JP2888245B2 - Inspection method and inspection device for mask plate - Google Patents
Inspection method and inspection device for mask plateInfo
- Publication number
- JP2888245B2 JP2888245B2 JP6482589A JP6482589A JP2888245B2 JP 2888245 B2 JP2888245 B2 JP 2888245B2 JP 6482589 A JP6482589 A JP 6482589A JP 6482589 A JP6482589 A JP 6482589A JP 2888245 B2 JP2888245 B2 JP 2888245B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask plate
- inspection
- mask
- pattern
- reduction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明はマスクプレートの検査方法および検査装置に
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a mask plate inspection method and an inspection apparatus.
（従来の技術） 一般に、半導体装置の製造工程において、例えばシリ
コンウエハ上にマスクパターンを焼付ける場合には、例
えば以下のようにして行われる。(Prior Art) In general, in a process of manufacturing a semiconductor device, for example, when a mask pattern is printed on a silicon wafer, it is performed as follows, for example.
まず、エッチングやイオン打込み等を行おうとする回
路パターンに応じて、ソーダライムガラス、ポリシリケ
ートガラス、石英ガラス等からなるガラス板上にマスク
パターンを形成し、マスクプレートを作製する。次に、
半導体ウエハ上にレジストを塗布し、このレジスト膜に
上記マスクプレートを通して紫外線やレーザ光等を照射
して露光し、レジスト膜にマスクパターンの潜像を形成
させる。First, a mask pattern is formed on a glass plate made of soda lime glass, polysilicate glass, quartz glass, or the like in accordance with a circuit pattern to be etched or ion-implanted, and a mask plate is manufactured. next,
A resist is applied on a semiconductor wafer, and the resist film is exposed to ultraviolet light or laser light through the mask plate to expose the resist film to form a latent image of a mask pattern on the resist film.
このマスクパターンの焼付け工程は、設計時の回路パ
ターンをより正確に再現する上で非常に重要な工程であ
り、マスクプレート上に形成されたパターンの検査精度
が半導体装置の良否を大きく左右する。This mask pattern baking step is a very important step for more accurately reproducing the circuit pattern at the time of design, and the inspection accuracy of the pattern formed on the mask plate greatly affects the quality of the semiconductor device.
マスクプレートの検査は、例えば、マスクプレートに
レーザ光のような検査光を照射し、マスクプレートを通
過した検査光を受光素子などによって画像化し、得られ
た画像と基準パターンとを比較することによって行われ
ている。しかし、単に基準パターンとの比較検査を行っ
ただけでは、マスクプレートの製造時と検査時の温度差
によって、マスクプレートに熱膨脹が発生し、正確な検
査を行うことができない。The inspection of the mask plate is performed, for example, by irradiating the mask plate with inspection light such as laser light, imaging the inspection light having passed through the mask plate with a light receiving element or the like, and comparing the obtained image with a reference pattern. Is being done. However, simply performing a comparison inspection with a reference pattern causes thermal expansion of the mask plate due to a temperature difference between the manufacturing and the inspection of the mask plate, so that accurate inspection cannot be performed.
このような問題に対しては、例えばマスクプレート上
に所定距離の基準点を設け、この基準点間の距離を実測
することによって、設計値に対する検査時の熱膨脹率を
判定し、この熱膨脹による変化分を自動的に補正するこ
とにより、検査精度に対する熱膨脹の影響を廃除する等
の方策が成されている。For such a problem, for example, a reference point of a predetermined distance is provided on a mask plate, and a distance between the reference points is measured to determine a thermal expansion rate at the time of inspection with respect to a design value. Measures have been taken to eliminate the influence of thermal expansion on inspection accuracy by automatically correcting the minute.
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、このような検査方法では、基準点間の
距離のずれを自動的に補正してしまうため、このずれが
実際に熱膨脹によって発生したずれであるかどうかを判
定することができないという問題があった。(Problems to be Solved by the Invention) However, such an inspection method automatically corrects the deviation of the distance between the reference points. Therefore, it is determined whether or not this deviation is actually a deviation caused by thermal expansion. There was a problem that it could not be determined.
また、近時、半導体の高集積化の要望に対して、メモ
リ容量4Mbitといような一段と高い集積度の半導体装置
の開発が進められており、これに伴ってパターン幅も0.
5μｍルールというようにさらに微細化する傾向にあ
り、このようなパターン幅の微細化によって、上記自動
的に補正したずれが僅かであったも、誤差許容値を超え
てしまう恐れが非常に高くなってきている。Recently, in response to the demand for higher integration of semiconductors, the development of a semiconductor device with a much higher degree of integration, such as a memory capacity of 4 Mbit, has been advanced, and the pattern width has been reduced to 0.
There is a tendency to be further miniaturized as in the case of the 5 μm rule, and with such miniaturization of the pattern width, even if the deviation automatically corrected is slight, the possibility of exceeding the error tolerance becomes extremely high. Is coming.
本発明は、このような従来技術の課題に対処するため
になされたもので、マスクプレートの検査時における熱
膨脹の影響を廃除し、より高精度に検査を行うことを可
能にしたマスクプレートの検査方法および検査装置を提
供することを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to address the problems of the related art, and has been made to eliminate the influence of thermal expansion during the inspection of a mask plate, and to perform inspection of a mask plate with higher accuracy. It is an object to provide a method and an inspection device.
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち本発明は、表面にマスクパターンが形成され
たマスクプレートの検査を行うに際し、 検査光発生機構から射出され、前記マスクプレートを
透過した検査光を検出し、前記マスクプレートの前記マ
スクパターンの画像データを得る工程と、 前記マスクプレートの製造時と検査時の温度差と、前
記マスクプレートの熱膨脹係数とから、前記マスクパタ
ーンの熱膨脹による変化を補正するための縮小拡大率を
算出する工程と、 算出された前記縮小拡大率に応じて、前記画像データ
を縮小又は拡大して補正した画像データを得る工程と、 前記補正した画像データと、基準パターンデータとを
比較して、前記マスクプレートの良否を判定する工程と を具備したことを特徴とする。[Constitution of the Invention] (Means for Solving the Problems) That is, according to the present invention, when inspecting a mask plate having a mask pattern formed on its surface, inspection is performed by an inspection light generating mechanism and transmitted through the mask plate. A step of detecting light and obtaining image data of the mask pattern of the mask plate; a change due to a thermal expansion of the mask pattern from a temperature difference between a time of manufacturing and an inspection of the mask plate and a coefficient of thermal expansion of the mask plate. Calculating a reduction / enlargement ratio for correcting, according to the calculated reduction / enlargement ratio, obtaining the corrected or enlarged image data, and the corrected image data; Comparing the reference pattern data with the reference pattern data to determine the quality of the mask plate.
請求項２の発明は、請求項１記載のマスクプレートの
検査方法において、 前記縮小拡大率（Δｎ）を、 Δｎ＝EpT1L／EpT2L （但し、Epはマスクプレートの熱膨脹係数、T1はマスク
プレートの製造時の温度、T2はマスクプレートの検査時
の温度、Ｌはマスクプレートの基準距離）から求めるこ
とを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the mask plate inspection method according to the first aspect, the reduction / enlargement ratio (Δn) is defined as: Δn = EpT 1 L / EpT 2 L (where Ep is the thermal expansion coefficient of the mask plate, T 1 Is obtained from the temperature at the time of manufacturing the mask plate, T 2 is the temperature at the time of inspection of the mask plate, and L is the reference distance of the mask plate.
請求項３の発明は、表面にマスクパターンが形成され
たマスクプレートの検査を行う装置であって、 検査光発生機構から射出され、前記マスクプレートを
透過した検査光を検出し、前記マスクプレートの前記マ
スクパターンの画像データを得る画像データ収集手段
と、 前記マスクプレートの製造時と検査時の温度差と、前
記マスクプレートの熱膨脹係数とから、前記マスクパタ
ーンの熱膨脹による変化を補正するための縮小拡大率を
算出する縮小拡大算出手段と、 前記縮小拡大率算出手段によって算出された前記縮小
拡大率に応じて、前記画像データ収集手段により得られ
た前記画像データをを縮小又は拡大して補正した画像デ
ータを得るデータ処理手段と、 前記データ処理手段により得られた前記補正した画像
データと、予め記憶手段に記憶された基準パターンデー
タとを比較して、前記マスクプレートの良否を判定する
比較判定手段と、 を具備したことを特徴とする。The invention of claim 3 is an apparatus for inspecting a mask plate having a mask pattern formed on a surface thereof, wherein the inspection light emitted from an inspection light generating mechanism and transmitted through the mask plate is detected. Image data collecting means for obtaining image data of the mask pattern; reduction for correcting a change due to thermal expansion of the mask pattern from a temperature difference between a time of manufacturing and an inspection of the mask plate and a thermal expansion coefficient of the mask plate. Reduction / enlargement calculation means for calculating an enlargement rate, and the image data obtained by the image data collection means is reduced or enlarged and corrected according to the reduction / enlargement rate calculated by the reduction / enlargement rate calculation means. Data processing means for obtaining image data; the corrected image data obtained by the data processing means; Comparing means for comparing the stored reference pattern data with the stored reference pattern data to determine the quality of the mask plate.
請求項４の発明は、請求項３記載のマスクプレートの
検査装置において、 前記縮小拡大率算出手段が、前記縮小拡大率（Δｎ）
を、 Δｎ＝EpT1L／EpT2L （但し、Epはマスクプレートの熱膨脹係数、T1はマスク
プレートの製造時の温度、T2はマスクプレートの検査時
の温度、Ｌはマスクプレートの基準距離）から求めるこ
とを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, in the mask plate inspection apparatus according to the third aspect, the reduction / enlargement ratio calculating means includes the reduction / enlargement ratio (Δn).
Δn = EpT 1 L / EpT 2 L (where Ep is the thermal expansion coefficient of the mask plate, T 1 is the temperature at the time of manufacturing the mask plate, T 2 is the temperature at the time of inspection of the mask plate, and L is the standard of the mask plate. Distance).
（作用） 本発明のマスクプレートの検査方法および検査装置に
おいて、マスクプレートの製造時と検査時との温度差に
よって発生する熱膨脹による変化を補正した後に、基準
パターンとの比較検査を行っている。これによって、検
査時における熱膨脹の影響を絶対値として廃除すること
が可能であるため、マスクプレート製造時における位置
ずれ等を正確に判定することができる。(Operation) In the mask plate inspection method and inspection apparatus according to the present invention, a comparison inspection with a reference pattern is performed after correcting a change due to thermal expansion caused by a temperature difference between the time of manufacturing the mask plate and the time of the inspection. This makes it possible to eliminate the influence of thermal expansion at the time of inspection as an absolute value, so that it is possible to accurately determine a displacement or the like at the time of manufacturing a mask plate.
（実施例） 以下、本発明の一実施例のマスクプレートの検査方法
を適用したマスクプレートの検査装置について図面を参
照して説明する。(Embodiment) A mask plate inspection apparatus to which a mask plate inspection method according to an embodiment of the present invention is applied will be described below with reference to the drawings.
例えばエキシマレーザ発生機構やＸ線発生機構等の検
査光発生機構１から発射された検査光2aは、所定のマス
クパターンが形成されたマスクプレート３を通過し、次
いで拡大レンズ４で拡大される。この拡大レンズ４を通
過した検査光2bは、マスクプレート３のパターンに応じ
た形状でパターン検出用受光素子５に入射する。For example, inspection light 2a emitted from an inspection light generation mechanism 1 such as an excimer laser generation mechanism or an X-ray generation mechanism passes through a mask plate 3 on which a predetermined mask pattern is formed, and is then enlarged by a magnifying lens 4. The inspection light 2b having passed through the magnifying lens 4 is incident on the pattern detection light-receiving element 5 in a shape corresponding to the pattern of the mask plate 3.
パターン検出状受光素子５が受光した検出光2bによっ
て得られたマスクパターンの画像情報は、比較判定機構
10に送られ、マスクパターンの良否が決定される。The image information of the mask pattern obtained by the detection light 2b received by the pattern detection light-receiving element 5 is compared with a comparison / determination mechanism.
It is sent to 10 and the quality of the mask pattern is determined.
比較判定機構10は、パターン検出用受光素子５によっ
て得られたマスクパターンの画像データを記憶する第１
の記憶部11と、マスクパターンの基準パターンデータが
記憶されている第２の記憶部12と、これら第１および第
２の記憶部11、12からのデータを比較し、マスクプレー
ト３上のマスクパターンの良否を判定する比較判定回路
13と、この判定結果を表示する検査結果表示部14とから
構成されている。The comparison determination mechanism 10 stores a first image data of a mask pattern obtained by the pattern detection light receiving element 5.
And the second storage unit 12 storing the reference pattern data of the mask pattern, and comparing the data from the first and second storage units 11 and 12 with each other. Comparison judgment circuit for judging the pass / fail of the pattern
13 and an inspection result display unit 14 for displaying the determination result.
また、第１の記憶部11に記憶されたマスクパターンの
画像データは、一旦熱膨脹補正制御系20によってマスク
プレート３の製造時の温度と検査時の温度の差による熱
膨脹補正が成された後い、比較判定回路13に送られる。The image data of the mask pattern stored in the first storage unit 11 is subjected to thermal expansion correction once by the thermal expansion correction control system 20 based on the difference between the temperature at the time of manufacturing the mask plate 3 and the temperature at the time of inspection. Are sent to the comparison determination circuit 13.
この熱膨脹補正制御系20は、パターン検出用受光素子
５によって得られた画像データの補正をマスクプレート
３の製造時の温度と検査時との温度差による熱膨脹によ
って生じる変化に応じて、画像データを縮小拡大するこ
とによって行うデータ処理回路21と、この画像データの
熱膨脹によって生じる変化に応じた縮小拡大率を算出す
る演算式等が記憶されている記憶部22と、上記した演算
式に対する各条件を入力するための入力部23と、記憶部
22に記憶されている演算式と入力された各条件とに基い
てデータ処理回路21を制御する熱膨脹補正制御部24とに
よって構成されている。The thermal expansion correction control system 20 corrects the image data obtained by the pattern detecting light receiving element 5 according to a change caused by thermal expansion due to a temperature difference between the temperature at the time of manufacturing the mask plate 3 and the temperature at the time of inspection. A data processing circuit 21 for performing the reduction / enlargement, a storage unit 22 for storing an arithmetic expression for calculating a reduction / enlargement ratio according to a change caused by thermal expansion of the image data, and a condition for each of the above arithmetic expressions An input unit 23 for inputting, and a storage unit
The thermal expansion correction control unit 24 controls the data processing circuit 21 based on the arithmetic expressions stored in 22 and the input conditions.
熱膨脹補正制御系20における記憶部22には、例えば以
下に示すような演算式が記憶されている。The storage unit 22 in the thermal expansion correction control system 20 stores, for example, the following arithmetic expressions.
ここで、Epはマスクプレート３の熱膨脹係数であり、
T1はマスクプレート３の製造時の温度、T2は検査時の温
度であり、Ｌはマスクプレートの基準距離であり、Δｎ
はマスクプレート３の製造時と検査時の温度差に起因し
て発生する熱膨脹による変化を補正するための倍率であ
る。 Here, Ep is a coefficient of thermal expansion of the mask plate 3, and
T 1 is the temperature, T 2 during manufacture of the mask plate 3 is the temperature at the time of inspection, L is the reference distance of the mask plate, [Delta] n
Is a magnification for correcting a change due to thermal expansion generated due to a temperature difference between the time of manufacturing the mask plate 3 and the time of inspection.
上記（Ｉ）式に基いて熱膨脹による変化を補正するた
めの倍率Δｎを求め、Δｎにしたがって画像データを縮
小拡大すれば、マスクプレート３の製造時と検査時との
温度差による熱膨脹の影響を完全に廃除することができ
る。A magnification Δn for correcting a change due to thermal expansion is obtained based on the above equation (I), and the image data is reduced and enlarged according to Δn, so that the influence of thermal expansion due to the temperature difference between the time of manufacturing and inspection of the mask plate 3 is reduced. It can be completely eliminated.
次に、上記構成のマスクプレートの検査装置の動作を
説明する。Next, the operation of the mask plate inspection apparatus having the above configuration will be described.
まず、検査光発生機構１から発射された検査光2aをマ
スクプレート３を通過させ、パターン検出用受光素子５
によってマスクパターンの画像データを得る。次いで、
この画像データを比較判定機構10の第１の記憶部11に送
る。一方、上記（Ｉ）式における変数、すなわちEp、T1
およびT2を熱膨脹補正制御系20の入力部23から入力す
る。これら各条件が入力れると、熱膨脹補正制御部24
は、記憶部22に記憶されている演算式（Ｉ）と入力され
た各条件とからΔｎを算出し、この熱膨脹による変化を
補正するための倍率Δｎに基いてデータ処理回路21を制
御して、パターン検出用受光素子５から得られた画像デ
ータを補正する。First, the inspection light 2a emitted from the inspection light generating mechanism 1 is passed through the mask plate 3, and
To obtain image data of the mask pattern. Then
This image data is sent to the first storage unit 11 of the comparison and determination mechanism 10. On the other hand, the variables in the above formula (I), ie, Ep, T 1
And T 2 is inputted from the input unit 23 of the thermal expansion compensation control system 20. When these conditions are input, the thermal expansion correction controller 24
Calculates Δn from the arithmetic expression (I) stored in the storage unit 22 and the input conditions and controls the data processing circuit 21 based on a magnification Δn for correcting a change due to the thermal expansion. Then, the image data obtained from the pattern detecting light receiving element 5 is corrected.
そして、この補正れた画像データと比較判定機構10の
第２の記憶部12に格納されている基準パターンデータと
を比較判定回路13に送り、比較検査を行ってマスクプレ
ートの良否が決定され、その結果が検査結果表示部14に
表示されてマスクプレートの検査が終了する。Then, the corrected image data and the reference pattern data stored in the second storage unit 12 of the comparison and determination mechanism 10 are sent to a comparison and determination circuit 13, and a comparison inspection is performed to determine the quality of the mask plate. The result is displayed on the inspection result display section 14, and the inspection of the mask plate is completed.
このように、マスクプレート３の製造時と検査時との
温度差による熱膨脹によって生じる変化率を予め求め、
この変化を補正した後に基準パターンとの検査を行うこ
とによって、熱膨張による変化のみを検査時において廃
除することができる。おれによって、基準パターンとの
比較検査時においては、マスクプレートの製造不良のみ
をより完全に判定することが可能となり、検査精度が大
幅に向上する。In this manner, the rate of change caused by thermal expansion due to the temperature difference between the time of manufacture and the time of inspection of the mask plate 3 is obtained in advance,
By performing the inspection with the reference pattern after correcting this change, only the change due to thermal expansion can be eliminated at the time of inspection. As a result, at the time of the inspection for comparison with the reference pattern, it is possible to more completely determine only the manufacturing failure of the mask plate, and the inspection accuracy is greatly improved.
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明のマスクプレートの検査
方法および検査装置によれば、マスクプレートの製造時
と検査時との温度差による熱膨脹の影響を絶対値的に廃
除することが可能となり、より高精度な検査を行うこと
ができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the method and apparatus for inspecting a mask plate of the present invention, the influence of thermal expansion due to the temperature difference between the time of manufacture and the time of inspection of a mask plate is absolutely eliminated. Can be performed, and a more accurate inspection can be performed.
第１図は本発明の一実施例のマスクプレートの検査方法
を適用した検査装置を示す図である。 ３……マスクプレート、５……パターン検出用受光素
子、10……比較判定機構、20……熱膨脹補正制御系。FIG. 1 is a view showing an inspection apparatus to which a mask plate inspection method according to one embodiment of the present invention is applied. 3 mask plate, 5 light receiving element for pattern detection, 10 comparison / determination mechanism, 20 thermal expansion correction control system.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01B 11/00 - 11/30 G01N 21/84 - 21/91 G03F 1/08 H01L 21/30 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) G01B 11/00-11/30 G01N 21/84-21/91 G03F 1/08 H01L 21/30
Claims (4)
プレートの検査を行うに際し、 検査光発生機構から射出され、前記マスクプレートを透
過した検査光を検出し、前記マスクプレートの前記マス
クパターンの画像データを得る工程と、 前記マスクプレートの製造時と検査時の温度差と、前記
マスクプレートの熱膨脹係数とから、前記マスクパター
ンの熱膨脹による変化を補正するための縮小拡大率を算
出する工程と、 算出された前記縮小拡大率に応じて、前記画像データを
縮小又は拡大して補正した画像データを得る工程と、 前記補正した画像データと、基準パターンデータとを比
較して、前記マスクプレートの良否を判定する工程と、 を具備したことを特徴とするマスクプレートの検査方
法。When inspecting a mask plate having a mask pattern formed on a surface thereof, an inspection light emitted from an inspection light generating mechanism and transmitted through the mask plate is detected, and an image of the mask pattern of the mask plate is detected. Obtaining data, a temperature difference between the time of manufacture and inspection of the mask plate, and a coefficient of thermal expansion of the mask plate, and calculating a reduction / enlargement ratio for correcting a change due to thermal expansion of the mask pattern, Obtaining the corrected image data by reducing or enlarging the image data in accordance with the calculated reduction / enlargement ratio; comparing the corrected image data with reference pattern data to determine whether the mask plate is good or bad A method for inspecting a mask plate, comprising the steps of:
において、 前記縮小拡大率（Δｎ）を、 Δｎ＝EpT1L／EpT2L （但し、Epはマスクプレートの熱膨脹係数、T1はマスク
プレートの製造時の温度、T2はマスクプレートの検査時
の温度、Ｌはマスクプレートの基準距離） から求めることを特徴とするマスクプレートの検査方
法。2. The method of inspecting a mask plate according to claim 1, wherein the reduction / enlargement ratio (Δn) is represented by: Δn = EpT 1 L / EpT 2 L (where Ep is the thermal expansion coefficient of the mask plate, and T 1 is the mask) temperature during manufacture of the plate, T 2 is the temperature at the time of inspection of a mask plate, L is the inspection method of the mask plate and obtaining the reference distance) of the mask plate.
プレートの検査を行う装置であって、 検査光発生機構から射出され、前記マスクプレートを透
過した検査光を検出し、前記マスクプレートの前記マス
クパターンの画像データを得る画像収集手段と、 前記マスクプレートの製造時と検査時の温度差と、前記
マスクプレートの熱膨脹係数とから、前記マスクパター
ンの熱膨脹による変化を補正するための縮小拡大率を算
出する縮小拡大率算出手段と、 前記縮小拡大率算出手段によって算出された前記縮小拡
大率に応じて、前記画像データ収集手段により得られた
前記画像データをを縮小又は拡大して補正した画像デー
タを得るデータ処理手段と、 前記データ処理手段により得られた補正した画像データ
と、予め記憶手段に記憶された基準パターンデータとを
比較して、前記マスクプレートの良否を判定する比較判
定手段と、 を具備したことを特徴とするマスクプレートの検査装
置。3. An apparatus for inspecting a mask plate having a mask pattern formed on a surface thereof, wherein the inspection means detects inspection light emitted from an inspection light generating mechanism and transmitted through the mask plate, and detects the mask of the mask plate. Image collecting means for obtaining image data of the pattern; a temperature difference between the time of manufacture and inspection of the mask plate; and a coefficient of thermal expansion of the mask plate, and a reduction / enlargement ratio for correcting a change due to the thermal expansion of the mask pattern. Reduction / enlargement ratio calculation means to be calculated; and image data obtained by reducing or enlarging the image data obtained by the image data collection means in accordance with the reduction / enlargement ratio calculated by the reduction / enlargement ratio calculation means. And a corrected image data obtained by the data processing means, and a reference stored in the storage means in advance. A comparison / determination means for comparing the pattern data with the pattern data to determine the quality of the mask plate.
において、 前記縮小拡大率算出手段が、前記縮小拡大率（Δｎ）
を、 Δｎ＝EpT1L／EpT2L （但し、Epはマスクプレートの熱膨脹係数、T1はマスク
プレートの製造時の温度、T2はマスクプレートの検査時
の温度、Ｌはマスクプレートの基準距離） から求めることを特徴とするマスクプレートの検査装
置。4. The mask plate inspection apparatus according to claim 3, wherein said reduction / enlargement ratio calculating means includes said reduction / enlargement ratio (Δn).
Δn = EpT 1 L / EpT 2 L (where Ep is the thermal expansion coefficient of the mask plate, T 1 is the temperature at the time of manufacturing the mask plate, T 2 is the temperature at the time of inspection of the mask plate, and L is the standard of the mask plate. The inspection apparatus for a mask plate, which is obtained from the distance).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6482589A JP2888245B2 (en) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | Inspection method and inspection device for mask plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6482589A JP2888245B2 (en) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | Inspection method and inspection device for mask plate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02242105A JPH02242105A (en) | 1990-09-26 |
| JP2888245B2 true JP2888245B2 (en) | 1999-05-10 |
Family
ID=13269411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6482589A Expired - Lifetime JP2888245B2 (en) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | Inspection method and inspection device for mask plate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2888245B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4821446B2 (en) * | 2006-06-14 | 2011-11-24 | トヨタ自動車株式会社 | Shape evaluation method and shape evaluation system |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61194308A (en) * | 1985-02-25 | 1986-08-28 | Hitachi Ltd | Measuring apparatus |
| JPS6324113A (en) * | 1986-03-19 | 1988-02-01 | Toshiba Mach Co Ltd | Measuring method for pattern |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP6482589A patent/JP2888245B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02242105A (en) | 1990-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2854551B2 (en) | Manufacturing method of exposure mask | |
| US6673638B1 (en) | Method and apparatus for the production of process sensitive lithographic features | |
| US6859260B2 (en) | Method and system for improving focus accuracy in a lithography system | |
| US8908148B2 (en) | Calibration method and inspection apparatus | |
| US20060279722A1 (en) | Method of characterization, method of characterizing a process operation, and device manufacturing method | |
| EP0919803A1 (en) | Method and compact system for inspecting a reticle with high accuracy | |
| JP2662377B2 (en) | Process condition setting method in semiconductor device manufacturing process | |
| JPS60163046A (en) | Projection exposing optical device | |
| JP3958327B2 (en) | Sample inspection apparatus and sample inspection method | |
| JP3352354B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| JP3595707B2 (en) | Exposure apparatus and exposure method | |
| JP2022091002A (en) | Detection device, detection method, exposure device, exposure system, and article manufacturing method | |
| TW201940958A (en) | Instant tuning method for accelerating resist and etch model calibration | |
| JP2888245B2 (en) | Inspection method and inspection device for mask plate | |
| JP2002353104A (en) | Exposure method of semiconductor device, aligner and program thereof | |
| TWI411887B (en) | Method for determining exposure settings, lithographic exposure apparatus, computer program and data carrier | |
| JP3267272B2 (en) | Measurement method of aberration amount of projection optical system | |
| JPH1145851A (en) | Exposure method and manufacture of semiconductor device | |
| JP3258178B2 (en) | Positioning method | |
| JPH1197510A (en) | Alignment method | |
| JP2001274056A (en) | Aligner and device manufacturing device | |
| JPH1050600A (en) | Method and device for projection exposure | |
| JP2001281160A (en) | Inspecting device and inspecting method, and manufacturing method of mask | |
| JP2626637B2 (en) | Positioning method | |
| JP3069215B2 (en) | Photomask pattern evaluation method and apparatus, and pattern transfer method |