JP2957130B2 - Rotational position detector - Google Patents

Rotational position detector

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JP2957130B2
JP2957130B2 JP16692696A JP16692696A JP2957130B2 JP 2957130 B2 JP2957130 B2 JP 2957130B2 JP 16692696 A JP16692696 A JP 16692696A JP 16692696 A JP16692696 A JP 16692696A JP 2957130 B2 JP2957130 B2 JP 2957130B2
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magnetic sensor
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  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果素子
を有する磁気センサを用いた回転位置検出装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a rotational position detecting device using a magnetic sensor having a magnetoresistive element.

【従来の技術】一般に、ファクトリオートメーション、
オフィースオートメーション、その他の分野での自動化
機械装置等にあっては、直線或いは回転移動体の正確な
位置を求めるために光学式或いは磁気式のエンコーダが
用いられている。この中で磁気式のエンコーダは、構造
が簡単で且つ耐水性、耐油性等の環境条件に対して有利
であることから、多用されている。この磁気式の回転エ
ンコーダを例にとれば、このエンコーダは所定のピッチ
で着磁した回転ドラムと、これに対向させて配置した磁
気センサとよりなり、この磁気センサに設けた例えば磁
気抵抗効果素子からの出力波形を処理することにより、
その相対的或いは絶対的位置を処理することにより、そ
の回転数や回転角度の相対的或いは絶対的位置を求める
ようになっている。
2. Description of the Related Art Generally, factory automation,
Optical automation or magnetic encoders are used in office automation and other automated machinery in other fields to determine the exact position of a linear or rotary moving body. Among them, magnetic encoders are frequently used because they have a simple structure and are advantageous for environmental conditions such as water resistance and oil resistance. Taking this magnetic rotary encoder as an example, this encoder comprises a rotating drum magnetized at a predetermined pitch and a magnetic sensor arranged opposite thereto, for example, a magnetoresistive effect element provided on this magnetic sensor. By processing the output waveform from
By processing the relative or absolute position, the relative or absolute position of the rotation speed or rotation angle is obtained.

【0002】これを具体的に説明すると、図7は磁気式
の回転エンコーダ(回転位置検出装置)の一般的構成を
示す斜視図であり、このエンコーダは回転位置の検出対
象となる回転軸2に固定した回転ドラム4と、このドラ
ム外周面に対向させて所定の間隔(スペーシング)mを
隔てて配置した磁気センサ6とにより主に構成される。
上記回転ドラム4の外周面には、所定のピッチλで、
N、S極が着磁された多極磁気パターン8が設けられ
る。図8は上記多極磁気パターンの展開図を示してお
り、磁気センサ6には、上記ピッチλの半分の間隔、す
なわち実質的に電気角で180°となるλ/2の間隔で
配置した2つの磁気抵抗効果素子R1、R2を有してお
り、回転ドラム4の回転に伴う磁界の変化を検出し得る
ようになっている。
FIG. 7 is a perspective view showing a general configuration of a magnetic rotary encoder (rotational position detecting device). This encoder is mounted on a rotary shaft 2 whose rotational position is to be detected. It is mainly composed of a fixed rotating drum 4 and a magnetic sensor 6 arranged opposite to the outer peripheral surface of the drum at a predetermined interval (spacing) m.
On the outer peripheral surface of the rotating drum 4, at a predetermined pitch λ,
A multi-pole magnetic pattern 8 having N and S poles is provided. FIG. 8 shows a developed view of the multi-pole magnetic pattern. The magnetic sensor 6 is arranged at an interval of half the pitch λ, that is, at an interval of λ / 2, which is substantially 180 ° in electrical angle. It has two magnetoresistive elements R1 and R2, and can detect a change in a magnetic field accompanying rotation of the rotating drum 4.

【0003】尚、ここで、素子R1,R2間の距離が、
実質的にλ/2とは、両素子間の距離が精度良くλ/2
に設定する場合もあるし、また、特開平1−31891
4号公報に示すようにドラムとセンサ間の距離、すなわ
ちスペーシングmを考慮してセンサに接する円を仮定し
た時に定まる仮のピッチに基づいて素子R1,R2間の
距離を設定する場合、或いは後述するように上記電気角
に対応する機械角の放射線をドラム回転中心より引いて
この放射線とセンサとの交点に素子を配置する場合もあ
る点を含めて実質的という言葉を用いている。すなわ
ち、素子R1、R2間の距離は、微小な差異はあるもの
の、実質的にλ/2(電気角で180°)の間隔に設定
されている。この磁気抵抗効果素子、すなわちMR素子
R1、R2は、例えばガラス基板等の表面に磁界の強度
によってその電気抵抗が変化する材料、例えばNi・F
eやNi・Co等の薄膜を蒸着等の手法によって形成し
ている。
Here, the distance between the elements R1 and R2 is
Substantially λ / 2 means that the distance between the two elements is precisely λ / 2
In some cases.
No. 4, the distance between the drum and the sensor, that is, a case where the distance between the elements R1 and R2 is set based on a temporary pitch determined when a circle contacting the sensor is assumed in consideration of the spacing m, or As will be described later, the word "substantially" is used, including the case where a radiation beam having a mechanical angle corresponding to the above-mentioned electrical angle is drawn from the center of rotation of the drum and an element may be arranged at the intersection of the radiation beam and the sensor. That is, the distance between the elements R1 and R2 is set to substantially λ / 2 (electrical angle of 180 °) although there is a slight difference. The magnetoresistive element, that is, the MR elements R1 and R2 are made of a material whose electric resistance changes depending on the strength of a magnetic field, for example, Ni.
A thin film of e, Ni, Co or the like is formed by a technique such as vapor deposition.

【0004】次に、MR素子の動作原理について図9を
参照しつつ説明する。この種のMR素子の磁界に対する
抵抗変化は、図9(A)に示すような特性を有し、磁界
の方向に関係なく、磁界の大きさに比例して抵抗が変化
し、ある値で飽和する。ここで回転ドラム4が回転して
MR素子R1、R2に、図9(B)に示すような大きさ
が正弦波状に変化する磁界Bが加わったものと仮定す
る。このような磁界BがMR素子R1、R2に加わる
と、それぞれピッチλの半波整流波形に似た抵抗値(図
9(C))となり、当然のこととしてMR素子R1、R
2の抵抗波形はλ/2の位相差となっている。従って、
これらのMR素子R1、R2を図9(D)に示すように
直列接続して検出直流電源10より電圧Vを印加すれ
ば、その接続点より出力eaを取り出すことができる。
この時の出力波形は図9(E)に示すように周期がλの
略正弦波出力を得ることができる。
Next, the operation principle of the MR element will be described with reference to FIG. The resistance change of this type of MR element with respect to a magnetic field has characteristics as shown in FIG. 9A, the resistance changes in proportion to the magnitude of the magnetic field regardless of the direction of the magnetic field, and saturates at a certain value. I do. Here, it is assumed that the rotating drum 4 rotates and a magnetic field B whose magnitude changes in a sine wave shape as shown in FIG. 9B is applied to the MR elements R1 and R2. When such a magnetic field B is applied to the MR elements R1 and R2, the resistance values become similar to the half-wave rectified waveform of the pitch λ (FIG. 9C).
2 has a phase difference of λ / 2. Therefore,
If these MR elements R1 and R2 are connected in series as shown in FIG. 9D and a voltage V is applied from the detection DC power supply 10, an output ea can be obtained from the connection point.
The output waveform at this time can obtain a substantially sine wave output having a cycle of λ as shown in FIG.

【0005】以上の説明は、磁界変化の検出の原理であ
るが、実際には、MR素子の抵抗変化量は2%程度と非
常に小さく、しかも、相対的な回転量、或いは回転角を
求めるインクリメンタル相を考慮すれば、正逆回転を認
識するためにA相とB相の2つの信号が必要となる。そ
こで、図10に示すように実際には8つのMR素子R
A、RB、Ra、Rb、Ra’、Rb’、RA’、R
B’を用い、これらをそれぞれ1/4λ、すなわち電気
角で90°の間隔だけ隔てて順次配列し、図11に示す
ように配線接続している。尚、ここでのλも先に説明し
た仮のピッチを含む概念である。
The above description is based on the principle of detecting a change in the magnetic field. In practice, however, the amount of change in resistance of the MR element is as small as about 2%, and the relative rotation amount or rotation angle is obtained. In consideration of the incremental phase, two signals of the A phase and the B phase are required to recognize the forward / reverse rotation. Therefore, as shown in FIG.
A, RB, Ra, Rb, Ra ', Rb', RA ', R
B ′ are sequentially arranged at an interval of 1 / 4λ, that is, 90 ° in electrical angle, and are connected by wiring as shown in FIG. Note that λ here is a concept including the tentative pitch described above.

【0006】ここでは、図中左側の4つのMR素子R
A、RB、Ra、Rbが検出直流電源のプラス側に接続
されることからプラス側磁気抵抗効果素子として構成さ
れ、他方、図中右側の4つのMR素子Ra’、Rb’、
RA’、RB’がマイナス側(接地)に接続されること
からマイナス側磁気抵抗効果素子として構成される。こ
こでMR素子RA、RA’、Ra、Ra’はA相側の信
号を出力するものであり、MR素子RB、RB’、R
b、Rb’はB相側の信号を出力するものである。各M
R素子の対、例えばRAとRA’、RaとRa’、RB
とRB’、RbとRb’はそれぞれ先に説明したMR素
子R1とR2の関係を有しており、従って、両素子間は
実質的に(λ/2)×奇数倍、すなわち電気角で180
°の奇数倍の間隔を隔てて配置されている。そして、A
相信号用のMR素子RA、RA’、Ra、Ra’はブリ
ッジ状に接続されており(図11(A)参照)、両接続
点VA 、Va を例えばオペアンプ等よりなるA相側増幅
器12の−端子と+端子にそれぞれ入力することにより
両接続点VA 、Va の出力を差動増幅するようになって
いる。これにより、MR素子の抵抗変化量の少なさを補
償するようになっている。
Here, the four MR elements R on the left side in FIG.
Since A, RB, Ra, and Rb are connected to the positive side of the detection DC power supply, they are configured as positive-side magnetoresistive elements. On the other hand, the four MR elements Ra ′, Rb ′,
Since RA 'and RB' are connected to the minus side (ground), they are configured as minus side magnetoresistive elements. Here, the MR elements RA, RA ', Ra, Ra' output signals on the A-phase side, and the MR elements RB, RB ', R'
b and Rb ′ output signals on the B-phase side. Each M
R element pairs, eg, RA and RA ', Ra and Ra', RB
And RB ', and Rb and Rb' have the relationship of the MR elements R1 and R2 described above, respectively. Therefore, there is a substantial (.lambda. / 2) .times.odd multiple between the two elements, that is, 180 electrical degrees.
Are spaced at odd multiples of °. And A
MR element RA for phase signals, RA ', Ra, Ra' is connected like a bridge (see Fig. 11 (A)), both connection point V A, consisting of the V a for example an operational amplifier, etc. A phase side amplifier 12 - has terminal and + both connection point V a by inputting each terminal, the output of the V a such that the differential amplifier. Thereby, the small amount of change in resistance of the MR element is compensated.

【0007】また同様に、B相信号用のMR素子RB、
RB’、Rb、Rb’もブリッジ状に接続されており
(図11(B)参照)、両接続点VB 、Vb をB相側増
幅器14の−端子と+端子にそれぞれ入力することによ
り、両接続点VB 、Vb の出力を差動増幅するようにな
っている。また、このようにA相信号用のMR素子とB
相信号用のMR素子を実質的に1/4λずつ間隔を隔て
て配置することにより、理想的には図12に示すように
A相信号とB相信号は電気角で90°位相がずれた状態
で出力され、正逆回転の回転方向に応じて進む相が変わ
るので、これにより正回転であるか、逆回転であるかを
認識する。
Similarly, an MR element RB for a B-phase signal,
RB ′, Rb, and Rb ′ are also connected in a bridge shape (see FIG. 11B). By inputting both connection points V B and V b to the − terminal and the + terminal of the B-phase side amplifier 14, respectively. , And differentially amplifies the outputs of the two connection points V B and V b . Also, the MR element for the A-phase signal and the B
By arranging the MR elements for phase signals at intervals of substantially 1 / 4λ, ideally the A-phase signal and the B-phase signal are shifted by 90 ° in electrical angle as shown in FIG. Since the phase is output in the state and the phase that advances according to the rotation direction of the forward / reverse rotation changes, it is recognized whether the rotation is the forward rotation or the reverse rotation.

【0008】上記従来センサの各MR素子間の間隔は、
ピッチとしてλを用いるか、仮のピッチを用いるかは別
として、全て一定の値となるように設定されているが、
MR素子間の間隔をセンサ周辺部に行く程、少しずつ次
第に大きく設定するようにしてセンサ中心部と周辺部と
の回転ドラムに対する間隔の相異を補償するようにした
素子配列も提案されている。図13はそのような素子配
列を示す図であり、ここでは理解を容易化するためにド
ラム4の曲率を大きく誇張して記してある。図13にお
いて、回転ドラム4の曲率のために磁気センサ6の素子
取り付け面とドラム4との間隔がセンサの中心部から周
辺部に行く程、例えばm1、m2、m3と僅かずつであ
るが大きくなり、この間隔の差が原因で前述のように等
間隔でMR素子を配列すると出力波形にある程度の歪が
含まれてしまう。そこで、この歪を抑制するためにMR
素子を配列するにあたり、回転ドラム4の回転中心Oを
通ってセンサ6と直交する法線Zを仮定し、この交点に
8つのMR素子の略中央のMR素子、例えばMR素子R
a’を配置する。尚、ここでは理解を容易化するために
この交点にMR素子Rbを配置しているが、実際には中
央の2つのMR素子RbとRa’の中間点をこの交点に
位置させる場合が多い。
The distance between each MR element of the conventional sensor is
Apart from using λ as a pitch or using a temporary pitch, they are all set to be constant values,
An element arrangement has also been proposed in which the distance between the MR elements is gradually increased gradually toward the sensor periphery to compensate for the difference in the distance between the sensor center and the periphery with respect to the rotating drum. . FIG. 13 is a diagram showing such an element arrangement. Here, the curvature of the drum 4 is greatly exaggerated for easy understanding. In FIG. 13, due to the curvature of the rotary drum 4, the distance between the element mounting surface of the magnetic sensor 6 and the drum 4 goes from the center to the periphery of the sensor, for example, m1, m2, and m3, respectively, but slightly larger. If the MR elements are arranged at equal intervals as described above due to the difference in the intervals, a certain amount of distortion is included in the output waveform. Therefore, in order to suppress this distortion, MR
In arranging the elements, it is assumed that a normal line Z passes through the rotation center O of the rotary drum 4 and is orthogonal to the sensor 6, and at the intersection, a substantially central MR element of the eight MR elements, for example, the MR element R
a 'is arranged. Here, the MR element Rb is arranged at this intersection for easy understanding, but in practice, the middle point between the two central MR elements Rb and Ra 'is often located at this intersection.

【0009】そして、このMR素子Ra’の両側にそれ
ぞれ他のMR素子を略λ/4ずつ、すなわち電気角で9
0°ずつ位置ずれさせて配置させるのであるが、ここで
はこの電気角に対応する機械角だけ法線Zより回転した
方向に延びる放射線H1、H2…とセンサ6との交点に
MR素子を配列させる。すなわち、図示例においてドラ
ム4の1つのN・S間が1ピッチλであるから、このλ
のなす機械角を4αとすると、λ/4に対応する機械角
はαであることから法線Zから機械角がα(λ/4に対
応)、2α(2λ/4に対応)等のように整数倍的に順
次大きくなる複数の放射線H1、H2…を回転中心Oよ
り引き、これらの放射線H1、H2…とセンサ6との各
交点にMR素子を配置する。この場合には、センサの中
心より周辺部に行くに従ってMR素子間の間隔は少しず
つ大きくなって行くことになる。このように、電気角に
してλ/4ずつの間隔を隔てて設けるべきMR素子の配
列位置を決定するに際して、その電気角に対応する機械
角の方向に延びる放射線H1、H2…とセンサ6との各
交点を配列位置とすることにより、出力波形の歪をでき
るだけ抑制するようになっている。
The other MR elements are provided on both sides of the MR element Ra 'by approximately .lambda. / 4, that is, 9 electrical degrees.
The MR elements are arranged at the intersections of the radiations H1, H2,... Extending in the direction rotated from the normal Z by a mechanical angle corresponding to this electrical angle and the sensor 6. . That is, since one pitch λ is between one NS of the drum 4 in the illustrated example,
Is 4α, the mechanical angle corresponding to λ / 4 is α, so the mechanical angle from the normal Z is α (corresponding to λ / 4), 2α (corresponding to 2λ / 4), etc. Are sequentially drawn from the rotation center O, and an MR element is arranged at each intersection of the radiations H1, H2, and the sensor 6. In this case, the distance between the MR elements gradually increases from the center of the sensor toward the periphery. As described above, when determining the arrangement position of the MR elements to be provided at an electrical angle of λ / 4, the radiations H1, H2,... Is set as the arrangement position, the distortion of the output waveform is suppressed as much as possible.

【0010】ところで、一般的な比較的精度の高い回転
位置検出装置にあっては、上記ピッチλの値は例えば1
00μm程度で比較的小さく、ドラム1回転で例えば1
000パルス程度の出力が得られるようになっている。
また、ドラム1回転のパルス数が上述のように多いとセ
ンサ6をドラム4に非常に接近させて効果的に磁気強度
の変化を検出しなければならないことから、ドラム4と
センサ6との間の間隔m或いはm1も非常に小さく、例
えば80μm程度に設定しなければならない。
By the way, in a general relatively accurate rotational position detecting device, the value of the pitch λ is, for example, 1
It is relatively small at about 00 μm.
An output of about 000 pulses can be obtained.
If the number of pulses per rotation of the drum is large as described above, the sensor 6 must be brought very close to the drum 4 and a change in magnetic intensity must be detected effectively. Is very small, for example, about 80 μm.

【0011】しかしながら、回転位置検出装置の設置場
所には、湿度や温度の変動が激しかったり、或いは振動
も激しいような使用環境が非常に厳しい場所もある。例
えば自動車のステアリングの回転角度を求めるような回
転位置検出装置では上記したように使用環境が非常に厳
しく、そのために、振動等に対する信頼性を上げるため
に回転ドラム4とセンサ6との間の間隔m或いはm1を
ある程度以上に大きく設定し、振動等に起因して発生す
る恐れのある両者の接触を避けなければならない。この
ように両者の間隔m或いはm1をより大きく設定するこ
とは、MR素子により磁気強度の変化を効果的に検出す
るためには多極磁気パターン8のピッチλを従来よりも
大きく設定しなければならないことを意味し、このこと
はドラム1回転当たりのパルス数が少なくなり、しかも
磁気センサ6のMR素子の取り付け部の全体の長さが大
きくなることを余儀なくさせてしまう。
However, there are some places where the rotational position detecting device is installed, where the use environment is extremely severe, such as in which the fluctuation of humidity and temperature is severe or the vibration is severe. For example, in a rotational position detecting device for obtaining a rotational angle of a steering wheel of an automobile, the use environment is extremely severe as described above. Therefore, in order to increase reliability against vibration and the like, the distance between the rotational drum 4 and the sensor 6 is increased. It is necessary to set m or m1 to a value larger than a certain value to avoid contact between the two which may occur due to vibration or the like. As described above, setting the distance m or m1 between them to be larger requires that the pitch λ of the multi-pole magnetic pattern 8 be set larger than in the past in order to effectively detect a change in magnetic intensity by the MR element. This means that the number of pulses per rotation of the drum is reduced, and that the entire length of the magnetic sensor 6 at which the MR element is mounted is inevitably increased.

【0012】従来のように、多極磁気パターンのピッチ
λが非常に小さい場合には、センサのMR素子の取り付
け部の長さも小さくて済むことから図14に示すように
微視的に見ればセンサ表面とドラム表面は略平行となっ
ていることから各センサとドラムとの間の間隔は略同一
とみなせたが、上述のように使用環境が厳しいところで
用いる装置にあっては着磁ピッチλの拡大に起因してセ
ンサ長さも大きくなり、その結果、センサ中央部のMR
素子とドラムとの間と周辺部のMR素子とドラムとの間
隔の差が過度に大きくなりすぎてしまい、図13に示し
たような配列位置決定手法を用いても出力波形に無視し
得ない歪が含まれることを避けることができなかった。
When the pitch λ of the multi-pole magnetic pattern is very small as in the prior art, the length of the mounting portion of the sensor MR element can be made small. Therefore, when viewed microscopically as shown in FIG. Since the sensor surface and the drum surface are substantially parallel, the distance between each sensor and the drum can be considered to be substantially the same. However, as described above, in an apparatus used in a severe use environment, the magnetization pitch λ The sensor length also increases due to the expansion of
The difference between the distance between the element and the drum and the distance between the MR element and the drum in the peripheral portion becomes excessively large, and cannot be ignored in the output waveform even when the arrangement position determination method as shown in FIG. 13 is used. The distortion could not be avoided.

【0013】図15は図13に示すような配列位置決定
手法を用いて形成した大ピッチのセンサのA相出力とB
相出力の波形を示すが、両波形は正常時には90°の位
相差であるが、ここでは91.9°の位相差が生じてし
まい、歪率も4.84%とかなり大きいものであった。
ここで、歪率とは、A相出力とB相出力をリサージュ波
形とした時の、中心からの最大距離と最小距離との差
と、最大距離との比をいう。本発明は、以上のような問
題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたもの
である。本発明の目的は、MR素子の取り付け位置を僅
かに調整することにより出力波形の歪を抑制することが
できる回転位置検出装置を提供することにある。
FIG. 15 shows the A-phase output and B-phase output of a large-pitch sensor formed by using the array position determining method shown in FIG.
The waveform of the phase output is shown. Both waveforms have a phase difference of 90 ° in a normal state. Here, a phase difference of 91.9 ° occurs, and the distortion factor is considerably large at 4.84%. .
Here, the distortion factor refers to a ratio of the difference between the maximum distance and the minimum distance from the center to the maximum distance when the A-phase output and the B-phase output are in a Lissajous waveform. The present invention has been devised in view of the above problems and effectively solving them. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a rotational position detecting device capable of suppressing distortion of an output waveform by slightly adjusting a mounting position of an MR element.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明者は、出力波形中
に含まれる歪波は、MR素子の中央部の出力と周辺部側
のMR素子の出力との間でMR素子の配列位置に依存す
る位相差が存在する、という知見を得ることにより本発
明に至ったものである。すなわち、上記MR素子の配列
位置に依存して発生する位相差分だけMR素子の取り付
け位置をシフトさせれば出力波形の歪を抑制できること
を見出したものである。本発明は、所定のピッチλで
N、S極が着磁された多極磁気パターンを有する回転ド
ラムと、これに対向して設けられた回転ドラムの回転中
心との間で結ばれる法線からの電気角を基にして得られ
た所定の間隔を隔てて配置される複数の磁気抵抗効果素
子を有する磁気センサとよりなる回転位置検出装置にお
いて、前記各磁気抵抗効果素子の形成位置を、前記電気
角に対応する前記法線からの機械角をθとし、前記多極
磁気パターンの着磁極数をPとした場合に、前記回転中
心を通って前記法線となす角度が下記式により規定され
る角度θ’となる放射線と前記磁気センサとのそれぞれ
の交点に設定するように構成したものである。 θ’=θ(1−2/P)
The inventor of the present invention has proposed that the distorted wave included in the output waveform is located at the arrangement position of the MR element between the output of the MR element at the center and the output of the MR element on the peripheral side. The present invention has been made based on the finding that a dependent phase difference exists. That is, it has been found that the output waveform distortion can be suppressed by shifting the mounting position of the MR element by a phase difference generated depending on the arrangement position of the MR element. The present invention relates to a rotating drum having a multipolar magnetic pattern in which N and S poles are magnetized at a predetermined pitch λ, and a normal line connected between a rotating center of a rotating drum provided opposite to the rotating drum. In a rotational position detecting device comprising a magnetic sensor having a plurality of magnetoresistive elements arranged at predetermined intervals obtained based on the electrical angle of, the formation position of each of the magnetoresistive elements, When the mechanical angle from the normal corresponding to the electrical angle is θ, and the number of magnetized poles of the multipolar magnetic pattern is P, the angle formed with the normal through the rotation center is defined by the following equation. The magnetic sensor is configured to be set at the respective intersections between radiation having an angle θ ′ and the magnetic sensor. θ ′ = θ (1-2 / P)

【0015】このように構成することにより、各MR素
子の出力間に発生していた位相差をなくすことができ、
全体としての出力波形中の歪を大幅に抑制することがで
きる。特に、着磁ピッチλを大きくして使用環境が厳し
くても耐え得るように装置設計した場合のようにセンサ
の長さ、すなわち寸法が大きくなった時に有効である。
With this configuration, the phase difference generated between the outputs of the respective MR elements can be eliminated.
Distortion in the output waveform as a whole can be largely suppressed. In particular, this is effective when the length of the sensor, that is, the dimension becomes large, as in the case where the apparatus is designed to withstand a severe use environment by increasing the magnetization pitch λ.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る回転位置検
出装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図1
は本発明の回転位置検出装置の磁気センサの磁気抵抗効
果素子の配列位置を示す図、図2は本発明に係る回転位
置検出装置の磁気センサの磁気抵抗効果素子の取り付け
位置のシフト量を示す図である。図1において回転位置
検出装置16は、回転ドラム4と複数、ここでは8つの
MR素子RA、RB、Ra、Rb、Ra’、Rb’、R
A’、RB’を用いた磁気センサ6とにより主に構成さ
れる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the rotational position detecting device according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG.
FIG. 2 is a diagram showing an arrangement position of a magnetoresistive element of a magnetic sensor of the rotation position detecting device according to the present invention, and FIG. FIG. In FIG. 1, the rotational position detecting device 16 includes a rotating drum 4 and a plurality of, here, eight MR elements RA, RB, Ra, Rb, Ra ′, Rb ′, R
It is mainly composed of a magnetic sensor 6 using A ′ and RB ′.

【0017】回転ドラム4は、図7にて説明したように
その外周面にN・S極を交互に配置した多極磁気パター
ン8を有している。ここてば着磁極数(パルス数)P
は、60程度に設定され、従来の着磁極数、例えば10
00よりもかなり小さくして過酷な使用環境下に耐え得
るようにしている。この回転ドラム4の側面に対向させ
て、これより所定の間隔(スペーシング)を隔てて配置
される磁気センサ6は、後述する方法で位置決めされた
上記8つのMR素子を有しており、これらの各MR素子
は、図11において説明したと同様に接続されているの
で、ここてはその接続状態の説明を省略する。また、回
転ドラム4と磁気センサ6との間の間隔Mは、従来の装
置よりも大きく設定して、ここでは例えば1mm程度に
規定してあり、耐振性を向上させている。
The rotary drum 4 has a multipolar magnetic pattern 8 in which N and S poles are alternately arranged on the outer peripheral surface as described with reference to FIG. Here, the number of magnetized poles (number of pulses) P
Is set to about 60, and the conventional number of magnetized poles, for example, 10
It is much smaller than 00 so that it can withstand a severe use environment. The magnetic sensor 6, which is opposed to the side surface of the rotating drum 4 and is spaced apart therefrom by a predetermined distance (spacing), has the above-mentioned eight MR elements positioned by a method described later. Since the respective MR elements are connected in the same manner as described in FIG. 11, the description of the connection state is omitted here. Further, the interval M between the rotary drum 4 and the magnetic sensor 6 is set to be larger than that of the conventional device, and is set to, for example, about 1 mm here to improve the vibration resistance.

【0018】さて、図1に示すように本発明の特徴は、
図13にて説明したような方法で設計されたMR素子取
り付け位置よりも、僅かに法線Z側へシフトさせて取り
付けた点にある。各シフト量は、法線Zから離間してい
る程、大きく設定されている。尚、図1においては理解
を容易化するために回転ドラム4の回転中心Oとセンサ
6とを結ぶ法線Z上に1つのMR素子、例えばRa’を
位置させている。次に、各シフト量の決定方法について
説明する。今、図2において回転ドラム4の回転機械角
θ2を考えると、これと電気角γとの関係は、着磁極数
がPであることから次の式のようになる。尚、ここでは
着磁ピッチλを説明の都合上、大きく記載している。 γ=θ2×P/2 ……(1)
Now, as shown in FIG. 1, the features of the present invention are as follows.
The point is that the MR element is slightly shifted to the normal Z side from the mounting position designed by the method described with reference to FIG. Each shift amount is set to be larger as the distance from the normal Z increases. In FIG. 1, for ease of understanding, one MR element, for example, Ra 'is located on a normal line Z connecting the rotation center O of the rotating drum 4 and the sensor 6. Next, a method of determining each shift amount will be described. Now, when the mechanical angle θ 2 of the rotary drum 4 is considered in FIG. 2, the relationship between the mechanical angle θ 2 and the electrical angle γ is as follows because the number of magnetized poles is P. Here, the magnetization pitch λ is shown large for convenience of explanation. γ = θ 2 × P / 2 (1)

【0019】ここで法線Zとセンサ6との交点であるM
R素子Ra’における水平方向及び垂直方向の磁界成分
Hx、Hyを求め、上記式を代入する。尚、磁界強度は
hである。また、センサが感知できる成分は図中、水平
成分のみである点に注意されたい。 Hx=h・sinγ=h・sin(P/2)θ2 ……(2) Hy=h・cosγ=h・cos(P/2)θ2 ……(3)
Here, M which is the intersection of the normal line Z and the sensor 6
The horizontal and vertical magnetic field components Hx and Hy in the R element Ra ′ are obtained, and the above equation is substituted. The magnetic field strength is h. Also note that the components that can be sensed by the sensor are only horizontal components in the figure. Hx = h · sin γ = h · sin (P / 2) θ 2 (2) Hy = h · cos γ = h · cos (P / 2) θ 2 (3)

【0020】次に、上記MR素子Ra’より図中左側隣
の波線で示すMR素子Rbについて検討する。この波線
で示すMR素子Rbは、図13において説明した方法で
求められた位置であり、すなわち、電気角λ/4に対応
する機械角θ(図13中ではα)だけ法線Zよりも回転
した放射線H1とセンサ6との交点に位置している。さ
て、このMR素子Rbにおける磁界成分をドラムの回転
中心方向Hyとこれに直交する方向Hxと分けると、そ
れぞれの大きさは先のMR素子Ra’におけるHyとH
xとほぼ同じである。しかしながら、MR素子は図示例
においては水平方向の成分しか感知し得ないことからこ
のMR素子Rbにおける上記各成分Hx、Hyの水平方
向の成分Hxx、Hyxをそれぞれ求める必要があり、
次の式で与えられる。 Hxx=Hx・cosθ ……(4) Hyx=−Hy・sinθ ……(5)
Next, an MR element Rb indicated by a wavy line on the left side of the drawing from the MR element Ra 'will be examined. The MR element Rb indicated by the dashed line is the position determined by the method described with reference to FIG. 13, that is, rotated by a mechanical angle θ (α in FIG. 13) corresponding to the electrical angle λ / 4 from the normal Z. It is located at the intersection of the detected radiation H1 and the sensor 6. When the magnetic field component of the MR element Rb is divided into a rotation center direction Hy of the drum and a direction Hx orthogonal thereto, the respective magnitudes are Hy and H in the MR element Ra ′.
It is almost the same as x. However, since the MR element can sense only the horizontal component in the illustrated example, it is necessary to find the horizontal components Hxx and Hyx of the components Hx and Hy in the MR element Rb, respectively.
It is given by the following equation. Hxx = Hx · cos θ (4) Hyxx = −Hy · sin θ (5)

【0021】そして、MR素子Rbによって感知される
水平成分Hx’は、上記HxxとHyxの和となる。 Hx’=Hxx+Hyx=Hx・cosθ−Hy・sinθ…(6) ここで、先に求めたHx、Hyを代入する。 Hx’=h・sin(P・θ2/2)cosθ−h・cos(P・θ2 /2)sinθ =h・sin(P・θ2/2−θ)=h・sin{(θ2−2・θ/P )・P/2} =h・sin{(θ2−θ3)・P/2} ……(7) 尚、θ3=2・θ/Pである。
The horizontal component Hx 'sensed by the MR element Rb is the sum of the above Hxx and Hyx. Hx ′ = Hxx + Hyx = Hx · cos θ−Hy · sin θ (6) Here, the previously obtained Hx and Hy are substituted. Hx '= h · sin (P · θ 2/2) cosθ-h · cos (P · θ 2/2) sinθ = h · sin (P · θ 2/2-θ) = h · sin {(θ 2 −2 · θ / P) · P / 2} = h · sin {(θ 2 −θ 3 ) · P / 2} (7) where θ 3 = 2 · θ / P.

【0022】ここで、上記数式7と数式2とを比較する
とHx’はHxに対してθ3だけ位相が遅れていること
が判明する。すなわち、この位相の遅れに起因して出力
波形に歪が発生していたのである。そこで、この位相遅
れを補償してなくすために、図2に示す放射線H1より
も角度θ3だけ法線Zの方向へ戻した新たな放射線H
1’とセンサ6との交点に実線で示すようにMR素子R
bを設置する。すなわち、MR素子Rbの位置を、従来
の波線で示した位置より実線に示す位置までシフトさせ
るようにして設ける。これにより、この実線で示す位置
のMR素子Rbの出力は法線Z上におけるMR素子R
a’の出力との間において、位相のズレがなくなり出力
波形に歪が発生することを防止することが可能となる。
Here, a comparison between the above-mentioned equations (7) and (2) reveals that the phase of Hx 'is delayed from the phase of Hx by θ 3 . That is, the output waveform is distorted due to the phase delay. Therefore, in order to eliminate by compensating for the phase lag, a new radiation H was returned in the direction of the angle theta 3 only normal Z than radiation H1 shown in FIG. 2
As shown by the solid line at the intersection of 1 ′ and the sensor 6, the MR element R
b is installed. That is, the MR element Rb is provided so as to be shifted from the position indicated by the dashed line to the position indicated by the solid line. As a result, the output of the MR element Rb at the position indicated by the solid line becomes the MR element Rb on the normal line Z.
It is possible to prevent the phase shift from occurring with the output of a 'and prevent the output waveform from being distorted.

【0023】この時の、新たな放射線H1’と法線Zと
のなす機械角θ’と、先の機械角θとの関係は下記式の
ようになる。 θ’=θ(1−2/P) ……(8) 図1に戻って、上記した位相のズレは他のMR素子につ
いても同様に生じるので、上記θ3に相当する角度だけ
放射線H2、H3、H4を法線Zの方向に戻して新たな
放射線H2’、H3’、H4’を形成し、これらの新た
な各放射線とセンサ6とのそれぞれの交点を、それぞれ
MR素子の取り付け位置とする。この場合、θ3の大き
さは、機械角θの大きさによって決定するので、法線Z
から遠く離れる程、すなわち機械角θが大きくなる程、
θ3 の値も大きくなって戻し量も大きくなる点に注意さ
れたい。また、この機械角θは、例えば図13に説明し
た機械角αを整数倍的に増加させた離散的な値をとるこ
とはいうまでもない。更に、図1中において、右側の3
つのMR素子Rb’、RA’、RB’も同様に法線Zの
方向へシフトされるのは勿論である。
At this time, the relationship between the mechanical angle θ ′ formed by the new radiation H1 ′ and the normal line Z and the mechanical angle θ is as follows. θ '= θ (1-2 / P ) ...... (8) back to FIG. 1, since the phase shift described above occurs similarly for the other MR element by an angle corresponding to the theta 3 radiation H2, H3 and H4 are returned in the direction of the normal line Z to form new radiations H2 ', H3' and H4 ', and the respective intersections of these new radiations and the sensor 6 are defined as the mounting positions of the MR elements. I do. In this case, since the magnitude of θ 3 is determined by the magnitude of the mechanical angle θ, the normal Z
, The greater the mechanical angle θ,
return amount θ 3 of value even larger should be noted that the increases. Needless to say, the mechanical angle θ takes a discrete value obtained by increasing the mechanical angle α described in FIG. 13 by an integral multiple. Further, in FIG.
Of course, the two MR elements Rb ', RA', and RB 'are similarly shifted in the direction of the normal line Z.

【0024】このように各MR素子における出力は、法
線Z上におけるMR素子と同相にあるので予め設定した
位相差が維持され、最終的に求められるA相信号及びB
相信号に歪成分が含まれることを防止することができ
る。尚、この実施例では法線Z上にMR素子Ra’を位
置させた場合を例にとって説明したが、これに限定され
ず、図3及び図4に示すように8つのMR素子の内、中
央部の2つの素子RbとRa’の中央点C1に法線Zが
通るように設定してもよい。これによれば各MR素子の
配列は、法線Zに対して線対称となる。この場合にも各
MR素子の取り付け位置を、法線Zを基準とした各角度
θ’で定まる放射線H1’〜H8’とセンサ6とのそれ
ぞれの交点に設定する。尚、図4において波線で示され
るMR素子は、図13にて説明した従来の位置決め方法
で規定した位置に設けたMR素子を示す。
As described above, since the output from each MR element is in phase with the MR element on the normal line Z, the phase difference set in advance is maintained, and the A-phase signal and B signal finally obtained are obtained.
It is possible to prevent the phase signal from containing a distortion component. In this embodiment, the case where the MR element Ra 'is positioned on the normal line Z has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIGS. The normal line Z may be set so as to pass through the center point C1 of the two elements Rb and Ra ′ of the section. According to this, the arrangement of each MR element is line-symmetric with respect to the normal Z. In this case as well, the mounting position of each MR element is set at each intersection of the sensors 6 with the radiations H1 'to H8' defined by the angles θ 'with respect to the normal Z. It should be noted that the MR element indicated by a broken line in FIG. 4 indicates an MR element provided at a position defined by the conventional positioning method described with reference to FIG.

【0025】図5は以上のように構成した磁気センサの
A相信号とB相信号とを示す信号波形であり、略正弦波
に近い出力信号を得ることができた。また、上記A相信
号とB相信号をオシロスコープのX軸とY軸に印加して
リサージュ波形を形成したところ、図6に示すように略
真円に近い波形を得ることができた。この波形の歪率を
測定したところ歪率は、1.12%程度であり、従来の
センサの歪率略5%に対して大幅な改善を図ることがで
きた。
FIG. 5 is a signal waveform showing the A-phase signal and the B-phase signal of the magnetic sensor configured as described above, and an output signal close to a substantially sine wave could be obtained. When the A-phase signal and the B-phase signal were applied to the X-axis and Y-axis of the oscilloscope to form a Lissajous waveform, as shown in FIG. 6, a waveform substantially close to a perfect circle could be obtained. When the distortion rate of this waveform was measured, the distortion rate was about 1.12%, which was a great improvement over the distortion rate of the conventional sensor of about 5%.

【発明の効果】以上説明したように、本発明の回転位置
検出装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮す
ることができる。磁気センサの磁気抵抗効果素子の配列
位置を、回転ドラムの曲率に起因して発生する各素子の
出力の位相のズレを補償するように僅かにシフトさせて
設定するようにしたので、A相信号やB相信号の出力波
形に歪が含まれることを大幅に抑制することができる。
従って、回転ドラムとセンサとの間を大きくした結果、
着磁ピッチ及びセンサの寸法が大きくなっても検出精度
の高い、しかも、振動等の激しい悪環境の下でも使用に
耐え得る装置を提供することができる。
As described above, according to the rotational position detecting device of the present invention, the following excellent operational effects can be exhibited. Since the arrangement position of the magnetoresistive elements of the magnetic sensor is set slightly shifted so as to compensate for the phase shift of the output of each element caused by the curvature of the rotating drum, the A-phase signal And that the output waveform of the B-phase signal contains distortion.
Therefore, as a result of increasing the distance between the rotating drum and the sensor,
It is possible to provide a device that has high detection accuracy even when the magnetization pitch and the size of the sensor are large, and that can withstand use even in a severe environment such as vibration.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の回転位置検出装置の磁気センサの磁気
抵抗効果素子の配列位置を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an arrangement position of magnetoresistive elements of a magnetic sensor of a rotation position detecting device of the present invention.

【図2】本発明に係る回転位置検出装置の磁気センサの
磁気抵抗効果素子の取り付け位置のシフト量を示す図で
ある。
FIG. 2 is a diagram showing a shift amount of a mounting position of a magnetoresistive element of a magnetic sensor of a rotation position detecting device according to the present invention.

【図3】本発明の他の実施例の回転位置検出装置の磁気
センサの磁気抵抗効果素子の配列位置を示す図である。
FIG. 3 is a view showing an arrangement position of magnetoresistive elements of a magnetic sensor of a rotational position detecting device according to another embodiment of the present invention.

【図4】図3に示す回転位置検出装置の磁気センサの磁
気抵抗効果素子の取り付け位置のシフト量を示す図であ
る。
4 is a diagram showing a shift amount of a mounting position of a magnetoresistive element of a magnetic sensor of the rotation position detecting device shown in FIG.

【図5】本発明装置により得られたA相信号とB相信号
を示す波形図である。
FIG. 5 is a waveform diagram showing an A-phase signal and a B-phase signal obtained by the device of the present invention.

【図6】図5に示すA相信号とB相信号のリサージュ波
形図である。
6 is a Lissajous waveform diagram of the A-phase signal and the B-phase signal shown in FIG.

【図7】磁気センサを含む一般的な回転位置検出装置を
示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing a general rotational position detecting device including a magnetic sensor.

【図8】図7に示す回転ドラムの多極磁気パターンを示
す展開図である。
8 is a developed view showing a multi-pole magnetic pattern of the rotating drum shown in FIG.

【図9】磁気センサの動作原理を説明するための説明図
である。
FIG. 9 is an explanatory diagram for explaining the operation principle of the magnetic sensor.

【図10】磁気センサの磁気抵抗効果素子の従来の配列
パターンを示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a conventional arrangement pattern of magnetoresistive elements of a magnetic sensor.

【図11】図10に示す磁気抵抗効果素子の接続状態を
示す回路図である。
11 is a circuit diagram showing a connection state of the magnetoresistance effect element shown in FIG.

【図12】理想的な磁気センサから得られたA相信号と
B相信号を示す波形図である。
FIG. 12 is a waveform diagram showing an A-phase signal and a B-phase signal obtained from an ideal magnetic sensor.

【図13】磁気センサの従来の他の多極磁気パターンを
示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing another conventional multipolar magnetic pattern of the magnetic sensor.

【図14】着磁ピッチが比較的小さい場合の回転ドラム
とセンサとの関係を示す拡大図である。
FIG. 14 is an enlarged view showing a relationship between a rotating drum and a sensor when a magnetization pitch is relatively small.

【図15】従来の磁気センサから得られたA相信号とB
相信号を示す波形図である。
FIG. 15 shows an A-phase signal and B obtained from a conventional magnetic sensor.
FIG. 4 is a waveform diagram showing a phase signal.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 回転軸 4 回転ドラム 6 磁気センサ 8 多極磁気パターン 10 検出直流電源 12 A相側増幅器 14 B相側増幅器 16 回転位置検出装置 H1’〜H8’放射線 O 回転中心 RA〜Rb’ 磁気抵抗効果素子 Z 法線 λ 着磁ピッチ Reference Signs List 2 rotation axis 4 rotation drum 6 magnetic sensor 8 multi-pole magnetic pattern 10 detection DC power supply 12 A-phase amplifier 14 B-phase amplifier 16 rotation position detector H1 'to H8' radiation O rotation center RA to Rb 'magnetoresistive element Z normal λ Magnetization pitch

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−261524(JP,A) 特開 平6−82268(JP,A) 特開 平6−18279(JP,A) 特開 平2−210218(JP,A) 特開 昭63−300909(JP,A) 特開 昭63−101707(JP,A) 実開 昭62−155312(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01B 7/00 - 7/34 102 G01D 5/00 - 5/252 G01D 5/39 - 5/62 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-6-261524 (JP, A) JP-A-6-82268 (JP, A) JP-A-6-18279 (JP, A) JP-A-2- 210218 (JP, A) JP-A-63-300909 (JP, A) JP-A-63-101707 (JP, A) JP-A-62-155312 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. 6 , DB name) G01B 7/00-7/34 102 G01D 5/00-5/252 G01D 5/39-5/62

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 所定のピッチλでN、S極が着磁された
多極磁気パターンを有する回転ドラムと、これに対向し
て設けられた回転ドラムの回転中心との間で結ばれる法
線からの電気角を基にして得られた所定の間隔を隔てて
配置される複数の磁気抵抗効果素子を有する磁気センサ
とよりなる回転位置検出装置において、前記各磁気抵抗
効果素子の形成位置を、前記電気角に対応する前記法線
からの機械角をθとし、前記多極磁気パターンの着磁極
数をPとした場合に、前記回転中心を通って前記法線と
なす角度が下記式により規定される角度θ’となる放射
線と前記磁気センサとのそれぞれの交点に設定するよう
に構成したことを特徴とする回転位置検出装置。 θ’=θ(1−2/P)
1. A normal line connected between a rotating drum having a multipolar magnetic pattern in which N and S poles are magnetized at a predetermined pitch λ, and a rotation center of a rotating drum provided to face the rotating drum. In a rotation position detection device including a magnetic sensor having a plurality of magnetoresistive elements arranged at a predetermined interval obtained based on the electrical angle from, in the rotational position detection device, the formation position of each of the magnetoresistive elements, When the mechanical angle from the normal corresponding to the electrical angle is θ, and the number of magnetized poles of the multi-pole magnetic pattern is P, the angle formed by the normal through the rotation center is defined by the following equation. The rotational position detecting device is configured to be set at respective intersections between the radiation having the angle θ ′ to be performed and the magnetic sensor. θ ′ = θ (1-2 / P)
【請求項2】 前記磁気抵抗効果素子は、8個設けられ
て、2つのブリッジ回路に差動増幅的に接続されている
ことを特徴とする請求項1記載の回転位置検出装置。
2. The rotational position detecting device according to claim 1, wherein eight magnetoresistive elements are provided and connected to two bridge circuits in a differentially amplifying manner.
【請求項3】 前記法線と前記磁気センサとの交点上に
前記いずれかの磁気抵抗効果素子を設けていることを特
徴とする請求項1または2記載の回転位置検出装置。
3. The rotational position detecting device according to claim 1, wherein the one of the magnetoresistive elements is provided at an intersection of the normal line and the magnetic sensor.
【請求項4】 前記法線と前記磁気センサとの交点は、
前記磁気抵抗効果素子のいずれか2つ素子の中央点であ
ることを特徴とする請求項1または2記載の回転位置検
出装置。
4. The intersection of the normal and the magnetic sensor is
The rotational position detecting device according to claim 1, wherein the rotational position detecting device is a center point between any two of the magnetoresistive elements.
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