JP2875675B2 - Liquid crystal display device and driving method thereof - Google Patents

Liquid crystal display device and driving method thereof

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JP2875675B2 JP1376792A JP1376792A JP2875675B2 JP 2875675 B2 JP2875675 B2 JP 2875675B2 JP 1376792 A JP1376792 A JP 1376792A JP 1376792 A JP1376792 A JP 1376792A JP 2875675 B2 JP2875675 B2 JP 2875675B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は強誘電性液晶表示装置に
関する。さらに詳しくは、階調表示の可能な強誘電性液
晶表示装置および、これを薄膜トランジスタを用いて駆
動する強誘電性液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ferroelectric liquid crystal display. More specifically, the present invention relates to a ferroelectric liquid crystal display device capable of gradation display and a ferroelectric liquid crystal display device driven by using a thin film transistor.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在、液晶表示素子は時計、電卓はもと
より、ワープロ、パソコンなどのOA機器、ポケットテ
レビ、など幅広い分野において用いられているが、一般
に広く用いられている液晶表示素子はネマチック相を利
用したものである。
2. Description of the Related Art At present, liquid crystal display devices are used in a wide range of fields such as clocks and calculators, OA equipment such as word processors and personal computers, pocket televisions, and the like. It is a thing using.

【0003】ネマティック液晶を用いた液晶表示装置と
しては、ツイステッドネマティック型(Twisted
Nematic TN 型)液晶表示装置、スーパー
ツイステッド型(Supertwisted Bire
fringence Effect、SBE 型)液晶
表示装置などがある。
[0003] as a liquid crystal display device using a nematic liquid crystal, twisted Ted nematic (Twisted
Nematic TN type liquid crystal display device, super twisted wire (Supertwisted Wire)
(Fringence Effect, SBE type) liquid crystal display devices.

【0004】しかしながらツイステッドネマティック
(TN)型液晶表示素子では、走査線数の増加とともに
駆動マージンが狭くなり、十分なコントラストが得られ
なくなるという欠点が存在するため、大容量の表示素子
を作ることは困難である。このTN型液晶表示素子を改
良するためスーパーツイステッドネマチック(STN)
型液晶表示素子、ダブルレイヤースーパーツイステッド
ネマチック(DSTN)型液晶表示素子が開発されてい
るが、ライン数の増加と共にコントラスト、応答速度が
低下するので、現状では800×1024ライン程度の表示容
量が限界である。加えて、TN型、STN型、DSTN
型などのネマチック相を利用した表示素子は視野角が狭
いという大きな欠点を有している。また、コントラス
ト、応答速度とも十分に良い値は得られない。
However, a twisted nematic (TN) type liquid crystal display element has a drawback that a drive margin becomes narrower with an increase in the number of scanning lines and a sufficient contrast cannot be obtained. Have difficulty. Super twisted nematic (STN) to improve this TN type liquid crystal display element
Type liquid crystal display device and double layer super twisted nematic (DSTN) type liquid crystal display device have been developed, but as the number of lines increases, the contrast and response speed decrease, so the display capacity of about 800 x 1024 lines is currently limited. It is. In addition, TN type, STN type, DSTN
A display element using a nematic phase such as a mold has a large drawback that a viewing angle is narrow. In addition, sufficiently good values for contrast and response speed cannot be obtained.

【0005】一方、基板上に薄膜トランジスタ(TF
T)を配列したアクティブマトリックス方式の液晶表示
素子も開発され、1000×1000ライン等の大容量表示が可
能となり、高いコントラストが得られるようになった
が、通常はTN液晶を組み合わせるため、視野角、応答
速度の点で問題が残っていた。
On the other hand, a thin film transistor (TF)
An active matrix type liquid crystal display element with an array of T) has also been developed, which has enabled large-capacity display of 1000 × 1000 lines, etc., and high contrast has been obtained. However, there was a problem in response speed.

【0006】一方、従来のネマチック液晶代わりに、
キラルスメクチックC相などの強誘電性液晶を利用する
強誘電性液晶表示素子(N.A.ClarkandS.
T.Lagrewall,Appl.Phys.Let
t.,36,899(1980);特開昭56−107
216;米国特許第4367924号)が盛んに開発さ
れている。この液晶表示素子は、液晶分子の誘電異方性
を利用する電界効果型の前記ネマチック液晶表示装置と
は異なり、強誘電性液晶の自発分極の極性と電界の極性
とが整合するように分子がスイッチングする液晶表示素
子である。
[0006] On the other hand, in place of a conventional nematic liquid crystal,
A ferroelectric liquid crystal display device using a ferroelectric liquid crystal such as a chiral smectic C phase (NA Clarkand S. et al.
T. Lagrewall, Appl. Phys. Let
t. , 36 , 899 (1980);
216; U.S. Pat. No. 4,367,924) is being actively developed . The liquid crystal display device of this, unlike the field-effect of the nematic liquid crystal display device utilizing the dielectric anisotropy of liquid crystal molecules, the ferroelectric liquid crystal spontaneous polarization polarity and molecular as polarity and are aligned in the electric field Is a switching liquid crystal display element.

【0007】強誘電性液晶素子はキラルスメクチックC
相、キラルスメクチックF相、キラルスメクチックI相
などの強誘電性液晶を利用するものである。これらの強
誘電性液晶はらせん構造を有しているが、こられの強誘
電性液晶をそのらせんピッチよりセル厚の薄い液晶セル
に挟持すると、らせん構造がほどけ、図1に示すよう
に、液晶分子がスメクチック層法線にして傾き角θだ
け傾いて安定する領域と、逆方向にθだけ傾いて安定す
る領域とが混在する状態が実現できる。図1において、
Zはスメクチック相の層法線、nは液晶分子の長軸方向
(ディレクタ)、・および+は自発分極の向きを表す。
これに、図1において紙面に垂直な方向に電界を印加す
ることにより、液晶分子とその自発分極の向きを一様に
揃えることができ、印加する電界の極性を切り替えるこ
とによって2状態間のスイッチングを行うことができ
る。このスイッチングに伴い、セル内の強誘電性液晶で
は、複屈折光が変化するので2つの偏光子間に上記強誘
電性液晶素子を挟むことによって、透過光を制御するこ
とができる。さらに、電圧の印加を停止しても液晶分子
の配向は、界面の配向規制力によって電圧印加停止前の
状態に維持されるので、メモリ効果も得ることができ
る。また、スイッチング駆動に必要な時間は、液晶の自
発分極と電界が直接作用するためにμsecのオーダー
の高速応答を得ることができる。
The ferroelectric liquid crystal device is a chiral smectic C
Phase, a chiral smectic F phase, a chiral smectic I phase, or other ferroelectric liquid crystal. These ferroelectric liquid crystals have a helical structure, but when the ferroelectric liquid crystal is sandwiched between liquid crystal cells having a cell thickness smaller than the helical pitch, the helical structure is unwound, and as shown in FIG. an area for stably inclined by inclination angle θ liquid crystal molecules are against the normal smectic layers, a state where an area for stably coexist can be realized inclined by θ in the opposite direction. In FIG.
Z represents the layer normal to the smectic phase, n represents the major axis direction (director) of the liquid crystal molecules, and + represents the direction of spontaneous polarization.
In addition, by applying an electric field in a direction perpendicular to the paper surface in FIG. 1 , the direction of the liquid crystal molecules and their spontaneous polarization can be made uniform, and switching between the two states can be performed by switching the polarity of the applied electric field. It can be performed. With this switching, the birefringent light changes in the ferroelectric liquid crystal in the cell, so that the transmitted light can be controlled by sandwiching the ferroelectric liquid crystal element between two polarizers. Further, even if the application of the voltage is stopped, the alignment of the liquid crystal molecules is maintained in the state before the stop of the application of the voltage by the alignment regulating force at the interface, so that a memory effect can be obtained. In addition, as for the time required for the switching drive, a high-speed response on the order of μsec can be obtained because the spontaneous polarization of the liquid crystal and the electric field act directly.

【0008】以上のようにこの強誘電性液晶素子の特徴
としては双安定性、メモリー性、高速応答性などを挙げ
ることができ、加えて非常に広い視野角を有することを
大きな長所としてあげることができる。
As described above, the characteristics of the ferroelectric liquid crystal device include bistability, memory characteristics, high-speed response, and the like. In addition, having a very wide viewing angle is a great advantage. Can be.

【0009】強誘電性液晶素子は上記のような長所を有
しているが、大きな問題点の一つとして階調表示が難し
いということをあげることができる。強誘電性液晶の階
調表示には種々の方法が提案されているが、いずれも実
用上問題がある。提案されている主な手法を以下に示
す。 画素分割法(Proc. IDRC, 111 (1988).) 時間分割法(Proc. IDRC, 111 (1988).) 電荷制御法(IEEE Trans. Electron Devices,36, 18
95 (1989).)(J. Appl. Phys., 66, 1132 (1989).) 電界勾配法(第13回液晶討論会, 138 (1987).) (USP.4712877) (特開昭62-71929) (USP.4802744) テクスチャー法(Proc. SID, 32-2 (1991).) 単安定状態を用いる方法(特開昭63-143529)
The ferroelectric liquid crystal device has the above advantages, but one of the major problems is that it is difficult to display a gradation. Various methods have been proposed for gradation display of ferroelectric liquid crystal, but all have problems in practical use. The main methods proposed are shown below. Pixel division method (Proc. IDRC, 111 (1988).) Time division method (Proc. IDRC, 111 (1988).) Charge control method (IEEE Trans. Electron Devices, 36 , 18)
95 (1989).) (J. Appl. Phys., 66 , 1132 (1989).) Electric field gradient method (13th Liquid Crystal Symposium, 138 (1987).) (USP. 4712877). (USP.4802744) Texture method (Proc. SID, 32-2 (1991).) Method using monostable state (JP-A-63-143529)

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上記画素分割法方法
及び時間分割法は4階調,16階調などを得ることは
できるが、無限階調を得ることは難しい。また、電荷
制御法、電界勾配法テクスーチャー法は無限階調を
目指したものであるが、いずれも、強誘電性液晶素子の
2つの安定状態間の面積比率を制御しようとするもので
あり、現実的な量産を考えると困難な手法と言わざるを
得ない。の単安定状態を用いる方法は、単安定の強誘
電性液晶素子を用いたもので、無限階調が可能と記載が
あるが、正負の電圧のうち片方しか用いない。例えば、
無電界印加時に暗の状態にして、正のある値の電圧を印
加することにより透過光量を制御するわけであるが、負
の電圧を印加することがないため信頼性の点で極めて問
題である。
The above-mentioned pixel division method and time division method can obtain 4 gradations, 16 gradations, etc., but it is difficult to obtain infinite gradations. In addition, the charge control method and the electric field gradient method texture method aim at infinite gradation, but all of them aim at controlling the area ratio between two stable states of the ferroelectric liquid crystal element. Considering realistic mass production, it must be said that it is a difficult method. The method using the monostable state uses a monostable ferroelectric liquid crystal element and states that infinite gradation is possible, but only one of the positive and negative voltages is used. For example,
The amount of transmitted light is controlled by applying a positive voltage to a dark state when no electric field is applied. However, since no negative voltage is applied, this is extremely problematic in terms of reliability. .

【0011】本発明はこのような状況下でなされたもの
であり、強誘電性液晶素子の双安定状態間の比率を制御
するのではなしに、無限階調を実現する新手法を提供す
るものである。
The present invention has been made under such a circumstance, and provides a new method for realizing an infinite gradation without controlling the ratio between the bistable states of the ferroelectric liquid crystal element. is there.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の液晶表示装置は、少なくとも電極膜と配向
制御層とを有する一対の基板間に強誘電性液晶が充填さ
れた液晶セルの前後に、クロスニコル状態に配置した一
対の偏光板を設置し、電界無印加時の消光位の一つに該
偏光板の偏光方向を合わせた液晶表示装置に、10Hz
以上の矩形波電圧を印加し、該電圧の値に応じてみかけ
のチルト角を変化させて連続階調表示を得ることを特徴
とする。
In order to solve the above-mentioned problems, a liquid crystal display device according to the present invention comprises a liquid crystal cell in which a ferroelectric liquid crystal is filled between a pair of substrates having at least an electrode film and an alignment control layer. Before and after, a pair of polarizing plates arranged in a crossed Nicols state was installed, and a liquid crystal display device in which the polarization direction of the polarizing plate was adjusted to one of the extinction positions when no electric field was applied, to 10 Hz.
The above rectangular wave voltage is applied , and apparently according to the value of the voltage.
And continuous tone display is obtained by changing the tilt angle .

【0013】また、本発明は前記一対の基板のうち片
方の基板上に、複数の走査電極と複数の信号電極がマ
トリクス上に形成され、前記走査電極及び前記信号電極
の各交点に薄膜トランジスタが設けられていることを特
徴とする。
Further, the present invention is, on the one substrate of the pair of substrates, a plurality of scanning electrodes and a plurality of signal electrodes are formed in a matrix, thin film transistors at intersections of the scanning electrodes and the signal electrodes Is provided.

【0014】さらに、本発明の駆動方法は、上記液晶表
示装置において、前記走査電極より信号を送って薄膜ト
ランジスタをオンするのと同期させて、奇数フレームで
は信号電極に求める表示に対応するゼロまたは正の選択
電圧波形を印加し、偶数フレームでは信号電極に求める
表示に対応するゼロまたは負の選択電圧波形を印加する
ことを特徴とする。
Further, according to the driving method of the present invention, in the above-mentioned liquid crystal display device, in the odd-numbered frame, zero or positive signal corresponding to the display required for the signal electrode is synchronized with the turning on of the thin film transistor by sending a signal from the scanning electrode. And applying a zero or negative selection voltage waveform corresponding to the display required for the signal electrode in the even-numbered frames.

【0015】[0015]

【作用】少なくとも電極膜と配向制御層とを有する一対
の基板間に強誘電性液晶が充填された液晶セルの前後
に、クロスニコル状態に配置した一対の偏光板を設置
し、電界無印加時の消光位の一つに該偏光板の偏光方向
を合わせた液晶表示装置に、10Hz以上の矩形波電圧
を印加することにより、みかけのチルト角を電圧の値に
応じて変化させることにより、連続階調表示を得ること
を特徴とする強誘電性液晶表示装置が提供される。
A pair of polarizing plates arranged in a crossed Nicols state are installed before and after a liquid crystal cell filled with ferroelectric liquid crystal between a pair of substrates having at least an electrode film and an alignment control layer, and when no electric field is applied. By applying a rectangular wave voltage of 10 Hz or more to a liquid crystal display device in which the polarization direction of the polarizing plate is adjusted to one of the extinction positions of the above, the apparent tilt angle is changed according to the value of the voltage. There is provided a ferroelectric liquid crystal display device characterized by obtaining a gradation display.

【0016】従来、セル厚の薄いセルに強誘電性液晶を
充填した液晶素子では、螺旋がほどけ、双安定な2つの
状態が出現し、電界によってこの2つの状態間をスイッ
チングさせられることは知られていたが、これらの2つ
の状態間の中間的な状態は作り出せないと一般に信じら
れてきた。しかし、発明者らは電界印加状態においては
中間的な状態が作り出せることを見いだした。強誘電性
液晶セルに、0.5Hzの矩形波を印加して測定したチ
ルト角と電圧の関係を図2に示す。チルト角は層法線の
両側の消光位間の角度の1/2である。この図から明ら
かなように、電圧が高くなるにつれて、チルト角が大き
くなっていることが分かる。これには、電界誘起のチル
ト角増加という解釈も不可能ではないが、むしろ、液晶
セル内のディレクタプロファイルの変化による見掛けの
チルト角の変化と解釈した方が理に適っている。強誘電
性液晶素子における分子配列モデルの一例を図3に示す
(M. Koden et al., 第2回日韓情報ディスプレイ合同研
究会,EID91-47 (1991).)。図3(a)はC1U(C1
−ユニフォーム)配向における分子配向モデル。図3
(b)はC2配向の分子配向モデルである。強誘電性液
晶素子においては、分子は決してセルの上面から下面に
均一に配向しているわけではない。分子は、基板との界
面、およびシェブロン層の継ぎ目の面で規制を受けてお
り、このために歪みをもった配列を取らざるを得なくな
っている。これをディレクタプロファイルで描くと図4
のようになる。図4(a)はC1U(C1−ユニフォー
ム)配向、図4(b)はC2配向のディレクタプロファ
イルである。ここで、縦軸はセル厚、横軸はツイスト角
(セルを上面から見たときの液晶分子のディレクタの層
法線からの角度)である。θappは見掛けのコーン角で
ある。(図5参照)、ψ0は基板界面でのツイスト角,
ψINはシェブロンの継ぎ目でのツイスト角である。図4
の状態では、メモリ角θmは概ね、 θm=(ψ0IN)/2 で与えられる。
Conventionally, in a liquid crystal device in which a ferroelectric liquid crystal is filled in a cell having a small cell thickness, it is known that the helix is released and two bistable states appear, and switching between these two states can be performed by an electric field. It was generally believed that an intermediate state between these two states could not be created. However, the inventors have found that an intermediate state can be created in an electric field applied state. FIG. 2 shows the relationship between the tilt angle and the voltage measured by applying a rectangular wave of 0.5 Hz to the ferroelectric liquid crystal cell. The tilt angle is 1/2 of the angle between the extinction positions on both sides of the layer normal. As is apparent from this figure, the tilt angle increases as the voltage increases. It is not impossible to interpret this as an increase in the tilt angle induced by an electric field, but it is more reasonable to interpret it as a change in the apparent tilt angle due to a change in the director profile in the liquid crystal cell. An example of a molecular alignment model in a ferroelectric liquid crystal device is shown in FIG. 3 (M. Koden et al., 2nd Japan-Korea Information Display Joint Study Group, EID91-47 (1991)). FIG. 3A shows C1U (C1
-Uniform) Molecular orientation model in orientation. FIG.
(B) is a molecular orientation model of C2 orientation. In a ferroelectric liquid crystal device, molecules are not evenly aligned from the upper surface to the lower surface of the cell. Molecules are regulated at the interface with the substrate and at the seam surface of the chevron layer, which forces a strained arrangement. Drawing this with the director profile
become that way. FIG. 4A shows a director profile in C1U (C1-uniform) orientation, and FIG. 4B shows a director profile in C2 orientation. Here, the vertical axis represents the cell thickness, and the horizontal axis represents the twist angle (the angle from the layer normal of the director of the liquid crystal molecules when the cell is viewed from above). θ app is the apparent cone angle. (See FIG. 5), ψ 0 is the twist angle at the substrate interface,
ψ IN is the twist angle at the chevron seam. FIG.
In the state described above, the memory angle θ m is approximately given by θ m = (ψ 0 + ψ IN ) / 2.

【0017】さて、この状態にE1<E2<E3の順にあ
る各電界をかけたときのディレクタプロファイルの想定
図を図6に示す。図6(a)はC1U(C1−ユニフォ
ーム)配向、図6(b)はC2配向のものである。電界
が強くなるに従ってディレクタプロファイルが変化し、
消光位が変化することが説明でき、図2の結果をよく説
明できる。
FIG. 6 shows an assumed diagram of a director profile when electric fields in the order of E 1 <E 2 <E 3 are applied to this state. FIG. 6A shows a C1U (C1-uniform) orientation, and FIG. 6B shows a C2 orientation. The director profile changes as the electric field increases,
It can be explained that the extinction position changes, and the result of FIG. 2 can be well explained.

【0018】さて、図2においては、0.5V〜10V
の範囲でチルト角が電圧によって変化しているが、0.
5Vにおいて既にチルト角は10゜であり、このままで
は、0〜0.5Vの領域に不連続が生じることになる。
0.5V以下の領域について測定を行ったが、そのとき
の偏光顕微鏡観察結果を図7に示す。図7(a)のよう
に、全面均一の状態から電界印加によって反対にメモリ
したドメインが生じるケースがあった。これらのそれぞ
れの領域では電界の符号によって消光位が1〜4°程度
変化する。それゆえドメイン反転を起こさない領域
態は図6に示す電界Eを印加したときの状態と理解で
きる。すなわち、強誘電性液晶セル内の3つの界面にお
いて分子がスイッチングしておらずディレクタプロファ
イルが変化しているだけである。ドメイン反転を起こし
ている領域は、図6のE印加時のようなディレクタプ
ロファイル変化を起こしていると考えられる。最初から
UpとDownの2つのメモリ状態をもつ場合には、図
7(b)のように2つのメモリ状態間の面積比が変わる
だけである。これらのそれぞれの領域では電界の符号に
よって消光位が1〜4°程度変化する。それゆえドメイ
ン反転を起こさない領域状態は図6に示す電界E
印加したときの状態と理解できる。すなわち、強誘電性
液晶セル内の3つの界面において分子がスイッチングし
ておらずディレクタプロファイルが変化しているだけで
ある。ドメイン反転を起こしている領域は、図6のE
印加時のようなディレクタプロファイル変化を起こして
いると考えられる。逆に言えば、0.5V以上印加のと
きはE,Eの状態に対応しており、界面でのスイッ
チングを伴うディレクタプロファイル変化ということが
できる。ともかくこのままでは、連続階調は行い得な
い。
By the way, in FIG.
Although the tilt angle changes depending on the voltage in the range of 0.
At 5 V, the tilt angle is already 10 °, and if this is the case, discontinuity will occur in the range of 0 to 0.5 V.
The measurement was performed for a region of 0.5 V or less, and the result of observation with a polarizing microscope at that time is shown in FIG. As shown in FIG. 7A, there is a case where a domain that is oppositely stored is generated by applying an electric field from a uniform state of the entire surface. In each of these regions, the extinction position changes by about 1 to 4 ° depending on the sign of the electric field. Therefore Jo <br/> status of domain inversion does not cause an area can be understood as a state at the time of applying an electric field E 1 shown in FIG. That is, molecules are not switched at three interfaces in the ferroelectric liquid crystal cell, and only the director profile is changed. Regions undergoing domain inversion is considered to cause the director profile changes, such as when E 2 is applied in FIG. When two memory states, Up and Down, are provided from the beginning, only the area ratio between the two memory states changes as shown in FIG. 7B. In each of these regions, the extinction position changes by about 1 to 4 ° depending on the sign of the electric field. State of the region does not cause therefore domain inversion can be understood as a state at the time of applying the electric field E 1 shown in FIG. That is, molecules are not switched at three interfaces in the ferroelectric liquid crystal cell, and only the director profile is changed. The region where domain inversion has occurred is indicated by E 2 in FIG.
It is considered that the director profile changes as in the case of application. Conversely, when a voltage of 0.5 V or more is applied, it corresponds to the states of E 2 and E 3 , and it can be said that a director profile change accompanying switching at the interface. Anyway, continuous gradation cannot be performed as it is.

【0019】そこで、次に、図7(b)のように2つの
メモリ状態が混在する部分に、周波数を0.5〜60H
zまで変化させながら、電圧0〜10Vを印加しつつ偏
光顕微鏡で観察したところ、10Hz以下の周波数で
は、ドメインの面積の増減が極性の切り替えに伴って生
じるが、それ以上の周波数ではもはや2つの領域の境界
の移動は起こらないことを突き止めた。実際、図7
(a)のように均一にメモリしている状態に、10Hz
以上の周波数の矩形波電圧を印加したときには、図7
(b)のような状態は生じず、電圧によって明るさだけが
変化した。
Then, next, as shown in FIG. 7B, the frequency is set to 0.5 to 60H in a portion where two memory states are mixed.
Observed with a polarizing microscope while applying a voltage of 0 to 10 V while changing the voltage to z, at a frequency of 10 Hz or less, an increase or decrease in the area of the domain occurs with the switching of the polarity. It was determined that no movement of the boundaries of the territory occurred. In fact, FIG.
In the state where the memory is uniformly stored as shown in FIG.
When a rectangular wave voltage of the above frequency is applied, FIG.
The state as in (b) did not occur, and only the brightness changed with the voltage.

【0020】そこで、電界印加によって一方のメモリ状
態をとらせた強誘電性液晶素子の消光位にクロスニコル
の状態に設置した偏光板の偏光方向を一致させ、60H
zの矩形波を印加して透過光強度を測定した。強誘電性
液晶素子のメモリ角は2つの消光位間の角度の1/2と
するが、これは通常液晶のチルト角よりも小さい。この
状況を図8に示す。チルト角θは電界を十分(±20
V)印加したときの消光位間の角度の1/2である。測
定結果を図9に示す。図から分かるように、電圧が大き
くなるにつれて透過光量が連続的に増加している。この
特性を用いれば無限階調が可能であることが分かる。こ
の方法の場合、印加される電圧波形は正負のかたよりの
ないものであり、信頼性の点でも問題がない。
Therefore, the polarization direction of the polarizing plate placed in the crossed Nicols state is made coincident with the extinction position of the ferroelectric liquid crystal element in which one memory state is obtained by the application of an electric field.
The transmitted light intensity was measured by applying a rectangular wave of z. The memory angle of the ferroelectric liquid crystal element is set to 1/2 of the angle between the two extinction positions, which is usually smaller than the tilt angle of the liquid crystal. This situation is shown in FIG. The tilt angle θ is sufficient for the electric field (± 20
V) 1/2 of the angle between the extinction positions when applied. FIG. 9 shows the measurement results. As can be seen from the figure, the amount of transmitted light continuously increases as the voltage increases. It can be seen that infinite gradation is possible by using this characteristic. In this method, the applied voltage waveform has no positive or negative bias, and there is no problem in reliability.

【0021】[0021]

【0022】このような特性を生かした駆動法として
は、アクティブマトリクス駆動が上げられる。特に、薄
膜トランジスタを用いた駆動は好ましい。図10に薄膜
トランジスタ(TFT)を用いたアクテイブマトリクス
型液晶表示素子の等価回路を示す。液晶を駆動する場
合、走査線1より信号を送ってゲート電極Gに電界を印
加し、TFT3をONにする。これに同期させて信号線
2よりソース電極Sに信号を送ると、ドレイン電極Dを
通して液晶LC4に電荷が蓄積され、これによって生じ
る電界によって液晶が応答する。
As a driving method utilizing such characteristics, there is an active matrix driving. In particular, driving using a thin film transistor is preferable. FIG. 10 shows an equivalent circuit of an active matrix liquid crystal display element using a thin film transistor (TFT). When driving the liquid crystal, a signal is sent from the scanning line 1 to apply an electric field to the gate electrode G to turn on the TFT 3. When a signal is sent from the signal line 2 to the source electrode S in synchronization with this, charges are accumulated in the liquid crystal LC4 through the drain electrode D, and the liquid crystal responds by an electric field generated by this.

【0023】本発明の具体例を、1本の走査電極G,G
,...,Gn−1,G,Gn+1
n+2,..,G1−1,Gとk本の信号電極
,S,...,Sm,Sm+1,...,S
k−1,Skがマトリクス状に形成され、その各交点に
薄膜トランジスタ(TFT)を配列したアクティブマト
リクス基板に強誘電性液晶を組み合わせた図11に示す
ような液晶表示素子を用いて説明する。各交点のTFT
のゲート電極は走査電極に接続され、ソース電極は信号
電極に接続される。P1/1,P1/2,...
1/m,P1/m+1,...n/1
n/2,...n/m,Pn/m+1,...な
どは各交点に形成されたTFTのドレイン電極に接続さ
れた画素を示す。この液晶表示素子を駆動するための駆
動波形を図12に示す。
A specific example of the present invention is described by using one scan electrode G, G
2 ,. . . , G n−1 , G n , G n + 1 ,
G n + 2,. . , G 1-1 , G 1 and k signal electrodes S 1 , S 2 ,. . . , Sm, S m + 1 ,. . . , S
A description will be given using a liquid crystal display element as shown in FIG. 11, in which k-1 and Sk are formed in a matrix, and a ferroelectric liquid crystal is combined with an active matrix substrate in which thin film transistors (TFTs) are arranged at respective intersections. TFT at each intersection
Are connected to the scanning electrodes, and the source electrodes are connected to the signal electrodes. P 1/1 , P 1/2 ,. . . , P
1 / m , P1 / m + 1,. . . , P n / 1 ,
P n / 2,. . . , P n / m , P n / m + 1,. . . And the like indicate pixels connected to the drain electrode of the TFT formed at each intersection. FIG. 12 shows drive waveforms for driving this liquid crystal display element.

【0024】まず、t1の時間、走査電極G1より信号を
送ってTFTをONにする。これに同期して、G1に接
続された画素(P1/1,P1/2,P1/m,P1/m+1,P
1/k-1,P1/k、など)に求められる表示に対応するゼロ
または正の電圧を信号電極から印加する。次のt1の時
間にはG2より信号を送ってTFTをONにし、これに
同期させて信号電極から信号を送る。以下同様にして順
次各走査電極に接続したTFTをONにしてゆく。
Firstly, the time t 1, is turned ON TFT sends a signal from the scanning electrode G 1. In synchronization with this, the pixels connected to G 1 (P 1/1 , P 1/2 , P 1 / m , P 1 / m + 1 , P 1
1 / k-1 , P1 / k , etc.) are applied from the signal electrode to a zero or positive voltage corresponding to the display required. The time following t 1 ON the TFT sends a signal from the G 2, sends a signal from the signal electrodes in synchronism with this. Thereafter, similarly, the TFTs connected to the respective scanning electrodes are sequentially turned on.

【0025】さて、総ての走査電極より信号を送った
後、再びtの時間走査電極Gより信号を送ってTF
TをONにする。これに同期して、Gに接続された画
素(P1/1,P1/2,P1/m,P1/m+1
1/k−1, P1/k、など)に求められる表示に
対応するゼロまたは負の電圧を信号電極から印加する。
次のtの時間にはGより信号を送ってTFTをON
にし、これに同期させて信号電極からゼロまたは負の信
号を送る。以下同様にして順次各走査電極に接続したT
FTをONにしてゆく。このとき画素に印加される電圧
波形とそのときの透過光量変化の一例を図12に示す。
画素P1/1には大きな値の正負の電界が1フレームご
とに交互に印加され、この画素は白表示となる。画素P
に印加される電圧は最初の4フレームでは画素P
1/1に印加される電圧よりも小さく、このためP
1/2はP1/1よりも暗い表示となり、中間調表示が
得られる。5番目と6番目のフレームでは印加される電
圧はゼロとなり、この画素は黒表示に変化する。ここ
で、ひとつ大切なことは、偏光板の合わせ方と、電界印
加の符号の関係である。図12の場合には、負の電界を
印加たときに生じるメモリ状態の消光位に偏光板の偏
光方向を合わせなければならない。別の言い方をすれ
ば、正の電圧を印加した後に、画素にかかる電圧がゼロ
になるようにすると、黒表示が欲しいのに白表示となっ
てしまう。それゆえ、図12では2フレームで1セット
となり、電圧値を変化させるのは2フレームで形成され
る1対のフレームのうち、最初のフレームでのみ行わな
ければならない。
[0025] Now, after sending a signal from all of the scanning electrode, sends a signal from the time scanning electrode G 1 of t 1 again TF
Turn T ON. In synchronization with this, G pixels connected to the 1 (P 1/1, P 1/2, P 1 / m, P 1 / m + 1,
P 1 / k-1, P 1 / k, etc.) to zero or a negative voltage corresponding to the display signal electrodes or we mark pressurizing the sought.
ON the TFT is in the time following t 1 sends a signal from the G 2
And a zero or negative signal is sent from the signal electrode in synchronization with this. In the same manner as described above, T
Turn on FT. FIG. 12 shows an example of a voltage waveform applied to the pixel at this time and a change in transmitted light amount at that time.
Large positive and negative electric fields are alternately applied to the pixel P 1/1 for each frame, and this pixel performs white display. Pixel P
Pixel P is a voltage applied to the 1/2 in the first 4 frames
Smaller than the voltage applied to 1/1 , so that P
1/2 is darker than P 1/1 , and a halftone display is obtained. In the fifth and sixth frames, the applied voltage becomes zero, and this pixel changes to black display. Here, one important thing is the relationship between the method of aligning the polarizing plates and the sign of the electric field application. Figure in the case of 12 must align the polarization direction of the polarizing plate on the extinction position of the memory state occurs upon application of a negative electric field. In other words, if the voltage applied to the pixel is reduced to zero after the positive voltage is applied, white display is obtained when black display is desired. Therefore, in FIG. 12, one set is formed in two frames, and the voltage value must be changed only in the first frame of a pair of frames formed in two frames.

【0026】なお、カラーフィルタを組み合わせればカ
ラー表示を得ることができる。
A color display can be obtained by combining color filters.

【0027】以上説明したような本発明の強誘電性液晶
素子を用いると、以下の利点がある。
The use of the ferroelectric liquid crystal device of the present invention as described above has the following advantages.

【0028】まず、黒状態が求められるときには液晶に
電界がかからないため高コントラストが得られる。第2
に、各画素に印加する電圧を変えることで透過光量を変
えることができ、容易に階調表示を行うことができる。
第3に、1フレーム毎に印加電圧の極性を切り替えるた
め電化の偏りのない信頼性の高い液晶素子が得られれ
る。また、ネマチック液晶をTFTと組み合わせた素子
に比べて応答速度が速く、視野角が広いという長所があ
る。
First, when a black state is required, a high contrast is obtained because no electric field is applied to the liquid crystal. Second
In addition, by changing the voltage applied to each pixel, the amount of transmitted light can be changed, and gradation display can be easily performed.
Third, since the polarity of the applied voltage is switched for each frame, a highly reliable liquid crystal element without bias in electrification can be obtained. In addition, there are advantages that the response speed is faster and the viewing angle is wider than an element in which a nematic liquid crystal is combined with a TFT.

【0029】配向処理層の形成法としては、ラビング
法、斜方蒸着法などがあるが、大画面の液晶表示素子の
量産化の場合にはラビング法が有利である。ラビング法
の場合、配向膜を形成した後、ラビング処理を施すわけ
であるが、パラレルラビング法(一対の基板の両方にラ
ビング処理を施しラビング方向が同一になるように貼り
合わせる方法)、アンチパラレルラビング法(一対の基
板の両方にラビング処理を施しラビング方向が逆になる
ように貼り合わせる方法)、片ラビング法(一対の基板
の片方にのみラビング処理を施す方法)がある。本発明
の強誘電性液晶素子の場合、いずれの配向法も用いるこ
とができるが、薄膜トランジスタを形成しないほうの基
板にのみラビング処理を施す片ラビング法が特に好まし
い。その理由としては以下の2つを上げることができ
る。まず第1に、薄膜トランジスタを形成しない基板の
方が平坦であり、均一なラビング処理が容易にできるか
らである。第2に、薄膜トランジスタを形成した基板に
ラビング処理を施すと、その処理によって生じる静電気
によって、薄膜トランジスタの特性が変化したり、配線
間の絶縁破壊が生じたりし易いためである。
As a method for forming the alignment treatment layer, there are a rubbing method, an oblique vapor deposition method, and the like. In the case of mass production of a large-screen liquid crystal display device, the rubbing method is advantageous. In the case of the rubbing method, a rubbing treatment is performed after forming an alignment film. A parallel rubbing method (a method in which both substrates are rubbed and bonded so that the rubbing directions are the same), an anti-parallel method. There are a rubbing method (a method in which rubbing is performed on both of a pair of substrates and bonding is performed so that the rubbing directions are reversed), and a single rubbing method (a method in which rubbing is performed on only one of the pair of substrates). In the case of the ferroelectric liquid crystal device of the present invention, any alignment method can be used, but a single rubbing method in which a rubbing treatment is performed only on a substrate on which a thin film transistor is not formed is particularly preferable. The following two reasons can be cited. First, a substrate on which a thin film transistor is not formed is flatter, and uniform rubbing can be easily performed. Second, when a rubbing treatment is performed on a substrate on which a thin film transistor is formed, static electricity generated by the rubbing treatment easily changes characteristics of the thin film transistor and causes dielectric breakdown between wirings.

【0030】尚、上記薄膜トランジスタは、a−Siを
半導体膜とするものやpoly−Siを半導体膜として
いるもの等を使用することができる。
The above-mentioned thin film transistor may be formed by using a-Si as a semiconductor film or poly-Si as a semiconductor film.
It can be used as such have use.

【0031】[0031]

【実施例】【Example】

<実施例1>パターンニングしたITO膜を形成した一
対のガラス基板上にそれぞれ絶縁膜を形成し、ポリイミ
ドPSI−A−2001(チッソ社製)をスピンコート
し、ラビングした。この一対のガラス基板をラビング方
向が平行となるように、セル厚2μmで貼り合わせ、表
1に示す組成の強誘電性液晶組成物を真空注入した。こ
の液晶組成物の物性を表1にあわせて示す。
<Example 1> An insulating film was formed on each of a pair of glass substrates on which a patterned ITO film was formed, and polyimide PSI-A-2001 (manufactured by Chisso Corporation) was spin-coated and rubbed. The pair of glass substrates was bonded with a cell thickness of 2 μm so that the rubbing directions became parallel, and a ferroelectric liquid crystal composition having the composition shown in Table 1 was vacuum-injected. Table 1 shows the physical properties of the liquid crystal composition.

【0032】作製した強誘電性液晶セルを偏光顕微鏡に
セットし、25℃において、0.5Hzの矩形波を印加
しつつチルト角を測定した。チルト角は矩形波印加時の
2つの消光位間の角度の1/2で定義した。結果を図2
に示す。電圧によってチルト角が変化することが分か
る。ただし、0.5V以下のときには、図7に示すよう
に、2つのメモリ状態の面積が増減するにとどまった。
The fabricated ferroelectric liquid crystal cell was set on a polarizing microscope, and the tilt angle was measured at 25 ° C. while applying a rectangular wave of 0.5 Hz. The tilt angle was defined as 角度 of the angle between two extinction positions when a rectangular wave was applied. Figure 2 shows the results.
Shown in It can be seen that the tilt angle changes depending on the voltage. However, when the voltage is 0.5 V or less, the area of the two memory states only increases or decreases as shown in FIG.

【0033】<実施例2>実施例1で用いた強誘電性液
晶セルを偏光顕微鏡にセットし、25℃において、60
Hzの矩形波を印加しつつ偏光顕微鏡で観察したとこ
ろ、ドメイン境界の移動は見られなかった。
<Example 2> The ferroelectric liquid crystal cell used in Example 1 was set in a polarizing microscope,
When observed with a polarizing microscope while applying a rectangular wave of Hz, no movement of the domain boundary was observed.

【0034】<実施例3>実施例1で用いた強誘電性液
晶セルを偏光顕微鏡にセットし、25℃において、60Hzの
矩形波を印加しつつ透過光強度を測定した。結果を図9
に示す。電圧によって透過光量が連続的に変化すること
が分かる。
Example 3 The ferroelectric liquid crystal cell used in Example 1 was set in a polarizing microscope, and the transmitted light intensity was measured at 25 ° C. while applying a 60 Hz rectangular wave. FIG. 9 shows the results.
Shown in It can be seen that the amount of transmitted light changes continuously with the voltage.

【0035】[0035]

【発明の効果】本発明の強誘電性液晶表示装置によれ
ば、ドメイン変調方式を用いない連続階調表示が実現で
また、本発明における強誘電性液晶は得ることが
容易な、2つの消光位を示す強誘電性液晶を用いて実現
できるため、その液晶表示装置についてはその製造過程
でも、歩留まり、製造コスト、信頼性などの点で良好
な、かつ有利なものとなる。 さらに、本発明による強誘
電性液晶表示装置をアクティブマトリクス駆動すること
により、大容量、広視野角、高コントラスト、無限階調
表示及びフルカラー表示の可能な液晶表示装置を得るこ
とができる。
According to the ferroelectric liquid crystal display device of the present invention,
If, that-out <br/> continuous tone display without using a domain modulation scheme in realization. Further, the ferroelectric liquid crystal of the present invention can be obtained.
Achieved by using ferroelectric liquid crystal that shows two extinction positions easily
Manufacturing process for the liquid crystal display device.
But good in terms of yield, manufacturing cost, reliability, etc.
And is advantageous. In addition, the present invention
Active matrix driving of the electro- optical liquid crystal display device can provide a liquid crystal display device capable of large capacity, wide viewing angle, high contrast, infinite gradation display, and full color display.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】強誘電性液晶素子のスイッチングを説明するた
めの模式図である。
FIG. 1 is a schematic diagram for explaining switching of a ferroelectric liquid crystal element.

【図2】強誘電性液晶の電圧とチルト角の関係を示す説
明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a relationship between a voltage of a ferroelectric liquid crystal and a tilt angle.

【図3】強誘電性液晶素子の分子配向モデルを示す説明
図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a molecular orientation model of a ferroelectric liquid crystal element.

【図4】強誘電性液晶素子のディレクタプロファイルを
示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a director profile of a ferroelectric liquid crystal element.

【図5】見掛けのコーン角を説明するための説明図であ
る。
FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining an apparent cone angle.

【図6】電界印加時のディレクタプロファイルの変化の
様子を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing how a director profile changes when an electric field is applied.

【図7】弱電界印加時のスイッチングの様子を示す偏光
顕微鏡の模式図である。
FIG. 7 is a schematic diagram of a polarizing microscope showing a state of switching when a weak electric field is applied.

【図8】本発明の強誘電性液晶素子の配置図である。FIG. 8 is a layout view of the ferroelectric liquid crystal element of the present invention.

【図9】本発明の強誘電性液晶素子における印加電圧と
透過光量変化の関係を示す説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing a relationship between an applied voltage and a change in transmitted light amount in the ferroelectric liquid crystal element of the present invention.

【図10】アクティブマトリクス型液晶表示について説
明するための等価回路図である。
FIG. 10 is an equivalent circuit diagram for describing an active matrix liquid crystal display.

【図11】本発明のアクティブマトリクス型反強誘電性
液晶素子を説明するための説明図である。
FIG. 11 is an explanatory diagram for explaining an active matrix type antiferroelectric liquid crystal element of the present invention.

【図12】本発明の駆動法について説明するための説明
図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram for describing a driving method according to the present invention.

【符号の説明】 1:走査線 2:信号線 3:薄膜トランジスタ 4:強誘電性液晶[Explanation of Signs] 1: Scanning line 2: Signal line 3: Thin film transistor 4: Ferroelectric liquid crystal

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 少なくとも電極膜と配向制御層とを有す
る一対の基板間に双安定性を示す強誘電性液晶が充填さ
れた液晶セルの前後に、クロスニコル状態に配置した一
対の偏光板を設置し、前記強誘電性液晶の消光位が層法
線と一致せず、電圧無印加時の消光位の一つに前記偏光
板の偏光方向を合わせた液晶表示装置に、10Hz以上
の矩形波電圧を印加し、該電圧の値に応じてみかけのチ
ルト角を変化させて連続階調表示を得ることを特徴とす
る液晶表示装置。
1. A pair of polarizing plates arranged in a crossed Nicols state before and after a liquid crystal cell filled with a ferroelectric liquid crystal exhibiting bistability between a pair of substrates having at least an electrode film and an alignment control layer. The extinction level of the ferroelectric liquid crystal does not match the layer normal, and the polarization direction of the polarizing plate is adjusted to one of the extinction levels when no voltage is applied. A liquid crystal display device, wherein a voltage is applied, and an apparent tilt angle is changed in accordance with the value of the voltage to obtain a continuous tone display.
【請求項2】 前記一対の基板のうち片方の基板上に、
複数の走査電極と複数の信号電極とがマトリクス状に形
成され、前記走査電極及び前記信号電極の各交点に薄膜
トランジスタが設けられたことを特徴とする請求項1記
載の液晶表示装置。
2. The method according to claim 1, wherein one of the pair of substrates is provided on one of the substrates.
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a plurality of scanning electrodes and a plurality of signal electrodes are formed in a matrix, and a thin film transistor is provided at each intersection of the scanning electrodes and the signal electrodes.
【請求項3】 少なくとも電極膜と配向制御層とを有す
る一対の基板間に双安定性を示す強誘電性液晶が充填さ
れた液晶セルの前後に、クロスニコル状態に配置した一
対の偏光板を設置し、前記強誘電性液晶の消光位が層法
線と一致せず、電界無印加時の消光位の一つに前記偏光
板の偏光方向を合わせて構成され、かつ、前記一対の基
板のうち片方の基板上に、複数の走査電極と複数の信号
電極とがマトリクス状に形成され、前記走査電極及び前
記信号電極の各交点にアクティブ素子が設けられてなる
液晶表示装置に、10Hz以上の矩形波電圧を印加し、
該電圧の値に応じてみかけのチルト角を変化させて連続
階調表示を得るようにした液晶表示装置の駆動方法であ
って、 前記走査電極より信号を送ってアクティブ素子をオンす
るのと同期させて、奇数フレームでは信号電極に求める
表示に対応するゼロまたは正の選択電圧波形を印加し、
偶数フレームでは信号電極に求める表示に対応するゼロ
または負の選択電圧波形を印加することを特徴とする液
晶表示装置の駆動方法。
3. A pair of polarizing plates disposed in a crossed Nicols state before and after a liquid crystal cell filled with bistable ferroelectric liquid crystal between a pair of substrates having at least an electrode film and an alignment control layer. Installed, the extinction position of the ferroelectric liquid crystal does not coincide with the layer normal, the polarization direction of the polarizing plate is configured to match one of the extinction positions when no electric field is applied, and the pair of substrates A plurality of scanning electrodes and a plurality of signal electrodes are formed in a matrix on one of the substrates, and an active element is provided at each intersection of the scanning electrodes and the signal electrodes. Apply a square wave voltage,
A method of driving a liquid crystal display device in which an apparent tilt angle is changed according to a value of the voltage to obtain a continuous tone display, wherein a signal is sent from the scan electrode to turn on an active element. Then, in the odd-numbered frames, a zero or positive selection voltage waveform corresponding to the display required for the signal electrode is applied,
A method for driving a liquid crystal display device, wherein a zero or negative selection voltage waveform corresponding to a display required for a signal electrode is applied to a signal electrode in an even frame.
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