JP2978164B1 - 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 - Google Patents
封止用樹脂組成物および半導体封止装置Info
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Abstract
【要約】
【課題】 半導体封止装置の不純物特性を向上させ、ま
たリフロー後の耐湿劣化を防止し、信頼性の高い半導体
封止装置を提供する。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）ノボラック
型フェノール樹脂又は／及びノボラック型ナフトール樹
脂、（Ｃ）2,4,5-トリアリールイミダゾール並びに
（Ｄ）無機充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対し
て、前記（Ｃ）の2,4,5-トリアリールイミダゾールを0.
01〜5.0 重量％、また前記（Ｄ）の無機質充填剤を20〜
95重量％の割合で含有してなる封止用樹脂組成物であ
り、また、該組成物によって半導体チップが封止された
半導体封止装置である。
たリフロー後の耐湿劣化を防止し、信頼性の高い半導体
封止装置を提供する。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）ノボラック
型フェノール樹脂又は／及びノボラック型ナフトール樹
脂、（Ｃ）2,4,5-トリアリールイミダゾール並びに
（Ｄ）無機充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対し
て、前記（Ｃ）の2,4,5-トリアリールイミダゾールを0.
01〜5.0 重量％、また前記（Ｄ）の無機質充填剤を20〜
95重量％の割合で含有してなる封止用樹脂組成物であ
り、また、該組成物によって半導体チップが封止された
半導体封止装置である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
において成形性、耐リフロー性等の信頼性に優れたエポ
キシ樹脂組成物および半導体封止装置に関する。
において成形性、耐リフロー性等の信頼性に優れたエポ
キシ樹脂組成物および半導体封止装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、エポキシ樹脂材料の硬化促進剤と
しては、ＴＰＰ、1,8-ジアザビスシクロ(5,4,0) ウンデ
セン-1（ＤＢＵ）、イミダゾール類等が利用されてき
た。それぞれ固有の硬化性を示すため、封止樹脂に要求
される諸特性をすべて満たすことはできなかった。
しては、ＴＰＰ、1,8-ジアザビスシクロ(5,4,0) ウンデ
セン-1（ＤＢＵ）、イミダゾール類等が利用されてき
た。それぞれ固有の硬化性を示すため、封止樹脂に要求
される諸特性をすべて満たすことはできなかった。
【０００３】なかでも、イミダゾール類は、比較的低温
条件で反応し、耐熱性に優れた硬化性を与えるため、成
形性、耐リフロークラック性の面では、他の硬化促進剤
と比較して優位に立っているものの、不純物特性や耐湿
信頼性において、他の硬化促進剤より大きく劣ってい
た。
条件で反応し、耐熱性に優れた硬化性を与えるため、成
形性、耐リフロークラック性の面では、他の硬化促進剤
と比較して優位に立っているものの、不純物特性や耐湿
信頼性において、他の硬化促進剤より大きく劣ってい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の欠点
である不純物特性、耐湿信頼性を向上させ、成形性、耐
リフロークラック性を保持させた、封止用樹脂組成物お
よび半導体封止装置を提供しようとするものである。
である不純物特性、耐湿信頼性を向上させ、成形性、耐
リフロークラック性を保持させた、封止用樹脂組成物お
よび半導体封止装置を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、封止用エポキシ
樹脂組成物の硬化促進剤として2,4,5-トリフェニルイミ
ダゾールを使用することによって、不純物特性が向上
し、特に不純物の少ないエポキシ樹脂と併用することに
よって、上記目的が達成されることを見いだし、本発明
を完成したものである。
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、封止用エポキシ
樹脂組成物の硬化促進剤として2,4,5-トリフェニルイミ
ダゾールを使用することによって、不純物特性が向上
し、特に不純物の少ないエポキシ樹脂と併用することに
よって、上記目的が達成されることを見いだし、本発明
を完成したものである。
【０００６】即ち、本発明は、 （Ａ）95℃、20時間の煮沸・抽出によって求めた該エポ
キシ樹脂の塩素イオン含有量が 600ｐｐｍ以下であり、
かつ95℃、20時間の煮沸・抽出を行って得られた抽出水
の電気伝導度が5 μｓ／ｃｍ以下であるエポキシ樹脂、 （Ｂ）ガスクロマトグラフィー法によって求めた遊離フ
ェノール量が1.0 重量％以下であるノボラック型フェノ
ール樹脂、 （Ｃ）2,4,5-トリアリールイミダゾール並びに （Ｄ）無機充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対し
て、前記（Ｃ）の2,4,5-トリアリールイミダゾールを0.
01〜5.0 重量％、また前記（Ｄ）の無機質充填剤を20〜
95重量％の割合で含有してなることを特徴とする封止用
樹脂組成物である。また別の本発明は、この封止用樹脂
組成物の硬化物によって、半導体チップを封止してなる
ことを特徴とする半導体封止装置である。
キシ樹脂の塩素イオン含有量が 600ｐｐｍ以下であり、
かつ95℃、20時間の煮沸・抽出を行って得られた抽出水
の電気伝導度が5 μｓ／ｃｍ以下であるエポキシ樹脂、 （Ｂ）ガスクロマトグラフィー法によって求めた遊離フ
ェノール量が1.0 重量％以下であるノボラック型フェノ
ール樹脂、 （Ｃ）2,4,5-トリアリールイミダゾール並びに （Ｄ）無機充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対し
て、前記（Ｃ）の2,4,5-トリアリールイミダゾールを0.
01〜5.0 重量％、また前記（Ｄ）の無機質充填剤を20〜
95重量％の割合で含有してなることを特徴とする封止用
樹脂組成物である。また別の本発明は、この封止用樹脂
組成物の硬化物によって、半導体チップを封止してなる
ことを特徴とする半導体封止装置である。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００８】本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂として
は、その分子中にエポキシ基を少なくとも2 個有する化
合物である限り、分子構造、分子量など特に制限はな
く、一般に封止用材料として使用されているものを広く
包含することができる。例えば、シクロヘキサン誘導体
等脂肪族系や、下記の一般式で示されるノボラック型
（化１）、ビフェニル型（化２）、ジシクロペンタジエ
ン型（化３）、ビスフェノール型、ナフタレン型（化
４）、多官能系（化５、化６）、ビスフェノールＦ型
（化７）、ビスフェノールＡ型（化８）の芳香族系のエ
ポキシ樹脂等が挙げられる。
は、その分子中にエポキシ基を少なくとも2 個有する化
合物である限り、分子構造、分子量など特に制限はな
く、一般に封止用材料として使用されているものを広く
包含することができる。例えば、シクロヘキサン誘導体
等脂肪族系や、下記の一般式で示されるノボラック型
（化１）、ビフェニル型（化２）、ジシクロペンタジエ
ン型（化３）、ビスフェノール型、ナフタレン型（化
４）、多官能系（化５、化６）、ビスフェノールＦ型
（化７）、ビスフェノールＡ型（化８）の芳香族系のエ
ポキシ樹脂等が挙げられる。
【０００９】
【化１】 （但し、式中ｎは1 以上の整数を表す）
【００１０】
【化２】 （但し、式中、Ｒは水素原子、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基またはt-ブチル基を示す）
ロピル基、ブチル基またはt-ブチル基を示す）
【００１１】
【化３】 （但し、式中ｎは1 以上の整数を表す）
【００１２】
【化４】
【００１３】
【化５】 （但し、式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は水素原子、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、t-ブチル基を、
ｎは1 以上の整数をそれぞれ表す）
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、t-ブチル基を、
ｎは1 以上の整数をそれぞれ表す）
【００１４】
【化６】
【００１５】
【化７】
【００１６】
【化８】 これらのエポキシ樹脂は、単独もしくは2 種以上混合し
て用いることができる。本発明の（Ａ）エポキシ樹脂と
して、不純物の少ないものを採用すれば、（Ｃ）成分が
不純物特性の優れていることと相俟って樹脂の不純物を
各段に少なくすることができる。（Ａ）エポキシ樹脂の
不純物として、95℃、20時間の煮沸・抽出によって求め
た該エポキシ樹脂の塩素イオン含有量が 600ｐｐｍ以下
のものであること、95℃、20時間の煮沸・抽出を行って
得られた抽出水の電気伝導度が5μｓ／ｃｍ以下のもの
であることが望ましい。
て用いることができる。本発明の（Ａ）エポキシ樹脂と
して、不純物の少ないものを採用すれば、（Ｃ）成分が
不純物特性の優れていることと相俟って樹脂の不純物を
各段に少なくすることができる。（Ａ）エポキシ樹脂の
不純物として、95℃、20時間の煮沸・抽出によって求め
た該エポキシ樹脂の塩素イオン含有量が 600ｐｐｍ以下
のものであること、95℃、20時間の煮沸・抽出を行って
得られた抽出水の電気伝導度が5μｓ／ｃｍ以下のもの
であることが望ましい。
【００１７】本発明に用いる（Ｂ）成分は（Ａ）エポキ
シ樹脂の硬化剤として用いられるもので、そのノボラッ
ク型フェノール樹脂としては、フェノール、アルキルフ
ェノール等のフェノール類とホルムアルデヒド、パラホ
ルムアルデヒド等のアルデヒド類とを反応させて得られ
るノボラック型フェノール樹脂およびこれらの変性樹
脂、例えば下記の一般式に示されるフェノールノボラッ
ク樹脂（化９）、ザイログ型フェノール樹脂（化１
０）、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂（化１
１）、多官能型フェノール樹脂（化１２）等の多価フェ
ノール樹脂が挙げられ、これらの樹脂は、単独もしくは
2 種以上混合して用いる。
シ樹脂の硬化剤として用いられるもので、そのノボラッ
ク型フェノール樹脂としては、フェノール、アルキルフ
ェノール等のフェノール類とホルムアルデヒド、パラホ
ルムアルデヒド等のアルデヒド類とを反応させて得られ
るノボラック型フェノール樹脂およびこれらの変性樹
脂、例えば下記の一般式に示されるフェノールノボラッ
ク樹脂（化９）、ザイログ型フェノール樹脂（化１
０）、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂（化１
１）、多官能型フェノール樹脂（化１２）等の多価フェ
ノール樹脂が挙げられ、これらの樹脂は、単独もしくは
2 種以上混合して用いる。
【００１８】
【化９】 （但し、式中、ｎは1 以上の整数を表す）
【００１９】
【化１０】 （但し、式中、ｎは1 以上の整数を表す）
【００２０】
【化１１】 （但し、式中、ｎは1 以上の整数を表す）
【００２１】
【化１２】 （但し、式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は水素原子、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、t-ブチル基を、
ｎは1 以上の整数をそれぞれ表す）本発明に用いる
（Ｂ）成分のノボラック型フェノール樹脂には、ナフト
ール型樹脂を併用してもよい。ナフトール型樹脂として
は、ナフトール、アルキルナフトール等のナフトール類
とホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド等のアルデ
ヒド類とを反応させて得られるナフトール型フェノール
樹脂およびこれらの変性樹脂、例えば次式化１３に示さ
れるザイログ型ナフトール樹脂等の多価ナフトール樹脂
が挙げられ、これらの樹脂は、単独もしくは2 種以上混
合して用いる。
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、t-ブチル基を、
ｎは1 以上の整数をそれぞれ表す）本発明に用いる
（Ｂ）成分のノボラック型フェノール樹脂には、ナフト
ール型樹脂を併用してもよい。ナフトール型樹脂として
は、ナフトール、アルキルナフトール等のナフトール類
とホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド等のアルデ
ヒド類とを反応させて得られるナフトール型フェノール
樹脂およびこれらの変性樹脂、例えば次式化１３に示さ
れるザイログ型ナフトール樹脂等の多価ナフトール樹脂
が挙げられ、これらの樹脂は、単独もしくは2 種以上混
合して用いる。
【００２２】
【化１３】 （但し、式中、ｎは1 以上の整数を表す）フェノール樹
脂硬化剤は（Ｂ）成分のノボラック型フェノール樹脂と
所望により併用されるノボラック型ナフトール樹脂で構
成される。フェノール樹脂硬化剤の配合割合は、前述し
たエポキシ樹脂のエポキシ基（ａ）とノボラック型フェ
ノール樹脂及びノボラック型ナフトール樹脂のフェノー
ル性水酸基（ｂ）との当量比［（ａ）／（ｂ）］が0.1
〜10の範囲内であることが望ましい。当量比が0.1未満
もしくは10を超えると、耐熱性、耐湿性、成形作業性お
よび硬化物の電気特性が悪くなり、いずれの場合も好ま
しくない。従って上記の範囲内に限定するのが良い。
脂硬化剤は（Ｂ）成分のノボラック型フェノール樹脂と
所望により併用されるノボラック型ナフトール樹脂で構
成される。フェノール樹脂硬化剤の配合割合は、前述し
たエポキシ樹脂のエポキシ基（ａ）とノボラック型フェ
ノール樹脂及びノボラック型ナフトール樹脂のフェノー
ル性水酸基（ｂ）との当量比［（ａ）／（ｂ）］が0.1
〜10の範囲内であることが望ましい。当量比が0.1未満
もしくは10を超えると、耐熱性、耐湿性、成形作業性お
よび硬化物の電気特性が悪くなり、いずれの場合も好ま
しくない。従って上記の範囲内に限定するのが良い。
【００２３】また（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂の
遊離フェノール量は、ガスクロマトグラフィー法によっ
て求めた遊離フェノール量が1.0 重量％以下のものであ
ることが望ましい。1.0 重量％を超えると、耐湿性が低
下するので好ましくない。
遊離フェノール量は、ガスクロマトグラフィー法によっ
て求めた遊離フェノール量が1.0 重量％以下のものであ
ることが望ましい。1.0 重量％を超えると、耐湿性が低
下するので好ましくない。
【００２４】本発明に用いる（Ｃ）2,4,5-トリアリール
イミダゾールとしては、次の構造式に示されるものであ
る。
イミダゾールとしては、次の構造式に示されるものであ
る。
【００２５】
【化１４】 （但し、式中、Ｒはアリール基を表す） 具体的な例としては、2-（1-ナフチル）-4,5- ジフェニ
ルイミダゾールで次の構造式のものである。
ルイミダゾールで次の構造式のものである。
【００２６】
【化１５】
【００２７】2,4,5-トリアリールイミダゾールは、単独
もしくは他の硬化触媒と併用して使用し、2,4,5-トリア
リールイミダゾールの配合割合は、全体の樹脂組成物に
対して0.01〜5.0 重量％含有することが望ましい。この
割合が、0.01重量％未満では、硬化剤として機能せず、
5.0 重量％を超えると、封止樹脂の硬化が速すぎるた
め、実用に適さず好ましくない。
もしくは他の硬化触媒と併用して使用し、2,4,5-トリア
リールイミダゾールの配合割合は、全体の樹脂組成物に
対して0.01〜5.0 重量％含有することが望ましい。この
割合が、0.01重量％未満では、硬化剤として機能せず、
5.0 重量％を超えると、封止樹脂の硬化が速すぎるた
め、実用に適さず好ましくない。
【００２８】本発明に用いる（Ｄ）無機質充填剤として
は、シリカ粉末、チッ化珪素、アルミナ粉末、チッ化ア
ルミ、三酸化アンチモン、四酸化アンチモン、五酸化ア
ンチモン、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、
クレー、マイカ、ベンガラ、ガラス繊維等が挙げられ、
これらは単独又は2 種以上混合して使用することができ
る。これらの中でも特にシリカ粉末やアルミナ粉末が好
ましく、よく使用される。無機質充填剤の配合割合は、
全体の樹脂組成物に対して20〜95重量％の割合で含有す
ることが望ましい。その割合が20重量％未満では、耐熱
性、耐湿性、半田耐熱性、機械的特性および成形性が悪
くなり、また、95重量％を超えるとカサバリが大きくな
り、成形性に劣り実用に適さない。
は、シリカ粉末、チッ化珪素、アルミナ粉末、チッ化ア
ルミ、三酸化アンチモン、四酸化アンチモン、五酸化ア
ンチモン、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、
クレー、マイカ、ベンガラ、ガラス繊維等が挙げられ、
これらは単独又は2 種以上混合して使用することができ
る。これらの中でも特にシリカ粉末やアルミナ粉末が好
ましく、よく使用される。無機質充填剤の配合割合は、
全体の樹脂組成物に対して20〜95重量％の割合で含有す
ることが望ましい。その割合が20重量％未満では、耐熱
性、耐湿性、半田耐熱性、機械的特性および成形性が悪
くなり、また、95重量％を超えるとカサバリが大きくな
り、成形性に劣り実用に適さない。
【００２９】本発明の封止用樹脂組成物は、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、2,4,5-トリフェニル
イミダゾールおよび無機質充填剤を必須成分とするが、
本発明の目的に反しない限度において、また必要に応じ
て、例えば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪
酸の金属塩、酸アミド類、エステル類、パラフィン類等
の離型剤、塩素化パラフィン、ブロム化トルエン、ヘキ
サブロムベンゼン、三酸化アンチモン等の難燃剤、エラ
ストマー等の低応力化成分、カーボンブラック、ベンガ
ラ等の着色剤、シラン系等のカップリング剤、やシリコ
ーンオイル等を適宜、添加配合することができる。
脂、ノボラック型フェノール樹脂、2,4,5-トリフェニル
イミダゾールおよび無機質充填剤を必須成分とするが、
本発明の目的に反しない限度において、また必要に応じ
て、例えば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪
酸の金属塩、酸アミド類、エステル類、パラフィン類等
の離型剤、塩素化パラフィン、ブロム化トルエン、ヘキ
サブロムベンゼン、三酸化アンチモン等の難燃剤、エラ
ストマー等の低応力化成分、カーボンブラック、ベンガ
ラ等の着色剤、シラン系等のカップリング剤、やシリコ
ーンオイル等を適宜、添加配合することができる。
【００３０】本発明の封止用樹脂組成物を成形材料とし
て調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、2,4,5-トリフェニル
イミダゾール、無機質充填剤およびその他の成分を配合
し、ミキサー等によって十分均一に混合した後、さらに
熱ロールによる溶融混合処理又はニーダ等による混合処
理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕し
て成形材料とすることができる。こうして得られた成形
材料は、半導体装置をはじめとする電子部品あるいは電
気部品の封止、被覆、絶縁等に適用すれば、優れた特性
と信頼性を付与させることができる。
て調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、2,4,5-トリフェニル
イミダゾール、無機質充填剤およびその他の成分を配合
し、ミキサー等によって十分均一に混合した後、さらに
熱ロールによる溶融混合処理又はニーダ等による混合処
理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕し
て成形材料とすることができる。こうして得られた成形
材料は、半導体装置をはじめとする電子部品あるいは電
気部品の封止、被覆、絶縁等に適用すれば、優れた特性
と信頼性を付与させることができる。
【００３１】本発明の半導体封止装置は、上記のように
して得られた封止用樹脂を用いて、半導体チップを封止
することにより容易に製造することができる。封止の最
も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法が
あるが、射出成形、圧縮成形、注型等による封止も可能
である。封止用樹脂組成物を封止の際に加熱して硬化さ
せ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃
以上に加熱して硬化させることが望ましい。封止を行う
半導体装置としては、例えば集積回路、大規模集積回
路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等で特に限
定されるものではない。
して得られた封止用樹脂を用いて、半導体チップを封止
することにより容易に製造することができる。封止の最
も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法が
あるが、射出成形、圧縮成形、注型等による封止も可能
である。封止用樹脂組成物を封止の際に加熱して硬化さ
せ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃
以上に加熱して硬化させることが望ましい。封止を行う
半導体装置としては、例えば集積回路、大規模集積回
路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等で特に限
定されるものではない。
【００３２】
【作用】本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装
置は、硬化促進剤成分として2,4,5-トリアリールイミダ
ゾールを用いたことによって、目的とするものが得られ
るのである。即ち、2,4,5-トリアリールイミダゾール
は、樹脂組成物の不純物特性を向上させるとともに、半
導体パッケージにおいて耐湿性の信頼性を向上させるこ
とができる。
置は、硬化促進剤成分として2,4,5-トリアリールイミダ
ゾールを用いたことによって、目的とするものが得られ
るのである。即ち、2,4,5-トリアリールイミダゾール
は、樹脂組成物の不純物特性を向上させるとともに、半
導体パッケージにおいて耐湿性の信頼性を向上させるこ
とができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】次に本発明を実施例によって説明
するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるも
のではない。以下の実施例及び比較例において「％」と
は「重量％」を意味する。
するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるも
のではない。以下の実施例及び比較例において「％」と
は「重量％」を意味する。
【００３４】実施例１ ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（エポキシ当量26
4 、抽出水塩素イオン450 ｐｐｍ、抽出水伝導度が 3μ
ｓ／ｃｍ）16％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェ
ノール当量107 、遊離フェノールが0.2 ％）9 ％、前
記、化１５に示した2-（1-ナフチル）-4,5- ジフェニル
イミダゾール0.3 ％、溶融シリカ粉末74％、シランカッ
プリング剤0.4 ％およびエステル系ワックス類 0.3％を
配合し、常温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれ
を冷却粉砕して成形材料を製造した。この成形材料を17
5 ℃に加熱した金型内にトランスファー注入し、硬化さ
せて成形品（封止品）をつくった。この成形品について
不純物濃度、耐湿性を試験したのでその結果を表１に示
した。
4 、抽出水塩素イオン450 ｐｐｍ、抽出水伝導度が 3μ
ｓ／ｃｍ）16％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェ
ノール当量107 、遊離フェノールが0.2 ％）9 ％、前
記、化１５に示した2-（1-ナフチル）-4,5- ジフェニル
イミダゾール0.3 ％、溶融シリカ粉末74％、シランカッ
プリング剤0.4 ％およびエステル系ワックス類 0.3％を
配合し、常温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれ
を冷却粉砕して成形材料を製造した。この成形材料を17
5 ℃に加熱した金型内にトランスファー注入し、硬化さ
せて成形品（封止品）をつくった。この成形品について
不純物濃度、耐湿性を試験したのでその結果を表１に示
した。
【００３５】比較例１ ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（エポキシ当量26
4 、抽出水塩素イオン450 ｐｐｍ、抽出水伝導度が 3μ
ｓ／ｃｍ）16％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェ
ノール当量107 、遊離フェノールが0.2 ％）9 ％、2-メ
チルイミダゾール0.3 ％、溶融シリカ粉末74％、シラン
カップリング剤0.4 ％およびエステル系ワックス類 0.3
％を配合し、常温で混合し、さらに90〜95℃で混練して
これを冷却粉砕して成形材料を製造した。この成形材料
を175 ℃に加熱した金型内にトランスファー注入し、硬
化させて成形品（封止品）をつくった。この成形品につ
いて不純物濃度、耐湿性を試験したのでその結果を表１
に示した。
4 、抽出水塩素イオン450 ｐｐｍ、抽出水伝導度が 3μ
ｓ／ｃｍ）16％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェ
ノール当量107 、遊離フェノールが0.2 ％）9 ％、2-メ
チルイミダゾール0.3 ％、溶融シリカ粉末74％、シラン
カップリング剤0.4 ％およびエステル系ワックス類 0.3
％を配合し、常温で混合し、さらに90〜95℃で混練して
これを冷却粉砕して成形材料を製造した。この成形材料
を175 ℃に加熱した金型内にトランスファー注入し、硬
化させて成形品（封止品）をつくった。この成形品につ
いて不純物濃度、耐湿性を試験したのでその結果を表１
に示した。
【００３６】比較例２ ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（エポキシ当量26
4 、抽出水塩素イオン900 ｐｐｍ、抽出水伝導度が10μ
ｓ／ｃｍ）16％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェ
ノール当量107 、遊離フェノールが0.2 ％）9 ％、前記
化１５に示した2-（1-ナフチル）-4,5- ジフェニルイミ
ダゾール0.3 ％、溶融シリカ粉末74％、シランカップリ
ング剤0.4 ％およびエステル系ワックス類 0.3％を配合
し、常温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷
却粉砕して成形材料を製造した。この成形材料を175 ℃
に加熱した金型内にトランスファー注入し、硬化させて
成形品（封止品）をつくった。この成形品について不純
物濃度、耐湿性を試験したのでその結果を表１に示し
た。
4 、抽出水塩素イオン900 ｐｐｍ、抽出水伝導度が10μ
ｓ／ｃｍ）16％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェ
ノール当量107 、遊離フェノールが0.2 ％）9 ％、前記
化１５に示した2-（1-ナフチル）-4,5- ジフェニルイミ
ダゾール0.3 ％、溶融シリカ粉末74％、シランカップリ
ング剤0.4 ％およびエステル系ワックス類 0.3％を配合
し、常温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷
却粉砕して成形材料を製造した。この成形材料を175 ℃
に加熱した金型内にトランスファー注入し、硬化させて
成形品（封止品）をつくった。この成形品について不純
物濃度、耐湿性を試験したのでその結果を表１に示し
た。
【００３７】比較例３ ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（エポキシ当量26
4 、抽出水塩素イオン450 ｐｐｍ、抽出水伝導度が3 μ
ｓ／ｃｍ）16％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェ
ノール当量107 、遊離フェノールが5.0 ％）9 ％、前記
化１５に示した2-（1-ナフチル）-4,5- ジフェニルイミ
ダゾール0.3 ％、溶融シリカ粉末74％、シランカップリ
ング剤0.4 ％およびエステル系ワックス類 0.3％を配合
し、常温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷
却粉砕して成形材料を製造した。この成形材料を175 ℃
に加熱した金型内にトランスファー注入し、硬化させて
成形品（封止品）をつくった。この成形品について不純
物濃度、耐湿性を試験したのでその結果を表１に示し
た。
4 、抽出水塩素イオン450 ｐｐｍ、抽出水伝導度が3 μ
ｓ／ｃｍ）16％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェ
ノール当量107 、遊離フェノールが5.0 ％）9 ％、前記
化１５に示した2-（1-ナフチル）-4,5- ジフェニルイミ
ダゾール0.3 ％、溶融シリカ粉末74％、シランカップリ
ング剤0.4 ％およびエステル系ワックス類 0.3％を配合
し、常温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷
却粉砕して成形材料を製造した。この成形材料を175 ℃
に加熱した金型内にトランスファー注入し、硬化させて
成形品（封止品）をつくった。この成形品について不純
物濃度、耐湿性を試験したのでその結果を表１に示し
た。
【００３８】比較例４ ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（エポキシ当量26
4 、抽出水塩素イオン450 ｐｐｍ、抽出水伝導度が10μ
ｓ／ｃｍ）16％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェ
ノール当量107 、遊離フェノールが0.2 ％）9 ％、前記
化１５に示した2-（1-ナフチル）-4,5- ジフェニルイミ
ダゾール0.3 ％、溶融シリカ粉末74％、シランカップリ
ング剤0.4 ％およびエステル系ワックス類 0.3％を配合
し、常温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷
却粉砕して成形材料を製造した。この成形材料を175 ℃
に加熱した金型内にトランスファー注入し、硬化させて
成形品（封止品）をつくった。この成形品について不純
物濃度、耐湿性を試験したのでその結果を表１に示し
た。
4 、抽出水塩素イオン450 ｐｐｍ、抽出水伝導度が10μ
ｓ／ｃｍ）16％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェ
ノール当量107 、遊離フェノールが0.2 ％）9 ％、前記
化１５に示した2-（1-ナフチル）-4,5- ジフェニルイミ
ダゾール0.3 ％、溶融シリカ粉末74％、シランカップリ
ング剤0.4 ％およびエステル系ワックス類 0.3％を配合
し、常温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷
却粉砕して成形材料を製造した。この成形材料を175 ℃
に加熱した金型内にトランスファー注入し、硬化させて
成形品（封止品）をつくった。この成形品について不純
物濃度、耐湿性を試験したのでその結果を表１に示し
た。
【００３９】
【表１】 ＊1 ：トランスファー成形により成形品をつくり、これを、175 ℃，8 時間の後 硬化を行った後にこれを砕き、180 ℃で2 時間熱水抽出し、イオンクロマトグラ フィーにより測定を行った。 ＊2 ：トランスファー成形によって成形品をつくり、これを175 ℃，8 時間の後 硬化を行い、熱機器分析装置を用いて測定した。 ＊3 ：成形材料を用いて、2 本以上のアルミニウム配線を有するシリコン製チッ プ（テスト用素子）をフレームに接着し、175 ℃で2 分間トランスファー成形し て、ＱＦＰ−２０８Ｐ，2.8 ｍｍt の成形品をつくり、これを175 ℃，8 時間の 後硬化を行った。こうして得た成形品を予め、85℃，40％ＲＨ，168 時間の吸湿 処理した後、Ｍａｘ240 ℃のＩＲリフロー炉を4 回通した。その後、127 ℃，2. 5 気圧の飽和水蒸気中でＰＣＴを行い、アルミニウムの腐食による断線を不良と して評価した。
【００４０】
【発明の効果】以上の説明および表１から明らかなよう
に、本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装置
は、不純物特性に優れ、またＩＲリフロー後においても
剥離することなく、耐湿性に優れ、その結果、電極の腐
食による断線や水分によるリーク電流の発生等を著しく
低減することができ、しかも長期間にわたって信頼性を
保証することができる。
に、本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装置
は、不純物特性に優れ、またＩＲリフロー後においても
剥離することなく、耐湿性に優れ、その結果、電極の腐
食による断線や水分によるリーク電流の発生等を著しく
低減することができ、しかも長期間にわたって信頼性を
保証することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/31 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C08G 59/62 C08G 59/50 C08L 63/00 - 63/10 H01L 23/29
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）95℃、20時間の煮沸・抽出によっ
て求めた該エポキシ樹脂の塩素イオン含有量が 600ｐｐ
ｍ以下であり、かつ95℃、20時間の煮沸・抽出を行って
得られた抽出水の電気伝導度が5 μｓ／ｃｍ以下である
エポキシ樹脂、 （Ｂ）ガスクロマトグラフィー法によって求めた遊離フ
ェノール量が1.0 重量％以下であるノボラック型フェノ
ール樹脂、 （Ｃ）2,4,5-トリアリールイミダゾール並びに （Ｄ）無機充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対し
て、前記（Ｃ）の2,4,5-トリアリールイミダゾールを0.
01〜5.0 重量％、また前記（Ｄ）の無機質充填剤を20〜
95重量％の割合で含有してなることを特徴とする封止用
樹脂組成物。 - 【請求項２】 （Ａ）95℃、20時間の煮沸・抽出によっ
て求めた該エポキシ樹脂の塩素イオン含有量が 600ｐｐ
ｍ以下であり、かつ95℃、20時間の煮沸・抽出を行って
得られた抽出水の電気伝導度が5 μｓ／ｃｍ以下である
エポキシ樹脂、 （Ｂ）ガスクロマトグラフィー法によって求めた遊離フ
ェノール量が1.0 重量％以下であるノボラック型フェノ
ール樹脂、 （Ｃ）2,4,5-トリアリールイミダゾール並びに （Ｄ）無機充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対し
て、前記（Ｃ）の2,4,5-トリアリールイミダゾールを0.
01〜5.0 重量％、また前記（Ｄ）の無機質充填剤を20〜
95重量％の割合で含有した封止用樹脂組成物の硬化物に
よって、半導体チップを封止してなることを特徴とする
半導体封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25455798A JP2978164B1 (ja) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25455798A JP2978164B1 (ja) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2978164B1 true JP2978164B1 (ja) | 1999-11-15 |
| JP2000063496A JP2000063496A (ja) | 2000-02-29 |
Family
ID=17266709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25455798A Expired - Fee Related JP2978164B1 (ja) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2978164B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG184967A1 (en) * | 2010-04-21 | 2012-11-29 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Heat curable composition |
-
1998
- 1998-08-25 JP JP25455798A patent/JP2978164B1/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP2000063496A (ja) | 2000-02-29 |
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