JP2941340B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2941340B2 JP2941340B2 JP2069150A JP6915090A JP2941340B2 JP 2941340 B2 JP2941340 B2 JP 2941340B2 JP 2069150 A JP2069150 A JP 2069150A JP 6915090 A JP6915090 A JP 6915090A JP 2941340 B2 JP2941340 B2 JP 2941340B2
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- Japan
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- synchrotron radiation
- photosensitive resist
- semiconductor device
- spherical
- light
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 基板上の感光性レジストを露光する工程を含む半導体
装置の製造方法に関し、 複数の基板に同時にシンクロトロン放射光を照射して
基板上に被着した感光性レジストを露光する工程が含ま
れている半導体装置の製造方法を提供することを目的と
し、 単結晶よりなる複数の球形回折体に波長が該単結晶の
格子面間距離の２倍以下の電磁波を含むシンクロトロン
放射光を照射し、シンクロトロン放射光を格子面により
回折させて複数の回折光を複数の球形回折体から取り出
し、複数の回折光を露光マスクを通過させて基板表面に
被着した感光性レジストに照射して感光性レジストを露
光する工程を含ませて半導体装置の製造方法を構成す
る。
装置の製造方法に関し、 複数の基板に同時にシンクロトロン放射光を照射して
基板上に被着した感光性レジストを露光する工程が含ま
れている半導体装置の製造方法を提供することを目的と
し、 単結晶よりなる複数の球形回折体に波長が該単結晶の
格子面間距離の２倍以下の電磁波を含むシンクロトロン
放射光を照射し、シンクロトロン放射光を格子面により
回折させて複数の回折光を複数の球形回折体から取り出
し、複数の回折光を露光マスクを通過させて基板表面に
被着した感光性レジストに照射して感光性レジストを露
光する工程を含ませて半導体装置の製造方法を構成す
る。
本発明は、半導体装置の製造方法、特に複数の基板に
同時にシンクロトロン放射光を照射して基板上に被着し
た感光性レジストを露光する工程が含まれている半導体
装置の製造方法に関する。
同時にシンクロトロン放射光を照射して基板上に被着し
た感光性レジストを露光する工程が含まれている半導体
装置の製造方法に関する。
シンクロトロン放射光発生装置が発生するシンクロト
ロン放射光は、可視光からＸ線領域までにわたる広い波
長領域を有すること、エネルギーレベルが高いこと、更
にはその平行性が優れている等の特性を備えている。
ロン放射光は、可視光からＸ線領域までにわたる広い波
長領域を有すること、エネルギーレベルが高いこと、更
にはその平行性が優れている等の特性を備えている。
この為、Ｘ線領域のシンクロトロン放射光を、基板上
に被着した感光性レジストを感光する光源に使用する
と、Ｘ線用の露光マスクのパターンによる回折が少なく
なって感光性レジストを精度よく感光することができる
という特徴がある。
に被着した感光性レジストを感光する光源に使用する
と、Ｘ線用の露光マスクのパターンによる回折が少なく
なって感光性レジストを精度よく感光することができる
という特徴がある。
したがって、このシンクロトロン放射光を配線パター
ン幅が0.2〜0.3μｍ程度となる64MDRAM（DRAM;Dynamic
Random Access Memory;記憶保持動作が必要な随時書き
込み読み出しメモリー）等の次世代の超LSIを製造する
ための露光装置の光源に使用する研究が現在精力的に進
められている。
ン幅が0.2〜0.3μｍ程度となる64MDRAM（DRAM;Dynamic
Random Access Memory;記憶保持動作が必要な随時書き
込み読み出しメモリー）等の次世代の超LSIを製造する
ための露光装置の光源に使用する研究が現在精力的に進
められている。
次に、従来の半導体装置の製造方法について図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
第２図は、従来の半導体装置の製造方法を説明するた
めの要部概略側断面図である。
めの要部概略側断面図である。
尚、同じ部品・材料に対しては全図を通して同じ記号
を付与してある。
を付与してある。
すなわち、従来の半導体装置の製造方法、特に本発明
に係るシンクロトロン放射光Ｓによる基板15上の感光性
レジスト14の感光は、シンクロトロン放射光ＳをＸ線用
の露光マスク18を通過させて基板15上の感光性レジスト
14に照射して、この感光性レジスト14を感光していた。
に係るシンクロトロン放射光Ｓによる基板15上の感光性
レジスト14の感光は、シンクロトロン放射光ＳをＸ線用
の露光マスク18を通過させて基板15上の感光性レジスト
14に照射して、この感光性レジスト14を感光していた。
しかしながら、シンクロトロン放射光Ｓによる従来の
感光方法は、シンクロトロン放射光発生装置のビームラ
イン11の取り出し窓11aから取り出したシンクロトロン
放射光Ｓを、感光性レジスト14を被着した一枚の基板15
に照射していた。
感光方法は、シンクロトロン放射光発生装置のビームラ
イン11の取り出し窓11aから取り出したシンクロトロン
放射光Ｓを、感光性レジスト14を被着した一枚の基板15
に照射していた。
従って、感光性レジスト14を被着した複数の基板15に
シンクロトロン放射光Ｓを照射するには、上記したよう
な照射作業を繰り返して行うことが必要であった。
シンクロトロン放射光Ｓを照射するには、上記したよう
な照射作業を繰り返して行うことが必要であった。
このように基板一枚毎にシンクロトロン放射光Ｓを照
射して基板15上の感光性レジスト14を感光させる方法
は、半導体装置全体のスループットを低下させるばかり
か、ランニングコストが極めて高価なシンクロトロン放
射光発生装置の処理能力を低下させることとなり半導体
装置の製造原価を極端に高くするという問題があった。
射して基板15上の感光性レジスト14を感光させる方法
は、半導体装置全体のスループットを低下させるばかり
か、ランニングコストが極めて高価なシンクロトロン放
射光発生装置の処理能力を低下させることとなり半導体
装置の製造原価を極端に高くするという問題があった。
本発明は、このような問題を解決するためになされた
もので、その目的は複数の基板に同時にシンクロトロン
放射光を照射して基板上に被着した感光性レジストを露
光する工程が含まれている半導体装置の製造方法を提供
することにある。
もので、その目的は複数の基板に同時にシンクロトロン
放射光を照射して基板上に被着した感光性レジストを露
光する工程が含まれている半導体装置の製造方法を提供
することにある。
前記目的は、単結晶よりなる複数の球形回折体に波長
が該単結晶の格子面間距離の２倍以下の電磁波を含むシ
ンクロトロン放射光を照射し、シンクロトロン放射光を
格子面により回折させて複数の回折光を複数の球形回折
体から取り出し、複数の回折光を露光マスクを通過させ
て基板表面に被着した感光性レジストに照射して該感光
性レジストを露光する工程が含まれていることを特徴と
する半導体装置の製造方法によって達成される。
が該単結晶の格子面間距離の２倍以下の電磁波を含むシ
ンクロトロン放射光を照射し、シンクロトロン放射光を
格子面により回折させて複数の回折光を複数の球形回折
体から取り出し、複数の回折光を露光マスクを通過させ
て基板表面に被着した感光性レジストに照射して該感光
性レジストを露光する工程が含まれていることを特徴と
する半導体装置の製造方法によって達成される。
本発明は、シンクロトロン放射光を回折する回折体
に、単結晶の球形回折体を採用している。
に、単結晶の球形回折体を採用している。
上記の如く回折体が単結晶であるが故に、結晶内の原
子配列に乱れがなく整然としている。
子配列に乱れがなく整然としている。
斯くして、シンクロトロン放射光が、このような回折
体によりブラッグの条件に従って回折されると、その回
折光の位相が良く揃うこととなり、回折体は指向性の鋭
い強いものとなる。
体によりブラッグの条件に従って回折されると、その回
折光の位相が良く揃うこととなり、回折体は指向性の鋭
い強いものとなる。
また、回折体は球形回折体であるが故に、回折体の表
面は連続的である。
面は連続的である。
斯くして、上記指向性の鋭い強い回折光は、相互干渉
もなく回折体外に放射されることとなる。
もなく回折体外に放射されることとなる。
従って、シンクロトロン放射光の光路内には、球形回
折体が複数配列されているために、複数の回折光を得る
ことが可能となる。
折体が複数配列されているために、複数の回折光を得る
ことが可能となる。
この結果、これらの複数の回折光を、表面に感光性レ
ジストを被着したそれぞれの基板に、別々に照射するこ
とにより、複数の基板の感光性レジストを同時に感光す
ることが可能となる。
ジストを被着したそれぞれの基板に、別々に照射するこ
とにより、複数の基板の感光性レジストを同時に感光す
ることが可能となる。
第１図は、本発明の一実施例による露光方法を模式的
に示す要部概略側断面図である。
に示す要部概略側断面図である。
すなわち、本発明の一実施例は、シンクロトロン放射
光発生装置のビームライン11から大気中に取り出したシ
ンクロトロン放射光Ｓを球形回折体12に照射して指向性
の良い回折光13を取り出し、感光性レジスト14を塗布し
た基板15の表面に照射するように構成したものである。
光発生装置のビームライン11から大気中に取り出したシ
ンクロトロン放射光Ｓを球形回折体12に照射して指向性
の良い回折光13を取り出し、感光性レジスト14を塗布し
た基板15の表面に照射するように構成したものである。
以下、基板15の表面に薄く塗布した感光性レジスト14
が露光されるまでを工程順に述べることにより、本発明
の一実施例を詳細に説明する。
が露光されるまでを工程順に述べることにより、本発明
の一実施例を詳細に説明する。
まず、シンクロトロン放射光Ｓがシンクロトロン放射
光発生装置（図示せず）のビームライン11に終端に取り
付けた取り出し窓11aから大気中に取り出される。
光発生装置（図示せず）のビームライン11に終端に取り
付けた取り出し窓11aから大気中に取り出される。
このシンクロトロン放射光Ｓの光路内には、ガラス棒
16の先端に固着された直径1mmのシリコン単結晶よりな
る複数の球形回折体12が、シンクロトロン放射光Ｓの進
行方向並びに進行方向と直交方向に所定距離ずらして配
列されている。
16の先端に固着された直径1mmのシリコン単結晶よりな
る複数の球形回折体12が、シンクロトロン放射光Ｓの進
行方向並びに進行方向と直交方向に所定距離ずらして配
列されている。
従って、シンクロトロン放射光Ｓは、複数の球形光折
体12に照射された後、球形回折体12により回折されて、
その一部が回折光13となる。
体12に照射された後、球形回折体12により回折されて、
その一部が回折光13となる。
なお、一つの球形回折体12は複数の回折回13を形成す
るが、実用上は複数の回折光13のなかの最適なもの一つ
だけを利用すれば十分である。従って第１図では一つの
球形回折体12に一つの回折光13だけを図示してある。
るが、実用上は複数の回折光13のなかの最適なもの一つ
だけを利用すれば十分である。従って第１図では一つの
球形回折体12に一つの回折光13だけを図示してある。
そして、上記回折光13を、コリメータ17のタングステ
ン膜17aの小孔ｂを通過させると共に、基板移動装置
（図示せず）の一部を構成するホルダー19により基板15
とともに保持されたＸ線用の露光マスク18を透過させ
て、表面に感光性レジスト14を塗布した基板15に照射す
る。
ン膜17aの小孔ｂを通過させると共に、基板移動装置
（図示せず）の一部を構成するホルダー19により基板15
とともに保持されたＸ線用の露光マスク18を透過させ
て、表面に感光性レジスト14を塗布した基板15に照射す
る。
基板移動装置は、回折体13がホルダー19に保持した露
光マスク18と基板15の全表面を隈無く走査する如く移動
させる。
光マスク18と基板15の全表面を隈無く走査する如く移動
させる。
この結果、感光性レジスト14を表面に塗布された複数
の基板15へ回折光13が同時に照射され、それぞれの基板
15の感光性レジスト14が回折光13により感光されること
となる。
の基板15へ回折光13が同時に照射され、それぞれの基板
15の感光性レジスト14が回折光13により感光されること
となる。
斯くして、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の
基板に同時にシンクロトロン放射光を照射して基板上に
被着した感光性レジストを露光するを可能とするもので
ある。
基板に同時にシンクロトロン放射光を照射して基板上に
被着した感光性レジストを露光するを可能とするもので
ある。
なお、上述した本発明の一実施例における球形回折体
12はシリコン単結晶により形成したものであるが、球形
回折体12の構成材料としてはゲルマニウム（Ge）等の単
結晶を使用することも当然可能である。
12はシリコン単結晶により形成したものであるが、球形
回折体12の構成材料としてはゲルマニウム（Ge）等の単
結晶を使用することも当然可能である。
〔発明の効果〕 以上詳述したように、本発明によれば複数の基板の同
時にシンクロトロン放射光を照射し、基板上に被着した
感光性レジストを露光することが可能となる。
時にシンクロトロン放射光を照射し、基板上に被着した
感光性レジストを露光することが可能となる。
従って、本発明の半導体装置の製造方法を64MDRAM等
の超LSIの製造に採用することにより、半導体装置のス
ループットが向上することとなり、製造原価の引き下げ
が可能となる。
の超LSIの製造に採用することにより、半導体装置のス
ループットが向上することとなり、製造原価の引き下げ
が可能となる。
第１図は、本発明の一実施例による露光方法を模式的に
示す要部概略側断面図、 第２図は、従来の半導体装置の製造方法を説明するため
の要部概略側断面図である。 図において、 11はビームライン、 11aは取り出し窓、 12は球形回折体、 13は回折光、 14はか感光性レジスト、 15は基板、 16はガラス棒、 17はコリメータ、 17aはタングステン膜、 17bは小孔、 18は露光マスク、 19はホルダーをそれぞれ示す。
示す要部概略側断面図、 第２図は、従来の半導体装置の製造方法を説明するため
の要部概略側断面図である。 図において、 11はビームライン、 11aは取り出し窓、 12は球形回折体、 13は回折光、 14はか感光性レジスト、 15は基板、 16はガラス棒、 17はコリメータ、 17aはタングステン膜、 17bは小孔、 18は露光マスク、 19はホルダーをそれぞれ示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 - 7/24 G03F 9/00 - 9/02
Claims (1)
- 【請求項１】単結晶よりなる複数の球形回折体に波長が
該単結晶の格子面間距離の２倍以下の電磁波を含むシン
クロトロン放射光を照射し、 前記シンクロトロン放射光を前記格子面により回折させ
て複数の回折光を前記複数の球形回折体から取り出し、 前記複数の回折光を露光マスクを通過させて基板表面に
被着した感光性レジストに照射して、 該感光性レジストを露光する工程が含まれていることを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2069150A JP2941340B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2069150A JP2941340B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03270011A JPH03270011A (ja) | 1991-12-02 |
| JP2941340B2 true JP2941340B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=13394351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2069150A Expired - Fee Related JP2941340B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2941340B2 (ja) |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP2069150A patent/JP2941340B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03270011A (ja) | 1991-12-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |