JP2949988B2 - Flat panel display - Google Patents

Flat panel display

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JP2949988B2
JP2949988B2 JP750392A JP750392A JP2949988B2 JP 2949988 B2 JP2949988 B2 JP 2949988B2 JP 750392 A JP750392 A JP 750392A JP 750392 A JP750392 A JP 750392A JP 2949988 B2 JP2949988 B2 JP 2949988B2
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和敏 森川
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  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は電子放出陰極を用いた
平面パネル型ディスプレイに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display using an electron emission cathode.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子放出陰極を用いた平面パネル型ディ
スプレイは微小な電子放出陰極を縦横に配列し、縦・横
の2次元のアドレッシングを行う事で各画素を発光させ
ディスプレイを構成する。図6は例えば特表平2−50
0065号公報に示されたマトリクスアドレス平面パネ
ルディスプレイの一部分の模式断面図である。図におい
て、2は電子放出陰極、3は絶縁層、6は支柱、7a,
7b,7cは蛍光体、8はアノード、9はフェースパネ
ル、10は基板、11a,11b,11cは基体、12
は基体間絶縁層、13はゲートである。
2. Description of the Related Art In a flat panel display using an electron emission cathode, minute electron emission cathodes are arranged vertically and horizontally, and each pixel emits light by performing vertical and horizontal two-dimensional addressing to constitute a display. FIG.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a part of a matrix address flat panel display disclosed in Japanese Patent Application Publication No. 0065-0065. In the figure, 2 is an electron emission cathode, 3 is an insulating layer, 6 is a column, 7a,
7b and 7c are phosphors, 8 is an anode, 9 is a face panel, 10 is a substrate, 11a, 11b, 11c is a base, 12
Denotes an inter-substrate insulating layer, and 13 denotes a gate.

【0003】次に動作について説明する。電子放出陰極
2とゲート13間に電圧を印加するとゲート穴近傍に位
置する円錐状の電子放出陰極2の先端から電子が放出さ
れ、高電圧が印加されたアノード8に向かって進行す
る。この際にアノード8下面の蛍光体に電子が当り、蛍
光体が発光する。ディスプレイとして2次元に配列され
た画素のマトリックスの選択は、例えば基体を縦方向
に、ゲート13を横方向にそれぞれ分割し、分割された
ある基体と分割されたあるゲ−ト間に電圧を印加する事
で行う。
Next, the operation will be described. When a voltage is applied between the electron-emitting cathode 2 and the gate 13, electrons are emitted from the tip of the conical electron-emitting cathode 2 located near the gate hole, and travel toward the anode 8 to which a high voltage is applied. At this time, electrons hit the phosphor on the lower surface of the anode 8, and the phosphor emits light. The selection of a matrix of pixels arranged two-dimensionally as a display is performed, for example, by dividing the substrate in the vertical direction and dividing the gate 13 in the horizontal direction, and applying a voltage between a divided substrate and a divided gate. Do it by doing.

【0004】この方法によれば、各縦・横のアドレッシ
ングを行う事で各画素を発光させディスプレイを構成す
る事ができる。
According to this method, it is possible to form a display by causing each pixel to emit light by performing vertical and horizontal addressing.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記のような方法では
画素のアドレッシングを行うために電子放出陰極を形成
する基体の分割が必要であり、例えば電子放出陰極をS
iウェハを基体としSiのエッチングなどで形成する場
合、基体であるSiウェハを分割する事が困難である。
In the above-described method, it is necessary to divide a substrate on which an electron emission cathode is formed in order to address a pixel.
When an i-wafer is used as a base and formed by etching of Si or the like, it is difficult to divide the Si wafer as the base.

【0006】この発明はかかる問題を解決するためにな
されたものであって、簡単な素子構成で2次元画素のア
ドレッシングを容易に行え、製作が容易な平面パネル型
ディスプレイを得る事を目的とする。
The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a flat panel display which can easily address two-dimensional pixels with a simple element configuration and is easy to manufacture. .

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明の平面パネル型
ディスプレイは電子放出陰極から放出される電子を制御
するゲートを一軸方向に並行なアレイ状の第1ゲート
と、上記一軸と直交する方向に並行なアレイ状の第2ゲ
ートとの2段構造とし、上記電子放出陰極先端部が上記
2段のゲート間に位置するように配置し、上記2段のゲ
ートのそれぞれ独立した電圧のオン・オフによって画素
に応じた電子放出を選択するようにしたものである。
A flat panel display according to the present invention comprises a gate for controlling electrons emitted from an electron emission cathode, a first gate in an array parallel to one axis, and a gate in a direction orthogonal to the one axis. It has a two-stage structure with a parallel array of second gates, and is disposed so that the tip of the electron emission cathode is located between the two-stage gates. Is used to select electron emission according to the pixel.

【0008】[0008]

【作用】このように構成された平面パネル型ディスプレ
イでは、第1,第2の2段のゲートによって容易に画素
のアドレッシングを行う事ができ、従来のように分割が
困難な基体の分割が不要となる。また、このゲートは形
成が容易である。
In the flat panel display constructed as described above, the addressing of the pixels can be easily performed by the first and second two-stage gates. Becomes Further, this gate is easy to form.

【0009】[0009]

【実施例】【Example】

実施例1.図1はこの発明の一実施例の電子放出陰極を
用いた平面パネル型ディスプレイの一部分の模式断面図
であり、図2は図1におけるゲートの模式平面図であ
る。この図において、1は基体、2は電子放出陰極、3
は絶縁層、4は第1ゲートである下段ゲートで、4a,
4b,4cはそれぞれ一軸方向に平行に分割された下段
ゲート、5は第2ゲートである上段ゲートで、5a,5
b,5cはそれぞれ一軸と直交方向に平行に分割された
上段ゲート、6は支柱、7は蛍光体、8はアノード、9
はフェースパネルである。なお、電子放出陰極2先端部
は上,下段ゲート4,5間に位置するように配置されて
いる。図2における多数の丸はゲート穴を示す。また、
この図では、説明のためにX列・Y列が交差する一つの
画素において電子放出陰極2が3×3個の構成について
示すが、任意のM×N個の構成でもかまわない。
Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a part of a flat panel display using an electron emission cathode according to one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic plan view of a gate in FIG. In this figure, 1 is a substrate, 2 is an electron emission cathode, 3
Is an insulating layer, 4 is a lower gate which is a first gate, and 4a,
Reference numerals 4b and 4c denote lower gates divided in parallel in the uniaxial direction, and 5 denotes an upper gate which is a second gate, 5a and 5c.
Reference numerals b and 5c denote upper gates divided in parallel in a direction perpendicular to one axis, 6 a support, 7 a phosphor, 8 an anode, 9
Is a face panel. The tip of the electron emission cathode 2 is arranged between the upper and lower gates 4 and 5. Many circles in FIG. 2 indicate gate holes. Also,
In this figure, for the sake of explanation, a configuration in which 3 × 3 electron emission cathodes 2 are provided in one pixel where the X and Y columns intersect is shown, but an arbitrary M × N configuration may be used.

【0010】次に動作について説明する。図2に示した
ゲートのX列のどれか一列とY列のどれか一列に同時に
電圧が印加されると電子放出陰極2に適当な電界が加わ
り、電子が放出し蛍光体7を発光させる。しかし、X列
のどれか一列かY列のどれか一列の片方のみに電圧が印
加されても電子放出陰極2に加わる電界は小さく電子を
放出させる事はできない。このため、ある画素のX・Y
両方のゲートに電圧が印加された場合に画素が発光す
る。このように、この平面パネル型ディスプレイではゲ
ートを上下2段構造とし、それぞれのゲートを画素に対
応するように交差して分離するという簡単な構成で、そ
れぞれのゲートに独立に電圧を印加することによって電
子放出を選択することができ、画素のアドレッシングが
容易に行える。また、このゲートは形成が容易であり、
従来のように分割が困難な基体を電気的に分割する必要
も無く、製作も容易である。
Next, the operation will be described. When a voltage is simultaneously applied to any one of the X columns and any one of the Y columns of the gate shown in FIG. 2, an appropriate electric field is applied to the electron emission cathode 2 and electrons are emitted to cause the phosphor 7 to emit light. However, even if a voltage is applied to only one of the rows X or one of the rows Y, the electric field applied to the electron emission cathode 2 is too small to emit electrons. Therefore, the XY of a certain pixel
The pixel emits light when a voltage is applied to both gates. As described above, in this flat panel display, the gates have a two-tiered structure in the upper and lower parts, and each gate is separated and crossed so as to correspond to a pixel, and a voltage is applied to each gate independently. Thus, electron emission can be selected, and pixel addressing can be easily performed. Also, this gate is easy to form,
There is no need to electrically divide a substrate that is difficult to divide as in the prior art, and it is easy to manufacture.

【0011】ところで、ゲートのX列のどれか一列かY
列のどれか一列の片方のみに電圧が印加された場合で
も、電子放出陰極2と電圧が印加されたゲート4,5の
位置関係によっては、電界が高くなり電子放出が起こる
場合があり、アドレッシングが適切に行われない。
By the way, any one of the X rows of the gate or Y
Even when a voltage is applied to only one of the columns, an electric field may be increased and electron emission may occur depending on the positional relationship between the electron emission cathode 2 and the gates 4 and 5 to which the voltage is applied. Is not done properly.

【0012】図3のグラフに2段ゲート4,5間の絶縁
層3の膜厚方向の中心の高さから電子放出陰極2の高さ
の差であるゲート/陰極高さの差と、電子放出陰極2の
先端から0.01μm離れた点での電界の関係を有限要
素法を用いて計算した結果を示す。ここで、ゲートに印
加した電圧はオンの場合100V、オフの場合0Vであ
り、ゲート穴直径は1μmである。図中で白丸の特性曲
線は2段のゲートのうち上段ゲート5に電圧を印加し下
段ゲート4に電圧を印加しない場合、黒丸の特性曲線は
2段のゲートのうち下段ゲート4に電圧を印加し上段ゲ
ート5に電圧を印加しない場合で、画素が発光しない事
を目的とした構成である。破線の特性曲線は2段のゲー
ト4,5の両方に電圧を印加した場合で、画素が発光す
る事を目的としている。一方のゲートのみに電圧を印加
した場合、電界はゲート/陰極高さの差に影響され、ゲ
ート/陰極高さの差が0.15μm程度で電界は最も低
くなる。電界がどの程度低下すると電子が放出されず蛍
光体が発光しなくなるかは、図5のグラフに示す電子放
出陰極先端での電界とアノード8電流の一般的な関係よ
り、最大電界の6割程度であると考えられる。なお、図
5では2段のゲート4,5の両方に電圧を印加した場合
(図3における破線に相当)の電界、アノード電流を1
とした場合の規格化した値で示している。このため、図
3よりゲート/陰極高さの差が0.1μmから0.2μ
mの範囲にあるとき 電界は最大時の6割以下であり、
電子は放出されず、適切な画素のアドレッシングが行え
る。2段のゲート4,5において、2つのゲート4,5
間の絶縁層3の膜厚方向の中心の高さを電子放出陰極2
先端の高さより0.1〜0.2μm高くすると良い。即
ち、電子放出陰極2先端が2つのゲート4,5間の中間
位置より0.1〜0.2μm低くなるように配置すると
よい。
FIG. 3 is a graph showing the difference between the gate / cathode height, which is the difference between the height of the center of the insulating layer 3 in the thickness direction between the two-stage gates 4 and 5 and the height of the electron emission cathode 2, and The result of calculating the relationship of the electric field at a point 0.01 μm away from the tip of the emission cathode 2 using the finite element method is shown. Here, the voltage applied to the gate is 100 V when on, 0 V when off, and the gate hole diameter is 1 μm. In the figure, the characteristic curve indicated by a white circle indicates the case where a voltage is applied to the upper gate 5 and the voltage is not applied to the lower gate 4 of the two-stage gate. The configuration is intended to prevent pixels from emitting light when no voltage is applied to the upper gate 5. The characteristic curve shown by the broken line is for the case where a voltage is applied to both the gates 4 and 5 in the two stages, and the purpose is for the pixel to emit light. When a voltage is applied to only one of the gates, the electric field is affected by the gate / cathode height difference, and the electric field is lowest when the gate / cathode height difference is about 0.15 μm. The extent to which the electric field is reduced and electrons are not emitted and the phosphor does not emit light depends on the general relationship between the electric field at the tip of the electron emission cathode and the current of the anode 8 shown in the graph of FIG. It is considered to be. In FIG. 5, when a voltage is applied to both of the two-stage gates 4 and 5 (corresponding to the broken line in FIG. 3), the electric field and the anode current are reduced by one.
It is shown as a standardized value in the case of. Therefore, as shown in FIG. 3, the difference in gate / cathode height is 0.1 μm to 0.2 μm.
The electric field is less than 60% of the maximum when
No electrons are emitted, and appropriate pixel addressing can be performed. Two gates 4 and 5 in two gates 4 and 5
The height of the center in the thickness direction of the insulating layer 3 between the electron emitting cathodes 2
The height is preferably 0.1 to 0.2 μm higher than the height of the tip. That is, it is preferable that the tip of the electron emission cathode 2 is arranged to be lower than the intermediate position between the two gates 4 and 5 by 0.1 to 0.2 μm.

【0013】また、図4のグラフに一方のゲートに正、
他方のゲートに負の電圧をかけた場合における、2段ゲ
ート間の絶縁層の膜厚方向の中心の高さから電子放出陰
極の高さの差であるゲート/陰極高さの差と、電子放出
陰極の先端から0.01μm離れた点での電界の関係を
有限要素法を用いて計算した結果を示す。図中で白丸の
特性曲線は2段のゲートのうち上段のゲート5に正の電
圧を印加し下段のゲート4に負の電圧を印加した場合、
黒丸の特性曲線は2段のゲートのうち下段4のゲートに
正の電圧を印加し上段のゲート5に負の電圧を印加した
場合で、画素が発光しない事を目的とした構成である。
破線は2段のゲートの両方に電圧を印加した場合で、画
素が発光する事を目的としている。一方のゲートに正の
電圧を印加した場合、電界はゲート/陰極高さの差に影
響され、ゲート/陰極高さの差が0.15μm程度で電
界は最も低くなる。電界が負の場合、電子は放出されな
い。負の電圧を印加する事によって画素を発光させたく
ない場合の電界を著しく低くする事ができる。従って、
2段のゲート4,5に印加する電圧を電子放出オン時に
プラスの電圧、電子放出オフ時にマイナスの電圧とする
とよい。このように電子放出陰極2とゲート4,5の位
置関係の最適化、ゲート4,5に印加する電圧の極性の
選択により電子放出の制御を容易に行うことができる。
Further, in the graph of FIG.
When a negative voltage is applied to the other gate, the difference between the height of the gate / cathode, which is the difference between the height of the center of the insulating layer between the two gates in the thickness direction and the height of the electron emission cathode, The result of calculating the relationship of the electric field at a point 0.01 μm away from the tip of the emission cathode by using the finite element method is shown. In the figure, the characteristic curve indicated by a white circle indicates that when a positive voltage is applied to the upper gate 5 and a negative voltage is applied to the lower gate 4 of the two-stage gates.
The characteristic curve indicated by a black circle is a configuration in which a pixel does not emit light when a positive voltage is applied to the lower gate 4 and a negative voltage is applied to the upper gate 5 of the two gates.
The broken line indicates the case where a voltage is applied to both of the two-stage gates, and the purpose is to cause the pixel to emit light. When a positive voltage is applied to one of the gates, the electric field is affected by the gate / cathode height difference, and the electric field becomes lowest when the gate / cathode height difference is about 0.15 μm. If the electric field is negative, no electrons are emitted. By applying a negative voltage, the electric field when the pixel does not want to emit light can be significantly reduced. Therefore,
The voltage applied to the two-stage gates 4 and 5 is preferably a positive voltage when the electron emission is on and a negative voltage when the electron emission is off. As described above, it is possible to easily control the electron emission by optimizing the positional relationship between the electron emission cathode 2 and the gates 4 and 5, and selecting the polarity of the voltage applied to the gates 4 and 5.

【0014】[0014]

【発明の効果】この発明の平面パネル型ディスプレイ
は、以上説明したように、ゲートを一軸方向に並行なア
レイ状の第1ゲートと、上記一軸と直交する方向に並行
なアレイ状の第2ゲートとの2段構造とし、上記電子放
出陰極先端部が上記第1、第2ゲート間に位置するよう
に配置し、上記第1、第2ゲートそれぞれ独立に電圧を
印加することによって、2次元に配列された画素に応じ
た電子放出を容易に選択でき、全体の素子構成、作成が
容易となる効果がある。
As described above, according to the flat panel display of the present invention, the first gate in the form of an array in which the gates are parallel to one axis and the second gate in the form of an array which are parallel to the direction perpendicular to the one axis. And a two-stage structure in which the tip of the electron-emitting cathode is located between the first and second gates, and a voltage is applied independently to the first and second gates to form a two-dimensional structure. Electron emission according to the arranged pixels can be easily selected, and there is an effect that the entire device configuration and creation are easy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施例の平面パネル型ディスプレ
イの一部を示す模式断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a part of a flat panel display according to an embodiment of the present invention.

【図2】この発明の一実施例の平面パネル型ディスプレ
イのゲート部分の模式平面図である。
FIG. 2 is a schematic plan view of a gate portion of the flat panel display according to one embodiment of the present invention.

【図3】この発明の一実施例に係わる電界解析結果を示
すグラフである。
FIG. 3 is a graph showing an electric field analysis result according to one embodiment of the present invention.

【図4】この発明の一実施例に係わる電界解析結果を示
すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing an electric field analysis result according to one embodiment of the present invention.

【図5】この発明に係わる電子放出陰極先端での電界と
アノード電流の一般的な関係を示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing a general relationship between an electric field and an anode current at the tip of an electron emission cathode according to the present invention.

【図6】従来の平面パネル型ディスプレイの一部を示す
模式断面図である。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a part of a conventional flat panel display.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基体 2 電子放出陰極 3 絶縁層 4 下段ゲート 5 上段ゲート 7 蛍光体 8 アノード 9 フェースパネル DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Electron emission cathode 3 Insulating layer 4 Lower gate 5 Upper gate 7 Phosphor 8 Anode 9 Face panel

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭48−85074(JP,A) 特開 昭54−47472(JP,A) 特開 平3−208241(JP,A) 特開 平3−22329(JP,A) 特開 昭63−237340(JP,A) 特開 平3−261031(JP,A) 特開 昭61−221783(JP,A) 特開 昭63−237340(JP,A) 特表 平1−502307(JP,A) 特表 平4−506280(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01J 31/08 - 31/24 H01J 1/30 H01J 29/46 - 29/52 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-48-85074 (JP, A) JP-A-54-47472 (JP, A) JP-A-3-208241 (JP, A) JP-A-3-20841 22329 (JP, A) JP-A-63-237340 (JP, A) JP-A-3-261103 (JP, A) JP-A-61-221783 (JP, A) JP-A-63-237340 (JP, A) Special table Hei 1-502307 (JP, A) Special table Hei 4-506280 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01J 31/08-31/24 H01J 1/30 H01J 29/46-29/52

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基体に形成される複数の電子放出陰極、
これら電子放出陰極から電子を放出させ、放出される電
子を制御するゲート、及び上記電子放出陰極対向面にア
ノードと上記電子の衝突に応答して可視光を発する蛍光
体を有するフェースパネルを備える平面パネル型ディス
プレイにおいて、上記ゲートを一軸方向に並行なアレイ
状の第1ゲートと、上記一軸と直交する方向に並行なア
レイ状の第2ゲートとの2段構造とし、上記電子放出陰
極先端部が上記第1、第2ゲート間に位置するように配
置し、上記第1、第2ゲートそれぞれ独立に電圧を印加
することによって2次元に配列された画素に応じた電子
放出を選択するようにしたことを特徴とする平面パネル
型ディスプレイ。
A plurality of electron-emitting cathodes formed on a substrate;
A plane having a gate for emitting electrons from these electron emission cathodes and controlling the emitted electrons, and a face panel having a phosphor that emits visible light in response to the collision between the anode and the electrons on the surface facing the electron emission cathode. In the panel-type display, the gate has a two-stage structure of a first gate in an array parallel to a single axis direction and a second gate in an array parallel to a direction orthogonal to the single axis. The first and second gates are arranged so as to be located between the first and second gates, and the first and second gates are independently applied with a voltage to select electron emission according to pixels arranged two-dimensionally. A flat panel display characterized by the above-mentioned.
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