成を概
略的に示すブロック図である。同図に示すように、テス
ター13は、上記半導体集積回路8の一部の両端に接触
させるためのプローブ14a,14bと、各プローブ1
4a,14bに接続される電流計15と、予め設定値が
記憶されている記憶装置16と、合否を判定するための
判定回路17と、判定回路17の合否に関する信号を受
けて合否を表示するための表示装置18とを備えてい
る。そして、半導体集積回路8の検査時には、各プロー
ブ14a,14bを端子10と端子11との間のいずれ
かの部位に当てることにより、各HVth−Tr の故障等
を検査できるように構成されている。
FIG. 2 is a block diagram schematically showing a configuration of a tester 13 which is a semiconductor integrated circuit inspection apparatus used in each embodiment of the present invention. As shown in the figure, the tester 13 includes probes 14a and 14b for contacting both ends of a part of the semiconductor integrated circuit 8, and each probe 1
An ammeter 15 connected to 4a, 14b, a storage device 16 in which a set value is stored in advance, a determination circuit 17 for determining pass / fail, and a pass / fail indication based on a pass / fail signal of the determination circuit 17 is displayed. And a display device 18. When the semiconductor integrated circuit 8 is inspected, the probes 14a and 14b are applied to any part between the terminal 10 and the terminal 11, so that a failure of each HVth-Tr can be inspected. .

【0043】図3は本実施形態に係る検査の手順を示す
フローチャートである。まず、ステップST11におい
て、検査信号SdtがONになると、テスト制御部6aに
より、各論理ブロック7a〜7x内のpHVth−Tr 1
a〜1x及びnHVth−Tr2a〜2xがオフ状態にな
るように制御される。つまり、各pHVth−Tr 1a〜
1x及びnHVth−Tr 2a〜2xが正常にオフ状態に
なっていれば、各論理回路5a〜5xは電源端子10及
び接地端子11から切断されたスタンバイ状態になって
いるはずである。
FIG. 3 is a flowchart showing the procedure of the inspection according to this embodiment. First, in step ST11, when the inspection signal Sdt is turned on, the test control unit 6a causes the pHVth-Tr 1 in each of the logic blocks 7a to 7x to be set.
a to 1x and nHVth-Tr2a to 2x are controlled to be turned off. That is, each pHVth-Tr 1a ~
If 1x and nHVth-Tr 2a to 2x are normally off, each of the logic circuits 5a to 5x should be in a standby state disconnected from the power supply terminal 10 and the ground terminal 11.

【0044】次に、ステップST12において、パス内
の電流の測定を行なう。これは、電源端子10側で行な
っても接地端子11側で行なってもよい。
Next, in step ST12, the current in the path is measured. This may be performed on the power supply terminal 10 side or the ground terminal 11 side.

【0045】次に、ステップST13において、検査信
号SdtがOFF状態の時における電流(リーク電流値)
の検出値Idtが予め決められている設定値Is よりも小
さいか否かを判別し、Idt<Is であれば合格と判定
し、Idt≧Is であれば不合格と判定する。ただし、設
定値Is は、具体的には以下のように設定されている。
Next, in step ST13, the current (leak current value) when the inspection signal Sdt is in the OFF state.
It is determined whether or not the detected value Idt is smaller than a predetermined set value Is. If Idt <Is, it is determined to pass, and if Idt ≧ Is, it is determined to be reject. However, the set value Is is specifically set as follows.

【0046】すなわち、正常時に流れる電流をIとした
ときに、設定値Is を Is =I+K1 (ただし、K1 は製造工程における特性のばらつきを見
込んだ定数)と設定しておく。そして、この設定値Is
を予め記憶装置16内に記憶しておく。
That is, assuming that the current flowing in a normal state is I, the set value Is is set to Is = I + K1 (where K1 is a constant that allows for variations in characteristics in the manufacturing process). Then, the set value Is
Is stored in the storage device 16 in advance.

【0047】上述のように、本実施形態によれば、MT
−CMOS半導体集積回路中の論理ブロックが検査時に
スタンバイ状態へ移行したかどうかの判定、つまりMT
−CMOS半導体集積回路の高しきい値トランジスタの
動作不良や配線のショート等」に起因する不良品を有効
に検出することができる。ただし、この検査によって検
出される配線のショートは、論理回路7a〜7xの外の
配線のショートをいい、たとえば同じ論理回路(たとえ
ば7a)に接続されているpHVth−Tr (たとえば1
a)のソース側端子とnHV−Tr(たとえば2a)の
ソース側端子との間のショートや、HVth−Trがいず
れか一方のみに配設されている場合における各HVth−
Tr 内のソース・ドレイン間のショートである。
As described above, according to the present embodiment, MT
A determination as to whether a logic block in a CMOS semiconductor integrated circuit has shifted to a standby state during inspection, that is, MT
-Defective products resulting from "malfunction of high threshold transistor of CMOS semiconductor integrated circuit, short circuit of wiring, etc." can be effectively detected. However, the short-circuit of the wiring detected by this inspection refers to a short-circuit of the wiring outside the logic circuits 7a to 7x, for example, pHVth-Tr (for example, 1) connected to the same logic circuit (for example, 7a).
a) between the source-side terminal of nHV-Tr (for example, 2a) and the source-side terminal of nHV-Tr or each HVth-Tr in the case where HVth-Tr is provided in only one of them.
This is a short circuit between the source and the drain in Tr.

【0048】そして、このような製造工程における不良
品を排除することで、特性の良好なMT−CMOS半導
体集積回路のみを選別して市場に供することができる。
By eliminating defective products in such a manufacturing process, only MT-CMOS semiconductor integrated circuits having good characteristics can be selected and put on the market.

【0049】なお、本実施形態では、MT−CMOS半
導体装置で構成された論理ブロックを複数個含むMT−
CMOS半導体集積回路について説明したが、MT−C
MOS半導体装置で構成された論理ブロックを単に1つ
だけ含むMT−CMOS半導体集積回路についても同様
に適用できることはいうまでもない。
In the present embodiment, the MT-CMOS including a plurality of logic blocks constituted by MT-CMOS semiconductor devices is used.
Although the CMOS semiconductor integrated circuit has been described, the MT-C
Needless to say, the present invention can be similarly applied to an MT-CMOS semiconductor integrated circuit including only one logic block constituted by a MOS semiconductor device.

【0050】また、本実施形態では、状態制御部6を各
論理ブロック7a〜7xの外部に設けたが、各論理ブロ
ック7a〜7x内にそれぞれ状態制御部を設けてもよ
い。
In this embodiment, the state control unit 6 is provided outside each of the logical blocks 7a to 7x. However, a state control unit may be provided in each of the logical blocks 7a to 7x.

【0051】また、本実施形態では状態制御部6のテス
ト制御部6aへの入力である検査信号Sdtを半導体集積
回路8の外部から直接供給するように構成したが、各論
理ブロック7a〜7xの内部で生成するように構成して
も、同様の効果が得られる。さらに、本実施形態では通
常制御信号を半導体集積回路8の内部で生成するように
しているが、通常制御信号を半導体集積回路8の外部つ
まり半導体チップの外部から入力するようにしてもよ
い。
In the present embodiment, the test signal Sdt, which is an input to the test control unit 6a of the state control unit 6, is configured to be directly supplied from outside the semiconductor integrated circuit 8, but the test signals Sdt of the logic blocks 7a to 7x are not supplied. The same effect can be obtained even if the configuration is made to generate internally. Further, in the present embodiment, the normal control signal is generated inside the semiconductor integrated circuit 8, but the normal control signal may be input from outside the semiconductor integrated circuit 8, that is, from outside the semiconductor chip.

【0052】(第2の実施形態)次に、第2の実施形態
について、図4及び図5を参照しながら説明する。図4
は第2の実施形態に係るMT−CMOS半導体集積回路
21の構成を概略的に示す電気回路図であり、図5は半
導体集積回路の検査の手順を示すフローチャートであ
る。
(Second Embodiment) Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS. FIG.
FIG. 5 is an electric circuit diagram schematically showing a configuration of the MT-CMOS semiconductor integrated circuit 21 according to the second embodiment, and FIG. 5 is a flowchart showing a procedure of inspection of the semiconductor integrated circuit.

【0053】図4に示す半導体集積回路21は、MT−
CMOS半導体装置で構成された複数の論理ブロック7
a〜7xと、検査時に複数の検査信号Sdt1 〜Sdti を
受けて、論理ブロック7a〜7xの中で検査の対象とす
る1つ又は複数の論理ブロック(以下、論理ブロック部
分集合という)内のpHVth−Tr及びnHVth−Tr
をオフ状態にするよう制御する状態制御部22を備えて
いる。ただし、状態制御部22内には、検査信号Sdt1
〜Sdti を受けるデコーダ22aと、通常制御信号を受
けるデコーダ22bと、各デコーダ22a,22bの出
力を選択するためのセレクタ22cとが内蔵されてい
て、このデコーダ22aにより、各検査信号Sdt1 〜S
dti の組合せに応じて論理ブロック7a〜7xの中で検
査の対象とする論理ブロック部分集合内のpHVth−T
r及びnHVth−Trをオフ状態にする信号を出力する
ように構成されている。そして、セレクタ22cによ
り、検査モードか通常制御モードかを示すモード切り換
え信号に応じて、検査信号又は通常制御信号のいずれか
を選択して出力するように構成されている。
The semiconductor integrated circuit 21 shown in FIG.
A plurality of logic blocks 7 constituted by CMOS semiconductor devices
a to 7x and a plurality of test signals Sdt1 to Sdti at the time of testing, and the pHVth in one or more logical blocks (hereinafter, referred to as a logical block subset) to be tested in the logical blocks 7a to 7x. -Tr and nHVth-Tr
Is provided with a state control unit 22 that controls to turn off the switch. However, the inspection signal Sdt1 is stored in the state control unit 22.
.. Sdti, a decoder 22b for receiving a normal control signal, and a selector 22c for selecting an output of each of the decoders 22a and 22b.
pHVth-T in the logical block subset to be inspected in the logical blocks 7a to 7x according to the combination of dti
It is configured to output a signal for turning off r and nHVth-Tr. The selector 22c is configured to select and output either the inspection signal or the normal control signal in accordance with a mode switching signal indicating the inspection mode or the normal control mode.

【0054】また、各論理ブロック7a〜7xごとに、
電源端子10a〜10xと、接地端子11a〜11xと
を備えている。ただし、各論理ブロック7a〜7x内の
構成は上述の第1の実施形態と同じである。
Further, for each of the logical blocks 7a to 7x,
Power supply terminals 10a to 10x and ground terminals 11a to 11x are provided. However, the configuration in each of the logical blocks 7a to 7x is the same as in the first embodiment.

【0055】次に、検査装置の構成は、基本的には上記
第1の実施形態における図2に示す構成と同じである。
ただし、外部ピンなどに上記図2に示す2つのプローブ
14a,14bを接触させて電流値を検出する。そし
て、設定値Is は Is =I+Kk (ただし、Kk は各論理ブロックにおける製造工程にお
ける特性のばらつきを考慮した定数)と設定されてい
る。また、各接地端子11a〜11xの電位はいずれも
0であるとしている。
Next, the configuration of the inspection apparatus is basically the same as the configuration shown in FIG. 2 in the first embodiment.
However, the current value is detected by bringing the two probes 14a and 14b shown in FIG. 2 into contact with an external pin or the like. The set value Is is set as Is = I + Kk (where Kk is a constant taking into account the variation in characteristics in the manufacturing process of each logic block). Further, it is assumed that the potential of each of the ground terminals 11a to 11x is 0.

【0056】次に、検査手順について、図5のフローチ
ャートを参照しながら説明する。
Next, the inspection procedure will be described with reference to the flowchart of FIG.

【0057】まず、ステップST21において、検査を
行なう論理ブロック部分集合を指定する検査信号の組合
せを状態制御部22のデコーダ22aに入力する。本実
施形態では論理ブロック7aを指定したものとする。こ
れにより、検査対象となる論理ブロック部分集合7a
は、pHVth−Tr 1a又はnHVth−Tr 2aが正常
に作動すれば、電源端子10a又は接地端子11aと接
続を断たれてスタンバイ状態になる。
First, in step ST 21, a combination of check signals specifying a logical block subset to be checked is input to the decoder 22 a of the state control unit 22. In this embodiment, it is assumed that the logical block 7a is specified. As a result, the logical block subset 7a to be inspected is
When the pHVth-Tr 1a or the nHVth-Tr 2a operates normally, the connection to the power terminal 10a or the ground terminal 11a is cut off and the device enters a standby state.

【0058】次に、ステップST22において、論理ブ
ロック部分集合7aにおける電流値Idta の測定を行な
う。ただし、電流値の測定を行なう部位は、電源端子1
0a側又は接地端子11a側のいずれでもよい。
Next, in step ST22, the current value Idta in the logical block subset 7a is measured. However, the portion where the current value is measured is the power terminal 1
It may be either the 0a side or the ground terminal 11a side.

【0059】次に、ステップST23において、ステッ
プST22で検出された電流値Idta が設定値Is より
も小さいか否かを判定する。そして、Idta <Is であ
れば合格と判定する一方、Idta ≧Is であれば不合格
と判定する。
Next, in step ST23, it is determined whether or not the current value Idta detected in step ST22 is smaller than the set value Is. Then, if Idta <Is, it is determined to pass, while if Idta ≧ Is, it is determined to be reject.

【0060】なお、検査を行う論理部分集合として他の
論理ブロックたとえば論理ブロック7xが指定された場
合には、上述と同様の電流値の測定を行い、論理ブロッ
ク部分集合7xのpHVth−Tr 1x又はnHVth−T
r 2xが正常に動作しているか否かを検査する。すなわ
ち、電流値Idtx の測定を行い、検出された電流値Idt
x が設定値Is よりも小さいか否かを判定する。そし
て、Idtx <Is であれば合格と判定する一方、Idtx
≧Is であれば不合格と判定する。
When another logical block, such as the logical block 7x, is designated as the logical subset to be checked, the current value is measured in the same manner as described above, and the pHVth-Tr 1x or the logical block subset 7x is measured. nHVth-T
Check if r2x is working properly. That is, the current value Idtx is measured, and the detected current value Idtx is measured.
It is determined whether or not x is smaller than the set value Is. Then, if Idtx <Is, it is determined to be acceptable, while Idtx
If ≧ Is, it is determined to be rejected.

【0061】本実施形態においても、上記第1の実施形
態と同様に、MT−CMOS半導体集積回路の正常,非
正常の判定を確実に行なうことができる。特に、論理ブ
ロック部分集合ごとに電源電圧が異なるような場合に
も、合否判定を確実に行なうことができる利点がある。
In the present embodiment, as in the first embodiment, it is possible to reliably determine whether the MT-CMOS semiconductor integrated circuit is normal or abnormal. In particular, there is an advantage that the pass / fail judgment can be reliably performed even when the power supply voltage is different for each logical block subset.

【0062】なお、本実施形態では、各MT−CMOS
半導体装置で構成された論理ブロック7a〜7xに1つ
ずつ電源端子10と接地端子11とを設けたが、1つの
論理ブロック例えば7aに複数の電源端子と接地端子と
を設けてもよく、あるいは同じ論理ブロック部分集合に
属する複数の論理ブロックに共通の電源端子と接地端子
とを設けても、本実施形態と同様の効果が得られる。
In this embodiment, each MT-CMOS
Although the power supply terminal 10 and the ground terminal 11 are provided one by one in each of the logic blocks 7a to 7x configured by the semiconductor device, a plurality of power supply terminals and the ground terminal may be provided in one logic block, for example, 7a. Even when a common power supply terminal and a common ground terminal are provided for a plurality of logical blocks belonging to the same logical block subset, the same effect as in the present embodiment can be obtained.

【0063】また、本実施形態では、状態制御部22を
論理ブロック7a〜7xの外に構成したが、各論理ブロ
ックの中に構成してもよい。
Further, in the present embodiment, the state control unit 22 is configured outside the logical blocks 7a to 7x, but may be configured in each logical block.

【0064】さらに、本実施形態では状態制御部22の
デコーダ22aに検査信号Sdt1 〜Sdti を半導体集積
回路8の外部から供給するように構成したが、半導体集
積回路8の内部の論理ブロック7a〜7x内で生成する
よう構成してもよい。また、本実施形態では通常制御信
号を半導体集積回路8の外部から供給するようにしてい
るが、通常制御信号を半導体集積回路8の外部つまり半
導体チップの内部で生成するようにしてもよい。
In this embodiment, the test signals Sdt1 to Sdti are supplied to the decoder 22a of the state control unit 22 from outside the semiconductor integrated circuit 8. However, the logic blocks 7a to 7x inside the semiconductor integrated circuit 8 are provided. It may be configured to be generated within. In the present embodiment, the normal control signal is supplied from outside the semiconductor integrated circuit 8. However, the normal control signal may be generated outside the semiconductor integrated circuit 8, that is, inside the semiconductor chip.

【0065】(第3の実施形態)次に、半導体集積回路
の検査系列の生成方法に関する第3の実施形態について
説明する。図6は、本実施形態に係るMT−CMOS半
導体集積回路41の構成を示す電気回路図である。
(Third Embodiment) Next, a third embodiment relating to a method for generating a test sequence for a semiconductor integrated circuit will be described. FIG. 6 is an electric circuit diagram showing a configuration of the MT-CMOS semiconductor integrated circuit 41 according to the present embodiment.

【0066】図6に示すように、半導体集積回路41の
構成は、基本的には上述の第1の実施形態における図1
に示す半導体集積回路8の構成と同じである。本実施形
態では、論理回路の検査時に状態制御信号MODEが1
になると、検査対象となる論理ブロック7a〜7x内の
論理回路5a〜5xからなる論理回路群43全体を電源
端子10及び接地端子11と接続するように制御するテ
スト制御部42aを内蔵した状態制御部42を備えてい
る。ここで、本実施形態においては、状態制御信号MO
DEが1の時に論理回路群43の作動のONを意味する
ものとする。なお、状態制御部42内には、通常制御信
号に応じて論理回路群43の通常の動作を制御する通常
制御部42bが配設されていることは、上記各実施形態
と同様である。
As shown in FIG. 6, the configuration of the semiconductor integrated circuit 41 is basically the same as that of the first embodiment shown in FIG.
Has the same configuration as the semiconductor integrated circuit 8 shown in FIG. In the present embodiment, the state control signal MODE is set to 1 when the logic circuit is inspected.
, A state control unit having a built-in test control unit 42a for controlling the entire logic circuit group 43 including the logic circuits 5a to 5x in the logic blocks 7a to 7x to be inspected so as to be connected to the power supply terminal 10 and the ground terminal 11 A portion 42 is provided. Here, in the present embodiment, the state control signal MO
When DE is 1, it means that the operation of the logic circuit group 43 is ON. It should be noted that the normal control unit 42b that controls the normal operation of the logic circuit group 43 according to the normal control signal is provided in the state control unit 42, as in the above embodiments.

【0067】図7は、論理回路群43の構成の例を示す
ブロック回路図である。同図に示すように、入力ピンA
〜Dと出力ピンOUTとの間には、回路要素として、フ
リップフロップDFFと、2つのAND回路と、OR回
路と、インバータINVとが配置されている。そして、
各回路要素の識別名や入力ピン名,出力ピン名及び配線
ネット名を図7に示すごとく命名する。
FIG. 7 is a block circuit diagram showing an example of the configuration of the logic circuit group 43. As shown in FIG.
A flip-flop DFF, two AND circuits, an OR circuit, and an inverter INV are arranged as circuit elements between .about.D and the output pin OUT. And
The identification names, input pin names, output pin names, and wiring net names of the respective circuit elements are named as shown in FIG.

【0068】また、図8は、状態制御部42の構成を示
すブロック回路図である。状態制御部42は、通常制御
信号と状態制御信号MODEとを入力信号として、その
論理和を生成するOR回路により構成されている。そし
て、状態制御部42から出力されるHVth−Tr 制御信
号が1のときに各HVth−Tr がONになるように制御
される。すなわち、本実施形態では、図6に示すテスト
制御部42aの機能と通常制御部42bとの機能がOR
回路に組み込まれている。
FIG. 8 is a block circuit diagram showing a configuration of the state control unit 42. As shown in FIG. The state control unit 42 is configured by an OR circuit that generates a logical sum of the normal control signal and the state control signal MODE as input signals. Then, when the HVth-Tr control signal output from the state control unit 42 is 1, each HVth-Tr is controlled to be turned on. That is, in the present embodiment, the function of the test control unit 42a and the function of the normal control unit 42b shown in FIG.
Built into the circuit.

【0069】なお、上述の第1の実施形態におけるテス
ト制御部6aと通常制御部6b(図1参照)の機能を図
8に示すような構成で1つのOR回路により実現するこ
ともできる。
The functions of the test control unit 6a and the normal control unit 6b (see FIG. 1) in the first embodiment can be realized by one OR circuit with the configuration shown in FIG.

【0070】以上のように構成された半導体集積回路の
検査系列の生成方法について、図9のフローチャートに
沿って説明する。
A method of generating a test sequence for a semiconductor integrated circuit configured as described above will be described with reference to the flowchart of FIG.

【0071】ステップST31で、検査対象である論理
回路群43の回路記述として、下記表1に示すネットリ
ストを作成する。
In step ST31, a netlist shown in Table 1 below is created as a circuit description of the logic circuit group 43 to be inspected.

【0072】[0072]

【表1】 [Table 1]

【0073】ここで、sample1はこの論理回路の
名前を示し、inputは外部入力ピンA,B,C,D
を、outputは外部出力ピンOUTを、wire宣
言は、net1〜net4が各セル間の配線ネットであ
ることを示す。また、DFF,AND,OR,INVは
ライブラリに登録されているセル名であり、io〜i4
は各セルを識別するためのインスタンス名である。ne
t1〜net4は、各セル間の配線ネットを表す。上記
表1において、例えばANDに関する記述は、「ライブ
ラリに登録されている論理積素子ANDである素子i1
の入力ピンAは配線ネットnet4に接続され、入力ピ
ンBは外部入力ピンDに接続され、出力ピンYは配線ネ
ットnet2にそれぞれ接続されている」ことを示す。
Here, sample1 indicates the name of this logic circuit, and input indicates the external input pins A, B, C, D
, Output indicates the external output pin OUT, and the wire declaration indicates that net1 to net4 are wiring nets between cells. DFF, AND, OR, and INV are cell names registered in the library, and io to i4
Is an instance name for identifying each cell. ne
t1 to net4 represent wiring nets between cells. In the above Table 1, for example, the description regarding AND is “element i1 which is the AND element AND registered in the library.
, The input pin A is connected to the wiring net net4, the input pin B is connected to the external input pin D, and the output pin Y is connected to the wiring net net2. "

【0074】このように、従来のCMOS半導体装置で
構成される半導体集積回路の回路記述には、各素子間の
信号の伝搬の情報は記述されているが、各素子に供給さ
れる電源に関する記述はない。電源と論理回路との接続
を断つ高しきい値トランジスタが配置されていないの
で、電源の供給が前提となっているからである。本実施
形態においても、検査時には、検査対象である低しきい
値トランジスタのみで構成される論理回路群43中の各
論理回路5a〜5xに電源が供給されていると仮定する
と、論理回路群43は従来のCMOSの回路と同様にみ
なすことができ、以上のようなネットリストとして記述
することができる。
As described above, in the circuit description of the semiconductor integrated circuit constituted by the conventional CMOS semiconductor device, the information on the signal propagation between the elements is described, but the description on the power supplied to each element is described. There is no. This is because supply of power is premised because no high-threshold transistor for disconnecting the power supply from the logic circuit is provided. Also in this embodiment, at the time of inspection, assuming that power is supplied to each of the logic circuits 5a to 5x in the logic circuit group 43 composed only of the low threshold transistors to be inspected, the logic circuit group 43 Can be regarded as a conventional CMOS circuit, and can be described as a netlist as described above.

【0075】次に、ステップST32において、ステッ
プST31で作成したネットリストについて、従来のC
MOS半導体集積回路と同様の手段を用いて検査系列の
生成を行なう。下記表2は、上記表1に示す回路記述を
前提として、従来のCMOS半導体集積回路の検査の方
式を利用して生成されたフリップフロップDFFのQ出
力の0縮退故障を検出するための検査系列を示す。
Next, in step ST 32, the netlist created in step ST 31 is compared with the conventional C
A test sequence is generated using the same means as that of the MOS semiconductor integrated circuit. Table 2 below shows a test sequence for detecting a 0 stuck-at fault in the Q output of a flip-flop DFF generated by using a conventional CMOS semiconductor integrated circuit test method, based on the circuit description shown in Table 1 above. Is shown.

【0076】[0076]

【表2】 [Table 2]

【0077】ただし、上記表2において、0,1は入力
信号を示し、Hは期待値が1であることを示し、Xはド
ントケアを示す。
In Table 2, 0 and 1 indicate input signals, H indicates that the expected value is 1, and X indicates don't care.

【0078】次に、ステップST33において、ステッ
プST32において生成した上記表2に示す検査系列に
状態制御部を制御するための系列を追加する。下記表3
は、上記表2に示す検査系列に状態制御信号MODEに
関する新たな系列を加えた検査系列を示す。
Next, in step ST33, a sequence for controlling the state control unit is added to the test sequence shown in Table 2 generated in step ST32. Table 3 below
Shows a test sequence obtained by adding a new sequence relating to the state control signal MODE to the test sequence shown in Table 2 above.

【0079】[0079]

【表3】 [Table 3]

【0080】上記表3において、状態制御信号MODE
が1のときに各HVth−Tr がONになるように制御す
るための信号が出力され、論理回路群43の検査、この
例ではフリップフロップDFFのQ出力の縮退故障に関
する検査が行なわれる。
In the above Table 3, the state control signal MODE
Is output, a signal for controlling each HVth-Tr to be turned on is output, and a test of the logic circuit group 43, in this example, a test for a stuck-at fault of the Q output of the flip-flop DFF is performed.

【0081】このように、従来の方式を利用することで
MT−CMOS半導体集積回路の検査系列を生成するこ
とができる。
As described above, the test sequence of the MT-CMOS semiconductor integrated circuit can be generated by using the conventional method.

【0082】図14は、論理回路群43の検査に使用さ
れる検査装置の構成を概略的に示すブロック図である。
テスター70内には、入力系列を記憶するための入力系
列記憶装置71と、当該入力系列に対応する出力の期待
値を記憶するための期待値記憶装置72とが備えられて
いる。そして、系列入力装置73により、上記入力系列
記憶装置71の記憶内容にしたがった系列(たとえば上
記表3の系列)で信号を、入力側プローブ76aを介し
て、半導体集積回路装置の論理回路群43の外部入力ピ
ンA,B,C,D(図6参照)から入力する。さらに、
判定回路75により、外部出力ピンOUTから出力側プ
ローブ76bを介して出力される出力信号の論理値と期
待値記憶装置72に記憶されている期待値(論理値)と
を比較して、両者が一致すれば合格と判定し、両者が一
致していなければ不合格と判定する。この判定結果は、
表示装置75に表示される。
FIG. 14 is a block diagram schematically showing a configuration of an inspection apparatus used for inspecting logic circuit group 43. In FIG.
The tester 70 includes an input sequence storage device 71 for storing an input sequence and an expected value storage device 72 for storing an expected value of an output corresponding to the input sequence. The sequence input device 73 transmits signals in a sequence (for example, the sequence shown in Table 3) according to the stored contents of the input sequence storage device 71 via the input side probe 76a to the logic circuit group 43 of the semiconductor integrated circuit device. From the external input pins A, B, C, and D (see FIG. 6). further,
The determination circuit 75 compares the logical value of the output signal output from the external output pin OUT via the output side probe 76b with the expected value (logical value) stored in the expected value storage device 72, and If they match, it is determined to pass, and if they do not match, it is determined to fail. This judgment result is
It is displayed on the display device 75.

【0083】なお、本実施形態では、複数のMT−CM
OS半導体装置で構成された論理ブロックを含む半導体
集積回路について説明したが、1つのMT−CMOS半
導体装置で構成された論理ブロックを含む半導体集積回
路についても同様に実施可能である。
In this embodiment, a plurality of MT-CMs
Although a semiconductor integrated circuit including a logic block constituted by an OS semiconductor device has been described, the present invention can be similarly applied to a semiconductor integrated circuit including a logic block constituted by one MT-CMOS semiconductor device.

【0084】また、本実施形態では、状態制御部を論理
ブロックの外部に設けたが、各論理ブロックの中に構成
しても、同様の効果が得られる。
Further, in the present embodiment, the state control section is provided outside the logical block. However, the same effect can be obtained by configuring the state control section in each logical block.

【0085】さらに、本実施形態では状態制御部の入力
である状態制御信号を半導体集積回路の外部から供給す
るように構成したが、内部の論理回路で生成するよう構
成しても、検査対象となる論理回路群が動作状態になる
よう設定する系列をステップST33で追加することで
同様の効果が得られる。
Further, in the present embodiment, the state control signal which is an input of the state control unit is configured to be supplied from outside the semiconductor integrated circuit. A similar effect can be obtained by adding a series for setting a set of logic circuits to an operating state in step ST33.

【0086】(第4の実施形態)次に、状態制御部が順
序回路で構成され、かつ状態制御部の出力信号が複数あ
る場合に関する第4の実施形態について説明する。図1
0は、本実施形態に係る状態制御部50の構成を示す論
理回路図である。このような状態制御部50は、例えば
図4に示すような構成を有するMT−CMOS半導体集
積回路に適用できる。すなわち、各論理ブロックのHV
th−Tr に制御信号を送るような構成となっている場合
である。ただし、説明を容易にするために、本実施形態
では、論理ブロックi,j内に、図7に示す構成を有す
る論理回路群43が設けられている場合を想定してい
る。
(Fourth Embodiment) Next, a description will be given of a fourth embodiment in which the state control unit is formed of a sequential circuit and there are a plurality of output signals from the state control unit. FIG.
0 is a logic circuit diagram showing a configuration of the state control unit 50 according to the present embodiment. Such a state controller 50 can be applied to, for example, an MT-CMOS semiconductor integrated circuit having a configuration as shown in FIG. That is, the HV of each logical block
This is the case where the control signal is sent to th-Tr. However, for ease of explanation, in the present embodiment, it is assumed that a logic circuit group 43 having the configuration shown in FIG. 7 is provided in the logic blocks i and j.

【0087】図10に示すように、状態制御部50内に
は、フリップフロップ51と、インバータ52と、OR
回路53とが設けられている。そして、状態制御信号M
ODE1及びCLKを用いて状態制御部内のフリップフ
ロップ51のQ出力を1に制御することで、論理ブロッ
クiに対するHVth−Tr 制御信号が1になると共にイ
ンバータ52の出力が0になる。さらに、状態制御信号
MODE2が1になると、OR回路53の出力が1にな
る。このようにして、論理回路群が配設されているすべ
ての論理ブロックi,j内のHVth−Tr がONになる
ように制御される。なお、図示されていないが、通常制
御信号はフリップフロップ51,インバータ52及びO
R回路53を経ることなく状態制御部50内を通過し
て、論理回路群43に入力されるように構成されてい
る。
As shown in FIG. 10, a flip-flop 51, an inverter 52, an OR
A circuit 53 is provided. Then, the state control signal M
By controlling the Q output of the flip-flop 51 in the state control unit to 1 using ODE1 and CLK, the HVth-Tr control signal for the logic block i becomes 1 and the output of the inverter 52 becomes 0. Further, when the state control signal MODE2 becomes 1, the output of the OR circuit 53 becomes 1. In this way, control is performed so that HVth-Tr in all the logic blocks i and j in which the logic circuit group is disposed is turned on. Although not shown, the normal control signal includes a flip-flop 51, an inverter 52, and an O.
It is configured to pass through the state control unit 50 without passing through the R circuit 53 and be input to the logic circuit group 43.

【0088】下記表4は、本実施形態のMT−CMOS
半導体集積回路に対する検査系列の例を示す。
Table 4 below shows the MT-CMOS of this embodiment.
4 shows an example of a test sequence for a semiconductor integrated circuit.

【0089】[0089]

【表4】 [Table 4]

【0090】すなわち、上記第3の実施形態における図
9に示すフローチャートと同様の手順で、ネットリスト
を作成し(ステップST31)、ネットリストについて
の検査系列を生成する(ステップST32)。ステップ
ST32において従来の方式を利用して生成される検査
系列が上記表4中の下2段のA,B,D,OUTまでの
部分である(上述の表1参照)。そして、ステップST
33において、状態制御信号MODE1,MODE2及
びCLKの系列を加えることで、論理回路群が配設され
ているすべての論理ブロックのHVth−Tr をON状態
に制御することができ、論理回路群の動作の検査を行な
うことができる。なお、検査装置としては、図14に示
すようなテスター70を用いることができる。
That is, in the same procedure as the flowchart shown in FIG. 9 in the third embodiment, a net list is created (step ST31), and a test sequence for the net list is generated (step ST32). The test sequence generated using the conventional method in step ST32 is the portion up to A, B, D, and OUT in the lower two stages in Table 4 (see Table 1 above). And step ST
At 33, by adding the series of the state control signals MODE1, MODE2 and CLK, the HVth-Tr of all the logic blocks in which the logic circuit group is arranged can be controlled to the ON state, and the operation of the logic circuit group can be controlled. Inspection can be performed. Note that a tester 70 as shown in FIG. 14 can be used as the inspection device.

【0091】このように、状態制御部が順序回路で構成
されていたり、状態制御部の出力信号が複数ある場合に
も、検査対象である論理回路群が配設されているすべて
の論理ブロックに電源を供給する出力が得られるような
状態を状態制御部に設けることで、従来の方式を利用す
ることができる。
As described above, even when the state control unit is constituted by a sequential circuit or when there are a plurality of output signals from the state control unit, all the logic blocks in which the logic circuit group to be inspected is provided are provided. By providing a state in which an output for supplying power is obtained in the state control unit, a conventional method can be used.

【0092】なお、本実施形態では、論理ブロックi,
jはいずれも単一としたが、複数の論理ブロックからな
る論理ブロック群i,jごとにHVth−Tr 制御信号を
出力するように構成されているものについても、本実施
形態における検査系列の生成方法を適用できる。
In this embodiment, the logical blocks i,
j is assumed to be a single one. However, for a configuration in which an HVth-Tr control signal is output for each of the logical block groups i and j including a plurality of logical blocks, generation of the test sequence in the present embodiment is also possible. Method can be applied.

【0093】また、本実施形態では、状態制御部を論理
ブロックの外部に設けたが、各論理ブロックの中に構成
しても、同様の効果が得られる。
Further, in the present embodiment, the state control unit is provided outside the logical block, but the same effect can be obtained by configuring the state control unit in each logical block.

【0094】さらに、本実施形態では状態制御部の入力
である状態制御信号を半導体集積回路の外部から供給す
るように構成したが、内部の論理ブロックで生成するよ
う構成しても、その状態制御部を検査対象となる論理回
路群が動作状態になるよう設定する系列を追加すること
で同様の効果が得られる。
Further, in this embodiment, the state control signal which is the input of the state control unit is configured to be supplied from outside the semiconductor integrated circuit. A similar effect can be obtained by adding a series for setting a part so that a logic circuit group to be inspected is in an operating state.

【0095】(第5の実施形態)次に、半導体集積回路
内に状態制御部を配置せずに、HVth−Tr 制御信号が
外部から直接与えられる例に係る第5の実施形態につい
て説明する。図11は、第5の実施形態に係る状態制御
部及び半導体集積回路内の信号入力部の構成を示すブロ
ック図である。
(Fifth Embodiment) Next, a fifth embodiment according to an example in which an HVth-Tr control signal is directly applied from the outside without providing a state control unit in a semiconductor integrated circuit will be described. FIG. 11 is a block diagram illustrating a configuration of a state control unit and a signal input unit in a semiconductor integrated circuit according to the fifth embodiment.

【0096】図11に示すように、本実施形態では、状
態制御部60が外部の機器(例えばテスターなど)に設
けられていて、半導体集積回路内には外部からの状態制
御信号を受ける入力ピン61のみが配設されている。そ
して、状態制御部から状態制御信号MODEが入力され
ると、この状態制御信号MODEがそのままHVth−T
r 制御信号として出力される。
As shown in FIG. 11, in this embodiment, the state control section 60 is provided in an external device (for example, a tester), and an input pin for receiving a state control signal from the outside is provided in the semiconductor integrated circuit. Only 61 are provided. When the state control signal MODE is input from the state control unit, the state control signal MODE is directly input to the HVth-T
r Output as control signal.

【0097】下記表5は、本実施形態に係る検査系列を
示す。
Table 5 below shows a test sequence according to the present embodiment.

【0098】[0098]

【表5】 [Table 5]

【0099】上記表5からわかるように、本実施形態で
は、上記第3の実施形態における図9と同様の手順で検
査系列が生成される。また、本実施形態においても、図
14に示すようなテスター70を用いることができる。
As can be seen from Table 5, in this embodiment, a test sequence is generated in the same procedure as in FIG. 9 in the third embodiment. Further, also in the present embodiment, a tester 70 as shown in FIG. 14 can be used.

【0100】このように、状態制御部に論理要素が配設
されずに外部から状態制御信号が与えられる場合にも、
従来の方式で生成された検査系列に、HVth−Tr を制
御するための状態制御信号MODEを追加するだけで、
MT−CMOS半導体集積回路の検査系列を生成するこ
とができる。
As described above, even when a logic element is not provided in the status control unit and a status control signal is externally supplied,
By simply adding a state control signal MODE for controlling HVth-Tr to the test sequence generated by the conventional method,
A test sequence for an MT-CMOS semiconductor integrated circuit can be generated.

【0101】なお、本実施形態では、複数のMT−CM
OS半導体装置で構成された論理ブロックを含む半導体
集積回路について説明したが、1つのMT−CMOS半
導体装置で構成された論理ブロックを含む半導体集積回
路についても同様に実施可能である。
In this embodiment, a plurality of MT-CMs
Although a semiconductor integrated circuit including a logic block constituted by an OS semiconductor device has been described, the present invention can be similarly applied to a semiconductor integrated circuit including a logic block constituted by one MT-CMOS semiconductor device.

【0102】また、上記第1〜第4の実施形態において
も、状態制御部を半導体チップ(半導体集積回路)の外
部に設けてもよい。
In the first to fourth embodiments, the state control unit may be provided outside the semiconductor chip (semiconductor integrated circuit).

【0103】(第6の実施形態)次に、各論理回路ブロ
ックの各論理回路と電源端子及び接地端子との間に、検
査専用の高しきい値トランジスタと通常制御用の高しき
い値トランジスタとをそれぞれ介設した半導体集積回路
の検査系列の生成方法に関する第6の実施形態について
説明する。
(Sixth Embodiment) Next, a high-threshold transistor dedicated to inspection and a high-threshold transistor for normal control are connected between each logic circuit of each logic circuit block and a power supply terminal and a ground terminal. A sixth embodiment relating to a method for generating a test sequence of a semiconductor integrated circuit in which each is interposed will be described.

【0104】図12は、本実施形態に係るMT−CMO
S半導体集積回路41の構成を示す電気回路図である。
FIG. 12 shows an MT-CMO according to this embodiment.
FIG. 2 is an electric circuit diagram showing a configuration of an S semiconductor integrated circuit 41.

【0105】図12に示すように、半導体集積回路41
の構成は、基本的には上述の第3の実施形態における図
6に示す半導体集積回路41の構成と同じである。ただ
し、本実施形態では、各論理ブロック7a〜7xごと
に、検査専用のpHVth−Tr1a〜1x及びnHVth
−Tr 2a〜2xとは別に、通常制御専用のpHVth−
Tr 1a’〜1x’及びnHVth−Tr 2a’〜2x’
が設けられていて、両者は、各論理回路5a〜5xの仮
想電源端子3a〜3xと電源端子10との間、及び仮想
接地端子4aと接地端子11との間にそれぞれ互いに並
列に介設されている。そして、状態制御部42内のテス
ト制御部42aにより、検査信号MODEに応じてpH
Vth−Tr 1a〜1x及びnHVth−Tr 2a〜2xの
オン・オフを制御する一方、状態制御部42内の通常制
御部42bにより、通常制御信号に応じてpHVth−T
r 1a’〜1x’及びnHVth−Tr 2a’〜2x’の
オン・オフを制御するように構成されている。
As shown in FIG. 12, the semiconductor integrated circuit 41
Is basically the same as the configuration of the semiconductor integrated circuit 41 shown in FIG. 6 in the third embodiment described above. However, in the present embodiment, for each of the logical blocks 7a to 7x, the pHVth-Tr1a to 1x and nHVth dedicated to inspection are used.
-Apart from Tr 2a to 2x, pHVth dedicated to normal control-
Tr 1a'-1x 'and nHVth-Tr 2a'-2x'
Are provided between the virtual power supply terminals 3a to 3x and the power supply terminal 10 of each of the logic circuits 5a to 5x and between the virtual ground terminal 4a and the ground terminal 11 in parallel with each other. ing. Then, the test controller 42a in the state controller 42 adjusts the pH according to the test signal MODE.
On / off of Vth-Tr 1a to 1x and nHVth-Tr 2a to 2x is controlled, while the normal control unit 42b in the state control unit 42 controls the pHVth-T according to the normal control signal.
It is configured to control on / off of r1a 'to 1x' and nHVth-Tr2a 'to 2x'.

【0106】なお、各論理回路5a〜5xで構成される
論理回路群43の構成はたとえば図7に示されるもので
よく、検査信号MODEが1のときにpHVth−Tr 1
a〜1x及びnHVth−Tr 2a〜2xをオンにして、
論理回路群43内の故障の有無を検査することや、検査
系列の生成方法は、上記第3の実施形態と同様に行うこ
とができる。また、本実施形態においても、図14に示
すようなテスター70を用いることができる。
The configuration of the logic circuit group 43 composed of the logic circuits 5a to 5x may be, for example, as shown in FIG. 7, and when the test signal MODE is 1, pHVth-Tr 1
Turn on a ~ 1x and nHVth-Tr 2a ~ 2x,
Inspection of the presence or absence of a failure in the logic circuit group 43 and a method of generating a test sequence can be performed in the same manner as in the third embodiment. Further, also in the present embodiment, a tester 70 as shown in FIG. 14 can be used.

【0107】本実施形態によっても、上記第3の実施形
態と同様の効果を発揮することができる。
According to this embodiment, the same effect as in the third embodiment can be exhibited.

【0108】なお、上記第3〜第5の実施形態において
も、本実施形態と同様に、検査専用の高しきい値トラン
ジスタと通常制御専用の高しきい値トランジスタとを、
電源端子及び接地端子と各論理回路との間に互いに並列
に配設することができる。
In the third to fifth embodiments, similarly to this embodiment, a high threshold transistor dedicated to inspection and a high threshold transistor dedicated to normal control are used.
They can be arranged in parallel between the power supply terminal and the ground terminal and each logic circuit.

【0109】[0109]

【発明の効果】請求項1〜8によれば、MT−CMOS
半導体集積回路を含む半導体回路システムとして、高電
位側電源又は低電位側電源のうち少なくともいずれか一
方と論理回路との間に高しきい値トランジスタを介設
し、状態制御部により、検査指令の種類に応じて高しき
い値トランジスタのオン・オフを制御するようにしたの
で、MT−CMOS半導体集積回路内における論理回路
内の故障と、論理回路外の故障つまり配線のショートや
高しきい値トランジスタの動作不良による故障とを区別
して検査することが可能になり、特性の良好なMT−C
MOS半導体集積回路の提供を図ることができる。
According to the first to eighth aspects, the MT-CMOS
As a semiconductor circuit system including a semiconductor integrated circuit, a high threshold transistor is provided between at least one of a high-potential power supply and a low-potential power supply and a logic circuit. Since the on / off of the high-threshold transistor is controlled in accordance with the type, a fault in the logic circuit in the MT-CMOS semiconductor integrated circuit and a fault outside the logic circuit, that is, a short circuit of the wiring or a high threshold value Inspection can be performed while distinguishing the failure caused by the malfunction of the transistor, and the MT-C having good characteristics can be inspected.
It is possible to provide a MOS semiconductor integrated circuit.

【0110】特に、請求項6によれば、上述の構成に加
え、第1の端子から第2の端子に至るパスの一部におけ
る電流を検知する手段と、合否判定のための設定値を予
め記憶しておく手段と、電流の検出値が設定値以上か否
かに応じて合否を判定する手段と、判定結果を表示する
表示手段とをさらに設けたので、特性の良好なMT−C
MOS半導体集積回路を迅速に選別しうる機能を持たせ
ることができる。
In particular, according to claim 6, in addition to the above configuration, means for detecting a current in a part of a path from the first terminal to the second terminal, and a set value for pass / fail determination are set in advance. Means for storing, a means for determining whether or not the current is greater than or equal to a set value, and a display for displaying the determination result are further provided.
It is possible to provide a function of quickly selecting a MOS semiconductor integrated circuit.

【0111】また、請求項7又は8によれば、論理回路
の検査を行う指令を受けたときには高しきい値トランジ
スタをオン状態にするように制御するので、MT−CM
OS半導体集積回路に配置される論理回路の動作の正常
・非正常を検査することができる。
According to the seventh or eighth aspect, when a command for testing a logic circuit is received, the high threshold transistor is controlled to be turned on.
It is possible to check whether the operation of the logic circuit arranged in the OS semiconductor integrated circuit is normal or abnormal.

【0112】請求項9〜11によれば、MT−CMOS
半導体集積回路の検査方法として、高しきい値トランジ
スタをオフ状態にした状態で、第1の端子から第2の端
子に至るパスの一部における電流を検出して、電流の検
出値が設定値以上のときには不合格と判定する一方、電
流の検出値が設定値未満のときには合格と判定するよう
にしたので、スタンバイ時に無駄な電流が生じるものを
確実に排除しながら特性の良好なMT−CMOS半導体
集積回路を得ることができる。
According to the ninth to eleventh aspects, the MT-CMOS
As a test method of a semiconductor integrated circuit, a current in a part of a path from a first terminal to a second terminal is detected in a state where a high threshold transistor is turned off, and a detected value of the current is set to a set value. In the above case, it is determined to be rejected, while when the detected value of the current is less than the set value, it is determined to be passed. A semiconductor integrated circuit can be obtained.

【0113】請求項12〜14によれば、MT−CMO
S半導体集積回路の検査系列の生成方法として、検査対
象となる論理回路の上記各素子間の接続状態に関する部
分回路記述を作成した後、入出力関係の記述からなる検
査系列を作成し、この検査系列に、検査対象となってい
る論理回路に接続される高しきい値トランジスタをオン
状態にする新たな系列を追加するようにしたので、従来
のCMOS半導体集積回路の検査方式をそのまま利用し
てMT−CMOS半導体集積回路の検査系列を生成する
ことができ、よって、新たなソフトの開発に必要な経費
を節減することができる。
According to claims 12 to 14, the MT-CMO
As a method of generating a test sequence for an S semiconductor integrated circuit, a test sequence including a description of an input / output relationship is prepared after creating a partial circuit description relating to a connection state between the above-described elements of a logic circuit to be tested. Since a new series for turning on the high threshold transistor connected to the logic circuit to be inspected is added to the series, the conventional CMOS semiconductor integrated circuit inspection method can be used as it is. A test sequence of the MT-CMOS semiconductor integrated circuit can be generated, and thus, the cost required for developing new software can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施形態におけるMT−CMOS半導体
集積回路の電気回路図である。
FIG. 1 is an electric circuit diagram of an MT-CMOS semiconductor integrated circuit according to a first embodiment.

【図2】第1の実施形態における検査装置の構成を概略
的に示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram schematically showing a configuration of an inspection device according to the first embodiment.

【図3】第1の実施形態における検査の手順を示すフロ
ーチャート図である。
FIG. 3 is a flowchart illustrating an inspection procedure according to the first embodiment.

【図4】第2の実施形態におけるMT−CMOS半導体
集積回路の電気回路図である。
FIG. 4 is an electric circuit diagram of an MT-CMOS semiconductor integrated circuit according to a second embodiment.

【図5】第2の実施形態における検査の手順を示すフロ
ーチャート図である。
FIG. 5 is a flowchart illustrating an inspection procedure according to the second embodiment.

【図6】第3の実施形態におけるMT−CMOS半導体
集積回路の電気回路図である。
FIG. 6 is an electric circuit diagram of an MT-CMOS semiconductor integrated circuit according to a third embodiment.

【図7】第3の実施形態におけるMT−CMOS半導体
集積回路中の論理回路群の構成を示すブロック図であ
る。
FIG. 7 is a block diagram illustrating a configuration of a logic circuit group in an MT-CMOS semiconductor integrated circuit according to a third embodiment.

【図8】第3の実施形態におけるMT−CMOS半導体
集積回路中の状態制御部の構成を示すブロック図であ
る。
FIG. 8 is a block diagram illustrating a configuration of a state control unit in an MT-CMOS semiconductor integrated circuit according to a third embodiment.

【図9】第3の実施形態における検査の手順を示すフロ
ーチャート図である。
FIG. 9 is a flowchart illustrating an inspection procedure according to the third embodiment.

【図10】第4の実施形態におけるMT−CMOS半導
体集積回路中の状態制御部の構成を示すブロック図であ
る。
FIG. 10 is a block diagram illustrating a configuration of a state control unit in an MT-CMOS semiconductor integrated circuit according to a fourth embodiment.

【図11】第5の実施形態におけるMT−CMOS半導
体集積回路中の状態制御部の構成を示すブロック図であ
る。
FIG. 11 is a block diagram illustrating a configuration of a state control unit in an MT-CMOS semiconductor integrated circuit according to a fifth embodiment.

【図12】第6の実施形態におけるMT−CMOS半導
体集積回路の電気回路図である。
FIG. 12 is an electric circuit diagram of an MT-CMOS semiconductor integrated circuit according to a sixth embodiment.

【図13】従来のMT−CMOS半導体装置の基本的な
構成を示す電気回路図である。
FIG. 13 is an electric circuit diagram showing a basic configuration of a conventional MT-CMOS semiconductor device.

【図14】第3の実施形態における検査装置の構成を概
略的に示すブロック図である。
FIG. 14 is a block diagram schematically showing a configuration of an inspection device according to a third embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 pHVth−Tr (pチャネル高しきい値トランジ
スタ) 2 nHVth−Tr (nチャネル高しきい値トランジ
スタ) 3 仮想電源端子 4 仮想接地端子 5 論理回路 6 状態制御部 7 論理ブロック 8 半導体集積回路 10 電源端子 11 接地端子 13 テスター 14 プローブ 15 電流計 16 記憶装置 17 判定回路 18 表示装置 21 半導体集積回路 22 状態制御部 41 半導体集積回路 42 状態制御部 43 論理回路群
Reference Signs List 1 pHVth-Tr (p-channel high threshold transistor) 2 nHVth-Tr (n-channel high threshold transistor) 3 virtual power terminal 4 virtual ground terminal 5 logic circuit 6 state controller 7 logic block 8 semiconductor integrated circuit 10 power supply Terminal 11 Ground terminal 13 Tester 14 Probe 15 Ammeter 16 Storage device 17 Judgment circuit 18 Display device 21 Semiconductor integrated circuit 22 State control unit 41 Semiconductor integrated circuit 42 State control unit 43 Logic circuit group

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01R 31/28 - 31/3193 Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G01R 31/28-31/3193

Claims (14)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体集積回路の内部又は外部に、上記
半導体集積回路の正常・非正常を検査するよう指令する
検査指令手段を有する半導体回路システムであって、 上記半導体集積回路は、 高電位側電圧を供給するための第1の端子と、 低電位側電圧を供給するための第2の端子と、 上記第1の端子と上記第2の端子との間に介設され、複
数の低しきい値トランジスタを配置して構成された少な
くとも1つの論理回路と、 上記第1の端子及び上記第2の端子のうち少なくともい
ずれか一方と上記論理回路との間に介設され、オン・オ
フの切換わりにより上記論理回路を動作状態とスタンバ
イ状態とに切換えるための高しきい値トランジスタと、 上記第1の端子,第2の端子,論理回路及び高しきい値
トランジスタ間を接続する論理回路外配線と、 上記検査指令手段からの検査指令を受けたときに、検査
指令の種類に応じて上記高しきい値トランジスタのオン
・オフを制御する状態制御部とを備えていることを特徴
とする半導体回路システム。
1. A semiconductor circuit system having an inspection commanding means for instructing whether or not the semiconductor integrated circuit is normal or abnormal inside or outside the semiconductor integrated circuit, wherein the semiconductor integrated circuit has a high potential side. A first terminal for supplying a voltage, a second terminal for supplying a low-potential-side voltage, and a plurality of low voltage terminals interposed between the first terminal and the second terminal. At least one logic circuit having a threshold transistor disposed therein, and at least one of the first terminal and the second terminal interposed between the logic circuit and an on / off switch. A high-threshold transistor for switching the logic circuit between an operating state and a standby state by switching, and a logic circuit connecting the first terminal, the second terminal, the logic circuit and the high-threshold transistor. Arrangement And a state control unit that controls on / off of the high threshold transistor according to the type of the test command when receiving a test command from the test command unit. Semiconductor circuit system.
【請求項2】 請求項1記載の半導体回路システムにお
いて、 上記状態制御部は、上記検査指令手段から上記論理回路
外配線及び上記高しきい値トランジスタの検査指令を受
けたときには、上記高しきい値トランジスタをオフ状態
にするように制御することを特徴とする半導体回路シス
テム。
2. The semiconductor circuit system according to claim 1, wherein said state control section receives said high threshold when said inspection command is issued from said inspection command means for said external logic circuit wiring and said high threshold transistor. A semiconductor circuit system for controlling a value transistor to be turned off.
【請求項3】 請求項2記載の半導体回路システムにお
いて、 上記論理回路は複数個設けられており、 上記第1の端子及び第2の端子は、上記すべての論理回
路に対して共通化されており、 上記状態制御部は、上記すべての論理回路に接続される
上記高しきい値トランジスタをオフ状態にするように制
御することを特徴とする半導体回路システム。
3. The semiconductor circuit system according to claim 2, wherein a plurality of said logic circuits are provided, and said first terminal and said second terminal are shared by all said logic circuits. And a state control unit that controls the high threshold transistors connected to all the logic circuits to be in an off state.
【請求項4】 請求項2記載の半導体回路システムにお
いて、 上記論理回路は複数個設けられており、 上記第1の端子及び第2の端子は、上記すべての論理回
路のうちの1つ又は複数の論理回路ごとに共通化されて
おり、 上記状態制御部は、上記検査指令手段から上記論理回路
外配線及び上記高しきい値トランジスタの検査指令を受
けたときには、上記共通の第1の端子−第2の端子間の
論理回路に接続される上記高しきい値トランジスタをオ
フ状態にするように制御することを特徴とする半導体回
路システム。
4. The semiconductor circuit system according to claim 2, wherein a plurality of said logic circuits are provided, and said first terminal and said second terminal are one or more of said all logic circuits. When the state control unit receives a test command for the extra-logic-circuit wiring and the high-threshold transistor from the test command unit, the state control unit uses the common first terminal- A semiconductor circuit system, wherein the high threshold transistor connected to a logic circuit between the second terminals is controlled to be turned off.
【請求項5】 請求項2記載の半導体回路システムにお
いて、 上記高しきい値トランジスタは、上記第1の端子と上記
論理回路の間及び上記第2の端子と上記論理回路との間
にそれぞれ介設されていることを特徴とする半導体回路
システム。
5. The semiconductor circuit system according to claim 2, wherein said high threshold transistor is interposed between said first terminal and said logic circuit and between said second terminal and said logic circuit, respectively. A semiconductor circuit system, which is provided.
【請求項6】 請求項2,3,4又は5記載の半導体回
路システムにおいて、 上記第1の端子−第2の端子間に流れる電流を検知する
ための電流検知手段と、 上記電流検知手段の検出値について合否判定のための設
定値を予め記憶しておく記憶手段と、 上記電流検知手段及び上記記憶手段に接続され、上記検
査時に、上記電流検知手段の検出値が上記設定値以上の
ときには不合格と判定する一方、上記電流検知手段の検
出値が上記設定値未満のときには合格と判定する判定手
段と、 該判定手段の判定結果を表示する表示手段とをさらに備
えていることを特徴とする半導体回路システム。
6. The semiconductor circuit system according to claim 2, wherein said current detecting means detects a current flowing between said first terminal and said second terminal. A storage means for storing a set value for pass / fail determination with respect to the detected value in advance; connected to the current detection means and the storage means, and when the detection value of the current detection means is equal to or more than the set value during the inspection, On the other hand, when the current value of the current detecting means is less than the set value, the apparatus further comprises a determining means for determining a pass, and a display means for displaying a determination result of the determining means. Semiconductor circuit system.
【請求項7】 請求項1記載の半導体回路システムにお
いて、 上記状態制御部は、上記検査指令手段から上記論理回路
内の検査指令を受けたときには、上記論理回路のうち検
査対象となっている論理回路に接続される上記高しきい
値トランジスタをオン状態にすることを特徴とする半導
体回路システム。
7. The semiconductor circuit system according to claim 1, wherein said state control unit receives a test command in said logic circuit from said test command means, and outputs a logic signal to be tested in said logic circuit. A semiconductor circuit system, wherein the high threshold transistor connected to a circuit is turned on.
【請求項8】 請求項7記載の半導体回路システムにお
いて、 上記論理回路に検査信号を入力する手段と、 上記検査信号に対して上記論理回路が正常な場合に出力
される論理値の期待値を予め記憶する期待値記憶手段
と、 上記期待値記憶手段に接続され、上記論理回路からの出
力信号の論理値と上記期待値とを比較して、上記検査時
に、上記出力信号の論理値と上記期待値とが一致すると
きには合格と判定する一方、上記出力信号の論理値と上
記期待値とが一致しないときには不合格と判定する判定
手段と、 該判定手段の判定結果を表示する表示手段とをさらに備
えていることを特徴とする半導体回路システム。
8. The semiconductor circuit system according to claim 7, wherein: a means for inputting a test signal to the logic circuit; and an expected value of a logic value output when the logic circuit is normal with respect to the test signal. An expected value storage means for storing in advance, connected to the expected value storage means, and comparing the logic value of the output signal from the logic circuit with the expected value, and at the time of the inspection, the logic value of the output signal and the When the expected value matches, the judgment is made as pass, while when the logical value of the output signal does not match the expected value, judgment means judges as reject, and display means for displaying the judgment result of the judgment means. A semiconductor circuit system further provided.
【請求項9】 高電位側電圧を供給するための第1の端
子と、低電位側電圧を供給するための第2の端子と、上
記第1の端子と第2の端子との間に介設され、複数の低
しきい値トランジスタを配置して構成された少なくとも
1つの論理回路と、上記第1の端子及び上記第2の端子
のうち少なくともいずれか一方と上記論理回路との間に
介設され、オン・オフの切換わりにより上記論理回路を
動作状態とスタンバイ状態とに切換えるための高しきい
値トランジスタと、上記第1の端子,第2の端子,論理
回路及び高しきい値トランジスタ間を接続する論理回路
外配線とを備えた半導体集積回路の検査方法であって、 上記高しきい値トランジスタをオフ状態にする第1のス
テップと、 上記第1の端子−第2の端子間に流れる電流を検出する
第2のステップと、 上記電流の検出値が設定値以上のときには不合格と判定
する一方、上記電流の検出値が設定値未満のときには合
格と判定する第3のステップとを備えていることを特徴
とする半導体集積回路の検査方法。
9. A first terminal for supplying a high-potential-side voltage, a second terminal for supplying a low-potential-side voltage, and an intermediate terminal between the first terminal and the second terminal. And at least one logic circuit having a plurality of low-threshold transistors disposed therein and interposed between at least one of the first terminal and the second terminal and the logic circuit. A high threshold transistor for switching the logic circuit between an operating state and a standby state by switching on and off; a first terminal, a second terminal, a logic circuit, and a high threshold transistor A method for inspecting a semiconductor integrated circuit, comprising: an external logic circuit wiring connecting between the first terminal and the second terminal; To detect the current flowing through And a third step of judging rejection when the detected value of the current is equal to or greater than a set value, and determining that the test is acceptable when the detected value of the current is less than the set value. An inspection method for a semiconductor integrated circuit.
【請求項10】 請求項9記載の半導体集積回路の検査
方法において、 上記論理回路は複数個設けられており、 上記第1の端子及び第2の端子は、上記すべての論理回
路に対して共通化されており、 上記第2のステップでは、上記すべての論理回路に接続
される上記高しきい値トランジスタをオフ状態にするこ
とを特徴とする半導体集積回路の検査方法。
10. The method for testing a semiconductor integrated circuit according to claim 9, wherein a plurality of the logic circuits are provided, and the first terminal and the second terminal are common to all the logic circuits. Wherein the high threshold transistors connected to all the logic circuits are turned off in the second step.
【請求項11】 請求項9記載の半導体集積回路の検査
方法において、 上記論理回路は複数個設けられており、 上記第1の端子及び第2の端子は、上記すべての論理回
路のうちの1つ又は複数の論理回路ごとに共通化されて
おり、 上記第2のステップでは、上記共通の第1の端子−第2
の端子間の論理回路に接続される上記高しきい値トラン
ジスタをオフ状態にすることを特徴とする半導体集積回
路の検査方法。
11. The method for testing a semiconductor integrated circuit according to claim 9, wherein a plurality of said logic circuits are provided, and said first terminal and said second terminal are one of said logic circuits. One or a plurality of logic circuits, and in the second step, the common first terminal-second
Wherein the high threshold transistor connected to the logic circuit between the terminals is turned off.
【請求項12】 高電位側電圧を供給するための第1の
端子と、低電位側電圧を供給するための第2の端子と、
上記第1の端子と第2の端子との間に介設され、複数の
低しきい値トランジスタを含む多数の素子を配置して構
成された少なくとも1つの論理回路と、上記第1の端子
及び上記第2の端子のうち少なくともいずれか一方と上
記論理回路との間に介設され、オン・オフの切換わりに
より上記論理回路を動作状態とスタンバイ状態とに切換
えるための高しきい値トランジスタと、上記第1の端
子,第2の端子,論理回路及び高しきい値トランジスタ
間を接続する論理回路外配線と、上記高しきい値トラン
ジスタのオン・オフを制御する制御信号を出力する状態
制御部とを有する半導体集積回路の検査系列を生成する
方法であって、 上記少なくとも1つの論理回路のうち検査対象となって
いる論理回路内の上記各素子間の接続状態に関する部分
回路記述を作成する第1のステップと、 上記第1のステップで作成された部分回路記述に基づ
き、上記検査対象となっている論理回路内における動作
の適正状態を判定するための入出力関係の記述からなる
検査系列を作成する第2のステップと、 上記検査系列に、上記状態制御部から出力される制御信
号が、上記検査対象となっている論理回路に接続される
上記高しきい値トランジスタをオン状態にするモードと
なるような新たな系列を作成して上記第2のステップで
作成した検査系列に付加する第3のステップとを備えて
いることを特徴とする半導体集積回路の検査系列の生成
方法。
12. A first terminal for supplying a high potential side voltage, a second terminal for supplying a low potential side voltage,
At least one logic circuit interposed between the first terminal and the second terminal and configured by arranging a number of elements including a plurality of low threshold transistors; A high threshold transistor interposed between at least one of the second terminals and the logic circuit for switching the logic circuit between an operating state and a standby state by switching on and off; An external logic circuit wiring connecting the first terminal, the second terminal, the logic circuit and the high threshold transistor, and a state control for outputting a control signal for controlling on / off of the high threshold transistor Generating a test sequence of a semiconductor integrated circuit having a portion, wherein a partial circuit relating to a connection state between the respective elements in a logic circuit to be tested out of the at least one logic circuit. A first step of creating a description, and a description of an input / output relationship for determining an appropriate state of operation in the logic circuit to be inspected based on the partial circuit description created in the first step A second step of creating a test sequence consisting of: a control signal output from the state control unit includes, in the test sequence, the high threshold transistor connected to the logic circuit to be tested; And a third step of creating a new series to be in a mode for turning on and adding the new series to the test series created in the second step. Generation method.
【請求項13】 請求項12記載の半導体集積回路の検
査系列の生成方法において、 上記高しきい値トランジスタは、上記第1の端子及び上
記第2の端子のうち少なくともいずれか一方と上記論理
回路との間に複数個互いに並列に介設されており、 上記並列に接続された複数の高しきい値トランジスタの
うち一部が検査専用の高しきい値トランジスタとして構
成されており、 上記第3のステップでは、上記状態制御部から出力され
る制御信号が、上記並列に接続された複数の高しきい値
トランジスタのうち検査専用の高しきい値トランジスタ
のみをオン状態にするモードとなるような新たな系列を
作成することを特徴とする半導体集積回路の検査系列の
生成方法。
13. The method of generating a test sequence for a semiconductor integrated circuit according to claim 12, wherein said high threshold transistor is connected to at least one of said first terminal and said second terminal and said logic circuit. A plurality of high-threshold transistors connected in parallel with each other, and a part of the plurality of high-threshold transistors connected in parallel is configured as a high-threshold transistor dedicated to inspection. In the step, the control signal output from the state control unit is set to a mode for turning on only the high-threshold transistor dedicated to inspection out of the plurality of high-threshold transistors connected in parallel. A method for generating a test sequence for a semiconductor integrated circuit, wherein a new sequence is created.
【請求項14】 請求項12記載の半導体集積回路の検
査系列の生成方法において、 上記検査対象となっている論理回路に接続される上記高
しきい値トランジスタは、上記論理回路の検査時に外部
から入力される制御信号に応じてオン状態になるように
構成されており、 上記第3のステップでは、上記外部から入力される制御
信号が、上記検査対象となっている論理回路を動作可能
状態にするモードとなるような新たな系列を作成して、
上記第2のステップで作成された検査系列に付加するこ
とを特徴とする半導体集積回路の検査系列の生成方法。
14. The method of generating a test sequence for a semiconductor integrated circuit according to claim 12, wherein the high threshold transistor connected to the logic circuit to be tested is externally supplied when testing the logic circuit. In the third step, the control signal input from the outside sets the logic circuit to be tested to an operable state in the third step. Create a new series that will be a mode to do
A test sequence generation method for a semiconductor integrated circuit, wherein the test sequence is added to the test sequence created in the second step.
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