JP2888832B2 - Low-pass filter device in charge transfer device - Google Patents

Low-pass filter device in charge transfer device

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JP2888832B2
JP2888832B2 JP62011357A JP1135787A JP2888832B2 JP 2888832 B2 JP2888832 B2 JP 2888832B2 JP 62011357 A JP62011357 A JP 62011357A JP 1135787 A JP1135787 A JP 1135787A JP 2888832 B2 JP2888832 B2 JP 2888832B2
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忠邦 奈良部
哲也 近藤
康人 ▲真▼城
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Description

【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は、CCD(電荷結合デバイス)等からなる遅延
素子及び固体撮像装置の信号出力部分に設けられる電荷
転送装置におけるローパスフィルター装置に関する。 B.発明の概要 遅延素子及び固体撮像装置のような電荷転送装置の信
号出力部分に設けられるローパスフィルター装置におい
て、アクティブフィルター回路の双方の端子にDCレベル
が一定で利得が略1となるバッファ回路を接続すること
により、低電圧下においても十分に動作させ、且つ回路
設計等の容易な構成とするものである。 C.従来の技術 一般に、CCD等からなる遅延素子及び固体撮像装置等
の電荷転送装置の回路構成においては、所定の増幅機能
を有した増幅回路がその出力部に設けられている。 第6図及び第7図は従来の遅延素子及び固体撮像装置
における出力回路をそれぞれ示しており、第6図の例
は、インバータ回路構成の例であり、第7図の例はソー
スフォロワァ回路構成の例である。ここで、これらの出
力回路について各図を参照しながら簡単に説明する。 先ず、第6図の出力回路は、MOSトランジスタ81とMOS
トランジスタ82とで構成されており、入力信号はMOSト
ランジスタ82のゲートに入力して、能動負荷となるよう
にゲートとドレインが接続されたMOSトランジスタ81と
上記MOSトランジスタ82のドレインとの接続点から出力
信号が取り出されるようなインバータ回路構成となって
いる。 次に、第7図の出力回路は、MOSトランジスタ91とMOS
トランジスタ92とで構成されており、入力信号は上記MO
Sトランジスタ91のゲートに入力し、そのMOSトランジス
タ91のソースから出力信号が取り出されるソースフォロ
ワァ回路構成となっている。 D.発明が解決しようとする問題点 ところで、上述のようなインバータ回路構成の出力回
路や、ソースフォロワァ回路構成の出力回路に、ローパ
スフィルター回路を接続して用いることがあり、その場
合には、次のような問題点を有することになる。 まず第1に、従来の出力回路では、DCレベルの変動が
伴うことになる。即ち、入力DCレベルが出力DCレベルと
一致せず、これらインバータ若しくはソースフォロワァ
の出力回路にローパスフィルター(LPF)回路を接続し
た場合には、このDCレベルの変動によって、電源電圧を
高くする必要が生じ、また、回路設計も複雑化すること
になる。 第2に、ソースフォロワァ回路構成の出力回路にあっ
ては、その利得が0dB以下であり、多段に接続した場合
に利得は更に小さくなる。 第3に、インバータ回路構成の出力回路にあっては、
製造プロセスの条件に左右され、閾値電圧の変動等の問
題があり、閾値電圧が変動した場合には正確な動作を行
うことが困難となる。 最後に、従来、CCD等からなる遅延素子及び固体撮像
装置の扱う信号はアナログ信号であり、MOSトランジス
タを多用したメモリ等の半導体装置と比較して高め電源
電圧を使用し十分な動作を確保することが行われていた
が、最近の低電圧化の傾向からCCD等からなる遅延素子
及び固体撮像装置においてもメモリ同様な低い電圧で駆
動することが要求されている。このような低電圧化を図
った場合には、特にレベル上のマージンが小さくなっ
て、上述の如きDCレベルの変動等によっては正確な動作
を行うことが困難となり、また、その回路設計も容易で
ない。 そこで、本発明は上述の問題点に鑑み、低電圧下にお
いても十分に動作し且つ回路設計等も容易に行うことが
でき、また、製造上のばらつきにも強い構成の遅延素子
及び固体撮像装置等の電荷転送装置におけるローパスフ
ィルター装置の提供を目的とする。 E.問題点を解決するための手段 本発明に係るローパスフィルター装置は、ローパスフ
ィルター回路と、このローパスフィルター回路の入力側
及び出力側の少なくとも入力側に接続されたバートン回
路とを有し、このバートン回路は、入力信号と負帰還さ
れたフィードバック信号の差を増幅する演算増幅器と、
この演算増幅器の出力が供給されるソースフォロワ回路
又はインバータ回路とから構成され、上記ソースフォロ
ワ回路又は上記インバータ回路の出力からフォードバッ
ク信号が取り出されて上記演算増幅器に負帰還されるこ
とでDCレベルが一定で利得が略1となされる。 F.作用 DCレベルが一定で利得が略1となるバートン回路をロ
ーパスフィルター回路の少なくとも入力側に接続するこ
とで、その回路の各部におけるレベルの上下変動を抑え
ることができ、単一のDCレベルを基準にして容易に回路
設計を行うことができ、特に、低電圧化を図った場合や
多機能化を図った場合に有効である。 G.実施例 本発明の好適な実施例を図面を参照しながら説明す
る。 第1の実施例 本発明の第1の実施例にかかる遅延素子及び固体撮像
装置等の電荷転送装置におけるローパスフィルター装置
は、第1図及び第3図に示すように、ローパスフィルタ
ー回路として、CRアクティブフィルターを用い、その入
力側と出力側の双方にDCレベルが一定で利得が略1とな
るバッファ回路であるバートン回路を接続させたもので
ある。 まず、その基本的構成について、第1図に基づき説明
すると、例えばCCDのフローティングゲートから出力さ
れる出力信号が入力するソースフォロワァ回路10と、出
力DCレベルを一定にするためのバートン回路20とを有し
ており、このバートン回路20の出力側にはアクティブロ
ーパスフィルター回路50が接続され、さらにそのアクテ
ィブローパスフィルター回路50の出力側にはバートン回
路60が接続されている。 ここで、第2図を参照しながら、上記バートン回路20
について説明すると、バートン回路20は、オペアンプ20
Aとソースフォロワァ回路20Bとからなり、そのソースフ
ォロワァ回路20Bの出力が上記オペアンプ20Aに負帰還さ
れる構成となっている。このバートン回路20全体として
は、ボールテージホロワとして機能し、高い入力インピ
ーダンスを有し、低い出力インピーダンスを有すること
になる。したがって、このように構成される遅延素子及
び固体撮像装置のローパスフィルター装置のDCレベルの
変動は抑制され、且つ次段に各種信号処理回路を設けた
場合でも有効に駆動できることになる。また、上記バー
トン回路60についても同様の構成となり、同様にDCレベ
ルが一定とされ、回路設計を容易なものとする機能を有
する。 なお、上記ソースフォロワァ回路10やバートン回路20
のソースフォロワァ回路20Bおよびバートン回路60のソ
ースフォロワァ回路は、それぞれインバータ回路として
も良く、特にバートン回路20,60にインバータ回路を用
いた場合には、そのインバータ回路は帰還ループ中の回
路であることから、プロセス条件によるトランジスタ特
性等の変動があった時でも、その回路動作への影響は小
さなものとなる。また、上記ソースフォロワァ回路10は
設けなくとも良く、バートン回路20、アクティブローパ
スフィルター回路50およびバートン回路60が直列に配さ
れる構成のローパスフィルター装置としても良い。 このような本実施例の遅延素子及び固体撮像装置にお
けるローパスフィルター装置は、上記アクティブローパ
スフィルター回路50の入力側のみならず出力側にもDCレ
ベルが一定で利得が略1となるバートン回路20,60を配
していることから、DCレベルの変動を抑え且つ利得を維
持することができ、回路設計を容易なものとすることが
できる。 また、出力側にもバートン回路60を設けることによ
り、外部接続機器への影響や外部接続機器からの影響を
遮断でき、安定した動作が実現できると共に、外部接続
機器の特性がばらつく場合や特性の異なる外部接続機器
を用いる場合でも、バートン回路60の特性を該外部接続
機器の特性に対応して変更するだけで、内部回路の変更
なく、最適の動作を行わせることができる。 第3図は、このような本実施例のローパスフィルター
装置の一具体例であって、まず、ソースフォロワァ回路
10を構成するように、電源電圧と接地電圧の間に直列に
NMOSトランジスタ11とNMOSトランジスタ12が配設されて
いる。NMOSトランジスタ11のゲートは、例えばCCDのフ
ローティングゲートFGと接続して入力信号を受けて動作
し、そのNMOSトランジスタ11のソースから出力信号が次
段のバートン回路20のNMOSトランジスタ21のゲートに供
給される。上記NMOSトランジスタ12は負荷として用いら
れている。次に、DCレベルが一定で利得が略1となるバ
ッファ回路であるバートン回路20は、差動トランジスタ
対を構成するNMOSトランジスタ21,22とカレントミラー
に接続されたPMOSトランジスタ23,24及び定電流源とし
てのNMOSトランジスタ25からなる演算増幅回路と、電源
電圧と接地電圧の間に直列に配設されたNMOSトランジス
タ26,27からなるソースフォロワァ回路とからなってい
る。上記NMOSトランジスタ22のドレインより取り出され
た演算増幅回路の出力信号は、上記NMOSトランジスタ26
のゲートに入力し、そのNMOSトランジスタ26のソースよ
り取り出されるソースフォロワァ回路の出力信号は、マ
イナス入力のNMOSトランジスタ22のゲートに入力して負
帰還ループを構成している。 そして、このバートン回路20の出力部である上記NMOS
トランジスタ26のソースには、ローパスフィルター回路
としてアクティブローパスフィルター回路50が接続す
る。このアクティブローパスフィルター回路50は、抵抗
として機能するMOSトランジスタ51aに接続され、その他
端には正帰還ループにおけるキャパシタ52aと第2の抵
抗として機能するMOSトランジスタ51bが接続し、そのMO
Sトランジスタ51bの他端には、第2のキャパシタ52bが
接続する。これらMOSトランジスタ51a,51b及びキャパシ
タ52a,52bによって当該アクティブローパスフィルター
回路50の時定数特性を定めることができる。そして、上
記MOSトランジスタ51bの他端からは、さらに演算増幅回
路が接続されており、その演算増幅回路は、差動トラン
ジスタ対を構成するNMOSトランジスタ53,54とカレント
ミラーに接続されたPMOSトランジスタ55,56及び定電流
源としてのNMOSトランジスタ57とにより構成されてい
る。この演算増幅回路の出力は、上記NMOSトランジスタ
54のドレインより取り出されてソースフォロワァ回路の
NMOSトランジスタ58のゲートに接続され、負荷であるNM
OSトランジスタ59の接続点である当該NMOSトランジスタ
58のソースから上記演算増幅回路のNMOSトランジスタ54
のゲートに接続する負帰還ループが形成されている。そ
して、その負帰還ループが形成されたNMOSトランジスタ
58のソースから上記キャパシタ52aを有した正帰還ルー
プが取り出され、さらに、そこから次段のバートン回路
60に接続されるように構成されている。 このようなアクティブローパスフィルター回路50の次
には、DCレベルが一定で利得が略1となるバッファ回路
であるバートン回路60が接続している。このバートン回
路60は、上記バートン回路20を同様に、差動トランジス
タ対を構成するNMOSトランジスタ61,62とカレントミラ
ーに接続されたPMOSトランジスタ63,64及び定電流源と
してのNMOSトランジスタ65からなる演算増幅回路と、電
源電圧と接地電圧の間に直列に配設されたNMOSトランジ
スタ66,67からなるソースフォロワァ回路とからなって
いる。上記NMOSトランジスタ62のドレインより取り出さ
れた演算増幅回路の出力信号は、上記NMOSトランジスタ
66のゲートに入力し、そのNMOSトランジスタ66のソース
からは、マイナス入力のNMOSトランジスタ62のゲートに
入力する負帰還ループが設けられている。そして上記NM
OSトランジスタ66のソースからは、さらに出力信号が取
り出され、この出力信号は当該アクティブローパスフィ
ルターを有したローパスフィルター装置の出力信号とし
て、他の信号処理装置へと伝送されることになる。 このような構成を有した本実施例の遅延素子及び固体
撮像装置におけるローパスフィルター装置は、上記アク
ティブローパスフィルター回路50をDCレベルが一定で利
得が略1とされるバートン回路20及びバートン回路60で
挟んで存在させている。即ち、バートン回路20,60でDC
レベルの変動なく該アクティブローパスフィルター回路
50が配されることになり、このようにバートン回路を配
することで回路設計上困難なくローパスフィルター装置
自体を多機能化できることになる。 また、DCレベルを一定に保つことができるため、CCD
等の低電圧化の傾向に従ってローパスフィルター装置の
電源電圧自体を低電圧にしたときであっても、レベルの
マージンを大きく確保することができ、ダイナミックレ
ンジを大きくとって十分な動作をさせるようにすること
ができる。 また、バートン回路は、帰還系を有しており、仮にこ
の帰還系を構成するトランジスタの特性がプロセス条件
によって変動したとしても、直接に駆動するためのトラ
ンジスタではなく帰還系内で動作するものであることか
ら、製造プロセス条件の変動による悪影響を十分に小さ
くすることができる。 なお、上述のソースフォロワァ構成となるNMOSトラン
ジスタ11,12、26,27、58,59、66,67は、それぞれインバ
ータ構成としても良く、また、ソースフォロワァ回路10
を無い構成とし、バートン回路20,アクティブローパス
フィルター回路50,バートン回路60が直列に接続される
回路構成としても良い。 第2の実施例 遅延素子及び固体撮像装置におけるローパスフィルタ
ー装置の第2の実施例は、第4図及び第5図に示すよう
に、増幅回路としてソースフォロワァ構成の回路を有
し、DCレベルが一定で利得が略1となるバッファ回路と
してバートン回路構成の回路を接続し、これにサンプル
ホールド回路を接続して同様にDCレベルが一定で利得が
略1となるバッファ回路を接続し、さらに、その出力側
にローパスフィルター回路及びバッファ回路を配設させ
たものである。 まず、その基本的構成について、第4図に基づき説明
すると、例えばCCDのフローティングゲートから出力さ
れる出力信号が入力するソースフォロワァ回路10に出力
DCレベルを一定にするためのバートン回路20が接続され
ている。このバートン回路20の出力側には一定時間レベ
ルを保持して動作するサンプルホールド回路30が接続さ
れ、さらにそのサンプルホールド回路30の出力側にはDC
レベルが一定とされ利得が略1であるバッファ回路とし
てバートン回路40が接続されている。このバートン回路
40の出力側にはアクティブローパスフィルター回路50が
接続され、さらにそのアクティブローパスフィルター回
路50の出力側にはバートン回路60が接続されている。 このような本実施例の遅延素子及び固体撮像装置にお
けるローパスフィルター装置は、上記ソースフォロワァ
回路10、上記サンプルホールド回路30及び上記アクティ
ブローパスフィルター回路50が、それぞれDCレベルが一
定で利得が略1となるバートン回路20,40、60でそれぞ
れ区切られる構成となっており、このためDCレベルの変
動を抑え且つ利得を維持することができ、その回路設計
を容易なものとすることができる。即ち、上記バートン
回路20,40,60はそれぞれ高入力低出力インピーダンスで
あることから、レベルのマージンを確保し、低電圧化を
図ったバートン回路構成であっても十分に動作させるこ
とが可能となる。 第5図は、このような遅延素子及び固体撮像装置にお
けるローパスフィルター装置の具体的な一例であって、
まず、ソースフォロワァ回路10を構成するように、電源
電圧と接地電圧の間に直列にNMOSトランジスタ11とNMOS
トランジスタ12が配設されている。NMOSトランジスタ11
のゲートは、例えばCCDのフローティングゲートFGと接
続して入力信号を受けて動作し、そのNMOSトランジスタ
11のソースから出力信号が次段のバートン回路20のNMOS
トランジスタ21のゲートに供給される。上記NMOSトラン
ジスタ12は負荷として用いられている。 次に、DCレベルが一定で利得が略1となるバッファ回
路であるバートン回路20は、差動トランジスタ対を構成
するNMOSトランジスタ21,22とカレントミラーに接続さ
れたPMOSトランジスタ23,24及び低定電流源としてのNMO
Sトランジスタ25からなる演算増幅回路と、電源電圧と
接地電圧の間に直列に配設されたNMOSトランジスタ26,2
7からなるソースフォロワァ回路とからなっている。上
記NMOSトランジスタ22のドレインより取り出された演算
増幅回路の出力信号は、上記NMOSトランジスタ26のゲー
トに入力し、そのNMOSトランジスタ26のソースより取り
出されるソースフォロワァ回路の出力信号は、マイナス
入力のNMOSトランジスタ22のゲートに入力して負帰還ル
ープを構成している。 そして、このバートン回路20の出力部である上記NMOS
トランジスタ26のソースには、本実施例ではサンプルホ
ールド回路30が接続する。このサンプルホールド回路30
は、サンプリンク信号がゲートに伝達されるスイッチン
グトランジスタ31と、サンプルホールドキャパシタ32と
からなっている。このサンプルホールド回路30の動作
は、上記スイッチングトランジスタ31のゲートに供給さ
れるサンプルホールドパルスに応じてスイッチングトラ
ンジスタ31がオン・オフ動作し、その動作によって、信
号のあるレベルが上記サンプルホールドキャパシタ32に
蓄積される。 次に、このようなサンプルホールド回路30の出力側に
は、上記バートン回路20と略同一のバートン回路40が接
続する。このバートン回路40によって、上記サンプルホ
ールド回路30と次のアクティブローパスフィルター回路
50との間のDCレベルの変動が抑制され、利得の低下もな
い。このバートン回路40は、差動トランジスタ対を構成
するNMOSトランジスタ41,42とカレントミラーに接続さ
れたPMOS43,44及び定電流源としてのNMOSトランジスタ4
5からなる演算増幅回路と、電源電圧と接地電圧の間に
直列に配設されたNMOSトランジスタ46,47からなるソー
スフォロワァ回路とからなっている。上記NMOSトランジ
スタ42のドレインより取り出された演算増幅回路の出力
信号は、上記NMOSトランジスタ46のゲートに入力し、そ
のNMOSトランジスタ46のソースより取り出されるソース
フォロワァ回路の出力信号は、マイナス入力のNMOSトラ
ンジスタ42のゲートに入力して負帰還ループを構成して
いる。 次に、このバートン回路40の出力側に配置されるアク
ティブローパスフィルター回路50については、上述の第
2の実施例のものと同様に、上記バートン回路40のNMOS
トランジスタ46のソースが抵抗として機能するMOSトラ
ンジスタ51aに接続され、その他端には正帰還ループに
おけるキャパシタ52aと第2の抵抗として機能するMOSト
ランジスタ51bが接続し、そのMOSトランジスタ51bの他
端には、第2のキャパシタ52bが接続する構成となって
いる。これらMOSトランジスタ51a,51b及びキャパシタ52
a,52bによって当該アクティブローパスフィルター回路5
0の時定数特性を定めることができる。そして、上記MOS
トランジスタ51bの他端からは、さらに演算増幅回路が
接続されており、この演算増幅回路は、差動トランジス
タ対を構成するNMOSトランジスタ53,54とカレントミラ
ーに接続されたPMOSトランジスタ55,56及び定電流源と
してのNMOSトランジスタ57とにより構成されている。こ
の演算増幅回路の出力は、上記NMOSトランジスタ54のド
レインより取り出されてソースフォロワァ回路のNMOSト
ランジスタ58のゲートに接続され、負荷であるNMOSトラ
ンジスタ59の接続点である当該NMOSトランジスタ58のソ
ースから上記演算増幅回路のNMOSトランジスタ54のゲー
トに接続する負帰還ループが形成されている。そして、
その負帰還ループが形成されたNMOSトランジスタ58のソ
ースから上記キャパシタ52aを有した正帰還ループが取
り出され、さらに、そこから次段のバートン回路60に接
続されるように構成されている。 このようなアクティブローパスフィルター回路50の次
には、DCレベルが一定で利得が略1となるバッファ回路
であるバートン回路60が接続している。このバートン回
路60は、上記バートン回路20と同様に、差動トランジス
タ対を構成するNMOSトランジスタ61,62とカレントミラ
ーに接続されたPMOSトランジスタ63,64及び定電流源と
してのNMOSトランジスタ65からなる演算増幅回路と、電
源電圧と接地電圧の間に直列に配設されたNMOSトランジ
スタ66,67からなるソースフォロワァ回路とからなって
いる。上記NMOSトランジスタ62のドレインより取り出さ
れた演算増幅回路の出力信号は、上記NMOSトランジスタ
66のゲートに入力し、そのNMOSトランジスタ66のソース
からは、マイナス入力のNMOSトランジスタ62のゲートに
入力する負帰還ループが設けられている。そして上記NM
OSトランジスタ66のソースからは、さらに出力信号が取
り出され、この出力信号は当該アクティブローパスフィ
ルターを有したローパスフィルター装置の出力信号とし
て、他の信号処理装置へと伝送されることになる。 このような構成を有した本実施例の遅延素子及び固体
撮像装置におけるローパスフィルター装置は、上記サン
プルホールド回路30と、上記アクティブローパスフィル
ター回路50とは、それぞれDCレベルが一定で利得が略1
とされるバートン回路20,40,60により挟まれて配置され
ている。したがって、これら各バートン回路20,40,60で
DCレベルの変動を有効に抑えることができ、上記サンプ
ルホールド回路30や上記アクティブローパスフィルター
回路50を回路設計上困難なく配置することが可能とな
る。 また、CCD等の低電圧化の傾向に従ってローパスフィ
ルター装置の電源電圧自体を低電圧にしたときであって
も、レベルのマージンを大きく確保することができ、ダ
イナミックレンジを大きくとって十分な動作をさせるよ
うにすることができ、さらにトランジスタの特性等がプ
ロセス条件によって変動したとしても、帰還系において
は製造プロセス条件の変動による悪影響を十分に小さく
することができる。また、各バートン回路20,40,60及び
ローパスフィルター回路50のバートン回路構成は、同一
の回路構成をもち、このため回路配置作業上やプロセス
上における取り扱いに便宜である。 なお、上述のソースフォロワァ構成となるNMOSトラン
ジスタ11,12、26,27、46,47、58,59、66,67は、それぞ
れインバータ構成としても良く、また、ソースフォロワ
ァ回路10を無い構成としても良い。 また、上述の実施例では、ローパスフィルター回路に
バートン回路をバッファ回路として接続し、さらにサン
プルホールド回路を加えたものについて説明したが、こ
れに限定されず、さらに他の信号処理回路をバートン回
路等のDCレベルが一定で利得が略1とされるバッファ回
路で挟むような構成とすることも可能である。 H.発明の効果 本発明の遅延素子及び固体撮像装置等の電荷転送装置
におけるローパスフィルター装置は、DCレベルが一定で
利得が略1とされるバッファ回路を用い、このバッファ
回路によって、DCレベルの変動を抑制して、レベルのマ
ージンを大きくし、当該ローパスフィルター装置のダイ
ナミックレンジを大きくすることができる。このため特
に低電圧化を図ったときでも容易に回路設計することが
可能であり、多機能化を図った場合に有利である。 特に、出力側にもバッファ回路を設けることにより、
外部接続機器への影響や外部接続機器からの影響を遮断
でき、安定した動作が実現できると共に、外部接続機器
の特性のばらつきや特性の異なる外部接続機器に対して
も、出力側のバッファ回路の特性を変更するだけで、内
部回路を変更することなく最適の動作を行わせることが
できる。 また、帰還系におけるトランジスタの特性が変動した
場合であっても、本発明のローパスフィルター装置では
そのプロセス上の悪影響を十分に小さくすることができ
る。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a delay element such as a CCD (Charge Coupled Device) and a low-pass filter device in a charge transfer device provided in a signal output portion of a solid-state imaging device. B. Summary of the Invention In a low-pass filter device provided in a signal output portion of a charge transfer device such as a delay element and a solid-state imaging device, a buffer circuit in which both terminals of an active filter circuit have a constant DC level and a gain of approximately 1 is provided. Are connected to each other to operate sufficiently even under a low voltage, and to have an easy configuration such as a circuit design. C. Prior Art Generally, in a circuit configuration of a charge transfer device such as a solid-state imaging device and a delay element formed of a CCD or the like, an amplification circuit having a predetermined amplification function is provided at an output unit. 6 and 7 show a conventional delay element and an output circuit in a solid-state imaging device, respectively. FIG. 6 shows an example of an inverter circuit configuration, and FIG. 7 shows a source follower circuit. It is an example of a structure. Here, these output circuits will be briefly described with reference to the drawings. First, the output circuit of FIG.
An input signal is inputted to the gate of the MOS transistor 82, and the input signal is inputted from the connection point between the MOS transistor 81 whose gate and drain are connected so as to be an active load and the drain of the MOS transistor 82. The inverter circuit configuration is such that an output signal is taken out. Next, the output circuit of FIG.
And a transistor 92.
It has a source follower circuit configuration in which a signal is input to the gate of the S transistor 91 and an output signal is extracted from the source of the MOS transistor 91. D. Problems to be Solved by the Invention Incidentally, there is a case where a low-pass filter circuit is connected to an output circuit having an inverter circuit configuration or an output circuit having a source follower circuit configuration as described above, and in such a case, Has the following problems. First, the conventional output circuit involves a change in DC level. That is, if the input DC level does not match the output DC level and a low-pass filter (LPF) circuit is connected to the output circuit of these inverters or source followers, it is necessary to increase the power supply voltage due to the fluctuation of the DC level. And the circuit design becomes complicated. Second, in the output circuit having the source follower circuit configuration, the gain is 0 dB or less, and the gain is further reduced when connected in multiple stages. Third, in the output circuit of the inverter circuit configuration,
There is a problem such as a change in the threshold voltage depending on the conditions of the manufacturing process, and it becomes difficult to perform an accurate operation when the threshold voltage changes. Finally, conventionally, signals handled by a delay element composed of a CCD or the like and a solid-state imaging device are analog signals, and a sufficient power supply voltage is used as compared with a semiconductor device such as a memory using many MOS transistors to ensure sufficient operation. However, the recent trend for lowering the voltage demands that the delay element and the solid-state imaging device, such as a CCD, be driven at a low voltage similar to a memory. In the case of such a low voltage, particularly, the margin on the level becomes small, and it becomes difficult to perform an accurate operation due to the fluctuation of the DC level as described above, and the circuit design thereof is also easy. Not. In view of the above-described problems, the present invention provides a delay element and a solid-state imaging device that can operate sufficiently even under a low voltage and can easily perform circuit design and the like, and that are resistant to manufacturing variations. It is an object of the present invention to provide a low-pass filter device in a charge transfer device. E. Means for Solving the Problems The low-pass filter device according to the present invention has a low-pass filter circuit, and a Barton circuit connected to at least the input side and the input side of the low-pass filter circuit. A Burton circuit, an operational amplifier that amplifies the difference between the input signal and the negatively fed-back feedback signal,
A source follower circuit or an inverter circuit to which the output of the operational amplifier is supplied, and a feedback signal is taken out from the output of the source follower circuit or the inverter circuit and is negatively fed back to the operational amplifier to obtain a DC level. Is constant and the gain is substantially 1. F. Action By connecting a Barton circuit with a constant DC level and a gain of about 1 to at least the input side of the low-pass filter circuit, it is possible to suppress the level fluctuations at each part of the circuit, and a single DC level The circuit design can be easily performed with reference to the equation (1), and this is particularly effective when the voltage is reduced or the function is increased. G. Embodiment A preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First Embodiment As shown in FIGS. 1 and 3, a low-pass filter device in a charge transfer device such as a delay element and a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention has a low-pass filter circuit as a low-pass filter circuit. A Barton circuit, which is a buffer circuit having a constant DC level and a gain of approximately 1, is connected to both the input side and the output side using an active filter. First, the basic configuration will be described with reference to FIG. 1. For example, a source follower circuit 10 to which an output signal output from a floating gate of a CCD is input, and a Barton circuit 20 to make an output DC level constant are provided. An active low-pass filter circuit 50 is connected to the output side of the Barton circuit 20, and a Barton circuit 60 is connected to the output side of the active low-pass filter circuit 50. Here, with reference to FIG.
To explain, the Burton circuit 20 is an operational amplifier 20
A and a source follower circuit 20B. The output of the source follower circuit 20B is negatively fed back to the operational amplifier 20A. The whole Burton circuit 20 functions as a voltage follower, has a high input impedance, and has a low output impedance. Therefore, fluctuations in the DC level of the delay element and the low-pass filter device of the solid-state imaging device configured as described above are suppressed, and effective driving can be achieved even when various signal processing circuits are provided in the next stage. The Barton circuit 60 has the same configuration, and has a function of making the DC level constant and facilitating circuit design. The source follower circuit 10 and the Burton circuit 20
The source follower circuit 20B and the source follower circuit of the Burton circuit 60 may each be an inverter circuit.In particular, when an inverter circuit is used for the Burton circuits 20 and 60, the inverter circuit is a circuit in a feedback loop. For this reason, even when there is a change in transistor characteristics or the like due to process conditions, the influence on the circuit operation is small. Further, the source follower circuit 10 need not be provided, and a low-pass filter device having a configuration in which the Burton circuit 20, the active low-pass filter circuit 50, and the Burton circuit 60 are arranged in series may be used. Such a low-pass filter device in the delay element and the solid-state imaging device according to the present embodiment includes a Barton circuit 20, in which the DC level is constant and the gain is substantially 1, not only on the input side but also on the output side of the active low-pass filter circuit 50. Since 60 is provided, it is possible to suppress the fluctuation of the DC level and maintain the gain, and to simplify the circuit design. In addition, by providing the Barton circuit 60 on the output side, it is possible to cut off the influence on externally connected equipment and the influence from externally connected equipment, and realize stable operation. Even when a different externally connected device is used, the optimum operation can be performed without changing the internal circuit by simply changing the characteristics of the Burton circuit 60 in accordance with the characteristics of the externally connected device. FIG. 3 shows a specific example of such a low-pass filter device of the present embodiment. First, a source follower circuit is shown.
10 in series between the supply voltage and the ground voltage
An NMOS transistor 11 and an NMOS transistor 12 are provided. The gate of the NMOS transistor 11 is connected to, for example, a floating gate FG of a CCD and operates upon receiving an input signal, and an output signal is supplied from the source of the NMOS transistor 11 to the gate of the NMOS transistor 21 of the next-stage Burton circuit 20. You. The NMOS transistor 12 is used as a load. Next, the Burton circuit 20, which is a buffer circuit having a constant DC level and a gain of approximately 1, includes NMOS transistors 21 and 22 forming a differential transistor pair, PMOS transistors 23 and 24 connected to a current mirror, and a constant current. It comprises an operational amplifier circuit comprising an NMOS transistor 25 as a source, and a source follower circuit comprising NMOS transistors 26 and 27 arranged in series between a power supply voltage and a ground voltage. The output signal of the operational amplifier circuit extracted from the drain of the NMOS transistor 22 is output from the NMOS transistor 26.
The output signal of the source follower circuit which is input to the gate of the NMOS transistor 26 and taken out from the source of the NMOS transistor 26 is input to the gate of the negative input NMOS transistor 22 to form a negative feedback loop. Then, the above-mentioned NMOS which is the output section of this Burton circuit 20
An active low-pass filter circuit 50 is connected to the source of the transistor 26 as a low-pass filter circuit. The active low-pass filter circuit 50 is connected to a MOS transistor 51a functioning as a resistor, and the other end is connected to a capacitor 52a in a positive feedback loop and a MOS transistor 51b functioning as a second resistor.
A second capacitor 52b is connected to the other end of the S transistor 51b. The time constant characteristics of the active low-pass filter circuit 50 can be determined by the MOS transistors 51a and 51b and the capacitors 52a and 52b. An operational amplifier circuit is further connected from the other end of the MOS transistor 51b. The operational amplifier circuit includes NMOS transistors 53 and 54 forming a differential transistor pair and a PMOS transistor 55 connected to a current mirror. , 56 and an NMOS transistor 57 as a constant current source. The output of this operational amplifier circuit is the NMOS transistor
It is taken out from the drain of 54 and the source follower circuit
NM which is connected to the gate of the NMOS transistor 58 and is a load
The NMOS transistor which is a connection point of the OS transistor 59
From the source of 58, the NMOS transistor 54 of the above operational amplifier circuit
A negative feedback loop connected to the gates of the gates is formed. And the NMOS transistor with the negative feedback loop formed
The positive feedback loop having the capacitor 52a is taken out from the source of 58, and further from there, the next-stage Barton circuit
It is configured to be connected to 60. Subsequent to the active low-pass filter circuit 50, a Burton circuit 60, which is a buffer circuit having a constant DC level and a gain of approximately 1, is connected. The Barton circuit 60 is, similarly to the Barton circuit 20, operated by NMOS transistors 61 and 62 forming a differential transistor pair, PMOS transistors 63 and 64 connected to a current mirror, and an NMOS transistor 65 as a constant current source. It comprises an amplifier circuit and a source follower circuit comprising NMOS transistors 66 and 67 arranged in series between a power supply voltage and a ground voltage. The output signal of the operational amplifier circuit extracted from the drain of the NMOS transistor 62 is
A negative feedback loop is provided which is input to the gate of the NMOS transistor 66 and is input from the source of the NMOS transistor 66 to the gate of the NMOS transistor 62 having a negative input. And the above NM
An output signal is further extracted from the source of the OS transistor 66, and this output signal is transmitted to another signal processing device as an output signal of the low-pass filter device having the active low-pass filter. In the delay element and the low-pass filter device in the solid-state imaging device according to the present embodiment having the above-described configuration, the active low-pass filter circuit 50 includes the Barton circuit 20 and the Barton circuit 60 having a constant DC level and a gain of approximately 1. It is sandwiched between them. That is, DC is
The active low-pass filter circuit without level fluctuation
50 are arranged, and by arranging the barton circuit in this way, the low-pass filter device itself can be multifunctional without difficulty in circuit design. Also, since the DC level can be kept constant, CCD
Even when the power supply voltage of the low-pass filter device is set to a low voltage according to the trend of low voltage, etc., a large level margin can be ensured, and a sufficient dynamic range is taken to ensure sufficient operation. can do. Also, the Barton circuit has a feedback system, and even if the characteristics of the transistors constituting the feedback system fluctuate due to process conditions, the Barton circuit operates not in the transistor for direct driving but in the feedback system. As a result, it is possible to sufficiently reduce adverse effects due to variations in manufacturing process conditions. The NMOS transistors 11, 12, 26, 27, 58, 59, 66, 67 having the above-described source follower configuration may each have an inverter configuration.
And a circuit configuration in which the Barton circuit 20, the active low-pass filter circuit 50, and the Barton circuit 60 are connected in series. Second Embodiment As shown in FIGS. 4 and 5, the second embodiment of the low-pass filter device in the delay element and the solid-state imaging device has a circuit having a source follower configuration as an amplifier circuit, and has a DC level. Is connected to a circuit having a Barton circuit configuration as a buffer circuit having a constant and gain of approximately 1, a sample-and-hold circuit is connected thereto, and a buffer circuit having a constant DC level and a gain of approximately 1 is connected thereto, and , A low-pass filter circuit and a buffer circuit are arranged on the output side. First, the basic configuration will be described with reference to FIG. 4. For example, an output signal output from a floating gate of a CCD is output to a source follower circuit 10 which is input.
A Barton circuit 20 for keeping the DC level constant is connected. The output side of the Burton circuit 20 is connected to a sample-and-hold circuit 30 that operates while holding the level for a certain period of time.
A Burton circuit 40 is connected as a buffer circuit having a constant level and a gain of about 1. This Burton circuit
An active low-pass filter circuit 50 is connected to the output side of 40, and a Barton circuit 60 is connected to the output side of the active low-pass filter circuit 50. In the delay element and the low-pass filter device in the solid-state imaging device according to the present embodiment, the source follower circuit 10, the sample-and-hold circuit 30, and the active low-pass filter circuit 50 have a constant DC level and a gain of about 1 respectively. The Barton circuits 20, 40, and 60 divide the DC level and suppress the fluctuation of the DC level, maintain the gain, and simplify the circuit design. That is, since the Barton circuits 20, 40, and 60 each have high input and low output impedance, it is possible to ensure sufficient level margin and operate satisfactorily even with a Barton circuit configuration designed to reduce the voltage. Become. FIG. 5 is a specific example of such a delay element and a low-pass filter device in a solid-state imaging device,
First, an NMOS transistor 11 and an NMOS transistor 11 are connected in series between the power supply voltage and the ground voltage so as to constitute the source follower circuit 10.
A transistor 12 is provided. NMOS transistor 11
The gate of, for example, is connected to the floating gate FG of a CCD and operates by receiving an input signal, and its NMOS transistor
The output signal from the source 11 is the NMOS of the next-stage Burton circuit 20
The signal is supplied to the gate of the transistor 21. The NMOS transistor 12 is used as a load. Next, a Burton circuit 20, which is a buffer circuit having a constant DC level and a gain of about 1, includes NMOS transistors 21 and 22 forming a differential transistor pair and PMOS transistors 23 and 24 connected to a current mirror and a low constant voltage. NMO as a current source
An operational amplifier circuit comprising an S transistor 25, and NMOS transistors 26 and 2 arranged in series between a power supply voltage and a ground voltage.
7 and a source follower circuit. The output signal of the operational amplifier circuit extracted from the drain of the NMOS transistor 22 is input to the gate of the NMOS transistor 26, and the output signal of the source follower circuit extracted from the source of the NMOS transistor 26 is a negative input NMOS. The signal is input to the gate of the transistor 22 to form a negative feedback loop. Then, the above-mentioned NMOS which is the output section of this Burton circuit 20
The sample and hold circuit 30 is connected to the source of the transistor 26 in this embodiment. This sample and hold circuit 30
Is composed of a switching transistor 31 for transmitting a sample link signal to a gate, and a sample and hold capacitor 32. The operation of the sample-and-hold circuit 30 is such that the switching transistor 31 is turned on and off in response to a sample-and-hold pulse supplied to the gate of the switching transistor 31, and a certain level of a signal is applied to the sample-and-hold capacitor 32 by the operation. Stored. Next, a barton circuit 40, which is substantially the same as the barton circuit 20, is connected to the output side of the sample hold circuit 30. The Burton circuit 40 allows the sample-hold circuit 30 and the next active low-pass filter circuit
DC level fluctuations between 50 and 50 are suppressed, and there is no decrease in gain. The Burton circuit 40 includes NMOS transistors 41 and 42 forming a differential transistor pair, PMOSs 43 and 44 connected to a current mirror, and an NMOS transistor 4 as a constant current source.
5 and a source follower circuit including NMOS transistors 46 and 47 arranged in series between the power supply voltage and the ground voltage. The output signal of the operational amplifier circuit extracted from the drain of the NMOS transistor 42 is input to the gate of the NMOS transistor 46, and the output signal of the source follower circuit extracted from the source of the NMOS transistor 46 is a negative input NMOS. The signal is input to the gate of the transistor 42 to form a negative feedback loop. Next, as for the active low-pass filter circuit 50 arranged on the output side of the Burton circuit 40, the NMOS of the Burton circuit 40 is similar to that of the second embodiment.
The source of the transistor 46 is connected to the MOS transistor 51a functioning as a resistor, the other end is connected to the capacitor 52a in the positive feedback loop and the MOS transistor 51b functioning as the second resistor, and the other end of the MOS transistor 51b is connected to the other end. , And the second capacitor 52b are connected. These MOS transistors 51a and 51b and the capacitor 52
a, 52b, the active low-pass filter circuit 5
A time constant characteristic of 0 can be determined. And the above MOS
An operational amplifier circuit is further connected from the other end of the transistor 51b. The operational amplifier circuit includes NMOS transistors 53 and 54 forming a differential transistor pair, and PMOS transistors 55 and 56 connected to a current mirror and a constant current amplifier. It comprises an NMOS transistor 57 as a current source. The output of this operational amplifier circuit is taken out from the drain of the NMOS transistor 54, connected to the gate of the NMOS transistor 58 of the source follower circuit, and from the source of the NMOS transistor 58 that is the connection point of the load NMOS transistor 59. A negative feedback loop connected to the gate of the NMOS transistor 54 of the operational amplifier circuit is formed. And
A positive feedback loop having the capacitor 52a is taken out from the source of the NMOS transistor 58 in which the negative feedback loop is formed, and further connected therefrom to the next-stage Burton circuit 60. Subsequent to the active low-pass filter circuit 50, a Burton circuit 60, which is a buffer circuit having a constant DC level and a gain of approximately 1, is connected. The Barton circuit 60 is, similarly to the Barton circuit 20, an arithmetic operation including NMOS transistors 61 and 62 forming a differential transistor pair, PMOS transistors 63 and 64 connected to a current mirror, and an NMOS transistor 65 as a constant current source. It comprises an amplifier circuit and a source follower circuit comprising NMOS transistors 66 and 67 arranged in series between a power supply voltage and a ground voltage. The output signal of the operational amplifier circuit extracted from the drain of the NMOS transistor 62 is
A negative feedback loop is provided which is input to the gate of the NMOS transistor 66 and is input from the source of the NMOS transistor 66 to the gate of the NMOS transistor 62 having a negative input. And the above NM
An output signal is further extracted from the source of the OS transistor 66, and this output signal is transmitted to another signal processing device as an output signal of the low-pass filter device having the active low-pass filter. In the delay element and the low-pass filter device in the solid-state imaging device according to the present embodiment having such a configuration, the sample-and-hold circuit 30 and the active low-pass filter circuit 50 have a constant DC level and a gain of approximately 1 respectively.
And are arranged between the Burton circuits 20, 40, and 60. Therefore, in each of these Burton circuits 20, 40, 60
Variations in DC level can be effectively suppressed, and the sample-hold circuit 30 and the active low-pass filter circuit 50 can be arranged without difficulty in circuit design. In addition, even when the power supply voltage of the low-pass filter device is set to a low voltage in accordance with the trend of lowering the voltage of a CCD or the like, a large level margin can be secured, and sufficient operation can be performed by increasing the dynamic range. In addition, even if the characteristics and the like of the transistor fluctuate due to the process conditions, in the feedback system, the adverse effect due to the fluctuation of the manufacturing process conditions can be sufficiently reduced. Further, the Barton circuit configuration of each of the Barton circuits 20, 40, 60 and the low-pass filter circuit 50 has the same circuit configuration, which is convenient for circuit layout work and handling in a process. Each of the NMOS transistors 11, 12, 26, 27, 46, 47, 58, 59, 66 and 67 having the above-described source follower configuration may have an inverter configuration, and may have a configuration without the source follower circuit 10. It is good. Further, in the above-described embodiment, a low-pass filter circuit in which a Barton circuit is connected as a buffer circuit and a sample-and-hold circuit is added has been described. However, the present invention is not limited to this. It is also possible to adopt a configuration in which the DC level is held between buffer circuits having a constant DC level and a gain of about 1. H. Effects of the Invention The low-pass filter device in the charge transfer device such as the delay element and the solid-state imaging device of the present invention uses a buffer circuit having a constant DC level and a gain of approximately 1, and this buffer circuit allows the DC level to be reduced. Variations can be suppressed, the level margin can be increased, and the dynamic range of the low-pass filter device can be increased. For this reason, it is possible to easily design a circuit even when the voltage is reduced, which is advantageous when a multi-function is achieved. In particular, by providing a buffer circuit on the output side,
In addition to blocking the effects on external devices and the effects of external devices, stable operation can be achieved, and the buffer circuit on the output side can be used for external devices that vary in characteristics or have different characteristics. The optimum operation can be performed only by changing the characteristics without changing the internal circuit. Further, even if the characteristics of the transistor in the feedback system fluctuate, the low-pass filter device of the present invention can sufficiently reduce the adverse effect on the process.

【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の遅延素子及び固体撮像装置におけるロ
ーパスフィルター装置の第1の実施例にかかるブロック
図、第2図はそのローパスフィルター装置のバートン回
路の具体的構成を示すブロック図、第3図は上記第1の
実施例にかかるローパスフィルター装置の回路構成を示
す回路図、第4図は本発明の遅延素子及び固体撮像装置
におけるローパスフィルター装置の第2の実施例にかか
るブロック図、第5図は上記第2の実施例にかかるロー
パスフィルター装置の回路構成を示す回路図である。 また、第6図は問題点を説明するための従来の遅延素子
及び固体撮像装置における出力回路の一例を示す回路
図、第7図は問題点を説明するための従来の固体撮像装
置における出力回路の他の一例を示す回路図である。 10……ソースフォロワァ回路 20……バートン回路 30……サンプルホールド回路 40……バートン回路 50……アクティブローパスフィルター回路 60……バートン回路
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram of a delay element and a low-pass filter device in a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a specific configuration of a Barton circuit of the low-pass filter device. FIG. 3 is a circuit diagram showing a circuit configuration of the low-pass filter device according to the first embodiment, and FIG. 4 is a second embodiment of the low-pass filter device in the delay element and solid-state imaging device according to the present invention. FIG. 5 is a block diagram according to an example, and FIG. 5 is a circuit diagram showing a circuit configuration of a low-pass filter device according to the second embodiment. FIG. 6 is a circuit diagram showing an example of a conventional delay element for explaining a problem and an output circuit in a solid-state imaging device. FIG. 7 is an output circuit of the conventional solid-state imaging device for explaining a problem. FIG. 9 is a circuit diagram showing another example of the embodiment. 10 Source follower circuit 20 Barton circuit 30 Sample hold circuit 40 Barton circuit 50 Active low-pass filter circuit 60 Barton circuit

フロントページの続き (72)発明者 ▲真▼城 康人 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−49565(JP,A) 特開 昭50−81452(JP,A)Continuation of front page    (72) Inventor ▲ Shin ▼ Yasuhito Castle               6-7-35 Kita Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo So               Knee Co., Ltd.                (56) References JP-A-61-49565 (JP, A)                 JP-A-50-81452 (JP, A)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 1.ローパスフィルター回路と、 該ローパスフィルター回路の入力側及び出力側の双方に
接続されDCレベルが一定で利得が略1となるバートン回
路とを有してなる 電荷転送装置におけるローパスフィルター装置。 2.上記バートン回路は、入力信号と負帰還されたフィ
ードバック信号の差を増幅する演算増幅器と、上記演算
増幅器の出力が供給されるソースフォロワ回路又はイン
バータ回路とから構成され、上記ソースフォロワ回路又
はインバータ回路の出力からフォードバック信号が取り
出されて上記演算増幅器に負帰還されることでその利得
が略1とされるものであることを特徴とする請求項1記
載の電荷転送装置におけるローパスフィルター装置。 3.上記電荷転送装置は電荷結合デバイスであることを
特徴とする請求項1記載の電荷転送装置におけるローパ
スフィルター装置。 4.ローパスフィルター回路と、 該ローパスフィルター回路の入力側に接続されたバート
ン回路を有し、該バートン回路は、入力信号と負帰還さ
れたフィードバック信号の差を増幅する演算増幅器と、
上記演算増幅器の出力が供給されるソースフォロワ回路
又はインバータ回路とから構成され、上記ソースフォロ
ワ回路又はインバータ回路の出力からフォードバック信
号が取り出されて上記演算増幅器に負帰還されることで
DCレベルが一定で利得が略1となるものであること を特徴とする電荷転送装置におけるローパスフィルター
装置。 5.上記電荷転送装置は電荷結合デバイスであることを
特徴とする請求項4記載の電荷転送装置におけるローパ
スフィルター装置。
(57) [Claims] A low-pass filter device in a charge transfer device, comprising: a low-pass filter circuit; and a Barton circuit connected to both an input side and an output side of the low-pass filter circuit and having a constant DC level and a gain of approximately 1. 2. The Barton circuit includes an operational amplifier that amplifies a difference between an input signal and a negatively fed-back feedback signal, and a source follower circuit or an inverter circuit to which an output of the operational amplifier is supplied, and the source follower circuit or the inverter circuit. 2. A low-pass filter device in a charge transfer device according to claim 1, wherein a feedback signal is taken out from the output of said first amplifier and negatively fed back to said operational amplifier so that its gain is made substantially 1. 3. 2. The low-pass filter device according to claim 1, wherein the charge transfer device is a charge-coupled device. 4. A low-pass filter circuit; and a barton circuit connected to an input side of the low-pass filter circuit, wherein the barton circuit amplifies a difference between an input signal and a negative-feedback feedback signal;
A source follower circuit or an inverter circuit to which the output of the operational amplifier is supplied, and a feedback signal is extracted from the output of the source follower circuit or the inverter circuit and is negatively fed back to the operational amplifier.
A low-pass filter device in a charge transfer device, wherein the DC level is constant and the gain is substantially 1. 5. The low-pass filter device according to claim 4, wherein the charge transfer device is a charge-coupled device.
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