JP2897472B2 - Manufacturing method of color separation filter - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に、互いに厚み
が異なる複数の多層干渉膜を設けることにより、これら
多層干渉膜を透過する透過光をそれぞれ別の色彩に着色
する色分解フィルターを製造する方法に関し、特に、上
記複数の多層干渉膜の光学特性を変化させることなく物
理的ないし化学的損傷から防止できる色分解フィルター
の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a color separation filter for coloring transmitted light passing through these multilayer interference films in different colors by providing a plurality of multilayer interference films having different thicknesses on a substrate. More particularly, the present invention relates to a method for manufacturing a color separation filter which can prevent physical or chemical damage without changing optical characteristics of the plurality of multilayer interference films.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より撮像管や固体撮像素子などの撮
像デバイスの分野では、撮像デバイスのマルチカラー化
の手段として色分解フィルターが使用されている。2. Description of the Related Art Conventionally, in the field of image pickup devices such as an image pickup tube and a solid-state image pickup device, a color separation filter has been used as a means for multicoloring an image pickup device.
【０００３】この色分解フィルターは、基板と、この透
明基板上にパターン状に設けられた複数の色フィルター
層とでその主要部が構成されるもので、その色フィルタ
ー層の色彩としては、例えば、赤色、緑色、青色の光の
三原色が利用されている。The main part of this color separation filter is composed of a substrate and a plurality of color filter layers provided in a pattern on the transparent substrate. The color of the color filter layer is, for example, , Three primary colors of red, green and blue light are used.
【０００４】このような色フィルター層としては、それ
ぞれの色彩の染料によって着色された透明樹脂を利用し
た有機物タイプの色フィルター層と、互いに屈折率の異
なる多数の透明無機物質を積層しこの多層膜に入射する
光線の干渉を利用して透過光を着色する無機物タイプの
色フィルター層とが主に実用化されている。無機物タイ
プの色フィルター層は、有機物タイプの色フィルター層
に比較して、製造コストが高くなるものの、高い光透過
率特性を有し撮像素子の感度を向上させることができる
利点の他、耐候性や耐光性等の耐環境性に優れる利点を
有するため、好ましく利用されている。As such a color filter layer, an organic type color filter layer using a transparent resin colored with a dye of each color and a number of transparent inorganic substances having different refractive indexes are laminated to form a multilayer film. And an inorganic type color filter layer that colors transmitted light by utilizing the interference of light rays incident on the surface. The inorganic type color filter layer has a higher light transmittance characteristic and can improve the sensitivity of the imaging device, but also has a higher weather resistance, although the production cost is higher than the organic type color filter layer. It has the advantage of being excellent in environmental resistance such as light resistance and light resistance, and is therefore preferably used.
【０００５】そして、このような無機物タイプの色分解
フィルターにおいては、その色フィルター層（多層干渉
膜）の傷や吸湿によって光学特性（透過光の透過率や色
彩等）が変化するから、色フィルター層の傷や吸湿を防
止し、また撮像デバイスに組み込んだ際のリーク現象を
防止するため、上記複数の色フィルター層の全体を被覆
するＳｉＯ2 製保護膜が設けられている。In such an inorganic type color separation filter, the optical characteristics (transmittance of transmitted light, color, etc.) change due to damage or moisture absorption of the color filter layer (multilayer interference film). A protective film made of SiO 2 is provided to cover the entirety of the plurality of color filter layers in order to prevent scratches and moisture absorption of the layers and to prevent a leak phenomenon when the layers are incorporated into an imaging device.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、無機物
タイプの色フィルター層を利用した色分解フィルターに
おいては、色フィルター層を構成する透明無機物質の厚
みや層の数が透過光の色彩に応じて異なり、これら色フ
ィルター層全体の厚みがその色彩に応じて異なるため、
上記保護膜を形成する表面に５０００オングストローム
程度の起伏が発生する。そして、撮像デバイスの解像度
を増大させるため色フィルター層を微細化するにつれて
上記起伏が急峻になり、またその数も増大する。However, in a color separation filter using an inorganic type color filter layer, the thickness of the transparent inorganic substance constituting the color filter layer and the number of layers differ according to the color of transmitted light. , Since the thickness of these color filter layers as a whole varies depending on the color,
Undulations of about 5,000 angstroms occur on the surface on which the protective film is formed. Then, as the color filter layer is miniaturized in order to increase the resolution of the imaging device, the undulation becomes steeper and the number thereof increases.
【０００７】そして、この起伏のため、上記保護膜にク
ラックが生じこのクラックを通して色フィルター層が吸
湿してその光学特性が変化したり、あるいは保護膜の厚
みムラに起因してニュートンリングが発生したりするこ
とがあるという問題点があった。[0007] Due to the undulations, cracks are formed in the protective film, and the color filter layer absorbs moisture through the cracks to change the optical characteristics, or Newton rings occur due to uneven thickness of the protective film. There was a problem that sometimes.
【０００８】本発明は、このような問題点に着目してな
されたもので、上記複数の多層干渉膜の光学特性を変化
させることなく物理的ないし化学的損傷から防止できる
色分解フィルターの製造方法を提供することを目的とす
る。The present invention has been made in view of such a problem, and a method of manufacturing a color separation filter capable of preventing physical or chemical damage without changing optical characteristics of the plurality of multilayer interference films. The purpose is to provide.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１に記
載の発明は、基板上に、互いに厚みが異なり、かつ、そ
れぞれ別の光の波長域を透過する複数のパターン状多層
干渉膜を形成して色分解フィルターを製造する方法にお
いて、上記透明基板上全面にＳｉＯ2 膜を形成する第１
工程と、多層干渉膜形成部位のＳｉＯ2 膜を選択的にこ
の多層干渉膜の厚みに応じて所定の深さだけエッチング
し又はエッチングしない第２工程と、こうしてエッチン
グされた部位に選択的に多層干渉膜を形成する第３工程
と、上記第２工程及び第３工程を上記多層干渉膜の数だ
け繰り返し、これら多層干渉膜の表面を全面にわたって
平坦に構成する第４工程と、次に、上記複数の多層干渉
膜の全体を被覆して透明保護膜を形成する第５工程、と
を備えることを特徴とするものである。According to the first aspect of the present invention, a plurality of patterned multilayer interference films having different thicknesses and transmitting different wavelength ranges of light are formed on a substrate. And forming a SiO 2 film on the entire surface of the transparent substrate.
A second step of selectively etching or not etching the SiO 2 film at the multilayer interference film forming portion to a predetermined depth according to the thickness of the multilayer interference film; A third step of forming an interference film, a second step of repeating the second step and the third step by the number of the multilayer interference films, and a fourth step of flattening the surface of the multilayer interference film over the entire surface; A fifth step of forming a transparent protective film by covering the whole of the plurality of multilayer interference films.
【００１０】そして、このような技術的手段によれば、
それぞれの多層干渉膜がその厚みに応じてエッチングさ
れ又はされない部位に設けられ、多層干渉膜全体の表面
が平坦に構成されているから、上記透明保護膜を形成す
る表面が平坦で起伏がなく、このため、その起伏に起因
するクラックやニュートンリングの発生を防止して、色
フィルター層の光学特性を精度良く維持することが可能
となる。According to such technical means,
Each multilayer interference film is provided at a portion that is etched or not according to its thickness, and the entire surface of the multilayer interference film is configured to be flat, so that the surface forming the transparent protective film is flat and has no undulation, For this reason, it is possible to prevent the occurrence of cracks and Newton's rings due to the undulations, and to maintain the optical characteristics of the color filter layer with high accuracy.
【００１１】請求項１に係る発明において、多層干渉膜
形成部位のＳｉＯ2 膜を選択的にエッチングする場合に
は、その多層干渉膜上にパターン状レジスト膜を形成
し、その露出部位のＳｉＯ2 膜をエッチングする方法を
適用することができ、こうしてＳｉＯ2 膜のエッチング
に利用されたレジスト膜をそのまま再度利用して上記多
層干渉膜のパターニングを行うことができる。In the first aspect of the present invention, when selectively etching the SiO 2 film at the multilayer interference film forming portion, a patterned resist film is formed on the multilayer interference film, and the SiO 2 film at the exposed portion is formed. The method of etching the film can be applied, and thus the multilayer interference film can be patterned by using the resist film used for etching the SiO 2 film again as it is.
【００１２】請求項２及び３に記載の発明はこのような
技術的理由に基づいてなされたもので、すなわち、請求
項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明を前提と
し、ＳｉＯ2 膜上にパターン状レジスト膜を形成し、こ
のレジスト膜から露出するＳｉＯ2 膜をエッチングする
ことを特徴とし、他方、請求項３に記載の発明は、請求
項２に記載の発明を前提とし、上記パターン状レジスト
膜上に多層干渉膜を積層し、パターン状レジスト膜を溶
解してこのレジスト膜と共にその上の多層干渉膜を除去
することにより、上記エッチング部位に選択的に多層干
渉膜を形成することを特徴とするものである。The inventions described in claims 2 and 3 have been made based on such technical reasons. That is, the invention described in claim 2 is based on the premise of the invention described in claim 1 and is based on SiO 2. 2 is characterized in that a patterned resist film is formed on the film, and the SiO 2 film exposed from the resist film is etched, while the invention according to claim 3 is based on the premise of the invention according to claim 2. Laminating a multilayer interference film on the patterned resist film, dissolving the patterned resist film and removing the multilayer interference film thereon along with the resist film, thereby selectively forming a multilayer interference film on the etched portion. It is characterized by forming.
【００１３】請求項３に記載の発明によれば、レジスト
膜がＳｉＯ2 膜のエッチング工程（第２工程）と多層干
渉膜のパターニング工程（第３工程）との共通に利用さ
れるため、多層干渉膜を上記ＳｉＯ2 膜のエッチング部
位に精度良く設けることが可能となる。According to the third aspect of the present invention, since the resist film is used in common for the step of etching the SiO 2 film (second step) and the step of patterning the multilayer interference film (third step), The interference film can be accurately provided on the etched portion of the SiO 2 film.
【００１４】尚、請求項２又は３に係るパターン状レジ
スト膜としては、例えば、耐熱性のポジ型レジストをス
ピンコート等の方法で塗布後、露光・現像すれば良く、
このような耐熱性のポジ型レジストとしては、例えば、
約１３０℃の耐熱性を有する富士ハント（株）製；ＦＨ
５６００Ｆが利用できる。The patterned resist film according to claim 2 or 3 may be formed by, for example, applying a heat-resistant positive resist by a method such as spin coating, and then exposing and developing the resist.
As such a heat-resistant positive resist, for example,
Made by Fuji Hunt Co., Ltd. having heat resistance of about 130 ° C; FH
5600F is available.
【００１５】また、ＳｉＯ2 膜のエッチングはドライエ
ッチングの方法が利用できる。Further, a dry etching method can be used for etching the SiO 2 film.
【００１６】次に、請求項１〜３に係る発明において、
多層干渉膜としては高屈折率の透明薄膜と低屈折率の透
明薄膜とを交互に多数層積層して構成される公知の多層
薄膜が利用でき、この多層干渉膜は、真空蒸着法、スパ
ッタリング法等の公知の薄膜形成法により形成すること
ができる。尚、１５０℃以下の低温で製膜する低温蒸着
法によって形成する場合、上記レジスト膜の損傷を防止
して均一な多層干渉膜を製膜することが可能となる。Next, in the invention according to claims 1 to 3,
As the multilayer interference film, a known multilayer thin film constituted by alternately laminating a large number of transparent thin films having a high refractive index and a transparent thin film having a low refractive index can be used. And other known thin film forming methods. When the film is formed by a low-temperature deposition method of forming a film at a low temperature of 150 ° C. or less, it is possible to form a uniform multilayer interference film while preventing the resist film from being damaged.
【００１７】請求項４に記載の発明はこのような技術的
理由に基づいてなされたもので、すなわち、請求項４に
記載の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の発明を
前提とし、低温蒸着法により上記多層干渉膜を形成する
ことを特徴とするものである。他方、イオンを照射しな
がら成膜するイオンアシスト蒸着法により成膜すると、
イオンの持つエネルギーによって膜の結合の弱い部分が
スパッタされたり、表面が押し固められたりする。そし
て、このため、膜の充填密度を高めて、硬度や強度に優
れ、湿度による光学特性の変化のない高屈折率の膜を低
温で成膜することが可能となる。The invention described in claim 4 is based on such technical reasons, that is, the invention described in claim 4 is based on the invention described in any of claims 1 to 3. And forming the multilayer interference film by a low-temperature deposition method. On the other hand, when a film is formed by an ion assisted vapor deposition method in which a film is formed while irradiating ions,
Due to the energy of the ions, a weakly bonded portion of the film is sputtered or the surface is compacted. For this reason, it is possible to increase the packing density of the film, to form a film having a high refractive index which is excellent in hardness and strength and has no change in optical characteristics due to humidity at a low temperature.
【００１８】請求項５に記載の発明はこのような技術的
理由に基づいてなされたもので、すなわち、請求項５に
記載の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載の発明を
前提とし、イオンアシスト蒸着法により上記多層干渉膜
を形成することを特徴とするものである。The invention described in claim 5 has been made based on such technical reasons, that is, the invention described in claim 5 is based on the invention described in any one of claims 1 to 4. And forming the multilayer interference film by an ion assisted vapor deposition method.
【００１９】尚、本発明に係る基板としては、ガラス基
板の他、シリコンウエハー、ＣＣＤ等が利用できる。As the substrate according to the present invention, a silicon wafer, a CCD or the like can be used in addition to a glass substrate.
【００２０】[0020]
【作用】請求項１〜５に係る発明によれば、基板上全面
にＳｉＯ2 膜を形成する第１工程と、多層干渉膜形成部
位のＳｉＯ2 膜を選択的にこの多層干渉膜の厚みに応じ
て所定の深さだけエッチングし又はエッチングしない第
２工程と、こうしてエッチングされた部位に選択的に多
層干渉膜を形成する第３工程と、上記第２工程及び第３
工程を上記多層干渉膜の数だけ繰り返し、これら多層干
渉膜の表面を全面にわたって平坦に構成する第４工程
と、次に、上記複数の多層干渉膜の全体を被覆して透明
保護膜を形成する第５工程、とを備えるため、それぞれ
の多層干渉膜がその厚みに応じてエッチングされ又はさ
れない部位に設けられ、多層干渉膜全体の表面が平坦に
構成されているから、上記透明保護膜を形成する表面が
平坦で起伏がなく、このため、その起伏に起因するクラ
ックやニュートンリングの発生を防止して、色フィルタ
ー層の光学特性を精度良く維持することが可能となる。According to the first to fifth aspects of the present invention, the first step of forming an SiO 2 film over the entire surface of the substrate, and the step of selectively forming the SiO 2 film at the multilayer interference film forming portion to a thickness of the multilayer interference film. A second step of etching a predetermined depth or not according to a predetermined depth, a third step of selectively forming a multilayer interference film on a portion etched in this manner, the second step and the third step.
The steps are repeated as many times as the number of the multilayer interference films, and a fourth step of flattening the surfaces of the multilayer interference films over the entire surface, and then forming a transparent protective film by covering the whole of the plurality of multilayer interference films. Since the fifth step is provided, each multilayer interference film is provided in a portion which is etched or not according to its thickness, and the entire surface of the multilayer interference film is configured to be flat, so that the transparent protective film is formed. The surface of the color filter layer is flat and has no undulations. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of cracks and Newton rings caused by the undulations, and to maintain the optical characteristics of the color filter layer with high accuracy.
【００２１】また、請求項３に記載の発明によれば、パ
ターン状レジスト膜上に多層干渉膜を積層し、パターン
状レジスト膜を溶解してこのレジスト膜と共にその上の
多層干渉膜を除去することにより、上記エッチング部位
に選択的に多層干渉膜を形成するし、レジスト膜がＳｉ
Ｏ2 膜のエッチング工程（第２工程）と多層干渉膜のパ
ターニング工程（第３工程）との共通に利用されるた
め、多層干渉膜を上記ＳｉＯ2膜のエッチング部位に精
度良く設けることが可能となる。According to the third aspect of the present invention, a multilayer interference film is laminated on the patterned resist film, the patterned resist film is dissolved, and the resist film and the multilayer interference film thereon are removed. Thereby, a multilayer interference film is selectively formed on the above-mentioned etching portion, and the resist film
Since the etching step (second step) of the O 2 film and the patterning step (third step) of the multilayer interference film are used in common, the multilayer interference film can be accurately provided at the etched portion of the SiO 2 film. Becomes
【００２２】また、請求項４に記載の発明によれば、低
温蒸着法により上記多層干渉膜を形成するため、上記レ
ジスト膜の損傷を防止して均一な多層干渉膜を製膜する
ことが可能となり、他方、請求項５に記載の発明によれ
ば、イオンアシスト蒸着法により上記多層干渉膜を形成
するため、膜の充填密度を高めて、硬度や強度に優れ、
湿度による光学特性の変化のない高屈折率の膜を低温で
成膜することが可能となる。According to the fourth aspect of the present invention, since the multilayer interference film is formed by a low-temperature deposition method, it is possible to prevent damage to the resist film and form a uniform multilayer interference film. On the other hand, according to the invention as set forth in claim 5, since the multilayer interference film is formed by the ion-assisted vapor deposition method, the packing density of the film is increased, and the hardness and strength are excellent.
It is possible to form a high-refractive-index film having no change in optical characteristics due to humidity at a low temperature.
【００２３】[0023]
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。ガラス基
板上に、緑色透過フィルター層、赤色透過フィルター
層、青色色透過フィルター層の３色の色フィルター層を
２次元的に配列した色分解フィルターを、以下のような
方法で作成した。尚、緑色透過フィルター層の厚みは
１．９４μｍ、赤色透過フィルター層の厚みは１．５３
μｍ、青色透過フィルター層の厚みは１．０８μｍであ
る。Embodiments of the present invention will be described below. A color separation filter in which three color filter layers of a green transmission filter layer, a red transmission filter layer, and a blue transmission filter layer were two-dimensionally arranged on a glass substrate was prepared by the following method. The thickness of the green transmission filter layer was 1.94 μm, and the thickness of the red transmission filter layer was 1.53.
μm, and the thickness of the blue transmission filter layer is 1.08 μm.
【００２４】すなわち、まず、上記ガラス基板上全面
に、イオン銃とニュートライザーを併用して、ＳｉＯ2
膜をイオンアシスト蒸着した。尚、イオン銃の条件は、
イオン化ガスがＡｒガスに１０％のＯ2 ガスを混合した
混合ガスで、その流量が３ＳＣＣＭ、加速電圧は０．５
ＫＶ、加速電流は６０ｍＡである。That is, first, an ion gun and a nutrizer are used in combination on the entire surface of the glass substrate to form SiO 2.
The film was ion-assisted deposited. The conditions of the ion gun are as follows:
The ionized gas is a mixed gas obtained by mixing 10% O 2 gas with Ar gas, the flow rate is 3 SCCM, and the acceleration voltage is 0.5.
KV, acceleration current is 60 mA.
【００２５】次に、このＳｉＯ2 膜の一部をエッチング
し、このエッチグ部位に緑色透過色フィルター層を設け
た。Next, a part of the SiO 2 film was etched, and a green transmission color filter layer was provided at the etched portion.
【００２６】すなわち、まず、ＳｉＯ2 膜上にＦＨ５６
００Ｆ（富士ハント（株）製耐熱性ポジ型レジスト）
を、４．３μｍの膜厚にスピンコートし、パターニング
して、ＳｉＯ2 膜の一部を露出させた。That is, first, FH56 is deposited on the SiO 2 film.
00F (Heat-resistant positive resist manufactured by Fuji Hunt Co., Ltd.)
Was spin-coated to a thickness of 4.3 μm and patterned to expose a part of the SiO 2 film.
【００２７】そして、この露出部位のＳｉＯ2 膜をドラ
イエッチングして凹部を形成した。凹部の深さは、上記
緑色透過フィルター層の厚み（１．９４μｍ）から青色
透過フィルター層の厚み（１．０８μｍ）を差し引いた
深さ（０．８６μｍ）である。Then, the SiO 2 film in the exposed portion was dry-etched to form a concave portion. The depth of the concave portion is a depth (0.86 μm) obtained by subtracting the thickness (1.08 μm) of the blue transmission filter layer from the thickness (1.94 μm) of the green transmission filter layer.
【００２８】そして、次に、この凹部を含む全面に厚み
１．９４μｍの上記緑色透過フィルター層の多層干渉膜
を低温イオンアシスト蒸着法により成膜した後、残存す
るレジストを溶解除去してこのレジストと共にその上に
積層された多層干渉膜を除去し、上記緑色透過フィルタ
ー層の多層干渉膜を上記凹部に選択的に形成した。尚、
上記レジストを溶解する溶解液としては、マイクロポジ
ット・リムーバー（シプレイ社製）を８０℃に加温して
使用した。Then, a multilayer interference film of the green transmission filter layer having a thickness of 1.94 μm is formed on the entire surface including the concave portion by low-temperature ion-assisted vapor deposition, and the remaining resist is dissolved and removed. At the same time, the multilayer interference film laminated thereon was removed, and the multilayer interference film of the green transmission filter layer was selectively formed in the concave portion. still,
A microposit remover (manufactured by Shipley Co., Ltd.) heated to 80 ° C. was used as a solution for dissolving the resist.
【００２９】次に、同様の方法により、上記緑色透過フ
ィルター層の形成されていない部位の一部に赤色透過フ
ィルター層を形成した。尚、エッチングにより形成した
凹部は、赤色透過フィルター層の厚み（１．５３μｍ）
青色透過フィルター層の厚み（１．０８μｍ）を差し引
いた深さ（０．４５μｍ）である。Next, a red transmission filter layer was formed in a part of the area where the green transmission filter layer was not formed by the same method. The concave portion formed by etching has a thickness of the red transmission filter layer (1.53 μm).
This is the depth (0.45 μm) obtained by subtracting the thickness (1.08 μm) of the blue transmission filter layer.
【００３０】次に、同様の方法により、上記緑色透過フ
ィルター層と赤色透過フィルター層の形成されていない
部位に選択的に青色透過フィルター層を形成した。尚、
青色透過フィルター層の形成に当たってはＳｉＯ2 膜を
エッチングすることなく、このＳｉＯ2 膜上の上記青色
透過フィルター層を形成した。Next, a blue transmission filter layer was selectively formed in a portion where neither the green transmission filter layer nor the red transmission filter layer was formed by the same method. still,
In forming the blue transmission filter layer, the blue transmission filter layer was formed on the SiO 2 film without etching the SiO 2 film.
【００３１】こうして形成された各色の透過フィルター
層は、上記ＳｉＯ2 膜表面からの高さがいずれも１．０
８μｍであり、その表面が平坦なものであった。Each of the thus formed transmission filter layers of each color has a height from the surface of the SiO 2 film of 1.0.
8 μm, and the surface was flat.
【００３２】[0032]
【発明の効果】請求項１〜５に係る発明によれば、色フ
ィルター層の光学特性を精度良く維持して透明保護膜を
形成することが可能となるため、上記複数の多層干渉膜
の光学特性を変化させることなく物理的ないし化学的損
傷から防止できる色分解フィルターを製造できるという
効果を奏する。According to the first to fifth aspects of the present invention, the transparent protective film can be formed while maintaining the optical characteristics of the color filter layer with high accuracy. This has the effect of producing a color separation filter that can be prevented from physical or chemical damage without changing the characteristics.
Claims (5)
れぞれ別の光の波長域を透過する複数のパターン状多層
干渉膜を形成する色分解フィルターの製造方法におい
て、 上記基板上全面にＳｉＯ2 膜を形成する第１工程と、 多層干渉膜形成部位のＳｉＯ2 膜を選択的にこの多層干
渉膜の厚みに応じて所定の深さだけエッチングし又はエ
ッチングしない第２工程と、 こうしてエッチングされた部位に選択的に多層干渉膜を
形成する第３工程と、 上記第２工程及び第３工程を上記多層干渉膜の数だけ繰
り返し、これら多層干渉膜の表面を全面にわたって平坦
に構成する第４工程と、 次に、上記複数の多層干渉膜の全体を被覆して透明保護
膜を形成する第５工程、 とを備えることを特徴とする色分解フィルターの製造方
法。1. A method of manufacturing a color separation filter for forming a plurality of patterned multilayer interference films having different thicknesses and transmitting different light wavelength ranges on a substrate, comprising: A first step of forming a two- layer film, a second step of selectively etching the SiO 2 film at the multilayer interference film formation site to a predetermined depth according to the thickness of the multilayer interference film, and a second step of not etching the SiO 2 film. A third step of selectively forming a multi-layer interference film at the site where the multi-layer interference film is formed, and a fourth step of repeating the second and third steps by the number of the multi-layer interference films to form a flat surface over the entire surface of the multi-layer interference film. And a fifth step of forming a transparent protective film by covering the whole of the plurality of multilayer interference films.
成し、このレジスト膜から露出するＳｉＯ2 膜をエッチ
ングすることを特徴とする請求項１記載の色分解フィル
ターの製造方法。Wherein forming a patterned resist film on the SiO 2 film, a manufacturing method of a color separation filter according to claim 1, wherein the etching the SiO 2 film exposed from the resist film.
を積層し、パターン状レジスト膜を溶解してこのレジス
ト膜と共にその上の多層干渉膜を除去することにより、
上記エッチング部位に選択的に多層干渉膜を形成するこ
とを特徴とする請求項２記載の色分解フィルターの製造
方法。3. A multilayer interference film is laminated on the patterned resist film, the patterned resist film is dissolved, and the multilayer interference film is removed together with the resist film.
3. The method for manufacturing a color separation filter according to claim 2, wherein a multilayer interference film is selectively formed on the etching portion.
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の色
分解フィルターの製造方法。4. The method for producing a color separation filter according to claim 1, wherein said multilayer interference film is formed by a low-temperature deposition method.
膜を形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか
に記載の色分解フィルターの製造方法。5. The method for producing a color separation filter according to claim 1, wherein said multilayer interference film is formed by an ion assisted vapor deposition method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20585691A JP2897472B2 (en) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | Manufacturing method of color separation filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20585691A JP2897472B2 (en) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | Manufacturing method of color separation filter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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