JP2930115B2 - Semiconductor device - Google Patents
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- JP2930115B2 JP2930115B2 JP63227950A JP22795088A JP2930115B2 JP 2930115 B2 JP2930115 B2 JP 2930115B2 JP 63227950 A JP63227950 A JP 63227950A JP 22795088 A JP22795088 A JP 22795088A JP 2930115 B2 JP2930115 B2 JP 2930115B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、信頼性の優れた半導体装置に関するもの
である。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a highly reliable semiconductor device.
トランジスタ,IC,LSI等の半導体素子は、通常セラミ
ツクパツケージもしくはプラスチツクパツケージ等によ
り封止され、半導体装置化されている。上記セラミツク
パツケージは、構成材料そのものが耐熱性を有し、耐透
湿性にも優れているため、温度、湿度に対して強く、し
かも中空パツケージのため機械的強度も高く信頼性の高
い封止が可能である。しかしながら、構成材料が比較的
高価なものであることと、量産性に劣る欠点があるた
め、最近では上記プラスチツクパツケージを用いた樹脂
封止が主流になつている。この種の樹脂封止には、従来
からエポキシ樹脂組成物が使用されており、良好な成績
を収めている。しかしながら、半導体分野の技術革新に
よつて集積度の向上とともに素子サイズの大形化，配線
の微細化が進み、パツケージも小形化，薄形化する傾向
にあり、これに伴つて封止材料に対してより以上の信頼
性（得られる半導体装置の内部応力，耐湿信頼性，耐衝
撃信頼性，耐熱信頼性等）の向上が要望されており、特
に耐湿信頼性の改善が望まれている。Semiconductor elements such as transistors, ICs, and LSIs are usually sealed with a ceramic package or a plastic package to form a semiconductor device. The above-mentioned ceramic package has high heat resistance and excellent moisture permeability because the constituent material itself has excellent heat and moisture resistance, and it has high mechanical strength and highly reliable sealing because it is a hollow package. It is possible. However, since the constituent materials are relatively expensive and have the disadvantage of being inferior in mass productivity, resin sealing using the plastic package has recently become mainstream. Epoxy resin compositions have conventionally been used for this type of resin sealing, and have achieved good results. However, due to technological innovation in the field of semiconductors, the degree of integration has been increased, the element size has been increased, and the wiring has become finer, and the packages have also tended to be smaller and thinner. On the other hand, there is a demand for higher reliability (internal stress, humidity resistance, impact resistance, heat resistance, etc.) of the obtained semiconductor device, and particularly improvement of humidity resistance is desired.
上記のように、これまでの封止用エポキシ樹脂組成物
は、信頼性、中でも特に耐湿信頼性に問題があつた。す
なわち、封止用エポキシ樹脂組成物中に配合されている
充填剤と、樹脂との界面における接着性が低く、吸湿時
においては、この界面に水分が溜まるために耐湿信頼性
が低下し、その結果、電気的特性にも悪影響をおよぼす
ものと考えられる。このように従来の封止用エポキシ樹
脂組成物は、諸特性がいまひとつ満足しうるものではな
く、それを用いた半導体装置の信頼性にも限界があり、
上記技術革新による素子サイズの大形化等に対応できる
ようより以上の特性向上が強く望まれている。As described above, the conventional epoxy resin compositions for encapsulation have a problem in reliability, especially in moisture resistance reliability. That is, the filler compounded in the epoxy resin composition for sealing and the adhesiveness at the interface between the resin and the resin are low, and during moisture absorption, moisture accumulates at this interface, so that the moisture resistance reliability is reduced. As a result, it is considered that the electrical characteristics are also adversely affected. As described above, the conventional epoxy resin composition for encapsulation is not one in which various properties can be satisfied, and the reliability of a semiconductor device using the same is limited,
There is a strong demand for further improvement of characteristics so as to be able to cope with an increase in element size due to the above technical innovation.
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、
優れた耐湿信頼性を有する半導体装置を提供することを
その目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances,
It is an object of the present invention to provide a semiconductor device having excellent moisture resistance reliability.
上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置
は、下記の（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）成分を含有して
いるエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する
という構成をとる。In order to achieve the above object, a semiconductor device according to the present invention has a configuration in which a semiconductor element is sealed with an epoxy resin composition containing the following components (A), (B) and (C). Take.
（Ａ）エポキシ樹脂。(A) Epoxy resin.
（Ｂ）フエノール樹脂。(B) a phenolic resin.
（Ｃ）下記の一般式（Ｉ）で表されるトリアルコキシシ
ランおよび有機官能基を有するシランカツプリング剤か
らなる被覆層により粒子表面が被覆されているシリカ充
填剤。(C) A silica filler whose particle surface is coated with a coating layer comprising a trialkoxysilane represented by the following general formula (I) and a silane coupling agent having an organic functional group.
CH3CH2 nSiOR）３ …（Ｉ） 〔上記の式において、Ｒは−CH3,−CH2CH3であり、ｎ≧
７である。〕 〔作用〕 すなわち、この発明は、上記特殊なトリアルコキシシ
ランを含有する被覆層により粒子表面が被覆されている
特殊なシリカをＣ成分として使用するものであり、上記
シリカは上記被覆層によりその表面が撥水性になつてい
る。したがつて、その撥水性により充填剤としてのシリ
カと樹脂との界面に水分が溜まることが防止され、その
結果、半導体装置の信頼性の大幅な向上が実現されるよ
うになる。また、有機官能基を有するシランカツプリン
グ剤を併用しているため、シリカ粒子表面に対する封止
樹脂の接着性が著しく向上するようになる。CH 3 CH 2 n SiOR) 3 (I) [In the above formula, R is —CH 3 , —CH 2 CH 3 , and n ≧
7 [Action] That is, the present invention uses, as the C component, a special silica whose particle surface is coated with the coating layer containing the special trialkoxysilane, and the silica is formed by the coating layer. The surface is water-repellent. Therefore, the water repellency prevents water from accumulating at the interface between the silica as the filler and the resin, and as a result, the reliability of the semiconductor device is significantly improved. In addition, since a silane coupling agent having an organic functional group is used in combination, the adhesiveness of the sealing resin to the surface of the silica particles is significantly improved.
この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹
脂（Ａ成分）と、フエノール樹脂（Ｂ成分）と、特殊な
トリアルコキシシランおよび有機官能基を有するシラン
カツプリング剤からなる被覆層により粒子表面が被覆さ
れているシリカ充填剤（Ｃ成分）とを用いて得られるも
のであつて、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブ
レツト状になつている。The particle surface of the epoxy resin composition used in the present invention is coated with a coating layer comprising an epoxy resin (component A), a phenol resin (component B), a special trialkoxysilane and a silane coupling agent having an organic functional group. It is obtained using the silica filler (component C) described above, and is usually in the form of powder or tablet.
上記Ａ成分となるエポキシ樹脂は、特に制限するもの
はなく、クレゾールノボラツク型，フエノールノボラツ
ク型やビスフエノールＡ型等、数来から半導体装置の封
止樹脂として用いられている各種のエポキシ樹脂があげ
られる。これらの樹脂のなかでも、融点が室温を超えて
おり、室温下では固形状もしくは高粘度の溶液状を呈す
るものを用いることが好結果をもたらす。ノボラツク型
エポキシ樹脂としては、通常エポキシ当量160〜250,軟
化点50〜130℃のものが用いられ、クレゾールノボラツ
ク型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量180〜210,軟
化点60〜110℃のものが一般に用いられる。The epoxy resin serving as the component A is not particularly limited, and various epoxy resins such as cresol novolak type, phenol novolak type, and bisphenol A type have been used as sealing resins for semiconductor devices. Is raised. Among these resins, those having a melting point exceeding room temperature and exhibiting a solid or high-viscosity solution at room temperature give good results. As the novolak type epoxy resin, those having an epoxy equivalent of 160 to 250 and a softening point of 50 to 130 ° C are usually used, and the cresol novolak type epoxy resin has an epoxy equivalent of 180 to 210 and a softening point of 60 to 110 ° C. Generally used.
上記エポキシ樹脂とともに用いられる、Ｂ成分のフエ
ノール樹脂は、上記エポキシ樹脂の硬化剤として作用す
るものであり、フエノールノボラツク，クレゾールノボ
ラツク等が好適に用いられる。これらのノボラツク樹脂
は、軟化点が50〜110℃，水酸基当量が70〜150のものを
用いることが好ましい。特に上記ノボラツク樹脂のなか
でもクレゾールノボラツクを用いることが好結果をもた
らす。The phenol resin of component B used together with the epoxy resin acts as a curing agent for the epoxy resin, and phenol novolak, cresol novolak, and the like are preferably used. It is preferable to use those novolak resins having a softening point of 50 to 110 ° C. and a hydroxyl equivalent of 70 to 150. Particularly, the use of cresol novolak among the above novolak resins gives good results.
上記Ａ成分のエポキシ樹脂とＢ成分のフエノール樹脂
との配合比は、上記エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量
当たりフエノール樹脂中の水酸基が0.8〜1.2当量となる
ように配合することが好適である。The compounding ratio of the epoxy resin of the component A to the phenol resin of the component B is preferably such that the hydroxyl groups in the phenol resin are 0.8 to 1.2 equivalents per equivalent of the epoxy group in the epoxy resin.
上記Ｃ成分は、下記の一般式（Ｉ）で表されるトリア
ルコキシシランおよび有機官能基を有するシランカツプ
リング剤からなる被覆層により被覆されている特殊なシ
リカ充填剤である。The component C is a special silica filler coated with a coating layer comprising a trialkoxysilane represented by the following general formula (I) and a silane coupling agent having an organic functional group.
CH3CH2 nSiOR）３ …（Ｉ） 〔上記の式において、Ｒは−CH3,−CH2CH3であり、ｎ≧
７である。〕 上記Ｃ成分に用いられるトリアルコキシシランとして
は、上記一般式（Ｉ）においてｎが７以上20以下のもの
が好ましく、特に好適なのは７以上15以下のものであ
る。CH 3 CH 2 n SiOR) 3 (I) [In the above formula, R is —CH 3 , —CH 2 CH 3 , and n ≧
7 As the trialkoxysilane used for the component C, those having n of 7 to 20 in the general formula (I) are preferable, and those having 7 to 15 are particularly preferable.
この発明で用いるＣ成分は、前記のような特殊なトリ
アルコキシシランおよび有機官能基を有するシランカツ
プリング剤でシリカ表面を被覆することにより得られる
ものであり、被覆されるシリカは特に限定するものでな
く、結晶質シリカ（結晶シリカ）および非品質シリカ
（溶融シリカ）のいずれをも用いることができる。これ
らのシリカは、平均粒径が５〜80μｍのものが好適であ
り、100μｍ以上の大粒径粒子を含まないことが望まし
い。The C component used in the present invention is obtained by coating the silica surface with the special trialkoxysilane and a silane coupling agent having an organic functional group as described above, and the silica to be coated is not particularly limited. Instead, both crystalline silica (crystalline silica) and non-quality silica (fused silica) can be used. These silicas preferably have an average particle size of 5 to 80 μm, and desirably do not include particles having a large particle size of 100 μm or more.
上記特殊なトリアルコキシシランおよび有機官能基を
有するシランカツプリング剤によるシリカの被覆は、上
記トリアルコキシシランとシランカツプリング剤とシリ
カとをメタノール等の有機溶媒を媒体として混合し、こ
れを濾過したのち、減圧乾燥することにより行うことが
できる。このようにして、上記トリアルコキシシランに
よつてシリカ表面が疎水化されるとともに、有機官能基
を有するシランカツプリング剤を併用することにより、
シリカ粒子表面に対する封止樹脂の接着性が著しく向上
するようになる。すなわち、上記特殊なトリアルコキシ
シランを用いることにより初めてシリカ表面の疎水化が
可能となり、しかもシランカツプリング剤を用いること
により封止樹脂に対する接着性が向上して、これを用い
ることにより極めて広範囲のエポキシ樹脂組成物の耐湿
信頼性、電気的特性の改善効果が得られようになる。こ
れがこの発明の最大の特徴である。The coating of the silica with the special trialkoxysilane and the silane coupling agent having an organic functional group was performed by mixing the trialkoxysilane, the silane coupling agent, and the silica with an organic solvent such as methanol as a medium and filtering the mixture. Then, it can be performed by drying under reduced pressure. In this manner, the silica surface is hydrophobized by the trialkoxysilane, and by using a silane coupling agent having an organic functional group in combination,
The adhesion of the sealing resin to the surface of the silica particles is significantly improved. That is, the use of the above special trialkoxysilane makes it possible to make the silica surface hydrophobic for the first time, and the use of a silane coupling agent improves the adhesion to the sealing resin. The effect of improving moisture resistance reliability and electrical characteristics of the epoxy resin composition can be obtained. This is the most important feature of the present invention.
上記トリアルコキシシランの使用量（含有量）は、Ｃ
成分の充填全体中0.1〜２重量％（以下「％」と略す）
の割合になるように設定するのが好ましい。また、上記
有機官能基を有するシランカツプリング剤の使用量（含
有量）は、上記トリアルコキシシランと同様充填剤全体
中0.1〜２％の割合になるように設定するのが好まし
い。The amount (content) of the trialkoxysilane used is C
0.1 to 2% by weight (hereinafter abbreviated as "%") in the total filling of components
It is preferable to set the ratio so that The amount (content) of the silane coupling agent having an organic functional group is preferably set so as to be 0.1 to 2% of the whole filler similarly to the trialkoxysilane.
そして、上記特殊なトリアルコキシシランと上記シラ
ンカツプリング剤との混合物の、充填剤成分を除いたエ
ポキシ樹脂組成物（Ａ＋Ｂ）に対する使用量は、上記充
填剤成分を除いたエポキシ樹脂組成物中に、それらが0.
8〜5.0％含有されるように設定することが好ましい。す
なわち、含有量が上記の範囲を外れると、得られる半導
体装置の信頼性が低下する傾向がみられるようになるか
らである。The amount of the mixture of the special trialkoxysilane and the silane coupling agent with respect to the epoxy resin composition (A + B) excluding the filler component is determined in the epoxy resin composition excluding the filler component. , They are 0.
It is preferable to set the content to 8 to 5.0%. That is, when the content is out of the above range, the reliability of the obtained semiconductor device tends to decrease.
なお、この発明に用いるエポキシ樹脂組成物には必要
に応じて上記Ａ成分ないしＣ成分以外に硬化促進剤が用
いられる。In the epoxy resin composition used in the present invention, a curing accelerator is used in addition to the above components A to C as required.
上記硬化促進剤としては、下記の三級アミン，四級ア
ンモニウム塩，イミダゾール類およびホウ素化合物を好
適な例としてあげることができ、これらを単独でもしく
は併せて用いることができる。Preferred examples of the curing accelerator include the following tertiary amines, quaternary ammonium salts, imidazoles, and boron compounds. These can be used alone or in combination.
三級アミン トリエタノールアミン、テトラメチルヘキサンジアミ
ン、トリエチレンジアミン、ジメチルアニリン、ジメチ
ルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、2,4,
6−トリス（ジメチルアミノメチル）フエノール、N,N′
−ジメチルピペラジン、ピリジン、ピコリン、1,8−ジ
アザ−ビシクロ−（5,4,0）ウンデセン−７、ベンジル
ジメチルアミン、２−（ジメチルアミノ）メチルフエノ
ール 四級アンモニウム塩 ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、セチル
トリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチル
テトラデシルアンモニウムクロライド、ステアリルトリ
メチルアンモニウムクロライド イミダゾール類 ２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾー
ル、２−エチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチ
ルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイ
ミダゾール ホウ素化合物 テトラフエニルボロン塩類、例えばトリエチレンアミ
ンテトラフエニルボレート、Ｎ−メチルモルホリンテト
ラフエニルボレート また、必要に応じて、この発明のエポキシ樹脂組成物
には、さらに、三酸化アンチモン，リン系化合物等の難
燃剤や顔料を用いることができる。Tertiary amine triethanolamine, tetramethylhexanediamine, triethylenediamine, dimethylaniline, dimethylaminoethanol, diethylaminoethanol, 2,4,
6-tris (dimethylaminomethyl) phenol, N, N '
-Dimethylpiperazine, pyridine, picoline, 1,8-diaza-bicyclo- (5,4,0) undecene-7, benzyldimethylamine, 2- (dimethylamino) methylphenol quaternary ammonium salt dodecyltrimethylammonium chloride, cetyltrimethyl Ammonium chloride, benzyldimethyltetradecylammonium chloride, stearyltrimethylammonium chloride imidazoles 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-ethylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole Boron compounds tetraphenylboron salts, for example, triethyleneamine tetraphenylborate, N-methylmorpholinetetraphenylborate The epoxy resin composition of the present invention, furthermore, can be used antimony trioxide, a flame retardant and a pigment such as phosphorus-based compounds.
この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物は、例えば
つぎのようにして製造することができる。すなわち、上
記（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）成分を、また場合により
顔料等その他の添加剤を適宜配合し、この混合物をミキ
シングロース機等の混練機にかけ加熱状態で混練して溶
融混合し、これを室温に冷却したのち公知の手段によつ
て粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程によ
り目的とするエポキシ樹脂組成物を得ることができる。The epoxy resin composition used in the present invention can be produced, for example, as follows. That is, the above components (A), (B) and (C) and, if necessary, other additives such as a pigment are appropriately compounded, and the mixture is kneaded in a kneading machine such as a mixin growth machine and kneaded in a heated state to be melt-mixed. After cooling to room temperature, the mixture is pulverized by a known means and, if necessary, tableted, whereby the desired epoxy resin composition can be obtained.
このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子
の封止は特に限定するものではなく、通常のトランスフ
アー成形等の公知のモールド方法により行うことができ
る。The sealing of the semiconductor element using such an epoxy resin composition is not particularly limited, and can be performed by a known molding method such as ordinary transfer molding.
このようにして得られる半導体装置は、特殊なトリア
ルコキシシランにより表面が撥水性に改善され、かつシ
ランカツプリング剤により封止樹脂との接着性が向上し
たシリカ充填剤を含有するエポキシ樹脂組成物で封止さ
れているため、封止樹脂中において、充填剤とエポキシ
マトリツクスとの界面の水分の滞溜が有効に防止され、
極めて耐湿信頼性に富むようになる。The semiconductor device obtained in this manner is an epoxy resin composition containing a silica filler whose surface is improved in water repellency by a special trialkoxysilane and adhesion to a sealing resin is improved by a silane coupling agent. In the sealing resin, the retention of moisture at the interface between the filler and the epoxy matrix is effectively prevented,
Extremely high humidity resistance reliability.
この発明の半導体装置は、表面撥水性を付与され、か
つ封止樹脂との接着性が向上した特殊なシリカ充填剤を
含有するエポキシ樹脂組成物によつて樹脂封止されてお
り、封止プラスチツクパツケージが従来のエポキシ樹脂
組成物製のものとは内部の撥水性において大きく異な
り、極めて吸水性が低くなつている。したがつて、耐湿
信頼性，電気的特性が高く、信頼性の極めて高いものと
なつている。特に、上記特殊なエポキシ樹脂組成物によ
る封止により、８ピン以上特に16ピン以上、もしくはチ
ツプの長辺が4mm以上の大形の半導体装置において、上
記のような高信頼度が得られるようになるのであり、こ
れが大きな特徴である。そのうえ、この発明で用いる充
填剤（Ｃ成分）は、広い範囲のエポキシ樹脂に適用可能
であり、またそれ自体の製造も簡単であるため、半導体
装置の製造に特別な工程を加えたり、半導体装置の製造
工程の複雑化を招いたりすることもなく、各種の半導体
装置に高信頼性を実現しうる。The semiconductor device of the present invention is resin-encapsulated by an epoxy resin composition containing a special silica filler having surface water repellency and improved adhesion to a sealing resin, and is provided by a sealing plastic. The package differs greatly from the conventional epoxy resin composition in the water repellency inside, and has extremely low water absorption. Therefore, the humidity resistance and the electrical characteristics are high and the reliability is extremely high. In particular, by encapsulation with the above-mentioned special epoxy resin composition, the above-described high reliability can be obtained in a large semiconductor device having 8 pins or more, particularly 16 pins or more, or a chip having a long side of 4 mm or more. This is a major feature. In addition, since the filler (component C) used in the present invention is applicable to a wide range of epoxy resins and is easy to manufacture itself, a special process is added to the manufacture of a semiconductor device, High reliability can be realized for various semiconductor devices without complicating the manufacturing process of the semiconductor device.
つぎに、実施例および比較例について説明する。 Next, examples and comparative examples will be described.
〔実施例１〜３、比較例１〜５〕 まず、第１表に示すＡ〜Ｅの５種類のトリアルコキシ
シランを用意し、カツプリング剤として、第２表に示す
ａ〜ｃの３種類を用意した。[Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 5] First, five types of trialkoxysilanes A to E shown in Table 1 were prepared, and three types of a to c shown in Table 2 were used as coupling agents. Prepared.
上記トリアルコキシシランとカツプリング剤は、後記
の第３表に示すような割合で用いた。この場合、上記ト
リアルコキシシランは30％メタノール溶液にし、これと
シリカとを重量比2:1で混合し、両成分を反応させたの
ち濾過し、さらに減圧乾燥して溶剤を飛散させたのち、
150℃で２時間加熱することにより、粒子表面がトリア
ルコキシシランで被覆された被覆シリカをつくつた。 The trialkoxysilane and the coupling agent were used in proportions as shown in Table 3 below. In this case, the trialkoxysilane is converted into a 30% methanol solution, this is mixed with silica at a weight ratio of 2: 1. After reacting both components, the mixture is filtered, further dried under reduced pressure to disperse the solvent,
By heating at 150 ° C. for 2 hours, a coated silica having a particle surface coated with trialkoxysilane was formed.
つぎに、上記のようにして得られた被覆シリガを用
い、これと第３表に示す原料を配合し、ミキシングロー
ル機に掛けて100℃で10分間混練し、シート状組成物を
得た。ついで得られたシート状組成物を粉砕し目的とす
る粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。Next, using the coated silica obtained as described above, the raw materials shown in Table 3 were blended and kneaded with a mixing roll machine at 100 ° C. for 10 minutes to obtain a sheet-like composition. Then, the obtained sheet-like composition was pulverized to obtain a desired powdery epoxy resin composition.
また、従来例として下記の第３表に示す原料を同表に
示すような割合で用い、粉末状エポキシ樹脂組成物をつ
くつた。As a conventional example, a powdery epoxy resin composition was prepared by using the raw materials shown in Table 3 below in the ratios shown in the same table.
以下の実施例、比較例および従来例によつて得られた
粉末状のエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトラ
ンスフアー成形でモールドすることにより半導体装置を
得た。 A semiconductor device was obtained by molding a semiconductor element by transfer molding using the powdery epoxy resin compositions obtained by the following Examples, Comparative Examples and Conventional Examples.
このようにして得られた半導体装置について、吸水
率，電圧印加状態におけるプレツシヤー釜による信頼性
テスト（以下「PCBTテスト」と略す），体積抵抗率の測
定を行つた。その結果を第４表に示した。With respect to the semiconductor device thus obtained, a water absorption rate, a reliability test (hereinafter abbreviated as “PCBT test”) using a pressurized kettle under a voltage applied state, and a volume resistivity were measured. The results are shown in Table 4.
第４表の結果から、実施例品は、比較例品および従来
例品に比べてそのプラスチツクパツケージの耐湿信頼
性，電気的特性の高いことがわかる。 From the results shown in Table 4, it can be seen that the example product has higher moisture resistance reliability and electrical characteristics of the plastic package than the comparative example product and the conventional example product.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/31 (72)発明者 伊香 和夫 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−130326（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−296020（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−7143（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−149743（ＪＰ，Ａ)──────────────────────────────────────────────────の Continued on front page (51) Int.Cl. 6 Identification symbol FI H01L 23/31 (72) Inventor Kazuo Ika 1-2-1, Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka Nitto Denko Corporation (56) References JP-A-61-130326 (JP, A) JP-A-61-296020 (JP, A) JP-A-62-17143 (JP, A) JP-A-62-149743 (JP, A)
Claims (5)
含有しているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を
封止してなる半導体装置。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フエノール樹脂。 （Ｃ）下記の一般式（Ｉ）で表されるトリアルコキシシ
ランおよび有機官能基を有するシランカツプリング剤か
らなる被覆層により粒子表面が被覆されているシリカ充
填剤。 CH3CH2 nSiOR）３ …（Ｉ） 〔上記の式において、Ｒは−CH3,−CH2CH3であり、ｎ≧
７である。〕1. A semiconductor device comprising a semiconductor element encapsulated with an epoxy resin composition containing the following components (A), (B) and (C). (A) Epoxy resin. (B) a phenolic resin. (C) A silica filler whose particle surface is coated with a coating layer comprising a trialkoxysilane represented by the following general formula (I) and a silane coupling agent having an organic functional group. CH 3 CH 2 n SiOR) 3 (I) [In the above formula, R is —CH 3 , —CH 2 CH 3 , and n ≧
7 ]
覆されるシリカが、平均粒径５〜80μｍであり、かつ、
粒径100μｍ以上を含まないものである請求項（１）記
載の半導体装置。2. In the component (C), the silica coated by the coating layer has an average particle size of 5 to 80 μm, and
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device does not include a particle diameter of 100 μm or more.
記（Ｃ）成分のシリカ充填剤全体中0.1〜２重量％の割
合に設定されている請求項（１）または（２）記載の半
導体装置。3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the amount of the trialkoxysilane used is set to a ratio of 0.1 to 2% by weight based on the whole silica filler of the component (C). .
記（Ｃ）成分のシリカ充填剤全体中0.1〜２重量％の割
合に設定されている請求項（１）〜（３）のいずれか一
項に記載の半導体装置。4. The method according to claim 1, wherein the amount of the silane coupling agent used is set to a ratio of 0.1 to 2% by weight based on the whole silica filler of the component (C). A semiconductor device according to claim 1.
ツプリング剤との合計使用量が、充填剤成分を除いたエ
ポキシ樹脂組成物〔（Ａ）＋（Ｂ）〕中0.8〜5.0重量％
の割合に設定されている請求項（１）〜（４）のいずれ
か一項に記載の半導体装置。5. The total used amount of the trialkoxysilane and the silane coupling agent is 0.8 to 5.0% by weight in the epoxy resin composition [(A) + (B)] excluding the filler component.
The semiconductor device according to claim 1, wherein the ratio is set to:
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| JP63227950A JP2930115B2 (en) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | Semiconductor device |
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1988
- 1988-09-12 JP JP63227950A patent/JP2930115B2/en not_active Expired - Fee Related
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