JP2946629B2 - 光ビーム位置検出装置 - Google Patents

光ビーム位置検出装置

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光ビームの位置検出装置に関するものであ
る。
〔従来の技術〕
従来、この装置に近いものに例えば電子レベル等から
水平、垂直にスキャンされたレーザービームを受光する
レベルセンサーがある。この装置は、高ビームの中心の
みを検出するものでレベルセンサーを光ビームの走査方
向と直交する方向(以下測定方向と称する)に動かすこ
とにより、光ビームの中心位置をさがすものである。光
ビームの中心位置がみつかったらレベルセンサーは表示
装置やブザー音で、それを知らせるものになっている。
この装置の原理の一つとしてクサビ形の受光素子を2
つ互いにクサビ形状が反対になるように測定方向に配置
したものがある。
それらの2つのクサビ形の受光素子の出力が等しくな
ったとき光ビームの中心として検出し、その他の所では
ビーム位置が上又は下という大まかな表示をするもので
ある。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記の如き従来の技術に於いては、光ビームの中心の
みを検知することにとどまり、測定物の相対変化量が検
出できないという欠点がある。
又、クサビ形受光装置の製作にあたり、例えばフォト
ダイオードの場合大面積が必要なため高価なものとなっ
てしまう。更に光ビームの検出範囲を拡げようとして
も、受光素子の原板であるウェハの大きさに限度がある
ため大面積のクサビ形受光素子は製造不可能という問題
点もあった。本発明は従来装置の問題点に鑑みてなされ
たもので、光ビームの位置を任意に検知することがで
き、しかも広範囲で測定可能な光ビーム位置検出装置を
提供することを目的とする。
〔課題を解決する為の手段〕
上記目的のために本発明においては、測定装置本体か
ら走査される光ビームを受光して被測定物の絶対位置及
び相対移動量を検出する光ビーム位置検出装置におい
て、 前記光ビームの走査方向と直交する方向の一方向に面
積がリニアに増大するクサビ形の第1受光素子と該第1
受光素子と同一形状で他方向に面積がリニアに増大する
第2受光素子とを前記光ビームの走査方向に並置して成
る受光部材を前記走査方向と直交する方向に所定数等間
隔に配置した受光手段(A、B、C、D、E、F、G、
H、I、J)と、該受光手段からの出力信号を検出する
と共にアナログ信号に変換して出力する検出手段(11)
と、 該検出手段(11)からのアナログ信号を受け、前記光
ビームの走査された前記受光素子に対応させてあらかじ
め定められた係数を乗じその積の総和から光ビームの位
置を演算する手段(12)を有することを課題解決の手段
とするものである。
〔作用〕
本発明では一定の形状の2個のクサビ形受光素子を逆
方向に並べて組み合わせ測定方向に直線状に複数配置さ
せると共に測定範囲の拡大されたクサビ形受光装置の大
きさに見立てるように成したので、測定範囲において、
2つの大きな見かけ上のクサビ形状によって、あらかじ
め想定できる面積比を演算することが出来るので、光ビ
ームの中心の位置を正確に読みとることが出来る。
又、クサビ形受光素子は製造容易な形状なので、これ
を複数用いることにより測定範囲を拡大することが出来
る。
〔実施例〕
第4図は本発明の基本原理を示す図で、第1のクサビ
形受光素子1と第2のクサビ形受光素子2は同面積、同
クサビ形状であり、測定方向に対して、それぞれ面積が
増減するよう反対に配置されている。光ビームが前記第
1、第2のクサビ形受光素子1、2の任意の位置を横切
ったとき、斜線部で示した1A、2Bの面積比に順じた出力
が得られる。これらの2つの出力(面積)1A、2Bより、
光ビームの中心を求めるもので、例えば求める絶対値を
xとし、クサビ形受光素子の高さをLとすると、 の式より、xが算出される。
第1図は本発明の実施例であり、装置の構成を表わし
たものである。クサビ形受光素子A〜Jは測定方向に直
線状に並んでいる。光ビームがクサビ形受光素子A〜J
に照射されたときにその光量に伴なうクサビ形受光素子
からのアナログ出力を検出する検出回路11がそれぞれに
接続されている。検出回路11によって検出された各出力
はCPU12に入力し、CPU12で処理された光ビーム位置情報
を表示器13によって表示される構成になっている。
第1図の動作について説明する。
まず、第2図、(A)の受光素子群A〜Jは、a×b
の長方形を対角線で2分割し、クサビ形受光素子AとB
(CとD、EとF、GとH、IとJ)である。今、この
クサビ形受光素子E、F、G、Hに光ビーム(斜線部)
が照射されたとき、それぞれの光量は第1図に示す、ピ
ークホールド回路を有するアナログ回路11によりアナロ
グ電気量に変換される。各々のアナログ量はCPU12によ
り処理される。ここで第4図に示したクサビ形の原理に
則って光ビームの位置を検出するため、第2図(B)に
示すようにW×Lαの拡大されたクサビ形受光素子21、
22(クサビ形受光素子A、Bの相似形)にみたてるので
ある。第2図(B)において斜線部で示した受光素子群
A〜Jは、実在するものを意味し、その他の受光素子群
A〜Jはみかけ上のものである。このように拡大された
クサビ形受光素子21、22をみかけ上つくる手段として、
実在するクサビ形受光素子A〜Jにそれぞれ2種類の倍
率をかけ加算するのである。
つまり、クサビ形受素子21の総面積S1はS1=(A×
5)+(B×4)+(C×4)+(D×3)+(E×
3)+(F×2)+(G×2)+(H×1)+(I×
1)+(J×0)となり、同じようにクサビ形受光素子
22の総面積S2はS2=(J×5)+(I×4)+(H×
4)+(G×3)+(F×3)+(E×2)+(D×
2)+(C×1)+(B×1)+(A×0)となる。こ
のように、クサビ形受光素子A〜Jに特定の倍率を2種
類に分けて乗じ加算することにより、クサビ形受光素子
A、Bの面積の25倍拡大された、みかけ上のクサビ形受
光素子21、22が構成されることになる。
第2図(A)において、a=9mm、b=30mm、L=150
mm、光ビームの径28mm(実際にはわからなくても良い)
とすると、受光素子E、F、G、Hのアナログ量はE=
21.6、F=86.4、G=105.6、H=38.4となり、第1
図、アナログ回路11により検出される。
次にCPU12によりそれぞれのアナログ量より、21A=
(E×3)+(F×2)+(G×2)+(H×1)、22
B=(H×4)+(G×3)+(F×3)+(E×2)
で算出される。
その結果21A=487.2mm2、22B=772.8mm2となりこの値
の式に入れると、x=58mmが求められる。第3図は受光
部のみの他の実施例の斜視図である。クサビ形状パター
ン有したマスク31と受光素子アレイ32で構成されてい
る。マスク31の斜線部は遮光部でありクサビ形パターン
A〜Jは光透過部である。受光素子アレイ32の受光素子
A〜Jはマスク31のクサビ形パターンA〜Jとそれぞれ
位置合わせがしてあり、マスク31のクサビ形パターンA
〜Jの光ビーム、照射による光の増減を受光素子A〜J
に伝えるものである。以上の構成なので第1図の実施例
と同様にして、光ビームの位置を検出することができ
る。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によればクサビ形状の面積比を利
用して、簡単に任意の光ビーム位置を読みとることがで
きる効果がある。
又、クサビ形受光素子の形状が単純なので、測定範囲
拡大のためにあまり制限することなく容易に多数個用い
ることができる利点もある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による装置の実施例の構成図、第2図は
第1図の受光部の検出原理の説明図であり、第2図
(A)はクサビ形受光素子の配列を示す図、第2図
(B)は拡大された受光素子にみたてた図、第3図は本
発明による他の実施例の受光部の斜視図、第4図は本発
明によるクサビ形状の面積比検出の基本原理を説明する
図である。 〔主要部分の符号の説明〕 A〜J……クサビ形受光素子、 11……検出回路、12……CPU、 13……表示器

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】測定装置本体から走査される光ビームを受
    光して、被測定物の位置を検出する光ビーム位置検出装
    置において、 前記光ビームの走査方向と直交する方向の一方向に面積
    がリニアに増大する第1受光素子と、該第1受光素子と
    同一形状で他方向に面積がリニアに増大する第2受光素
    子とを前記光ビームの走査方向に並置して成る受光部材
    を前記走査方向と直交する方向に所定数等間隔に配置し
    た受光手段と、 該受光手段からの出力信号を検出する検出手段と、 該検出手段からの出力信号を受け、光ビームの走査位置
    を演算する演算手段を有することを特徴とする光ビーム
    位置検出装置。
  2. 【請求項2】前記演算手段は、前記検出手段からの出力
    信号に前記各受光素子の位置に応じて定めた第1の係数
    と第2の係数とからなる所定の係数を乗じ、各係数群毎
    の積の総和から光ビームの位置を演算する演算手段を有
    することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光ビ
    ーム位置検出装置。
  3. 【請求項3】前記受光手段の前記受光部材の数がNであ
    り、前記受光手段の一端からn番目の受光部材の第1受
    光素子に対する第1の係数がN、第2受光素子に対する
    第1の係数がN−1であり、該各受光素子に対する第2
    の係数が前記第1の係数とNの補数をなすことを特徴と
    する特許請求の範囲第1項又は第2項記載の光ビーム位
    置検出装置。
  4. 【請求項4】前記第1受光素子と第2受光素子とは、夫
    々、光ビームの走査方向と直交する方向に面積がリニア
    に変化する光透過部を有するマスク部材と該マスク部材
    を透過した光を受光する受光素子とからなることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項乃至第3項記載の光ビーム
    位置検出装置。
  5. 【請求項5】前記検出手段は、ピークホールド回路を含
    むことを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第4項記
    載の光ビーム位置検出装置。
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