JP2872659B2 - Information recording / reproducing device - Google Patents
Information recording / reproducing deviceInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は情報記録再生装置に
関する。更に詳しくは、走査型トンネル顕微鏡(ST
M)を利用した情報記録再生装置に関する。[0001] The present invention relates to an information recording / reproducing apparatus. More specifically, a scanning tunneling microscope (ST
M).
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、メモリ材料の用途は、コンピュー
タ及びその関連機器、ビデオディスク、ディジタルオー
ディオディスク等のエレクトロニクス産業の中核をなす
ものであり、その材料開発も極めて活発に進んでいる。
メモリ材料に要求される性能は用途により異なるが、一
般的には、 高密度で記録容量が大きい、 記録再生の応答速度が早い、 消費電力が少ない、 生産性が高く、価格が安い、 などが挙げられる。2. Description of the Related Art In recent years, the use of memory materials is at the core of the electronics industry such as computers and related equipment, video disks, digital audio disks, and the like, and the development of such materials has been very active.
The performance required for memory materials varies depending on the application, but in general, high density, large recording capacity, fast response time for recording and reproduction, low power consumption, high productivity, low price, etc. No.
【0003】従来までは磁性体や半導体を素材とした半
導体メモリや磁気メモリが主であったが、近年、レーザ
ー技術の進展にともない、有機色素、フォトポリマーな
どの有機薄膜を用いた光メモリによる安価で高密度な記
録媒体が登場してきた。Conventionally, semiconductor memories and magnetic memories using magnetic materials or semiconductors as materials have been mainly used. However, in recent years, with the development of laser technology, inexpensive optical memories using organic thin films such as organic dyes and photopolymers have been developed. And high-density recording media have appeared.
【0004】一方、最近、導体の表面原子の電子構造を
直接観察できる走査型トンネル顕微鏡(以後、STMと
略す)が開発され[G.Binnig et al P
hys.Rev.Lett,49,57(198
2)]、単結晶、非晶質を問わず実空間像の高い分解能
の測定ができるようになり、しかも試料に対し電流によ
る損傷を与えずに低電力で観測できる利点も有し、更に
大気中でも動作し、種々の材料に対して用いることがで
きるため広範囲な応用が期待されている。On the other hand, recently, a scanning tunneling microscope (hereinafter abbreviated as STM) capable of directly observing the electronic structure of surface atoms of a conductor has been developed [G. Binnig et al P
hys. Rev .. Lett, 49, 57 (198
2)], high resolution measurement of a real space image can be performed regardless of whether it is single crystal or amorphous, and it has the advantage that it can be observed with low power without damaging the sample by current. Above all, it operates and can be used for various materials, so that a wide range of applications is expected.
【0005】STMは金属の探針(プローブ電極)と導
電性物質間に電圧を加えて1nm程度距離まで近づける
とトンネル電流が流れることを利用している。この電流
は両者の距離変化に非常に敏感である。トンネル電流を
一定に保つように探針を走査することにより実空間の全
電子雲に関する種々の情報をも読み取ることができる。
この際、面内方向の分解能は0.1nm程度である。[0005] The STM utilizes the fact that a tunnel current flows when a voltage is applied between a metal probe (probe electrode) and a conductive material to approach a distance of about 1 nm. This current is very sensitive to changes in the distance between them. By scanning the probe so as to keep the tunnel current constant, it is possible to read various kinds of information on all electron clouds in the real space.
At this time, the resolution in the in-plane direction is about 0.1 nm.
【0006】したがって、STMの原理を応用すれば十
分に原子オーダー(サブ・ナノメートル)での高密度記
録再生を行うことが可能である。例えば、特開昭61−
80536号公報に開示されている記録再生装置では、
電子ビーム等によって媒体表面に吸着した原子粒子を取
り除き書き込みを行い、STMによりこのデータを再生
している。また、米国特許明細書第4,575,822
号に開示されているように、記録媒体表面とプローブ電
極との間に流れるトンネル電流を用いて、媒体表面に形
成された誘導体層に電荷を注入し記録する、あるいは、
レーザー光、電子ビーム、粒子線等を用いて媒体表面の
物理的、ないし磁性的な崩壊によって記録する方法が提
案されている。Therefore, if the principle of STM is applied, it is possible to perform high-density recording / reproducing on the order of atoms (sub-nanometer). For example, JP-A-61-
In the recording / reproducing apparatus disclosed in Japanese Patent No. 80536,
Atomic particles adsorbed on the medium surface are removed by an electron beam or the like, writing is performed, and this data is reproduced by STM. No. 4,575,822.
As disclosed in US Pat. No. 6,064,098, using a tunnel current flowing between the recording medium surface and the probe electrode, injecting and recording an electric charge into a dielectric layer formed on the medium surface, or
A method has been proposed in which recording is performed by physical or magnetic collapse of the medium surface using a laser beam, an electron beam, a particle beam, or the like.
【0007】記録層として電圧電流のスイッチング特性
に対してメモリ効果を持つ材料、例えばπ電子系有機化
合物やカルコゲン化合物類の薄膜層を用いて、記録・再
生をSTMで行う方法が提案されている〔特開昭63−
161552号公報、特開昭63−161553号公
報〕。この方法によれば、記録のビットサイズを10n
mとすれば、1012bit/cm2 もの大容量記録再生
が可能である。A method has been proposed in which recording and reproduction are performed by STM using a material having a memory effect on the switching characteristics of voltage and current, for example, a thin film layer of a π-electron organic compound or chalcogen compound as a recording layer. [JP-A-63-
161552, JP-A-63-161553]. According to this method, the recording bit size is set to 10n.
Assuming that m, a large capacity recording / reproducing of 10 12 bit / cm 2 is possible.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところで、トンネル電
流を利用して情報の記録再生を行う場合、プローブ電極
と記録媒体表面との間隔制御を行う必要がある。しか
し、従来、情報の記録、再生に適した間隔制御は提案さ
れていなかった。When recording and reproducing information using a tunnel current, it is necessary to control the distance between the probe electrode and the surface of the recording medium. However, conventionally, no interval control suitable for recording and reproducing information has been proposed.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点に
鑑み、情報の記録、再生に適したプローブ電極と記録媒
体表面の間隔制御を備えた情報記録再生装置を提供する
ことを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above problems, and has as its object to provide an information recording / reproducing apparatus having a space between a probe electrode and a recording medium suitable for recording and reproducing information. I have.
【0010】そして、上記目的は、プローブを用いて記
録媒体上に情報の記録及び/又は再生を行う情報記録再
生装置において、プローブを介して得られた信号をピー
クホールドした信号と基準信号との差分を検出する手段
と、前記検出手段の検出した差分を補償するように前記
プローブと記録媒体との間隔を調整する手段とを備える
ことにより達成される。An object of the present invention is to provide an information recording / reproducing apparatus which records and / or reproduces information on a recording medium using a probe, in which a signal obtained by peak-holding a signal obtained via the probe is compared with a reference signal. This is achieved by providing means for detecting a difference, and means for adjusting the distance between the probe and the recording medium so as to compensate for the difference detected by the detecting means.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】次に、図面を用い本発明を詳細に
説明する。Next, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【0012】図1に本発明の情報記録再生装置の主要構
成を示す。101は記録媒体の基板、102は下部電
極、103は記録再生層、104はエッジ部形成のため
の電極パターン、121は記録再生領域、120はエッ
ジ部である。FIG. 1 shows the main configuration of an information recording / reproducing apparatus according to the present invention. 101 is a substrate of a recording medium, 102 is a lower electrode, 103 is a recording / reproducing layer, 104 is an electrode pattern for forming an edge portion, 121 is a recording / reproducing area, and 120 is an edge portion.
【0013】201は記録媒体を支持するステージ、こ
のステージはリニア・アクチュエータ206によりY軸
方向に駆動される。203は記録再生ヘッドで、プロー
ブ電極202を支持し、それぞれXまたはZ軸方向に駆
動するアクチュエータ205、204により位置制御さ
れる。A stage 201 supports a recording medium, and this stage is driven by a linear actuator 206 in the Y-axis direction. Numeral 203 denotes a recording / reproducing head which supports the probe electrode 202 and is position-controlled by actuators 205 and 204 which are driven in the X or Z-axis direction, respectively.
【0014】記録媒体表面とプローブ電極との間の距離
は記録媒体の表面とプローブ電極との間に流れるトンネ
ル電流により制御する。これはバイアス電圧VB により
記録媒体プローブ電極間に流れるトンネル電流を負荷抵
抗RL により検出し、アンプ301により増幅され、プ
ローブ高さ検出回路302により適正プローブ高を決定
しZ軸駆動制御回路305によりプローブ高さが調整さ
れる。The distance between the surface of the recording medium and the probe electrode is controlled by the tunnel current flowing between the surface of the recording medium and the probe electrode. This is because a tunnel current flowing between the recording medium probe electrodes is detected by the load resistance RL by the bias voltage V B , amplified by the amplifier 301, and an appropriate probe height is determined by the probe height detection circuit 302. Adjusts the probe height.
【0015】記録再生領域121はエッジ120を基準
として決められる。即ち、X軸駆動制御部306及びア
クチュエータ205によりプローブ電極202はX軸方
向に走査する。このとき、プローブ電極がエッジ部12
0に接近するとプローブ電極とエッジ部の電極の間でト
ンネル電流が急激に増加する。この急激に増加するトン
ネル電流をエッジ検出器303で検出する。この検出信
号によりX軸駆動制御回路はプローブの走査方向を反転
する。そして、ある一定の時間を経過後再びプローブ電
極の走査方向を反転しエッジ部に向かう方向に走査す
る。このとき、Y軸駆動制御回路に対し駆動信号を送り
Y軸方向に1ステップ分ステージを移動させる。The recording / reproducing area 121 is determined based on the edge 120. That is, the probe electrode 202 scans in the X-axis direction by the X-axis drive control unit 306 and the actuator 205. At this time, the probe electrode is
When approaching zero, the tunnel current increases rapidly between the probe electrode and the electrode at the edge. This rapidly increasing tunnel current is detected by the edge detector 303. The X-axis drive control circuit reverses the scanning direction of the probe according to this detection signal. After a certain period of time has elapsed, the scanning direction of the probe electrode is reversed again, and scanning is performed in the direction toward the edge. At this time, a drive signal is sent to the Y-axis drive control circuit to move the stage by one step in the Y-axis direction.
【0016】以上の動作を繰り返すことによりプローブ
電極は常にエッジ部に沿ってかつエッジ部に対してある
角度をもって記録再生領域を走査することが出来る。By repeating the above operation, the probe electrode can always scan the recording / reproducing area along the edge and at a certain angle with respect to the edge.
【0017】記録媒体に対して記録を行う場合は、プロ
ーブ電極がエッジ部120を検出しX軸方向に反転走査
を行う時点を基準としデータ変調器308よりSWを通
じてプローブ電極より書き込み電圧を印加する。このと
きプローブ電極がX軸方向に一定時間走査し再びエッジ
部方向に反転走査を開始するまでの間、一連のデータパ
ルス列を記録する。When recording is performed on a recording medium, a write voltage is applied from the probe electrode through the SW by the data modulator 308 with reference to the time when the probe electrode detects the edge portion 120 and performs reverse scanning in the X-axis direction. . At this time, a series of data pulse trains are recorded until the probe electrode scans in the X-axis direction for a fixed time and starts reverse scanning again in the edge direction.
【0018】この記録動作をプローブ電極がエッジ部1
20を検出する毎に行うことによりエッジ部に対し、あ
る角度をもったデータ列が書き込まれ、更にY軸のステ
ージがこれに同期して順次送られ2次元的にデータ記録
された領域121が形成される。In this recording operation, the probe electrode is moved to the edge portion 1.
20 is performed every time a 20 is detected, a data string having a certain angle is written to the edge portion, and the Y-axis stage is sequentially sent in synchronization with this, and an area 121 where two-dimensional data is recorded is obtained. It is formed.
【0019】再生時は記録時と同様にエッジ部を基準と
してプローブ電極を走査する。このときプローブ電極の
X軸走査方向と記録されているデータ列との方位調整
は、特公昭54−15727号公報に開示されているよ
うな所謂ウオブリング法によってもよいし、2次元的に
領域走査を行いパターンマッチング等の手法によってデ
ータを復調する際に補正してもよい。At the time of reproduction, the probe electrode is scanned on the basis of the edge portion as in the case of recording. At this time, the azimuth adjustment between the X-axis scanning direction of the probe electrode and the recorded data sequence may be performed by the so-called wobbling method disclosed in Japanese Patent Publication No. 54-15727, or by two-dimensional area scanning. May be corrected when demodulating data by a method such as pattern matching.
【0020】図2(a)に記録媒体表面におけるデータ
記録の様子を示す。122はデータの記録ビット、12
3(実線矢印)はプローブ電極がエッジ部から遠ざかる
方向に走査したときのプローブ先端の軌跡、124(破
線矢印)はプローブ電極がエッジ部に向かうときのプロ
ーブ先端の軌跡である。FIG. 2A shows a state of data recording on the surface of the recording medium. 122 is a data recording bit, 12
Reference numeral 3 (solid arrow) indicates the trajectory of the probe tip when the probe electrode scans away from the edge, and reference numeral 124 (dashed arrow) indicates the trajectory of the probe tip when the probe electrode moves toward the edge.
【0021】図2(b)にエッジ部120が完全な直線
ではなく乱れがある場合について示す。このような場合
においてもエッジ部に追随するようにデータ列が書き込
まれるため記録再生においては何の支障もない。即ち、
エッジ部の形状は仕上り精度に対する許容値が大きく、
またストライプ状、スパイラル状など任意の型にするこ
とも可能である。FIG. 2B shows a case where the edge portion 120 is not a perfect straight line but is disturbed. Even in such a case, since the data sequence is written so as to follow the edge portion, there is no problem in recording and reproduction. That is,
The shape of the edge part has a large tolerance for the finishing accuracy,
It is also possible to use an arbitrary shape such as a stripe shape or a spiral shape.
【0022】また、エッジ部にそって2次元走査が行わ
れるという特徴からこのエッジを用いてプローブ電極を
任意のデータ記録領域に導くことができる。例えば、記
録媒体を最初に記録再生装置に設置した場合、プローブ
電極と記録媒体の記録領域との位置関係は取り付けの機
械精度により誤差が生じている。この誤差は通常10〜
100μm程度ある。これはデータ記録領域に比べ非常
に大きい。しかしこのエッジ検出走査を用いることによ
り容易にデータ領域を見出しトラッキングすることがで
きる。Further, since the two-dimensional scanning is performed along the edge portion, the probe electrode can be guided to an arbitrary data recording area by using the edge. For example, when a recording medium is first installed in a recording / reproducing apparatus, an error occurs in the positional relationship between the probe electrode and the recording area of the recording medium due to the mechanical accuracy of mounting. This error is usually 10
About 100 μm. This is much larger than the data recording area. However, by using this edge detection scanning, the data area can be easily found and tracked.
【0023】本発明で用いられる記録媒体の記録層はプ
ローブ電極と記録層との間に流れるトンネル電流により
記録層に書込まれた情報を検出できるものであればどの
ような材料でも用いることができる。たとえば、表面に
凹凸を形成し記録するものではHOPG(Highly
−Oriented−Pyrolithic−Grap
hite)劈開基板、Siウエハー、真空蒸着またはエ
ピタキシャル成長させたAu,Ag,Pt,Mo,Cu
などの金属薄膜、Ph25Zr75、Co35Tb65などのガ
ラス金属が挙げられる。表面の電子状態により記録する
ものではアモルファスSi、π電子系有機化合物やカル
コゲン化合物類の薄膜層等が挙げられる。The recording layer of the recording medium used in the present invention may be made of any material that can detect information written in the recording layer by a tunnel current flowing between the probe electrode and the recording layer. it can. For example, in the case of recording by forming irregularities on the surface, HOPG (Highly
-Oriented-Pyrolithic-Graph
h) Cleaved substrate, Si wafer, Au, Ag, Pt, Mo, Cu grown by vacuum evaporation or epitaxial growth
Metal thin film such as, include glass metals such as Ph 25 Zr 75, Co 35 Tb 65. In the case of recording based on the electronic state of the surface, a thin film layer of amorphous Si, a π-electron organic compound, a chalcogen compound, or the like can be given.
【0024】また上記記録媒体の形状及び基板材料はあ
らゆる形態のものが適用できる。たとえば、形状ではス
トライプ状のエッジ部形成に適したカード状またはテー
プ状基板、スパイラル状のエッジ部形成に適したディス
ク状基板等が挙げられ、材料ではHOPG、マイカなど
の劈開性結晶基板、Si、サファイア、MgOなどの表
面を研磨した結晶基板、溶融石英、コーニング7059
番ガラスなどが挙げられる。さらにテープ状媒体の基板
材料としても用いることができる材料として、ポリカー
ボネート、アクリル、PEEK、PET、ナイロンなど
が挙げられる。The recording medium may have any shape and substrate material. For example, the shape may be a card-shaped or tape-shaped substrate suitable for forming a stripe-shaped edge portion, a disk-shaped substrate suitable for forming a spiral-shaped edge portion, or the like. The material may be a cleavage crystal substrate such as HOPG or mica, or Si. , Sapphire, crystal substrate with polished surface such as MgO, fused quartz, Corning 7059
Watch glass and the like. Further, as a material that can be used also as a substrate material of the tape-shaped medium, polycarbonate, acrylic, PEEK, PET, nylon, and the like can be given.
【0025】図3に本発明で用いられる記録媒体の第1
の形態例を示す。以下図に従って説明する。FIG. 3 shows a first example of the recording medium used in the present invention.
An example of the embodiment will be described. This will be described below with reference to the drawings.
【0026】101は基板、102は下部電極、103
は記録層、104はエッジ形成のための電極である。101 is a substrate, 102 is a lower electrode, 103
Is a recording layer, and 104 is an electrode for forming an edge.
【0027】プローブ電極はa点より案内され、ストラ
イプ状電極104のエッジにそって順次走査しb点に抜
ける。プローブ電極の案内部a点に於ては、電極104
によるエッジ部が漏斗状に広がっており、プローブ電極
と記録媒体との機械的設置誤差を補償する。すなわちプ
ローブ電極がこの漏斗状のエッジに誘導されることによ
り記録領域へと導かれる。The probe electrode is guided from the point a, sequentially scans along the edge of the striped electrode 104, and escapes to the point b. At the point a of the guide portion of the probe electrode, the electrode 104
The edge portion of the recording medium expands in a funnel shape, thereby compensating for a mechanical installation error between the probe electrode and the recording medium. That is, the probe electrode is guided to the recording area by being guided to the funnel-shaped edge.
【0028】次に、記録媒体の製造方法を図6(a)〜
(c)の製造工程別断面図に従って説明する。Next, a method of manufacturing a recording medium will be described with reference to FIGS.
The description will be given with reference to the cross-sectional views of FIG.
【0029】図6(a)に示すように、大気中で劈開し
たマイカ基板101上に金を真空蒸着法で全面にエピタ
キシャル成長させ下部電極層102を形成する。該下部
電極層の形成は基板温度を500℃に保ち、蒸着速度1
0Å/sec、蒸着時圧力5×10-6Torr、膜厚5
000Åの条件で行った。As shown in FIG. 6A, a lower electrode layer 102 is formed by epitaxially growing gold on the entire surface of a mica substrate 101 cleaved in the air by a vacuum deposition method. The lower electrode layer was formed by maintaining the substrate temperature at 500 ° C. and at a deposition rate of 1
0 ° / sec, deposition pressure 5 × 10 −6 Torr, film thickness 5
The test was performed under the condition of 000 °.
【0030】続いて図6(b)に示すように、下部電極
層102上にLB法を用いてポリイミド単分子累積膜の
2層累積膜(膜厚8Å)を形成し、記録層103とす
る。Subsequently, as shown in FIG. 6B, a two-layer cumulative film (thickness: 8 °) of a polyimide monomolecular cumulative film is formed on the lower electrode layer 102 by using the LB method to form a recording layer 103. .
【0031】以下ポリイミド単分子累積膜の作成方法の
詳細を記す。The details of the method for forming the polyimide monomolecular cumulative film will be described below.
【0032】(3)式に示すポリアミック酸をN,N−
ジメチルアセトアミド溶媒に溶解させた(単量体換算濃
度1×10-3M)後、別途調整したN,N−ジメチルオ
クタデシルアミンの同溶媒による1×10-3M溶液とを
1:2(V/V)に混合して(4)式に示すポリアミッ
ク酸オクタデシルアミン塩溶液を調整した。The polyamic acid represented by the formula (3) is N, N-
After dissolving in a dimethylacetamide solvent (concentration in terms of monomer: 1 × 10 −3 M), a separately prepared 1 × 10 −3 M solution of N, N-dimethyloctadecylamine in the same solvent was mixed with 1: 2 (V / V) to prepare a polyamic acid octadecylamine salt solution represented by the formula (4).
【0033】[0033]
【外1】 [Outside 1]
【0034】係る溶液を水温20℃の純水からなる水相
上に展開し、水面上に単分子膜を形成した。溶媒除去
後、表面圧を25mN/mまで高めた。表面圧を一定に
保ちながら、上述下地電極付き基板を水面を横切る方向
に速度5mm/minで静かに浸漬した後、続いて5m
m/minで静かに引き上げて2層のY型単分子累積膜
を作成した。次に、係る基板を300℃で10分間の熱
処理を行い、ポリアミック酸オクタデシルアミン塩をイ
ミド化し(式(5))、The solution was spread on an aqueous phase composed of pure water at a water temperature of 20 ° C., and a monomolecular film was formed on the water surface. After removing the solvent, the surface pressure was increased to 25 mN / m. While keeping the surface pressure constant, the above-mentioned substrate with a base electrode was immersed gently in a direction crossing the water surface at a speed of 5 mm / min.
The film was pulled up gently at m / min to form a two-layer Y-type monomolecular cumulative film. Next, the substrate is heat-treated at 300 ° C. for 10 minutes to imidize the polyamic acid octadecylamine salt (formula (5)).
【0035】[0035]
【外2】 2層のポリイミド単分子累積膜を得た。[Outside 2] A two-layer polyimide single molecule cumulative film was obtained.
【0036】続いて、図6(c)に示すように、記録層
103上に真空蒸着法を用いて全面に金を500Å堆積
させフォトリソエッチング法により不要部の金属パター
ンをヨードカリ水溶液でエッチング除去することでライ
ン幅1μm、ピッチ2μmのエッジ形成電極104を形
成する。Then, as shown in FIG. 6C, gold is deposited on the entire surface of the recording layer 103 by a vacuum evaporation method at a thickness of 500.degree., And the unnecessary metal pattern is removed by etching with an aqueous solution of iodine by photolithography. Thus, the edge forming electrode 104 having a line width of 1 μm and a pitch of 2 μm is formed.
【0037】上記記録媒体によれば、 (1)トラッキングのためのエッジ部がフォトリソグラ
フィーで形成することが出来るので量産化に適しており
安価な記録媒体を提供できる。According to the above-mentioned recording medium, (1) an edge portion for tracking can be formed by photolithography, so that an inexpensive recording medium suitable for mass production can be provided.
【0038】(2)プローブ電極を記録媒体の記録領域
に導入するための案内部を容易に形成でき、記録媒体の
交換、取り付けの機械精度の許容範囲を広く取ることが
でき、よって記録再生装置の設計も容易となる。(2) A guide portion for introducing the probe electrode into the recording area of the recording medium can be easily formed, and the allowable range of mechanical accuracy for replacing and mounting the recording medium can be widened. Also becomes easy to design.
【0039】図4に本発明で用いられる記録媒体の第2
の形態例を示す。FIG. 4 shows a second example of the recording medium used in the present invention.
An example of the embodiment will be described.
【0040】101は基板、102はエッジ部が形成さ
れた下部電極、103は記録層である。202はプロー
ブ電極で、記録層の表面をエッジ部のストライプと垂直
方向に移動し任意のトラック(エッジ部の一つのストラ
イプ)へアクセスする。それぞれのトラックではプロー
ブ電極はエッジ部(この場合は凸側の記録層が記録再生
領域となる。)に沿って走査する。Reference numeral 101 denotes a substrate, 102 denotes a lower electrode having an edge portion, and 103 denotes a recording layer. Reference numeral 202 denotes a probe electrode which moves on the surface of the recording layer in a direction perpendicular to the stripe at the edge and accesses an arbitrary track (one stripe at the edge). In each track, the probe electrode scans along an edge portion (in this case, the recording layer on the convex side becomes a recording / reproducing area).
【0041】次に製造方法を図7(a)〜(c)の各製
造工程別の断面図に従って説明する。Next, the manufacturing method will be described with reference to the cross-sectional views of the respective manufacturing steps shown in FIGS.
【0042】まず図7(a)に示すように、大気中で劈
開したマイカ基板101上に金を真空蒸着法で全面にエ
ピタキシャル成長させ電極層102を形成する。該電極
層102の形成は基板温度を500℃に保ち、蒸着速度
10Å/sec、蒸着時圧力5×10-6Torr、膜厚
5000Åの条件で行った。First, as shown in FIG. 7A, an electrode layer 102 is formed by epitaxially growing gold on the entire surface of a mica substrate 101 cleaved in the air by a vacuum deposition method. The electrode layer 102 was formed at a substrate temperature of 500 ° C., a deposition rate of 10 ° / sec, a deposition pressure of 5 × 10 −6 Torr, and a film thickness of 5000 °.
【0043】さらに、図7(b)に示すよう通常のフォ
トリソエッチング法により電極層102をヨードカリ水
溶液からなるエッチング液に浸漬し、ライン幅1μmピ
ッチ2μm、深さ200Åの溝を形成し、段差部120
をエッジ部として持つ電極層を形成する。Further, as shown in FIG. 7B, the electrode layer 102 is immersed in an etching solution composed of an aqueous iodine solution by a usual photolithographic etching method to form a groove having a line width of 1 μm, a pitch of 2 μm, and a depth of 200 °. 120
Is formed as an edge portion.
【0044】続いて図7(c)に示すように電極層10
2上にLB法を用いてポリイミド単分子累積膜の2層累
積膜(膜厚8Å)を形成し、記録層103とした。Subsequently, as shown in FIG.
A two-layer cumulative film (thickness: 8 °) of a polyimide monomolecular cumulative film was formed on the sample No. 2 by using the LB method to form a recording layer 103.
【0045】ポリイミド単分子累積膜の作製は前述第1
の形態の製法と同様に行う。The production of the polyimide single molecule cumulative film is as described in the first embodiment.
This is performed in the same manner as in the manufacturing method of the embodiment.
【0046】第2の形態例の記録媒体によると、エッジ
部を下部電極上に形成できるので、エッジ形成のための
フォトリソエッチング工程において記録層がエッチング
液にさらされることがない。すなわち、記録層の形成は
製造工程の最後であり、あらゆる種類の材料の記録層を
適用することができる。According to the recording medium of the second embodiment, since the edge portion can be formed on the lower electrode, the recording layer is not exposed to the etching solution in the photolithography etching step for forming the edge. That is, the formation of the recording layer is the last of the manufacturing process, and the recording layer of any kind of material can be applied.
【0047】図5(a)、(b)に本発明で用いられる
記録媒体の第3の形態例を示す。図5(a)は平面図、
図5(b)は図5(a)のA−A′断面図である。FIGS. 5A and 5B show a third embodiment of the recording medium used in the present invention. FIG. 5A is a plan view,
FIG. 5B is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
【0048】101は円盤型の基板、102は下部電極
層、103は記録層である。105はイオン打ち込みに
より形成されたエッジ部である。Reference numeral 101 denotes a disk-shaped substrate, 102 denotes a lower electrode layer, and 103 denotes a recording layer. Reference numeral 105 denotes an edge portion formed by ion implantation.
【0049】このエッジ部は円盤型の基板上にスパイラ
ル状に形成する。基板を回転させながらプローブ電極を
案内することにより、スパイラル状のエッジにそって円
盤の外周から中心へあるいは中心から外周へと移動して
記録再生を行う。The edge is formed in a spiral shape on a disk-shaped substrate. By guiding the probe electrode while rotating the substrate, recording and reproduction are performed by moving the disk from the outer periphery to the center or from the center to the outer periphery along the spiral edge.
【0050】次に、この記録媒体の製造方法を図8
(a)〜(c)の各工程別断面図に従って説明する。Next, a method of manufacturing this recording medium will be described with reference to FIG.
The description will be made according to the cross-sectional views for each step of (a) to (c).
【0051】まず図8(a)に示すように大気中で劈開
したマイカ基板101上に金を真空蒸着法で前面にエピ
タキシャル成長させ電極層102を形成する。該電極層
の形成は基板温度を500℃に保ち、蒸着速度10Å/
sec、蒸着時圧力5×10-6Torr、膜厚5000
Åの条件で行った。First, as shown in FIG. 8A, an electrode layer 102 is formed on a mica substrate 101 cleaved in the air by epitaxial growth of gold on the front surface by a vacuum deposition method. The formation of the electrode layer is performed by keeping the substrate temperature at 500 ° C. and the deposition rate at 10 ° /
sec, deposition pressure 5 × 10 −6 Torr, film thickness 5000
The test was performed under the conditions of Å.
【0052】さらに図8(b)に示すように、前記電極
層102に収束イオンビーム装置を用いて矢印で示す方
向からシリコン(Si)元素を加速電圧80kV、ドー
ズ量1015ions/cm2 で注入することにより幅
0.1μm、ピッチ1.1μmの変性部105を形成し
エッジ部とする。Further, as shown in FIG. 8B, a silicon (Si) element is applied to the electrode layer 102 by using a focused ion beam apparatus in the direction indicated by the arrow at an acceleration voltage of 80 kV and a dose of 10 15 ions / cm 2 . By injection, a denatured portion 105 having a width of 0.1 μm and a pitch of 1.1 μm is formed to be an edge portion.
【0053】続いて図8(c)に示すように、電極層1
02上にLB法を用いてポリイミド単分子累積膜の2層
累積膜(膜厚8Å)を形成し、記録層103とした。Subsequently, as shown in FIG.
A two-layer cumulative film (thickness: 8 °) of a polyimide single-molecule cumulative film was formed on the layer No. 02 by the LB method to form a recording layer 103.
【0054】ポリイミド単分子累積膜の作製は記録媒体
の第1の形態例の製法と同様の方法による。The polyimide single-molecule cumulative film is manufactured by the same method as the manufacturing method of the first embodiment of the recording medium.
【0055】第3の形態例の記録媒体によると、 (1)イオン打ち込みにより非常に占有面積の少ないエ
ッジ部を形成するので、エッジ形成のために生じる記録
再生不可領域を最小とすることができる。According to the recording medium of the third embodiment, (1) Since an edge portion having a very small occupied area is formed by ion implantation, a non-recordable / reproducible area generated due to the edge formation can be minimized. .
【0056】(2)このイオン打ち込みの位置制御精度
はエッジの形成ピッチを1.1μmとすると0.1〜
0.2μm程度であればよく通常のステージを用いた設
備で十分に行える。よってエッジ形成に必要な製造コス
トは低く押えられる。(2) The position control accuracy of this ion implantation is 0.1 to 0.1 μm when the edge formation pitch is 1.1 μm.
It is sufficient that the thickness is about 0.2 μm, and it can be sufficiently performed with equipment using a normal stage. Therefore, the manufacturing cost required for forming the edge can be kept low.
【0057】(3)スパイラル状のエッジ部としたの
で、大容量のデータをトラックアクセスのための切換え
時間、あるいはレコードギャップなどのない連続記録再
生が可能となり、動画像の記録再生などに好適に用いる
ことができる。(3) Since the spiral edge portion is used, continuous recording and reproduction of a large amount of data without a switching time for track access or a record gap becomes possible, which is suitable for recording and reproducing of a moving image. Can be used.
【0058】[0058]
【実施例】本発明の情報記録再生装置の具体的な実施例
を図9に示す。FIG. 9 shows a specific embodiment of the information recording / reproducing apparatus according to the present invention.
【0059】図10に記録媒体上にプローブ電極の先端
の軌跡を表わした例を示す。また、図11、図12に再
生時と記録時における図9の記録再生装置の各信号線の
波形例をそれぞれ示す。以下図面に従って説明する。FIG. 10 shows an example of the locus of the tip of the probe electrode on the recording medium. 11 and 12 show waveform examples of the signal lines of the recording / reproducing apparatus of FIG. 9 during reproduction and recording, respectively. This will be described below with reference to the drawings.
【0060】101は記録媒体の基板、201はステー
ジで記録媒体上の任意の記録領域にプローブ電極を引き
込むために、X、Y、及びZ各方向に10mmの範囲で
移動できる。210は円筒型のPZTアクチュエータ
で、プローブ電極202を記録媒体上のデータ列に沿っ
て走査するためのもので、X、Y、及びZ方向にそれぞ
れ2μmまで移動できる。Reference numeral 101 denotes a substrate of a recording medium, and reference numeral 201 denotes a stage which can be moved in a range of 10 mm in each of the X, Y, and Z directions to draw a probe electrode into an arbitrary recording area on the recording medium. Reference numeral 210 denotes a cylindrical PZT actuator which scans the probe electrode 202 along a data row on a recording medium, and can move up to 2 μm in each of the X, Y, and Z directions.
【0061】プローブ電極202は電流アンプ310に
接続される。電流アンプ310の出力は対数圧縮回路3
11を経由してサンプルホールド回路312に入力され
る。サンプルホールド回路の出力信号(a)はコンパレ
ータ313、ピークホールド回路314、及び高域通過
フィルター318にそれぞれ入力される。The probe electrode 202 is connected to a current amplifier 310. The output of the current amplifier 310 is a logarithmic compression circuit 3
The signal is input to the sample-and-hold circuit 312 via the line 11. The output signal (a) of the sample hold circuit is input to the comparator 313, the peak hold circuit 314, and the high-pass filter 318, respectively.
【0062】ピークホールド回路314の出力(b)は
誤差増幅器315と低域通過フィルター316に接続さ
れる。誤差増幅器の出力は円筒型PZTのΔZ駆動電極
に接続される。一方、低域通過フィルター318の出力
は減衰器VR3 を通じてコンパレータ317に入力され
る。The output (b) of the peak hold circuit 314 is connected to an error amplifier 315 and a low-pass filter 316. The output of the error amplifier is connected to the ΔZ drive electrode of the cylindrical PZT. On the other hand, the output of the low pass filter 318 is input to the comparator 317 through the attenuator VR 3.
【0063】高域通過フィルターの出力(b)はコンパ
レータ317のもう一方の入力に接続される。さらに、
コンパレータ317の出力はデータ変復調部323のデ
ータ復調器に入力される。The output (b) of the high-pass filter is connected to the other input of the comparator 317. further,
The output of the comparator 317 is input to the data demodulator of the data modem 323.
【0064】データ変復調部のデータ変調出力はパルス
発生器321に接続され、DCバイアス電圧VB1と合成
して記録媒体電極に接続される。The data modulation output of the data modulator / demodulator is connected to the pulse generator 321 and combined with the DC bias voltage V B1 to be connected to the recording medium electrode.
【0065】トラッキング制御部322はアップダウン
カウンタ319及びD/Aコンバータ320を介して円
筒型PZTアクチュエータ210を駆動する。アップタ
ウンカウンタ319のアップ入力(g)にはエッジ検出
用のコンパレータ313の出力とトラッキング制御部か
らのアップ制御信号とのORを接続する。一方アップダ
ウンカウンタ319のダウン入力(f)にはトラッキン
グ制御部のダウン制御信号を接続する。アップダウンカ
ウンタのカウント出力はD/A変換器320によりアナ
ログ電圧に変換され円筒型PZTをΔX駆動する。さら
に、D/A変換器320の出力は走査方位制御信号で
制御される可変抵抗R2 と抵抗R1 を介してトラッキン
グ制御部からのウォブリング信号(k)と合成され、円
筒型PZTをΔY駆動する。The tracking control section 322 drives the cylindrical PZT actuator 210 via the up / down counter 319 and the D / A converter 320. The OR of the output of the edge detection comparator 313 and the up control signal from the tracking control unit is connected to the up input (g) of the uptown counter 319. On the other hand, a down input signal (f) of the up / down counter 319 is connected to a down control signal of the tracking control unit. The count output of the up / down counter is converted into an analog voltage by the D / A converter 320 and drives the cylindrical PZT by ΔX. Further, the output of the D / A converter 320 is combined with the wobbling signal from the variable resistor R 2 and via a resistor R 1 tracking control unit which is controlled by the scanning azimuth control signal (k), the cylindrical PZT [Delta] Y drive I do.
【0066】データの再生動作を想定すると、プローブ
電極202の記録媒体上での軌跡は図10(a)とな
る。ステージ201により初期設定されたプローブ位置
140より円筒型PZT210がデータ走査を始めると
141で表わされる軌跡を通ってエッジ120を検出す
るとプローブ電極の走査は反転し142の軌跡となる。
更に一定距離を走査後再び反転しエッジ120に向かう
方向に進む。Assuming a data reproducing operation, the trajectory of the probe electrode 202 on the recording medium is as shown in FIG. When the cylindrical PZT 210 starts data scanning from the probe position 140 initially set by the stage 201, when the edge 120 is detected through the trajectory indicated by 141, the scanning of the probe electrode is inverted and becomes the trajectory of 142.
Further, after scanning for a certain distance, it is inverted again and proceeds in the direction toward the edge 120.
【0067】上記の動作を繰り返し、プローブ電極がデ
ータビット列122を検出すると、このデータ列に走査
方位を調整しつつ順次走査して行く。When the above operation is repeated and the probe electrode detects the data bit string 122, the data string is sequentially scanned while adjusting the scanning direction.
【0068】プローブ電極の走査方位は走査方位制御信
号により可変抵抗R2 を変化させ円筒型PZTアクチ
ュエータ210のΔX/ΔYの駆動比を変えて行う。ま
た適正走査方位の検出は、図10には図示していないが
ウォブリング電圧(k)をΔY駆動し、このときのトン
ネル電圧のピークホールドされたエンベロープ信号
(c)をモニターして判断する。The scanning azimuth of the probe electrode is performed by changing the variable resistor R 2 according to the scanning azimuth control signal and changing the ΔX / ΔY drive ratio of the cylindrical PZT actuator 210. Although not shown in FIG. 10, the detection of the appropriate scanning azimuth is determined by driving the wobbling voltage (k) by ΔY and monitoring the envelope signal (c) at which the tunnel voltage is peak-held.
【0069】図10(b)にプローブ電極が記録媒体の
データ列を走査している様子を断面図にて示す。プロー
ブ電極と記録媒体表面との距離の制御は、トンネル電流
の対数圧縮した値をピークホールドした信号(b)を誤
差増幅器315により基準電圧VB3と比較し円筒型PZ
TをΔZ駆動する。FIG. 10B is a cross-sectional view showing how the probe electrode scans a data string on the recording medium. The distance between the probe electrode and the surface of the recording medium is controlled by comparing the signal (b) obtained by peak-holding the logarithmically compressed value of the tunnel current with the reference voltage V B3 by the error amplifier 315, and by controlling the cylindrical PZ.
T is driven by ΔZ.
【0070】この制御により、プローブ電極はデータ列
の凸部分または電子状態の最も高い部分を包絡するよう
に走査する。With this control, the probe electrode scans so as to envelope the convex part of the data string or the part having the highest electronic state.
【0071】次に、再生時における動作を各信号の状態
を表わす図11のタイミングチャートを用いて説明す
る。Next, the operation during reproduction will be described with reference to the timing chart of FIG. 11 showing the state of each signal.
【0072】プローブ電極により検出されたトンネル電
流は図9、310の電流アンプにより増幅された後、3
11により対数圧縮し、312でサンプルホールドされ
る。このサンプルホールド回路は再生時にスルー状態と
なり対数圧縮器の出力がそのまま出力される。The tunnel current detected by the probe electrode is amplified by the current amplifier of FIG.
11 is logarithmically compressed and sampled and held at 312. This sample-and-hold circuit enters a through state during reproduction, and the output of the logarithmic compressor is output as it is.
【0073】サンプルホールド出力(a)はエッジ検出
用コンパレータによりスレッシヨールド電圧VB2と比較
しプローブ電極がエッジに接近するのを検出する。ただ
し、VB2はデータ列による出力電圧より大きく設定す
る。The sample-and-hold output (a) is compared with a threshold voltage V B2 by an edge detection comparator to detect that the probe electrode approaches the edge. However, V B2 is set higher than the output voltage based on the data string.
【0074】エッジ検出した信号はアップダウンカウン
タを強制的にアップカウント動作に切換える。さらに一
定カウント値アップカウントした後、再びダウンカウン
トに切換える。このときアップダウンカウンタのアップ
及びダウン制御信号を図11の(g)、(f)にそれぞ
れ示す。またΔX駆動出力を図11(h)に示す。The edge detected signal forcibly switches the up / down counter to the up-count operation. Further, after counting up by a certain count value, the countdown is switched again. At this time, the up and down control signals of the up / down counter are shown in (g) and (f) of FIG. 11, respectively. FIG. 11H shows the ΔX drive output.
【0075】この動作によりプローブ電極は記録媒体の
エッジ部に衝突することなく走査することができる。With this operation, the probe electrode can scan without colliding with the edge of the recording medium.
【0076】サンプルホールド出力(a)は高域通過フ
ィルターにより高域周波数成分すなわちデータ情報成分
を抽出し、コンパレータ317によりデータ列のエンベ
ロープ信号(c)を適当に減衰した電圧と比較し2値化
データ(e)を得る。このときのコンパレータのそれぞ
れの入力信号を図11の(c)、(d)に示す。また2
値化された信号を図11(e)に示す。尚、エンベロー
プ信号(c)は図10に示されるピークホールド出力
(b)を低域通過フィルター316で積分したものであ
る。The sample-and-hold output (a) extracts a high-frequency component, that is, a data information component, by a high-pass filter, and a comparator 317 compares the envelope signal (c) of the data string with a voltage that has been appropriately attenuated and binarized. Obtain data (e). The respective input signals of the comparator at this time are shown in (c) and (d) of FIG. Also 2
The quantified signal is shown in FIG. The envelope signal (c) is obtained by integrating the peak hold output (b) shown in FIG.
【0077】続いて、記録時における動作を各信号の状
態を表わす図12のタイミングチャートを用いて説明す
る。Next, the operation at the time of recording will be described with reference to the timing chart of FIG. 12 showing the state of each signal.
【0078】サンプルホールド312の出力信号(a)
をコンパレータ313によりVB2と比較しエッジ接近を
検出すると、まずVB3を所定のレベルに設定し書き込み
動作に入る。プローブ電極と記録媒体との間隙の制御が
安定する時間を待ってサンプルホールド制御信号(i)
をデータ書き込みクロックに同期してホールド状態と
し、パルス発生器321より書込みパルス(j)を発生
する。このデータパルスの書き込みはプローブ電極が反
転走査するまで書き込まれ、プローブが反転走査すると
直ちに読出し走査の戻り、次のエッジを検出するまでデ
ータ書込み動作は待機状態となる。Output signal (a) of sample hold 312
Is compared with V B2 by the comparator 313 to detect the approach of the edge. First, V B3 is set to a predetermined level, and the writing operation starts. Waiting for the time when the control of the gap between the probe electrode and the recording medium stabilizes, the sample hold control signal (i)
In a hold state in synchronization with the data write clock, and the pulse generator 321 generates a write pulse (j). The writing of the data pulse is performed until the probe electrode performs the reverse scanning, and immediately after the reverse scanning of the probe, the reading scan returns, and the data writing operation is in a standby state until the next edge is detected.
【0079】[0079]
【発明の効果】上述した本発明の情報記録再生装置で
は、正確な間隔制御により正確な情報の記録、再生が行
える。According to the information recording / reproducing apparatus of the present invention described above, accurate recording and reproduction of information can be performed by precise interval control.
【0080】特に、本発明では、プローブ電極と記録媒
体表面の間隙制御回路にピークホールド回路を用いてい
ることにより、プローブ電極にエッジなどの急峻な凸部
があっても速い時定数でプローブ電極は回避し、またプ
ローブ電極がデータビットの凸部を外れた際には遅い時
定数で記録媒体表面に接近する。この動作によりプロー
ブ電極の無駄な上下振動を極力減らすことができ、極め
て高速にプローブ電極を捜査することができる。In particular, in the present invention, the peak hold circuit is used for the gap control circuit between the probe electrode and the recording medium surface, so that the probe electrode has a fast time constant even if the probe electrode has a sharp projection such as an edge. When the probe electrode comes off the projection of the data bit, the probe electrode approaches the surface of the recording medium with a slow time constant. By this operation, useless vertical vibration of the probe electrode can be reduced as much as possible, and the probe electrode can be searched at a very high speed.
【図1】本発明の情報記録再生装置を説明する図。FIG. 1 is a diagram illustrating an information recording / reproducing apparatus according to the present invention.
【図2】本発明の作用を説明する図。FIG. 2 is a diagram illustrating the operation of the present invention.
【図3】図1の記録媒体の第1の形態図。FIG. 3 is a first embodiment of the recording medium of FIG. 1;
【図4】図1の記録媒体の第2の形態図。FIG. 4 is a second embodiment of the recording medium of FIG. 1;
【図5】(a)図1の記録媒体の第3の形態図。 (b)図5(a)のA−A′断面図。FIG. 5A is a third embodiment of the recording medium of FIG. 1; (B) AA 'sectional drawing of FIG.5 (a).
【図6】図3の記録媒体の製造方法を説明する図。FIG. 6 is a diagram illustrating a method of manufacturing the recording medium of FIG.
【図7】図7は図4の記録媒体の製造方法を説明する
図。FIG. 7 is a view for explaining a method of manufacturing the recording medium of FIG. 4;
【図8】図5の記録媒体の制御方法を説明する図。FIG. 8 is a view for explaining a method of controlling the recording medium of FIG. 5;
【図9】本発明の情報記録再生装置の具体的な構成を表
わす図。FIG. 9 is a diagram showing a specific configuration of an information recording / reproducing apparatus of the present invention.
【図10】図1における記録再生装置のプローブ電極の
記録媒体面上の軌跡を表わす図。FIG. 10 is a diagram showing a locus of a probe electrode of the recording / reproducing apparatus in FIG. 1 on a recording medium surface.
【図11】図1の記録再生装置の再生時の信号波形を示
す図。FIG. 11 is a view showing signal waveforms at the time of reproduction of the recording / reproducing apparatus of FIG. 1;
【図12】図9の記録再生装置の記録時の各部の信号波
形を示す図。FIG. 12 is a diagram showing signal waveforms at various points in the recording / reproducing apparatus of FIG. 9 during recording.
フロントページの続き (72)発明者 黒田 亮 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 能瀬 博康 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 宮▲崎▼ 俊彦 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平1−206202(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 9/00 G01N 37/00 Continued on the front page (72) Inventor Ryo Kuroda 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Hiroyasu Nose 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor: Miyazaki Toshihiko 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Within Canon Inc. (56) References JP-A-1-206202 (JP, A) (58) Fields investigated (Int) .Cl. 6 , DB name) G11B 9/00 G01N 37/00
Claims (1)
録及び/又は再生を行う情報記録再生装置において、 プローブを介して得られた信号をピークホールドした信
号と基準信号との差分を検出する手段と、 前記検出手段の検出した差分を補償するように前記プロ
ーブと記録媒体との間隔を調整する手段とを備えること
を特徴とする情報記録再生装置。An information recording / reproducing apparatus for recording and / or reproducing information on a recording medium using a probe detects a difference between a signal obtained by peak-holding a signal obtained via the probe and a reference signal. Means for adjusting the distance between the probe and the recording medium so as to compensate for the difference detected by the detecting means.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |